JPH04305927A - 洗浄装置 - Google Patents
洗浄装置Info
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- JPH04305927A JPH04305927A JP4551191A JP4551191A JPH04305927A JP H04305927 A JPH04305927 A JP H04305927A JP 4551191 A JP4551191 A JP 4551191A JP 4551191 A JP4551191 A JP 4551191A JP H04305927 A JPH04305927 A JP H04305927A
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Landscapes
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- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、一枚ずつ搬送しながら
洗浄する洗浄装置に関するものである。
洗浄する洗浄装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来の比種の装置は、単にシヤワーノズ
ルより純水を噴射させるのみか、又は、超音波振動の付
与或はブラシ等の物理的な力で液晶用ガラス基板、シリ
コンウエハー等の半導体基板等を洗浄していた。
ルより純水を噴射させるのみか、又は、超音波振動の付
与或はブラシ等の物理的な力で液晶用ガラス基板、シリ
コンウエハー等の半導体基板等を洗浄していた。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】前記、従来の手段では
、表面の粒子状の汚れは或程度除去できるが、表面の有
機物又は無機物の汚れは除去できず、表面が疎水性の被
洗浄物では、更に次工程での乾燥工程前にエアーナイフ
、スピン等の液切り作業を行う際に、表面が疎水性のま
までは液がうまく切れず、更に次の赤外線ランプ等の乾
燥工程にて乾燥しみが発生するという問題があった。
、表面の粒子状の汚れは或程度除去できるが、表面の有
機物又は無機物の汚れは除去できず、表面が疎水性の被
洗浄物では、更に次工程での乾燥工程前にエアーナイフ
、スピン等の液切り作業を行う際に、表面が疎水性のま
までは液がうまく切れず、更に次の赤外線ランプ等の乾
燥工程にて乾燥しみが発生するという問題があった。
【0004】又、乾燥後に紫外線ランプ等により表面を
親水化する方法もとられていたが、工程が長くなり、装
置寸法が大となり、コストも大となる欠点があった。そ
こで、本発明においては、被洗浄物の表面の異物を酸化
させて化学力により有機物等の汚れを除去できる装置を
提供するのが目的である。
親水化する方法もとられていたが、工程が長くなり、装
置寸法が大となり、コストも大となる欠点があった。そ
こで、本発明においては、被洗浄物の表面の異物を酸化
させて化学力により有機物等の汚れを除去できる装置を
提供するのが目的である。
【0005】
【課題を解決する為の手段】本発明は前記の目的を達成
するために、洗浄室内に設けた被洗浄物を搬送する複数
個の回転ローラと、酸素原子ラジカルを含む酸素系ガス
を供給するガス供給管と洗浄剤を供給する洗浄剤供給管
とを設けたシヤワーノズルを、被洗浄物の上下に複数個
設置した洗浄装置を構成したものである。
するために、洗浄室内に設けた被洗浄物を搬送する複数
個の回転ローラと、酸素原子ラジカルを含む酸素系ガス
を供給するガス供給管と洗浄剤を供給する洗浄剤供給管
とを設けたシヤワーノズルを、被洗浄物の上下に複数個
設置した洗浄装置を構成したものである。
【0006】又洗浄剤供給管を洗浄剤蒸気発生装置に連
結したものである。又洗浄室の被洗浄物入口と被洗浄物
出口にシヤワーカーテンノズルを設けたものである。又
シヤワーノズルに超音波振動子を固定したものである。 又シヤワーノズルの被洗浄物入口側の上下に紫外線又は
赤外線ランプから成る加熱ランプを設けたものである。
結したものである。又洗浄室の被洗浄物入口と被洗浄物
出口にシヤワーカーテンノズルを設けたものである。又
シヤワーノズルに超音波振動子を固定したものである。 又シヤワーノズルの被洗浄物入口側の上下に紫外線又は
赤外線ランプから成る加熱ランプを設けたものである。
【0007】
【作用】本発明は前記のように構成したもので、被洗浄
物は搬送の途中において酸素系ガスを含んだ洗浄剤が上
下のシヤワーノズルから噴射され、酸素系ガスによる汚
物の酸化作用と洗浄剤による物理化学作用で洗浄される
。
物は搬送の途中において酸素系ガスを含んだ洗浄剤が上
下のシヤワーノズルから噴射され、酸素系ガスによる汚
物の酸化作用と洗浄剤による物理化学作用で洗浄される
。
【0008】又、被洗浄物は入口及び出口に設けシヤワ
ーカーテンによる密閉状態内を通過して洗浄内に導入及
び搬出される。又、洗浄剤は洗浄剤蒸気発生装置で蒸気
となって被洗浄物に噴射される。更に、紫外線又は赤外
線ランプから成る加熱ランプによって被洗浄物は加熱さ
れる。
ーカーテンによる密閉状態内を通過して洗浄内に導入及
び搬出される。又、洗浄剤は洗浄剤蒸気発生装置で蒸気
となって被洗浄物に噴射される。更に、紫外線又は赤外
線ランプから成る加熱ランプによって被洗浄物は加熱さ
れる。
【0009】
【実施例】本発明の第1実施例を図1、図2、図3に基
づいて詳細に説明する。密閉状態にある洗浄室1内の中
央両側及び洗浄室1の外部両側に被洗浄物2を1枚ずつ
移送する複数個の回転ローラ3,3…、3´,3´…を
設置する。そして、洗浄室1の前後に被洗浄物入口4と
被洗浄物出口5とを開口し、夫々上下にシヤワーカーテ
ンノズル6,6´、7,7´を設けてシヤワーカーテン
8,9を形成してガスの排出を阻止するようになってい
る。
づいて詳細に説明する。密閉状態にある洗浄室1内の中
央両側及び洗浄室1の外部両側に被洗浄物2を1枚ずつ
移送する複数個の回転ローラ3,3…、3´,3´…を
設置する。そして、洗浄室1の前後に被洗浄物入口4と
被洗浄物出口5とを開口し、夫々上下にシヤワーカーテ
ンノズル6,6´、7,7´を設けてシヤワーカーテン
8,9を形成してガスの排出を阻止するようになってい
る。
【0010】一方、洗浄室1内の複数個の回転ローラ3
,3…、3´,3´…の中間位置の上下に夫々超音波振
動子10,10´を固定した複数個のシヤワーノズル1
1,11、…11´,11´…を斜め方向に設置し、各
シヤワーノズル11,11…、11´,11´…を夫々
洗浄剤である純水を供給する洗浄剤供給管12,12´
で連結して洗浄室1外から純水を供給するようになって
いる。
,3…、3´,3´…の中間位置の上下に夫々超音波振
動子10,10´を固定した複数個のシヤワーノズル1
1,11、…11´,11´…を斜め方向に設置し、各
シヤワーノズル11,11…、11´,11´…を夫々
洗浄剤である純水を供給する洗浄剤供給管12,12´
で連結して洗浄室1外から純水を供給するようになって
いる。
【0011】前記各シヤワーノズル11,11…、11
´,11´…には夫々後記する電気分解装置13にて純
水を電気分解して発生せしめた酸素原子ラジカルを含む
酸素系ガスを供給するガス供給管14,14´を接続し
、各シヤワーノズル11…11´…で気液接触させて溶
解させ、酸素系ガスを含んだ洗浄剤を被洗浄物2の表面
に噴射するようになっている。
´,11´…には夫々後記する電気分解装置13にて純
水を電気分解して発生せしめた酸素原子ラジカルを含む
酸素系ガスを供給するガス供給管14,14´を接続し
、各シヤワーノズル11…11´…で気液接触させて溶
解させ、酸素系ガスを含んだ洗浄剤を被洗浄物2の表面
に噴射するようになっている。
【0012】電気分解装置13は図3に示すように公知
のものを使用するが、その一例を説明すると、筐体15
内に直流電源16に連結した(+)電極板17と(−)
電極板18を設置し、両電極板17,18間にイオン変
換樹脂19を設け、一方から純水を送入すると電気分解
してO3 +O2 ガスとH2 とに分離するように構
成しているものである。そしてO3 +O2 ガスを前
記したように導管20でガス供給管14,14´に送る
ようになっている。
のものを使用するが、その一例を説明すると、筐体15
内に直流電源16に連結した(+)電極板17と(−)
電極板18を設置し、両電極板17,18間にイオン変
換樹脂19を設け、一方から純水を送入すると電気分解
してO3 +O2 ガスとH2 とに分離するように構
成しているものである。そしてO3 +O2 ガスを前
記したように導管20でガス供給管14,14´に送る
ようになっている。
【0013】又、上下のシヤワーノズル11…11´…
の後方(被洗浄物入口4側)には夫々紫外線ランプ又は
赤外線ランプから成る加熱ランプ21,21´を設置し
て被洗浄物2を加熱し、洗浄剤で洗浄する際に洗浄剤に
含有するオゾンを分解させるようになっている。図1中
22は洗浄室1の上端に設けた排気口で、使用後の酸素
系ガスの濃度があまり高くならないように適当に排気さ
せるようになっている。
の後方(被洗浄物入口4側)には夫々紫外線ランプ又は
赤外線ランプから成る加熱ランプ21,21´を設置し
て被洗浄物2を加熱し、洗浄剤で洗浄する際に洗浄剤に
含有するオゾンを分解させるようになっている。図1中
22は洗浄室1の上端に設けた排気口で、使用後の酸素
系ガスの濃度があまり高くならないように適当に排気さ
せるようになっている。
【0014】第1実施例は前記のように構成したもので
、シヤワーカーテン8内を通過した被洗浄物2は、上下
の紫外線又は赤外線ランプから成る加熱ランプ21,2
1´で加熱され、加熱状態の時に酸素系ガスを含んだ洗
浄剤が超音波振動しているシヤワーノズル11…11´
…から噴射され、洗浄を行う。この際、被洗浄物2の加
熱により洗浄剤に含まれるオゾンが分解し、被洗浄物2
に付着している汚物の酸化を促進させ、酸化による化学
的洗浄と洗浄剤による物理的洗浄の両者により洗浄が行
う。
、シヤワーカーテン8内を通過した被洗浄物2は、上下
の紫外線又は赤外線ランプから成る加熱ランプ21,2
1´で加熱され、加熱状態の時に酸素系ガスを含んだ洗
浄剤が超音波振動しているシヤワーノズル11…11´
…から噴射され、洗浄を行う。この際、被洗浄物2の加
熱により洗浄剤に含まれるオゾンが分解し、被洗浄物2
に付着している汚物の酸化を促進させ、酸化による化学
的洗浄と洗浄剤による物理的洗浄の両者により洗浄が行
う。
【0015】洗浄後の被洗浄物2はシヤワーカーテン9
を通り洗浄室1外へ搬送される。尚、被洗浄物入口4と
被洗浄物出口5とは夫々シヤワーカーテン8,9で密閉
された状態で酸素ガス等の排出を阻止しており、酸素ガ
ス等は排出出口22から、適宜に排出するようになって
いる。
を通り洗浄室1外へ搬送される。尚、被洗浄物入口4と
被洗浄物出口5とは夫々シヤワーカーテン8,9で密閉
された状態で酸素ガス等の排出を阻止しており、酸素ガ
ス等は排出出口22から、適宜に排出するようになって
いる。
【0016】次に、第2実施例を図4に基いて説明する
と、洗浄剤蒸気発生装置23を別体に設置する。この洗
浄剤蒸気発生装置23は加熱タンク24内にヒータ25
,25を設け、加熱タンク24内に洗浄剤を導管26で
導入し、更に洗浄室1内で使用後液体化した洗浄剤を回
収導管27で導入する。又、加熱タンク24内には窒素
(N2 )を導入し、ヒーター25,25で洗浄剤を加
熱した蒸気化し、その洗浄剤蒸気を蒸気導管28で、図
1に示す洗浄剤供給管12,12´に供給し、シヤワー
ノズル11…11´…で酸素系ガスと混合され、蒸気の
状態で被洗浄物2に噴射する。尚、図4中29は圧力計
である。
と、洗浄剤蒸気発生装置23を別体に設置する。この洗
浄剤蒸気発生装置23は加熱タンク24内にヒータ25
,25を設け、加熱タンク24内に洗浄剤を導管26で
導入し、更に洗浄室1内で使用後液体化した洗浄剤を回
収導管27で導入する。又、加熱タンク24内には窒素
(N2 )を導入し、ヒーター25,25で洗浄剤を加
熱した蒸気化し、その洗浄剤蒸気を蒸気導管28で、図
1に示す洗浄剤供給管12,12´に供給し、シヤワー
ノズル11…11´…で酸素系ガスと混合され、蒸気の
状態で被洗浄物2に噴射する。尚、図4中29は圧力計
である。
【0017】第2実施例は前記のように構成したもので
、洗浄剤蒸気発生装置23で発生させた洗浄剤蒸気に酸
素系ガスが混合しているので、オゾン又は酸素が十分に
溶解し、汚物の酸化作用がより一層向上され、洗浄効果
が良好になる。
、洗浄剤蒸気発生装置23で発生させた洗浄剤蒸気に酸
素系ガスが混合しているので、オゾン又は酸素が十分に
溶解し、汚物の酸化作用がより一層向上され、洗浄効果
が良好になる。
【0018】
【発明の効果】本発明は前記のような構成、作用を有す
るから、洗浄剤に含まれた酸素系ガスによって汚物が酸
化し、化学処理にて洗浄される。又、洗浄剤を蒸気化す
ることにオゾンが溶解しやすく酸化作用を促進させ、洗
浄効果をより一層向上させることができる。又、洗浄室
の出入口はシヤワーカーテンにて密閉され、ガスミスト
等が外部に漏洩するのを防止している。
るから、洗浄剤に含まれた酸素系ガスによって汚物が酸
化し、化学処理にて洗浄される。又、洗浄剤を蒸気化す
ることにオゾンが溶解しやすく酸化作用を促進させ、洗
浄効果をより一層向上させることができる。又、洗浄室
の出入口はシヤワーカーテンにて密閉され、ガスミスト
等が外部に漏洩するのを防止している。
【0019】又、被洗浄物は紫外線又は赤外線ランプか
ら成る加熱ランプで加熱され、洗浄剤中のオゾンの分解
を助けることができる。又、シヤワーノズルは超音波振
動させることにより洗浄剤にキヤビテイシヨンを付与す
ることができる。
ら成る加熱ランプで加熱され、洗浄剤中のオゾンの分解
を助けることができる。又、シヤワーノズルは超音波振
動させることにより洗浄剤にキヤビテイシヨンを付与す
ることができる。
【0020】
【図1】本発明に係る洗浄装置の縦断側面図。
【図2】本発明に係る洗浄装置の横断平面図。
【図3】電気分解装置の断面図。
【図4】本発明の他の実施例用いる洗浄剤蒸発発生装置
の断面図。
の断面図。
1 洗浄室
2 被洗浄物
3 回転ローラ
3´ 回転ローラ
4 被洗浄物入口
5 被洗浄物出口
6 シヤワーカーテンノズル
6´ シヤワーカーテンノズル
7 シヤワーカーテンノズル
7´ シヤワーカーテンノズル
8 シヤワーカーテン
9 シヤワーカーテン
10 超音波振動子
10´ 超音波振動子
11 シヤワーノズル
11´ シヤワーノズル
12 洗浄剤供給管
12´ 洗浄剤供給管
13 電気分解装置
14 ガス供給管
14´ ガス供給管
15 筐体
16 直流電源
17 (+)電極板
18 (−)電極板
19 イオン変換樹脂
20 導管
21 紫外線又は赤外線ランプから成る加熱ラン
プ21´ 紫外線又は赤外線ランプから成る加熱ラン
プ22 排気口 23 洗浄剤蒸気発生装置 24 加熱タンク 25 ヒータ 26 導管 27 回収導管 28 蒸気導管 29 圧力計
プ21´ 紫外線又は赤外線ランプから成る加熱ラン
プ22 排気口 23 洗浄剤蒸気発生装置 24 加熱タンク 25 ヒータ 26 導管 27 回収導管 28 蒸気導管 29 圧力計
Claims (5)
- 【請求項1】 洗浄室内に設けた被洗浄物を搬送する
複数個の回転ローラと、酸素原子ラジカルを含む酸素系
ガスを供給するガス供給管と洗浄剤を供給する洗浄剤供
給管とを設けたシヤワーノズルを被洗浄物の上下に複数
個設置した洗浄装置。 - 【請求項2】 洗浄剤供給管を洗浄蒸気発生装置に連
結した請求項1記載の洗浄装置。 - 【請求項3】 洗浄室の被洗浄物入口と被洗浄物出口
にシヤワーカーテンノズルを設けた請求項1,2記載の
洗浄装置。 - 【請求項4】 シヤワーノズルに超音波振動子を固定
した請求項1,2,3記載の洗浄装置。 - 【請求項5】 シヤワーノズルの被洗浄物入口側の上
下に紫外線又は赤外線ランプから成る加熱ランプを設け
た請求項1,2,3,4記載の洗浄装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4551191A JPH04305927A (ja) | 1991-02-19 | 1991-02-19 | 洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4551191A JPH04305927A (ja) | 1991-02-19 | 1991-02-19 | 洗浄装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04305927A true JPH04305927A (ja) | 1992-10-28 |
Family
ID=12721440
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4551191A Pending JPH04305927A (ja) | 1991-02-19 | 1991-02-19 | 洗浄装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH04305927A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006526901A (ja) * | 2003-06-02 | 2006-11-24 | インテグリス・インコーポレーテッド | 酸素および/または水気体混合物を用いる空中分子汚染物質の除去方法 |
US7237561B2 (en) | 2001-01-13 | 2007-07-03 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Apparatus for cleaning semiconductor wafer including heating using a light source and method for cleaning wafer using the same |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS51135185A (en) * | 1975-05-20 | 1976-11-24 | Fujitsu Ltd | Washing device |
JPS59189902A (ja) * | 1983-04-13 | 1984-10-27 | Japan Fuirudo Kk | 洗浄蒸気の凝縮方法およびその装置 |
JPS61147534A (ja) * | 1984-12-21 | 1986-07-05 | Shimada Phys & Chem Ind Co Ltd | 超音波化学処理方法 |
JPS6378522A (ja) * | 1986-09-22 | 1988-04-08 | Hitachi Ltd | 紫外線洗浄装置 |
JPS6384119A (ja) * | 1986-09-29 | 1988-04-14 | Tokyo Electron Ltd | 基板の洗浄方法 |
JPH01114043A (ja) * | 1987-10-28 | 1989-05-02 | Teru Kyushu Kk | 洗浄方法 |
-
1991
- 1991-02-19 JP JP4551191A patent/JPH04305927A/ja active Pending
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS51135185A (en) * | 1975-05-20 | 1976-11-24 | Fujitsu Ltd | Washing device |
JPS59189902A (ja) * | 1983-04-13 | 1984-10-27 | Japan Fuirudo Kk | 洗浄蒸気の凝縮方法およびその装置 |
JPS61147534A (ja) * | 1984-12-21 | 1986-07-05 | Shimada Phys & Chem Ind Co Ltd | 超音波化学処理方法 |
JPS6378522A (ja) * | 1986-09-22 | 1988-04-08 | Hitachi Ltd | 紫外線洗浄装置 |
JPS6384119A (ja) * | 1986-09-29 | 1988-04-14 | Tokyo Electron Ltd | 基板の洗浄方法 |
JPH01114043A (ja) * | 1987-10-28 | 1989-05-02 | Teru Kyushu Kk | 洗浄方法 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7237561B2 (en) | 2001-01-13 | 2007-07-03 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Apparatus for cleaning semiconductor wafer including heating using a light source and method for cleaning wafer using the same |
JP2006526901A (ja) * | 2003-06-02 | 2006-11-24 | インテグリス・インコーポレーテッド | 酸素および/または水気体混合物を用いる空中分子汚染物質の除去方法 |
US8075704B2 (en) | 2003-06-02 | 2011-12-13 | Entegris, Inc. | Method for the removal of airborne molecular contaminants using oxygen and/or water gas mixtures |
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