JP5400882B2 - 半導体検査装置及びそれを用いた半導体検査方法 - Google Patents

半導体検査装置及びそれを用いた半導体検査方法 Download PDF

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Description

本発明は、電子顕微鏡を用いて試料の寸法を測定するシステム及び方法に関わり、特に半導体装置の製造プロセスにおいてウエハ上に形成されたパターンの形状を評価する半導体検査装置及びそれを用いた半導体検査方法に関する。
半導体装置の製造工程では、基板上に微細なパターンを幾層も形成し、これらのパターンが設計通りにウエハ上に加工されているか、または加工されたパターンの寸法に変動がないか検査が行われる。この検査では、微細な寸法測定に優れた走査型電子顕微鏡が従来から用いられている。電子顕微鏡を用いた各種検査を行なう装置や方法については、例えば特許文献1〜7や非特許文献1に開示されている。
特開平11−316115号公報 特開2007−218711号公報 特開2008−153085号公報 特開平9−320505号公報 特開2004−157135号公報 特開2005−277395号公報 特開2007−248087号公報
Proc. of SPIE Vol.6152 61520Y−1(2006)
これまでの半導体製造プロセスにおける検査では、たとえば半導体デバイスの性能を支配するゲートラインパターンのライン幅を測定する際、上記の手法を用いてゲートラインのうち、半導体材料の上にのっている領域だけを計測すればよかった(この様子を図1に示す)。なぜならば、ゲートパターン101の幅のうち、半導体材料がむき出しになっているアクティブ領域102の上にゲートパターンがのっている部分の値のみから、完成されるトランジスタの性能が十分な精度で予測できたからである。
しかし近年は後述する理由から、トランジスタ同士を分離する目的で形成されている図1の絶縁膜領域103の上にのっているゲートラインの幅、さらには領域101と絶縁膜領域103との境界である、段差領域104の上のライン幅までも、計測する必要が生じてきた。具体的に計測する必要のある情報を示すため、図1のラインパターンの幅をラインに沿って計測した例を図2に示す。グラフのyは、図1中に示したy座標に対応している。
従来は図1のアクティブ領域102上のライン幅に対応する図2のアクティブ領域201における平均寸法値を求めていたが、最近ではラインの両端を除いた領域202における寸法値の変動を正しく求める必要が生じている。このグラフ、即ちある範囲内における局所ライン幅のエッジ方向に沿った変動を、ここではライン幅プロファイル、と呼ぶことにする。また、ラインパターン以外のパターンでも、これまではそのごく一部を計測し、パターンの寸法代表値として取り扱っていたが、近年は代表値ではなくパターンの全体を正しく把握することが必要になってきた。即ち、これまでのようにパターンあるいはパターンの一部から抽出した一つの指標だけでは、パターンが、必要なデバイス性能を実現する程度に正しく転写されているかどうかを評価できなくなってきた、といえる。
このような計測が必要になった第一の理由は、これらのデータによってマスクパターン修正の必要性が正確に判断できるからである。例えば非特許文献1では、ライン幅プロファイルを用いた場合が示されている。この文献では、本来Yに対して変動が殆どないはずの領域で、ライン幅が増加の傾向を示したことから、マスクの光近接効果補正が不十分であることが判明した、という事例が述べられている。
第二の理由は、これらの情報がデバイスの性能と関係する重要な量だからである。従って、作成されたパターンの合否判定を行う上でライン幅プロファイルやパターン形状データが役に立つ。
第三の理由は、この情報を用いて、観察対象ウエハに次に施される加工の条件が最適化できるためである。このような検査及び制御を実施することで、半導体デバイスの歩留まりを向上させることができる。逆に、このような方法で生産性を向上させない限り、最先端の半導体デバイスは量産できない。
尚、ラインパターンにおいても、パターンの二次元形状(パターンエッジの二次元形状)を正しく計測できれば、ライン幅プロファイルは正確に計測することができるため、以降は電子顕微鏡を用いてパターンのエッジの位置を正確に計測する方法について考える。
パターンエッジの位置を正確に計測することを妨げる要因について、発明者らが検討した結果を以下に示す。
第一に、断面方向のパターン構造(段差、傾斜、トップの丸まり、ボトムの裾引きなど)である。この様子は図3に示した。符号301が走査型電子顕微鏡で観察したラインパターンの画像の模式図である。中央がラインパターンである。線302で表される、紙面に垂直な平面で切って得られる断面形状を符号304で示し、この箇所の走査型電子顕微鏡像の信号形状を符号306で示す。同様に、線303における断面形状、信号形状をそれぞれ符号305、符号307で示す。たとえパターン中腹のライン幅が一定値(aとする)であっても、このような断面形状の変動があれば信号形状が異なるため、パターンエッジの位置が変動する。
第二に、構成材料である。たとえ断面形状が一定であっても、パターンやパターンの下地の構成材料が異なれば、得られる信号プロファイルの形状が場所によって変わる。この例を図4に示した。図4は、走査型電子顕微鏡で同じ断面形状で材料の異なるパターンが並んでいる領域を観察して得られた画像である。ラインパターン401は絶縁体でできており、ラインパターン402は半導体でできている。下地は半導体である。これらのパターンの線403で表される、線上の信号形状が符号404である。絶縁体で形成されたラインパターン401に対応する信号のピークは広がり、半導体で形成されたラインパターン402に対応する信号のピークは狭くなる。
第三に、周辺の帯電しやすさである。周辺が絶縁体であると、帯電の影響を強くうけ、前述の第二の場合同様に。信号のピークが広がる傾向にある。このような信号形状への影響は、エッジの位置を真の位置からずらす。
また、上に述べたパターンは実際に存在する。例えば、トランジスタのゲート電極幅は重要な計測対象であるが、この下層には、トランジスタのチャネルを構成するアクティブ領域とそれぞれのトランジスタを分離させる素子分離領域が混在している。通常、アクティブ領域は導電性が高いSi基板の表面に厚さ数nm以下のゲート絶縁膜が形成されており、素子分離領域には比較的厚い絶縁膜が用いられる。またアクティブ領域にはnチャネルトランジスタのアクティブ領域とpチャネルトランジスタのアクティブ領域が混在している場合がある。nチャネル領域とpチャネル領域とでは、ゲート絶縁膜下層のSi基板のドーパント種・濃度が異なる。また、アクティブ領域と素子分離領域とでは最大数十nm程度の段差がある場合がある。
なお、特許文献1には、走査型電子顕微鏡を用いて自動で寸法測定を行う手法が開示されている。特許文献1では走査電子顕微鏡で得られる信号を寸法測定方向と垂直方向に加算平均してから寸法を算出している。特許文献1では、さらに、走査電子顕微鏡で得られた試料像に前記加算平均により寸法測定を行う領域を重ねて表示し、かつこの領域を試料像の任意の位置に調整することができ、容易に試料像の任意の領域の寸法を測定できる手段が開示されている。
特許文献2には、走査電子顕微鏡から得られる信号と真のエッジの位置との関係が計測対象の断面形状に応じて変化することを考慮して、測定対象の断面形状変動及び寸法変動があった場合の測定信号波形を、走査電子顕微鏡装置の特性を考慮した電子線シミュレーションを用いて予測しライブラリー化しておくという手法が記述されている。実際に計測された信号波形をこのライブラリーに記録されている様々な信号波形と比較し、最も一致度の高いものを選択することで測定誤差の低減を実現している。
また、特許文献3には、レジストや絶縁膜、Low−k材料等の帯電し易い材料を測定する場合、荷電粒子線の照射によって誘起される試料の電位変化を抑制しつつ、荷電粒子線を用いた試料表面の電位測定、或いは試料帯電によって変化する装置条件の変動の補償値を検出する技術が開示されている。また、特許文献4には電子線ビームの加速電圧や計測対象近傍における電位勾配を最適化することでチャージアップを低減し正確な試料像を得る技術や、装置の検出信号から計測値を抽出する時に使用するパラメータをチャージアップ現象に対応させることで正確な計測を行う技術が開示されている。また、特許文献5には、計測対象パターンの材料や形状に応じて電子線照射条件(照射エネルギー、ビーム電流、照射回数等)を適切に選択することで正確な試料像を得る技術が開示されている。
以上述べたように、特許文献2、3、4、5では、測定パターンの材料や形状、下層の材料に起因するエッジ位置計測誤差を抑制する方法が開示されている。しかし、特許文献1を含め、上記の特許文献には、電子顕微鏡で観察する一視野の中で測定パターン下層の材料・構造が複数種存在する場合に、エッジ計測位置の誤差や誤差自体の変動を抑制し、一視野に含まれる微細パターンの形状を高い精度で計測する技術に関してなんら開示されていない。
特許文献6や特許文献7には測定パターン下層に前工程のパターンが存在する場合と存在しない場合とで測定像が異なるという現象が開示されている。しかし、特許文献6や特許文献7は観察像と設計データを比較し所定のパターン寸法の測定値と設計値との差が許容できるか(即ち、その観察ウエハを合格とするかどうか)の検査を行う時に、測定パターン下層に前工程のパターンが存在する場合に限って上記の理由から計測誤差の変動を考慮して許容値を変更する方法が開示されているのみである。そのため、一視野の中の試料像内でのエッジ位置計測誤差の変動を抑制することはできない。
本発明の目的は、電子顕微鏡で得られる一視野の中の試料像内において、測定パターン下層の材料・構造に起因したエッジ位置計測誤差の変動を抑制することができる半導体検査装置および半導体検査装置の検査方法を提供することにある。
上記目的を達成するための一実施形態は、電子線を走査することにより基板上のパターンを観察して得られる画像から、前記パターンのエッジを検出して二次元形状を評価する半導体検査装置であって、前記パターンの設計データ或いはパターニングの結果予測されるパターン形状のデータと、前記パターン及び前記パターンの下地を構成する材料や構造のデータとを予め記憶させておく記憶装置と、予め記憶させておいた前記パターンの前記設計データ或いはパターニングの結果予測されるパターン形状のデータと観察して得られる前記画像のデータとを比較する比較機能、前記比較機能を動作させた結果および予め記憶させておいた前記パターンの下地を構成する材料や構造のデータを用いて、観察領域に入射した電子線に対する反応が異なると期待される領域毎に前記観察領域を複数個の領域に分割する分割機能、および前記分割機能により分割された前記複数個の領域を、異なる走査条件で前記電子線を走査して得られる画像から前記パターンのエッジを検出してライン幅プロファイルを算出する機能を備えた演算装置と、を有することを特徴とする半導体検査装置とする。
また、上記半導体検査装置を用いた半導体検査方法であって、前記パターンの第1の画像を取得する工程と、取得した前記第1の画像のパターンの輪郭線を抽出する工程と、抽出された前記輪郭線のパターンと、前記パターンの設計データ或いはパターニングの結果予測されるパターン形状のデータとを比較し、互いに対応するパターンを抽出する工程と、互いに対応するパターンを含む領域を、前記パターン及び前記パターンの下地を構成する材料や構造のデータを用いて複数の領域に分割する工程と、前記互いに対応するパターンを含む領域において、走査する電子線の走査条件を、前記複数の領域毎に決定する工程と、前記複数の領域毎に決定された走査条件でそれぞれ前記電子線を走査し、第2の画像を取得する工程と、前記第2の画像から所望のエッジを検出し、ライン幅プロファイルを算出する工程と、を有することを特徴とする半導体検査方法とする。
また、電子線を走査することにより基板上のパターンを観察して得られる画像から、前記パターンのエッジを検出して二次元形状を評価する半導体検査装置であって、前記パターンの設計データ或いはパターニングの結果予測されるパターン形状のデータと、前記パターン及び前記パターンの下地を構成する材料や構造のデータとを予め記憶させておく記憶装置と、予め記憶させておいた前記パターンの前記設計データ或いはパターニングの結果予測されるパターン形状のデータと観察して得られる前記画像のデータとを比較する比較機能、前記比較機能を動作させた結果および予め記憶させておいた前記パターンの下地を構成する材料や構造のデータを用いて、観察領域に入射した電子線に対する反応が異なると期待される領域毎に前記画像を複数個の領域に分割する分割機能、および複数個の前記領域を、異なる画像処理条件で画像処理して得られる画像から前記パターンのエッジを検出しライン幅プロファイルを算出する機能を備えた演算装置と、を有することを特徴とする半導体検査装置とする。
また、上記半導体検査装置を用いた半導体検査方法であって、前記パターンの第1の画像を取得する工程と、取得した前記第1の画像のパターンの輪郭線を抽出する工程と、抽出された前記輪郭線のパターンと、前記パターンの設計データ或いはパターニングの結果予測されるパターン形状のデータとを比較し、互いに対応するパターンを抽出する工程と、互いに対応するパターンを含む領域を、前記パターン及び前記パターンの下地を構成する材料や構造のデータを用いて複数の領域に分割する工程と、前記互いに対応するパターンを含む領域における画像処理条件を、前記複数の領域毎に決定する工程と、前記複数の領域毎に決定された画像処理条件に従って画像処理を行ない、第2の画像を取得する工程と、前記第2の画像から所望のエッジを検出し、ライン幅プロファイルを算出する工程と、を有することを特徴とする半導体検査方法とする。
また、電子線を走査することにより基板上のパターンを観察して得られる画像から、前記パターンのエッジを検出して二次元形状を評価する半導体検査装置であって、前記パターンの設計データ或いはパターニングの結果予測されるパターン形状のデータと、前記パターン及び前記パターンの下地を構成する材料や構造のデータとを予め記憶させておく記憶装置と、予め記憶させておいた前記パターンの前記設計データ或いはパターニングの結果予測されるパターン形状のデータと観察して得られる前記画像のデータとを比較する比較機能、エッジの検査領域において、前記比較機能を動作させた結果および予め記憶させておいた前記パターンの下地を構成する材料や構造のデータを用いて、観察領域に入射した電子線に対する反応が異なると期待される領域毎に前記画像データを複数個の領域に分割する分割機能、および複数個の前記領域毎に異なるエッジ検出条件で前記パターンのエッジを検出しライン幅プロファイルを算出する機能を備えた演算装置と、を有することを特徴とする半導体検査装置とする。
また、上記半導体検査装置を用いた半導体検査方法であって、前記パターンの画像を取得する工程と、取得した前記画像のパターンの輪郭線を抽出する工程と、抽出された前記輪郭線のパターンと、前記パターンの設計データ或いはパターニングの結果予測されるパターン形状のデータとを比較し、互いに対応するパターンを抽出する工程と、エッジの検査領域を入力する工程と、前記検査領域において、互いに対応するパターンを含む領域を、前記パターン及び前記パターンの下地を構成する材料や構造のデータを用いて複数の領域に分割する工程と、前記検査領域におけるエッジ検出条件を、前記複数の領域毎に決定する工程と、前記複数の領域毎に決定されたエッジ検出条件に従ってエッジを検出し、ライン幅プロファイルを算出する工程と、を有することを特徴とする半導体検査方法とする。
電子顕微鏡で得られる一視野の中の試料像内において、測定パターン下層の材料・構造に起因したエッジ位置計測誤差の変動を抑制することができる半導体検査装置および半導体検査装置の検査方法を提供することができる。
基板上に転写された半導体パターンの例を示す平面図である。 図1のラインパターンの幅をラインに沿って計測したときのライン幅の変化を示すグラフである。 基板上のパターンの電子顕微鏡による上空観察像とパターン断面形状及び電子顕微鏡の信号を表す模式図である。 基板上のパターンの電子顕微鏡による上空観察像と信号形状を現す模式図である。 実施例1及び2でライン幅プロファイルを算出した電子顕微鏡画像の模式図と画像に対して仮定されたx、y軸である。 実施例1、2及び3で用いた装置の概念図である。 実施例1で解析に用いた、設計パターンの平面図である。 実施例1の手順を記したフロー図である。 実施例1における観察領域の分割を示す図である。 実施例2で解析に用いた、予測されるパターンの二次元輪郭線形状を表す図である。 実施例2の手順を記したフロー図である。 実施例2において観察画像上で異なる画像処理を施すべき領域を表す図である。 実施例3においてライン幅プロファイルを算出した電子顕微鏡画像及びその上に配置された検査領域(破線)を示す模式図である。 実施例3において解析に用いた、設計パターンの平面図である。 実施例3の手順を記したフロー図である。 実施例3でライン幅プロファイルを算出した電子顕微鏡画像及びその上に配置された分割後の検査領域(破線)を示す模式図である。 実施例3で用いたエッジの定義を説明する信号形状プロファイルの模式図である。 実施例1で用いたコンピュータ612の構成を示す概念図である。 実施例1のモニタに表示された画面である。 実施例2及び3で用いたコンピュータ612の構成を示す概念図である。 実施例2のモニタに表示された画面である。 実施例3のモニタに表示された画面である。
発明を実施するための形態としては、大きく分けて以下に示す三つの方法がある。第一の方法は、電子顕微鏡による画像取得の段階における新規な手法である。これは視野内の観察対象の構造や材料の情報に基づいて観察条件を視野内で変えることである。これまで、一視野の観察のために観察条件を最適化するという方法はあったが、視野内を材料や構造に基づいて複数の領域に分け、各領域で最適な観察を実施するという手法はなかった。
第二の方法は、従来通りに一種類の条件で画像を取得しておき、取得した画像を、含まれる材料や構造に基づいて複数の領域に分け、各領域に最適な画像処理をかけて、第一の方法を実施して得られる画像と同等の画像を得るという方法である。
第三の方法は、従来通りに一種類の条件で画像を取得しておき、取得した画像を、含まれる材料や構造に基づいて複数の領域に分け、画像からパターンのエッジを抽出する際に、前述の領域ごとに最適なエッジ抽出(検出)条件を用いてエッジを求めるという方法である。
電子顕微鏡の照射電子ビームの加速電圧や電流値、焦点を簡単に素早く変更するシステムを有する場合は、第一の方法をとることが、最もよい。しかしながらこのようなハードウエアがない場合は、第二の方法をとることで解決できる。第二の方法は複雑なハードウエアを必要としないため、安価である。第三の方法は第二の方法同様、ハードウエアを必要としない。また第二の方法よりもデータ処理が簡単であるため、処理にかかる時間が短いという利点がある。しかし一方で、可能な処理が限られるため、対応できるサンプル構造が制限される。
いずれの方法においても、本実施の形態は、電子顕微鏡装置を含む計測システムであって、かつ、設計データあるいは予測されるパターンの二次元画像データないしはパターンの輪郭線のデータを、各領域の高さ情報や構成材料情報含めて、入力する機能、記録を保持する機能とこれをシステムの制御系に読み込む機能を有することが特徴である。
同時に、上記の機能を、従来からあった寸法計測位置や試料像取得条件などの観察及び計測のレシピ(以下、計測レシピと記す)を入力する機能、記録を保持する機能とこれをシステムの制御系に読み込む機能と組み合わせることができる点が特徴である。
以下、実施例により説明する。
本実施例では、発明を実施するための形態として挙げた第一の方法を用いて、段差のある、絶縁体と半導体の構造の上に作成されたシリコン(Si)のラインパターンのライン幅プロファイルを計測した例を、図5、図6、図7、図8、図9、図18、図19を用いて説明する。
図5は本実施例でライン幅プロファイルを算出した電子顕微鏡画像の模式図である。図6は本実施例で用いた半導体検査装置の概念図である。図7は本実施例で解析に用いた、設計パターンである。図8は本実施例の手順を記したフロー図である。図9は電子顕微鏡の走査条件の異なる領域を示した模式図である。図18は図6中のシステム制御用コンピュータ612の構成を示す。また図19はモニタ1801に現れる画面1901の例である。符号1902はSEM画像と分割された走査領域とを重ね合わせた二次元画像、符号1903は設計データファイルとSEM画像ファイルの名前の表示部、符号1904は設計データを変更したい場合のクリックボタン、符号1905はSEM画像を変更したい場合のクリックボタン、符号1906は各走査領域の走査条件表示部を示す。
まず、図8に示した手順801を実施した。即ち、正確なライン幅プロファイルを得たいパターンを低いS/N比の観察条件で画像取得した。具体的には、システムの制御用コンピュータ612を操作し、ウエハ607を観察ステージに設置した後、システム制御用コンピュータ612から電子顕微鏡制御系611を操作してウエハ上のパターンを観察するとともに画像取得した。
この観察の際の視野は縦横ともに900nmであった。また、この視野を観察するにあたり、用いた電子顕微鏡の電子ビーム603の加速電圧は500V、電流値は5pAであり、信号積算回数(画像データを得るために繰り返した電子ビーム走査の回数)は4回であった。
こうして得られた画像の模式図を図5に示す。ここには得られた画像とその画像中での点の位置を定義するためのx、y軸が示されている。画像左下の頂点を原点(x=y=0)とした。引き続き以下の操作を行った。これらは全て、図18に示す入力装置1802を介してシステム制御用コンピュータ612を操作して行った。なお、符号601は走査型電子線顕微鏡の筐体、符号602は電子銃、符号604は収束レンズ、符号605は偏向器、符号606は対物レンズ、符号608はステージ、符号609は二次電子、符号610は検出器を示す。
次に、手順802に進み、コンピュータの演算装置1803において、前記手順801で得られた画像からパターンの輪郭線を抽出した。次に、手順803に進み、記憶装置613からパターンを正確に計測したい部分の設計データをコンピュータの演算装置1803につながる一時的記憶領域1804に転送した(読み込み)。
なお、本実施例では設計データを用いたが、実際の半導体素子製造工程におけるパターニングの結果予測されるパターン形状のデータを用いてもよい。これにより、この設計データの二次元形状は図7に示すとおりであり、かつ、ゲート領域701はポリシリコン、アクティブ領域702はシリコン、分離領域703は二酸化シリコン(SiO2)から成ること、分離領域703はアクティブ領域702に対して、高さが80nm高いこと、という情報が読み込まれた。
次に、手順804に進んだ。コンピュータ612中の入力装置1802を用いて演算装置1803に図5の画像と図7のパターンとの比較を実施させた。その結果演算装置1803は、現在観察中であるサンプル中のゲート領域501、アクティブ領域502、分離用絶縁膜領域503に対応するパターンがゲート領域701、アクティブ領域702、分離領域703であることを認識し、領域501、領域502、領域503の輪郭線パターンを抽出した。
次に手順805に進み、領域701に沿って図下方から上方へ進んだときに現れる、下地が領域703から領域702へと変わる位置のy座標、即ちy1を得た。さらに上方へ進んで、下地が領域702から再び領域703へと変わる位置のy座標即ちy2を得た。
また、これらの情報を基に、演算装置1803は記憶装置613に予め記憶させておいた材料や高さ情報に対応する走査条件の群を呼び出して一時的記憶装置1804に記憶させ、さらにその中から最適なものを選択し、モニタ1801上にそれを表示させた。この様子を図19に示す。ここで示されているコンピュータに提示された条件では、走査領域を図9のように三つに分け、領域901及び領域903では照射電子ビームの加速電圧を500Vに、また、電流値を4pAに、領域902では前者が800Vに、後者が8pAになるように設定されていた。また、信号積算回数はいずれでも8回であった。
さらに、照射する電子ビームの焦点は領域901上で最適化し、領域902ではその位置よりも80nm低い位置が焦点となるように設定されていた。領域903では領域901を走査する際と同じ設定である。
次に、手順806に進み、これらの条件を受け入れ、符号1907に示される工程選択ボタンのうちExecuteをクリック、画像取得を実行した。
次に、手順807に進み、演算装置1803において、取得した画像データから、ラインパターンのエッジを抽出し、ライン幅プロファイルを得た。
本実施例では、信号積算回数は全ての領域で8回としたが、特に帯電が激しい場合は領域901及び領域903では走査回数を6回に減らしてもよい。このように、コンピュータに提示された内容に変更を加えたい場合は、入力装置1802の一部であるマウスを用いて、各走査領域の走査条件表示部1906の任意のセルをクリックし、入力装置1802の一部であるキーボードから数値を入力することもできる。なお、演算装置1803は、手順802、手順804、手順805、手順807を実行するための各機能を有する。
これにより、従来はライン幅プロファイルの誤差が5nmあったところ、2nmにまで低減できた。このことで、パターン検査の精度が向上し、歩留まりが向上した。
本実施例によれば、電子顕微鏡で得られる一視野の中の試料像内において、観察対象の構造や材料の情報に基づいて走査領域を分け、それぞれの走査領域で走査条件を変えることにより、測定パターン下層の材料・構造に起因したエッジ位置計測誤差の変動を抑制することができる半導体検査装置および半導体検査装置の検査方法を提供することができる。
本実施例では、発明を実施するための形態として挙げた第二の方法を用いて、段差のある、絶縁体と半導体の構造の上に作成されたSiのラインパターンのライン幅プロファイルを計測した例を、図5、図6、図10、図11、図12、図20、図21を用いて説明する。
図5は本実施例でライン幅プロファイルを算出した電子顕微鏡画像の模式図である。図6は本実施例で用いた装置の概念図である。図10は本実施例で解析に用いた、予測されるパターンの二次元輪郭線形状である。図11は本実施例の手順を記したフロー図である。図12は異なる条件で画像処理を実施するための境界を表示した図である。図20は図6中のシステム制御用コンピュータ612の本実施例での構成を示す。また図21はモニタ2001に現れる画面2101の例である。符号2102はSEM画像と異なる画像処理を行なう領域とを重ね合わせた二次元画像、符号2103は設計データファイルとSEM画像ファイルの名前の表示部、符号2104は設計データを変更したい場合のクリックボタン、符号2105はSEM画像を変更したい場合のクリックボタン、符号2106は各画像処理領域の処理条件表示部を示す。
まず、システムの制御用コンピュータ612を用いて、走査型電子顕微鏡の制御装置611に信号を送り、ウエハ607を観察ステージに設置した後、パターンの画像を取得した(手順1101)。ここでは、照射電子ビーム603の加速電圧は500V、電流値は4pAであった。また、信号積算回数は16回であった。また、観察領域の寸法は縦横とも900nmであった。これにより図5に示す画像が得られた。画像は縦横とも512個の画素によって構成されていた。なお、照射する電子ビームの焦点は領域503上のパターンで最適化されていた。
引き続き、以下の作業を、全て入力装置2002を介してシステム制御用コンピュータ612を操作して行った。まず手順1102に進み、取得した画像データから、演算装置2003を用いてラインパターンのエッジを抽出した。
さらに手順1103に進み、演算装置2003により記憶装置613に保存してあった、マスク形状とリソグラフィ条件から予測される二次元パターン形状を一時的な記憶装置2004に転送した(読み込み)。なお、設計データを用いることもできる。
続いて、手順1104に進み、演算装置2003が手順1102で抽出した画像内のパターン輪郭と、手順1103で得たパターン形状とを比較し、後者の中で定義されている各パターンと、観察画像内の輪郭線パターンとを対応づけした。演算装置2003は観察画像の中のゲートパターン501は符号1001に、アクティブ領域パターン502は符号1002に、絶縁膜領域パターン503は符号1003に、段差領域パターン504は符号1004に相当することを見出した(抽出)。
次に、手順1105に進み、演算装置2003は画像を分割した。まずパターンの予測された形状を示している図10にあるように、y方向に、ゲートパターン(1001)に沿って、下地が変わるところの画素のy座標、y101、y102、y103、y104(これらは予測された形状図10上での値である)に相当するy座標を実際の観察画像図5の上でみつける。これらの値をy’1、y’2、y’3、y’4とする。これらは画像上での値である。
そこで、図5に示した画像を直線により5つの領域に分けた。5つの領域とは、領域(1)y=0からy=y’1まで、領域(2)y=y’1からy=y’2まで、領域(3)y=y’2からy=y’3まで、領域(4)y=y’3からy=y’4まで、領域(5)y=y’4からy=511まで、である。この様子を図12に示す。
図12は図5の上に上記領域(1)から領域(5)までの領域の境界を実線で示したものである。なお、破線で示されているのは、この領域に存在するパターンの輪郭線である。ゲートパターン501から段差領域パターン504までは、図5に示したものと同じである。
手順1104までの過程で、ゲートパターン501はPoly−Siからなること、アクティブ領域パターン502はドープしたSiであること、絶縁膜領域パターン503はSiO2から成り、その面はアクティブ領域パターン502よりも80nm高いこと、段差領域パターン504はSiO2からなり、アクティブ領域パターン502と絶縁膜領域パターン503の境界であること、がわかっている。
これらの情報をもとに、演算装置2003は上記領域(1)から領域(5)までの領域に施す画像処理を下記のように決定した。但し、下記の関数は記憶装置613に予め記憶されていたものである。
電子顕微鏡の焦点を最適化した上で、導体ないし半導体上のパターンを横切って得られる理想的な二次電子信号強度即ち信号プロファイルを
Figure 0005400882
とおく。また、この信号プロファイルが帯電あるいは焦点のずれによりぼけると、信号プロファイルは下記の式で表されることがわかった。
Figure 0005400882
ここで、関数gは
Figure 0005400882
となる。
SiO2膜上にあるパターンから発する信号プロファイル即ち、上記の領域(1)及び領域(5)の信号プロファイルが帯電でぼける場合、Δ=2nmで記述されることがわかっていた。一方、ドープしたSi上即ち(3)の信号プロファイルは、SiO2膜とは誘電率が異なるため帯電によってぼけることはないものの、焦点が80nmずれていることでやはりぼける。この現象は同じく式2、式3でΔ=0.8nmとすることで記述できることがわかっていた。
領域(2)(4)はその内部で高さが変化しているが、焦点が80nmの半分、即ち40nmずれているとみなし、これらの領域の信号プロファイルに対しては
Figure 0005400882
という式でぼかしの効果を導入することとした。ここでΔ1=2nm、Δ2=0.4nmである。
このように、観察画像上の信号は場所によってぼかしの程度が異なっている。そこでこれを揃える操作が必要になる。画像から得られている信号プロファイルをS’(x)とする。領域(1)及び領域(5)の信号プロファイルは既に帯電によりぼけているので、さらに焦点が80nmずれた効果を入れればよい。即ち、
Figure 0005400882
領域(2)及び領域(4)の信号プロファイルには40nmの焦点ずれの効果を加える。即ち
Figure 0005400882
領域(3)の信号プロファイルには帯電の影響を加える。即ち
Figure 0005400882
次に、手順1106に進み、図21に示された画面上で処理の実行が選択された。ここで、画面内の画像処理条件1は領域(1)(5)に施される画像処理の条件、画像処理条件2は領域(2)(4)、条件3は領域(3)に施される画像処理の条件を表している。なお、セルをクリックして関数のパラメータ値を設定することができる。例えば、領域(1)(5)に相当するNo.1の行ではΔの値として80nmを入力しなくてはならない。
これらの入力を終えてから、クリックボタン2107の左端にあるExecuteをクリックすることで、処理が実行できる。この後、演算装置2003によって上で定めたように領域(1)から(5)の信号にぼかしの処理が施された。
さらに手順1107に進み、1106で得られた信号強度分布上で、通常の電子顕微鏡画像に対して適用する手法を用いて、パターン501に対応するパターンのエッジを算出(抽出)し、ライン幅プロファイルを得ることができた(これも演算装置2003により実施された)。なお、演算装置2003は、手順1102、手順1103、手順1104、手順1105、手順1106、手順1107を実行するための各機能を有する。
これにより、従来はライン幅プロファイルの誤差が5nmあったところ、2nmにまで低減できた。このことで、パターン検査の精度が向上し、歩留まりが向上した。
本実施例によれば、電子顕微鏡で得られる一視野の中の試料像内において、観察対象の構造や材料の情報に基づいて複数の領域に分け、各領域に最適な画像処理をかけて、実施例1で得られる画像と同等の画像を得ることにより、測定パターン下層の材料・構造に起因したエッジ位置計測誤差の変動を抑制することができる半導体検査装置および半導体検査装置の検査方法を提供する
本実施例では、発明を実施するための形態として挙げた第三の方法を用いて、段差のある、絶縁体と半導体の構造の上に作成されたSiのラインパターンのライン幅プロファイルを計測した例を、図6、図13、図14、図15、図16、図17、図20、図22を用いて説明する。
図6は本実施例で用いた装置の概念図である。図13は本実施例でライン幅プロファイルを算出した電子顕微鏡画像及びその上に配置されたエッジの検査領域1304(破線)を示す模式図である。図14は本実施例で解析に用いた、設計パターン形状のデータである。符号1401は分離用絶縁膜領域を示す。図15は本実施例の手順を示すフロー図である。図16は本実施例でライン幅プロファイルを算出した電子顕微鏡画像及びその上に配置された分割後の検査領域(破線)を示す模式図である。図17は本実施例で用いたエッジの定義を説明する図である。また、本実施例で用いたコンピュータ612の構成は図20に示すように、実施例2と同じ構成であった。
まず、図15に示す手順1501を実施した。即ち、システムの制御用コンピュータ612を操作し、走査型電子顕微鏡の制御装置611に信号を送り、ウエハ607を観察ステージに設置した後、パターンの画像を取得した。ここでは、照射電子ビーム603の加速電圧は500V、電流値は4pAであった。また、信号積算回数は16回であった。また、観察領域の寸法は縦横とも450nmであった。
これにより図13に示す画像が得られた(ただし破線は除く)。画像は縦横とも512個の画素によって構成されていた。なお、照射する電子ビームの焦点はアクティブ領域1302上のゲートパターン1303のエッジをもっともクリアに写せる条件に最適化されていた。符号1301は分離用絶縁膜領域を示す。
次に、以下の操作を行った。これらは全て、システム制御用コンピュータ612を、入力装置2002を介して操作し、実施した。まず、手順1502に進み、演算装置2003は取得した画像データから、パターンの輪郭線を抽出した。なお、演算装置2003は、手順1502、手順1503、手順1504、手順1506、手順1507を実行するための各機能を有する。
さらに手順1503に進み、演算装置2003により、記憶装置613に保存してあった設計パターン形状(図14)を、一時的な記憶装置2004に転送した(読み込み)。なお、本実施例では設計データを用いたが、実際の半導体素子製造工程におけるパターニングの結果予測されるパターン形状のデータを用いてもよい。
続いて手順1504に進み、演算装置2003によって手順1502で抽出した画像内のパターン輪郭と手順1503で得たパターン形状とを比較し、後者の中で定義されている各パターンと、観察画像内の輪郭線パターンとを対応づけした。観察画像の中のパターン1402はアクティブ領域1302に、パターン1403はゲートパターン1303に相当することを見出した(抽出)。
次に、手順1505に進み、ライン幅プロファイルを算出したい領域、即ちエッジの検査領域1304を入力した。この作業はモニタ2001に表示された画像の上で、入力装置2002の一部であるマウスを用いてライン幅プロファイルを出す領域を示すことで行われる。図13の破線で描かれた枠が、ここで指定した領域である。
すると、コンピュータ612の演算装置2003はこの検査領域を、図14に示すデータに従って分割した(手順1506)。まず、検査領域1304にあるラインパターンの右エッジと左エッジの位置を把握し、検査領域を各エッジの近傍に対応する二つの領域に分けた。
次に各領域を、予め記憶させておいた材料や構造のデータを用いて、エッジが絶縁体上にある部分と半導体上にある部分とに分割した。この結果、エッジを検出する領域は図16に示すように、領域1601〜領域1606の合計6つの領域に分けられた。
次に、手順1507に進み、演算装置2003によりパターンのエッジを抽出し、ライン幅プロファイルの算出を行なった。なお、パターンエッジの抽出は以下の手順でおこなった。
まず、画像内のy座標(y=0からy=511)を固定した二次電子強度のx依存性即ち信号プロファイルを
Figure 0005400882
と記す。ノイズが大きい場合には、エッジを検出する前に、複数本の信号プロファイルを平均化する。本実施例でも、平均化を行った。この結果、信号プロファイルは
Figure 0005400882
となった。その上で、各信号プロファイル上で信号強度が最大値の半分になるところをエッジと定めた。
図16中でパターンを横切る直線1607に沿って信号プロファイルをプロットしたものと、この上でエッジを定めた様子を図17に示す。また、図16の画像と、各エッジ検出パラメータの設定とが表示されている画面2201の様子を図22に示す。符号2202はSEM画像と異なるエッジ検出を行う領域とを重ね合わせた二次元画像、符号2203は設計データファイルとSEM画像ファイルの名前の表示部、符号2204は設計データを変更したい場合のクリックボタン、符号2205はSEM画像を変更したい場合のクリックボタン、符号2206は必要なエッジ検査領域の個数選択ボタン、符号2207は各エッジ検出(抽出)領域のエッジ検出(抽出)条件表示部、符号2208はクリックボタンを示す。
この操作を行うにあたり、領域1601、領域1603、領域1604、領域1606では、下地が絶縁体であるためにノイズが大きいことを考慮し、i=4、とした。即ち、平均化する信号プロファイルの数を9とした。一方、領域1602、領域1605では下地が半導体であるためにノイズが小さいことを考慮し、i=1とした。即ち、平均化する信号プロファイルの数は3とした。
ここで図22の個数選択ボタン2206に示されるように、領域1601と領域1603はここでは領域1、領域3とされており、このパラメータセット(ラインの左エッジに対応する、i=4を用いたエッジ抽出を行うためのパラメータセット)を番号1のセットと定義した。また領域1602はラインの左エッジであり、i=1であるがこれを番号2のセット、領域1604及び領域1606は領域4及び領域6であり、パラメータセットの番号は3である。領域1605は領域5であり、パラメータセットの番号は4である。各々、「Param_set」の番号をクリックすると、その番号に対応するパラメータセットが表示され、編集することができる。
これらの平均化後のプロファイルから、図17に示すように、パターンの外側で最も小さい信号強度Ibottomと最も大きい信号強度Itopの丁度平均の位置(Ibottom+0.5×(Itop−Ibottom))をエッジ点と定義した。
このように検査領域を分割する方法をとらない場合には、全体でi=3としなくてはならない。しかしパターンエッジの形状は特に半導体上にのっている部分、即ち領域1602、領域1605上で、精度よく高周波成分まで計測する必要がある。
これまでは全体をi=3としたため、エッジ形状の高周波成分側の限界に相当する周期は、9ピクセルに相当する長さの倍、即ち15.8nmであった。しかし本方法を用いることで、重要な部分の形状については、この周期が3ピクセル分の2倍、即ち、5.3nmとなった。トランジスタのゲート幅は50nmに近づきつつあるが、ゲートラインの形状の凹凸を調べる際には、ゲート幅の約1/10の短い周期の成分まで検出したいというニーズがある。本方法を用いることで始めて、十分短い周期の成分が検出できるようになった。
これにより、重要なパターンのエッジを高精度で検出したライン幅プロファイルを得ることができるようになったのである。このことで、パターン検査の精度が向上し、歩留まりが向上した。
本実施例によれば、電子顕微鏡で得られる一視野の中の試料像内のエッジ検査領域において、観察対象の構造や材料の情報に基づいて複数の領域に分け、画像からパターンのエッジを検出する際に、前述の領域ごとに最適なエッジ検出条件を用いてエッジを求めることにより、測定パターン下層の材料・構造に起因したエッジ位置計測誤差の変動を抑制することができる半導体検査装置および半導体検査装置の検査方法を提供することができる。
101…トランジスタのゲート、102…トランジスタのアクティブ領域、103…トランジスタ同士を分離する絶縁膜領域、104…トランジスタ同士を分離する絶縁膜が削れている段差領域、201…ゲートパターンのライン幅プロファイルにおけるアクティブ領域、202…ゲートパターンのライン幅プロファイルにおける重要な全領域、301…ラインパターンの上空からの電子顕微鏡写真の模式図、302…301中の、ライン延在方向に対して垂直に交わる直線その1、303…301中の、ライン延在方向に対して垂直に交わる直線その2、304…直線302を含んで301に垂直な平面でパターンを切ったときの断面図、305…直線303を含んで301に垂直な平面でパターンを切ったときの断面図、306…直線302上の信号プロファイル、307…直線303上の信号プロファイル、401…電子顕微鏡写真中のラインパターン、402…電子顕微鏡写真中のラインパターン、403…電子顕微鏡写真中の、ライン延在方向に対して垂直に交わる直線、404…直線403上の信号プロファイル、501…トランジスタのゲート、502…トランジスタのアクティブ領域、503…トランジスタ同士を分離する絶縁膜領域、504…トランジスタ同士を分離する絶縁膜が削れている段差領域、601…走査型電子線顕微鏡の筐体、602…電子銃、603…電子線、604…収束レンズ、605…偏向器、606…対物レンズ、607…観察ウエハ、608…ステージ、609…二次電子、610…検出器、611…走査型電子顕微鏡の制御装置、612…操作者が走査型電子顕微鏡と観察結果解析を行うシステムを制御するためのコンピュータ、613…データ記憶装置、701…設計データ上のゲートパターン、702…設計データ上のアクティブ領域、703…設計データ上のトランジスタ分離領域、801…最初の画像取得工程、802…観察画像内のパターンの輪郭線を抽出する工程、803…記憶装置から設計データを読み込む工程、804…観察画像から抽出した輪郭線と設計データとを比較し、互いに対応する図形を認識する工程、805…804の結果に応じて、観察領域を走査条件の異なる複数個の領域に分割する工程、806…805の結果に従って再度画像を取得する工程、807…806で取得した観察画像からパターンのエッジを検出し、ライン幅プロファイルを得る工程、901…加速電圧500V、電流値4pAで電子線を照射する領域、902…加速電圧800V、電流値8pAで電子線を照射する領域、903…加速電圧500V、電流値4pAで電子線を照射する領域、1001…トランジスタのゲート、1002…トランジスタのアクティブ領域、1003…トランジスタ同士を分離する絶縁膜領域、1004…トランジスタ同士を分離する絶縁膜が削れている段差領域、1101…画像取得工程、1102…観察画像内のパターンの輪郭線を抽出する工程、1103…記憶装置から、予測される二次元パターン形状データを読み込む工程、1104…観察画像から抽出した輪郭線と予測される二次元パターン形状データとを比較し、互いに対応する図形を認識する工程、1105…1104の結果に応じて、観察領域を複数個の領域に分割し、各領域に対して施す画像処理条件を決定する工程、1106…1105の結果に従って画像処理を行う工程、1107…1106で画像処理を施した画像からパターンのエッジを検出し、ライン幅プロファイルを得る工程、1301…アクティブ領域同士を分離する絶縁膜領域、1302…アクティブ領域、1303…ゲートパターン、1304…エッジの検査領域、1401…設計データ上におけるアクティブ領域同士を分離する絶縁膜領域、1402…設計データ上におけるアクティブ領域、1403…設計データ上におけるゲートパターン、1501…画像取得工程、1502…観察画像内のパターンの輪郭線を抽出する工程、1503…記憶装置から、設計データを読み込む工程、1504…観察画像から抽出した輪郭線と設計データとを比較し、互いに対応する図形を認識する工程、1505…エッジを求める領域を操作者が入力する工程、1506…1505で入力された領域を、1504の結果に従って分割し、さらに分割された各領域においてエッジの検出(抽出)条件を決定する工程、1507…1506で定めた条件に従って観察画像からパターンのエッジを検出し、ライン幅プロファイルを得る工程、1601…分割によって得られた第一のエッジ検査領域、1602…分割によって得られた第二のエッジ検査領域、1603…分割によって得られた第三のエッジ検査領域、1604…分割によって得られた第四のエッジ検査領域、1605…分割によって得られた第五のエッジ検査領域、1606…分割によって得られた第六のエッジ検査領域、1607…電子顕微鏡写真中の、ライン延在方向に対して垂直に交わる直線、1801…モニタ、1802…入力装置、1803…画像処理と走査条件選択を行う演算装置、1804…一時的にデータを記憶する記憶装置、1901…実施例1でモニタ上に表示されたウインドウ、1902…SEM画像と分割された走査領域とを重ね合わせた二次元画像、1903…設計データファイルとSEM画像ファイルの名前の表示部、1904…設計データを変更したい場合のクリックボタン、1905…SEM画像を変更したい場合のクリックボタン、1906…各走査領域の走査条件表示部、1907…次に行うことのできる操作のクリックボタン、2001…モニタ、2002…入力装置、2003…画像処理条件選択と画像処理を行う演算装置、2004…一時的にデータを記憶する記憶装置、2101…実施例2でモニタ上に表示されたウインドウ、2102…SEM画像と異なる画像処理を行う領域とを重ね合わせた二次元画像、2103…設計データファイルとSEM画像ファイルの名前の表示部、2104…設計データを変更したい場合のクリックボタン、2105…SEM画像を変更したい場合のクリックボタン、2106…各画像処理領域の処理条件表示部、2107…次に行うことのできる操作のクリックボタン、2201…実施例3でモニタ上に表示されたウインドウ、2202…SEM画像と異なるエッジ検出を行う領域とを重ね合わせた二次元画像、2203…設計データファイルとSEM画像ファイルの名前の表示部、2204…設計データを変更したい場合のクリックボタン、2205…SEM画像を変更したい場合のクリックボタン、2206…必要なエッジ検査領域の個数選択ボタン、2207…各エッジ検査領域のエッジ検出(抽出)条件表示部、2208…次に行うことのできる操作のクリックボタン。

Claims (8)

  1. 電子線を走査することにより基板上のパターンを観察して得られる画像から、前記パターンのエッジを検出して二次元形状を評価する半導体検査装置であって、
    前記パターンの設計データ或いはパターニングの結果予測されるパターン形状のデータと、前記パターン及び前記パターンの下地を構成する材料または前記パターンの下地における構造のデータとを予め記憶させておく記憶装置と、
    予め記憶させておいた前記パターンの前記設計データ或いはパターニングの結果予測されるパターン形状のデータと観察して得られる前記画像のデータとを比較する比較機能、前記比較機能を動作させた結果および予め記憶させておいた前記パターンの下地を構成する材料または前記構造のデータを用いて、観察領域に入射した電子線に対する反応が異なると期待される領域毎に前記観察領域を一視野内において複数個の領域に分割する分割機能、および前記分割機能により分割された前記複数個の領域を、異なる走査条件で前記電子線を走査して得られる画像から前記パターンのエッジを検出してライン幅プロファイルを算出する機能を備えた演算装置と、を有することを特徴とする半導体検査装置。
  2. 電子線を走査することにより基板上のパターンを観察して得られる画像から、前記パターンのエッジを検出して二次元形状を評価する半導体検査装置であって、
    前記パターンの設計データ或いはパターニングの結果予測されるパターン形状のデータと、前記パターン及び前記パターンの下地を構成する材料または前記パターンの下地における構造のデータとを予め記憶させておく記憶装置と、
    予め記憶させておいた前記パターンの前記設計データ或いはパターニングの結果予測されるパターン形状のデータと観察して得られる前記画像のデータとを比較する比較機能、前記比較機能を動作させた結果および予め記憶させておいた前記パターンの下地を構成する材料または前記構造のデータを用いて、観察領域に入射した電子線に対する反応が異なると期待される領域毎に前記画像を一視野内において複数個の領域に分割する分割機能、および複数個の前記領域を、異なる画像処理条件で画像処理して得られる画像から前記パターンのエッジを検出しライン幅プロファイルを算出する機能を備えた演算装置と、を有することを特徴とする半導体検査装置。
  3. 請求項2に記載の半導体検査装置において、
    前記構造のデータは、前記観察領域の前記パターンのある面の基準面からの高さデータを含み、
    前記画像処理は、前記高さデータに基づき、焦点のずれに応じて画像をぼかす処理を含むことを特徴とする半導体検査装置。
  4. 請求項2に記載の半導体検査装置において、
    前記材料のデータは、誘電率のデータを含み、
    前記画像処理は、帯電に影響する前記誘電率データに応じて画像をぼかす処理を含むことを特徴とする半導体検査装置。
  5. 電子線を走査することにより基板上のパターンを観察して得られる画像から、前記パターンのエッジを検出して二次元形状を評価する半導体検査装置であって、
    前記パターンの設計データ或いはパターニングの結果予測されるパターン形状のデータと、前記パターン及び前記パターンの下地を構成する材料または前記パターンの下地における構造のデータとを予め記憶させておく記憶装置と、
    予め記憶させておいた前記パターンの前記設計データ或いはパターニングの結果予測されるパターン形状のデータと観察して得られる前記画像のデータとを比較する比較機能、エッジの検査領域において、前記比較機能を動作させた結果および予め記憶させておいた前記パターンの下地を構成する材料または前記構造のデータを用いて、観察領域に入射した電子線に対する反応が異なると期待される領域毎に前記画像データを一視野内において複数個の領域に分割する分割機能、および複数個の前記領域毎に異なるエッジ検出条件で前記パターンのエッジを検出しライン幅プロファイルを算出する機能を備えた演算装置と、を有することを特徴とする半導体検査装置。
  6. 請求項1記載の半導体検査装置を用いた半導体検査方法であって、
    前記パターンの第1の画像を取得する工程と、
    取得した前記第1の画像のパターンの輪郭線を抽出する工程と、
    抽出された前記輪郭線のパターンと、前記パターンの設計データ或いはパターニングの結果予測されるパターン形状のデータとを比較し、互いに対応するパターンを抽出する工程と、
    互いに対応するパターンを含む領域を、前記パターン及び前記パターンの下地を構成する材料または前記構造のデータを用いて複数の領域に分割する工程と、
    前記互いに対応するパターンを含む領域において、走査する電子線の走査条件を、前記複数の領域毎に決定する工程と、
    前記複数の領域毎に決定された走査条件でそれぞれ前記電子線を走査し、第2の画像を取得する工程と、
    前記第2の画像から所望のエッジを検出し、ライン幅プロファイルを算出する工程と、を有することを特徴とする半導体検査方法。
  7. 請求項2記載の半導体検査装置を用いた半導体検査方法であって、
    前記パターンの第1の画像を取得する工程と、
    取得した前記第1の画像のパターンの輪郭線を抽出する工程と、
    抽出された前記輪郭線のパターンと、前記パターンの設計データ或いはパターニングの結果予測されるパターン形状のデータとを比較し、互いに対応するパターンを抽出する工程と、
    互いに対応するパターンを含む領域を、前記パターン及び前記パターンの下地を構成する材料または前記構造のデータを用いて複数の領域に分割する工程と、
    前記互いに対応するパターンを含む領域における画像処理条件を、前記複数の領域毎に決定する工程と、
    前記複数の領域毎に決定された画像処理条件に従って画像処理を行ない、第2の画像を取得する工程と、
    前記第2の画像から所望のエッジを検出し、ライン幅プロファイルを算出する工程と、を有することを特徴とする半導体検査方法。
  8. 請求項5記載の半導体検査装置を用いた半導体検査方法であって、
    前記パターンの画像を取得する工程と、
    取得した前記画像のパターンの輪郭線を抽出する工程と、
    抽出された前記輪郭線のパターンと、前記パターンの設計データ或いはパターニングの結果予測されるパターン形状のデータとを比較し、互いに対応するパターンを抽出する工程と、
    エッジの検査領域を入力する工程と、
    前記検査領域において、互いに対応するパターンを含む領域を、前記パターン及び前記パターンの下地を構成する材料または前記構造のデータを用いて複数の領域に分割する工程と、
    前記検査領域におけるエッジ検出条件を、前記複数の領域毎に決定する工程と、
    前記複数の領域毎に決定されたエッジ検出条件に従ってエッジを検出し、ライン幅プロファイルを算出する工程と、を有することを特徴とする半導体検査方法。
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