CN102369168A - 用于光伏电池导体中的玻璃组合物 - Google Patents
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- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 66
- 239000011521 glass Substances 0.000 title claims abstract description 57
- 239000004020 conductor Substances 0.000 title claims description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 59
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 39
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 34
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 33
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 31
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 26
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims description 22
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 22
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 17
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 14
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims description 10
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 10
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 9
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 8
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 8
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 7
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 7
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce] ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 6
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N gadolinium atom Chemical compound [Gd] UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 6
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 6
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000011135 tin Substances 0.000 claims description 6
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000004110 Zinc silicate Substances 0.000 claims description 4
- XSMMCTCMFDWXIX-UHFFFAOYSA-N zinc silicate Chemical group [Zn+2].[O-][Si]([O-])=O XSMMCTCMFDWXIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 235000019352 zinc silicate Nutrition 0.000 claims description 4
- 229910004541 SiN Inorganic materials 0.000 claims description 3
- DQUIAMCJEJUUJC-UHFFFAOYSA-N dibismuth;dioxido(oxo)silane Chemical compound [Bi+3].[Bi+3].[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O DQUIAMCJEJUUJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 3
- 229910052844 willemite Inorganic materials 0.000 claims description 3
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 11
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 11
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 11
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract description 2
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 35
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 20
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 18
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 14
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 12
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 6
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 6
- PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M sodium fluoride Chemical compound [F-].[Na+] PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000013543 active substance Substances 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 5
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 5
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 5
- WMWLMWRWZQELOS-UHFFFAOYSA-N bismuth(iii) oxide Chemical compound O=[Bi]O[Bi]=O WMWLMWRWZQELOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 4
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 4
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 4
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 4
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 3
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004283 SiO 4 Inorganic materials 0.000 description 2
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- -1 alcohol ester Chemical class 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical group [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- GHVNFZFCNZKVNT-UHFFFAOYSA-N decanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCC(O)=O GHVNFZFCNZKVNT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229940028356 diethylene glycol monobutyl ether Drugs 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- POULHZVOKOAJMA-UHFFFAOYSA-N dodecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCC(O)=O POULHZVOKOAJMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 238000001362 electron spin resonance spectrum Methods 0.000 description 2
- 238000002149 energy-dispersive X-ray emission spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- IPCSVZSSVZVIGE-UHFFFAOYSA-N hexadecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O IPCSVZSSVZVIGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 238000002354 inductively-coupled plasma atomic emission spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 238000000655 nuclear magnetic resonance spectrum Methods 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N oxolane-2,4-dione Chemical compound O=C1COC(=O)C1 JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 2
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- TUNFSRHWOTWDNC-UHFFFAOYSA-N tetradecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCC(O)=O TUNFSRHWOTWDNC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 2
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 2
- MXODCLTZTIFYDV-UHFFFAOYSA-L zinc;1,4a-dimethyl-7-propan-2-yl-2,3,4,4b,5,6,10,10a-octahydrophenanthrene-1-carboxylate Chemical compound [Zn+2].C12CCC(C(C)C)=CC2=CCC2C1(C)CCCC2(C)C([O-])=O.C12CCC(C(C)C)=CC2=CCC2C1(C)CCCC2(C)C([O-])=O MXODCLTZTIFYDV-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- MDSVGJAUFNXYRR-TUNPWDSISA-N (2s)-n-[(4-aminocyclohexyl)methyl]-1-[(2r)-2-(methylamino)-3-phenylpropanoyl]pyrrolidine-2-carboxamide Chemical compound C([C@@H](NC)C(=O)N1[C@@H](CCC1)C(=O)NCC1CCC(N)CC1)C1=CC=CC=C1 MDSVGJAUFNXYRR-TUNPWDSISA-N 0.000 description 1
- SVTBMSDMJJWYQN-RXMQYKEDSA-N (4r)-2-methylpentane-2,4-diol Chemical compound C[C@@H](O)CC(C)(C)O SVTBMSDMJJWYQN-RXMQYKEDSA-N 0.000 description 1
- WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N (E)-8-Octadecenoic acid Natural products CCCCCCCCCC=CCCCCCCC(O)=O WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WUOACPNHFRMFPN-VIFPVBQESA-N (R)-(+)-alpha-terpineol Chemical compound CC1=CC[C@H](C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-VIFPVBQESA-N 0.000 description 1
- HXDLWJWIAHWIKI-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxyethyl acetate Chemical compound CC(=O)OCCO HXDLWJWIAHWIKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 20:1omega9c fatty acid Natural products CCCCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 9-Heptadecensaeure Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N Abietic-Saeure Natural products C12CCC(C(C)C)=CC2=CCC2C1(C)CCCC2(C)C(O)=O RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910016569 AlF 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- 229910001020 Au alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005632 Capric acid (CAS 334-48-5) Substances 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005793 GeO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005639 Lauric acid Substances 0.000 description 1
- OYHQOLUKZRVURQ-HZJYTTRNSA-N Linoleic acid Chemical compound CCCCC\C=C/C\C=C/CCCCCCCC(O)=O OYHQOLUKZRVURQ-HZJYTTRNSA-N 0.000 description 1
- 238000001669 Mossbauer spectrum Methods 0.000 description 1
- 229910003251 Na K Inorganic materials 0.000 description 1
- IOVCWXUNBOPUCH-UHFFFAOYSA-M Nitrite anion Chemical compound [O-]N=O IOVCWXUNBOPUCH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000005642 Oleic acid Substances 0.000 description 1
- ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N Oleic acid Natural products CCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NPYPAHLBTDXSSS-UHFFFAOYSA-N Potassium ion Chemical compound [K+] NPYPAHLBTDXSSS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001260 Pt alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N Rosin Natural products O(C/C=C/c1ccccc1)[C@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H](O)[C@@H](CO)O1 KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N 0.000 description 1
- 238000003723 Smelting Methods 0.000 description 1
- FKNQFGJONOIPTF-UHFFFAOYSA-N Sodium cation Chemical compound [Na+] FKNQFGJONOIPTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000443 aerosol Substances 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- RUJPNZNXGCHGID-UHFFFAOYSA-N beta-terpineol Chemical compound CC(=C)C1CCC(C)(O)CC1 RUJPNZNXGCHGID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- DOIRQSBPFJWKBE-UHFFFAOYSA-N dibutyl phthalate Chemical compound CCCCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCCCC DOIRQSBPFJWKBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000000839 emulsion Substances 0.000 description 1
- 235000019439 ethyl acetate Nutrition 0.000 description 1
- 238000007527 glass casting Methods 0.000 description 1
- 239000006112 glass ceramic composition Substances 0.000 description 1
- IPCSVZSSVZVIGE-UHFFFAOYSA-M hexadecanoate Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O IPCSVZSSVZVIGE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000005984 hydrogenation reaction Methods 0.000 description 1
- GPRLSGONYQIRFK-UHFFFAOYSA-N hydron Chemical compound [H+] GPRLSGONYQIRFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N isooleic acid Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCCC(O)=O QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003350 kerosene Substances 0.000 description 1
- 229960004232 linoleic acid Drugs 0.000 description 1
- 239000008204 material by function Substances 0.000 description 1
- 238000005297 material degradation process Methods 0.000 description 1
- 238000010907 mechanical stirring Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002823 nitrates Chemical class 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N oleic acid Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N 0.000 description 1
- SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N palladium silver Chemical compound [Pd].[Ag] SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 238000011056 performance test Methods 0.000 description 1
- 150000004965 peroxy acids Chemical class 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 238000005334 plasma enhanced chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 229910001414 potassium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 229920003987 resole Polymers 0.000 description 1
- 238000005389 semiconductor device fabrication Methods 0.000 description 1
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 1
- 229910001415 sodium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005118 spray pyrolysis Methods 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 150000003505 terpenes Chemical class 0.000 description 1
- 235000007586 terpenes Nutrition 0.000 description 1
- 238000010998 test method Methods 0.000 description 1
- 230000008719 thickening Effects 0.000 description 1
- KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N trans-cinnamyl beta-D-glucopyranoside Natural products OC1C(O)C(O)C(CO)OC1OCC=CC1=CC=CC=C1 KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011345 viscous material Substances 0.000 description 1
- 239000002023 wood Substances 0.000 description 1
- 238000004876 x-ray fluorescence Methods 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C3/00—Glass compositions
- C03C3/04—Glass compositions containing silica
- C03C3/062—Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight
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- C03C3/00—Glass compositions
- C03C3/04—Glass compositions containing silica
- C03C3/062—Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight
- C03C3/064—Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight containing boron
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- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
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- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/14—Conductive material dispersed in non-conductive inorganic material
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/22—Diffusion of impurity materials, e.g. doping materials, electrode materials, into or out of a semiconductor body, or between semiconductor regions; Interactions between two or more impurities; Redistribution of impurities
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- H01L31/02—Details
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- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
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Abstract
本发明涉及可用于导体浆料的玻璃组合物，所述导体浆料用于制备硅半导体装置和光伏电池。所述玻璃组合物包含下列以重量％来表示的组分：SiO2 8-19％、B2O3 0-2％、氟1-17％、铋47-75％。
Description
发明领域
本发明的实施方案涉及硅半导体装置，以及用于太阳能电池装置的包含玻璃料的导电厚膜组合物。
发明背景
具有p型基板的常规太阳能电池结构具有可位于电池正面(也称为光照面和受光面)的负极和可位于相对面的正极。在半导体的p-n结上入射的合适波长的辐射充当在该半导体中产生空穴-电子对的外部能源。由于p-n结处存在电势差，因此空穴和电子以相反的方向跨过该结移动，从而产生能够向外部电路输送电力的电流。大部分太阳能电池为金属化的硅片形式，即，具有导电的金属触点。
需要具有改善的电气性能和制备方法的组合物、结构(例如半导体、太阳能电池或光电二极管结构)以及半导体装置(例如半导体、太阳能电池或光电二极管装置)。
发明概述
本发明的实施方案涉及组合物，所述组合物包含：(a)一种或多种导电材料；(b)一种或多种玻璃料，其中至少一种玻璃料包含按玻璃组合物的重量百分比计：8-19重量％的SiO2，0-2重量％的B2O3；1-17重量％的氟；47-75重量％的铋；以及(c)有机载体。一个方面，铋可选自Bi2O3和BiF3，并且其中Bi2O3+BiF3按玻璃组合物的重量％计为55-85重量％。在另一个方面，氟可以选自：NaF、LiF、BiF3和KF。该组合物可包含一种或多种添加剂，所述添加剂选自：(a)金属，其中所述金属选自锌、铅、铋、钆、铈、锆、钛、锰、锡、钌、钴、铁、铜、和铬；(b)一种或多种金属的金属氧化物，所述金属选自锌、铅、铋、钆、铈、锆、钛、锰、锡、钌、钴、铁、铜和铬；(c)在焙烧时能够生成(b)的金属氧化物的任何化合物；以及(d)它们的混合物。在一个实施方案中，所述添加剂可包括ZnO或在焙烧时形成ZnO的化合物。ZnO可占总组合物的2-10重量％。玻璃料可占总组合物的1-6重量％。导电材料可包括银。银可占组合物中固体的90-99重量％。
另一个实施方案涉及一种制造半导体装置的方法，所述方法包括以下步骤：(a)提供半导体基板、一个或多个绝缘膜、和本文所述厚膜组合物；(b)将绝缘膜施加到半导体基板上；(c)将厚膜组合物施加到半导体基板的绝缘膜上，以及(d)焙烧半导体、绝缘膜和厚膜组合物。在一个方面，所述绝缘膜可包括选自以下的一种或多种组分：氧化钛、氮化硅、SiNX:H、SiCXNY:H、氧化硅、以及氧化硅/氧化钛。在一个实施方案中，绝缘膜可包含氮化硅。
另一个实施方案涉及用本文所述方法制造的半导体装置。一个方面涉及包括电极的半导体装置，其中电极在焙烧之前包括本文所述组合物。一个实施方案涉及包括半导体装置的太阳能电池。
一个实施方案涉及包括半导体基板、绝缘膜、和正面电极的半导体装置，其中正面电极包含一种或多种组分，所述组分选自硅酸锌、硅锌矿、和硅酸铋。
附图简述
图1为示出半导体装置制造过程的工艺流程图。
图1中所示的附图标号说明如下。
10：p型硅基板
20：n型扩散层
30：氮化硅膜、氧化钛膜、或氧化硅膜
40：p+层(背表面场，BSF)
60：形成在背面上的铝浆
61：铝背面电极(通过焙烧背面铝浆获得)
70：形成在背面上的银浆或银/铝浆
71：银或银/铝背面电极(通过焙烧背面银浆获得)
500：根据本发明在正面上形成的银浆
501：根据本发明的银正面电极(通过焙烧正面银浆获得)
发明详述
如本文所用，“厚膜组合物”是指在焙烧到基板上之后具有1至100微米厚度的组合物。该厚膜组合物包含导电材料、玻璃组合物和有机载体。所述厚膜组合物可包含附加组分。如本文所用，所述附加组分称为“添加剂”。
本文所述组合物包含分散在有机介质内的一种或多种电功能性材料和一种或多种玻璃料。这些组合物可以为厚膜组合物。这些组合物也可包含一种或多种添加剂。示例性的添加剂可包括金属、金属氧化物或任何在焙烧时能够生成这些金属氧化物的化合物。
在一个实施方案中，电功能粉可以为导电粉末。在一个实施方案中，组合物例如导电性组合物可以在半导体装置中使用。在该实施方案的一个方面，半导体装置可为太阳能电池或光电二极管。在该实施方案的另一个方面，半导体装置可为多种半导体装置中的一种。在一个实施方案中，半导体装置可为太阳能电池。
在一个实施方案中，本文的厚膜组合物可用于太阳能电池中。在该实施方案的一个方面，所述太阳能电池的效率可比基准太阳能电池的效率高70％。在另一个实施方案中，所述太阳能电池的效率可比基准太阳能电池的效率高80％。所述太阳能电池的效率可比基准太阳能电池的效率高90％。
玻璃料
本发明的一个方面涉及玻璃料组合物。在一个实施方案中，玻璃料组合物(也称为玻璃组合物)列于下表I中。
本文所述的玻璃组合物，也称为玻璃料，包括一定百分比的某些组分(也称为元素组成)。具体地讲，所述百分比为用于起始原料的组分的百分比，如本文所述，该起始原料随后被加工以形成玻璃组合物。此类命名对于本领域的技术人员为常规的。换句话说，组合物包含某些组分，并且这些组分的百分比以对应的氧化物形式的百分比表示。玻璃化学领域的技术人员公认，在制造玻璃的过程中可释放出一定部分的挥发性物质。挥发性物质的实例为氧气。
如果以焙烧的玻璃作为原料，则本领域的技术人员可使用本领域技术人员已知的方法计算本文所述初始组分的百分比(元素组成)，所述方法包括但不限于：电感耦合等离子体发射光谱法(ICPES)、电感耦合等离子体原子发射光谱法(ICP-AES)等。此外，可使用以下示例性技术：X射线荧光光谱(XRF)、核磁共振光谱(NMR)、电子顺磁共振光谱(EPR)、穆斯堡尔光谱、电子微探针能量色散光谱(EDS)、电子微探针波长色散光谱(WDS)、阴极发光(CL)。
本文所述的玻璃组合物包括但不限于表I中所列的那些；预期玻璃化学领域的普通技术人员可对附加成分进行微量替换，并且基本不会改变玻璃组合物的期望特性。例如，可单独使用或组合使用玻璃生成体的替代品，例如0-3重量％的P2O5、0-3重量％的GeO2、0-3重量％的V2O5，以获得相似的性能。例如，可使用一种或多种中间氧化物，如TiO2、Ta2O5、Nb2O5、ZrO2、CeO2和SnO2，来替代存在于玻璃组合物中的其他中间氧化物(即，Al2O3、CeO2、SnO2)。
本发明的一个方面涉及玻璃料组合物，其包含一种或多种含氟组分，所述含氟组分包括但不限于：氟盐、氟化物、金属氟氧化物等。此类含氟组分包括但不限于BiF3、AlF3、NaF、LiF、KF、CsF、ZrF4、TiF4和/或ZnF2。
本文所述的制备玻璃料的示例性方法为常规玻璃制造技术。先对各种成分进行称量，然后按期望比例进行混合，并在熔炉中加热以在铂合金坩埚中形成熔融物。玻璃料制造领域的技术人员可使用氧化物、氟化物或氟氧化物盐作为原料。作为另外一种选择，可使用诸如硝酸盐、亚硝酸盐、碳酸盐或氢氧化物之类的盐作为原料，这些盐在低于玻璃熔融温度的温度下分解为氧化物、氟化物、或氟氧化物。如本领域熟知，加热到峰值温度(800-1400℃)并保持一定时间，使得熔融物完全变为均相液体，并且不含任何残余的原料分解产物。随后，使熔融的玻璃在反转的不锈钢辊之间骤冷，以形成10至15密耳厚的玻璃片。然后研磨所得的玻璃片以得到粉末，该粉末中介于目标粒度范围(例如0.8-1.5μm)内的颗粒占粉末总体积的50％。玻璃料制造领域的技术人员可使用可供选择的合成技术，例如但不限于在非贵金属坩埚中熔融、在陶瓷坩埚中熔融、水淬火、溶胶-凝胶、喷雾热解，或适用于制造玻璃粉末的其他技术。本文所述的示例的非限制性玻璃组合物所占总玻璃组合物的重量百分比在表I中示出。除非另行指出，本文所使用的重量％指玻璃组合物的重量％。在一个实施方案中，本文所述的玻璃料组合物可包含以下物质中的一种或多种：SiO2、B2O3、P2O5、Al2O3、Bi2O3、BiF3、ZnO、ZrO2、CuO、Na2O、NaF、Li2O、LiF、K2O、和KF。在该实施方案方面，
玻璃制造领域的技术人员可将一些或全部ZrO2替换为TiO2、HfO2、SnO2或CeO2，形成具有与以上列出的组合物类似的特性的玻璃。作为另外一种选择，所述玻璃组合物可以用如表II中所示玻璃组合物的元素的重量％来描述。在该实施方案中，所述玻璃可部分地为
在另一个实施方案中，本文所述的玻璃料组合物可包含以下物质中的一种或多种：SiO2、B2O3、P2O5、Al2O3、Bi2O3、BiF3、ZnO、ZrO2、Na2O、NaF、Li2O、LiF、K2O和KF。在该实施方案方面，
作为另外一种选择，所述玻璃组合物可以用如表II中所示玻璃组合物的元素的重量％来描述。在该实施方案中，所述玻璃可部分地为
在另一个实施方案中，本文所述的玻璃料组合物可包含以下物质中的一种或多种：SiO2、B2O3、P2O5、Al2O3、Bi2O3、BiF3、ZnO、ZrO2、Na2O、NaF、Li2O、LiF、K2O、和KF。在该实施方案方面，
作为另外一种选择，所述玻璃组合物可以用如表II中所示玻璃组合物的元素的重量％来描述。在该实施方案中，所述玻璃可部分地为
在一个实施方案中，Bi2O3+BiF3为55-85重量％。在另一个实施方案中，Bi2O3+BiF3为58-67重量％。
在另一个实施方案中，本文的玻璃料组合物可包含第三组组分中的一种或多种：CeO2、SnO2、Ga2O3、In2O3、NiO、MoO3、WO3、Y2O3、La2O3、Nd2O3、FeO、HfO2、Cr2O3、CdO、Nb2O5、Ag2O、Sb2O3、以及金属卤化物(如NaCl、KBr、NaI)。
本领域的技术人员应认识到，选择的原材料可能无意地含有杂质，这些杂质在加工过程中可能会被掺入到玻璃中。例如，存在的杂质可在数百份每一百万份至数千份每一百万份的范围内。
存在的杂质不会改变玻璃、厚膜组合物、或焙烧装置的特性。例如，即使厚膜组合物含有杂质，包含该厚膜组合物的太阳能电池亦可具有本文所述的效能。
在该实施方案的另一个方面，厚膜组合物可包含分散在有机介质内的电功能粉和玻璃陶瓷料。在一个实施方案中，这些厚膜导体组合物可用于半导体装置中。在该实施方案的一个方面，半导体装置可为太阳能电池或光电二极管。
总组合物中的玻璃料的量可在总组合物的0-8重量％范围内。在一个实施方案中，玻璃组合物以总组合物的1-6重量％的量存在。在另一个实施方案中，玻璃组合物以总组合物的2-5重量％范围内的量存在。
导电材料
在一个实施方案中，厚膜组合物可包括赋予组合物适当电功能性质的功能相。在一个实施方案中，电功能粉可以为导电粉末。在一个实施方案中，电功能相可包括导电材料(本文也称之为导电颗粒)。例如，导电颗粒可包括导电粉末或它们的混合物。
在一个实施方案中，导电颗粒可包括银。在另一个实施方案中，导电颗粒可包括银(Ag)和铝(Al)。在另一个实施方案中，导电颗粒可例如包括以下一种或多种：铜、金、银、钯、铂、铝、银-钯、铂-金等。在一个实施方案中，导电颗粒可包括以下一种或多种：(1)铝、铜、金、银、钯和铂；(2)铝、铜、金、银、钯和铂的合金；以及(3)它们的混合物。
在一个实施方案中，组合物的功能相可以是涂覆的或未涂覆的导电银粒子。在涂覆银粒子的一个实施方案中，它们至少部分地涂覆有表面活性剂。在一个实施方案中，表面活性剂可包括以下非限制性表面活性剂的一种或多种：硬脂酸、棕榈酸、硬脂酸盐、棕榈酸盐、月桂酸、棕榈酸、油酸、硬脂酸、癸酸、肉豆蔻酸和亚油酸、以及它们的混合物。抗衡离子可为但不限于氢离子、铵离子、钠离子、钾离子以及它们的混合物。
银的粒度不受任何特定限制。在一个实施方案中，平均粒度可小于10微米；在另一个实施方案中不超过5微米。一方面，例如，平均粒度可为0.1至5微米。
在一个实施方案中，银可占浆料组合物的60-90重量％。在另一个实施方案中，银可占浆料组合物的70-85重量％。在另一个实施方案中，银可占浆料组合物的75-85重量％。在另一个实施方案中，银可占浆料组合物的78-82重量％。
在一个实施方案中，银可占组合物中固体(即不包括有机载体)的90-99重量％。在另一个实施方案中，银可占组合物中固体的92-97重量％。在另一个实施方案中，银可占组合物中固体的93-95重量％。
如本文所用，“粒度”旨在表示“平均粒度”，“平均粒度”是指50％体积分布粒度。体积分布粒度可通过本领域的技术人员理解的许多方法确定，包括但不限于使用Microtrac粒度分析仪的激光衍射和分散方法。
添加剂
在一个实施方案中，厚膜组合物可包含添加剂。在一个实施方案中，添加剂可选自以下一种或多种：(a)金属，其中所述金属选自锌、铅、铋、钆、铈、锆、钛、锰、锡、钌、钴、铁、铜、和铬；(b)一种或多种金属的金属氧化物，所述金属选自锌、铅、铋、钆、铈、锆、钛、锰、锡、钌、钴、铁、铜和铬；(c)在焙烧时能够生成(b)的金属氧化物的任何化合物；以及(d)它们的混合物。
在一个实施方案中，添加剂可包括含锌添加剂。含锌添加剂可包括以下一种或多种：(a)锌，(b)锌的金属氧化物，(c)在焙烧时能够生成锌的金属氧化物的任何化合物，以及(d)它们的混合物。在一个实施方案中，含锌添加剂可包括树脂酸锌。
在一个实施方案中，含锌添加剂可包括ZnO。ZnO可具有在1纳米至10微米范围内的平均粒度。在另一个实施方案中，ZnO可具有40纳米至5微米的平均粒度。在另一个实施方案中，ZnO可具有60纳米至3微米的平均粒度。在另一个实施方案中，ZnO可具有例如小于100nm、小于90nm、小于80nm、1nm至小于100nm、1nm至95nm、1nm至90nm、1nm至80nm、7nm至30nm、1nm至7nm、35nm至90nm、35nm至80nm、65nm至90nm、60nm至80nm以及介于这些范围之间的平均粒度。
在一个实施方案中，ZnO可以总组合物的2-10重量％范围内的量存在于组合物中。在一个实施方案中，ZnO可以总组合物的4-8重量％范围内的量存在。在另一个实施方案中，ZnO可以总组合物的5-7重量％范围内的量存在。在另一个实施方案中，ZnO可以大于总组合物的4.5重量％、5重量％、5.5重量％、6重量％、6.5重量％、7重量％或7.5重量％范围内的量存在。
在另一个实施方案中，含锌添加剂(例如锌、树脂酸锌等)可以2-16重量％范围内的量存在于总厚膜组合物中。在另一个实施方案中，含锌添加剂可以总组合物的4-12重量％范围内的量存在。在另一个实施方案中，含锌添加剂可以大于总组合物的4.5重量％、5重量％、5.5重量％、6重量％、6.5重量％、7重量％或7.5重量％范围内的量存在。
在一个实施方案中，金属/金属氧化物添加剂(例如锌)的粒度在7nm(纳米)至125nm范围内；在另一个实施方案中，所述粒度可小于例如100nm、90nm、85nm、80nm、75nm、70nm、65nm、或60nm。
有机介质
在一个实施方案中，本文所述厚膜组合物可包含有机介质。无机组分可通过例如机械搅拌与有机介质混合，以形成浆料。可将多种惰性粘稠材料用作有机介质。在一个实施方案中，有机介质可使得无机组分能够以适当的稳定度在其中分散。在一个实施方案中，介质的流变学特性可赋予组合物某些应用特性，包括：固体的稳定分散、用于丝网印刷的适当粘度和触变性、基板和浆料固体的适当可润湿性、良好的干燥速率、以及良好的焙烧特性。在一个实施方案中，厚膜组合物中所用有机载体可以为非水性惰性液体。可以想到使用多种有机载体，所述载体可包含或不包含增稠剂、稳定剂和/或其他常用添加剂。有机介质可为一种或多种聚合物在一种或多种溶剂中的溶液。在一个实施方案中，有机介质也可包括一种或多种组分，例如表面活性剂。在一个实施方案中，聚合物可为乙基纤维素。其他示例性聚合物包括乙基羟乙基纤维素、木松香、乙基纤维素和酚醛树脂的混合物、低级醇的聚甲基丙烯酸酯、以及乙二醇单乙酸酯的单丁基醚、或它们的混合物。在一个实施方案中，本文所述厚膜组合物中可用的溶剂包括醇酯和萜烯，例如α-或β-萜品醇或它们与其他溶剂例如煤油、邻苯二甲酸二丁酯、丁基卡必醇、丁基卡必醇醋酸酯、己二醇和高沸点醇以及醇酯的混合物。在另一个实施方案中，有机介质可包括挥发性液体，该液体在施加到基板上之后有助于快速硬化。
在一个实施方案中，聚合物可以总组合物的例如8重量％至11重量％范围内的比例存在于有机介质中。可使用有机介质将厚膜银组合物调整为预定的、可进行丝网印刷的粘度。
在一个实施方案中，厚膜组合物中的有机介质与分散体中的无机组分的比率可以取决于施加浆料的方法和所用有机介质的类型，具体由本领域的技术人员确定。在一个实施方案中，为获得良好的润湿，分散体可包含70-95重量％的无机组分和5-30重量％的有机介质(载体)。
焙烧的厚膜组合物
在一个实施方案中，可以在干燥和焙烧半导体装置过程中去除有机介质。在一个方面，可以在焙烧过程中将玻璃料、银和添加剂烧结，以形成电极。焙烧电极可包括焙烧和烧结过程产生的组分、组合物等。例如，在一个实施方案中，焙烧电极可包括硅酸锌，包括但不限于硅锌矿(Zn2SiO4)和Zn1.7SiO4-x(在一个实施方案中，x可为0-1)。在另一个实施方案中，焙烧电极可包括硅酸铋，包括但不限于Bi4(SiO4)3。
在该实施方案的一个方面，半导体装置可为太阳能电池或光电二极管。
半导体装置的制备方法
本发明的实施方案涉及制备半导体装置的方法。在一个实施方案中，半导体装置可用于太阳能电池装置中。半导体装置可包括正面电极，其中在焙烧之前正面(受光面)电极可包括本文所述组合物。
在一个实施方案中，制备半导体装置的方法包括以下步骤：(a)提供半导体基板；(b)将绝缘膜施加到半导体基板上；(c)将本文所述组合物施加到绝缘膜上；以及(d)焙烧该装置。
用于本文所述方法和装置的示例性半导体基板为本领域技术人员所知，并且包括但不限于：单晶硅、多晶硅、带状硅等。半导体基板可以是承载结点的。半导体基板可掺入有磷和硼，以形成p/n结。半导体基板的掺杂方法是本领域技术人员所了解的。
如本领域技术人员所知的，半导体基板的尺寸(长度×宽度)和厚度可以变化。在一个非限制性实例中，半导体基板的厚度可为50至500微米、100至300微米、或140至200微米。在一个非限制性实例中，半导体基板的长度和宽度均可为100至250mm、125至200mm、或125至156mm。
用于本文所述方法和装置的示例性绝缘膜为本领域技术人员所知，并且包括但不限于：氮化硅、氧化硅、氧化钛、SiNx:H、SiCXNY:H、氢化无定形氮化硅、和氧化硅/氧化钛膜。在一个实施方案中，绝缘膜可包含氮化硅。绝缘膜可通过等离子体增强化学气相沉积、化学气相沉积和/或本领域技术人员已知的其他技术形成。在绝缘膜为氮化硅的一个实施方案中，氮化硅膜可通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)、热化学气相沉积、或物理气相沉积(PVD)工艺形成。在绝缘膜为氧化硅的一个实施方案中，氧化硅膜可通过热氧化、热化学气相沉积、等离子化学气相沉积、或物理气相沉积形成。绝缘膜(或层)也可以称为减反射涂层(ARC)。
本文所述组合物可通过本领域技术人员已知的多种方法施加到涂覆ARC的半导体基板上，包括但不限于丝网印刷、喷墨、共挤出、注射器分配、直接描绘、和气溶胶喷墨。可以将组合物施加成图案。可以将组合物在预定位置施加成预定形状。在一个实施方案中，可以用组合物形成正面电极的导电指状物和母线。在一个实施方案中，导电指状物的导线宽度可以为20至200微米、40至150微米、或60至100微米。在一个实施方案中，导电指状物的导线厚度可以为5至50微米、10至35微米、或15至30微米。
在另一个实施方案中，可以用组合物形成导电性硅接触指状物。
如本领域技术人员所知，可将涂覆ARC的半导体基板上涂覆的组合物干燥例如0.5至10分钟，然后再焙烧。在一个实施方案中，可在干燥过程中除去挥发性溶剂和有机物。焙烧条件为本领域的技术人员所了解的。在示例的非限制性焙烧条件中，硅片基板被加热至介于600和900℃之间的最高温度并保持1秒至2分钟。在一个实施方案中，焙烧过程中达到的硅片最高温度在650至800℃之间的范围内并保持1至10秒。在另一个实施方案中，由导电厚膜组合物形成的电极可在由氧气与氮气的混合气体构成的气氛中进行焙烧。该焙烧方法除去有机介质并烧结导电厚膜组合物中含有银粉的玻璃料。在另一个实施方案中，由导电厚膜组合物形成的电极可在有机介质移除温度以上在不含氧气的惰性气氛中焙烧。该焙烧方法烧结或熔融厚膜组合物内的贱金属导电材料，例如铜。
在一个实施方案中，焙烧过程中，被焙烧的电极(优选指状物)可与绝缘膜反应并穿透绝缘膜，从而与硅基板形成电接触。
在另一个实施方案中，焙烧之前，将其他导电性装置增强材料施加到半导体装置的反型区域，并与本文所述组合物一起焙烧或依次焙烧。半导体装置的反型区域位于该装置的相对面。该材料充当电接触、钝化层和可软焊固定区域。
在一个实施方案中，反型区域可位于该装置的非受光面(背面)。在该实施方案的一个方面，背面导电材料可包含铝。示例性背面含铝组合物和施加方法在例如US 2006/0272700中有所描述，该专利以引用方式并入本文中。
在另一个方面，可软焊固定材料可包含铝和银。含铝和银的示例性固定组合物在例如US 2006/0231803中有所描述，该专利以引用方式并入本文中。
在另一个实施方案中，由于p区和n区并排成形，施加到装置反型区域的材料邻近本文所述材料。该装置将金属接触材料全部设置在装置的非受光面(背面)，以最大限度增加受光面(正面)的入射光。
半导体装置可通过以下方法由结构元件制造，所述结构元件由承载结点的半导体基板和在其主表面上形成的氮化硅绝缘膜构成。制造半导体装置的方法包括以下步骤：将能够穿透绝缘膜的导电厚膜组合物以预定的形状并在预定位置施加(例如涂覆和印刷)到绝缘膜上，然后进行焙烧以便使导电厚膜组合物熔融并且穿透绝缘膜，从而形成与硅基板的电接触。导电厚膜组合物为厚膜浆料组合物，如本文所述，所述组合物由分散在有机载体中的银粉、含锌添加剂、玻璃或玻璃粉混合物、以及任选地附加的金属/金属氧化物添加剂制成。
本发明的一个实施方案涉及按本文所述方法制造的半导体装置。含本文所述组合物的装置可包含硅酸锌，如上所述。
本发明的一个实施方案涉及按上述方法制造的半导体装置。
可与本文所述厚膜组合物一起使用的其他基板、装置、制造方法等在美国专利申请公布US 2006/0231801、US 2006/0231804和US2006/0231800中有所描述，这些专利以引用方式全文并入本文中。
实施例
玻璃性能测量
表征表I和表II所列的玻璃料组合物以确定密度、软化点、TMA收缩、透明度和结晶度。表III中示出了使用本领域的技术人员已知的阿基米德方法计算的一些玻璃组合物的密度值，该方法使用测得质量的干燥并悬浮于去离子水中的玻璃浇铸样本
浆料制备
一般来讲，采用以下步骤进行浆料制备：称取适量的溶剂、介质和表面活性剂，在混合罐中混合15分钟，然后添加本文所述的玻璃料和任选的金属添加剂，再次混合15分钟。由于银是固体的主要成分，因此要逐步增量添加以确保较好地润湿。充分混合之后，用三辊研磨机反复碾压浆料，压力从0逐渐增加至300psi。将辊的间隙设置为1密耳。用研磨细度(FOG)衡量分散程度。浆料的典型FOG值在第四长的连续刮涂后小于20微米，在刮涂50％的浆料后则小于10微米。
表IV的浆料实例使用上述步骤进行制备，其用于制备表中列出的符合以下细节的浆料组合物。被测浆料中含有79-81％的银粉。第1类银具有窄粒度分布。第2类银具有宽粒度分布。含ZnO的浆料包含3.5-6重量％的ZnO和2-3重量％的玻璃料。不含ZnO的浆料实例含有5重量％的玻璃料。将浆料施加到1英寸×1英寸的切割电池上，并测量每个样本的效率和填充因数。对于每种浆料，将5个样本的效率和填充因数的平均值表示为归一化为可商购获得的对照浆料的平均值的相对值。
将浆料施加到1英寸的切割电池上，并测量每个样本的效率和填充因数。对于每种浆料，将5个样本的效率和填充因数的平均值相对于对照物的平均值示出。使用刮板速度设置为250mm/s的ETP L555型印刷机进行丝网印刷，制成包括对照物在内的每个样本。所用丝网在具有280目和23μm线材的丝网中的10μm乳剂上具有以下图案：11条具有100μm开口的指状线，1条具有1.5mm开口的母线。所用基板为用切割锯从多晶电池切下的1.1英寸的正方形部分，经过酸纹理化，经过60Ω/□发射极，并涂覆有PECVD SiNX:H ARC。将可商购获得的铝浆DuPont PV381印刷到装置的非受光面(背面)上。然后将两面均具有印刷图案的装置置于干燥箱中，于150℃的峰值温度下干燥10分钟。然后让基板的光照面向上在RTCPV-6146区红外炉中进行焙烧，该红外炉采用4,572mm/min的带速、以及550-600-650-700-800-860℃的温度设定点。在处理过程中测量部件的实际温度。测得的每个部件的峰值温度为760℃，并且每个部件在4秒的总时间内均高于650℃。然后使用校准过的Telecom STV ST-1000测试仪对完成加工的样本进行PV性能测试。
测试程序-效率
测试根据本文所述方法形成的太阳能电池的转换效率。下面提供了示例性的效率测试方法。
在一个实施方案中，将根据本文所述方法形成的太阳能电池放入测量效率的商用I-V测试仪(ST-1000)。用I-V测试仪中已知强度的氙弧灯模拟日光，并照射电池正面。测试仪利用多点接触方法测量大约400负载电阻设置下的电流(I)和电压(V)以确定电池的电流-电压曲线。填充因数(FF)和效率(Eff)均由电流-电压曲线计算。
将浆料效率和填充因数值归一化为通过与工业标准有关的电池获得的对应的值。
上述的效能测试是示例性的。测试电池效能的其他仪器和程序将为本领域普通技术人员所了解。
表I：玻璃组合物(重量百分比)
表II：根据元素的重量百分比描述的玻璃组合物
| 玻璃料 | Si | Al | Zr | B | Zn | Cu | P | F | O | Bi | Li | Na | K |
| 1 | 5.00 | 2.01 | 0.74 | 1.70 | 15.63 | 74.93 | |||||||
| 2 | 5.20 | 2.09 | 0.77 | 1.63 | 1.70 | 16.07 | 72.54 | ||||||
| 3 | 4.00 | 2.88 | 0.59 | 5.14 | 2.42 | 21.36 | 57.79 | 4.08 | 1.74 | ||||
| 4 | 5.60 | 1.46 | 1.14 | 16.29 | 1.54 | 3.79 | 18.41 | 51.78 | |||||
| 5 | 7.23 | 1.32 | 1.34 | 0.47 | 10.21 | 0.45 | 3.82 | 19.96 | 52.61 | 1.03 | 1.56 | ||
| 6 | 4.93 | 1.03 | 0.85 | 1.18 | 1.06 | 16.47 | 74.48 | ||||||
| 7 | 4.90 | 1.03 | 0.84 | 1.18 | 2.10 | 15.93 | 74.03 | ||||||
| 8 | 8.46 | 1.45 | 1.47 | 0.52 | 8.81 | 1.50 | 4.43 | 22.26 | 47.75 | 1.33 | 2.02 | ||
| 9 | 7.12 | 1.30 | 1.31 | 10.05 | 1.79 | 3.76 | 20.34 | 51.79 | 1.01 | 1.54 | |||
| 10 | 7.99 | 1.45 | 1.48 | 8.84 | 2.00 | 4.75 | 21.53 | 47.90 | 1.61 | 2.45 | |||
| 11 | 7.28 | 1.40 | 1.42 | 12.20 | 0.80 | 5.10 | 19.63 | 48.76 | 1.46 | 0.24 | 1.70 |
表III：玻璃组合物的物理特性
| 玻璃料 | 密度g/cc |
| 1 | 6.60 |
| 2 | 6.48 |
| 3 | 5.03 |
| 4 | 5.64 |
| 5 | 5.13 |
| 6 | 6.72 |
| 7 | 6.84 |
| 8 | 4.65 |
| 9 | 5.17 |
| 10 | 4.23 |
| 11 | 4.93 |
表IV：银浆的电性质
Claims (15)
1.组合物，所述组合物包含：
(a)一种或多种导电材料；
(b)一种或多种玻璃料，其中所述玻璃料的至少一种包含按所述玻璃组合物的重量％计：
8-19重量％的SiO2，
0-2重量％的B2O3；
1-17重量％的氟；
47-75重量％的铋；
(c)有机载体。
2.权利要求1的组合物，其中所述铋选自：Bi2O3和BiF3，并且其中所述Bi2O3+BiF3按所述玻璃组合物的重量％计为55-85重量％。
3.权利要求1的组合物，其中所述氟选自：NaF、LiF、BiF3和KF。
4.权利要求1的组合物，所述组合物还包含一种或多种添加剂，所述添加剂选自：(a)金属，其中所述金属选自锌、铅、铋、钆、铈、锆、钛、锰、锡、钌、钴、铁、铜、和铬；(b)一种或多种金属的金属氧化物，所述金属选自锌、铅、铋、钆、铈、锆、钛、锰、锡、钌、钴、铁、铜和铬；(c)在焙烧时能够生成(b)的所述金属氧化物的任何化合物；以及(d)它们的混合物。
5.权利要求4的组合物，其中所述添加剂的至少一种包含ZnO、或在焙烧时形成ZnO的化合物。
6.权利要求1的组合物，其中所述玻璃料为所述总组合物的1-6重量％。
7.权利要求1的组合物，其中所述导电材料包括银。
8.权利要求7的组合物，其中所述银为所述组合物中的固体的90-99重量％。
9.权利要求5的组合物，其中所述ZnO为所述总组合物的2-10重量％。
10.制造半导体装置的方法，所述方法包括以下步骤：
(a)提供半导体基板、一个或多个绝缘膜，以及权利要求1的厚膜组合物；
(b)将所述绝缘膜施加在所述半导体基板上，
(c)将所述厚膜组合物施加在所述半导体基板上的绝缘膜上，以及
(d)焙烧所述半导体、绝缘膜和厚膜组合物。
11.权利要求10的方法，其中所述绝缘膜包含一种或多种选自下列的组分：氧化钛、氮化硅、SiNX:H、氧化硅、以及氧化硅/氧化钛。
12.由权利要求10的方法制造的半导体装置。
13.包括电极的半导体装置，其中所述电极在焙烧之前包含权利要求1的组合物。
14.包括权利要求13的半导体装置的太阳能电池。
15.半导体装置，所述半导体装置包括半导体基板、绝缘膜、和正面电极，其中所述正面电极包含一种或多种组分，所述组分选自硅酸锌、硅锌矿和硅酸铋。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US16789509P | 2009-04-09 | 2009-04-09 | |
| US61/167,895 | 2009-04-09 | ||
| PCT/US2010/030356 WO2010118209A1 (en) | 2009-04-09 | 2010-04-08 | Glass compositions used in conductors for photovoltaic cells |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN102369168A true CN102369168A (zh) | 2012-03-07 |
Family
ID=42316026
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2010800158852A Pending CN102369168A (zh) | 2009-04-09 | 2010-04-08 | 用于光伏电池导体中的玻璃组合物 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20100258165A1 (zh) |
| EP (1) | EP2417073A1 (zh) |
| JP (1) | JP2012523668A (zh) |
| KR (1) | KR20110137826A (zh) |
| CN (1) | CN102369168A (zh) |
| TW (1) | TW201041151A (zh) |
| WO (1) | WO2010118209A1 (zh) |
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- 2010-04-08 WO PCT/US2010/030356 patent/WO2010118209A1/en active Application Filing
- 2010-04-08 KR KR1020117026581A patent/KR20110137826A/ko not_active Application Discontinuation
- 2010-04-08 JP JP2012504851A patent/JP2012523668A/ja active Pending
- 2010-04-08 US US12/756,419 patent/US20100258165A1/en not_active Abandoned
- 2010-04-08 CN CN2010800158852A patent/CN102369168A/zh active Pending
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20110137826A (ko) | 2011-12-23 |
| TW201041151A (en) | 2010-11-16 |
| EP2417073A1 (en) | 2012-02-15 |
| WO2010118209A1 (en) | 2010-10-14 |
| US20100258165A1 (en) | 2010-10-14 |
| JP2012523668A (ja) | 2012-10-04 |
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|---|---|---|---|
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| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
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