TWI344547B - - Google Patents

Description

1344547 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種檢查方法及電子元件之製造方法。 又’本發明係關於一種檢查系統及檢查程式。 【先前技術】 先前之電子元件之缺陷原因之檢查方法，例如在半導體 裝置製造時，一般係採用破壞方法，該破壞方法係將晶圓 在缺陷位置切斷，進行藉由掃描型電子顯微鏡（SEM)及穿 透型電子顯微鏡（TEM)之剖面觀察β該方法，首先在製作 用於觀察缺陷位置剖面之樣品上需要時間。再者，從别面 觀察之結果推定成為缺陷原因之步驟，並用實驗來驗證該 推定。因此，由於電子元件之缺陷改善需要較多成本及時 間’故謀求電子元件缺陷原因之調查簡化。 雖然提出有模擬方法（例如參照專利文獻丨）作為解決前 述問題之方法，但並未達到解除前述問題。 前述問題並不限定於半導體裝置之製造，即使在液晶等 其他電子元件之製造中亦同樣存在。 [專利文獻1]曰本特開2000-195766號公報 【發明内容】 [發明所欲解決之問題] 謀求一種可以非破壞方法簡單地調查並確定電子元件之 缺陷原因之檢查方法。此外謀求一種使用該檢查方法之電 子元件之製造方法。 [解決問題之技術手段】 1247tl.doc 1344547 本發明之第i特徵係以以下之檢查方法作為要點，該檢 查方法包含：將伴隨電子元件製造之各步驟之qc資料記 錄於記憶部之步驟；製作各步驟之Qc資料分佈圖之步 驟；從分佈圖中提取奇異點，製作奇異點圖之步驟；比較 奇異點圖與完成品之不良產生圖之步驟；及基於比較，鑑 別成為不良原因之步驟及缺陷之步驟。

本發明之第2特徵係以以下之電子元件之製造方法作為 要點，該電子元件之製造方法包含：實行伴隨電子元件製 造之各步驟及將伴隨電子元件製造之各步驟之qc資料記 錄於記憶部之步驟；製作各步驟之QCf料分佈圖之步 :::叠合複數個分佈圖而得到之分佈圖中提取奇異點， 製作奇異點圖之步驟；比較奇異點圖與完成品之不良產生 二:驟：及在伴隨電子元件製造之各步驟中，基於比 血別成為不良原因之步驟及缺陷之步驟。 本發明之第3特徵係以以下檢魯

查系統包含：資料記憶裝置，其Hi作為要點，該檢 之久+锁+ ^ 其係屺錄伴隨電子元件製造 之_料標準化為共同部，其係將各步驟 由π準化…η 分佈圖處理部，其係 =之料製作各步驟之QC資料分佈圖 者；分析、”： 中提取奇異點，製作奇異點圖 圖，並Α於其係比較奇異點圖與完成品之不良產生 圖，並基於比較，梦丨 卜氏座玍 顯示部’其係顯示QC資料:::圖原因：步驟及缺陷者;及 別結果者。 奇異點圖、缺陷之鑑 124711.doc 本發明之第4特徵係以以下之檢查程式作為要點，該檢 查程式係令檢查系統執行以下步驟：將伴隨電子元件製造 之各步驟之QC資料記錄於記憶部之步驟；製作各步驟之 QC資料分佈圖之步驟；從分佈圖中提取奇異點，製作奇 異點圖之步驟；比較奇異點圖與完成品之不良產生圖之少 驟；及基於比較，鑑別成為不良原因之步驟及缺陷之步 驟。 [發明之效果] 本發明係提供一種可以非破壞方式簡單地調查並確定電 子元件之缺陷原因之檢查方法。此外提供一種使用該檢查 方法之電子元件之製造方法。 【實施方式】 以下’舉實施形態說明本發明，但本發明並非限定於以 下之實施形態。又’對於圖中具有相同功能或類似功能者 賦予相同或類似之符號，省略其說明。 (檢查系統） 圖2所示之第1實施形態之檢查方法所使用之檢查系統ι 具備：處理演算裝置2、連接於處理演算裝置2之顯示裝置 3、輪入裝置4、輸出裝置6、及資料記憶裝置8。在輸入裝 置4連接有測定裝置5，藉由測定裝置5所測定之qc資料被 傳遞給處理演算裝置2。 /作為處理演算裝置2’只要係由在cpu等通常之計算機 系統所使用之演算裝置等構成即可。圖2中，處理演算较 置2包含：資料取得部1〇、資料轉換登錄部丨丨、分佈圖處 124711.doc 1344547 理部12、奇異點圖處理部1 3、及分析演算部14。 顯示裝置3係指監視器等之畫面，可使用CRT、液晶顯 不裝置（LCD)、發光二極體（Led)面板、電致發光（EL)面板 等。

作為輸入裝置4 ’例如可舉出鍵盤、滑鼠等之指向裝 置°另外亦可藉由語音裝置、CD — ROM、磁帶等「記錄 媒體」之讀取裝置、向計算機網路之連接元件及向網際網 路之連接元件等所構成。從輸入裝置4進行輸入操作，對 應之資訊（資料）即被傳遞給處理演算裝置2。 作為輸出裝置6,係藉由喷墨印表機、雷射印表機、向 計算機網路之連接元件、及向網際網路之連接元件等所構 成。 作為資料記憶裝置8可使用R〇M、RAM、磁碟等之記憶 褒置，作為記憶部記憶與電子元件之製造條件相關之各種 資訊。於資料庫中，如圖2所示包含：步驟名、處理裝置

處理至名明圓資訊、批次資訊、製程時間、製程面 ^ 頃向、及製程條件等。在製程條件中例如包含：向晶圓 =之成膜條件、研磨條件、钱刻條件、及氧化條件等。 =卜：記憶部可以與步驟名等相關連地記錄缺陷原因及針 對該缺陷原因之改善對策。 :::貝枓記憶裝置8之記憶部可以隨時更新。亦即， 要對該新的電子元件:=:使:新的—只 述記憶部，更新記憶於#料記二8進行實驗後製作前 寸匕隐裝置8之記憶部即可。 124711.doc 1344547 又，圮憶部之更新，例如亦可經由包含網際網路之通信裝 置’從遠端對資料記憶裝置8進行。 (檢查方法） (第1實施形態） 使用圖2之檢查系統丨，以半導體裝置之製造方法為例， 面參照圖1之流程圖一面說明第丨實施形態之檢查方法。

U)首先在步驟S101實施包含一系列步驟之電子元件（例 如：半導體裝置）之製造，測定各步驟2QC資料。例如， 若將步驟A假定為對在矽基板（晶圓）上依次層積有多晶矽 膜、矽氧化膜、及矽氮化膜之構造’ #由光學微影術形成 蝕刻掩模之步驟；將步驟B假定為使用由光阻劑所形成之 ㈣掩模’㈣最上層碎氮化膜’形成由錢化膜所形成 之新的钱刻掩模之步驟；將步驟c假定為使用由石夕氮化膜 所形成之新的蝕刻掩模，連續蝕刻矽氧化膜及多晶矽膜之 步驟；則在步驟A中，測定由光阻劑形成之蝕刻掩模之線 寬’在步驟B中，測定碎氮化膜之㈣深度，在步驟c 中，測定矽氧化膜與多晶矽膜合計之蝕刻深度(但應留意 在實際之半導體裝置之製造中’包含有數十至百以上，甚 至有時數百之步驟，而步驟A、B、C僅為說明方便上以 不。）。然後’藉由將各步驟之QC資料與步驟名、處理裝 置名、處理室名、晶圓性能、批次性能、及製程時間等相 關連地分別記錄於資料記憶裝置8,並在步驟81〇2將各牛 驟之QC資料記錄於資料庫。 少 此時如圖3⑷、圖3⑻、圖3⑷分別所示之步驟a、步驟 1247Il.doc •10· 1344547 B、步驟C之資料點群A、B、C，各步驟 點並不-定相同1此’為了使後述之掌握晶圓面内之傾 向時之評價變得容易，如圖4所示’在步驟咖進行Qcf 料點之内#、資料之標準化。此時，進行内插，以使得圖 7、圖8所示之在實際半導體晶圓上，藉由檢查所得到之成 為不 munG1、NG2、NG3、NG4、ng5 ng6、 NG7、NG8、刪、N⑽之f料點之㈣區域（晶片區域） 之數量(45點）’與所有之資料一致β例如在圖4⑷所示之a 步驟中，内插包含資料點Al、A5、A9、八13、a3i、 M3、A38、A42、A45之資料點群A，得到包含a卜心之 45點之内插資料點群AM而標準化。進一步在步驟 中’將離散資料之内插資料點群AM以等價線顯示（等高線 顯示），藉由連續資料之分佈圖得到面内傾向圖AC後進 行可視化。可視化例如係藉由顏色區分來進行。 又，與A步驟同樣，如圖4⑻、圖4(c)所示，在步驟si〇4 對B步驟、C步驟亦進行内#，藉由分佈圖得到面内傾向 圖BC、CC。將在步驟§1〇4製作之分佈圖記憶於資料庫。 、⑺在步驟Sl〇5從分佈中提取奇異點。如戶斤周知般， 分佈圖之「奇異點」係分佈不圓滑之弯曲之點或形成眼球 狀之點。QC值之「奇異點」，其類型包含與Qc值之平均值 之差較大的點、極大點、極小點、或者QC值變化之微分 值較大的點。在步驟S106，在面内傾向圖Ac、Bc、cc 中，如圖5所示，在分佈圖上繪製奇異點^、 cs、…，製作奇異點圖ACS、BCS、ccs、父。纨 124711.doc 1344547 後，將奇異·點圖ACS、BCS、CCS、…XCS記錄於資料記 憶裝置8。又，如步驟X所示，在無奇異點時，奇異點圖 XCS與面内傾向圖xc為相同者。因此，本說明書中有時將 奇異點圖作為面内傾向圖闡述。 (3)在步驟S110’從資料記憶裝置8中讀取如圖5所示之 奇異點圖ACS、BCS、CCS、…XCS，將各步驟之奇異點 圖ACS、BCS、CCS、…XCS與如圖8所示之按每種不良圖 案所分類整理之電子元件不良產生圖NG1、NG2、NG3、

NG4、NG5、NG6、NG7、NG8、NG9、NG10進行比較。

此處’所謂「不良產生圖」，若係在半導體裝置之製造情 形’例如係指不良晶片在晶圓上之分佈，該不良晶片在晶 圓上之分佈係在除切割步驟以後之後步驟（組裝步驟）外之 晶圓級之所謂「前步驟」之結束階段，從用探針測定之電 氣特性之測定結果而得到者。但是，「不良產生圖」亦可 係不良晶片之面内傾向，該不良晶片之面内傾向係在稱作 所謂「前端步驟」之基板步驟之結束階段，從藉由顯微鏡 等測定之結果而得到者；或者，亦可在稱作所謂「後端步 驟」之表面佈線步驟之任意中間階段，設定不良產生圖。 然後，將各步驟各自之面内傾向或者組合複數步驟之步驟 相關之面内傾向，與不良產生圖進行對比。例如如圖6所 示，亦可將複數步驟之各自之奇異點圖ACS、Bcs、 CCS.....XCS叠合’製作奇異點圖ABC...X—CS，與不 良產生圖進行對比。此時亦可從連續之複數步驟中，離散 地提取任意步驟之奇異點圖並加以疊合。將每—步驟或者 1247! l.doc -12- 1344547 複數步驟之面内傾向與設計資料相關連地記憶於資料記惟 裝置8。 (4)在步驟S111，基於各步驟之奇異點圖（面内傾向）與不 良產生圖之對比，鑑別不良之原因步驟及成為不良原因之 缺陷。在圖7、圖8中，分佈圖之奇異點圖Bcs之奇異點 BS ’與在晶圓完成品各自之晶片區域所顯示之不良產生圖 NG2之奇異點NG2S之位置一致，由此可以推測原因在步 驟B。

(5)在步驟S112，使奇異點圖、不良產生圖、及原因步 驟之缺陷原因，與改善内容相對應，作為缺陷資料記憶於 資料記憶裝置8。特別係比較各步驟之奇異點圖（面内傾向） 與不良產生圖NG1〜NG10來域定缺陷原因時，將原因步驟 之奇異點圖(面内傾向)與不良產生圖之對應關係之詳細内 容記憶於資料庫。

依照第1實施形態，從在各步驟之蝕刻速率或沈積速率 等晶圓面内之製程資料之分佈傾向，可以掌握每一步驟或 者組合複數步驟時之晶圓的面内傾向及奇異點，與完成品 之不良產生圖進行對比。μ汗e mΠ 上述日日圓面内之製程資料之分

傾向係從與半導體裝置等之電子元件之製造步驟 質管理（QC)資料取得者。亦即藉由將分佈圖所示之每一 I =奇m依照不良種類分類之完成品之晶圓面内^ 良產生圖進行比較，可以銪且^ ΤΜ簡易地確定成為完成品不良屌因 之步驟及不良種類β 个民席因 (第1實施形態之變形例1) 124711.doc 1344547 -面參照圖9之流程圖，及圖lG(a)(b)、圖叫⑻、圖 12⑷⑻之電子元件剖面形狀圖，半導體裝置之製 造方法為例，說明第1實施形態之變形例丨之檢查方法。 又’如圖Μ所示，第i實施形態之變形例【之檢查方法所 使用之檢查系統5 1 ’除具備剖面形狀模型化部】$、剖面形 狀模擬部16外，與圖2之檢查系統丨同樣構成。 圖1〇⑷係顯示步驟A之設計上之電子元件之剖面形狀，

圖1〇⑻係'顯示步驟A之模型化之電子元件之剖面形狀。圖 1〇⑷⑻係顯示電子元件之剖面形狀，該電子元件係對在 矽基板(晶圓)21上依:欠積層有多晶矽膜23、石夕氧化膜… 及石夕氮化膜28之構造，藉由光學微影術形成有則掩模 29a、29b。 圖1〗（a)係顯示原因步驟B之設計上之電子元件之剖面形 狀，圖11(b)係顯示步驟b之模型化之電子元件之剖面形 狀。圖ll(a)(b)係顯示電子元件之剖面形狀，該電子元件

係在步驟B使用由光阻劑形成之蝕刻掩模29a、29b，蝕刻 最上層矽氮化膜28，形成由石夕氮化膜28形《之新的蝕刻掩 模所得到者。 圖12⑷係顯示步驟c之設計上之電子元件之别面形狀， 圖12(b)係顯示步驟c之模型化之電子元件之剖面形狀。圖 12(a)(b)係顯示電子元件之剖面形狀，該電子元件係使用 由夕氮化膜2 8形成之新的钱刻掩模，連續姓刻石夕氮化膜2 5 及多晶石夕膜2 3所得到者。 圖9中，直至步驟SU1之流程與圖1之流程圖相同。以步 124711.doc 14 驟 S150、152、153、1S4^Lrb 54為中心進行說明。進行圖1之流程 圖所說明之⑴〜⑷步驟後，在步驟S15。，藉*在步驟sm 所鑑別之不良之原因步驟中所鏗別之缺陷，將電子元件之 J面形狀如圖11(b)所示進行模型化。此時，原因步驟B之 前一步驟步驟A之雷·?y 見于凡件之剖面形狀，亦如圖10(b)所示 進仃模型化’並與模型化圖一起掌握圖1〇叫、圖"⑷所 示之設計上之電子元件之剖面形狀為宜。此係因為容易推 定缺陷之原因。 在步驟S152，基於在步驟S15()所推定並模型化之剖面形 狀如圖12(b)所不，藉由模擬來關連推定此後步驟之剖面 形狀。然後，在步驟8153’確認剖面形狀之模擬結果是否 對應於測定之不良’確定原因步驟及缺陷原因。例如在圖 11(b)、圖12(b)_ ’ T知以圖u(b)所示之#刻殘留31為起 因，產生圖12(b)所示之短路缺陷33。之後在步驟S154， 將剖面模擬之結果 '與原因步驟之缺陷原因及改善内容相 對應地作為缺陷資料記錄於資料記憶裝置8。 依照第1實施形態之變形例之檢查方法，藉由將二維剖 面形狀模型化，可以藉由模擬，視覺性確認從缺陷之產生 直至不良之一系列階段，因此可以簡易地確定不良之原 因’並容易地導出不良之改善對策。 又’亦可組合第1實施形態與其變形例。在該情形，可 以得到以下之作用效果，即：除了第1實施形態及其變形 例之作用效果外，可提高原因步驟及缺陷原因之確定精 度0 124711.doc 1344547 (第1實施形態之變形例2) 在第1貫施形態中，在步驟S 1 〇3進行qc資料點之標準化 後，由在步驟S104中標準化之資料製作分佈圖。但是，在 複數之步驟中，QC資料之測定位置共同時，從簡化檢查 步驟之觀點考慮，亦可不進行qC資料之内插，而由共同 測定位置之QC資料來直接製作分佈圖。例如圖3之情形， 亦可由步驟A之測定位置A1、A5、A9、A〗3、八45，步驟b 之測定位置B1、B5、B9、B13、B45，步驟c之測定位置

Cl、C5、C9 ' C13、C45之QC資料直接製作分佈圖。電子 元件越多層細密化，藉由正確掌握面内傾向而使檢查精度 提升’對改善電子元件良率之影響越大。因此，從為圖謀 提高電子元件之良率，@更正杨掌#面内冑向之觀點考 慮’宜在步驟S 1 03進行QC資料點之標準化。 (第1實施形態之變形例3) 在第1實施形態中，在步驟8105從分佈圖之極大、極小 點提取奇異點，其後藉由進行步驟S 1 06、11 〇、丨丨丨，進行 缺陷之鑑別。此時即使對於如圖13所示之由等高線間隔 寬、邊界線不清楚之輪廓所包圍之區*DCS(以下稱作「分 佈不均」），亦可藉由與奇異點同樣地，進行S 105、106、 n〇、111而鑑別缺陷。例如在圖13中，將從資料記憶裝置 8所續取之奇異點（分佈不均）圖DCS…XCS，與按不良圖案 員正理之電子元件之不良產生圖NG11、NG12、NG13進 仃比軚，因為不良產生圖NG12與奇異點NGlUi位置一 致，故可以推測原因在步驟D。 I24711.doc -16· 1344547 (第2實施形態） 第2實施形態之檢查方法包含以下步驟， Λ 1 *在圖1、圖 9之流程圖之步，Sn2、步驟S154， 取°己錄於資料記掩 裝置8之資料庫（例如包含奇異點 心 ,^ 反座生圖、使原因

步驟之缺陷原因與改善内容對應之缺陷資料），對比缺陷 改善資料與設計資料，確^具有缺陷傾向之步驟，進行該 步驟之製造條件之調整。此處，進行製造條件之調整，例 如係進行提高製造步驟之精度或速度等之調整，或係進行 應如此般進行之關係到該製造步驟之諸條件之調整。^ 此’在進行如此之㈣後，可以實施包含步二之電 子元件（例如：半導體裝置）之製造。 依照第2實施形態，藉由參照程式館化之過去之缺陷調 查事例’彳以提示缺陷原因之改善方法。其結果，在電子 元件之製造上可以提高其精度或速度等。 (檢查程式）

提供用於在檢查系統1中執行之檢查程式。檢查程式例 如包含.（1)將伴隨電子元件製造之各步驟之Qc資料記錄 於資料記憶裝置之步驟；（2)製作各步驟之Qc資料之分佈 圖之步驟；（3)從分佈圖中提取奇異點，製作奇異點圖之步 驟；（4)比較奇異點圖與完成品之不良產生圖之步驟；及 (5)基於比較，鑑別成為不良原因之步驟及缺陷之步驟。 檢查程式，亦可代替步驟（3)，而採用從將分佈圖複數 #合所得到之分佈圖中提取奇異點，製作奇異點圖之步 驟。另外檢查程式亦可進—步包含以下步驟（6)，即：基於 124711.doc -17- 1344547 成為不良原因之步驟之鑑別，將所鑑 一 ⑴义原因步驟之電子 =剖=模型化’基於模型化之剖面形狀，模擬原 2驟以後的步驟之剖面形狀’驗證鑑別之不良之原因步 驟與缺陷是否正確。

…檢查程式可以保存於計算機可讀取之記錄媒體 中。藉由計算機系統讀入該記錄媒體，執行檢杳程式而控 制計算機，藉此可以實現前述之檢查程式。此處，所謂 、己錄媒體」係指例如如計算機之外部記憶體裝置、半導 =憶體、磁碟、光碟、光磁碟、磁帶等可以料程式之 …另外在「，己錄媒體」中包含計算機f料信號傳輸 波0 (其他實施形態）

如前所述’本發明雖藉由實施形態所揭示，但構成本發 2内容:部分之論述及圖式不應理解為係限定本發明者。 攸本掲不内合本订業者當可明白各種代替之實施形離、實 施例及運用技術。例如，在第卜第2實施形態中雖然係顯 一方法但亦可提供具備以該檢查方法作為步驟之 電子元件之製造方法。此外與檢查方法相關連提供有檢查 系充如此，本發明包含在此處所未記述之各種實施形態 等糸理所田然的。因此，由前述說明，本發明之技術範圍 係僅由妥當之申請專利範圍之發明特定事項所決定。 因:外之優點及修改將容易發生在那些技術熟練者身上。 廣義之本發明並不限定於本說明書及發明實施形態 所名丈述者。柏廂从 * …’在不偏離本發明宗旨之範圍内所進行 12471l.doc • J8- 1344547 之各種灰更被定義為其附屬聲明及同等物。 【圖式簡單說明】 圖1係顯示第1實施形態之檢查方法之流程圖。 圖2係顯示本實施形態之檢查裝置之方塊圖。 圖3(a)、圖3(b)、圖3(c)分別係顯示步驟a、步驟B、步 驟C之資料點之測定位置之圖。 圖4(a)〜(c)係顯示QC資料之内插方法之概念圖。 圖5係顯示奇異點圖之圖。

圖6係顯示掌握面内傾向之方法之概念圖。 圖7係顯示對比奇異點圖與不良產生圖，確定不良產生 步驟之方法之概念圖。 圖8係顯示按不良之種類所分類之電子元件之不良產生 圖之資料群。 圖9係顯示第丨實施形態之變形例之檢查方法之流程圖。 圖10(a)係顯示步驟A之設計上之電子元件之剖面形狀，

圖10(b)係顯示步驟a之模型化之電子元件之剖面形狀。 圖11 (a)係顯示步驟B之設計上之電子元件 1干之剖面形狀， 圖11(b)係顯示步驟b之模型化之電子元件之剖面形狀 圖12(a)係顯示步驟c之設計上之電子元件之剖面带 圖12(b)係顯示步驟C之模型化之電子元件之剖面形狀 ’ 圖13係顯示對比奇異點（分佈不均）圖與不良 、 民度生圖，確 定不良產生步驟之方法之概念圖。 置之方塊圖 圖14係顯示本實施形態之變形例之檢查裝 【主要元件符號說明】 I24711.doc •19· 1344547

A、B、C

AM、BM、CM

AS、BS、CS

AC、BC、CC、XC

ACS、BCS、CCS、XCS QC資料群 内插QC資料群 奇異點 分佈圖 奇異點圖

124711.doc -20-

Claims (1)

1344547 > 曰修(更)正本 第096135593號專利申請案 中文申請專利範圍替換本(99砗 十、申請專利範圍： 1. -種電子元件之檢查方法’其特徵在於包含·· 將伴隨電子元件製造之各步 之步驟； 7驟之QC貪料記錄於記憶部 製作前述各步驟之QC資料之分佈圖之步驟； 從前述分佈圖中提取奇異點，製作奇異點圖之步驟· 比較前述奇異點圖與完成品之不良產生圖之步驟；及 驟基於前述比較’鑑別成為不良原因之步驟及缺陷之步 里胃I:項1id"""件之檢查方法，其中在前述製作奇 …點圖之步驟中’從疊合複數個前述分佈圖而得到之八 佈圖中提取奇異點’製作奇異點圖。 刀 3. 如請求項丨之電子元件之檢查方法，其令在前述製作八 _之步驟中，將前述各步驟之⑽料標準化為共同: 貝枓’由前述標準化之資料得到各步驟之qc資料 圖。 吓 5. 4. =項1之電子元件之檢查方法，其中進一步包含以 下步驟，即··基於鑑別前述成為不良原因之步 鑑別之原因步驟之電子元件之剖面形狀模型化，基於模 型化之剖面形狀模擬前述原因步驟以後之步驟之； 狀，驗證前述不良之原因步驟及缺陷之鑑別是否正確。 -種電子元件之製造方法，其特徵在於包含： 貝仃伴隨電子7C件製造之各步驟及將前述伴隨 件製造之各步驟之QCf料記錄於記憶部之步驟；疋 1247丨丨-99 丨203.doc 6. 夂作冲j述各步驟之、 w 哪之QC資枓之分佈圖之步驟. 從別述分佈圖令提取奇異點，製作奇里， 在前述各:Γ其 之不良產生圖之步驟;及 各V驟’基於前述比 步驟及缺m ^成為不良原因之 如π求項5之電子元件之製造方法，其人：， 成為不良原因之步驟之條件的步驟。、3調整前述 如請求項5之電子元件之製 異點圖之步驟中，從…二 在前述製作奇 佈圖中提…前述分佈圖而得到之分 圖中耠取奇異點’製作奇異點圖。 凊求項5之電子元株$制、土 佈圖之步驟中，將法’其中在前述製作分 7驟中將别边各步驟之㈧資料標準化為共同之 由前述標準化之資料得到各步驟之_料分佈 圖。 9. 10. 如請求項5之電子元件之製造方法，其中進一步包含以 下v驟，即·基於鑑別前述成為不良原因之步驟，將所 鑑別之原因步驟之電子元件之剖面形狀模型化，基於模 型化之剖面形狀模擬前述原因步驟以後之步驟之剖面形 狀’驗證前述不良之原因步驟及缺陷之鑑別是否正確。 -種電子元件之檢查系統，其特徵在於包含： 資料α己憶裝置’其係記錄伴隨電子元件製造之各步驟 之QC資料者； 貝料轉換登錄部，其係將前述各步驟之QC資料標準化 為共同之資料者； 1247ll-991203.doc 1344547 分佈圖處理部，其係由前述栌 之QC資料分佈圖者； 之資料製作各步驟 奇異點圖處理部，其係從 作奇異點圖者； 則述分佈圖提取奇 異點，製 分析演算部，其係比較前述奇異點圖與 產生圖，基於前述比較，鑑別成為不良原 陷者；及

，貝示部，其·示前述QC資料之分佈圖、前述奇異畔 圖、前述缺陷之鑑別結果者。 、· 11·如請求項Η)之電子元件之檢查系統，其中前述奇異點圖 處理部，係從前述分佈圖或疊合複數個前述分佈圖而得 到之分佈圖中提取奇異點，製作奇異點圖。 f 12.如請求項10之電子元件之檢查系統，其甲進一步包含： 剖面形狀模型化部，其係基於鑑別前述成為不良原因

完成品之不良 因之步驟及缺 之步驟，將所鑑別之原因步驟之電子元件之剖面形狀模 型化者；及 剖面形狀模擬部，其係基於模型化之剖面形狀，模擬 前述原因步驟以後之步驟之剖面形狀者。 13. 如請求項10之電子元件之檢查系統，其中前述分析演算 部係驗證前述不良之原因步驟及缺陷之鑑別是否正破。 14, 一種電子元件之檢查程式，其特徵在於其係令電子元件 之檢查系統執行以下步驟： 將伴隨電子元件製造之各步驟之QC資料記錄於記憶部 之步驟； 124711-99l203.doc 1344547 製作前述各步驟之QC資料之分佈圖之步驟. 從前述分佈圖中提取奇異點，製作奇異點圖· 比較前述奇異點圖與完成品之不良產生圖之步驟及 基於前述比較，鑑別成為不良原因之步驟及缺陷之牛 15. 月长項14之皂子元件之檢查程式，其中前述製作奇異 Η之v驟係從疊合複數個前述分佈圖而得到之分佈 圖中提取奇異點，製作奇異點圖。 124711-991203.doc