TWI342568B - Method of manufacture of semiconductor device and conductive compositions used therein - Google Patents

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TWI342568B
TWI342568B TW095113533A TW95113533A TWI342568B TW I342568 B TWI342568 B TW I342568B TW 095113533 A TW095113533 A TW 095113533A TW 95113533 A TW95113533 A TW 95113533A TW I342568 B TWI342568 B TW I342568B
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Description

1342568 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明主要係針對-㈣半導體裝置。詳言之，並係針 - 冑一種用於太陽能電池裝置之前側的傳導性銀焚料。 【先前技術】 本發明在諸如光電二極體及太陽能電池之光接收元件中 係尤為有效的，但亦可應用於廣泛範圍的半導體裝置。下 &將以太陽能電池作為先前技術之特殊實例來描述本發明 之背景。 具有p型基質之習知太陽能電池結構具有一負電極，該負 電極-般處於電池之前側或太陽側χ，且其在背側上有一 2電極。眾所周知的是落到半導體主體之”接合點上的適 當波長之輻射可充當外部能量源而在該主體中產生電洞_ 電子對因為Ρ-η接合點存在潛在差異，所以電洞及電子在 彳反的方向上移動通過接合點，從而產生能夠將功率傳送 • 纟外部電路的電流流動。大多數太陽能電池係呈已經金屬 化之矽晶圓之形態，亦即，具備導電之金屬接點。 大多數當前世界上所使用的發電太陽能電池為矽太陽能 電池。大規模生產的製造流程一般目標在於達成最大程度 的簡化並使製造成本最小化。詳言之，電極係使用諸如絲 網印刷法之方法來形成金屬漿料而製成的。下文將結合圖】 來描述此製造方法之實例。圖1展示Ρ型秒基板10。 在圖1(b)中，反向傳導型的^型擴散層2〇係藉由磷（ρ)之熱 擴散或其類似方式而形成。磷醯氣（POCh)通常用作磷擴散 I10376.doc 1342568 源。在不存在任何特定改變的情況下，擴散層2〇係形成於 石夕基板ίο之整個表面上的。此擴散層具有大約每平方數十 歐姆（Ω/口）的薄片電阻率及約〇 3至〇 5 μιη的厚度。 如圖1 (c)所示，在用抗蝕劑或其類似物對此擴散層之一個 表面進行保護之後，藉由蝕刻而自大多數表面移除擴散層 20以使得其僅保留於一個主要表面上。隨後使用有機溶劑 或其類似物來移除抗蝕劑。 接著’以圖1(d)所示之方式藉由諸如熱化學氣相沉積 (CVD)之方法於η型擴散層2〇上形成氮化矽膜3〇作為抗反射 塗層’其厚度為約700至900 Α。 如圖1 (e)所示’將用於前面電極之銀漿料5〇〇絲網印刷於 氮化矽膜3 0上且隨後進行乾燥。另外，隨後將背側銀或銀/ 紹聚料70及鋁漿料60絲網印刷於基板之背側上且接著於其 上進行乾燥。隨後在一紅外線加熱爐中在約7〇〇至975。(：之 溫度範圍下持續進行幾分鐘至幾十分鐘的燒製。 因此’如圖1 (f)所示，鋁在燒製過程中作為摻雜劑自鋁漿 料擴散至矽基板1 〇中，形成含有高濃度的鋁摻雜劑之p+層 40。此層一般稱作後表面場（BSF)層，且幫助改良太陽能電 池之能量轉換效率。 藉由燒製而將鋁漿料60自乾燥狀態轉變至鋁背側電極 61。同時燒製背側銀或銀/鋁漿料7〇，其成為銀或銀/鋁背側 電極71。在燒製過程中，背側鋁與背側銀或銀/鋁之間的邊 界呈現合金狀態且亦係電力連接的。鋁電極佔據背側電極 大。P刀區域，此部分是因為形成p +層4〇的需要。因為對 H0376.doc 1342568 進行焊接是不可能的，所以在背側之部分上形成銀 貝電極’其作為一電極藉由銅帶或其類似物而使太陽能 電池互相連接。另外，在燒製過程中形成前面電極之銀喂 .料5G0燒結且透過氮切卿，且因此能夠電接觸於n型層 2〇。此類方法一般被稱作”燒製穿過（fire thr〇ugh)"。此燒製 穿過狀態在囷1(f)之層501中較為明顯。 :咖等人在JP_A 2〇〇1 ·3】34〇〇教示一種藉由下列方式 • 冑得的太陽能電池：在—半導體基板之—個主要表面上形 成展示另一傳導類型之區域且在該半導體基板之此主要表 面上形成抗反射塗層。所得之太陽能電池具有一塗覆於抗 反射塗層上且經燒製的電極材料。該電極材料包括例如 鉛' 硼及矽，且另外含有具有約3〇〇至6〇〇。(：之軟化點的玻 璃粉及來自m古、鋅、錯、鐵及鉻中的一或多種粉 末此等粉末具有〇·1至5 μηι的平均粒徑範圍^ shuichi等人 教不平均粒徑小於01 μιη的粉末在電極内部將具有較差的 馨 分散性，且該電極將顯示出不充分的黏著強度（抗張強度）。 儘管存在多種用於形成太陽能電池之方法及組合物，然 而仍在進行努力來增強太陽能電池應用中的電力效能且同 時改良焊接黏著性。本發明之發明者希望創造一種新穎組 合物及同時改良電力效能及焊接黏著性的製造一半導體裝 置的方法》 【發明内容】 本發明係針對一種厚膜傳導性組合物，其包含：（a)導電 銀务’（b)含鋅添加劑，其中該含鋅添加劑之粒徑之範圍為7 H0376.doc 不米至λ!於1 〇〇奈米；（c)玻璃粉，其中該玻璃粉具有在挪 至_。(：範_的軟化點；該等物f分散於⑷有機介質中。 本U進#係針對一種半導體裝置及一種用一結構元 件製造-半導體裝置之方法。此結構元件由—具有p_n接合 點之半導體及-形成於該半導體之—主要表面上的絕緣膜 組成。該方法包含下列步驟：⑷將上述之厚膜組合物施加 於該絕緣膜上；及（b)燒製該半導體、絕緣膜及厚膜組合物 以形成一電極。 【實施方式】 厚膜導體組合物之主要組份為具電力功能之銀粉、含鋅 添加劑及玻璃粉，該等物質分散於—有機介質中。額外添 加劑可包括金；|、金屬氧化物或可在燒製過程中產生此等 金屬氧化物之任何化合物。下文將討論該等組份。 I.無機組份 本發明之無機組份包含··⑴具電力功能之銀粉；⑺含辞 添加劑；(3)玻璃粉；及視情況之(4)選自下列物質之額外金 屬/金屬氧化物添加劑：（a)金屬，其中該金屬係選自丁卜Mn、 Sn、Pb、Ru、Co、Fe、Cu 及^ ; (b)金屬氧化物 MW，= 中 M係選自 Ti、Μη、Sn ' Pb、RU、C〇、Fe、⑸及 ^ ;⑷ 依靠燒製可產生（b)之金屬氧化物的任何化合物；及（d)其見 合物。 A.具電力功能之銀粉 -般而言，厚膜組合物包含一功能相，其賦予組合物適 當的電力功能性質。該功能相包含分散於—有機介質中的 D0376.doc 之粉末’該有機介質充當形成組合物的功能相 裏°亥組合物以燒盡有機相、激活無機黏合劑相 且賦予電力功能性質。 # 之力肖b相可為導電的經塗覆或未經塗覆之銀微 粒。g塗覆銀微粒時，盆至少邱八& ，、主/ 0ρ分地以界面活性劑塗覆。 :界面？生劑可選自(但不限於)下列物質：硬脂酸、栋棚 s"、硬月曰酸鹽、棕櫚酸鹽及其混合物。可利用之其他界面 活性劑包括月桂酸、棕櫊酸、油酸、硬脂酸、癸酸、肉豆 蔬酸及亞油酸。平衡離子可為（但不限於）氣、敍、納、钟及 其混合物。 銀之粒徑無任何特定限制，儘管所要的平均粒經不超過 10微米且較佳不超過5微米。銀粉占衆料組合物之重量的 70/。至85/〇’且一般占組合物中固體重量的至(即排 除有機媒劑）^ B·含辞添加劑 本發明之含鋅添加劑可選自下列物f :⑷鋅，⑻辞的金 屬氧化物，⑷依靠燒製可產生辞的金屬氧化物之任何化合 物’及⑷其混合物。另夕卜，含鋅添加劑之平均粒徑小於〇」 叩。詳言<，含鋅添加劑具有的平均粒徑之範圍為7奈米 至小於100奈米。 C·玻璃粉 可用於本發明中的破缡粉組合物之實例包括非晶形的、 可部分結晶的矽酸鉛玻螭組合物以及其他相容之玻璃粉組 合物。在另一實施例中，此等玻璃粉係無鎘的。適用於本 I10376.doc 發明之某些玻璃粉組合物詳述於下文之表1。 表1:玻璃粉組合物（占總玻璃組合物的重量百分比）
CaO Cd〇 3.90 序號 Si〇2 Ah〇3 PbO B203 Ce〇2 ZnO Na20 Bi2〇3 Li20 Ti〇2 1 28.00 4.70 55.90 8.10 3.30 2 26.06 6.69 50.96 8.94 2.79 4.56 3 23.37 0.41 59.75 7.93 2.31 0.04 6.20 4 22.97 1.54 60.62 8.40 2.46 4 〇2 5 23.00 0.40 58.80 7.80 6.10 6 1.50 14.90 0.10 I 〇 81.5 1.0
表1展示以重量百分比計的玻璃組合物。在該等實例中較 佳的無錄玻璃組合物包含下列氧化物組份，其組合範圍 為：以重量百分比計 Si02 21-29、Al2〇3 〇.1_8、Pb〇 50-62、 B2〇3 7-10、ZnO 0-4、Li20 0-〇_1、Ti〇2 2-7。更佳之玻璃組 合物為：以重量百分比計Si02 28.00、A1203 4.70、pb(D 55.90、B2〇3 8.1、Ti02 3.30。 另外，在另一實施例中，玻璃粉組合物為無鉛組合物。 適用於本發明之某些無鉛玻璃組合物包含下列氧化物組 伤，其組合圍為：以總玻璃组合物重量百分比叶 〇·1-8、Al2〇3 0-4、B2〇3 8-25、CaO 〇小 Zn〇 〇_42、叫。〇 4 '
Li20 0-3.5 > Bi2〇3 28-85 ^ Ag20 0-3 Ce02 0-4.5 ^ Sn02 0-3.5， BiF〕〇-1 5。 在實際應用中本發明之玻璃粉之平均粒徑的範圍為〇 5 至1.5 μηι，而平均粒徑之範圍為〇 8至〗2 μηι為較佳。玻璃 粉之軟化點（TC: DTA之第二轉變點）應在则至⑼代範圍 内 組合物之4重量％ 在總組合物中玻璃粉之量小於碑 本文所述之玻璃係藉由習知破螭製造技術而製造的。更 明確而言，該等玻璃可按下列方 乃式製備。一般製備5〇〇至 110376.doc 1342568 1000克刀篁的玻璃。通常成分係經稱重，隨後以所要的比 J 15 I在底部裝載爐中加熱以在翻合金掛禍中形成炫 融物。加熱通常進行至峰值溫度⑽⑷扇t)且持續一段 時間以使得熔融物完全地變為液體且：
倒於反旋轉不錄鋼滾筒之表面上或藉由傾倒入水二由;: 火^璃溶融物以形成1()至2()密耳（mil)厚的玻璃薄片。研磨 所得之玻璃薄片或水淬火玻璃料以形成一粉末，且將其 50=的體積分佈設置於15微米之間。用填充劑及介質將 斤得之玻璃粕配製成厚膜漿料或可鑄介電組合物。 D.額外金屬/金屬氧化物添加劑 本發明之額外金屬/金屬氧化物添加劑可選自下列物 質：⑷金屬’其中該金屬選iTi、Mn、sn pb、RU、^、 Fe、Cu及Ci·’（b)金屬氧化物]^〇乂，其中M選自丁i、Mn ' Sn、 扑、RU、Co、Fe、Cl^Cr，⑷依靠燒製可產生⑻之金屬 氧化物之任何化合物，及（d)其混合物。
額外金屬/金屬氧化物添加劑之粒徑不受任何特定限 制，儘管所要的平均粒徑範圍不超過1〇微米且較佳不超^ 微来。 。 在—實施例中，金屬/金屬氧化物添加劑之粒徑的範圍為 \奈米（㈣至⑵，詳言之，在本發明中可利用平均粒徑 範圍（d50)為7奈米（nm)至125 nm的Μη02及Ti〇2。 松在組合物中的金屬/金屬氧化物添加劑及含鋅添加劑之 範圍為總組合物的〇. 1重量。/。至6重量％。 諸如MnOx&CU/CuOx之氧化物及其他氧化物在某種程度 n0376.doc 12 上可有助於黏著β Ε·有機介質 -般藉由機械混合將無機組份與有機介質混合於—起以 形成稱作"漿料"的黏性組合 °亥4組合物具有用於印刷 度及㈣能力°大量惰性純材料可用作有機介 質。有機介質必須為下列之一種物質：其中無機組份^ 足夠程度的穩定性而分散。該介質的流變性質必須賦予組 口物良好的應用性’包括：固體的穩定分散性、用於絲網 印刷之適當的黏性及搖變性'基板及漿料固體之適當的可 濕性、良好的乾燥速率及良好的燒製性f 1於本發明之 厚膜組合物中之有機媒劑較佳地為非水惰性液體。可利用 ^種有機媒劑之任-者，其可含有或可不含有增稍劑 '穩 定劑及/或其他共同添加劑。有機介質一般為處於溶劑中的 聚σ物之/谷液。另外，少量的諸如界面活性劑之添加劑可 為有機介質之一部分。出於此目的而最常用的聚合物為乙 基纖維素。聚合物之其他實例包括乙基烴乙基纖維素、木 松香、乙基纖維素與酚醛樹脂之混合物、低碳醇之聚甲基 丙烯酸酯，且亦可利用乙二醇單丁基醚單乙酸酯。最廣泛 使用於厚膜組合物中之溶劑為酯醇及萜類，諸如^ •或冷_ 萜品醇或其與諸如煤油、鄰苯二曱酸二丁酯'丁基卡必醇、 丁基卡必醇醋酸酯、己二醇及高沸點醇類與醇酯之其他溶 劑的混合物。另外’媒劑中可包括在基板上應用之後用於 促進迅速硬化之揮發性液體。配製此等及其他溶劑之多種 組合物以達到所要的黏性及揮發性要求。 110376.doc 13 1342568 存在於有機介質中之聚合物占總組合物之重量百分比的 範圍為8。/。至11%。用有機介質可將本發明之厚骐銀組合物 調適至預定的可絲網印刷之黏性。 . 在厚膜組合物中之有機介質與分散液中之無機組份之比 率視應用所用的漿料及該種有機介質之方法而定，且其可 '改變。通常，分散液將含有重量百分比為7〇%至95%的無機 組份及重量百分比為5%至30%的有機介質（媒劑）以獲得良 好的濕化作用。 製造半導體裝置之方法的說明 因此，本發明提供新穎的組合物，其可用於製造半導體 裝i半導體裝置可藉由下列之方法用由接合點承載之半 導體基板及形成於其主要表面上的氮化石夕絕緣膜組成的結 構元件而製造。該製造半導體裝置之方法包括下列步驟： 以預定形狀在預定位置將本發明之具有能力滲透絕緣膜的 傳導性厚膜組合物施加至（通常塗覆及印刷）絕緣膜上，隨後 • 進行燒製以使得傳導性厚膜熔化並穿過絕緣膜，實現與矽 基板之電接觸。導電厚膜組合物為本文所述之厚膜漿料組 合物，其係由分散於有機媒劑中之銀粉 '含鋅添加劑、具 有300至6〇〇。(：軟化點的玻璃或玻璃粉混合物且視情況亦由 額外金屬/金屬氧化物添加劑而製成。 。玄組合物之玻璃粉含量低於總組合物之重量的5¾，且含 鋅添加劑與可選額外金屬/金屬氧化物之含量不超過總組 s物之重量的6〇/〇。本發明亦提供一種用相同方法製造的半 導體裝置。 110376.doc 1342568 絕緣腺:可在於使用氮切膜或二氧切膜作為 ㈣通常㈣由電漿化學氣相沉積（cvd)或熱 方法形成。二氧化石夕膜一般係藉由熱氧化 電漿CFD形成。 Μ
:造半導體裝置之方法之特徵亦可在於用由接合點承載 導體基板及形成於其—個主要表面上的絕緣膜組成的結 來製造半導體裝置，其中絕緣層選自氧化鈦、氮化 矽、SlNx:H、二氧化石夕及二氧化石夕/氧化欽膜，該方法包括 下列/驟.在絕緣膜上以預定形狀在預定位置形成具有能 力起反應及滲透絕緣膜的金屬漿料材料，形成與石夕基板之 電接觸。氧化欽膜-般係藉由將含敛有機液體材料塗覆至 半導體基板上且燒製或藉由熱CVD而形成。氣化石夕膜一般 «由咖VD(„增強化學氣相沉積）而形成。本發明亦 提供一種用此相同方法而製造的半導體裝置。
自本發明之傳導性厚膜組合物形成之電極一般係在較佳 地由氧氣與1氣之混合氣體組成的氣勿气中燒冑。此燒製過 程移除有機介質並將傳導性厚臈組合物中之銀粉與玻璃粉 燒結。半導體基板一般為單晶或多晶矽。 圖Ha)展示一步轉，其中一般提供單晶矽基板或多晶矽基 板其具有減少光反射的網紋表面》在太陽能電池的情況 下，基板常常用作來自形成自牵拉或鑄造程序的鑄塊之切 片。由用於分割之諸如線狀鋸的工具所引起的基板表面損 壞及來自晶圓分割步驟之污染一般藉由使用諸如含水氫氧 化鉀或含水氫氧化鈉之鹼性水溶液或使用氫氟醆與硝酸之 110376.doc -ί5- 1342568 混合物將基板表面蝕刻掉約〗0至20 μηι而移除。另外，可添 加一步驟，其中一般用鹽酸與過氧化氫之混合物洗滌基 板’以移除黏附於基板表面的諸如鐵之重金屬。此後有時 使用例如諸如含水氫氧化鉀或含水氫氧化鈉之鹼性水溶液 而形成抗反射網紋表面《此舉得到基板i 〇。 接著，參看圖1(b)，當所用之基板為p型基板時，使形成n 型層以建立ρ-η接合點。用於形成此η型層之方法可為使用 磷醯氣（POC】3)之磷（ρ)擴散。在此情況下擴散層之深度可藉 由控制擴散溫度及時間而改變，且一般形成具有約〇3至 μπι的厚度範圍。以此方式形成的〇型層在囷中藉由參考數 子20而表不。接著，可藉由先前技術中所述之方法而在前 側與背側上進行ρ-η分離。當藉由諸如旋塗之方法將諸如磷 矽玻璃（PSG)之含磷液體塗覆材料僅施加於基板之一個表 面上時，此等步驟並非總是必要的，且擴散係藉由在合適 的條件下退火而實現的。當然，在形成於基板之背側上的η 型層亦存在風險的情況下，可藉由使用先前技術中所述之 步驟而增加完成度。 接著，在圖1(d)中，在上述之„型擴散層2〇上形成氮化矽 膜或包括SiNx:H(即絕緣膜，其包含用於鈍化之氫）膜、氧 化鈦膜及二氧化矽膜之其他絕緣膜3〇 ,其充當抗反射塗 層。此氮化矽膜30降低太陽能電池對入射光的表面反射 率，使得可能極大地增強所產生的電流◊氮化矽膜3〇之厚 度視其折射率而定，儘管約7〇〇至9〇〇 A的厚度適合於9 至2.0的折射率。此氮化矽膜可藉由諸如低壓cvd、電漿 H0376.doc 16 1342568 CVD或熱CVD之方法形成。當使用熱CVD時，起始物質常 常為二氣石夕烧（SiCl2H2)及氨（NH3)氣，且在至少7〇〇。〇的 度下進行膜形成。當使用電漿CVD時，在高溫下熱解起始 氣體使得氮化矽膜中大體上無氫，從而產生之矽與氮 之間的大體上為化學計篁的組成比β折射率之範圍大體上 為1.96至1.98。因此，此類氮化矽膜為極緻密膜，其諸如厚 度及折射率之特徵甚至在稍後步驟中經受熱處理時仍保持 不變。當藉由電漿CVD而進行膜形成時所用的起始氣體一 般為S1H4與ΝΗ3之氣體混合物。藉由電漿分解起始氣體且 在300至550°C的溫度下進行膜形成。因為藉由此電漿cvd 方法之膜形成係在低於熱CVD之溫度下進行的，所以起始 氣體中之氫亦存在於所得之氮化矽膜中。同時因為氣體分 解係藉由電漿來實現’所以此方法之另一獨特特徵為極大 改變矽與氮之間的組成比之能力。明確言之，藉由在膜形 成過程中改變該等諸如起始氣體之流動速率比及壓力與溫 度之條件’可在⑦、氮及氫之間的變動組成比下形成氣化 矽膜且其折射率範圍為1-8至2.5。當在隨後的步驟中熱處理 具有此等性質之膜時’折射率可在膜形成之前或之後發生 變化，此歸因於在電極燒製步驟中諸如氫消除的影響。在 此等情況下，可藉由在首先考慮作為隨後步驟中熱處理之 結果發生的膜品質變化之後選擇膜形成條件來獲得太陽能 電池令所需之氮化矽膜。 在圖1⑷中，一氧化欽膜可在n型擴散層20上，而非在充 當抗反射塗層之氮切膜3〇上形成。氧化㈣係藉由將含 110376.doc 1342568 鈦有機液體材料塗覆至η型擴散層20上並燒製或藉由熱 CVD而形成。在圖1(d)中，亦可能在η型擴散層2〇上而非充 當抗反射層之氮化矽膜30上形成二氧化矽膜。二氧化矽膜 係藉由熱氧化、熱CVD或電漿CVD形成。 接著，藉由與圖1(e)及（f)所示之步驟相似的步驟形成電 極。意即，如圖1(e)所示，將鋁漿料6〇及背側銀漿料7〇絲網 印刷於基板10之背側上並隨後乾燥。此外，以與基板1〇背 側上的方式相同的方式將前面電極形成銀漿料絲網印刷至 氮化矽膜30上，隨後在一紅外加熱爐中通常在7〇〇至975它 的溫度下持續幾分鐘至超過十分鐘進行乾燥及燒製同時使 氧氣與氫氣之混合氣體流穿過該爐。 如圖1(f)所示，在燒製過程中，鋁在背側上作為雜質自鋁 漿料擴散至矽基板1〇，從而形成？+層4〇，其含有較高的鋁 摻雜劑濃度。將經乾燥之鋁漿料6〇燒製轉換至鋁背側電極 61。同時燒製背側銀漿料70，使其變成銀背側電極71。在 燒製過程中，背側鋁及背側銀之間的邊界呈現合金狀態， 藉此達成電連接。鋁電極佔據背側電極之大部分區域，部 勿地疋由於形成P +層4〇之需要。同時，因為不可能焊接至 鋁電極，所以銀或銀/鋁背側電極形成於背側之有限區域 上，其作為藉由銅帶或其類似物與太陽能電池相互連接之 一電極。 在則側上，本發明之前面電極銀漿料500係由銀、含鋅添 加劑、玻璃粉、有機介質及視情況之金屬氧化物組成，且 能夠在燒製過程中反應並透過氮㈣膜3G以達成與n型層 U0376.doc •18· 1342568 20之電接觸(燒製穿過)。此繞製穿過狀態，即達到前面電極 ㈣㈣融且穿過氮切膜30的程度，視氮切膜3〇之品 質及厚度、前面電極銀漿料之組合物及燒製條件而定。太 陽能電池之轉換效率及耐濕可靠性在較大程度上明顯地視 此燒製穿過狀態而定。 實例 下文將在實例1至25中描述本發明之厚膜組合物。 玻璃製備： 遠等實例中所用之玻璃組合物之詳情參見下表2，且 3中鑒別。
表2:玻璃組合物在總組合物中之重量百分比
-般而言’聚料製備係用下列之程序完成：適當量的溶 劑、介質及界面活性劑經稱重隨後混合於混合罐中持續ι 5 刀鈿，接著添加玻璃粉及金屬添加劑且再混合丨5分鐘。因 為銀係本發明之固體的主要部分，所以其以增量形式添加 以破保較好的濕化作用^當良好混合時在〇至〇碎/平方 M0376.doc •19· 1342568 英吋（psi)之壓力下使漿料數次通過三輥研磨機。將輥的間 隙調節為1密耳。藉由研細度（FOG)來量測分散度。對於導 體而言典型的FOG值一般等於或小於20/1 5。 表3:實例1至25之銀及玻璃組合物在總組合物中之重量百 分比
管·仑,1 Ag(重 玻璃 玻璃 玻璃 玻璃 只 ir’j 序號 量百分 K重量 11(重量 m(重量 IV(重量 玻璃VI 比） 百分比） 百分比） 百分比） 百分比） 1 80 2.0 0 0 0 0 2 80.95 2.0 0 0 1 0 0 3 80 0.5 0 0 0 4 80.95 1.5 0.5 0 0 0 5 79.5 2.0 0.5 0 0 0 6 80 2.0 0 0 0 0 7 ~80 2.0 0 0 0 0 8 80 2.0 0 0 0 0 9 80.45 0 2.5 0 0 0 10 80.45 0 2.5 0 0 0 11 80.35 0 2.5 0 0 0 12 80.75 1.5 0.5 0 __一 0 0 13 79.5 0 2.5 0 ___— 0 0 14 79.0 2.0 0 0 _ 0 0 15 79.45 0 2.5 0 __一 0 0 16 80.35 0 0 2.5 0 0 17 81.95 0 0 0 一 0 0 18 84.45 0 0 0 2 0 19 80.0 0 2.0 0 0 20 80.45 2.0 0.5 0 __ 0 0 21 79 0 0 V --- 0___ 0 1.4 22 80 2.0 0 〇 ^ 0 0 23 80 2.0 0 0 0 0 24 |80^ 2.0 0 0 0 0 25 2.0 0 0 0 *實例1至25之每一者含有12重量°/。之溶劑（Texano1®)、1 ’ 重量％的乙基纖維素及0.8重量的界面活性劑（大豆卵麟 脂）。 表4 :實例1至20之金屬、金屬樹脂酸鹽組合物在總組合物 中之重量百分比 110376.doc -20· 1342568 實例 序號 ZnO ZnO 細粒 Zn 金屬 Ti02 Ti02 細粒 Mn02 Tyzor Μη樹脂 酸鹽 Zn樹脂 酸鹽 Cu 有效百 分比(Eff %) 黏著性 1 4.45 0 0 0 0 0 0 *0 0 0 15.3 良好 2 0 3.50 0 0 0 0 0 0 0 15.6 良好 3 4.45 0 0 0 0 0 0 0 0 0 15.4 良好 4 0 3.50 0 0 0 0 0 "ό 0 0 15.4 良好 5 4.45 0 0 0 0 0 0 0 0 0 15.4 良好 6 4.45 0 0 1.0 0 0 0 0 0 0 15.3 足夠 7 4.45 0 0 0 0 0 1.0 0 0 0 15.4 良好 8 4.45 0 0 0 0 0 0 1.0 0 0 15.1 . 良好 9 0 3.50 0 0 0 0 0 0 0 0 15.4 * 極好 10 0 3.50 0 "ο 0.1 0 0 0 0 0 >15.6 1 良好 11 0 3.50 0 0 0 0 0 0 0 0.2 15.6 優秀 12 4.45 0 0 0 0 0 0 0 2 0 >15.3 良好 13 4.45 0 0 0 0 1.0 0 0 0 0 >15 良好 Ϊ4 0 0 0 0 0 4.50 0 0 0 0 >15 良好 15 0 3.5 0 0 0.1 0 0 0 0 0 〜15 極好 16 0 3.5 0 0 0 0 0 0 0 1.0 >10 足夠 17 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 〜4 未測試 18 4.45 0 0 0 0 0 0 0 0 0 〜15 良好 19 0 4.45 0 0 0 0 0 0 0 14.7 足夠 20 0 3.5 0 0 0.1 0 0 0 0 0.2 15.7 極好 21 6.5 0 0 0 0 0 0 0 0 0 〜15 極好 *實例1至20之每一者含有12重量％之溶劑（Texanol®)、1.1 重量％之乙基纖維素及0.8重量％之界面活性劑大豆卵磷 脂0 *ZnO細粒可購自US Zinc Corporation，其具有7 nm至30 nm的平均粒徑。 樹脂酸鋅可作為ZINC TEN-CEM購自〇MG Americas » 表5:實例22至25’金屬氧化物組合物在總組合物中之重量 百分比及其太陽能電池性質
實例 Ti02 C〇3〇4 Fe203 〇2〇3 有效百分比 (Eff%、 黏著性 22 4.45 <5 NT 23 4.45 <5 NT 24 4.45 "<5~~ NT 25 ^.50 Γ<5 NT 110376.doc -21 - 1342568 NT :未測試 測試程序效率 將根據上述方法所建立的太陽能電池置放於商業IV測定 裔中以量測效率。IV測定器中之電燈泡模擬具有已知強度 之太陽光且輻射太陽能電池之前面，將印刷於該電池之前 面中的匯流條連接至IV測定器之多個探針並使訊號經探針 傳輸至用於計算效率之電腦。 測試程序黏著性 在燒製之後，將焊接帶（塗覆有62Sn/36Pb/2Ag之銅）焊接 至印刷於電池前面上之匯流條。焊接條件通常為在345<>c下 持續5秒鐘。所用之熔劑為溫和活化之α_6η或未經活化之 夕心100。焊接面積大約為之爪⑺心爪爪。藉由在與電池之表 面成90的角度下牵拉帶子而獲得黏著強度。黏著強度之評 估指定為足夠、良好、極好或優秀，此係基於下列假設： J、於400 g的黏著強度認為係不好的；在g至小於笆 之圍中的數值評^為足夠的黏著強度；等於或大於6〇〇g 的認為係良好、極好或優秀的黏著強度。 對於使用無敍玻璃料之^ 枚,Ή之組合物而言，吾人使用無鉛焊料
及含錯焊料來測試點著枓 .„ L 4考改。所用之無鉛烊料為96.5 Sn/3.5
Ag。用於無鉛焊料之焊接溫度為375。。，焊接時間為5至7 心。所用之熔诏為MF200。所獲得之黏著強度通常高於_ g 0 另卜在牽4之後’在顯微鏡下檢查焊接點以用於失效
模式。若超過5 0%的焊拉F 接區域顯示Si破裂，則認為其係極好 110376.doc -22. I342568 的失效模式。 【圖式簡單說明】 圖1為一說明製造一半導體裝置之製造流程圖。 【主要元件符號說明】 10 20 30 40 60 61 70 71 50〇 501 p型矽基板 η型擴散層 氮化矽膜、氧化鈦膜或二氧化矽膜 Ρ+層（後表面場，BSF) 形成於背側上之鋁漿料 銘背側電極（藉由燒製背側铭漿料而獲得） 形成於背側上之銀或銀/鋁漿料 銀或銀/鋁背側電極（藉由燒製背側銀t料而 獲得） 形成於前面上之銀漿料 銀前面電極（藉由燒製前面銀衆料而形成） 110376.doc -23-

Claims (1)

1342568
第095113533號專利申請案 中文申凊專利範圍替換本(99年7月） 十、申請專利範圍·· 1. 一種厚膜電傳導性組合物，包含 a)導電銀粉； )3鋅添加劑’其中該含鋅添加劑之粒徑之範圍為7奈 米至i於1 00奈米’其中該含鋅添加劑為; )玻璃叙，其中该破璃粉具有在3〇〇至6⑽。C範圍内的軟 化點；
句有機介質，上列等物質分散於其中； 其中该銀粉係佔全部組合物之7〇至85重量〇乂， 該含鋅添加劑係佔全部組合物之2至丨6重量％， 該等破璃粉總共係佔全部組合物之〇 5至4重量％，以及 β玄有機介質係佔全部組合物之5至3 〇重量％。 2.如明求項i之組合物，其進一步包含—額外金屬，金屬氧化 物添加劑，該添加劑選自下列物質：⑷一金屬，其中該 :屬係選自 Ti、Mn、Sn、Pb、Ru、c。、^、Cuw ;⑻ -金屬氧化物MOx，其中M係選自Ti、Mn' Sn、外、Ru、 k、Cu及Cr ;⑷在燒製後即可產生（b)之金屬氧化物 之任何化合物；及（d)其混合物。 3. 2請求項！之組合物，其中該玻璃粉組合物以總玻璃粉組 合物之重量百分比計包含·· Si〇2 2i-29、Al2〇3 〇 18、抑〇 5〇-62、b2〇3 7_1〇、Zn〇 〇_4、Li2〇 〇 〇」、及丁叫 μ。 4. 如請求項丨之組合物，其中該玻璃粉為一無鉛玻璃粉，其 以總破璃粉組合物之重量百分比計包含：Si〇2 〇 18、 〇-4、B2〇3 8_25、Ca〇 (Μ、Zn〇 〇 42、〜〇 〇 4 U0376-990729.doc Li20 0-3.5、Bi2O3 28m a 5'Ag2〇0-3、Ce02〇-4.5、Sn〇2〇 3 s 及 BiF30-15。 2 5. —種基板，其中已沉稽主 積如π求唄i之組合物且其中該組人 物已經處理以移除誃古 ’ σ μ有機"烫且燒結該玻璃粉及銀粉。 6. 一種電極，自如請求ϋ ,七&人， 、之.，且&物形成，其中該組合物已 經處理以移除該有機介質且燒結該玻璃粉及銀粉。 7. 一種用一結構元件製造-半導體裝置之方法，此結構元 件由一具有P-η接合點之半導體以及一形成於該半導體之 要表面上的、.¾緣膜組成；該方法包含下列步驟：⑷ 將士。月求項1之厚膜電傳導性紐合物施加於該絕緣膜 上；及⑻燒製該半導體、絕緣膜及厚膜組合物以形成一 電極。 8. 如請求項7之方法，其中該絕緣膜係選自包含下列物質之 群.氮化矽膜、氧化鈦膜、SiNx:H獏、二氧化矽膜及二 乳化碎/氧化鈥膜。 9. -種半導體裝置，包含來自如請求項r组合物，其中該 組合物已經處理以移除該有機介質且燒結該玻璃粉及銀 粉。 110376-990729.doc 2-
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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7435361B2 (en) * 2005-04-14 2008-10-14 E.I. Du Pont De Nemours And Company Conductive compositions and processes for use in the manufacture of semiconductor devices
US7462304B2 (en) * 2005-04-14 2008-12-09 E.I. Du Pont De Nemours And Company Conductive compositions used in the manufacture of semiconductor device
US7556748B2 (en) 2005-04-14 2009-07-07 E. I. Du Pont De Nemours And Company Method of manufacture of semiconductor device and conductive compositions used therein
US8093491B2 (en) * 2005-06-03 2012-01-10 Ferro Corporation Lead free solar cell contacts
NL1030200C2 (nl) * 2005-10-14 2007-04-17 Stichting Energie Werkwijze voor het vervaardigen van n-type multikristallijn silicium zonnecellen.
JP2007194580A (ja) * 2005-12-21 2007-08-02 E I Du Pont De Nemours & Co 太陽電池電極用ペースト
US20080003364A1 (en) 2006-06-28 2008-01-03 Ginley David S Metal Inks
NL2000248C2 (nl) * 2006-09-25 2008-03-26 Ecn Energieonderzoek Ct Nederl Werkwijze voor het vervaardigen van kristallijn-silicium zonnecellen met een verbeterde oppervlaktepassivering.
JP5127207B2 (ja) * 2006-11-28 2013-01-23 京セラ株式会社 太陽電池素子、及びそれを用いた太陽電池モジュール
WO2008134417A1 (en) * 2007-04-25 2008-11-06 Ferro Corporation Thick film conductor formulations comprising silver and nickel or silver and nickel alloys and solar cells made therefrom
US8304062B2 (en) * 2007-07-20 2012-11-06 Fry's Metals, Inc. Electrical conductors and methods of making and using them
TW200926210A (en) * 2007-09-27 2009-06-16 Murata Manufacturing Co Ag electrode paste, solar battery cell, and process for producing the solar battery cell
JP5272373B2 (ja) * 2007-10-17 2013-08-28 セントラル硝子株式会社 多結晶Ｓｉ太陽電池
US7485245B1 (en) 2007-10-18 2009-02-03 E.I. Du Pont De Nemours And Company Electrode paste for solar cell and solar cell electrode using the paste
WO2009052343A1 (en) * 2007-10-18 2009-04-23 E. I. Du Pont De Nemours And Company Conductive compositions and processes for use in the manufacture of semiconductor devices: flux materials
WO2009052356A2 (en) * 2007-10-18 2009-04-23 E. I. Du Pont De Nemours And Company Conductive compositions and processes for use in the manufacture of semiconductor devices
CN101821816A (zh) 2007-10-18 2010-09-01 E.I.内穆尔杜邦公司 无铅导电组合物以及用于制造半导体装置的方法:焊剂材料
WO2009052141A1 (en) * 2007-10-18 2009-04-23 E. I. Du Pont De Nemours And Company Conductive compositions and processes for use in the manufacture of semiconductor devices
WO2009059302A1 (en) * 2007-11-02 2009-05-07 Alliance For Sustainable Energy, Llc Fabrication of contacts for silicon solar cells including printing burn through layers
US8101231B2 (en) * 2007-12-07 2012-01-24 Cabot Corporation Processes for forming photovoltaic conductive features from multiple inks
JP2009194141A (ja) * 2008-02-14 2009-08-27 Namics Corp 太陽電池電極形成用導電性ペースト
US7704866B2 (en) * 2008-03-18 2010-04-27 Innovalight, Inc. Methods for forming composite nanoparticle-metal metallization contacts on a substrate
US8361834B2 (en) 2008-03-18 2013-01-29 Innovalight, Inc. Methods of forming a low resistance silicon-metal contact
EP2260493A1 (en) * 2008-04-09 2010-12-15 E. I. du Pont de Nemours and Company Conductive compositions and processes for use in the manufacture of semiconductor devices
US20090266409A1 (en) * 2008-04-28 2009-10-29 E.I.Du Pont De Nemours And Company Conductive compositions and processes for use in the manufacture of semiconductor devices
KR20110014676A (ko) * 2008-05-28 2011-02-11 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 광전지용 전도체: 서브미크론 입자를 함유하는 조성물
WO2009146348A1 (en) * 2008-05-28 2009-12-03 E. I. Du Pont De Nemours And Company Compositions containing submicron particles used in conductors for photovoltaic cells
US8008179B2 (en) * 2008-05-28 2011-08-30 E.I. Du Pont De Nemours And Company Methods using silver compositions for micro-deposition direct writing silver conductor lines on photovoltaic wafers
EP2294585A1 (en) * 2008-05-28 2011-03-16 E. I. du Pont de Nemours and Company Methods using compositions containing submicron particles used in conductors for photovoltaic cells
US8158504B2 (en) * 2008-05-30 2012-04-17 E. I. Du Pont De Nemours And Company Conductive compositions and processes for use in the manufacture of semiconductor devices—organic medium components
WO2009149438A1 (en) * 2008-06-06 2009-12-10 E. I. Du Pont De Nemours And Company Glass compositions used in conductors for photovoltaic cells
TW201008889A (en) * 2008-06-06 2010-03-01 Du Pont Glass compositions used in conductors for photovoltaic cells
US8076777B2 (en) * 2008-06-26 2011-12-13 E. I. Du Pont De Nemours And Company Glass compositions used in conductors for photovoltaic cells
DE102008032554A1 (de) * 2008-07-10 2010-01-14 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Metallhaltige Zusammensetzung, Verfahren zur Herstellung von elektrischen Kontaktstrukturen auf elektronischen Bauteilen sowie elektronisches Bauteil
KR101225909B1 (ko) * 2008-08-07 2013-01-24 교토 에렉스 가부시키가이샤 태양전지소자의 전극형성용 도전성 페이스트, 태양전지소자 및 그 태양전지소자의 제조방법
KR101022415B1 (ko) * 2008-08-29 2011-03-15 에스에스씨피 주식회사 도전성 페이스트 조성물
US7976734B2 (en) 2008-09-10 2011-07-12 E.I. Du Pont De Nemours And Company Solar cell electrodes
US8231934B2 (en) * 2008-11-26 2012-07-31 E. I. Du Pont De Nemours And Company Conductive paste for solar cell electrode
JP5059042B2 (ja) 2009-02-25 2012-10-24 株式会社ノリタケカンパニーリミテド 太陽電池電極用ペースト組成物
US8465794B2 (en) * 2009-03-19 2013-06-18 E I Du Pont De Nemours And Company Glass compositions used in conductors for photovoltaic cells
EP2417608A1 (en) * 2009-03-30 2012-02-15 E. I. du Pont de Nemours and Company Metal pastes and use thereof in the production of silicon solar cells
TW201044414A (en) * 2009-03-30 2010-12-16 Du Pont Metal pastes and use thereof in the production of silicon solar cells
WO2010118212A1 (en) * 2009-04-09 2010-10-14 E. I. Du Pont De Nemours And Company Glass compositions used in conductors for photovoltaic cells
WO2010118198A1 (en) * 2009-04-09 2010-10-14 E. I. Du Pont De Nemours And Company Glass compositions used in conductors for photovoltaic cells
CN102369168A (zh) * 2009-04-09 2012-03-07 E.I.内穆尔杜邦公司 用于光伏电池导体中的玻璃组合物
EP4350782A2 (en) * 2009-04-21 2024-04-10 Tetrasun, Inc. High-efficiency solar cell structures and methods of manufacture
US20100301479A1 (en) 2009-05-28 2010-12-02 E. I. Du Pont De Nemours And Company Devices containing silver compositions deposited by micro-deposition direct writing silver conductor lines
KR100984700B1 (ko) 2009-06-04 2010-10-01 엘지전자 주식회사 태양 전지 및 그 제조 방법
JP5426241B2 (ja) * 2009-06-10 2014-02-26 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー チップ抵抗器の表電極および裏電極
TW201115592A (en) 2009-06-19 2011-05-01 Du Pont Glass compositions used in conductors for photovoltaic cells
JP5649290B2 (ja) * 2009-07-30 2015-01-07 株式会社ノリタケカンパニーリミテド 太陽電池電極用無鉛導電性組成物
KR20120051764A (ko) * 2009-09-08 2012-05-22 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 광전지용 전도체
JP2013505540A (ja) 2009-09-17 2013-02-14 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー ナノサイズの亜鉛添加剤を含む厚膜導電性組成物
JP5137923B2 (ja) 2009-09-18 2013-02-06 株式会社ノリタケカンパニーリミテド 太陽電池用電極ペースト組成物
DE102009044052A1 (de) * 2009-09-18 2011-03-24 Schott Solar Ag Kristalline Solarzelle, Verfahren zur Herstellung einer solchen sowie Verfahren zur Herstellung eines Solarzellenmoduls
JP5559509B2 (ja) * 2009-10-28 2014-07-23 昭栄化学工業株式会社 太陽電池電極形成用導電性ペースト
JP2013512571A (ja) * 2009-11-25 2013-04-11 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー 不動態化エミッタおよび背面接点シリコン太陽電池の銀裏面電極の形成方法
US20110143497A1 (en) * 2009-12-16 2011-06-16 E. I. Du Pont De Nemours And Company Thick film conductive composition used in conductors for photovoltaic cells
KR101332429B1 (ko) * 2009-12-17 2013-11-22 제일모직주식회사 태양전지 전극용 페이스트 및 이를 이용한 태양전지
WO2011075703A2 (en) 2009-12-18 2011-06-23 E. I. Du Pont De Nemours And Company Glass compositions used in conductors for photovoltaic cells
US8252204B2 (en) 2009-12-18 2012-08-28 E I Du Pont De Nemours And Company Glass compositions used in conductors for photovoltaic cells
JP4970530B2 (ja) * 2009-12-28 2012-07-11 株式会社ノリタケカンパニーリミテド 太陽電池用ペースト組成物およびその製造方法ならびに太陽電池
US20110195540A1 (en) * 2010-02-05 2011-08-11 Hitachi Chemical Company, Ltd. Composition for forming p-type diffusion layer, method for forming p-type diffusion layer, and method for producing photovoltaic cell
JP5392138B2 (ja) * 2010-02-17 2014-01-22 三菱マテリアル株式会社 導電性組成物及びそれを用いた太陽電池の製造方法
JP5445209B2 (ja) * 2010-02-17 2014-03-19 三菱マテリアル株式会社 導電性組成物及びそれを用いた太陽電池の製造方法
JP5445208B2 (ja) * 2010-02-17 2014-03-19 三菱マテリアル株式会社 導電性組成物及びそれを用いた太陽電池の製造方法
US20110214718A1 (en) * 2010-03-02 2011-09-08 E.I. Du Pont De Nemours And Company Manufacturing of electrode
KR101246686B1 (ko) * 2010-03-19 2013-03-21 제일모직주식회사 태양전지 전극용 페이스트 및 이를 이용한 태양전지
US20110240124A1 (en) * 2010-03-30 2011-10-06 E.I. Du Pont De Nemours And Company Metal pastes and use thereof in the production of silicon solar cells
JP5608735B2 (ja) * 2010-04-02 2014-10-15 株式会社ノリタケカンパニーリミテド 太陽電池用ペースト組成物およびその製造方法ならびに太陽電池
US8497420B2 (en) * 2010-05-04 2013-07-30 E I Du Pont De Nemours And Company Thick-film pastes containing lead- and tellurium-oxides, and their use in the manufacture of semiconductor devices
CN101866991A (zh) * 2010-05-26 2010-10-20 广东志成冠军集团有限公司 非晶硅/晶硅异质结太阳能电池制备方法
JP2012012231A (ja) * 2010-06-29 2012-01-19 Central Glass Co Ltd 無鉛低融点ガラス組成物
CN102315309B (zh) * 2010-06-30 2013-10-02 比亚迪股份有限公司 一种太阳能电池片的制备方法
JP5351100B2 (ja) 2010-07-02 2013-11-27 株式会社ノリタケカンパニーリミテド 太陽電池用導電性ペースト組成物
KR101374359B1 (ko) * 2010-09-15 2014-03-18 제일모직주식회사 태양전지 전극용 페이스트 및 이를 이용하여 제조되는 태양전지
JP2012094859A (ja) * 2010-10-14 2012-05-17 Rohm & Haas Electronic Materials Llc 金属コンタクトを形成する改良された方法
KR101199194B1 (ko) * 2010-10-28 2012-11-07 엘지이노텍 주식회사 태양 전지의 전면 전극용 페이스트 조성물 및 태양 전지
WO2012064323A1 (en) * 2010-11-09 2012-05-18 E. I. Du Pont De Nemours And Company Thick-film paste compositions with phosphonium surfactant
US20120132272A1 (en) 2010-11-19 2012-05-31 Alliance For Sustainable Energy, Llc. Solution processed metal oxide thin film hole transport layers for high performance organic solar cells
US8858843B2 (en) * 2010-12-14 2014-10-14 Innovalight, Inc. High fidelity doping paste and methods thereof
WO2012111480A1 (ja) * 2011-02-16 2012-08-23 株式会社 村田製作所 導電性ペースト及び太陽電池
US20130061918A1 (en) * 2011-03-03 2013-03-14 E. I. Dupont De Nemours And Company Process for the formation of a silver back electrode of a passivated emitter and rear contact silicon solar cell
US8900487B2 (en) * 2011-03-24 2014-12-02 E I Du Pont De Nemours And Company Conductive paste composition and semiconductor devices made therefrom
JP5891599B2 (ja) * 2011-04-14 2016-03-23 日立化成株式会社 シリコン系太陽電池の電極用ペースト組成物
US20130014816A1 (en) * 2011-07-14 2013-01-17 E. I. Du Pont De Nemours And Company Conductive paste, method for manufacturing solar cell electrodes and solar cell electrodes
KR20130045568A (ko) * 2011-10-26 2013-05-06 삼성전자주식회사 도전성 페이스트, 상기 도전성 페이스트를 사용하여 형성된 전극을 포함하는 전자 소자 및 태양 전지
DE102012221334B4 (de) 2011-12-22 2018-10-25 Schott Ag Lötpaste und deren Verwendung zur Front- oder Rückseitenkontaktierung von siliziumbasierten Solarzellen
KR20130078667A (ko) * 2011-12-30 2013-07-10 금오공과대학교 산학협력단 실리콘 태양전지의 전면전극 형성용 무기첨가제 및 이를 이용하여 제조된 실리콘 태양전지
KR101350960B1 (ko) * 2012-01-13 2014-01-16 한화케미칼 주식회사 글래스 프릿, 이를 포함하는 도전성 페이스트 조성물 및 태양전지
JP6246135B2 (ja) * 2012-01-18 2017-12-13 ヘレウス プレシャス メタルズ ノース アメリカ コンショホーケン エルエルシー 有機亜鉛化合物を含有する太陽電池の金属化
WO2013162024A1 (ja) * 2012-04-26 2013-10-31 京セラ株式会社 太陽電池素子およびその製造方法
WO2013188485A1 (en) * 2012-06-12 2013-12-19 Heraeus Precious Metals North America Conshohocken Llc Electroconductive paste with adhesion enhancer
US8969709B2 (en) * 2012-08-30 2015-03-03 E I Du Pont De Nemours And Company Use of a conductive composition containing lead—tellurium-based oxide in the manufacture of semiconductor devices with lightly doped emitters
KR102025529B1 (ko) * 2012-10-15 2019-09-27 다우 글로벌 테크놀로지스 엘엘씨 전도성 조성물
US20140191167A1 (en) * 2013-01-04 2014-07-10 Giga Solar Materials Corporation Conductive Composition
US9859515B2 (en) 2013-03-07 2018-01-02 Alliance For Sustainable Energy, Llc Methods for producing thin film charge selective transport layers
KR101396444B1 (ko) * 2013-05-06 2014-05-22 한화케미칼 주식회사 태양전지의 전극의 제조방법 및 이를 이용한 태양전지
KR101600874B1 (ko) 2014-05-16 2016-03-09 덕산하이메탈(주) 은 페이스트 조성물 및 이를 이용하여 제조된 태양전지
CN104078100A (zh) * 2014-06-30 2014-10-01 合肥中南光电有限公司 一种石墨粉/方解石复合的低卤素含量导电银浆及其制作方法
CN104078102A (zh) * 2014-06-30 2014-10-01 合肥中南光电有限公司 一种改性纳米碳导电银浆及其制作方法
EP3076401A1 (en) 2015-03-27 2016-10-05 Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG Electro-conductive pastes comprising a metal compound
US10636540B2 (en) 2015-03-27 2020-04-28 Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG Electro-conductive pastes comprising an oxide additive
JP6624930B2 (ja) 2015-12-26 2019-12-25 日亜化学工業株式会社 発光素子及びその製造方法
JP6683003B2 (ja) 2016-05-11 2020-04-15 日亜化学工業株式会社 半導体素子、半導体装置及び半導体素子の製造方法
JP6720747B2 (ja) 2016-07-19 2020-07-08 日亜化学工業株式会社 半導体装置、基台及びそれらの製造方法
TWI745562B (zh) 2017-04-18 2021-11-11 美商太陽帕斯特有限責任公司 導電糊料組成物及用其製成的半導體裝置
US20210280725A1 (en) * 2018-07-05 2021-09-09 Unm Rainforest Innovations Low-cost, crack-tolerant, screen-printable metallization for increased module reliability

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4051074A (en) * 1975-10-29 1977-09-27 Shoei Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha Resistor composition and method for its manufacture
US4256513A (en) * 1978-10-19 1981-03-17 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Photoelectric conversion device
JPS6249676A (ja) * 1985-08-29 1987-03-04 Sharp Corp 太陽電池
JPH0945130A (ja) * 1995-07-28 1997-02-14 Tanaka Kikinzoku Internatl Kk 導体ペースト組成物
JP3209089B2 (ja) * 1996-05-09 2001-09-17 昭栄化学工業株式会社 導電性ペースト
JP2000277778A (ja) 1999-03-25 2000-10-06 Kyocera Corp 太陽電池素子の製造方法
JP3430068B2 (ja) 1999-04-16 2003-07-28 シャープ株式会社 太陽電池の電極
JP4331827B2 (ja) 1999-06-29 2009-09-16 京セラ株式会社 太陽電池素子の製造方法
JP2001127317A (ja) 1999-10-28 2001-05-11 Kyocera Corp 太陽電池の製造方法
JP2001313400A (ja) 2000-04-28 2001-11-09 Kyocera Corp 太陽電池素子の形成方法
DE10116653A1 (de) * 2001-04-04 2002-10-10 Dmc2 Degussa Metals Catalysts Cerdec Ag Leitfähigkeitspaste, damit erzeugte Artikel mit einer leitfähigen Beschichtung auf Glas, Keramik und emailliertem Stahl und Verfahren zu deren Herstellung
US20040104262A1 (en) * 2001-04-09 2004-06-03 Mears Sarah Jane Use of conductor compositions in electronic circuits
US20030108664A1 (en) * 2001-10-05 2003-06-12 Kodas Toivo T. Methods and compositions for the formation of recessed electrical features on a substrate
JP3910072B2 (ja) 2002-01-30 2007-04-25 東洋アルミニウム株式会社 ペースト組成物およびそれを用いた太陽電池
JP2004087951A (ja) 2002-08-28 2004-03-18 Sharp Corp 太陽電池の製造方法
JP2004146521A (ja) 2002-10-23 2004-05-20 Sharp Corp 銀電極用ペーストおよびそれを用いた太陽電池セル
JP2004235273A (ja) 2003-01-28 2004-08-19 Kyocera Corp 太陽電池素子の製造方法
GB0307547D0 (en) * 2003-04-01 2003-05-07 Du Pont Conductor composition V
JP3853793B2 (ja) * 2004-02-27 2006-12-06 京セラケミカル株式会社 太陽電池用導電性ペースト、太陽電池及び太陽電池の製造方法
US20060001009A1 (en) * 2004-06-30 2006-01-05 Garreau-Iles Angelique Genevie Thick-film conductive paste
US7435361B2 (en) * 2005-04-14 2008-10-14 E.I. Du Pont De Nemours And Company Conductive compositions and processes for use in the manufacture of semiconductor devices
US7462304B2 (en) * 2005-04-14 2008-12-09 E.I. Du Pont De Nemours And Company Conductive compositions used in the manufacture of semiconductor device
US7556748B2 (en) * 2005-04-14 2009-07-07 E. I. Du Pont De Nemours And Company Method of manufacture of semiconductor device and conductive compositions used therein

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI714897B (zh) * 2017-10-31 2021-01-01 南韓商ＬＳ Ｎｉｋｋｏ銅製鍊股份有限公司 太陽能電池電極用導電漿料以及包含於上述導電漿料中的玻璃熔塊和太陽能電池

Also Published As

Publication number Publication date
US20110155240A1 (en) 2011-06-30
TW200735126A (en) 2007-09-16
US7556748B2 (en) 2009-07-07
US20080223446A1 (en) 2008-09-18
JP5349738B2 (ja) 2013-11-20
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