TWI337102B - Method for the removal of airborne molecular contaminants using oxygen and/or water gas mixtures - Google Patents

Method for the removal of airborne molecular contaminants using oxygen and/or water gas mixtures Download PDF

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TWI337102B
TWI337102B TW093115628A TW93115628A TWI337102B TW I337102 B TWI337102 B TW I337102B TW 093115628 A TW093115628 A TW 093115628A TW 93115628 A TW93115628 A TW 93115628A TW I337102 B TWI337102 B TW I337102B
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Description

1337102 玖、發明說明‘： 【發明所屬之技術領域】 相關申t 本申請案為2003年10月10曰申請之美國申請案號 1〇/683,903的部分接續申請案，其主張2〇〇3年6月2曰申 請之美國臨時申請案號60/475,145的權利。本申請案亦為 2003年1〇 j !〇日中請之美國中請案號1G/683,9()4的部分 接續申請案，其主張_年6月2日_請之美國臨時申 請案號60/475,145的權利。上述申請案的整體教示内容係 以引用方式納入本文中。 ' 【先前技術】 在用於半導體基材之高純度產品，例如矽晶圓的製造 中或是在半導體製造的光石印刷步驟中，必需維持高等級 的潔淨度。產品本身必須潔，淨’遍及整個製造程序包圍它 們的氣氛必須潔淨’而且製造中所用的步驟和設備必須不 損害潔淨度。吾人已熟知在微小尺寸之電路與元件納入半 導體晶片的情況下’即使極小的污染物粒子，纟沈積於晶 片表面上時也會對晶片造成破壞。由於系統污帛，因此; 見到在製造期間晶圓和晶片的損失率成為總產量的重要部 分。 晶圓和晶片製造者已投入大量不斷的努力以改善其製 造設備(“fabs”)的潔淨度’包括努力得到高純度的製造盘工 藝材料和氣體。這類努力過去已普遍成功地達到純度限定 在百萬分之-（ppm)及甚至到十億分之_(ppb)㈣内之污 1337102 * 染物等級的氣體。一般而言，製程系統潔淨度的改善會平 打增加晶片的元件密度與減小晶片元件和電路的尺寸。 然而，當晶片元件的尺寸持續減小而元件密度持續增 加時，先前技術達到此種平行改善氣體的能力在近年來已 受到嚴重的壓力。在朝向198 „01與157 nm之半導體技術 進展的情況下，產品容忍污染的能力已大幅降低，而先前 為適當純度的製程氣體則不再適合。已發現先前能達到適 當改善此種氣體純度的比例放大技術在製造較小等級 技術的這些“超高純度”（UHP)系统中無效。再者，於較小 ic尺寸材料的情況下，已發現先前視為較小污染物者會成 大的污^物，並且已發現先前技術之氣體在移除這類 污染物方面不起作用。 :超问純度產與製程工具容易受到會降低產品品質和 產率之氣載分子污染物（AMCs)的影響。AMCs通常包括， 但不限於S〇x、N〇x、石夕氧烷、有機鱗化合物、氨、渴氣 並類個碳）。為了達到本發明之目的，氧和濕氣 並不視為AMCs。 f半導體工業用晶圓的製造中，有三個主要的污染來 ，曰、’晶圓健存容器（例如前開式晶圓盒或FOUPs)本身；* :圓二具之間移動時進入容器的潔淨室空氣以及在各二 降二 =::能吸取污染物的晶圓本身。已開發出充分 移除會形2曰氧污染之方法。此外，已開發出用於 ' V成在日日圓表面上之晶圓與水和氧的反；& |“ & 的氧化物）之大、土 L 札旳反應產物（如矽 。U ’尚未開發出用於有效移除若干氣 栽污木物及其產生於晶圓上的反應產物之技術。 各種污染物具有不同的影響。例如，在光石印刷技術 中，簡單烴類可能會冷凝在透鏡組件上而導致透射損失。 貝经類和有效濃度的輕質烴類不可逆地沈積在光學表面 並纟二由紫外線（uv)曝光而變成石墨化。以類似的方式 a矽有機物，如矽氧烷，在υν輻照下反應能產生可折 彳吸收入射光的Si〇2晶體。其他AMCs，如Ν〇χ和s〇x i典型為式中OCXS 3,會引起光霾。鹼性AMCs，如胺類 * 了會引起光霾之外’還會抑制光酸。在光石印刷技術 景中’氧和水可能不利於製造工藝而在先前技術中典型 皮視為AMCs。近來，據Veillerot等人（仏/M Sum 户“⑽咖第92冊，勒年，第1()5至ig8頁）報導當 晶=在氣態氧化物與多晶錢積步驟之㈣存於連續流動 洗乳時，大氣中的烴污染已對4 5⑽栅氧化層的完整 性有不利的影響。
^嘗試減少此污染的方法包括大規模化學過遽潔淨室空 耽’及由開放晶圓匣盒移至密閉B 妗…* 在閉日日圓匣盒，以及在儲存和 輸达期間用氮氣清洗晶圓。用氮氣清洗UHP元件，例如閥 與氣體輸送管路，已行之有年，t ^ _ 亚且此有效地移除氧和水 旦砧曰η 光大體積的1C製程設備和大 里的曰日圓^可能所費不貲而且會造成嚴重的窒 此外，用氛氣清洗受煙污染表面被懷 除烴類。 勹+靶凡王有效移 分析氣流中污染物的方法為 所熟知。第I圖（先前 1337102 技術）為與氣相層析儀氣體分析系統丨2〇聯結之雙重稀釋系 統1 00的示意流程圖。包括質量流量控制器！06、i08、 Π 0和1 12的雙重稀釋系統丨〇〇能在遍及六個大小級次 (1〇6)的範圍用載體氣體102精確地稀釋氣體標準物114。 一般可得到在百萬分之一範圍的氣體標準物可以用系統 100有效地稀釋至萬億分之一（ppt)的範圍。稀釋系統1〇〇 可與氣相層析儀系統丨20聯結，以藉由使該稀釋系統之輸 出Π 6連接至層析氣體分析系統丨2〇之輸入丨22而達到校 準層析儀126的應答之目的。在注入氣相層析儀126之前 ，冷捕集器1 24係聚集樣品中的冷凝烴類。用這種方式， 可以增加層析儀的有效靈敏度及可靠地測量ppt等級的烴 濃度。 第2圖（先前技術）為對於與稀釋系統1〇〇聯結的分析 系統120而言，各種烴分子，包括苯2〇6，曱笨2〇8，乙 苯210，間-、對-二曱笨212、鄰·二甲苯214、另一個甲苯 216之仏號應答區域2〇4對樣品烴濃度2〇2的校準圖2〇〇 。數據220顯示在最小靈敏度為】邮的情況下，遍及差 不义^個大小級次的峰面積2〇4與濃度2〇2之間的線性應 答關係。 第^圖（先前技術）為對於含有丨ppt之苯、甲苯、乙苯 與-甲笨之每-種的樣品而言，時間搬對氣相層析儀 1 26之偵松窃化號3〇4 @囷。在此可見到混合物中】 _等級濃度的每個烴類係產生I 306、甲苯308、乙苯 3 1 0與一甲笨3 1 2的清楚識別+。 1337102 【發明内容】 I發明大體上係針對從表面移除氣載分子污染物 (AMC)之方法’其包括使至少一部分的表面及包圍該表面 之區域與淨化清洗氣接觸，其中該清洗氣包含氧、水或其 組合’該淨化清洗氣以體積為基準具有低於約1十億分之 一（ppb)的AMC濃度；藉由使一部分的污染物從該表面轉 移到邊淨化清洗氣中而產生受污染之清洗氣；及使該受污 染之清洗氣從該表面移除。 本發明之一目的係提供一種從表面（通常在裝置内部 )移除氣載分子污染物（AMCs)之方法。於一具體實例中， 此方法包括將含有氧與較佳以體積為基準具有低於丨十億 刀之一 AMC濃度的清洗氣導入裝置的内部，使至少一部 分的表面與清洗氣接觸，藉由使一部分的分子污染物從表 面轉移到清洗氣中而產生受污染之清洗氣，及將受污染之 /月洗氣移出裝Ϊ °典型而言持續或重複前述步驟直到受污 染之清洗氣中的污染物濃度降低至期望值，以體積為基準 摩乂佳為低力1十億分之_，以體積為基準更佳為低於1〇〇 PPt的污染物為止。此外，人备、太A a u c外含氧清洗氣可進一步包含濕氣（ 亦即水分）。 在本發明之另一具體實例中 介於1和25體積％之間的氧， 度低於1 ppb的清洗氣淨化， 部’使至少一部分的表面與淨 分的分子污染物從表面轉移到 此方法包括使含有濃度 亦較佳為具有分子污染物濃 將淨化清洗氣導入裝置的内 化清洗氣接觸，藉由使一部 淨化清洗氣中而產生受污染 10 1337102 之清洗氣，及將受污染之清洗氣移出該裝置。此方法典型 而吕尚包括持續前述步驟直到受污染之清洗氣中的污染物 濃度降低至期望值，較佳為低於約i ppb，更佳為低於約 100 ppt為止。此外’含氧清洗氣可含有濃度介於約1 〇〇 PPm至約2體積％之間的水。 在本發明之第二具體實例中，在匕方法包括使含有水（如 濃度介於約100 ppm與約2體積％之間的濕氣）與具有分子 亏木物濃度小;^ 1 ppb之整體混合物的清洗氣淨化，將淨
化清洗氣導入裝置的内邱，# E A 严 門。卩使至少一部分的表面與淨化清 :主氣接觸肖由使部分的分子污染物從表面轉移到淨化 先氣中而產生爻巧染之清洗氣，及將受污染之清洗氣移 /裝置。此方法典型而言尚包括持續前述步驟直到受污 木之清洗氣中的污染物澶洚& & u _ . 初，辰度降低至期望值，以體積為基準 佳為低於約1 ppb的污芈你 * 冰心 木物更佳為低於約100 ppt的污 水物為止。 “ 本文中所揭示的方法姓: ^ 如和古 ^ 特别可用於使污染物從表面，例 面，、_ 汰 表面與在氣體管線中的閥之内表 移除。 内表面（如製造矽晶圓所用的閘室） 【實施方式】 污染物的清洗在許多庫 fak丄 傅用方面是必須的。例如，在 bs中實施清洗UHP元件盥 用者。t t t 〃、11體輸送系統已是多年來所常 限於）微-子m/、土才在右干其他領域包括（但不 )试电子航空太空、光輋大； 疋于方面也是必須的，以用於 1337102 清潔設備’如LCD基材、奈米結構表面、晶圓、標線片和 光學組件。所揭示的方法通常適用於這些領域。就歷史觀 點而言’在“烘乾”這些元件期間已使用高純度的氮和細 於1 ppb的氧、水蒸氣、co、c〇2和烴類）作為清洗氣。此 “烘乾，，程序如此命名是因為用氮或義清洗的主要目的是移 除吸附的表面雜質，例如水和氧。 清洗氣典型為惰性者。藉由清洗氣移除污染物可藉由 不同機制而發生。在清洗程序期間，污染物係擴散到清洗 氣中，藉由達到在清洗氣中與在表面上的污染物濃度之間 的平衡而被帶到流動的氣流中。這需要大量足夠潔淨的 腑氣體以吸收非常低量，典型為ppb的污染物。 吸附至表面(如矽或不錢鋼)上的污染物種亦可藉由動 力效應脫附。這在清洗氣以高流率羼擊表面並與吸附物種 碰撞時會發生。在碰撞期間動能可能會轉移而可能導致脫 附。在上述程序中，並沒有防止污染物再吸附至表面。 儘管不欲受限於理論，但咸信本發明係提供一種由正 電性表面(如某些塑膠、矽和不錄鋼)清洗污染物的新穎範 例。本發明係提出除了動力效應之外，非惰性分子，例如 氧和水能展現出化學效應。氧和水分別由於它們的負電性 ==，因此它們對於表面之正電性表面具有強親合 力與形成弱鍵結之吸收薄層。此外，氧和煙的碰撞可能導 致極化甲間體’其中係減弱烴對於金屬表面的親合力而能 夠更容易地清洗煙。一旦碰撞導致脫附，污染物種的再吸 附就會受到氧薄層的阻礙。在水的情況下，其形成更強的 12 1337102 表面鍵結，此薄層甚至更堅硬而能防止再吸附。氮比較沒 有這樣的保護性能，因為它的負電性不如氧，纟薄層為非 常弱的結合而且效果較差。此外，乂比〇2輕；因此，在 相同速度下具有較小的動力效應。此提出之機制並非本發 明之限制。 在本發明中，氧的有效濃度可以在如下說明的整個大 範圍内變化。對應於普通空氣中所發現之公稱濃度為17 至21%的氧係包括在此有效濃度範圍内，以解決成本與窒 息危害的兩個問題。此外，這些含氧之清洗氣混合物能達 到高度清洗而產生低ppt範圍之污染物的量。現行技術中 已知的淨化程序（通常用以淨化氧）能應用到潔淨乾燥空氣 (CDA)、多數工業fab薇中所發現之常用試劑，或其他氧 混合物的淨化。用於.本發明的淨化空氣（亦即含有低於約ι ppb的污染物，特別是低於100 ppt的污染物，如低於約 10 ppt的污染物，例如低於約〗ppt的污染物）將稱為 XCDA (超潔淨乾燥空氣’ XCDA 為 Mykr〇Us c〇rp〇raU〇n 的註冊商標），以明確區別它與CDA —此項技術中常用的 術語’係指含有達到100 ppm之污染物，典型為10至 ppm之污染物的空氣。製備XCda的淨化器係例如由美國 加州聖地牙哥（San Diego, CA)的Aer〇nex，Inc,所製造（如 GateKeeper®淨化器的0PTICStm氣體淨化器系列；特別是 〇-系列），其現在為美國麻薩諸塞州比勒利卡（Billerica ΜA)之Mykrolis Corporation的分部。製備達到足夠純度的 氧和含氧氣體之方法為熟習該項技術者所熟知（如參見美國 13 1337102 專利案號6,391,090 ’其係以引用方式納入本文中）。如果 市售來源的清洗氣對於預期應用而言已經夠純，則不需要 使用淨化器與現場淨化。清洗氣中污染物的濃度可藉由適 ‘感應技術’例如由Aeronex所銷售的PACTM萬億分之一 分析儀拖車測量。典型而言’這類技術涉及從遍及冷捕集 器或其内部的氣流中收集污染物歷時一段時間，以足以容 許微量污染物累積到使氣體再揮發之後能以可用儀表精確 定量的程度。 含氧淨化氣體混合物係由濃度介於99體積％與〇.〇〇〇! 體積％ ’較佳為介於25體積％與o.i體積％(如介於25體積 %與1體積％) ’更佳為介於21體積％與1,〇體積％之間的 氧所組成。此外，清洗氣視需要可含有丨〇〇 ppm至2體積 %，較佳為100 ppm至0.5體積％的水蒸氣。此混合物的剩 餘物應為選自由氮、氬、稀有氣體、二氧化碳和甲烷所組 成之群組中的惰性氣體。較佳而言，氮應為主要惰性成分 ，而惰性氣體的所有其他成分係以低於約1體積％存在。 較佳而言，非曱烷烴類、揮發鹼、揮發酸、耐火性化合物 與揮發性金屬化合物的量應低於1 ppb。較佳而十，：亏3 物的量應低於100 ppt，更佳為低於10 ppt，最佳為低於^ ppt。特定的淨化手段為熟習該項技術者所熟知。 當本發明之清洗氣中水的有效濃度存在時，可在欲清 洗設備中從約100 ppm變化至約2體積％，典型為不超過 0.5體積％。清洗氣的其他成分（如氧、惰性氣體）係如上一 段對於含氧清洗氣所敘述者。理論上，可以使用較高的水 14 丄丄 X…、而纟使用前從設備中移除如此高的濃度可能是 :切實際的。因為就歷史觀點而言氧和水已被視為雜質， /、移除污染物之用j令县山t 用途疋出手思料的。應表明的是，氧及/或 水混合物不僅像UHP氮氣一樣能有效地從表面移除煙類， 而且它們實際上還表現出改進的效能。 本文中所揭不的清洗法可在遍及大範圍的溫度下進行 -^•而σ &等方法在介於環境溫度（約2代）與5『c之 間的溫度下進行。X jR II /ψ ,
不k此專方法視需要可在達到約l〇〇°C 或甚至1 5 0 °C的溫/if 丁 .仓― X 進订。此溫度典型係根據下列準則
而選擇，其包括欲清：繁 、J 水凡件的耐熱性、在各種溫度下污染 物的揮發性與在製造程序 ^ β <便續步驟期間兀件（如石夕晶圓） 將承受的溫度。 第\ 圖為根據本發明具體實例之試驗裝置的示意流程 圖如先剛所述的雙重稀釋系統！ 〇〇係用來由氣體標準物 1】4產生已知的烴澧声。甘 _ ^ 他3染物的濃度曲線可使用熟
…夫的方法同樣地建立。使氮、XCDA
其他含氧混合物供給入載體給X 八戰體輸入口 1〇2。當產生污染測 裝置表面的烴混合物時，名於λ λ ^ f在輸入口 102處選擇氮，烴成分 濃度係由質量流量控制器！ os ρ , , Λ k ^ 利益108至Π0與氣體標準物丨14中 的煙類濃度決定。當評杜、·軎Α 肀怙/月洗軋的清洗效能時，在輸入口 ]0 2處係選擇氮或氣和氢的.、s八 不軋的"匕合物，並關閉閥1 09與開啟 閥1 07及/或1 1 1。淨化器1 〇4传，落外备―、各^ 你化氮或氮·氧之混合物。 1 〇〇所產生的氣體混合物 DUT 402的烴濃度導入 使系統 將離開 導至待測裝置（DUT) 402。 氣相層析儀氣體分析系統 15 1337102 彻的輸入口 ’122巾’在此烴量可如同先前敘述及熟習該 項技術者已知般地測量。 -般而言’氧混合物的清洗有效性係藉由先以氣氣令 的烴混合物清洗測試裝置而使表面充滿煙類，接著移除氣 體中的煙類，並且用UHP氮氣或淨化氧混合物持續清洗程 序，及測量離開謝之氣體中的煙濃度而測定。離開 謝之氣體中的烴濃度下降得越快，則清洗程序越有效。 第5圖為根據本發明具體實例之晶圓閘室500的橫、 面不意圖。此晶圓開室係用來評估從不錄鋼與石夕表面清； 烴類的有效性。此閉室. -土友榑达山 另八口 506 '出口 508，及在清 洗軋環境中支撐丨〇〇 m直 曰m I仫之矽基材510的支架512。 日日圓閘至的内表面為電拋并 D(ref 502u“ 不錢鋼。晶圓閘室的直徑 u (rei 502)為 6.0 吋，具有 3 9 蚪 _ 曰圓門-于的兩度大小H (ref 504)。 日日圓閘至500係如同第4 連接。 汀丁之糸統中的DUT 402般地 第6圖為根據本發明罝 方塊圖月具”例之第-清洗程序的流程 之清洗氣混合物。減在 〃中係#化3氧 淨化之後# ώ '』、' 17夺，典型係於利用步驟1 928 孕化之後错由通過增濕裝置 合物。或者，使清洗氣含有渴Γ 至含氧之氣體混 由熟習該項技術者已知的任何方二是不含氧。濕氣可藉 ，可容許精7方法（如起泡器）添加。然而 丁两在控制濕氣添加量 有定義滲水性的已校準焚“ 法為較佳者。若干種具 tf J匕仅準官為孰 售者。管係、由耐綸、石夕、鐵㈣技術者已知而且為市 氟龍⑧（聚（四氟乙烯）；PTFE)與 16 1337102
Naf10n® (Dupont)所製成。 欠净化清洗氣通過閘室，而含 有超純水（低於1 ppb之：亏、九 .. . ^ 、 木物）的管係穿過該閘室。加入 淨化清洗氣的濕氣量可 了針對水和清洗“者的特定流率而 决疋。攻類方法為孰習访s 10^9 φ ¢- ' ΠΛ 、技術者所熟知。使增濕清洗氣 在步驟1932中輸送至裝置。 在步驟1904中，借冬士容 有氡及/或水的淨化清洗氣供給 入奴清洗裝置。視情況而定， 此裝置可在步驟1 908中加 熱以減少清洗時間。如果蚀田a & 果使用加熱，則此程序沿著途徑 1906與1910進行到步驟1912。在步驟m2中使一部 刀的内表面與3有氧及’或水的清洗氣接觸。在步驟丨914 中’存在於裝置内表面上的_Λ ,· _ 刀巧乐物係轉移至清洗氣 而產生父污h之清洗氣。在欲法、、Φ #番r)n « ι 牡攸先裝置内所包含的表面可 為金屬、金屬氧化物、今屑ρ, #人札 么屬間化合物、矽、矽的氧化物、 陶究、氮化物及/或塑膠。較佳而古， ΨΧΊ£ ^ °此荨表面為電拋光不 銹鋼、矽與矽的氧化物.同樣地在步驟MM中，將受污 $之清洗μ^置。在步# 1916中’持續此清洗程序 直到清洗氣中的污染物濃度低於預定限度為止。此限度可 低於】PPb，較佳為低於100 ppt，更佳為低於丨〇 ρρί二最 佳為低於1 ppt。於較佳選擇性步驟丨9 ] 8中，含有氧和水 的清洗氣或含有水的清洗氣係利用包括氧、氮或其他能移 除水之惰性氣體之乾燥氣體來清洗而移除，這與若干高純 度應用並不相容。於另一較佳選擇步驟1918中，如果裝 置在氧被視為不合需要的情況下運轉’則含氧清洗氣係利 用氮或另一種惰性氣體清洗而移除。這些選擇步驟1 9! 8 較佳為在加熱裝置時 192? , ^ 仃。如果加熱裝置，則此裝置應於 步驟1922中冷卻並經 中的運轉。 途仏1920與1924返回步驟1926 =7圖為根據本發明具體實例之第二清洗程序的流程 方塊圖2000。此程序起 主 斤起始於步驟2002 ’其中係淨化含氧 /月/先氣混合物。惰性裔种& φ 〆 札體的要求係如上所述。獲得這類高 屯度乱體的淨化手段為熟習該項技術者所熟知。在步驟 2〇04巾，含氧之淨化清洗氣視需要於步驟2_中供給入 增濕裝置2032並於步驟2G34中返回以供給入欲清洗裝置 或者使淨化/月洗氣增濕，但是不含氧。視情況而定， 此裝置可在步冑2GG8中加熱以減少清洗時間。如果使用 加熱，則此程序沿著途徑2〇〇6與2〇1〇進行到步驟2〇12。 在步驟2012中，使—部分的内表面與含有氧及/或水的清 洗氣接觸。在步驟2016中，存在於裝置内表面上的一部 分污染物係轉移至清洗氣而產生受污染之清洗氣。在欲清 洗裝置内所包含的表面可為金屬、金屬氧化物、金屬間化 合物、矽、矽的氧化物、陶瓷、氮化物及/或塑膠。較佳而 言’此等表面為電拋光不銹鋼、矽與矽的氧化物。同樣地 在步驟2016中，將受污染之清洗氣移出裝置。在步驟 201 8中’此清洗程序係持續達一段預定期間。這可能比將 清洗時間以污染物濃度的測量為基礎更加方便，其需要複 雜而靈敏的分析設備。於較佳選擇步驟2020中，含有氧 和水的清洗氣或含有水的清洗氣係利用包括氧、氮或其他 能移除水的惰性氣體之乾燥氣體清洗而移除。如果此裝置 18 1337102 在氧被視為不合需要的情況下運轉，則應使用氮或惰性氣 體作為清㈣清洗。如果加熱此裝置，則此裝置應於步驟 2024中冷卻並經由途徑2〇22與2〇26返回步驟2〇28中的 運轉。 第8圖為根據本發明具體實例之第三清洗程序的流程 方塊圖2 1 00。在步驟2】〇2中’係提供惰性氣體。惰性氣 體的要求係如上所述。在㈣21G4中，惰性氣體係經由 熟習該項技術者所熟知的程序淨化》在步驟2106中，係 提供實質上的純氧或含氧混合物。在步驟2〗〇8中，氧或 氧混5物係‘纟由熟習忒項技術者所熟知的程序淨化。在步 驟2110中，使來自步驟21〇8的淨化氧或氧混合物與來自 步驟2104的淨化惰性氣體結合。視情況而定，淨化階段 可在步驟2110中於結合氣體之後進行。在步驟2n〇之後 ，含氧淨化清洗氣視需要於步驟2136令供給入增濕裝置 2138並於步驟214〇中返回，以便使含有氧及/或水的淨化 清洗氣供給入欲清洗裝置。視情況而定，此裝置係於步驟 Η 6中加熱以減少清洗時間。如果使用加熱，則此程序沿 著途徑2114與2118進行到步驟2120。在步驟212〇中， 使一部分的内表面與含氧清洗氣接觸。在步驟2122中， 存在於裝置内表面上的一部分污染物（如烴類）係轉移至清 洗氣而產生受污染之清洗氣。在欲清洗裝置内所包含的表 面可為金屬、金屬氧化物、金屬間化合物、矽、石夕的氧化 物 '陶瓷 '氮化物及/或塑膠。較佳而言，此等表面為電拋 光不錄鋼、矽與矽的氧化物。同樣地在步驟2122中，將 19 切 7102 ⑼洗氣移出裝置。❹驟2124中’此清洗程序係持續 達—段預定期間’或達到預定烴量。此量典型為小於1〇〇 Ppt，但較佳為小於1〇 ppt。於較佳選擇步驟2丨26中含 有氣和水W青洗氣係_ &括氧、氮或其他能移除水的 眭氣體之乾燥氣體清洗而移除。如果此裝置在氧被視為不 ^需要的情況下運轉’制使用氮或惰性氣體作為清潔後 凊洗。如果加熱此裝置，則此裝置應於步驟21 3〇中冷卻 並經由途徑2128與2132返回步驟2134中的運轉。 實施例1 用氧混合物從316不銹鋼電拋光表面移除烴類的有效 性係示於此實施例中。316 +銹鋼電拋光表面係廣泛地用 於質量流量控制器、壓力調節器與互連管路和管材中的 UHP氣體分配系統。它們也廣泛地用來作為半導體製造設 備中的製程室材料。空（沒有矽晶圓51〇的存在）的晶圓閘 室500先用含有大約10 ppb的苯、曱苯、乙苯、間與對二 甲笨及鄰二曱苯之每一種的氮-烴混合物清洗大約3 5小時 。在烴暴露之後’此晶圓閘室用UHp氮氣清洗並測量離開 此閘室之清洗氣中的烴濃度。接著重複烴暴露。在第二次 蛵暴露之後，此晶圓閘室用淨化XCDA清洗，其含有大約 20體積％的氧。 第9圖為根據本發明具體實例，在閘室中沒有晶圓的 f月况下離開第5圖之晶圓閘室的兩個清洗氣混合物之烴 濃度604對時間6〇2的圖_。虛線曲線6〇6表示在純氮 20 1337102 >月洗風的情況下，離開晶 从她、曲由^ a阊閘至之π洗氣中全部六種烴類 的…/辰度衮減應答。實曲绫- 、 只坶踝008表不在淨化XCDA清洗 的情況下，離開晶圓閘室 虱 备吝.w、成^· 至之肴洗軋中全部六種烴類的總濃 度农減應善。符號61 0係指出i # χ 時的位置。 “Μ卿Α取代含.烴清洗氣 將曲線606和608中炉雔的攻扮Ba 體積大約為15升及、青、已知晶圓閉室 巧1.5升“洗流率為〇75升/分鐘， PPb的烴濃度稀釋到10 ppt所要花費的時間做比較 均：混合系統而言’要花費約8·7時間常數使最 ： 的浪度降低至1〇 PPt。此時間常數係定義為晶圓閉室體： 除以清洗流率。在大約兩分鐘的時間常數下，簡單稀^積 初始點至違到10 ppt花不到20分鐘。XCD 純氮達到U) ppt的實際時間相當長，顯示從不錄鋼^ 的移除控制了晶圓閘室的烴洗脫。其他試驗已顯示一 類藉由淨化XCDA減少到非常低的量（1〇 ppt及以下一旦煙 由卿氮氣的後續清洗便不會產生高於 ’藉 得量的烴濃度。 XCDA所 實施例2 在此實施例中，除了在暴露於氮·烴混合物之前將 mm (4对）的裸石夕基材51〇置於晶圓閘室5〇〇以外， 施例1所述的試驗^ 1()圖為根據本發明㈣ ^ 閘室中有矽晶圓的情況下’離開帛5圖之晶圓開室的兩 清洗氣混合物之總烴濃度7〇4對時間7〇2的圖7〇〇。固 。曲線 21 ^37102 7〇6表示當晶圓閘室與晶圓利用UHP氮氣清洗時烴濃度的 衰減。曲線708表示當晶圓閘室與晶圓利用淨化XCda清 洗時烴濃度的衰減◊符號7 1 〇係指出氮_烴混合物之進料終 止時的大概位置。曲線7 0 6和7 0 8係清楚指出從矽基材移 除垃比晶圓閘室的不銹鋼表面慢很多。如同於先前實施例 I中，與UHP氮氣（曲線706)相比時，含氧清洗氣（曲線 7〇8)顯示能更快降低烴濃度。帛u圖為更詳細表示時間間 隔由10 hrs至25 hrs之第10圖的展開圖。在此由圖8〇〇 可以更清楚地見到XCDA清洗之烴濃度8〇4對時間8〇2 ( 曲線808)在UHP氮氣曲線806的前面。在2〇 ppt的濃度 等級下’ UHP氮氣應答落後XCDA應答將近5小時。這當 $意味著用UHP氮氣清洗晶圓問室與晶圓達到2〇 = 等級需要多出5小時。 實施例3 第12圖為根據本發明具體實例，在閘室中有石夕曰圓 ^洗氣含有0%、1%和20%氧的情況下，離開第二之 日曰圓閘室的三個清洗氣混合物之間- 對時間嫩的圖_。在此實施例中，；7:二濃度904 在氮氣中）與贿氮氣做比較。所用H %氧（ 間一心=::在:: 第:：2中’在經暴露之前將砂基材置於 第12圖中的曲線9〇6顯示*咖氮氣 -中 笨的濃度應答均為時間的函數 ：：兩種二甲 叉908顯不在氮氣中含 22 1337102 以氧⑺體積計）的清洗期間兩種二甲苯的濃度應答均為時 間的函數。曲，線910顯示在氮氣中含2〇%氧（以體積計 KXCDA)的清洗期間兩種二甲苯的濃度應答均為時間的函 數。符號912係指出烴進料氣體終止的位置。第η圖為 更詳細表示時間間隔由5化至25 hrs之第丨2圖的展開圖 。在此由圖刪可以更清楚地見到】％氧的清洗氣與鳩 氧的清洗氣之烴濃度1_對時間·2 (曲《⑽8與曲線 1010)在卿氮氣曲線嶋的前面。由三個曲線義至 1〇丨〇的比較來看，可注意到對於1〇ppt以上的烴量而言， ]%氧和20%一樣有效，但較高的氧濃度在】〇_以下的量 具有輕微的優勢。兩種含氧清洗氣均顯示出比用聰氮氣 清洗顯著的優勢。 實施例4 第14圖為根據本發明具體實例，在閘室中有矽晶圓， 而/月洗氣含有〇%、〇.〇〇〇1%、〇 〇1% 〇1%和氧的情 況下離開第5圖之晶圓閘室的五個清洗氣混合物之烴濃 度1104對時間1102的圖110(^如實施例1中所述烴_ 氮污染混合物為60 PPb的總烴濃度。代表UHP氮氣（符號 1106，曲線ln6)、氮氣中含〇.〇〇〇〗％氧（以體積計）1108、 IL氣中含0·01%氧（以體積計）111〇、氮氣中含〇 1%氧（以體 積汁）1112，及氮氣中含1%氧（以體積計穴符號1114，曲 線1 1 1 8)之清洗應答的數據係描繪於圖1100中。所有數據 均落在0 /。氡曲線1 u 6 (UHp気氣）與^。〆。氡曲線丨1 1 8之間 23 1337102 ’這是可預期的。在所示的氧濃度範圍内，清洗有效性隨 著氧濃度增加而增加。第1 5圖為更詳細表示時間間隔由 10 hrs至24 hrs之第14圖的展開圖。烴濃度1204對時間 1202的圖1200係以代表UHP氮氣（符號1206，曲線1216) 、0.0001%氧 1208、0.01%氧 1210、0.1%氧 1212，及 1〇/〇氧 (符號1214 ’曲線121 8)之清洗應答的數據描繪。參見表示 烘乾時間對溫度或濃度之第1 6至21圖。 實施例5 用水混合物從3 1 6不銹鋼電拋光表面移除烴類的有效 性係示於使用與實施例丨類似之方法的此實施例中。參見 第22圖。最初使淨化氮氣與六成分的烴氣體標準物（苯、 甲笨、乙苯、二曱苯；ΒΤΕχ)混合以產生6〇 之總有機 化合物(TOC)的已知挑戰。收容晶圓的晶圓閘室係於〇 75 slm 30 psig肖％境溫度的標準操作條件下使用工作氣體 (challenge gas)清洗。使用氣相層析儀用火焰離子化檢測器 測量晶圓問室流出物的烴量直到其濃度達ppb±2 ppb 的烴為止。使閘室相條件的穩定時間出現在4到$小時 在晶圓閘室充滿60ppb的取之後，關掉则乂挑 1物：將Γ氣或氧添加至指示的I氣流。監測晶圓閘室流 出物直到其TOC濃庶忸弘s7 、_ '、乾至每個污染物低於1 0 ppt的等 級為止。 第23圖為根據本發明具體實 例 在清洗氣含有100% 24 1337102 氣’ 20%氧，0.5%水和loo ppm水的情況下’離開第5圖 之晶圓閘室的四個清洗氣混合物之時間1 602對乙苯濃度 1 604的圖1 6〇〇。如實施例1中所述’烴-氮污染混合物為 60 ppb的總烴濃度。代表乙苯對UHP氮氣1606、氮氣中 含20%氧（以體積計）16〇8、氮氣中含1〇〇 ppm水（以體積計 )16丨〇及氮氣中含0.5%水（以體積計）1612之清洗應答的 數據係描繪於圖1600中。在所示的水濃度範圍内，清洗 有效性隨著水濃度增加而增加。 第24圖為根據本發明具體實例，在清洗氣含有1 〇〇% 氮，20%氧，〇_5%水和1〇〇 pprn水的情況下，離開第5圖 之晶圓閘室的四個清洗氣混合物之時間1 702對鄰-二曱苯 濃度1704的圖1700。如實施例1中所述，烴-氮污染混合 物為60 ppb的總烴濃度。代表鄰-二甲苯對UHP氮氣1706 、氮氣中含20%氧（以體積計）1708、氮氣中含丨〇〇 PPm水（ 以體積計）1710及氮氣中含0.5%水（以體積計）1712之清洗 應答的數攄係描繪於圖1 700中。在所示的水濃度範圍内 ，清洗有效性隨著水濃度增加而增加。 第25圖為根據本發明具體實例，在清洗氣含有1 〇〇〇/。 氮’ 20%氧，〇. 5%水和1〇〇 ppm水的情況下，離開第5圖 之晶圓閘室的四個清洗氣混合物之時間18 0 2對對-與間-二 甲苯濃度1804的圖1 800。如實施例i中所述，烴-氮污染 混合物為60 ppb的總烴濃度。代表對-與間-二曱苯對UHP 氮氣1806 '氮氣中含20%氧（以體積計）1808、氮氣中含 100 ppm水（以體積計）1810及氮氣中含0.5%水（以體積計） 25 1337102 1812之清洗應答的數據係描繪於圖1600中。在所示的水 濃度範圍内，清洗有效性隨著水濃度增加而增加。 表1 使用濕氣減少烘乾時間 烘乾時間差(Hr) 比較清洗氣 乙苯 間-、對-二甲苯 鄰-二甲苯 N2中含乾N2與0.1%H2O 5.03 9.60 7.57 N2中含乾N2與0.5%H2O 6.37 12.25 9.57 XCDA 中含乾 XCDA 與 0.1 %H20 2.23 5.42 4.83 XCDA 中含乾 XCDA 與 0.5%H2O 3.70 6.93 4.93 參見表示烘乾時間對溫度或濃度之第26至28圖。 實施例6 在與UHP設備之去污染用氮氣相比以測定XCDA之 效能的比較試驗中，係組裝定量測量系統，其包含分別來 自不同製造商的三種市售UHP隔膜閥。此設置係示於第 29圖，1 300。為了進行脫氣試驗，每個待測閥1 302，VUT 係如圖示直接連接在冷捕集器1 304的上游。淨化樣本氣 體（N2或XCDA)係以氣體純度規格低於1 ppt的烴輸送通過 每個 VUT。供應物N2和XCDA係分別用惰性淨化器 (Aeronex，SS-500KF-I-4R)與光學淨化器（Aeronex，SS-700KF-0-4R)淨化。加熱帶與溫度傳感器係纏繞VUT以加 熱並監測溫度（未圖示）。當氣體清洗通過VUT時，將任何 脫附污染物收集在下游的冷捕集器中以得到氣相層析圖 1 3 04中的烴分析。 選擇閥作為UHP系統污染源的代表，因為先前研究已 26 1337102 顯示煙污染係由閥中彈性丰 τ谇隆兀件脫軋所產生的證據。偵檢與 ::係利用冷捕集器收集與氣相層析測[污染物的大小 係：由管柱(T〇C)上的停留時間與已知標準物相比而測定 1:析圖1400和1500,其分別表示在兩個不同溫度，環 士見與約m：下，由閱脫氣之以分鐘計的時間14〇…5〇2 1404與1504,係示於第3…1圖中。根據用 層析法“斤之污染物大小的初步分析係示於下表2中。 表2 -GC/FID分析以總有機沄选从^ , 時間____ ----：_- . y ^J\ Ύ/4 \ J 化会你 之污染物 <10分鐘 〇 Ayj —__脫氣％ 10-16分鐘 j ____ 10-20% 16·25分鐘 V 1 |l〇J 11-15 個 rjii ~_ 0-5% >25分鐘 > 1 S r* 20-40% __ -__50-80% —應注意的是大多數釋放的污染物為高分子量污染物。 廷與分析低分子量烴類（亦即少於8 山 主 前實施例形成對比。 、&)之 洗作用的先 在環境溫度（大約20。〇下於0 4 、 、〇和6〇分鐘時與在80t =〇、則°72()分鐘時進行系統操作之測^藉由不同 軋體進行單程與雙程清洗兩者 广生 < 測1。在每個實例中，氮 “洗之後接著為則A清洗。在雙程試財以清 洗之後接著為第二次氮氣清洗。= ' 逄4一 —種不同UHP閥的試驗係 甚=果。其中—種間係由低量的烴脫氣開始 另=:rxCDA測試期間也不會…〜，而 種則產生對溫度靈敏的污染結果。剩下的間係由_ 27 1337102 開始而在1〇〇〇’ 適當清洗錢循環^^峰/從好的方面來看，所有經由 的偵檢能力之i =此達到位於或低於我們測試儀器 ，'-PPt下限的量。這顯示經由適去的褚产理 ，廷些閥的其中任材一 、田的預處理 e α,ι 種都可以用於使1 Ppt的JI砰於贫 至製程的UHP營技么ΡΡ的轧體輸送 系統。關於產生1 〇〇至1 〇〇〇 之閥的結果係如以下矣,士 主1000 ppt脫軋 八卜表3中所示。
從表3的數據來看，顯然在遍及所有溫度和時間的範 圍下，用氮氣清洗對閥只能產生有限而且相當不可接受的 烴污染減少。用XCDA的後續清洗係使烴污染物的量減少 至顯著更低的量，而以2至25的因數改善氮氣清洗下限 。再者，與氮氣清洗達到效果顯著之減少所需的時間相比 ，XCDA清洗達到低量係於極短的時間内發生。（在〇和 28 1337102 60分鐘之間於環境溫度下第一次氮氣清洗及8(rc下xcDA 清洗所見到的増加相信是由於彈性元件内的若干烴污染物 移動至清洗的表面需要時間所致。此乃閥之彈性材料的物 理現象並不代表個別氣體的清洗能力。） UHP氣體管線驗證的一般公認協定需要用氮氣大量清 洗接著確S忍管線在氮氣清洗的環境中不含污染物。然而’ 對於所有閥而言’ XCDA會揮發在UHP氮氣清潔和熱循環 之後所殘留的額外烴類。甚至於在環境溫度下，當暴露於 富氧清洗氣時會釋放額外的烴類。 進行第二組試驗以測定由使用清洗氣之順序所導致的 任何效應。測試來自同一製造商的兩個相同市售閥之烴去 污染作用。其中一個（A 1)用氮氣清洗之後是使用xcDA清 洗，而另一個（A2)用XCDA清洗之後是使用氮氣清洗。結 果係示於下表4中： 表4 氮氣/XCDA清洗對XCDA/氮氣清洗
時間 溫度 閥A1 閥A2 一 (分鐘） (。。） N2 (ppt) XCDA _ (ppt) XCDA (ppt) N2 (ppt) 0 環境 50 50 50 90 一 60 環境 10 190 19 9 一 0 80 220 220 510 2 一 60 80 200 100 35 2 720 80 10 5 0 〇 . J 壞境溫度下的X C D A步驟係產生與氮氣清洗類似的結 果。但是，當閥A2在XCDA清洗下加熱至80°C時，烴脫 29 1337102 氣速率係顯著地增加，接著快速地下降到低於偵檢設備的 極限。在氮氣中重複此試驗顯示有少許改善。當利用氮氣 清洗時，UHP元件係產生烴類的連續釋放。由於重質烴類 緩慢移動通過管路系統，因此實際峰值往往直到清洗開始 之後很久才出現。 儘管已特別陳述及說明關於本發明之較佳具體實例， 然而熟習該項技術者應瞭解在此可進行形式與細節上的各 種改變，而不致脫離由後附申請專利範圍所包含本發明之 範疇。 【圖式簡單說明】 (一）圖式部分 第1圖為與氣相層析儀氣體分析系統聯結之雙重稀釋 歧管的示意流程圖。 第2圖為對於第！圖之設備而言，表示各種煙分子之 信號應答區域對樣品烴濃度的校準圖。 第3圖為對於含有丨ppt的各種烴成分之每一種的樣 品而言，氣相層析儀之偵檢器信號對時間的圖。 第4圖為根據本發明具體實例之試驗裝置的示意流程 圖。 第5圖為根據本發明具體實例之晶圓間室的橫剖面示 意圖。 第6圖為根據本發明具體實例之第一清洗程序的流程 方塊圖。 第7圖為根據本發明具體實例之第二清洗程序的流程 30 1337102 方塊圖。 第8圖為根據本發明具體實例之第三清洗程序的流程 方塊圖。 第9圖為根據本發明具體實例，在閘室令沒有晶圓的 情況下’離開第5圖之晶圓閘室的兩個清洗氣混合物之烴 漢度對時間的圖。 第10圖為根據本發明具體實例，在閘室中有矽晶圓的 清況下’離開第5圖之晶圓閘室的兩個清洗氣混合物之烴 濃度對時間的圖。 胃 1 1 圆為根據本發明具體實例，更詳細表示時間間隔 由 10 hrs s t 至25 hrs之第ι〇圖的展開圖。 第 、 1 2圖為根據本發明具體實例，在閘室中有矽晶圓， '月；氣含有0%、1%和20%氧的情況下，離開第5圖之晶 圓閘室的—v 巧二個清洗氣混合物之間-與對-二曱苯濃度對時間 的圖。 第 ， 1 3圖為根據本發明具體實例，更詳細表示時間間隔 由 5hrs$ 王25 hrs之第12圖的展開圖。 第 1 4圖為根據本發明具體實例，在閘室中有矽晶圓， 清洗氣人 ' 只 3 有 〇%、0.001%、0.01% ' 0.1%和 1.0%氧的情況 下’離開定 ζ ^ J乐5圖之晶圓閘室的五個清洗氣混合物之烴濃度 對時間的圖。 第 1 5圓、 圏為根據本發明具體實例，更詳細表示時間間隔 由 l〇hrs$ I 24 hrs之第14圖的展開圖。 16圖為使用N2或XCDA在各種溫度下使乙苯量降 31 低至1 Ο β ' pt所需時間的圖。
二甲# μ圖為使用或XCDA在各種溫度下使間-與對-^本的量隊E 幸低至1 0 ppt所需時間的圖。 第1 8圖氣7 土 的息& 為使用或XCDA在各種溫度下使鄰-二曱苯 J里降低至]Λ 卜 10 ppt所需時間的圖。 需時門的圖為在各種氧濃度下使乙苯量降低至10 ppt所 至第20圖為在各種氧濃度下使間-與對-二曱苯的量降低 1〇pptm需時間的圖。 第 2 j v 圖為在各種氧濃度下使鄰-二甲苯的量降低至10 ppt所需時間的圖。 - 22 Si、 圖為實施例5中所述之濕式氣體清洗實驗的示意 叫裎圖。 第23圖為清洗氣在氮氣中含有20%氧，含有100%氮 下在氮孔中含有0 5%水與在氮氣中含有100 ppm水的情況 —寸於離開第5圖之晶圓閘室的四個清洗氣體混合物之 乙笨濃度對時間的圖。 第24圖為清洗氣在氮氣中含有20%氧，含有100%氮 在氮氣中含有〇·5%水與在氮氣中含有100 ppm水的情況 對於離開第5圖之晶圓閘室的四個清洗氣混合物之混 合有鄰-二甲笨濃度對時間的圖。 第25圖為清洗氣在氮氣中含有氧，含有1〇〇%氮 ，在氮氣中含有0.5%水與在氮氣中含有1〇〇 ppm水的情況 下對於離開第5圖之晶圓閘室的四個清洗氣混合物之間- 32 1337102 與對-二曱苯濃度對時間的圖。 第26圖為在N2或XCDA中使用各種濕氣濃度使乙苯 量達到1 0 ppt所需時間的圖。 第27圖為在N2或XCDA中使用各種濕氣濃度使間-與 對-二甲苯的量達到10 ppt所需時間的圖。 第28圖為在N2或XCDA中使用各種濕氣濃度使鄰-二 甲苯的量達到1 0 ppt所需時間的圖。 第29圖為根據本發明具體實例之試驗裝置的示意流程 圖。 第30圖為安裝後立即進行典型閥脫氣的層析圖。 第3 1圖為在80°C下進行典型閥脫氣的層析圖。 (二）元件代表符號 100 :雙重稀釋系統 102 :載體氣體 104 :淨化器 1 06、1 08、11 0、11 2 :質量流量控制器 107 ' 109 、 111：閥 1 14 :污染氣體標準物 1 1 6 :稀釋系統之輸出 1 20 :氣相層析儀氣體分析系統 1 2 2 :氣相層析儀氣體分析系統之輸入口 124 :冷捕集器 1 2 6 :氣相層析儀 400 :氣相層析儀氣體分析系統 33 1337102 402 :待測裝置 ♦
I 500 :晶圓閘室 502、D :直徑 504、Η :高度 506 :入口 508 :出口 5 1 0 :矽晶圓或裸矽基材 512 :支架 1302 ：待測閥 1304 :冷捕集器 34

Claims (1)

1337102 月;^修(更)正替換頁 拾、申請專利範圍： 從表面移除氣载分子污染物（AMC)之方法，其 包括： 使AMC與該表面脫附’其係藉由該表面的至少_部 分與淨化清洗氣接觸，其中該清洗氣包含氧（〇2)、水咬其 組合，且該淨化清洗氣以體積為基準具有低於約1十债八 之一（PPb)的AMC濃度； 將該經脫附的AMC從該表面轉移到該淨化清洗氣中 而產生受污染之清洗氣；及 將該受污染之清洗氣移出該表面。 其 2.—種從表面移除氣載分子污染物（AMC)之方法 包括： 使清洗氣淨化以製造淨化清洗氣，其中該清洗氣3八 氧（〇2) ’且該淨化清洗氣以體積為基準具有低於 3 、· J i十億 分之一（PPb)的AMC濃度； 使AMC與該表面脫附’其係藉由使 冲分的該 表面與該淨化清洗氣接觸； 藉由使-部分的污染物從該表面轉移到該淨化清 中而產生受污染之清洗氣；及 月'氣 將該受污染之清洗氣從該表面移除。 ，其中係重複該方法 以體積為基準是低於 其中該淨化清洗氣 直 約 3.如申請專利範圍第2項之方法 到受污染之清洗氣中的污染物濃度 1 ppb的AMC為止。 4.如申請專利範圍第2項之方法 35 1337102 修(更)正替換頁j 以體積為基準具有低於約100萬億分之一（ppt) AMC的污 染物濃度。 5·如申請專利範圍第2項之方法，其中該淨化清洗氣 以體積為基準具有低於、約1 0 ppt AMC的污染物濃度。 6. 如申請專利範圍帛2項之方法，其中該淨化清洗氣 以體積為基準具有低於約1 ppt AMC的污染物濃度。 7. 如巾請專利範圍帛2項之方法，其中該淨化清洗氣 進一步包含皮。 δ.如甲請專利範圍第 100百萬分之一(ppm)至約2體積％的清洗氣 9. 如申請專利範圍第8項之方法 100卯历至約〇.5體積％的清洗氣。 10. 如申請專利範圍第2項之方法， 置的内表面，其中該裝置係封閉一空間 如申請專利範圍第10項之方法 閉至少一矽基材。 ，其中該水包含約 其中該表面包括褒 〇 ，其中該裝置係封 12. 如申請專利範圍第2項之方法 純度氣體管線元件的内表面。 13. 如申請專利範圍第2項之方法 内表面。 其中該表面為超高 其中該表面為閥的 14.如申請專利範圍第2 受污染之氣體從該裝置移出 置。 之後，使用惰性氣體清洗 15·如申請專利範圍第14項之方法 其中該惰性氣體 36 i337l〇2 p年/月修(更)正替換頁I 疋^自由IL、氬、稀有氣體、甲烧及其組合所組成之群組 〇 * 16. —種從表面移除氣載分子污染物（AMC)之方法，其 包括： 使清洗氣淨化以製造淨化清洗氣，其中該清洗氣以體 積為基準包含濃度介於約1%與25%之間的氧（〇2)，且該淨 化π洗氣以體積為基準具有低於約i十億分之一（ppb)的 濃度； 使AMC與該表面脫附，其係藉由使至少一部分的該 表面與該淨化清洗氣接觸； 將該經脫附的氣載分子污染物從該表面轉移到該淨化 清洗氣中而產生受污染之清洗氣；及 將該受污染之清洗氣從該表面移除。 17. 如申請專利範圍第16項之方法，其包括持續該方 法，直到受污染之清洗氣中的污染物濃度以體積為基準是 低於1 ppb為止》 18. 如申明專利範圍第丨6項之方法，其中該淨化清洗 氣以體積為基準具有低⑨10萬億分之一（ppt) AMC的污染 物濃度。 19. 如申請專利範圍帛16項之方法，其中該淨化清洗 氣以體積為基準具有低於1 ppt AMC的污染物濃度。 20·如申請專利範圍第16項之方法，其中該^爭化清洗 氣進一步包含水。 2!•如申請專利範圍帛20項之方法，其中該水包含約 37 1337102 7?年“攻i修(更征替換頁 100百萬分之一（ppm)至約2體積％的清洗氣。 22.如申請專利範圍帛16項之方法，其中 裝置的内表面，其中該裝置係封閉—空間。"面包括 其中該装置係封 23·如申請專利範圍第22項之方法 閉至少一矽基材。 24. —種從表面移除氣恭公；、一、λ 于轧戰刀子巧染物（AMC)之方沐 包括： 在，其 氣，其中該清洗氣包含 具有低於約1十億分之 使清洗氣淨化以製造淨化清洗 水’且該淨化清洗氣以體積為基準 一（ppb)的 AMC 濃度； 使AMC與該表面脫附 表面與該淨化清洗氣接觸； 其係藉由使至少一部分的該 將該經脫附的AMC 而產生受污染之清洗氣； 從該表面轉移到該淨化清洗氣中 及 將該受污染之清洗氣從該表面移除。 2 5 _如申請專利範園笛 步驟 準是 …粑圍第24項之方法，其中係重複該| 直！又/亏木之m洗氣中的該污染物濃度以體積為邊 低於約1 ppb為止。 2 6.如申請專利範圍筮 固第24項之方法，其中該淨化清洗 氣以體積為基準且右供於 有低於約10萬億分之一（ppt) AMC的污 染物濃度。 27. 如申請專利範圍第 以體積為基準具有低於約 28. 如申請專利範圍第 氣 24項之方法，其中該淨化清洗 1 ppt AMC的污染物濃度。 24項之方法，其中該水包含 38 1337102 界年“)功修(更)正替換頁 100百萬分之一（ppm)至2體積。/。的清洗氣。 29. 如申請專利範圍第28項之方法，其中該水包含 1 00 ppm至〇.5體積％的清洗氣。 30. 如申請專利範圍第24項之方法，其進一步包括將 該受污染之氣體從該裝置移出之後，使用惰性氣體清洗該 裝置》 31. 如申請專利範圍第30項之方法，其中該惰性氣體 是選自由氮、氬、稀有氣體、甲烷及其組合所組成之群組 32.如申請專利範圍第24項之方法，其中該表面包括 裝置的内表面，其中該裝置係封閉一空間。 33‘如申請專利範圍第32項之方法，其中該裝置係封 閉至少一矽基材。 34. 如申請專利範圍帛24項之方法，其中該表面為超 高純度氣體管線元件的内表面。 35. 如申請專利範圍第24項之方法，其中該表面為間 的内表面。 36.—種在晶圓製造設備中使來自表面的氣载分子污染 物（AMC)移除之方法，其包括： 使AMC與該表面脫附’其係藉由使在晶圓製造設備 中至少一部分的該表面與淨化清洗氣接觸，盆 包括綱、水或其組合，且該淨化的清洗: 準具有低於約1十億分之_ (ppb)的AMC濃度； 將該經脫附的AMC從該表面轉移到該淨化清洗氣中 39
淨乾燥空氣(XCDA)之成分來提供。 ， 、2、16、24或36項中任一項 氣包括氧（〇2)時，氧是以超潔 38. 如申請專利範圍第卜2、16、24或36項中任一項 之方法，其中該經純化清洗氣具有介於20。(：及IOO°C之 間的溫度。 39. —種使來自表面的氣載分子污染物（amc)移除之方 法，其包括： 使AMC與該表面脫附，其係藉由使至少一部分的該 表面與淨化清洗氣接觸’其中該清洗氣包含濃度介於10/〇 與25%體積的清洗氣之間的氧（〇2)、或濃度介於1〇〇百萬 分之一（PPm)至2%體積清洗氣的水或其組合，且該淨化的 清洗氣以體積為基準具有低於約1十億分之一（ppb)的 AMC濃度； 將該經脫附的AMC從該表面轉移到該淨化清洗氣中 而產生受污染之清洗氣；及 將該受污染之清洗氣從該表面移除。 拾壹、圖式： 如次頁 40
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Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050229947A1 (en) * 2002-06-14 2005-10-20 Mykrolis Corporation Methods of inserting or removing a species from a substrate
US7189291B2 (en) * 2003-06-02 2007-03-13 Entegris, Inc. Method for the removal of airborne molecular contaminants using oxygen gas mixtures
US20060285091A1 (en) * 2003-07-21 2006-12-21 Parekh Bipin S Lithographic projection apparatus, gas purging method, device manufacturing method and purge gas supply system related application
US7384149B2 (en) 2003-07-21 2008-06-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus, gas purging method and device manufacturing method and purge gas supply system
CN101263590B (zh) * 2005-08-03 2010-05-19 恩特格林斯公司 传送容器
US20070144118A1 (en) * 2005-12-22 2007-06-28 Alvarez Daniel Jr Purging of a wafer conveyance container
EP2453310B1 (en) 2006-06-19 2015-12-09 Entegris, Inc. System for purging reticle storage
US20080009977A1 (en) * 2006-07-10 2008-01-10 Ultra Clean Holdings Apparatus and Method for Monitoring a Chemical-Supply System
US20100112814A1 (en) * 2006-09-06 2010-05-06 Sowmya Krishnan Pre-certified process chamber and method
JP5554469B2 (ja) * 2007-05-14 2014-07-23 東京エレクトロン株式会社 薄膜形成装置の洗浄方法、薄膜形成方法及び薄膜形成装置
US20090078324A1 (en) * 2007-09-21 2009-03-26 Ultra Clean Technology, Inc. Gas-panel system
US20090114295A1 (en) * 2007-11-06 2009-05-07 Ultra Clean Holdings, Inc. Gas-panel assembly
US9376254B2 (en) 2009-01-27 2016-06-28 M-I L.L.C. Methods for granular scavenger material transfer
US8616821B2 (en) 2010-08-26 2013-12-31 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Integrated apparatus to assure wafer quality and manufacturability
US8414688B1 (en) * 2011-06-15 2013-04-09 Kla-Tencor Corporation Recirculation high purity system for protecting optical modules or inspection system during storage, transport and shipping
US9997384B2 (en) 2011-12-01 2018-06-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Methods for transporting wafers between wafer holders and chambers
KR102360223B1 (ko) 2012-05-07 2022-02-09 도널드선 컴파니 인코포레이티드 실록산 오염물질 제거를 위한 물질, 방법 및 장치
US9579697B2 (en) * 2012-12-06 2017-02-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. System and method of cleaning FOUP
US9064807B2 (en) 2013-02-27 2015-06-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Integrated platform for improved wafer manufacturing quality
JP6421552B2 (ja) * 2014-11-12 2018-11-14 株式会社Sumco シリコンウェーハの製造方法
US10790177B2 (en) * 2017-11-14 2020-09-29 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Systems, devices, and methods for using a real time environment sensor in a FOUP
CN114147011A (zh) * 2020-09-04 2022-03-08 中国石油天然气股份有限公司 天然气管道的盐结晶堵塞的解堵方法
US12117376B2 (en) 2020-09-16 2024-10-15 Changxin Memory Technologies, Inc. System for monitoring environment and monitoring method based on system for monitoring environment
US11854845B2 (en) * 2020-09-16 2023-12-26 Changxin Memory Technologies, Inc. System for monitoring environment
CN114015518B (zh) * 2021-12-01 2023-10-27 重庆朗福环保科技有限公司 一种碳洁强效气体清洁剂及其制备、使用方法
CN115739822A (zh) * 2022-10-18 2023-03-07 福建兆元光电有限公司 一种干法刻蚀方法

Family Cites Families (95)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US621132A (en) * 1899-03-14 Fishing-tool
US4276368A (en) * 1979-05-04 1981-06-30 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Photoinduced migration of silver into chalcogenide layer
JPS6314414A (ja) 1986-07-04 1988-01-21 株式会社村田製作所 単板コンデンサの製造方法
FR2620049B2 (fr) * 1986-11-28 1989-11-24 Commissariat Energie Atomique Procede de traitement, stockage et/ou transfert d'un objet dans une atmosphere de haute proprete, et conteneur pour la mise en oeuvre de ce procede
US4936922A (en) * 1987-05-21 1990-06-26 Roger L. Cherry High-purity cleaning system, method, and apparatus
US5013335A (en) 1987-06-30 1991-05-07 Uop Process for sequestering ammonia and the odor associated therewith
JP2504598B2 (ja) * 1990-01-30 1996-06-05 株式会社東芝 半導体基板の枚葉式表面処理方法
US5169272A (en) * 1990-11-01 1992-12-08 Asyst Technologies, Inc. Method and apparatus for transferring articles between two controlled environments
JPH04305927A (ja) * 1991-02-19 1992-10-28 Shimada Phys & Chem Ind Co Ltd 洗浄装置
US5160512A (en) 1992-01-13 1992-11-03 Cleveland State University Gas separation process
JP3309416B2 (ja) * 1992-02-13 2002-07-29 松下電器産業株式会社 連結式クリーン空間装置
US5351415A (en) * 1992-05-18 1994-10-04 Convey, Inc. Method and apparatus for maintaining clean articles
JP3330166B2 (ja) * 1992-12-04 2002-09-30 東京エレクトロン株式会社 処理装置
US5968232A (en) 1993-03-08 1999-10-19 Whitlock; David R. Method for ammonia production
US5470377A (en) 1993-03-08 1995-11-28 Whitlock; David R. Separation of solutes in gaseous solvents
US5346518A (en) 1993-03-23 1994-09-13 International Business Machines Corporation Vapor drain system
US5938854A (en) 1993-05-28 1999-08-17 The University Of Tennessee Research Corporation Method and apparatus for cleaning surfaces with a glow discharge plasma at one atmosphere of pressure
US5607647A (en) * 1993-12-02 1997-03-04 Extraction Systems, Inc. Air filtering within clean environments
BE1007907A3 (nl) * 1993-12-24 1995-11-14 Asm Lithography Bv Lenzenstelsel met in gasgevulde houder aangebrachte lenselementen en fotolithografisch apparaat voorzien van een dergelijk stelsel.
US5677789A (en) * 1994-01-12 1997-10-14 Asahi Kogaku Kogyo Kabushiki Kaisha Binocular
US5407647A (en) * 1994-05-27 1995-04-18 Florida Scientific Laboratories Inc. Gas-scrubber apparatus for the chemical conversion of toxic gaseous compounds into non-hazardous inert solids
US6124211A (en) 1994-06-14 2000-09-26 Fsi International, Inc. Cleaning method
TW276236B (en) * 1994-10-05 1996-05-21 Nifco Inc Cap
US5644855A (en) * 1995-04-06 1997-07-08 Air Products And Chemicals, Inc. Cryogenically purged mini environment
TW425484B (en) * 1995-04-28 2001-03-11 Toray Industries A resin black matrix for liquid crystal display device
US5540757A (en) 1995-05-15 1996-07-30 Jordan Holding Company Method for preconditioning adsorbent
US5833726A (en) * 1995-05-26 1998-11-10 Extraction System, Inc. Storing substrates between process steps within a processing facility
US5806574A (en) * 1995-12-01 1998-09-15 Shinko Electric Co., Ltd. Portable closed container
US5846338A (en) * 1996-01-11 1998-12-08 Asyst Technologies, Inc. Method for dry cleaning clean room containers
US5954963A (en) * 1996-01-25 1999-09-21 Oklahoma Rural Water Association Process for biologically treating water
US5833738A (en) 1996-03-01 1998-11-10 D.D.I. Ltd. Specialty gas purification system
US5810062A (en) * 1996-07-12 1998-09-22 Asyst Technologies, Inc. Two stage valve for charging and/or vacuum relief of pods
JP3600384B2 (ja) * 1996-09-12 2004-12-15 株式会社東芝 噴流加工装置、噴流加工システムおよび噴流加工方法
US5661225A (en) * 1996-09-12 1997-08-26 Air Products And Chemicals, Inc. Dynamic dilution system
US5869401A (en) * 1996-12-20 1999-02-09 Lam Research Corporation Plasma-enhanced flash process
ATE522926T1 (de) 1997-02-14 2011-09-15 Imec Verfahren zur entfernung organischer kontamination von einer halbleiteroberfläche
US5955355A (en) 1997-03-27 1999-09-21 Millennium Pharmaceuticals, Inc. Chromosome 18 marker
US5944602A (en) * 1997-09-09 1999-08-31 Tumi Manufacturing, Inc. Portable cleanroom cabinet assembly
JP3167970B2 (ja) * 1997-10-13 2001-05-21 ティーディーケイ株式会社 クリーンボックス、クリーン搬送方法及び装置
US5988233A (en) * 1998-03-27 1999-11-23 Asyst Technologies, Inc. Evacuation-driven SMIF pod purge system
US6319297B1 (en) * 1998-03-27 2001-11-20 Asyst Technologies, Inc. Modular SMIF pod breather, adsorbent, and purge cartridges
US6164664A (en) * 1998-03-27 2000-12-26 Asyst Technologies, Inc. Kinematic coupling compatible passive interface seal
JP2990431B1 (ja) * 1998-07-22 1999-12-13 株式会社東京精密 形状測定装置による形状測定方法
JP4208212B2 (ja) 1998-09-18 2009-01-14 澁谷工業株式会社 洗浄方法
US6056026A (en) * 1998-12-01 2000-05-02 Asyst Technologies, Inc. Passively activated valve for carrier purging
KR100284743B1 (ko) * 1999-01-06 2001-03-15 윤종용 저집적 디램 콘트롤러 장치와 연결되는 고집적 디램 반도체 장치
US6249932B1 (en) * 1999-01-29 2001-06-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Apparatus and method for removing fine particles
US6394109B1 (en) * 1999-04-13 2002-05-28 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for removing carbon contamination in a sub-atmospheric charged particle beam lithography system
DE19924058A1 (de) 1999-05-26 2000-11-30 Bosch Gmbh Robert Verfahren und Vorrichtung zur Beseitigung von Kontaminationen durch Ozonbehandlung
JP3916380B2 (ja) 1999-07-06 2007-05-16 株式会社荏原製作所 基板搬送容器待機ステーション
US6468490B1 (en) * 2000-06-29 2002-10-22 Applied Materials, Inc. Abatement of fluorine gas from effluent
JP4355834B2 (ja) 1999-08-20 2009-11-04 独立行政法人 日本原子力研究開発機構 ガス成分の分離除去または回収する方法および装置
US6364762B1 (en) * 1999-09-30 2002-04-02 Lam Research Corporation Wafer atmospheric transport module having a controlled mini-environment
US6221132B1 (en) 1999-10-14 2001-04-24 Air Products And Chemicals, Inc. Vacuum preparation of hydrogen halide drier
US6588437B1 (en) 1999-11-15 2003-07-08 Agere Systems Inc. System and method for removal of material
JP3193026B2 (ja) * 1999-11-25 2001-07-30 株式会社半導体先端テクノロジーズ 基板処理装置のロードポートシステム及び基板の処理方法
FR2802335B1 (fr) * 1999-12-09 2002-04-05 Cit Alcatel Systeme et procede de controle de minienvironnement
US6507390B1 (en) * 2000-02-10 2003-01-14 Asml Us, Inc. Method and apparatus for a reticle with purged pellicle-to-reticle gap
JP3619119B2 (ja) * 2000-05-15 2005-02-09 キヤノン株式会社 真空処理方法
TWI226972B (en) * 2000-06-01 2005-01-21 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby
US6747729B2 (en) * 2000-07-14 2004-06-08 Asml Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus, device manufacturing method, device manufactured thereby and gas composition
TW501194B (en) 2000-08-23 2002-09-01 Tokyo Electron Ltd Processing system for object to be processed
JP3939101B2 (ja) * 2000-12-04 2007-07-04 株式会社荏原製作所 基板搬送方法および基板搬送容器
US7208428B2 (en) * 2000-12-05 2007-04-24 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for treating article to be treated
JP4014126B2 (ja) * 2001-01-17 2007-11-28 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及び基板処理装置
KR100899609B1 (ko) * 2000-12-28 2009-05-27 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판처리장치 및 기판처리방법
US6710845B2 (en) * 2000-12-29 2004-03-23 Intel Corporation Purging gas from a photolithography enclosure between a mask protective device and a patterned mask
KR100410991B1 (ko) * 2001-02-22 2003-12-18 삼성전자주식회사 반도체 제조장치의 로드포트
US20020139707A1 (en) * 2001-04-02 2002-10-03 Jorgen Hakansson Earplug dispenser
US6391090B1 (en) * 2001-04-02 2002-05-21 Aeronex, Inc. Method for purification of lens gases used in photolithography
US6922867B1 (en) * 2001-08-08 2005-08-02 Lam Research Corporation Two position robot design for FOUP purge
US6724460B2 (en) * 2001-11-19 2004-04-20 Asml Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus, device manufacturing method, device manufactured thereby, cleaning unit and method of cleaning contaminated objects
US6828569B2 (en) * 2001-11-19 2004-12-07 Asml Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby
US6610123B2 (en) * 2001-12-17 2003-08-26 Intel Corporation Filtered mask enclosure
DE10164175B4 (de) * 2001-12-27 2004-02-12 Infineon Technologies Ag Prozeßgerät mit zwei Raumeinheiten und einer die zwei Raumeinheiten verbindenden dritten Raumeinheit mit jeweils einer gegenüber der Umgebung verminderten Dichte kontaminierter Teilchen und Verfahren zum Betrieb des Prozeßgerätes
US6701972B2 (en) * 2002-01-11 2004-03-09 The Boc Group, Inc. Vacuum load lock, system including vacuum load lock, and associated methods
US6652667B2 (en) * 2002-01-23 2003-11-25 Chevron Oronite Company Llc Method for removing engine deposits in a gasoline internal combustion engine
US6638341B1 (en) * 2002-06-14 2003-10-28 Aeronex, Inc. Method for rapid activation or preconditioning of porous gas purification substrates
US6824622B2 (en) * 2002-06-27 2004-11-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd Cleaner and method for removing fluid from an object
US6696367B1 (en) * 2002-09-27 2004-02-24 Asm America, Inc. System for the improved handling of wafers within a process tool
US6974505B2 (en) * 2002-10-16 2005-12-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Tool for cleaning substrates
JP2004235516A (ja) * 2003-01-31 2004-08-19 Trecenti Technologies Inc ウエハ収納治具のパージ方法、ロードポートおよび半導体装置の製造方法
CN1756945A (zh) 2003-02-21 2006-04-05 密科理股份有限公司 工作流体流中污染物的分析方法
US6899145B2 (en) * 2003-03-20 2005-05-31 Asm America, Inc. Front opening unified pod
US7189291B2 (en) * 2003-06-02 2007-03-13 Entegris, Inc. Method for the removal of airborne molecular contaminants using oxygen gas mixtures
WO2004112117A1 (en) 2003-06-02 2004-12-23 Entegris, Inc. Method for the removal of airborne molecular contaminants using oxygen and/or water gas mixtures
US6919102B2 (en) * 2003-06-20 2005-07-19 Powerchip Semiconductor Corp. Method of stabilizing material layer
US20060285091A1 (en) 2003-07-21 2006-12-21 Parekh Bipin S Lithographic projection apparatus, gas purging method, device manufacturing method and purge gas supply system related application
US7384149B2 (en) * 2003-07-21 2008-06-10 Asml Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus, gas purging method and device manufacturing method and purge gas supply system
KR100583726B1 (ko) * 2003-11-12 2006-05-25 삼성전자주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
WO2005078771A2 (en) 2004-02-05 2005-08-25 Entegris Inc. Purging of a wafer conveyance container
TW200540922A (en) * 2004-06-04 2005-12-16 Kondoh Ind Ltd Air-purifying equipment in a semiconductor wafer container
CN101263590B (zh) * 2005-08-03 2010-05-19 恩特格林斯公司 传送容器
US20070144118A1 (en) * 2005-12-22 2007-06-28 Alvarez Daniel Jr Purging of a wafer conveyance container
EP1929885A1 (de) 2006-12-04 2008-06-11 Cognis IP Management GmbH Verfahren zur Herstellung von Sterolformulierungen

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