TWI336547B - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
TWI336547B
TWI336547B TW095136585A TW95136585A TWI336547B TW I336547 B TWI336547 B TW I336547B TW 095136585 A TW095136585 A TW 095136585A TW 95136585 A TW95136585 A TW 95136585A TW I336547 B TWI336547 B TW I336547B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
layer
film
light
nitride
emitting
Prior art date
Application number
TW095136585A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200731629A (en
Inventor
Takayuki Matsuyama
Masaaki Onomura
Original Assignee
Toshiba Kk
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Kk filed Critical Toshiba Kk
Publication of TW200731629A publication Critical patent/TW200731629A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI336547B publication Critical patent/TWI336547B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
    • H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y20/00—Nanooptics, e.g. quantum optics or photonic crystals
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/028—Coatings ; Treatment of the laser facets, e.g. etching, passivation layers or reflecting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S2301/00—Functional characteristics
    • H01S2301/18—Semiconductor lasers with special structural design for influencing the near- or far-field
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/0014—Measuring characteristics or properties thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/02208—Mountings; Housings characterised by the shape of the housings
    • H01S5/02212—Can-type, e.g. TO-CAN housings with emission along or parallel to symmetry axis
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/022—Mountings; Housings
    • H01S5/02218—Material of the housings; Filling of the housings
    • H01S5/0222—Gas-filled housings
    • H01S5/02224—Gas-filled housings the gas comprising oxygen, e.g. for avoiding contamination of the light emitting facets
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/028—Coatings ; Treatment of the laser facets, e.g. etching, passivation layers or reflecting layers
    • H01S5/0282—Passivation layers or treatments
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/028—Coatings ; Treatment of the laser facets, e.g. etching, passivation layers or reflecting layers
    • H01S5/0287—Facet reflectivity
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/04—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping, e.g. by electron beams
    • H01S5/042—Electrical excitation ; Circuits therefor
    • H01S5/0421—Electrical excitation ; Circuits therefor characterised by the semiconducting contacting layers
    • H01S5/0422—Electrical excitation ; Circuits therefor characterised by the semiconducting contacting layers with n- and p-contacts on the same side of the active layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
    • H01S5/34—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers
    • H01S5/343—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser
    • H01S5/34333—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region comprising quantum well or superlattice structures, e.g. single quantum well [SQW] lasers, multiple quantum well [MQW] lasers or graded index separate confinement heterostructure [GRINSCH] lasers in AIIIBV compounds, e.g. AlGaAs-laser, InP-based laser with a well layer based on Ga(In)N or Ga(In)P, e.g. blue laser

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Biophysics (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Semiconductor Lasers (AREA)

Description

1336547 . (1) 九、發明說明 % 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關一種氮化物半導體發光裝及該製造方法 【先前技術】 於下一代 DVD ( digital versatile disc)用途，採用 400毫微米波長帶的藍紫色半導體雷射裝置。作爲發光該 波長帶的半導體，係氮化鎵等的氮化物半導體較優。 爲了在氮化物半導體雷射裝置實現高輸出、高可靠性 ，具有在光共振器的條狀兩端面形成介電質反射膜的技術 揭示例（專利文獻1 )。 在該揭示例中，藉由包含以Si02、Ti02、ΖΓ〇2所形 成的材料中之兩種的多層膜來形成反射膜作爲介電質反射 膜爲其特徵。 而且，在此種構成的反射膜中，與氮化鎵系半導體的 線膨脹係數之差過大，膜彼此的密著性變不足，反射膜易 剝離。此結果，易產生特性的變化和可靠性的下降。 進而，於氮化物半導體中，.特別是在端面附近會因較 深的準位形成易發生非發光再結合。該非發光再結合會使 端面的載餅載體減少，光吸收變大。因該些會發生溫度上 昇，且端面附近會發生能帶隙收縮，故光吸收更大。因藉 由該正回饋作用，會發生 COD ( Catastrophic Optical Damage)，故可利用的最大光輸出降低。 -4- (2) (2)1336547 再者，揭示一種在使用與氮化物半導體相異的半導體 之半導體雷射密封的封裝之環境氣中包含氧氣的技術（專 利文獻2 )。 [專利文獻1]日本特開第2004 -6913號公報 [專利文獻2]美國專利第5，392，305號詳細說明書 【發明內容】 藉由本發明之形態，提供一種氮化物半導體發光裝置 ，其特徵爲： 具備： 氮化鎵基板；和 包含設置在前述氮化鎵基板上之發光層的氮化物半導 體的多層膜； 前述氮化鎵基板及前述多層膜，係分別構成：利用同 一劈開面的雷射光射出側端面；和利用同一劈開面的雷射 光反射側端面； 在前述雷射光射出側端面上，設有包含第1氮化矽層 的第1膜； 在前述雷射光反射側端面上設有包含：第2氮化矽層 ，以及交互層積設置在前述第2氮化矽層上的氧化物層與 氮化矽層的層積膜的第2膜。 又，藉由本發明之其他一形態，提供一種氮化物半導 體發光裝置，其特徵爲： 具備： -5- (3) 1336547
AlGaN緩衝層；和 · 設置在前述AlGaN緩衝層上的第1導電型 :和 由選擇性設置在前述η型AlGaN層上的氮化 所形成的發光層；和 設置在前述發光層之上的第2導電型AlGaN 和 包含設置在前述第2導電型AlGaN覆蓋層之 氮化矽層的第1膜；和 包含：鄰接於前述AlGaN緩衝層而設置在其 氮化矽層，以及設置在前述第2氮化矽層之下祖 氧化物層與氮化矽層的層積膜的第2膜； 來自前述發光層的放射光，會在前述第1膜 2膜之間產生共振。 又，藉由本發明之其他一形態，提供一種氮 體發光裝置之製造方法，其特徵爲具備： 在具有氮化鎵基板與設置在前述基板且包含 氮化物半導體的多層膜的半導體雷射元件的光射 上，形成至少包含第1氮化矽層的第1膜的工程 在前述半導體雷射元件的光反射側端面上， 形成：第2氮化矽層，以及交互層積氧化物層與 的第2膜的工程。 【實施方式】
AlGaN 層 物半導體 覆蓋層； .上的第1 下的第1 交互層積 與前述第 化物半導 發光層之 出側端面 :和 依此順序 氮化砂層 -6 - (4) 1336547 以下，邊參照圖面，邊針對本發明之實施形態做 〇 第1圖爲有關本發明之第1具體例的氮化物半導 射裝置的模式立體圖。 又，第2圖爲沿著中央部AA’的模式垂直剖面圖 在GaN (氮化鎵）基板12之上，依此順序層積 型AlGaN覆蓋層14、GaN導光層16、量子阱結構發 18、GaN導光層20、p型AlGaN覆蓋層22、p +型 接觸層24。 又’如第2圖所示，p型AlGaN覆蓋層22，被微 工成所謂「脊形導波路」的形狀，由脊形部3 0與非 部3 2所構成。脊形側面3 4及非脊形部3 2的上面， 絕緣膜26’進f了半導體層的保護和橫向水平方向的闻 式控制。此構造，例如稱爲「折射率導波型」。 在由p型AlGaN覆蓋層22所形成的脊形部30之 ’設有P型GaN接觸層24，用來減低與p側電極28 觸電阻。進而’η型GaN基板12的背面側，設有η 極10。 認爲在氮化物半導體雷射裝置中，亦有以i
BxAlyGazIni.x_y_zN ( 0$ 1、〇 ^ y ^ 1、〇$ 1、 + ζ$1)所表現的半導體所形成的多層膜，會被結晶 在藍寶石或SiC (碳化矽）等異種基板之上的情形。 般該些異種基板由於格子定數與氮化物半導體非常不 因此有許多結晶缺陷。對此，在本具體例中，因採用 說明 體雷 有η 光層 GaN 細加 脊形 設有 次模 上部 的接 側電 藉由 X + y 生長 但一 同， 格子 (5) (5)1336547 定數之差較小的GaN基板12，故結晶性優。又，線膨脹 係數或楊氏模數（Young's modulus )也近似於氮化矽。對 此，因藍寶石基板具有GaN基板之2倍以上的線膨脹率， 故與氮化矽的密著性差，較易引起膜的剝離。 又，GaN基板的熱傳導率約爲130w/mk，比藍寶石 基板大約一倍。因而，在採用GaN基板的本具體例中，可 增大擴散在光密度高的端面附近所發生之熱的效果。 其次，說明有關大幅影響半導體雷射裝置之特性及可 靠性上的介電質反射膜。 如第1圖及第2圖舉例所示，氮化物半導體雷射裝置 40的脊形部30，是做成條狀。半導體雷射裝置的光束， 是形成橫向水平方向（X方向）關在該條狀的下方。就是 ，在沿著該條狀的Z軸方向構成有光共振器。該光共振器 的共振面，係藉由劈開等所形成之光損失小的鏡面（反射 鏡）爲佳。 於第1圖舉例表示設置2層構成的低反射膜（第1膜 )54作爲光射出側端面，設置14層構成的高反射膜（第 2膜）64作爲光反射側端面的本具體例。 又，第3圖係沿著第1圖舉例所示的氮化物半導體雷 射裝置之BB’的模式垂直剖面圖。 在形成光共振器的端面之中的射出側端面70，形成有 依此順序每一層層積有第1保護氮化矽（Si3N4)層50及 氧化矽（Si02)層52的低反射膜54。 又，在形成光共振器之端面中的光反射側端面72，係 -8 - (6) (6)1336547 鄰接而設有第2保護氮化砂層60。進而，交互層積有如氧 化矽的氧化物層62與氮化矽層61，且形成有合計14層所 構成的高反射膜64。低反射膜的構成並不限於2層。1層 或3層以上均可。 高反射膜的構成並不限於14層。若對數較多，雖可 得到更高反射率，但可配合要求來決定必要對數。再者， GaN、氮化矽、氧化砂的折射率，分別爲約2.6、2.0〜2.1 、約 1.5 。 在半導體雷射裝置中，爲了得到更高的輸出，希望在 光射出側降低介電質反射膜的反射率，在光反射側提高介 電質反射膜的反射率。如果這樣，就能在光射出側將更大 的光輸出取出到外部。例如，光反射側的光反射率爲90 % 以上，光射出側的光反射率爲1 0 %以下，藉此由光射出側 取出更大的輸出。 又，於本具體例中，鄰接光共振面的兩端面而配置有 氮化矽（Si3N4 )層。針對此點做說明明。
GaN的線膨脹係數爲約3.17xl(T6/°C，楊氏模數爲 2.90)0(^4 / m2。另一方面，與氮化矽（Si3N4)之線膨脹 係數爲3.20xl0_6/°C，以及楊氏模數爲 之差小。將此與GaAs做比較會更清楚。亦即，GaAs之線 膨脹係數爲5.90xl(T6/°C，楊氏模數爲8_55xl01()N/m2 ，故與氮化矽之差大。 因而，對GaAs系而言，因氮化矽線膨脹係數和楊氏 模數不太相同，故直接對發光層被覆的話，密著性不足， -9 - (7) (7)1336547 因發生膜剝離等故很不理想。寧可爲Si 02或Al2〇3較佳》 另一方面，對GaN或InGaAIN系等之氮化物半導體 而言，線膨脹係數或楊氏模數相近的氮化矽爲佳，Si02、 AIN、Al2〇3等並不理想》特別是在本具體例中，因以氮化 物半導體所形成的發光層是結晶生長於同種材料的GaN基 板上，故GaN基板與線膨脹係數或楊氏模數相近的氮化矽 層之密著性極爲良好。 其次，針對氮化矽的另一個特質做說明。此乃與半導 體雷射裝置的最大光輸出相關連。亦即，在氮化物半導體 雷射裝置中，在構成光共振器之端面附近易產生較深準位 的非發光再結合中心。藉由此再結合，在端面附附近，載 體減少，光吸收増加，同時溫度上昇。像這樣的溫度上昇 會招致能帶隙收縮，光吸收愈來愈增加。因此作用爲正回 饋，故終究還是會溫度上昇引起結晶溶融等。因該些會產 生 COD ( Catastrophic Optical Damage )，故最大光輸出 會下降。 但由於在GaN基板與由氮化物半導體所構成之元件的 端面，被覆氮化矽的話，氮化矽也含有氮（N)，故懸空 鍵（dangling-bond)較少，就能減低非發光再結合中心的密 度。因而，因能減低光吸收與溫度上昇的連鎖的正回饋， 故可抑制COD下降。 如以上說明，在本具體例中，將具有比異種基板或氧 化物系介電質反射膜更接近GaN之線膨脹係數的氮化矽層 ，形成在由GaN基板上之氮化物半導體所形成的多層膜之 -10- (8) (8)1336547 端面上，藉此會改善膜的密著性，且COD準位也會改善 。此結果，就能成爲改善高輸出特性及可靠性的氮化物半 導體雷射裝置。 其次，針對第1具體例的低反射膜及高反射膜之構造 、特性做說明。 第4圖爲表示設置在光射出側端面之低反射膜54的 反射率之波長依存性（藉由模擬）的座標圖。 此時，反射率於400〜410毫微米之波長範圍中，設 計値爲5 %。例如，第1保護氮化矽層5 0的厚度可爲5 1 毫微米、氧化物（Si02)層52厚度爲153毫微米。此結 果，如第4圖舉例所示，於390〜430毫微米之寬波長範 圍中，能實現約5 %的低反射率。 第5圖爲表示設置在光反射側端面之高反射膜64的 反射率之波長依存性（藉由模擬）的座標圖。 此時，反射率於400〜410毫微米之波長範圍中，設 計値爲93%。第2保護氮化矽層60的厚度爲51毫微米。 氧化物層62的厚度爲69毫微米，氮化矽層61的厚度爲 51毫微米，將此交互地合計層積12層，最後的氧化物層 之厚度僅137毫微米。此結果’於390〜430毫微米之寬 波長範圍中，得到9 3 %以上的反射率。此構造’係將折射 率不同的兩種介電質對形成2分之1波長的厚度’層積介 電質對，藉此增強反射光的所謂卜式（Bragg)反射器。 再者，在第1保護氮化矽層50及第2保護氮化矽層 60，係用來保護端面，藉由減低氮化物半導體之端面附近 -11 - 1336547 Ο) 較深的準位，藉此具有抑制非發光再結合的作用。當然， 第1保護氮化矽層及第2保護氮化矽層係爲構成低反射膜 及高反射膜之氮化矽層的一部，也具有反射率控制作用。 再者，在上述高反射膜中，雖然氮化矽層及氧化物層 的厚度，分別可爲4分之1波長，但並不限於此。因藉由 2種之介電質間的折射率差會產生反射，故線膨脹係數與 GaN相近的氮化矽層的厚度爲4分之1波長以上，氧化物 層的厚度亦可爲4分之1波長以下。又，不限於Si02層 ，Al2〇3、Zr02、Ti02等之氧化物亦可。全體的反射率可 藉由模擬算出。 再者，雖然最上層可以不是氧化膜層，但氧化膜層較 能抑制發光層附近之碳氫化合物等的堆積。針對這個，於 後詳述。 其次，針對本具體例的製造工程做說明。 第6圖係表示晶圓形成至晶片劈開的工程主要部分之 流程圖。 首先，實施在GaN基板上形成氮化物半導體多層膜、 電極等的晶圓工程（步驟S200 )。將該晶圓藉由雷射劃 線等，劈開、分離成條形狀，藉此形成共振器端面（S2〇2 )° 接著，以端面相對向於電漿地，將條形巴（bar)排列在 基板保持器80上，爲了被覆將端面的表面藉由以20〜 3 OeV的能量成爲電漿狀態的氬，在ECR濺鍍裝置內進行 清洗（S204 )。這之後，僅在光射出側端面70上依序將 -12- (10) (10)1336547 第1保護氮化矽層50形成51毫微米，接著氧化物層52 形成153毫微米的厚度（S206 )。氧化物層形成後，藉由 以20〜30eV的能量成爲電漿狀態的氬進行清洗（S208 ) 。藉由該清洗除去最外側氧化物層表面之像是有機物的污 物。假設在最外側氧化膜上有經由ECR之膜形成時或膜 形成後所產生的污物，如後面所說明地，藉由雷射放射引 起充電等，該些污物易堆積在發光點附近。對此，如上所 述，進行利用氬的清洗，藉此就能抑制污物的堆積。 接著，將條形巴之相反側的共振面相對向於電漿地排 列在基板保持器上，利用以20〜30eV成爲電漿狀態的氬 之清洗（S210)後，形成51毫微米的第2保護氮化矽層 60。進而，將69毫微米厚的氧化物層62與51毫微米厚 的氮化矽層61交互地形成合計12層，最後將氧化物層形 成137毫微米（S212)。層數合計爲14層。這之後，進 行利用電漿狀態之氬的清洗（S2 1 4 )。藉由該清洗就能除 去最外側氧化物層表面之像是有機物的污物。這之後，使 用雷射劃線等進行晶片劈開（S216)。再者，在第6圖舉 例所示的流程圖中，雖依低反射膜、高反射膜的順序所形 成，但此相反的順序亦可。 第 7 圖爲表示 ECR ( Electron Cyclotron Resonance) 濺鍍裝置的模式圖。 於本裝置中，藉由利用方形導波管90所導入之 2.4 5 GHz的電磁波引起放電，藉由施加於共振器軸方向之 磁場B及旋轉電場E產生使電子旋轉的電漿82。此結果 -13- (11) 1336547 ’就能在冷陰極、高真空狀態（0.01〜〇.2Pa)下產 82。再者，共振器軸方向磁場b，係藉由電磁線圈 產生。 又，反應室84是藉由真空泵85排氣，且可從 合需要而導入氬氣、氧氣、氮氣。由矽和金屬等所 高純度標靶98，係連接於電源96。 第8圖是表示ECR濺鍍工程之條形巴100的 態的模式立體圖。 條形巴100，係將端面70接於電漿82地，垂 在基板保持器80上。利用電漿82來濺鍍矽等之高 靶98，而在條形巴1 〇〇的端面被覆氮化矽層和氧化 的帶電體。再者，在相反側的端面72 (圖未表示） ，條形巴是虛線部分爲劃線，分離成晶片1 02。 第9圖爲表示按此所形成的氮化矽（Si3N4) 、氧化矽（Si02 )之折射率的波長依存性的實測座; ECR電漿是以0.01〜0.2Pa的低氣壓，就能產 度電漿（5〜10mA/ cm2 )。此結果，就能形成低 密、平滑、高品質薄膜。 如半導體雷射裝置的介電質反射膜，ECR濺鍍 於膜厚薄、精密地控制折射率、抑制對發光層的損 例如，藉由ECR濺鍍的氮化矽膜，爲與鑽石 硬度，與所謂較硬結晶的GaN基板的整合性優。又 化矽膜的氟酸耐性爲利用電漿CVD之氮化矽膜的絮 ，連對水份和氫，阻隔性都很高，呈現緻密的膜。 生電漿 92所 上流配 形成的 排列狀 直配置 純度標 物層等 成膜後 ' Al2〇3 標圖。 生高密 損傷緻 膜適用 傷。 同類的 ，該氮 3 10倍 • 14- (12) 1336547 其次，說明EC R濺鍍膜的內部應力可藉 控制。 第10圖爲表示形成在氮化物半導體之多 的ECR濺鍍膜（氮化矽）之內部應力的實測 量依存性的座標圖。縱軸表示氮化矽膜的內荀 )，橫軸表示氮氣流量（seem )。參數爲形成 室溫（RT)、以及3 00°C。 無論在哪個溫度，氮流量在5sccm附近， 大，例如：像是在300°C高溫形成膜就會造成 Tensile)。另一·方面，氮流量在5sccm以下的 應力會與氮流量之下降一起下降，在4sccm附 壓縮應力（Compressive)。又，即使氮流量ί 上的區域，內部應力會下降，且在6 seem附近 縮應力。 像這樣，因藉由控制溫度與氮流量，就能 內部應力，故對於氮化物半導體而言，可形成 的層積反射膜。 如以上說明，鄰接於包含氮化物半導體發 出側端面70及光反射側端面72，來配置線膨 氏模數相近的氮化矽層，藉此改善反射膜的密 能藉由懸空鍵（dangling-bond)減低抑制非發光 也可改善COD準位。此結果，提供改善高輸 改善可靠性的氮化物半導體雷射裝置。例如， 爲75°C中，在120mW輸出脈衝驅動條件下，： 由氮氣流量 層膜端面上 値之氮氣流 :應力（GPa 溫度、形成 內部應力最 拉伸應力（ 區域，內部 近以下成爲 E 5 s c cm 以 以上成爲壓 控制各層的 應力應變小 光層的光射 脹係數及楊 著性。更因 再結合，故 出特性，且 在周圍溫度 荨到2 ， 000 -15- (13) (13)1336547 小時以上的平均壽命。此乃充分滿足下一代DVD記錄要 求。再者，使用不是藍寶石等的異種基板，爲與發光層同 種材料的GaN基板12，藉此可改善反射膜之密著性等的 機械性強度。 第11圖爲有關第2實施例的氮化物半導體雷射裝置 的模式立體圖。於同圖中，在與第3圖舉例所示的第1具 體例同樣的構成要素，附上同一編號而省略詳細的說明。 於本具體例中，低反射膜54爲4層，反射率設計爲 10%。由光射出面70側，依序層積有第1氮化保護矽層 5〇、氧化物層52、氮化矽層51、氧化物層52，且構成低 反射膜5 4。 第12圖爲表示設置在該光射出側端面之低反射膜的 反射率之波長依存性的座標圖。 在395〜405毫微米的波長中，可得到約10%的反射 率。低反射膜5 4的反射率提高1 〇 %的話’就能減低對於 來自外部光學系統之返迴光的半導體雷射裝置的特性變動 。例如，因可減低返迴光雜波等，故可減低光碟讀取錯誤 。再者，設置在光反射側端面的高反射膜64’係與第1具 體例相同。 其次，針對介電質反射膜上所產生的污物做說明。 來自雷射裝置的光束具有高能量。藉由具有高能量的 光束等，在長時間驅動後，最常觀察到碳氫化合物等堆積 在發光點附近的現象。 第13圖爲表示進行利用大輸出動作之高溫加速試驗 -16- (14) (14)1336547 之比較例的模式立體圖。· 又’第1 4圖爲其比較例的模式剖面圖。再者，連該 些圖中，在與第1圖至第12圖同樣的構成要素，附上同 一編號，省略詳細的說明。 在超過定格輸出動作範圍的高溫加速試驗中，碳氫化 合物等的有機物，會因經由雷射光的充電等在發光點附近 產生堆積物。GaN系材料因電阻率高，故有易充電的傾向 。但是，反射膜形成後，藉由將氬等的非活性氣體以20〜 3 OeV形成電漿狀態，主要是清洗最外側層的表面，這些 就能大幅減低。進而，抑制碳氫化合物堆積，在對封裝之 密封環境氣含有氧氣爲佳。 第15圖爲表示直徑約5.6公釐的封裝之組裝的氮化 物半導體雷射裝置的模式部分剖面立體圖。晶片1 02被組 裝到套筒110內，且藉由具備玻璃窗112的蓋部114被氣 密密封。而且，在封裝內，塡充含氧的氮氣、不活性氣體 等。 此時，雖然氧氣很微量，但介電質反射膜也很薄，由 於抑制氮化矽層的氧化，因此最外側層爲氧化物層更佳。 亦即，在介電質反射膜構成中，其最外側層爲氧化物層較 佳。 進而，藉由第15圖，來說明在晶片黏貼（chip mount) 時，能減低線膨脹應變。在晶片〗〇2’安裝在套筒110或 者A1N和SiC等之副裝配件（圖未表示）之情形下，昇溫 200〜350°C。例如，以3 50°C安裝的情形下，就能將利用 -17- (15) 1336547 以約175 °C形成ECR濺鍍膜之裝配時的線膨脹應變，成爲 室溫形成膜的約一半。此結果，因機械性強度增加，故可 改善可靠性。對於ECR濺鍍膜，形成溫度係可在室溫至 裝配溫度的範圍選擇。 其次，針對有關第3具體例的氮化物半導體發光裝置 做說明。
第16圖爲有關第3具體例的氮化物半導體發光裝置 的模式立體圖。
在碳化矽（SiC)基板（圖未表示）上，生長AlGaN 緩衝層124' η型AlGaN覆蓋層126、InGaN系發光層128 、卩型AlGaN覆蓋層130、p型GaN接觸層132。接著， 形成分離溝138，除去本圖之分離溝138之右側的n型 AlGaN覆蓋層126之上部。進而，如圖藉由圖案化來加工 p型GaN接觸層132，在其上形成p側電極134。另一方 面，在隔著η型AlGaN覆蓋層126之分離溝31而露出的 η型AlGaN覆蓋層126之上，形成η側電極140。 接著，在Ρ型AlGaN覆蓋層130上，在未形成ρ側電 極的區域，形成以氮化矽層與氧化物層（例如氧化矽層） 所形成的反射層136。進而，使用雷射剝離法等，剝離碳 化矽基板，在AlGaN緩衝層124上，依序形成以氮化矽層 與氧化物層所形成的反射層122、Ti/Pt/Au層120，來 完成氮化物半導體發光裝置。 因來自InGaN系發光層128的放射光，會藉由利用反 射層122及反射層136所形成的共振器引起共振，故形成 -18- (16) (16)1336547 所謂的超輻射發光二極體（Light Emitting Diode)而動作 。此時，只有位在下側的反射層1 22亦可。無論何種情形 ，藉由反射層進行高亮度且共振的光，都會如第16圖以 箭頭舉例所示，朝氮化物半導體發光裝置之上方放射。 在本具體例中，也在AlGaN緩衝層124鄰接而配置有 氮化矽層，且在P型AlGaN覆蓋層130鄰接而配置有氮化 矽層。因此，由於能減低利用非發光再結合的無效電流， 且線膨脹係數之差小，故密著性佳。此結果，提供高輸出 且改善可靠性的超輻射發光二極體》 以下，邊參照具體例，邊針對本發明之實施形態做說 明。 而且，本發明並不限於該些。有關構成氮化物半導體 雷射裝置、氮化物半導體發光裝置的半導體多層膜、反射 膜、封裝等各要素的形狀、尺寸、材質、配置關係等，還 有有關ECR濺鎪膜和電漿清洗等的製程，連業者所加上 各種的變更，在具有本發明之主旨的程度，均包含於本發 明之範圍內。 再者，於本明細書中「氮化物半導體」包含在 Bx AlyGazIni.x.y.zN ( 1 ' 1 ' 1 > x+ y + z$l)所成的化學式中，將組成比x及y在各個範圍內 變化的所有組成的半導體。又，更包含用以控制導電型被 添加的各種雜質的任一者，也包含「氮化物半導體」。 【圖式簡單說明】 -19- (17) (17)1336547 第1圖爲有關本發明之第1具體例的氮化物半導體雷 射裝置的模式立體圖。 第2圖爲表示沿著第1圖之中心線AA’的垂直剖面 之模式圖。 第3圖爲表示沿著第1圖之中心線BB’的垂直剖面 之模式圖。 第4圖爲表示第1具體例之低反射膜（第1膜）的反 射率之波長依存性的座標圖。 第5圖爲表示第1具體例之低反射膜（第2膜）的反 射率之波長依存性的座標圖。 第6圖爲表示有關第1具體例之氮化物半導體雷射裝 置的製造工程之主要部分的流程圖。 第7圖爲表示ECR濺鍍裝置之主要部分的模式圖。 第8圖是表示條形巴之排列狀態的模式立體圖。 第9圖爲表示應用於本具體例之ECR濺鍍膜折射率 的波長依存性的座標圖。 第10圖爲表示ECR濺鍍膜之內部應力（實測）的氮氣 流量依存性的座標圖。 第11圖爲有關本發明之第2具體例的氮化物半導體 雷射裝置的模式剖面圖。 第12圖爲表示第2具體例之低反射膜的反射率之波 長依存性的座標圖。 第1 3圖是表示比較例的模式立體圖。 第1 4圖是比較例的模式垂直剖面圖。 -20- (18) (18)1336547 第15圖是有關本具體例的氮化物半導體雷射裝置的 模式剖分切斷立體圖。 第16圖爲有關本發明之第3具體例的氮化物半導體 雷射裝置的模式剖面圖。 【主要元件符號說明】 1 〇 : η側電極 12 : GaN (氮化鎵）基板 1 4 : η型AlGaN覆蓋層 16 : GaN導光層 18:量子阱結構發光層 20 : GaN導光層 22 : p型AlGaN覆蓋層 24 : p +型GaN接觸層 26 :絕緣膜 2 8 : p側電極 3〇 :脊形部 3 2 :非脊形部 3 4 :脊形側面 40 :氮化物半導體雷射裝置 5〇:第1保護氮化矽層 5 1 :氮化矽層 52 :氧化矽層 54 :低反射膜（第1膜） •21 - (19)1336547
60 :第2保護氮化矽層 6 1 :氮化砂層 6 2 :氧化物層 64 :高反射膜（第2膜） 70 :光射出側端面 72 :光反射側端面 80 :基板保持器 82 :電漿 84 :反應室 85 :真空泵 90 :方形導波管 9 2 :電磁線圈 9 8 :高純度標靶 9 6 :電源 100 :條形巴（bar)
102 :晶片 1 10 :套筒 1 12 :玻璃窗 1 14 :蓋部 1 20 : Ti/ Pt/ Au 層 1 2 2 :反射層 1 24 : AlGaN緩衝層 126: η型AlGaN覆蓋層 128 : InGaN系發光層 -22- (20) (20)1336547 130 : p型AlGaN覆蓋層 132 : p型GaN接觸層 1 3 4 p側電極 1 3 6 :反射層 138 :分離溝 1 4 0 : η側電極

Claims (1)

  1. I3%547 % 〆 I----- , 年k月/y曰修正本 十、申請專利範圍 第95 1 36585號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 民國99年10月14日修正 1· 一種氮化物半導體發光裝置，其特徵爲： 具備：
    氮化鎵基板；和 包含設置在前述氮化鎵基板上之發光層的氮化物半導 體的多層膜； 前述氮化鎵基板及前述多層膜，係分別構成：利用同 一劈開面的雷射光射出側端面；和利用同一劈開面的雷射 光反射側端面； 在前述雷射光射出側端面上，設有包含與前述雷射光 射出側端面鄰接之第1氮化矽層的第1膜； 在前述雷射光反射側端面上設有包含：與前述雷射光 反射側端面鄰接之第2氮化矽層，以及交互層積設置在前 述第2氮化矽層上的氧化物層與氮化矽層的層積膜的第2 膜。 2 ·如申請專利範圍第1項所記載的氮化物半導體發光 裝置，其中， 前述層積膜，爲藉由前述氧化物層與前述氮化矽層所 形成的卜式反射器； 構成前述卜式反射器的氮化矽層的厚度，爲從前述雷 1336547 射光射出側端面被放出的雷射光之波長的4分之1以上且 小於2分之1。 3 ·如申請專利範圍第1項所記載的氮化物半導體發光 裝置，其中， 前述雷射光射出側端面及前述雷射光反射側端面的至 少任一個的最表面，爲氧化物層。
    4. 如申請專利範圍第3項所記載的氮化物半導體發光 裝置，其中， 前述最表面的氧化物層，爲以從由Si02、Ti〇2、Zr02 及ai2o3所組成的群中所選出的任一種所形成。 5. 如申請專利範圍第1項所記載的氮化物半導體發光 裝置，其中， 前述氧化物層，爲以從由Si02、Ti02、Zr02及A1203 所組成的群中所選出的任一種所形成。
    6. 如申請專利範圍第1項所記載的氮化物半導體發光 裝置，其中， 前述第1膜，係以由前述雷射光射出側端面，依此順 序層積有：前述第1保護氮化矽層、氧化物層、氮化矽層 、氧化物層的4層所構成。 7. 如申請專利範圍第6項所記載的氮化物半導體發光 裝置，其中， 包含於前述第1膜的前述氧化物層，爲以從由Si 〇2、 Ti02、Zr〇2及ai2〇3所組成的群中所選出的任一種所形成 -2-
    1336547 8 .如申請專利範圍第1項所記載的氮化物_ 裝置，其中， 更具備密封前述氮化鎵基板、前述多層膜、 膜以及前述第2膜的封裝； 在前述封裝之進行密封的環境氣體中包含氧 9.—種氮化物半導體發光裝置，其特徵爲： 具備： AlGaN緩衝層；和 設置在前述AlGaN緩衝層上的第1導電型 :和 由選擇性設置在前述第1 AlGaN層上的氮化 所形成的發光層：和 設置在前述發光層之上的第2導電型AlGaN 和 包含設置在前述第2導電型AlGaN覆蓋層之 ^氮化矽層的第1膜；和 設於前述AlGaN緩衝層之下，包含第2氮化 積膜之第2之膜；前述第2氮化矽層乃接觸於前 緩衝層而設之，前述層積膜乃具有交互層積之至 氧化物層與至少一層之氮化矽膜； 來自前述發光層的放射光，會在前述第1膜 2膜之間產生共振。 1 0·如申請專利範圍第9項所記載氮化物半 裝置，其中， 導體發光 前述第1 〇 A1G a N 層 物半導體 覆蓋層； .上的第1 砂層與層 述 AlGaN 少一層之 與前述第 導體發光 -3- 1336547 前述層積膜，爲藉由前述氧·化物層與前述氮化矽層所 形成的卜式反射器； 構成前述卜式反射器的氮化矽層之厚度，爲從前述雷 射光射出側端面被放出的雷射光之波長的4分之1以上且 小於2分之1。 1 1 ·如申請專利範圍第9項所記載氮化物半導體發光 裝置，其中，
    前述第1膜的最表面，爲氧化物層。 1 2.如申請專利範圍第1 1項所記載的氮化物半導體發 光裝置，其中， 前述最表面的氧化物層，爲以從由Si〇2、Ti〇2、Zr〇2 及ai2o3所組成的群中所選出的任—種所形成。 1 3 _如申請專利範圍第9項所記載的氮化物半導體發 光裝置，其中，
    前述氧化物層，爲以從由Si〇2、Ti02、Zr02及Al2〇3 所組成的群中所選出的任一種所形成。 1 4.如申請專利範圍第9項所記載的氮化物半導體發 光裝置，其中， 前述第1膜，係於前述第2導電型AlGaN覆蓋層上， 依此順序層積有：與前述第2導電型AlGaN覆蓋層鄰接之 前述第1氮化矽層、氧化物層、氮化矽層、氧化物層的4 層所構成。 15.—種氮化物半導體發光裝置之製造方法，其特徵 爲具備： -4- 1336547 在具有：氮化鎵基板與‘設置在前述基板且包含發光層 的氮化物半導體之多層膜的半導體雷射元件的光射出側端 面上，形成至少包含鄰接於前述光射出側端面之第1氮化 矽層的第1膜的工程；和 在前述半導體雷射元件的光反射側端面上，依此順序 形成：鄰接於光反射側端面之第2氮化矽層、以及交互層 積氧化物層與氮化矽層的第2膜的工程。
    1 6 ·如申請專利範圍第1 5項所記載的氮化物半導體發 光裝置之製造方法，其中， 在形成前述第1氮化矽層之前，藉由電漿狀態的非活 性氣體來清洗前述端面的表面。 1 7 ·如申請專利範圍第1 5項所記載的氮化物半導體發 光裝置之製造方法，其中， 在形成前述第2氮化矽層之前，藉由電漿狀態的非活 性氣體來清洗前述端面的表面。 1 8 ·如申請專利範圍第i 5項所記載的氮化物半導體發 光裝置之製造方法，其中， 在形成前述第1膜之後，藉由電漿狀態的非活性氣體 來清洗前述第1膜的表面。 1 9 ·如申請專利範圍第1 5項所記載的氮化物半導體發 光裝置之製造方法，其中， 在形成前述第2膜之後，藉由電漿狀態的非活性氣體 來清洗前述第2膜的表面。 20.如申請專利範圍第15項所記載的氮化物半導體發 -5- 1336547 光裝置之製造方法，其中， 更具備：在形成前述第1膜的工程與形成前述第2膜 的工程之前，將在氮化鎵基板上具有包含發光層的氮化物 半導體的多層膜的晶圓劈開成條形狀，藉此形成具有前述 光射出側端面與前述光反射側端面的前述半導體雷射元件 的工程。
TW095136585A 2005-10-11 2006-10-02 Nitride semiconductor light-emitting device and the method of manufacturing the same TW200731629A (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2005296931A JP2007109737A (ja) 2005-10-11 2005-10-11 窒化物半導体レーザ装置及びその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200731629A TW200731629A (en) 2007-08-16
TWI336547B true TWI336547B (zh) 2011-01-21

Family

ID=38019022

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW095136585A TW200731629A (en) 2005-10-11 2006-10-02 Nitride semiconductor light-emitting device and the method of manufacturing the same

Country Status (4)

Country Link
US (1) US7602829B2 (zh)
JP (1) JP2007109737A (zh)
CN (1) CN100463311C (zh)
TW (1) TW200731629A (zh)

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7852893B2 (en) * 2007-02-26 2010-12-14 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor laser device
JP4964027B2 (ja) * 2007-05-28 2012-06-27 三洋電機株式会社 窒化物系半導体レーザ素子の作製方法
US20080298411A1 (en) * 2007-05-28 2008-12-04 Sanyo Electric Co., Ltd. Nitride-based semiconductor laser device and method of manufacturing the same
JP4986714B2 (ja) * 2007-05-30 2012-07-25 三洋電機株式会社 窒化物系半導体レーザ素子およびその製造方法
US7646025B1 (en) * 2007-05-31 2010-01-12 Chien-Min Sung Diamond LED devices and associated methods
US8309967B2 (en) * 2007-05-31 2012-11-13 Chien-Min Sung Diamond LED devices and associated methods
JP5122337B2 (ja) * 2007-06-13 2013-01-16 シャープ株式会社 発光素子及び発光素子の製造方法
JP2009081374A (ja) * 2007-09-27 2009-04-16 Rohm Co Ltd 半導体発光素子
US7978744B2 (en) * 2007-09-28 2011-07-12 Sanyo Electric Co., Ltd. Nitride based semiconductor laser device with oxynitride protective films on facets
US7924898B2 (en) * 2007-09-28 2011-04-12 Sanyo Electric Co., Ltd. Nitride based semiconductor laser device with oxynitride protective coatings on facets
JP5183516B2 (ja) * 2008-02-15 2013-04-17 三洋電機株式会社 半導体レーザ素子
JP5193718B2 (ja) * 2008-07-18 2013-05-08 パナソニック株式会社 窒化物半導体レーザ装置
JP2010067890A (ja) * 2008-09-12 2010-03-25 Hitachi Cable Ltd 発光素子
JP5922400B2 (ja) * 2011-12-27 2016-05-24 古河電気工業株式会社 半導体装置の測定方法
JP7009988B2 (ja) * 2017-12-28 2022-01-26 三菱ケミカル株式会社 酸化ケイ素薄膜積層体のロール状巻回体およびその製造方法
EP4386823A1 (en) * 2022-12-12 2024-06-19 Comptek Solutions OY Method of passivating cleaved semiconductor structure

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4656638A (en) * 1983-02-14 1987-04-07 Xerox Corporation Passivation for surfaces and interfaces of semiconductor laser facets or the like
JPS61207091A (ja) * 1985-03-11 1986-09-13 Sharp Corp 半導体レ−ザ素子
JPS62238679A (ja) * 1986-04-09 1987-10-19 Mitsubishi Electric Corp 光半導体素子
US5392305A (en) 1993-07-14 1995-02-21 Corning Incorporated Packaging of high power semiconductor lasers
WO1997010630A1 (en) * 1995-09-14 1997-03-20 Philips Electronics N.V. Semiconductor diode laser and method of manufacturing same
JP2870486B2 (ja) * 1996-06-06 1999-03-17 日本電気株式会社 半導体レーザ素子
EP0893000B1 (en) * 1996-12-13 2002-04-03 Uniphase Opto Holdings, Inc. Self-pulsating semiconductor diode laser and method of manufacturing thereof
JP2971435B2 (ja) * 1998-03-30 1999-11-08 東芝電子エンジニアリング株式会社 半導体レーザおよびその製造方法
JP3699851B2 (ja) * 1998-05-11 2005-09-28 三菱化学株式会社 半導体発光素子の製造方法
US6590920B1 (en) * 1998-10-08 2003-07-08 Adc Telecommunications, Inc. Semiconductor lasers having single crystal mirror layers grown directly on facet
JP3814432B2 (ja) * 1998-12-04 2006-08-30 三菱化学株式会社 化合物半導体発光素子
JP2000216476A (ja) * 1999-01-25 2000-08-04 Sanyo Electric Co Ltd 半導体発光素子
JP2000036633A (ja) * 1999-07-16 2000-02-02 Toshiba Electronic Engineering Corp 半導体レ―ザ
JP4033644B2 (ja) * 2000-07-18 2008-01-16 日亜化学工業株式会社 窒化ガリウム系発光素子
US6727520B2 (en) * 2000-12-29 2004-04-27 Honeywell International Inc. Spatially modulated reflector for an optoelectronic device
JP2002223029A (ja) * 2001-01-24 2002-08-09 Fuji Photo Film Co Ltd 半導体レーザ素子およびレーザモジュール
JP2002237648A (ja) * 2001-02-13 2002-08-23 Fuji Photo Film Co Ltd 半導体レーザ素子
JP4977931B2 (ja) * 2001-03-06 2012-07-18 ソニー株式会社 ＧａＮ系半導体レーザの製造方法
ATE487255T1 (de) 2001-05-31 2010-11-15 Nichia Corp Halbleiterlaserelement
US6812152B2 (en) 2001-08-09 2004-11-02 Comlase Ab Method to obtain contamination free laser mirrors and passivation of these
JP2003078199A (ja) 2001-09-03 2003-03-14 Fuji Photo Film Co Ltd 半導体レーザ装置
JP2003243764A (ja) * 2002-02-19 2003-08-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体レーザおよびその製造方法
JP3856300B2 (ja) * 2002-03-11 2006-12-13 ソニー株式会社 半導体レーザ素子
JP2004006913A (ja) 2003-06-09 2004-01-08 Nichia Chem Ind Ltd 窒化物半導体レーザ素子

Also Published As

Publication number Publication date
TW200731629A (en) 2007-08-16
US7602829B2 (en) 2009-10-13
US20080181275A1 (en) 2008-07-31
CN1949606A (zh) 2007-04-18
JP2007109737A (ja) 2007-04-26
CN100463311C (zh) 2009-02-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI336547B (zh)
JP5285835B2 (ja) 半導体素子およびその製造方法
JP5191650B2 (ja) 窒化物半導体発光素子および窒化物半導体発光素子の製造方法
JP4451371B2 (ja) 窒化物半導体レーザ素子
JP2007103814A (ja) 窒化物半導体発光素子およびその製造方法
JP5491679B1 (ja) 窒化物半導体発光素子
JP2007201373A (ja) 半導体レーザ素子
JP5184927B2 (ja) 窒化物半導体発光素子および窒化物半導体発光素子の製造方法
JP2009206526A (ja) 窒化物半導体発光素子の製造方法
JP4621791B2 (ja) 窒化物半導体レーザ素子
JP4566253B2 (ja) 窒化物半導体レーザ素子
JP5150149B2 (ja) 窒化物半導体発光素子および窒化物半導体発光素子の製造方法
JP4310352B2 (ja) 発光デバイスおよび発光デバイスの製造方法
US20130070801A1 (en) Semiconductor laser device and method of manufacturing the same
JP2011009374A (ja) 窒化物半導体レーザ
WO2014097508A1 (ja) 窒化物半導体レーザ素子
JP2010135516A (ja) 窒化物半導体発光装置
TW200929761A (en) Method of manufacturing nitride semiconductor laser
JP4785394B2 (ja) 窒化物半導体レーザ素子
JP5431441B2 (ja) 窒化物半導体発光素子
JP2007280975A (ja) 半導体レーザ
JP2011119540A (ja) 窒化物半導体レーザ素子
JP5004642B2 (ja) 半導体レーザ装置
JP5488775B1 (ja) 窒化物半導体レーザ素子
JP5395214B2 (ja) 窒化物半導体レーザ素子および窒化物半導体レーザ素子の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
GD4A Issue of patent certificate for granted invention patent
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees