JPS6378522A - 紫外線洗浄装置 - Google Patents
紫外線洗浄装置Info
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- JPS6378522A JPS6378522A JP22182386A JP22182386A JPS6378522A JP S6378522 A JPS6378522 A JP S6378522A JP 22182386 A JP22182386 A JP 22182386A JP 22182386 A JP22182386 A JP 22182386A JP S6378522 A JPS6378522 A JP S6378522A
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- infrared
- ultraviolet
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Landscapes
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Cleaning In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は被洗浄体表面上の有機物を紫外線洗浄する装置
に係υ、特に被洗浄体の洗浄除去状態を非接触および非
破壊で監視するのに好適な紫外線洗浄装置に関する。
に係υ、特に被洗浄体の洗浄除去状態を非接触および非
破壊で監視するのに好適な紫外線洗浄装置に関する。
従来の紫外線洗浄装置は、特開昭５９−９４８２３号、
特開昭５９−９４８２４号公報等に記載されているよう
に波長１８５ｎｍと２５４ｎｍの紫外線強度比お：び被
洗浄体表面上の放射強度を設定し、ベルトコンベアー上
の被洗浄体が紫外縁ランプの下を通過し終るときには、
洗浄が完了するように構成さ詐ている。
特開昭５９−９４８２４号公報等に記載されているよう
に波長１８５ｎｍと２５４ｎｍの紫外線強度比お：び被
洗浄体表面上の放射強度を設定し、ベルトコンベアー上
の被洗浄体が紫外縁ランプの下を通過し終るときには、
洗浄が完了するように構成さ詐ている。
しかし、上記洗浄が完了しているか否かの判定は予かし
め洗浄時間と被洗浄体表面の清浄度との関係を求めて一
義的に決めている。このため、実際に個々の被洗浄体の
洗浄除去状態は測定することができないはかシでなく、
時には洗浄除去が不十分な場合もある０ところが、該洗
浄除去を確認するという点についてはなんら烹慮されて
いなかった０ 〔発明が解決しようとする問題点〕 上記従来技術は、洗浄が完了しているか否かの判定につ
いて配慮がされておらず、時には洗浄除去が不十分々場
合もあり、汚染などの問題があったＱ 本発明の目的は被洗浄体表面上の有機物を紫外線によシ
発生するオゾンを利用し酸化分解させ、該分解により生
成したガスおよびオゾンを用いて洗浄状態をインライン
でモニタしながら洗浄できる紫外線洗浄装置を提供する
ことにある０〔問題点を解決するための手段〕 上記目的は、被洗浄体表面上の有機物を紫外線で酸化分
解し生成したガスおよび分解以外で生成したオゾンの赤
外吸収を用いて、吸収強度を連続的に測定することによ
り達成される。
め洗浄時間と被洗浄体表面の清浄度との関係を求めて一
義的に決めている。このため、実際に個々の被洗浄体の
洗浄除去状態は測定することができないはかシでなく、
時には洗浄除去が不十分な場合もある０ところが、該洗
浄除去を確認するという点についてはなんら烹慮されて
いなかった０ 〔発明が解決しようとする問題点〕 上記従来技術は、洗浄が完了しているか否かの判定につ
いて配慮がされておらず、時には洗浄除去が不十分々場
合もあり、汚染などの問題があったＱ 本発明の目的は被洗浄体表面上の有機物を紫外線によシ
発生するオゾンを利用し酸化分解させ、該分解により生
成したガスおよびオゾンを用いて洗浄状態をインライン
でモニタしながら洗浄できる紫外線洗浄装置を提供する
ことにある０〔問題点を解決するための手段〕 上記目的は、被洗浄体表面上の有機物を紫外線で酸化分
解し生成したガスおよび分解以外で生成したオゾンの赤
外吸収を用いて、吸収強度を連続的に測定することによ
り達成される。
洗浄槽内で発生する生成ガスは、紫外線ランプ。
によりオゾンを生成し、また被洗浄体表面上の有機物は
、そのほとんどが二酸化炭素と水蒸気に酸化分解される
。この生成されたガスは、それぞれ赤外領域に吸収スペ
クトルをもち、さらに二酸化炭素や水蒸気などは、洗浄
除去中であれば生成するので、洗浄の終了したことがわ
かる０〔実施例〕 以下、本発明の一実施例を図面を用いて説明する。
、そのほとんどが二酸化炭素と水蒸気に酸化分解される
。この生成されたガスは、それぞれ赤外領域に吸収スペ
クトルをもち、さらに二酸化炭素や水蒸気などは、洗浄
除去中であれば生成するので、洗浄の終了したことがわ
かる０〔実施例〕 以下、本発明の一実施例を図面を用いて説明する。
第１図は紫外線洗浄装置の主要部構成図である第２図は
紫外線洗浄装置内で生成されたガスの赤外吸収スペクト
ルである。
紫外線洗浄装置内で生成されたガスの赤外吸収スペクト
ルである。
先ず、第１図において、紫外線洗浄装置１内の酸素は紫
外線ランプ２から照射される波長１１３５ｎｍ及び２５
４ｎｍの光エネルギによりオゾン０３及び酸素励起原子
びを発生する００３及びＯ＊は被洗浄体３表面上の有機
物の炭素、水素と結合し、はとんどが二酸化炭素ＣＯ２
、水蒸気Ｈ２０のガスに分解する分解生成し、２ ｃｏ
２、Ｈ２Ｏは、赤外線を透過しうる窓４ａよシ赤外線Ａ
を入射し、赤外線を反射しうる１対の赤外ミラー５ａ、
５ｂで多重反射させ、窓４ｂを通り赤外線検出器６で
吸収強度を測定する。赤外線の光源としては、マイケル
ソン型干渉計を有し定赤外線光源である。赤外線検出器
６で測定した信号はデータ処理装置７でデータ処理し、
記録計８でモニタする。また、紫外線ランプ２の光エネ
。
外線ランプ２から照射される波長１１３５ｎｍ及び２５
４ｎｍの光エネルギによりオゾン０３及び酸素励起原子
びを発生する００３及びＯ＊は被洗浄体３表面上の有機
物の炭素、水素と結合し、はとんどが二酸化炭素ＣＯ２
、水蒸気Ｈ２０のガスに分解する分解生成し、２ ｃｏ
２、Ｈ２Ｏは、赤外線を透過しうる窓４ａよシ赤外線Ａ
を入射し、赤外線を反射しうる１対の赤外ミラー５ａ、
５ｂで多重反射させ、窓４ｂを通り赤外線検出器６で
吸収強度を測定する。赤外線の光源としては、マイケル
ソン型干渉計を有し定赤外線光源である。赤外線検出器
６で測定した信号はデータ処理装置７でデータ処理し、
記録計８でモニタする。また、紫外線ランプ２の光エネ
。
ルギによシ発生し友０３も同様に赤外線検出器６で測定
する。
する。
第２図は紫外線洗浄装置１内で生成されたガスの赤外吸
収スペクトルの一例を示すものであり、二酸化炭素の逆
対称振動にもとづ（２３００〜２３８０ｃｍ＝及び二重
縮重振動にもとづ＜’ ６２０〜７ＱＱｃｍ−’。
収スペクトルの一例を示すものであり、二酸化炭素の逆
対称振動にもとづ（２３００〜２３８０ｃｍ＝及び二重
縮重振動にもとづ＜’ ６２０〜７ＱＱｃｍ−’。
のスペクトル、水蒸気の全対称及び逆対称伸縮振動にも
とづ（３６００〜３９００ｃｍ のスペクトルとさら
に全対称変角振動にもとづ（１４００〜１７８Ｑｃｍ−
’のスペクトルが測定されている。さらに、紫外線ラン
プによって生成されたオゾンの吸収スペクトルが９７０
〜１０７０ｃｍ 及び２０６０〜２１３０ｃｍ に
おいて測定される。
とづ（３６００〜３９００ｃｍ のスペクトルとさら
に全対称変角振動にもとづ（１４００〜１７８Ｑｃｍ−
’のスペクトルが測定されている。さらに、紫外線ラン
プによって生成されたオゾンの吸収スペクトルが９７０
〜１０７０ｃｍ 及び２０６０〜２１３０ｃｍ に
おいて測定される。
したがって、紫外線によって酸化分解生成されるガスの
二酸化炭素または水蒸気の赤外吸収スペクトルは、分解
以外の生成ガスであるオゾンの〃外吸収スペクトルと重
ならないため、二酸化炭素または水蒸気の赤外吸収スペ
クトルの吸収強度を連続的に測定することにより、洗浄
状態をモニタしながら洗浄することができる。また、オ
ゾンも同様に連続的に測定することにより、紫外線う／
プの洗浄能力をモニタすることができる。
二酸化炭素または水蒸気の赤外吸収スペクトルは、分解
以外の生成ガスであるオゾンの〃外吸収スペクトルと重
ならないため、二酸化炭素または水蒸気の赤外吸収スペ
クトルの吸収強度を連続的に測定することにより、洗浄
状態をモニタしながら洗浄することができる。また、オ
ゾンも同様に連続的に測定することにより、紫外線う／
プの洗浄能力をモニタすることができる。
以上説明し念ように、本発明によれば、紫外線による被
洗浄体表面上の有機物の洗浄状態を非接触かつ非破壊に
インラインでモニタしながら洗浄できるばかりでなく、
洗浄の完了しているか否かの判定が個々の被洗浄体につ
いて可能であり、さらに、紫外線ランプの洗浄能力のモ
ニタができ安定し几洗浄に効果がある０
洗浄体表面上の有機物の洗浄状態を非接触かつ非破壊に
インラインでモニタしながら洗浄できるばかりでなく、
洗浄の完了しているか否かの判定が個々の被洗浄体につ
いて可能であり、さらに、紫外線ランプの洗浄能力のモ
ニタができ安定し几洗浄に効果がある０
第１図は本発明の一実施例の紫外線洗浄装置主要構成図
、第２図は紫外線洗浄装置内で生成した赤外吸収スペク
トル図である０ １、・・・紫外線洗浄装置、２・・・紫外線ランプ、３
・・・被洗浄体、５ａ、 ５ｂ・・・赤外ミラー、６・
・・赤外線検出器７・・・データ処理装置、８・・・記
録計０イー）、 □＼、冨１、゛ 代理人弁理士 小 川 勝 男史じン第 Ｉ Ｚ 第２図 う皮＆（ｃｍ−’）
、第２図は紫外線洗浄装置内で生成した赤外吸収スペク
トル図である０ １、・・・紫外線洗浄装置、２・・・紫外線ランプ、３
・・・被洗浄体、５ａ、 ５ｂ・・・赤外ミラー、６・
・・赤外線検出器７・・・データ処理装置、８・・・記
録計０イー）、 □＼、冨１、゛ 代理人弁理士 小 川 勝 男史じン第 Ｉ Ｚ 第２図 う皮＆（ｃｍ−’）
Claims (1)
- １、被洗浄体表面上の有機物を酸素ラジカルにより酸化
分解する洗浄装置において、酸化分解生成ガスおよびオ
ゾンを用い、洗浄状態を測定できるよう１対の赤外ミラ
ーおよび赤外光源、赤外線検出器を配設したことを特徴
とした紫外線洗浄装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22182386A JPS6378522A (ja) | 1986-09-22 | 1986-09-22 | 紫外線洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22182386A JPS6378522A (ja) | 1986-09-22 | 1986-09-22 | 紫外線洗浄装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6378522A true JPS6378522A (ja) | 1988-04-08 |
Family
ID=16772746
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22182386A Pending JPS6378522A (ja) | 1986-09-22 | 1986-09-22 | 紫外線洗浄装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6378522A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04305927A (ja) * | 1991-02-19 | 1992-10-28 | Shimada Phys & Chem Ind Co Ltd | 洗浄装置 |
| US5399526A (en) * | 1991-06-28 | 1995-03-21 | Sony Corporation | Method of manufacturing semiconductor device by forming barrier metal layer between substrate and wiring layer |
| JP2016025233A (ja) * | 2014-07-22 | 2016-02-08 | 株式会社東芝 | 基板処理装置、及び基板処理方法 |
-
1986
- 1986-09-22 JP JP22182386A patent/JPS6378522A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04305927A (ja) * | 1991-02-19 | 1992-10-28 | Shimada Phys & Chem Ind Co Ltd | 洗浄装置 |
| US5399526A (en) * | 1991-06-28 | 1995-03-21 | Sony Corporation | Method of manufacturing semiconductor device by forming barrier metal layer between substrate and wiring layer |
| JP2016025233A (ja) * | 2014-07-22 | 2016-02-08 | 株式会社東芝 | 基板処理装置、及び基板処理方法 |
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