CN102803167A - 用于光伏电池导体中的玻璃组合物 - Google Patents
用于光伏电池导体中的玻璃组合物 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102803167A CN102803167A CN2010800264353A CN201080026435A CN102803167A CN 102803167 A CN102803167 A CN 102803167A CN 2010800264353 A CN2010800264353 A CN 2010800264353A CN 201080026435 A CN201080026435 A CN 201080026435A CN 102803167 A CN102803167 A CN 102803167A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- compsn
- weight
- semiconductor device
- frit
- silver
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 68
- 239000004020 conductor Substances 0.000 title claims abstract description 20
- 239000011521 glass Substances 0.000 title abstract description 60
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 58
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims abstract description 23
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 21
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims abstract description 21
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 15
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 46
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 42
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 34
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 31
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 30
- 239000000654 additive Substances 0.000 claims description 23
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 claims description 18
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 16
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 claims description 14
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 14
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 11
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 9
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 8
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 7
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 7
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims description 6
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce][Ce] ZMIGMASIKSOYAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 claims description 6
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N gadolinium atom Chemical compound [Gd] UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 6
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 6
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000011135 tin Substances 0.000 claims description 6
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 6
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical group O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 4
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910001020 Au alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 3
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 claims description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 12
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 12
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 12
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract description 3
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 18
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 18
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 9
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 9
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 7
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 6
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 6
- 239000013543 active substance Substances 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 5
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 5
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 5
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 4
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 4
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 4
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 102220043159 rs587780996 Human genes 0.000 description 3
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 3
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 3
- PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M sodium fluoride Chemical compound [F-].[Na+] PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000004110 Zinc silicate Substances 0.000 description 2
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 alcohol ester Chemical class 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical group [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- WMWLMWRWZQELOS-UHFFFAOYSA-N bismuth(iii) oxide Chemical compound O=[Bi]O[Bi]=O WMWLMWRWZQELOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- GHVNFZFCNZKVNT-UHFFFAOYSA-N decanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCC(O)=O GHVNFZFCNZKVNT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229940028356 diethylene glycol monobutyl ether Drugs 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- POULHZVOKOAJMA-UHFFFAOYSA-N dodecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCC(O)=O POULHZVOKOAJMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 238000001362 electron spin resonance spectrum Methods 0.000 description 2
- 238000002149 energy-dispersive X-ray emission spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 239000005357 flat glass Substances 0.000 description 2
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- IPCSVZSSVZVIGE-UHFFFAOYSA-N hexadecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O IPCSVZSSVZVIGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 238000002354 inductively-coupled plasma atomic emission spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 238000000655 nuclear magnetic resonance spectrum Methods 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N oxolane-2,4-dione Chemical compound O=C1COC(=O)C1 JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 2
- TUNFSRHWOTWDNC-UHFFFAOYSA-N tetradecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCC(O)=O TUNFSRHWOTWDNC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 2
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- XSMMCTCMFDWXIX-UHFFFAOYSA-N zinc silicate Chemical compound [Zn+2].[O-][Si]([O-])=O XSMMCTCMFDWXIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000019352 zinc silicate Nutrition 0.000 description 2
- MXODCLTZTIFYDV-UHFFFAOYSA-L zinc;1,4a-dimethyl-7-propan-2-yl-2,3,4,4b,5,6,10,10a-octahydrophenanthrene-1-carboxylate Chemical compound [Zn+2].C12CCC(C(C)C)=CC2=CCC2C1(C)CCCC2(C)C([O-])=O.C12CCC(C(C)C)=CC2=CCC2C1(C)CCCC2(C)C([O-])=O MXODCLTZTIFYDV-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- MDSVGJAUFNXYRR-TUNPWDSISA-N (2s)-n-[(4-aminocyclohexyl)methyl]-1-[(2r)-2-(methylamino)-3-phenylpropanoyl]pyrrolidine-2-carboxamide Chemical compound C([C@@H](NC)C(=O)N1[C@@H](CCC1)C(=O)NCC1CCC(N)CC1)C1=CC=CC=C1 MDSVGJAUFNXYRR-TUNPWDSISA-N 0.000 description 1
- SVTBMSDMJJWYQN-RXMQYKEDSA-N (4r)-2-methylpentane-2,4-diol Chemical compound C[C@@H](O)CC(C)(C)O SVTBMSDMJJWYQN-RXMQYKEDSA-N 0.000 description 1
- WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N (E)-8-Octadecenoic acid Natural products CCCCCCCCCC=CCCCCCCC(O)=O WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WUOACPNHFRMFPN-VIFPVBQESA-N (R)-(+)-alpha-terpineol Chemical compound CC1=CC[C@H](C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-VIFPVBQESA-N 0.000 description 1
- HXDLWJWIAHWIKI-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxyethyl acetate Chemical compound CC(=O)OCCO HXDLWJWIAHWIKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 20:1omega9c fatty acid Natural products CCCCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 9-Heptadecensaeure Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N Abietic-Saeure Natural products C12CCC(C(C)C)=CC2=CCC2C1(C)CCCC2(C)C(O)=O RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910016569 AlF 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005632 Capric acid (CAS 334-48-5) Substances 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910005793 GeO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005639 Lauric acid Substances 0.000 description 1
- FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N Li2O Inorganic materials [Li+].[Li+].[O-2] FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYHQOLUKZRVURQ-HZJYTTRNSA-N Linoleic acid Chemical compound CCCCC\C=C/C\C=C/CCCCCCCC(O)=O OYHQOLUKZRVURQ-HZJYTTRNSA-N 0.000 description 1
- 238000001669 Mossbauer spectrum Methods 0.000 description 1
- KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N Na2O Inorganic materials [O-2].[Na+].[Na+] KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IOVCWXUNBOPUCH-UHFFFAOYSA-M Nitrite anion Chemical compound [O-]N=O IOVCWXUNBOPUCH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000005642 Oleic acid Substances 0.000 description 1
- ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N Oleic acid Natural products CCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NPYPAHLBTDXSSS-UHFFFAOYSA-N Potassium ion Chemical compound [K+] NPYPAHLBTDXSSS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001260 Pt alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N Rosin Natural products O(C/C=C/c1ccccc1)[C@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H](O)[C@@H](CO)O1 KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N 0.000 description 1
- 229910004541 SiN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004283 SiO 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003723 Smelting Methods 0.000 description 1
- FKNQFGJONOIPTF-UHFFFAOYSA-N Sodium cation Chemical compound [Na+] FKNQFGJONOIPTF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000443 aerosol Substances 0.000 description 1
- 229910000272 alkali metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 1
- RUJPNZNXGCHGID-UHFFFAOYSA-N beta-terpineol Chemical compound CC(=C)C1CCC(C)(O)CC1 RUJPNZNXGCHGID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N ceric oxide Chemical compound O=[Ce]=O CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000422 cerium(IV) oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- DOIRQSBPFJWKBE-UHFFFAOYSA-N dibutyl phthalate Chemical compound CCCCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCCCC DOIRQSBPFJWKBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- FPHIOHCCQGUGKU-UHFFFAOYSA-L difluorolead Chemical compound F[Pb]F FPHIOHCCQGUGKU-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000007571 dilatometry Methods 0.000 description 1
- XUCJHNOBJLKZNU-UHFFFAOYSA-M dilithium;hydroxide Chemical compound [Li+].[Li+].[OH-] XUCJHNOBJLKZNU-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000000839 emulsion Substances 0.000 description 1
- 235000019439 ethyl acetate Nutrition 0.000 description 1
- 239000005308 flint glass Substances 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 239000006112 glass ceramic composition Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- IPCSVZSSVZVIGE-UHFFFAOYSA-M hexadecanoate Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O IPCSVZSSVZVIGE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000005984 hydrogenation reaction Methods 0.000 description 1
- GPRLSGONYQIRFK-UHFFFAOYSA-N hydron Chemical compound [H+] GPRLSGONYQIRFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N isooleic acid Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCCC(O)=O QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003350 kerosene Substances 0.000 description 1
- 229960004232 linoleic acid Drugs 0.000 description 1
- 239000008204 material by function Substances 0.000 description 1
- 238000005297 material degradation process Methods 0.000 description 1
- 238000010907 mechanical stirring Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 229910001507 metal halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000005309 metal halides Chemical class 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 150000002823 nitrates Chemical class 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N oleic acid Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N 0.000 description 1
- SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N palladium silver Chemical compound [Pd].[Ag] SWELZOZIOHGSPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 238000011056 performance test Methods 0.000 description 1
- 150000004965 peroxy acids Chemical class 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 229910001414 potassium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 230000001698 pyrogenic effect Effects 0.000 description 1
- 238000010791 quenching Methods 0.000 description 1
- 230000000171 quenching effect Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 229920003987 resole Polymers 0.000 description 1
- 238000007790 scraping Methods 0.000 description 1
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 1
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 description 1
- 229910001415 sodium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 238000005118 spray pyrolysis Methods 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003505 terpenes Chemical class 0.000 description 1
- 235000007586 terpenes Nutrition 0.000 description 1
- 230000008719 thickening Effects 0.000 description 1
- KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N trans-cinnamyl beta-D-glucopyranoside Natural products OC1C(O)C(O)C(CO)OC1OCC=CC1=CC=CC=C1 KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011345 viscous material Substances 0.000 description 1
- 238000009736 wetting Methods 0.000 description 1
- 229910052844 willemite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002023 wood Substances 0.000 description 1
- 238000004876 x-ray fluorescence Methods 0.000 description 1
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 1
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C3/00—Glass compositions
- C03C3/04—Glass compositions containing silica
- C03C3/062—Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight
- C03C3/07—Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight containing lead
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
- C03C8/02—Frit compositions, i.e. in a powdered or comminuted form
- C03C8/10—Frit compositions, i.e. in a powdered or comminuted form containing lead
- C03C8/12—Frit compositions, i.e. in a powdered or comminuted form containing lead containing titanium or zirconium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
- C03C8/14—Glass frit mixtures having non-frit additions, e.g. opacifiers, colorants, mill-additions
- C03C8/18—Glass frit mixtures having non-frit additions, e.g. opacifiers, colorants, mill-additions containing free metals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/14—Conductive material dispersed in non-conductive inorganic material
- H01B1/16—Conductive material dispersed in non-conductive inorganic material the conductive material comprising metals or alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Glass Compositions (AREA)
- Conductive Materials (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
本发明涉及可用于导体浆料的含锌玻璃组合物，其中所述导体浆料用于制备硅半导体装置和光伏电池。所述玻璃组合物包含：导电材料，包含SiO2、27-45重量％的ZnO和0.5-3重量％的P2O5的玻璃料以及有机介质。
Description
发明领域
本发明的实施方案涉及硅半导体装置，以及用于太阳能电池装置中的包含玻璃料的导电厚膜组合物。
发明背景
具有p-型基板的常规太阳能电池结构具有可位于电池正面(也称为光照面或受光面)上的负极和可位于相对面上的正极。在半导体的p-n结上入射的合适波长的辐射充当在该半导体中产生空穴-电子对的外部能源。由于p-n结处存在电势差，因此空穴和电子以相反的方向跨过该结移动，从而产生能够向外部电路输送电力的电流。大部分太阳能电池为金属化的硅片形式，即，具有导电的金属触点。
需要提供具有改进的电气性能的组合物、结构(例如半导体、太阳能电池或光电二极管结构)和半导体装置(例如半导体、太阳能电池或光电二极管装置)，以及制备方法。
发明概述
实施方案涉及包含以下成分的组合物：(a)导电材料；(b)玻璃料，其中玻璃料包含SiO2、27-45重量％的ZnO和0.5-3重量％的P2O5；以及(c)有机介质。在一方面，玻璃料包含35-42重量％的ZnO和1-2重量％的P2O5。在另一方面，玻璃料包含8-25重量％的SiO2。玻璃料还可包含Al2O3、PbO、ZrO2和PbF2。在一方面，玻璃料可包含8-25重量％的SiO2、35-42重量％的ZnO、1-2重量％的P2O5、0.1-4重量％的Al2O3、8-40重量％的PbO、0.5-4重量％的ZrO2以及8-35重量％的PbF2。导电材料可包含以下成分中的一种或多种：(1)铝、铜、金、银、钯和铂；(2)铝、铜、金、银、钯和铂的合金；以及(3)它们的混合物。在一个实施方案中，导电材料包括银。在一方面，导电材料占组合物的70-90重量％。在一方面，玻璃料占组合物的3-7重量％。在一方面，组合物可包含一种或多种添加剂，所述添加剂选自(a)金属，其中所述金属选自锌、铅、铋、钆、铈、锆、钛、锰、锡、钌、钴、铁、铜和铬；(b)一种或多种金属的金属氧化物，其中所述金属选自锌、铅、铋、钆、铈、锆、钛、锰、锡、钌、钴、铁、铜和铬；(c)在焙烧时可生成(b)的金属氧化物的任何化合物；以及(d)它们的混合物。
一个实施方案涉及制备半导体装置的方法，该方法包括以下步骤：(a)提供半导体基板、一个或多个绝缘膜和权利要求1的组合物；(b)将绝缘膜施加到半导体基板；(c)将组合物施加到半导体基板上的绝缘膜；以及(d)焙烧半导体、绝缘膜和组合物。绝缘膜可包含一种或多种组分，所述组分选自氧化钛、氮化硅、SiNx:H、氧化硅以及氧化硅/氧化钛。
一个实施方案涉及用本文所述的方法制造的半导体装置。另一个实施方案涉及半导体装置，其中在焙烧之前，正面电极包含本文所述的组合物。在一方面，半导体装置为太阳能电池。
附图简述
图1为示出半导体装置的制造过程的工艺流程图。
图1所示的附图标号说明如下。
10：p-型硅基板
20：n-型扩散层
30：氮化硅膜、氧化钛膜或氧化硅膜
40：p+层(背表面场，BSF)
60：形成在背面上的铝浆
61：铝背面电极(通过焙烧背面铝浆获得)
70：形成在背面上的银浆或银/铝浆
71：银或银/铝背面电极(通过焙烧背面银浆获得)
500：根据本发明在正面上形成的银浆
501：根据本发明的银正面电极(通过焙烧正面银浆获得)
发明详述
如本文所用，“厚膜组合物”是指在焙烧到基板上之后具有1-100微米厚度的组合物。该厚膜组合物包含导电材料、玻璃组合物和有机载体。所述厚膜组合物可包含附加组分。如本文所用，所述附加组分称为“添加剂”。
本文所述的组合物包含分散在有机介质中的一种或多种电功能性材料和一种或多种玻璃料。这些组合物可为厚膜组合物。这些组合物也可包含一种或多种添加剂。示例性添加剂可包括金属、金属氧化物或任何在焙烧时可生成这些金属氧化物的化合物。
在一个实施方案中，电功能粉可为导电粉末。在一个实施方案中，组合物例如导电性组合物可在半导体装置中使用。在该实施方案的一个方面，半导体装置可为太阳能电池或光电二极管。在该实施方案的另一个方面，半导体装置可为多种半导体装置中的一种。在一个实施方案中，半导体装置可为太阳能电池。
在一个实施方案中，本文所述的厚膜组合物可用于太阳能电池。在该实施方案的一个方面，所述太阳能电池的效率可大于基准太阳能电池的70％。在另一个实施方案中，太阳能电池的效率可大于基准太阳能电池的80％。太阳能电池的效率可大于基准太阳能电池的90％。
玻璃料
本发明的一个方面涉及包含玻璃料组合物的厚膜组合物。在一个实施方案中，玻璃料组合物(也称为玻璃组合物)列于下表I中。
本文所述的玻璃组合物，也称为玻璃料，包括一定百分比的某些组分(也称为元素组成)。具体地讲，所述百分比是用于原料的组分的百分比，该原料随后如本文所述进行加工以形成玻璃组合物。此术语对于本领域的技术人员而言为常规的。换句话讲，组合物包含某些组分，并且这些组分的百分比被表示为对应的氧化物形式的百分比。玻璃化学领域的技术人员公认，在制造玻璃的过程中可释放一定部分的挥发性物质。挥发性物质的实例为氧气。
如果以焙烧的玻璃开始，则本领域的技术人员可使用本领域技术人员已知的方法计算本文所述的初始组分的百分比(元素组成)，所述方法包括但不限于：电感耦合等离子体发射光谱法(ICPES)、电感耦合等离子体原子发射光谱法(ICP-AES)等。此外，可使用以下示例性技术：X射线荧光光谱(XRF)、核磁共振光谱(NMR)、电子顺磁共振光谱(EPR)、穆斯堡尔光谱、电子微探针能量色散光谱(EDS)、电子微探针波长色散光谱(WDS)、阴极发光(CL)。
本文所述的玻璃组合物包括但不限于表I中所列的那些；预期玻璃化学领域的普通技术人员可对附加成分进行微量替换，并且基本上不会改变玻璃组合物的期望特性。例如，可单独使用或组合使用玻璃生成体的替代品，例如0-3重量％的P2O5、0-3重量％的GeO2、0-3重量％的V2O5，以获得相似的性能。例如，可使用一种或多种中间氧化物，如TiO2、Ta2O5、Nb2O5、ZrO2、CeO2和SnO2，以替代存在于玻璃组合物中的其他中间氧化物(即，A12O3、CeO2、SnO2)。
一方面涉及玻璃料组合物，其包含一种或多种含氟组分，所述含氟组分包括但不限于：氟盐、氟化物、金属氟氧化物等。此类含氟组分包括但不限于PbF2、BiF3、AlF3、NaF、LiF、KF、CsF、ZrF4、TiF4和/或ZnF2。
用于制造本文所述的玻璃料的示例性方法为常规玻璃制造技术。先对各种成分进行称量，然后按期望比例混合，并在熔炉中加热以在铂合金坩埚中形成熔体。玻璃料制造领域的技术人员可使用氧化物、氟化物或氟氧化物盐作为原料。作为另外一种选择，可使用例如硝酸盐、亚硝酸盐、碳酸盐或氢氧化物之类的盐作为原料，这些盐在低于玻璃熔融温度的温度下分解为氧化物、氟化物或氟氧化物。如本领域所熟知的，加热到峰值温度(800℃-1400℃)并保持一定时间，使得熔体变为完全液态的、均相的，并且不含任何残余的原材料分解产物。随后，使熔融的玻璃在反转的不锈钢辊之间骤冷，以形成10-15密耳厚的玻璃片。然后研磨所得的玻璃片，以形成其50％体积分布设置在预期目标范围(例如0.8-1.5μm)内的粉末。玻璃料制造领域的技术人员可采用可供选择的合成技术，例如但不限于水淬火法、溶胶-凝胶法、喷雾热解法或其他适于制备粉末形式的玻璃的合成技术。
表1示出了本文所用的占总玻璃组合物的重量百分比的玻璃组合物。除非另外指出，否则如本文所用的关于玻璃料组分的重量％仅指玻璃组合物的重量％。在另一个实施方案中，本文所述的玻璃料组合物可包含以下组分中的一种或多种：SiO2、Al2O3、PbO、ZrO2、ZnO、Na2O、Li2O、P2O5或PbF2。在该实施方案的各方面中：
SiO2可以占 5-28重量％、 8-25重量％、 或10-22重量％，
Al2O3可以占0.1-5重量％、 0.1-4重量％、或2-3重量％，
PbO可以占 0.1-65重量％、8-40重量％、 或10-30重量％，
ZrO2可以占 0.1-5重量％、 0.5-4重量％、或1-2重量％，
ZnO可以占 25-50重量％、 27-45重量％、或35-42重量％，
Na2O可以占 0-2重量％、 0.1-1重量％、或0.2-0.7重量％，
Li2O可以占 0-2重量％、 0.1-1重量％、或0.1-0.8重量％，
P2O5可以占 0.1-10重量％、0.5-3重量％、或1-2重量％，或
PbF2可以占 1-50重量％、 8-45重量％、 或20-35重量％
以上数据基于玻璃组分的重量％。
玻璃制造领域的技术人员可将Na2O或Li2O中的一些或全部替换为NaF、LiF、K2O、KF、Cs2O、CsF、RbF或Rb2O，并形成特性类似于上文所列的组合物的玻璃，其中该实施方案的碱金属氧化物总含量可为0-2重量％、0-1重量％、或0.1-1重量％。作为另外一种选择，玻璃组合物可按玻璃组合物中元素的重量％来描述。在一个实施方案中，玻璃可部分地包含：
氟：0.1-10元素重量％、2-7元素重量％、或3-5元素重量％，或
铅：35-85元素重量％、45-75元素重量％、或60-70元素重量％，或
锌：5-45元素重量％、10-30元素重量％、或15-20元素重量％。
在另一个实施方案中，本文的玻璃料组合物可包含以下第三组组分中的一种或多种：CeO2、SnO2、Ga2O3、In2O3、NiO、MoO3、WO3、Y2O3、La2O3、Nd2O3、FeO、HfO2、Cr2O3、CdO、Nb2O5、Ag2O、Sb2O3以及金属卤化物(例如NaCl、KBr、NaI)。
本领域的技术人员将认识到，原材料的选择可能无意地含有杂质，这些杂质在加工过程中可能会被掺入到玻璃中。例如，存在的杂质的含量可在数百至数千ppm的范围内。
杂质的存在不会改变玻璃、厚膜组合物或焙烧而成的装置的特性。例如，即使厚膜组合物含有杂质，包含该厚膜组合物的太阳能电池也可具有本文所述的效率。
在该实施方案的另一方面，厚膜组合物可包含分散在有机介质中的电功能粉和玻璃陶瓷料。在一个实施方案中，这些厚膜导体组合物可用于半导体装置。在该实施方案的一方面，半导体装置可为太阳能电池或光电二极管。
总厚膜组合物中玻璃料的量在总组合物的1-8重量％范围内。在一个实施方案中，玻璃组合物以总厚膜组合物的3-7重量％的量存在。在另一个实施方案中，玻璃组合物以总厚膜组合物的3.5-6.5重量％范围内的量存在。
导电材料
在一个实施方案中，厚膜组合物可包含赋予组合物适当的电功能性质的功能相。在一个实施方案中，电功能粉可为导电粉末。在一个实施方案中，电功能相可包含导电材料(本文也称之为导电颗粒)。例如，导电颗粒可包括导电粉末、导电薄片或它们的混合物。
在一个实施方案中，导电颗粒可包括银。在另一个实施方案中，导电颗粒可包括银(Ag)和铝(Al)。在另一个实施方案中，导电颗粒可例如包括以下中的一种或多种：铜、金、银、钯、铂、铝、银-钯、铂-金等。在一个实施方案中，导电颗粒可包括以下中的一种或多种：(1)铝、铜、金、银、钯和铂；(2)铝、铜、金、银、钯和铂的合金；以及(3)它们的混合物。
在一个实施方案中，组合物的功能相可为涂覆的或未涂覆的导电银粒子。在涂覆银粒子的一个实施方案中，它们至少部分地涂覆有表面活性剂。在一个实施方案中，表面活性剂可包括以下非限制性表面活性剂中的一种或多种：硬脂酸、棕榈酸、硬脂酸盐、棕榈酸盐、月桂酸、棕榈酸、油酸、硬脂酸、癸酸、肉豆蔻酸和亚油酸以及它们的混合物。抗衡离子可为但不限于氢离子、铵离子、钠离子、钾离子以及它们的混合物。
银的粒度不受任何特定限制。在一个实施方案中，平均粒度可小于10微米；在另一个实施方案中不超过5微米。在一方面，例如，平均粒度可为0.1-5微米。
在一个实施方案中，银可占浆料组合物的60-93重量％。在另一个实施方案中，银可占浆料组合物的70-90重量％。在另一个实施方案中，银可占浆料组合物的75-86重量％。
在一个实施方案中，银可占组合物中固体(即不包括有机载体)的90-99重量％。在另一个实施方案中，银可占组合物中固体的92-97重量％。在另一个实施方案中，银可占组合物中固体的93-95重量％。
如本文所用，“粒度”旨在表示“平均粒度”；“平均粒度”是指50％体积分布粒度。体积分布粒度可通过本领域的技术人员理解的许多方法来确定，包括但不限于使用Microtrac粒度分析仪的激光衍射和分散方法。
添加剂
在一个实施方案中，厚膜组合物可包含添加剂。在一个实施方案中，添加剂可选自以下中的一种或多种：(a)金属，其中所述金属选自锌、铅、铋、钆、铈、锆、钛、锰、锡、钌、钴、铁、铜和铬；(b)一种或多种金属的金属氧化物，其中所述金属选自锌、铅、铋、钆、铈、锆、钛、锰、锡、钌、钴、铁、铜和铬；(c)在焙烧时可生成(b)的金属氧化物的任何化合物；以及(d)它们的混合物。
在一个实施方案中，添加剂可包括含锌添加剂。含锌添加剂可包括以下中的一种或多种：(a)锌，(b)锌的金属氧化物，(c)在焙烧时可生成锌的金属氧化物的任何化合物，以及(d)它们的混合物。在一个实施方案中，含锌添加剂可包括树脂酸锌。
在一个实施方案中，含锌添加剂可包括ZnO。ZnO可具有在1纳米至10微米范围内的平均粒度。在另一个实施方案中，ZnO可具有40纳米至5微米的平均粒度。在另一个实施方案中，ZnO可具有60纳米至3微米的平均粒度。在另一个实施方案中，ZnO可具有例如小于100纳米、小于90纳米、小于80纳米、1纳米至小于100纳米、1纳米至95纳米、1纳米至90纳米、1纳米至80纳米、7纳米至30纳米、1纳米至7纳米、35纳米至90纳米、35纳米至80纳米、65纳米至90纳米、60纳米至80纳米以及介于这些范围之间的平均粒度。
在一个实施方案中，ZnO可按总厚膜组合物的0-7重量％的范围存在于组合物中。在一个实施方案中，ZnO可按总厚膜组合物的0-3重量％的范围存在。在另一个实施方案中，ZnO可按总厚膜组合物的4-6.5重量％的范围存在。
在另一个实施方案中，含锌添加剂(例如，锌、树脂酸锌等)可按2-16重量％的范围存在于总厚膜组合物中。在另一个实施方案中，含锌添加剂可按总厚膜组合物的3-14重量％的范围存在。在另一个实施方案中，含锌添加剂可按总厚膜组合物的4-12重量％的范围存在。
在一个实施方案中，金属/金属氧化物添加剂(例如锌)的粒度可在7纳米(nm)至125纳米的范围内；在另一个实施方案中，该粒度可小于例如100纳米、90纳米、85纳米、80纳米、75纳米、70纳米、65纳米或60纳米。
有机介质
在一个实施方案中，本文所述的厚膜组合物可包含有机介质。无机组分可通过例如机械搅拌来与有机介质混合，以形成浆料。能够将多种惰性粘稠材料用作有机介质。在一个实施方案中，有机介质可使得无机组分能够以适当的稳定度在其中分散。在一个实施方案中，介质的流变学特性可赋予组合物某些应用特性，其包括：固体的稳定分散性、用于丝网印刷的适当粘度和触变性、基板和浆料固体的适当可润湿性、良好的干燥速率以及良好的焙烧特性。在一个实施方案中，厚膜组合物中所用的有机载体可为非水性惰性液体。设想使用多种有机载体，所述载体可包含或不包含增稠剂、稳定剂和/或其他常用添加剂。有机介质可为一种或多种聚合物在一种或多种溶剂中的溶液。在一个实施方案中，有机介质还可包含一种或多种组分，例如表面活性剂。在一个实施方案中，聚合物可为乙基纤维素。其他示例性聚合物包括乙基羟乙基纤维素、木松香、乙基纤维素和酚醛树脂的混合物、低级醇的聚甲基丙烯酸酯以及乙二醇单乙酸酯的单丁基醚或它们的混合物。在一个实施方案中，本文所述的厚膜组合物中可用的溶剂包括醇酯和萜烯，例如α-或β-萜品醇或它们与其他溶剂例如煤油、邻苯二甲酸二丁酯、丁基卡必醇、丁基卡必醇醋酸酯、己二醇和高沸点醇以及醇酯的混合物。在另一个实施方案中，有机介质可包含挥发性液体，该液体被施加到基板上之后有助于快速硬化。
在一个实施方案中，聚合物可例如以总组合物的8重量％-11重量％范围内的量存在于有机介质中。可使用有机介质将厚膜银组合物调整为预定的、可进行丝网印刷的粘度。
在一个实施方案中，厚膜组合物中的有机介质与分散体中的无机组分的比率可取决于施加浆料的方法和所用有机介质的类型，具体由本领域的技术人员来确定。在一个实施方案中，为了获得良好的润湿，分散体可包含70-95重量％的无机组分和5-30重量％的有机介质(载体)。
焙烧的厚膜组合物
在一个实施方案中，可在干燥和焙烧半导体装置的过程中去除有机介质。在一方面，可在焙烧过程中将玻璃料、银和添加剂烧结，以形成电极。焙烧的电极可包含在焙烧和烧结过程中产生的组分、组合物等。例如，在一个实施方案中，焙烧的电极可包含硅酸锌，包括但不限于硅锌矿(Zn2SiO4)和Zn1.7SiO4-x(在一个实施方案中，x可为0-1)。
在该实施方案的一个方面，半导体装置可为太阳能电池或光电二极管。
半导体装置的制备方法
一个实施方案涉及半导体装置的制备方法。在一个实施方案中，半导体装置可用于太阳能电池装置。半导体装置可包括正面电极，其中在焙烧之前，正面(受光面)电极可包含本文所述的组合物。
在一个实施方案中，制备半导体装置的方法包括以下步骤：(a)提供半导体基板；(b)将绝缘膜施加到半导体基板；(c)将本文所述的组合物施加到绝缘膜；以及(d)焙烧该装置。
可用于本文所述方法和装置的示例性半导体基板是本领域技术人员所知的，并且其包括但不限于：单晶硅、多晶硅、带状硅等。半导体基板可为承载结点。半导体基板可掺入磷和硼，以形成p/n结。半导体基板的掺杂方法是本领域技术人员所知的。
如本领域技术人员所知的，半导体基板的尺寸(长度×宽度)和厚度可以变化。在一个非限制性实例中，半导体基板的厚度可为50-500微米、100-300微米、或140-200微米。在一个非限制性实例中，半导体基板的长度和宽度均可为100-250mm、125-200mm、或125-156mm。
可用于本文所述方法和装置的示例性绝缘膜为是领域技术人员所知的，并且其包括但不限于：氮化硅、氧化硅、氧化钛、SiNx:H、氢化无定形氮化硅和氧化硅/氧化钛膜。绝缘膜可通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)、化学气相沉积(CVD)和/或本领域技术人员已知的其他技术来形成。在绝缘膜为氮化硅的一个实施方案中，氮化硅膜可通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)、热化学气相沉积或物理气相沉积(PVD)工艺而形成。在绝缘膜为氧化硅的一个实施方案中，氧化硅膜可通过热氧化、热化学气相沉积、等离子化学气相沉积或物理气相沉积而形成。绝缘膜(或层)也可被称为减反射涂层(ARC)。
本文所述的组合物可通过本领域技术人员已知的多种方法施加到涂覆ARC的半导体基板，所述方法包括但不限于丝网印刷、喷墨、共挤出、注射器分配、直接描绘和气溶胶喷墨。可将组合物施加成图案。可将组合物在预定位置施加成预定形状。在一个实施方案中，可使用组合物来形成正面电极的导电指状物和母线。在一个实施方案中，导电指状物的导线宽度可为20-200微米、40-150微米、或60-100微米。在一个实施方案中，导电指状物的导线厚度可为5-50微米、10-35微米、或15-30微米。
在另一个实施方案中，可使用组合物来形成导电性硅接触指状物。
如本领域技术人员所知，可将涂覆ARC的半导体基板上所涂覆的组合物干燥例如0.5-10分钟，然后焙烧。在一个实施方案中，可在干燥过程中除去挥发性溶剂和有机物。焙烧条件是本领域的技术人员所知的。在示例性的非限制性焙烧条件中，硅片基板被加热到介于600℃和900℃之间的最高温度，持续时间为1秒-2分钟。在一个实施方案中，焙烧过程中达到的硅片最高温度在650℃-800℃的范围内，持续时间为1-10秒。在另一个实施方案中，由导电厚膜组合物形成的电极可在由氧气与氮气的混合气体构成的气氛中进行焙烧。该焙烧方法除去有机介质并烧结在导电厚膜组合物中含有银粉的玻璃料。在另一个实施方案中，由导电厚膜组合物形成的电极可在高于有机介质移除温度的不含氧气的惰性气氛中进行焙烧。该焙烧方法烧结或熔融厚膜组合物中的贱金属导电材料，例如铜。
在一个实施方案中，在焙烧过程中，被焙烧的电极(优选指状物)可与绝缘膜反应并穿透绝缘膜，从而与硅基板形成电接触。
在另一个实施方案中，在焙烧之前，将其他导电性及装置增强材料施加到半导体装置的反型区域，并与本文所述的组合物一起焙烧或依次焙烧。装置的反型区域位于该装置的相对面。这些材料充当电接触、钝化层和可软焊固定区域。
在一个实施方案中，反型区域可位于该装置的非受光面(背面)。在该实施方案的一个方面，背面导电材料可包含铝。示例性背面含铝组合物和施加方法描述于例如US 2006/0272700，该专利以引用方式并入本文。
另在一个方面，可软焊固定材料可包含铝和银。含铝和银的示例性固定组合物描述于例如US 2006/0231803，该专利以引用方式并入本文。
在另一个实施方案中，由于p区和n区并排成形，施加到装置的反型区域的材料邻近本文所述的材料。此类装置将金属接触材料全部放置在装置的非受光面(背面)以最大化受光面(正面)上的入射光。
半导体装置可通过以下方法由结构元件来制造，所述结构元件由承载结点的半导体基板和在其主表面上形成的氮化硅绝缘膜来构成。制造半导体装置的方法包括以下步骤：将能够穿透绝缘膜的导电厚膜组合物以预定的形状并在预定位置施加(例如涂覆和印刷)到绝缘膜上，然后进行焙烧以便使导电厚膜组合物熔融并且穿透绝缘膜，从而形成与硅基板的电接触。导电厚膜组合物为厚膜浆料组合物，如本文所述，所述组合物由分散在有机载体中的银粉、含锌添加剂、具有300℃-600℃软化点的玻璃或玻璃粉混合物以及任选地附加的金属/金属氧化物添加剂来制成。
本发明的一个实施方案涉及一种由本文所述的方法制造的半导体装置。含本文所述组合物的装置可包含硅酸锌，如上所述。
本发明的一个实施方案涉及一种按上述方法制造的半导体装置。
可与本文所述的厚膜组合物一起使用的其他基板、装置、制造方法等描述于美国专利申请公布号US 2006/0231801、US 2006/0231804和US2006/0231800，这些专利以引用方式全文并入本文。
实施例
玻璃特性测量
如本文所述，采用本领域技术人员所知的技术制备表I中的玻璃和表II中的比较玻璃。为了参考，表III介绍了以下文献中所述的玻璃：TAKAMORI，T.，“Treatise on materials science and technology”第17卷“Glass II”，“Solder glasses”(1979)，TOMOZAMA和DOREMUS编辑，Academic Press出版。如表IV中所示，其测量了表I和II中的玻璃1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11和12的特性，包括密度、Tg、Ts和Tx。表III玻璃A-E(TAKAMORI，T.，“Treatise on materials science andtechnology”第17卷“Glass II”，“Solder glasses”(1979)，TOMOZAMA和DOREMUS编辑，Academic Press出版)的玻璃特性。注意，玻璃A-E并不是在本专利申请的背景下制得的；本文提供Takamori中所介绍的玻璃及其特性以用于比较。
浆料制备
一般来讲，采用以下程序来制备浆料：制备包含有机介质和玻璃料或银粉的单独浆料。称取适量的溶剂、介质和表面活性剂并通过THINKY行星式离心搅拌机与玻璃料或银粉混合20秒。然后，按一定的速率共混包含玻璃的浆料和包含银的浆料，以获得所需的组合物。通过THINKY行星式离心搅拌机将该组合物混合20秒。混合均匀后，以0-300psi的压力使浆料反复地通过三辊研磨机。分散度通过第四刮涂研磨细度(FOG)来控制。浆料的典型FOG值在第四长的连续刮涂后小于20微米，在刮涂50％的浆料后则小于10微米。
表V和VI的浆料实施例是使用上述程序制得的，所述程序用于制备表中列出的符合以下细节的浆料组合物。表V中所述的玻璃料类型是指表I中的玻璃组合物，表VI中的比较玻璃料类型是指表II中的玻璃组合物。测试的浆料包含75-86％的银粉。银类型I为粒度分布较窄且D50＝1-3μm的球形银粉。银类型II为两种银粉的50/50(重量比)共混物；共混物中的一种银粉具有＜1m2/g的表面积和3-5g/cc的振实密度，共混物中的另一种银粉为粒度分布较窄且D50＝2-4μm的球体。银类型III为两种银粉的84.2％-15.8％共混物；共混物中的一种银粉具有＜1m2/g的表面积和3-5g/cc的振实密度，共混物中的另一种银粉具有1.8-2.4m2/gm的表面积和1.5-2.1g/cc的振实密度且D50＝0.8-3μm。将浆料施加到1.5英寸×1.5英寸的切割电池，并测量每个样本的效率和填充因数。
使用在10psi压力下刮板速度为100mm/s的Price MS系列印刷机通过丝网印刷施加浆料。所用丝网在具有250目和28μm线材的丝网中的20μm乳液上具有以下图案：18条具有80-110μm开口的指状线，1条具有2mm开口的母线。所用基板为通过对完整的硅太阳能电池多晶电池片进行激光划片切割而得的1.5英寸方形块，所述基板经过酸纹理化，具有65Ω/□发射极，涂覆有PECVD SiNX:H ARC晶片。将可商购获得的铝浆DuPont PV381印刷到装置的非受光面(背面)上。然后将两面均具有印刷图案的装置置于干燥箱中，于150℃的峰值温度下干燥5分钟。然后让基板的光照面向上在Despatch LCD72xx 6区红外炉中进行焙烧，该红外炉采用5500mm/min的带速以及550-600-650-700-800-885℃的温度设定点。在处理过程中测量部件的实际温度。测得的每个部件的峰值温度为715℃，并且每个部件在4秒的总时间内均高于650℃。然后使用校准过的NPC NCT-M-150AA测试仪对经过完全加工的样本进行PV性能测试。
对于6号玻璃样本，与上述程序的不同之处在于：未将PECVDSiNX:H ARC施用到测试部件的正面；而是将导体浆料直接印刷到晶片的正面。
测试程序-效率
测试根据本文所述的方法形成的太阳能电池的转换效率。下面提供一种示例性的测试效率的方法。
在一个实施方案中，将根据本文所述的方法形成的太阳能电池放入用于测量效率的商用I-V测试仪(NPC NCT-M-150AA)中。I-V测试仪中的氙弧灯模拟已知强度的日光，并照射电池的正面。测试仪利用多点接触方法来测量在AM 1.5照射、25℃设置下的电流(I)和电压(V)，以确定电池的电流-电压曲线。填充因数(FF)和效率(Eff)均由电流-电压曲线计算。
将浆料效率和填充因数值规范化为通过与工业标准有关的电池而获得的对应值。平均效率和填充因数示于表V和VI中。
上述效率测试是示例性的。用于测试效率的其他设备和程序将为本领域普通技术人员所了解。
表I：玻璃组合物
| 玻璃料ID号 | SiO2 | Al2O3 | PbO | ZrO2 | ZnO | Na2O | P2O5 | Li2O | PbF2 |
| 1 | 21.90 | 2.65 | 23.96 | 1.93 | 35.17 | 1.48 | 12.91 | ||
| 2 | 13.12 | 2.56 | 26.62 | 1.86 | 40.83 | 0.47 | 1.42 | 0.22 | 12.91 |
| 3 | 10.85 | 2.30 | 22.62 | 1.67 | 36.75 | 1.28 | 24.52 | ||
| 4 | 18.07 | 2.62 | 13.70 | 1.90 | 37.02 | 0.48 | 1.46 | 0.23 | 24.52 |
| 5 | 14.99 | 2.59 | 13.33 | 1.88 | 40.54 | 0.47 | 1.44 | 0.23 | 24.52 |
表II：比较玻璃组合物
表III：来自以下玻璃：TAKAMORI，T.，“Treatise on materials science and technology”第17卷“Glass II”，“Solder glasses”(1979)， TOMOZAMA和DOREMUS编辑，Academic Press出版。
| 玻璃料ID | SiO2 | Al2O3 | PbO | ZnO | B2O3 | Bi2O3 | Ta2O5 | CeO2 | CnO |
| A | 19 | 17 | 50 | 14 | |||||
| B | 15 | 5 | 60 | 18 | 2 | ||||
| C | 13 | 5 | 57 | 20 | 5 | ||||
| D | 13 | 2 | 57 | 20 | 1 | 5 | 2 | ||
| E | 10 | 2 | 4.5 | 57 | 20 | 3 | 3.5 |
表IV：玻璃特性数据
Tg和Ts得自
或膨胀测定
Tx得自DTA
ND＝不可测
*由平行板粘度数据估算
表V：效率和填充因数
表VI：比较效率和填充因数
Claims (16)
1.组合物，所述组合物包含：
(a)导电材料；
(b)玻璃料，其中，所述玻璃料包含SiO2、27-45重量％的ZnO和0.5-3重量％的P2O5；以及
(c)有机介质。
2.权利要求1的组合物，其中，所述玻璃料包含35-42重量％的ZnO和1-2重量％的P2O5。
3.权利要求1的组合物，其中，所述玻璃料包含8-25重量％的SiO2。
4.权利要求1的组合物，其中，所述玻璃料还包含Al2O3、PbO、ZrO2以及PbF2。
5.权利要求3的组合物，其中，所述玻璃料包含8-25重量％的SiO2、35-42重量％的ZnO、1-2重量％的P2O5、0.1-4重量％的Al2O3、8-40重量％的PbO、0.5-4重量％的ZrO2以及8-35重量％的PbF2。
6.权利要求1的组合物，其中，所述导电材料包含以下成分中的一种或多种：(1)铝、铜、金、银、钯和铂；(2)铝、铜、金、银、钯和铂的合金；以及(3)它们的混合物。
7.权利要求1的组合物，其中，所述导电材料包含银。
8.权利要求1的组合物，其中，所述导电材料占所述组合物的70-90重量％。
9.权利要求1的组合物，其中，所述玻璃料占所述组合物的3-7重量％。
10.权利要求1的组合物，所述组合物还包含一种或多种添加剂，所述添加剂选自(a)金属，其中所述金属选自锌、铅、铋、钆、铈、锆、钛、锰、锡、钌、钴、铁、铜和铬；(b)一种或多种金属的金属氧化物，其中所述金属选自锌、铅、铋、钆、铈、锆、钛、锰、锡、钌、钴、铁、铜和铬；(c)在焙烧时可生成(b)的所述金属氧化物的任何化合物；以及(d)它们的混合物。
11.制备半导体装置的方法
所述方法包括以下步骤：
(a)提供半导体基板、一个或多个绝缘膜以及权利要求1的组合物；
(b)将所述绝缘膜施加到所述半导体基板；
(c)将所述组合物施加到所述半导体基板上的绝缘膜，以及
(d)焙烧所述半导体、绝缘膜以及组合物。
12.权利要求10的方法，其中，所述绝缘膜包含一种或多种组分，所述组分选自氧化钛、氮化硅、SiNx:H、氧化硅以及氧化硅/氧化钛。
13.半导体装置，所述半导体装置由权利要求10的方法制成。
14.半导体装置，其中在焙烧之前，正面电极包含权利要求1的组合物。
15.权利要求12的半导体装置，其中，所述半导体装置为太阳能电池。
16.权利要求13的半导体装置，其中，所述半导体装置为太阳能电池。
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US21855709P | 2009-06-19 | 2009-06-19 | |
| US61/218,557 | 2009-06-19 | ||
| US22450709P | 2009-07-10 | 2009-07-10 | |
| US61/224,507 | 2009-07-10 | ||
| PCT/US2010/039308 WO2010148382A1 (en) | 2009-06-19 | 2010-06-21 | Glass compositions used in conductors for photovoltaic cells |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN102803167A true CN102803167A (zh) | 2012-11-28 |
Family
ID=42735374
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2010800264353A Pending CN102803167A (zh) | 2009-06-19 | 2010-06-21 | 用于光伏电池导体中的玻璃组合物 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US8262944B2 (zh) |
| EP (1) | EP2443072A1 (zh) |
| JP (1) | JP2012530664A (zh) |
| KR (1) | KR20130085359A (zh) |
| CN (1) | CN102803167A (zh) |
| TW (1) | TW201115592A (zh) |
| WO (1) | WO2010148382A1 (zh) |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011517117A (ja) * | 2008-04-09 | 2011-05-26 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | 伝導性組成物、および半導体デバイスの製造における使用方法 |
| WO2010107996A1 (en) * | 2009-03-19 | 2010-09-23 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Conductive paste for a solar cell electrode |
| TW201115592A (en) * | 2009-06-19 | 2011-05-01 | Du Pont | Glass compositions used in conductors for photovoltaic cells |
| JP5957835B2 (ja) * | 2011-09-28 | 2016-07-27 | 株式会社Sumco | 太陽電池用ウェーハの製造方法、太陽電池セルの製造方法、および太陽電池モジュールの製造方法 |
| DE102012221334B4 (de) | 2011-12-22 | 2018-10-25 | Schott Ag | Lötpaste und deren Verwendung zur Front- oder Rückseitenkontaktierung von siliziumbasierten Solarzellen |
| KR101350960B1 (ko) * | 2012-01-13 | 2014-01-16 | 한화케미칼 주식회사 | 글래스 프릿, 이를 포함하는 도전성 페이스트 조성물 및 태양전지 |
| CN103915128B (zh) * | 2012-05-03 | 2016-06-08 | 苏州晶银新材料股份有限公司 | 光伏电池背电极用导电浆料 |
| US20130319496A1 (en) * | 2012-06-01 | 2013-12-05 | Heraeus Precious Metals North America Conshohocken Llc | Low-metal content electroconductive paste composition |
| JP5937904B2 (ja) * | 2012-06-26 | 2016-06-22 | 株式会社ノリタケカンパニーリミテド | 太陽電池電極用ペースト組成物 |
| KR101999795B1 (ko) * | 2012-06-27 | 2019-07-12 | 삼성전자주식회사 | 도전성 페이스트, 상기 도전성 페이스트를 사용하여 형성된 전극을 포함하는 전자 소자 및 태양 전지 |
| TW201515738A (zh) * | 2013-09-12 | 2015-05-01 | Cima Nanotech Israel Ltd | 於製造金屬奈米粒子組合物之方法 |
| EP2913139B1 (en) | 2014-02-26 | 2019-04-03 | Heraeus Precious Metals North America Conshohocken LLC | A glass comprising molybdenum and lead in a solar cell paste |
| CN103943168B (zh) * | 2014-04-18 | 2016-04-27 | 西安交通大学 | 一种Ag(Ti,Zr)/稀土晶体硅太阳电池复合浆料及其制备方法 |
| US9209323B2 (en) | 2014-05-05 | 2015-12-08 | E I Du Pont De Nemours And Company | Conductive paste used for solar cell electrodes and method of manufacturing the solar cell electrodes |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN85101180A (zh) * | 1985-04-01 | 1987-01-17 | 株式会社日立制作所 | 厚膜电路用配方 |
| CN1439236A (zh) * | 2000-06-30 | 2003-08-27 | E·I·内穆尔杜邦公司 | 厚膜电路形成图形的方法 |
| CN1500277A (zh) * | 2001-04-09 | 2004-05-26 | E・I・内穆尔杜邦公司 | 导电性合成物在电路中的应用 |
| CN1511325A (zh) * | 2001-04-09 | 2004-07-07 | E・I・内穆尔杜邦公司 | 导体合成物及其应用 |
| CN1873836A (zh) * | 2005-04-14 | 2006-12-06 | E.I.内穆尔杜邦公司 | 制造半导体器件的方法以及用于该方法的导电组合物 |
| US20070023388A1 (en) * | 2005-07-28 | 2007-02-01 | Nair Kumaran M | Conductor composition for use in LTCC photosensitive tape on substrate applications |
| US20090101199A1 (en) * | 2007-10-18 | 2009-04-23 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Conductive compositions and processes for use in the manufacture of semiconductor devices |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60137847A (ja) * | 1983-12-23 | 1985-07-22 | Hitachi Ltd | 厚膜形成用組成物 |
| US6355586B1 (en) * | 1999-02-25 | 2002-03-12 | Asahi Glass Company, Limited | Low melting point glass and glass ceramic composition |
| US6814795B2 (en) | 2001-11-27 | 2004-11-09 | Ferro Corporation | Hot melt conductor paste composition |
| US7030048B2 (en) * | 2003-08-05 | 2006-04-18 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Thick film dielectric compositions for use on aluminum nitride substrates |
| US7462304B2 (en) | 2005-04-14 | 2008-12-09 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Conductive compositions used in the manufacture of semiconductor device |
| US7435361B2 (en) | 2005-04-14 | 2008-10-14 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Conductive compositions and processes for use in the manufacture of semiconductor devices |
| US7494607B2 (en) | 2005-04-14 | 2009-02-24 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Electroconductive thick film composition(s), electrode(s), and semiconductor device(s) formed therefrom |
| US7771623B2 (en) | 2005-06-07 | 2010-08-10 | E.I. du Pont de Nemours and Company Dupont (UK) Limited | Aluminum thick film composition(s), electrode(s), semiconductor device(s) and methods of making thereof |
| TW201115592A (en) * | 2009-06-19 | 2011-05-01 | Du Pont | Glass compositions used in conductors for photovoltaic cells |
-
2010
- 2010-06-18 TW TW099119973A patent/TW201115592A/zh unknown
- 2010-06-21 WO PCT/US2010/039308 patent/WO2010148382A1/en active Application Filing
- 2010-06-21 EP EP10727627A patent/EP2443072A1/en not_active Withdrawn
- 2010-06-21 KR KR1020127001411A patent/KR20130085359A/ko not_active Application Discontinuation
- 2010-06-21 JP JP2012516365A patent/JP2012530664A/ja active Pending
- 2010-06-21 US US12/819,316 patent/US8262944B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2010-06-21 CN CN2010800264353A patent/CN102803167A/zh active Pending
-
2012
- 2012-08-23 US US13/592,497 patent/US20120312372A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN85101180A (zh) * | 1985-04-01 | 1987-01-17 | 株式会社日立制作所 | 厚膜电路用配方 |
| CN1439236A (zh) * | 2000-06-30 | 2003-08-27 | E·I·内穆尔杜邦公司 | 厚膜电路形成图形的方法 |
| CN1500277A (zh) * | 2001-04-09 | 2004-05-26 | E・I・内穆尔杜邦公司 | 导电性合成物在电路中的应用 |
| CN1511325A (zh) * | 2001-04-09 | 2004-07-07 | E・I・内穆尔杜邦公司 | 导体合成物及其应用 |
| CN1873836A (zh) * | 2005-04-14 | 2006-12-06 | E.I.内穆尔杜邦公司 | 制造半导体器件的方法以及用于该方法的导电组合物 |
| US20070023388A1 (en) * | 2005-07-28 | 2007-02-01 | Nair Kumaran M | Conductor composition for use in LTCC photosensitive tape on substrate applications |
| US20090101199A1 (en) * | 2007-10-18 | 2009-04-23 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Conductive compositions and processes for use in the manufacture of semiconductor devices |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP2443072A1 (en) | 2012-04-25 |
| US20120312372A1 (en) | 2012-12-13 |
| TW201115592A (en) | 2011-05-01 |
| KR20130085359A (ko) | 2013-07-29 |
| JP2012530664A (ja) | 2012-12-06 |
| WO2010148382A1 (en) | 2010-12-23 |
| US20110147677A1 (en) | 2011-06-23 |
| US8262944B2 (en) | 2012-09-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN102803167A (zh) | 用于光伏电池导体中的玻璃组合物 | |
| CN102958861B (zh) | 包含铅-碲-锂-钛-氧化物的厚膜浆料以及它们在制造半导体装置中的用途 | |
| CN102348657A (zh) | 用于光伏电池导体中的玻璃组合物 | |
| CN1873836B (zh) | 制造半导体器件的方法以及用于该方法的导电组合物 | |
| KR101086183B1 (ko) | 후막 전도성 조성물 및 반도체 소자의 제조에 사용하기 위한 공정 | |
| CN102369168A (zh) | 用于光伏电池导体中的玻璃组合物 | |
| CN102652118A (zh) | 用于光伏电池的导体中的玻璃组合物 | |
| CN103703518B (zh) | 包含Li2RuO3和离子交换Li2RuO3的导电组合物以及它们在半导体器件制造中的用途 | |
| CN102348656A (zh) | 用于光伏电池导体中的玻璃组合物 | |
| CN103065700A (zh) | 厚膜银浆及其在半导体装置制造中的用途 | |
| CN103219063A (zh) | 包含铜和铅-碲-氧化物的厚膜银浆及其在半导体装置制造中的用途 | |
| CN103329214A (zh) | 含锂导电糊料组合物和由其制成的制品 | |
| CN103262174A (zh) | 含锂导电糊料组合物和由其制成的制品 | |
| WO2010123967A2 (en) | Glass compositions used in conductors for photovoltaic cells | |
| WO2011075703A2 (en) | Glass compositions used in conductors for photovoltaic cells | |
| CN102356434A (zh) | 用于太阳能电池电极的导体浆料 | |
| CN102576580A (zh) | 用于光伏电池的导体 | |
| CN107077908A (zh) | 含有铅‑钨基氧化物的厚膜糊料以及其在半导体装置制造中的用途 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C02 | Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001) | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20121128 |