TWI328720B - Displacement measurement system, lithographic apparatus, displacement measurement method and device manufacturing method - Google Patents

Displacement measurement system, lithographic apparatus, displacement measurement method and device manufacturing method Download PDF

Info

Publication number
TWI328720B
TWI328720B TW096115612A TW96115612A TWI328720B TW I328720 B TWI328720 B TW I328720B TW 096115612 A TW096115612 A TW 096115612A TW 96115612 A TW96115612 A TW 96115612A TW I328720 B TWI328720 B TW I328720B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
displacement
substrate
target
substrate stage
relative
Prior art date
Application number
TW096115612A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200801859A (en
Inventor
Bernardus Antonius Johannes Luttikhuis
Henrikus Herman Marie Cox
Erik Roelof Loopstra
Der Pasch Engelbertus Antonius Fransiscus Van
Der Schoot Harmen Klaas Van
Original Assignee
Asml Netherlands Bv
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Asml Netherlands Bv filed Critical Asml Netherlands Bv
Publication of TW200801859A publication Critical patent/TW200801859A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI328720B publication Critical patent/TWI328720B/zh

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01BMEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
    • G01B11/00Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
    • G01B11/002Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring two or more coordinates
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03BAPPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
    • G03B27/00Photographic printing apparatus
    • G03B27/32Projection printing apparatus, e.g. enlarger, copying camera
    • G03B27/52Details
    • G03B27/53Automatic registration or positioning of originals with respect to each other or the photosensitive layer
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70733Handling masks and workpieces, e.g. exchange of workpiece or mask, transport of workpiece or mask
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70775Position control, e.g. interferometers or encoders for determining the stage position
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/7085Detection arrangement, e.g. detectors of apparatus alignment possibly mounted on wafers, exposure dose, photo-cleaning flux, stray light, thermal load
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274Photolithographic processes

Landscapes

  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Epidemiology (AREA)
  • Public Health (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Length Measuring Devices With Unspecified Measuring Means (AREA)

Description

1328720 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】
本發明關於—種位移檢測系統、使用此-系統之微影裝 置、一種位移檢測方法以及一種元件製造方法。 【先前技術】 微影裝置是-將一期望圖案施加於一基板上、通常是施 加於基板之-目標部分上的機器。微影裝置舉例來說=被 用來製造積體電路⑽)。在此情況中,可利用—圖案化器 件(亦被稱為光罩或標線片)產生-欲形成於I c之一個別層 上的電路圖案。此圖案可被轉移到一基板(例如—矽晶圓曰) 之-目標部分(例如包含一或多個晶粒之局部)上。圖案之 轉移通常是經由在被提供在該基板上之一層輻射敏感材料 (抗蝕劑)上成像的方式進行。大體而言,單—基板會含有 相繼被圖案化之相鄰目標部分的-網絡。習知微影裝置包 2稱之步進機及俗稱之掃描機,在步進機中每—目標部 分是藉由—次將—整個圖案曝照於目標部分上的方式接受 轄照’而在掃描機中每—目標部分是藉由用-輻射束以一 給疋方向(”掃描’’方向)掃描圖案且同時同步地平行或反向 平行於該方向掃描基板的方式接受輻照。亦有可能藉由將 圖案壓印於基板上的方式將圖案從圖案化器件轉移到基 板。 在微影裝置中,基板通常可被支承在—基板臺上。在圖 :轉移至基板之前,基板可在一度量區域内接受檢查及, ’檢測it後,基板被基板臺轉移到一區域在此區域中 H9839.doc -6 - 1328720 圖案轉移到基板。為確保轉移到基板的圖案相對於基板及/ 或已形成於基板上之其他圖案被精確定位,最好在檢測及/ j 或檢查程序期間以及影像轉移程序期間知曉基板之位置和 .. 移動達一高精度。此可藉由檢測基板相對於支承著基板之 基板臺的位置且隨後監測基板臺之位置及/或移動的方式 • 實現。 為檢測基板臺的位置及/或移動,習知系統通常使用一 #裝於基板臺和微影裝置之-參考架當中-者上的目標物 及一安裝於基板臺和參考架當中另一者上的感測器,該感 測器能夠檢測目標物相對於感測器的位置或移動。但基板 臺之期望移動範圍相對較大,因為基板臺應要能夠在一得 以在其中對基板之任何部分進行檢測及/或檢查的區域與 得以在其中將一圖案轉移到基板之任何部分的區域之間 移動。又,在一些微影裝置中,提供二個基板臺致使當一 被支承在第一基板臺上的基板正在讓一圖案轉移的同時, φ 另一被支承在第二基板臺上的基板可為正在接受檢查及/ 或檢測。在此種裝置中’該等基板臺之期望移動範圍會更 大,因為要提供額外空間使得支承著正在接受檢查及/或 檢測之-基板的基板臺能被移送到可將一圖案轉移至 的區域中’且支承著已有一已轉移圖案之基板的基板臺應 要能夠依序移到一讓基板自基板臺卸載的位置、一讓一新 基板裝載至基板臺的位置及一讓新基板接受檢查及/或檢 測的位置。換句話說,兩基板臺應要能夠對調。 基板臺的移動範圍越大,要提供一系統以期望高精度水 119839.doc 1328720 準檢測基板臺之位置及/或移動就變得越難且/或越貴。特 定言之,在位置感測器之目標物係安裝於基板臺的系統 中,移動範圍越大,要維持期望精度會使系統越複雜且越 困難。就目標物是靜止不動且例如被安裝於參考架的系統 來說,基板臺的移動範圍越大,目標物應該要越大,提供 大型目標物可能成本高昂,因為通常難以製作出在其全範 圍内具有期望精度的大型目標物。因此,加大基板臺之移
動範圍會大幅提高用以檢測基板臺之位置及/或移動的系 統的成本。 【發明内容】 期望提出一種可用來精確地檢測一基板臺在一大移動箱 圍内之位置及/或移動而不需要太高成本的系統。 依據本發明之一實施例,提出一種經建構用以檢測—紐 件相對於一參考組件之位移的位移檢測系統,其包含:第
第一、第二、及第四目標物,每一目標物被安裝於該 參考組件且經配置致使每—目標物之—目標表面大致平行 於-參考平面;及第一、第一第三、及第四位移感測 器’每-感測器經配置用以檢測該組件之—相應部分相對 於-相應目標物之目標表面的位移中該第一和第三位 移感測器經建構分別用以檢測該組件之第—和第三部分相 對於該第^一和第三目標物之目;^矣;丄 曰知物之目標表面大致平行於該參考平 面内一第一方向的位移;且碎笛- 移 μ第一和第四位移感測器經建 構分別用以檢測該組件之第-知筮m如' 仟之第一和第四部分相對於該第二和 第四目標物之目標表面大致平行 W这參考平面内大致正交 119839.doc 丄似720 於該第—方向之一第二方向的位移β 依據本發明之一實施例,提出一種微影裝置,其包含一 經建構用以支承-基板的基板臺;及一位移檢㈣…统,其 經建構用以在一圖案轉移至該基板之一程序期間檢測該基 板臺相對於一參考組件之位移;其中該位移檢測系統包含 至少一安裝於該參考組件的目標物及至少一經建構用以檢 測該基板臺之至少-部分相對於該至少—目標物之位移的 位移感測器;且該微影裝置更包含一第二位移檢測系統, 該第二位移檢測系統經建構用以至少在一基板臺回行移動 之一部分期間檢測該基板臺相對於該微影裝置之一底架的 位移,在該基板臺回行移動期間該基板臺從一可讓該圖案 轉移至該基板的位置移到-可讓—基板自該基板臺卸載的 卸載位置。 依據本發明《f施例,提出一種檢測一組件相對於一 參考組件之位移的方法,其包含利用第一第二第三、 及第四位移感測器分別檢測該組件之一相應部分相對於一 第-、第三、第三、及第四目標物之一目標表面的位移; 其中該第-、第二、第三、及第四目標物被安裝於該參考 組件且經配置致使料目標表面每-者大致平行於-參考 平面;該第一和第三位移感測器分別檢測該組件之第-和 第三部分相對於該第-和第三目標物之目標表面大致平行 於該參考平面内-第一方向的位移;且該第二和第四位移 感測器分別檢測該組件之第二和第四部分相對於該第二和 第四目標物之目標表面大致平行於該參考平面内大致正交 119839.doc .9- 1328720 於該第一方向之一第二方向的位移。
依據本發明之一實施例’提出-種元件製造方法,其包 含使-圖案從-圖案化器件轉移到—基板上,纟中該基板 在該圖案轉移到該基板的程序期間係被支承在一基板臺 上;且在該程序期間’利用―位移檢測系統檢測該基板臺 相對於-參考組件的㈣,該位移檢測系統包含至少一安 裝於該參考組件的目標物及至少_經建構用以檢測該基板 臺之至y Μ相對於該至少_目標物之位移的位移感測 器’且至)在-基板臺回行移動之―部分期間檢測該基板 臺相對於該《彡裝置之-底架的位移,在該基板臺回行移 動期間該基板臺一謹圍安絲功 土低室攸選该圖案轉移至該基板的位置移到一 讓一基板自該基板臺卸載的卸載位置。 【實施方式】 7以舉例方式參照隨附圖式說明本發明之實施例,在該 等圖式中以對應參考符號標示對應部分。
圖1簡要不出一依據本發明一實施例的微影裝置。該裝 置包含一照明系統(照明器)Ϊ L ’其經建構用以調節一輻射 束B(例如UV輻射或Duv輻射);—支撐結構(例如一光罩 臺)MT,其經建構用以支承一圖案化器件(例如一光罩 且連接到一第-定位議’該第-定位器經建構用以依 據某些參數精確地定位該圖案化器件;一基板臺(例如一 晶圓臺)WT,其經建構用以固持一基板(例如一塗有抗钱劑 的晶圓)W且連接到-第二定位器Pw,㉟第二定位器經建 構用以依據某些參數精確地定位該基板;及一投影系統 119839.doc •10· I328720 (例如-折射式投影透鏡系統)PS ’其經建構用以將一經由 圖案化器件MA加諸於輻射束B的圖案投射到基板*之一目 標部分C(例如包括一或多個晶粒)上。 該照明系統可包含各種光學組件譬如折射型、反射型、 磁力型、電磁型、靜電型或他種光學組件或是以上之任何 組合以供導引、整形或控制輻射。
該支撐結構支承(亦即承受)圖案化器件之重量。該支樓 結構以一取決於圖案化器件之取向、微影裝置之設計、: 其他條件譬如圖案化器件是否被固持於_真空環境中的方 式固持該㈣化ϋ件i支料構可採用機械、真空、靜 電或其他失鉗技術固持該圖案化器件。該切結構舉例來 說可為-機架或-臺,其視需要可為固定的或可動的。該 支撐結構可確保圖案化器件處於一期望位置、例如相對於 投影系統的期望位置。說明書中關於"標線片"或"光罩"的 術語使用可被視為與較一般性用語"圖案化器件”同義。
本說明書中所用"圖案化器件辭應當被廣義解釋為意 和任何能被用來對於一輕射束在其橫截面内賦予一圖案以 便在基板之-目標部分中創造—圖㈣。應理解到舉 2說^果加諸於輻射束的圖案包括相移特徵或俗稱辅助 寺徵’則該圖案不可能精確對應於基板目標部分中之期望 般而I:加諸於輕射束的圖案會對應於正在目標 t X件譬如—積體電路之—特定功能層。 包件可為透射型或反射型,化器件之實例 光罩類、可程式反射鏡陣_、及可HLCD面板 H9839.doc 1328720 類。光罩在微影技術當中廣為人知,且包括諸如二值型、 交替相移型及衰減相移型以及各種混合式光罩類型。可程 式鏡片陣列之一實例運用小反射鏡之一矩陣排列,每—小 反射鏡可被單獨傾斜以便以不同方向反射一入射輻射。斜 反射鏡在一被反射鏡陣列反射的輻射束中賦予一圖案。 本說明書中所用”投影系統"一辭應當被廣義解釋為涵蓋 任何類型的投影系統’包含折射型、反射型、折反射型、 磁力型、電磁型及靜電型光學系統或是以上之任何組合, 依合乎所用曝照輻射或是其他因子譬如一濕浸液之使用或 真空之使用而定。說明書中關於"投影透鏡"一辭的任何 使用可被視為與較一般性用語"投影系統"同義。 如本文所述,該裝置為透射型(例如使用一透射光罩)。 另込擇,該裝置可為反射型(例如使用如前所述一類型 之可程式反射鏡陣列或是使用一反射光罩 該微衫裝置可為具有二個(雙平台)或更多基板臺(及/或 ^更夕光罩臺)的類型。在此等"多平台"機器中額外的 臺可為平行使用,或者可為在一或多個臺正被用於曝照的 同時在-或多個其他臺上進行準備步驟。 古該微影裝置亦可為其中基板之至少一部分可經一具有較 折射係數之液體(譬如水)覆蓋以便填滿投影系統與基板 二:$間的類型。一濕浸液亦可被施加於微影裝置中其 ’你】如施加於光罩與投影系統之間。濕浸技術在此 =中廣為人知用以加大投影系統之數值孔徑。本說明書 中所用"濕浸"一辭並非意指一結構譬如基板必須被浸沒在 H9839.doc f Έτ •12- 1328720 液體内’其僅是意指在曝照期間液體會位於投影系統與基 板之間。 參照圖i,照明器江從一輻射源s〇接收—輕射束。㈣ 和該微影裝置可為獨立實體,例如該源是一準分子雷射的 情況。在此等情況中,該源不被視為構成微影裝置的一部 分,且輻射束從源so在一包括譬如合適導向反射鏡及/或 一射束擴張器之射束傳送系統3〇的協助下被傳送到照明 器IL »在其他情況中,該源可為微影裝置之一體部件,例 如該源是一水銀燈的情況。源s〇和照明器江且必要時連同 射束傳送系統BD可被稱為一輻射系統。 照明器IL可包括一調整器AD以供調整輻射束之角強度 分佈。一般而言,照明器之一光曈平面中至少其強度分佈 之外及/或内徑向範圍(通常分別被稱為σ_外和心内)可被調 整。此外,照明器IL可包括多種其他組件,譬如一積光器 IN和一聚光器CO ^照明器可被用來調節輻射束以在輻射 束之橫截面内具有一期望一致性和強度分佈。 輻射束B入射於被固持在支撐結構(例如光罩臺Μτ)上的 圖案化器件(例如光罩ΜΑ)上,且被圖案化器件圖案化。在 穿越光罩ΜΑ後,輻射束Β通過投影系統ps,該投影系統將 射束聚焦在基板W之一目標部分(:上。在第二定位器pw及 位置感測器IF(例如一干涉儀器件、線性編碼器或電容感 測器)的協助下’基板臺WT可被精確移動,例如以便於將 不同目標部分C定位在輻射束B的路徑内。相似地第一 定位器PM及另一位置感測器(其未明確示於圖i中)可被用 119839.doc 13 1328720 來譬如在從一光罩庫機械地取出光罩ΜΑ之後或是在一掃 描期間使光罩ΜΑ相對於輻射束Β之路徑精確地定位。整體 * · 而§ ’光罩臺ΜΤ之移動可在一長行程模組(粗定位)和一短 . 行程模組(細定位)的協助下實現,這些模組構成第一定位 器ΡΜ的一部分。相似地,基板臺WT之移動可利用一長行 程模組和一短行程模組實現,這些模組構成第二定位器 PW的一部分。在一步進機(相反於掃描機)的情況中,光罩 鲁 臺^丁可為僅被連接到一短行程致動器或者可為被固定 住。光罩MA和基板w可利用光罩準直記號M1、M2及基板 準直記號PI、P2使其對準。儘管如圖所示之基板準直記號 佔用了專屬目標部分,其亦可被定位在目標部分之間的空 間内(這些被稱為劃線道準直記號)。相似地’在光罩]^八上 提供一以上之晶粒的情況中,光罩準直記號可為位在晶粒 之間。 所述裝置可被以下述模式之至少一者使用: φ 丨·在步進模式中,光罩臺MT和基板臺WT被保持為大致 靜止,同時一加諸於輻射束的完整圖案被一次投射(亦即 一單次靜態曝照)到一目標部分C上。然後基板臺WT被以χ 及/或Υ方向移位使得一不同目標部分C可被曝照。在步進 模式中,曝照場的最大大小限制了在一單次靜態曝照中成 像之目標部分c的大小。 2.在掃描模式中,在一加諸於輻射束之圖案被投射到一 目標。Psc的同時,光罩臺从丁和基板臺wt被同步掃描(亦 即單-人動痞曝照)。基板臺WT相對於光罩臺MT之速度及
119839.doc •14· 1328720
* ·
f向可藉由投影系統PS之放大(縮小)和影像翻轉特性決 定。在掃描模式中,曝照場的最大大小限制了在一單次動 態曝照令之目標部分的寬度(處於非掃描方向中),而^描 運動的長度決定了目標部分的長度(處於掃描方向中)。田 3.在另一模式中,光罩臺%丁被保持為大致靜止固持著— 可私式®案化n件,且在—加諸於輻射束之圖案被投射到 一目標部分C上的同時’基板臺WT被移動或掃福。在此模 式中’通常使用-脈動輻射源,且該可程式圖案化器件視 需要在基板臺WT每次移動之後或是在—掃描期間相繼韓 射脈衝之間被更新。此作業模式可輕易應用於使用可程式 圖案化器件(譬如前文所述一種可程式反射鏡陣列)之無光 罩微影術中* 或是完全不同的使用模 上述使用模式之組合及/或變異 式亦可能被採用。 統10。如 圖2不出一依據本發明一實施例的位移檢測系 下文所將詳述’依據本發明之實施例的所有位移檢測系統 特定言之可用來檢測-基板臺在一微影裝置内的位移。但 雖然下文並未詳述,本發明之實施例亦可被用來檢測微影 裝置中一用於圖案化器件之支撐件的位移。可利用一組件 在一微影裝置内之位移的檢測έ士莫丨、;y* , j慨叫、、力果以便控制該組件的移 動。舉例來說…用於-經建構用以移動—組件之致動器 的反饋控制迴路可比較經位移檢測系統㈣之基板實際位 移量與一希望位移量並將期望力詈 π主刀置施加於組件以使差異最 小化。又,應理解到本發明之眚故彳 ^ w a I貫施例亦可應用其他情況 119839.doc -15· 1328720 中,且整體而言可用來檢測一組件在任何系統内相對於— 參考組件的位移。 在本說明書所述排列中’位移檢測系統1〇可被用來檢測 經建構用以支承一基扳12之基板臺11相對於一參考架I] 的位移。位移檢測系統10可被提供在一微影裝置之一區域 内’在該區域中例如一圖案要被轉移到基板12、例如用一 已圖案化輻射束曝照。另一選擇,舉例來說,位移檢測系 統ίο可被提供在微影裝置之一部分内,在該部分中基板12 接受檢查及/或檢測(亦即一度量單元)。 為檢測基板臺11相對於參考架13的位移,複數個位移感 測器21、22、23、24被提供用來檢測基板臺丨丨之一對應部 分11a、lib、11c、i id相對於安裝在參考架13之一相應目 標物31、32、33、34的位移。此種以安裝在參考架之個別 目標物用於每一位移感測器而非使用安裝在參考架之單一 大型目標㈣排列促成基板臺之一大移㈣圍的提供而沒 有任何單個目標物變得太大。應理解到為提供充分精度, 目標物要具有盡可能少的缺陷。但目標物越大,聲以一夠 低缺陷率製造目標物就越難且因此越昂貴。因此,單個大 型目標物的成本會明顯高於總計具有與大型目標物相同之 面積的複數個較小目標物的成本。 位移感測器21、22、23、24舉例來說可為繞射光棚編瑪 器。在此-排列中,—輻射束可被—參考光柵劃分成一級 和負一級繞射輻射,該等繞射輻射隨後會被一目標物繞射 光柵更進一步繞射然後被重新組合以形成單一輻射束。藉 -16- M9839.doc 以 δ/2(3 . 由比較在從一級輻射衍生及從負一級輻射衍生之再組合輻 射束中之輻射間相差,有可能測出目標物繞射光柵相對於 參考繞射光栅在一方向中的位移,該方向係在一大致平行 ·, 於參考繞射光柵和目標物繞射光栅之平面且大致垂直於參 考繞射光柵和目標物繞射光柵之條紋的平面内。亦可替代 地或額外地使用其他位移感測器。 又,在此一排列中,藉由比較來自參考繞射光柵之零級 ^ 輻射的路徑長度與來自參考光栅經目標物繞射光柵反射或 更進一步往回繞射之一級和負一級繞射輻射的路徑長度, 有可能測出目標物繞射光柵相對於參考繞射光柵在一大致 垂直於繞射光柵平面之方向中的位移。亦可替代地或額外 地使用其他排列以檢測該等光栅在垂直於繞射光柵平面之 方向中的相對位移。 因此,在圖2所示排列中,目標物31、32、33、%可為 目標物繞射光柵,舉例來說其經配置致使每一者之目標表 φ 面大致平行於一參考平面。又,位移感測器21 ' 22 ' 23、 24每一者可包含一輻射源、一參考繞射光柵及一輻射感測 器i«其他排列亦屬可行且在本發明的範圍内。舉例來 說,位移感測器之組件之一或多者可經配置獨立於基板 臺。舉例來說,輻射源及/或輻射感測器可經配置獨立於 基板臺11且經配置利用譬如一光纜向參考繞射光柵提供輻 射或是從目標物繞射光柵接收回行輻射。 又,目標物繞射光柵可為一維繞射光柵(亦即複數個條 紋)’促成在大致垂直於目標物繞射光栅平面的方向中及/ 119839.doc -17- 1328720 或在一位於一大致平行於目標物繞射光柵平面之平面内且 大致垂直於該等條紋之方向的方向中的位移檢測。另一選 擇,目標物繞射光柵31、32、33、34之一或多者可為二維 繞射光柵,促成在大致垂直於目標物繞射光柵平面的方向 及二個位於一大致平行於目標物繞射光柵平面之平面内的 正父方向當中至少一方向中的位移檢測。因此,圖2所示 排列之位移感測器21、22、23、24每一者可經建構用以檢 測基板s: 11之相應部分11 a、11 b ' 11 c、11 d相對於參考架 13在一大致垂直於目標物31、32、33、34所在平面的方向 及二個位於該平面内的正交方向當中一或多個方向(亦即 在如圖2所示X、丫和2方向當中至少一方向)中的位移。 在圖2所示本發明實施例之一特定排列中,第一和第三 位移感測器21、23經配置用以檢測基板臺丨丨之相應部分 11a、11c相對於參考架在丫方向中的位移。第二和第四位 移感測器22、24經建構經建構用以檢測基板臺丨丨之相應部 分lib、lid在X方向中的位移。據此,藉由比較基板臺第 一部分11a在y方向中的位移與基板臺丨丨第三部分iic在丫方 向中的位移,有可能判定基板臺11以z轴線為中心之旋 轉。基板臺11以z軸線為中心之旋轉的判斷亦可為藉由比 較基板臺11之第二和第四部分llb、11(1在父方向中之實測 位移而作出。 判斷基板臺11是否以z軸線為中心旋轉很有用因為這 會促成對於基板臺之任何部分、亦即不具備位移 部分(例如在一對應於基板12上正好有一圖案曝照中之一
119839.doc •18· Γ· S 1328720
點的位置)在X或y方肖中之位移的精確㈣。舉例來說, 基板臺上一關注點(p〇int 〇f化^代川在y方向中的位移可藉 由將基板臺11以Z韩線為中心之角位移與該關注點和基板 臺11第-部分11a在X方向中之分隔距離的乘積加到第―位 移感測器2丨所判定第-部分llah方向中的位移量測值的 方式判定。可依據第三位移感測器所測得之y方向位移量 測值作出一相似計算。
對應地,基板臺U上任一關注點在乂方向中的位移均可 利用來自第二和第四位移感測器22、24任一者之X方向位 移里測值判定。據此,基板臺1 1在X_y平面内之任一點的 位移均可利用來自四個位移感測器21、22、23、24當中任 三者的位移量測值完全判定(亦即在乂和y兩方向中的線性 位移及以z軸線為中心的旋轉位移均可被判定)。應理解到 儘管位移感測器21、22、23、24在圖2所示排列中係朝基 板臺11之轉角配置’整體而言其無須如此。但位移感測器 的分隔距離越大,對於以z轴線為中心之旋轉位移的判斷 會越精確且因此對於基板臺11上任一點之位移的判斷會越 精確。可提供更多額外的感測器,例如藉此提供額外冗餘 度。 位移感測器21、22、23、24每一者可經更進一步建構以 便依上文所述方式檢測基板臺11之相應部分11 a、1丨b、 11c、lid相對於相關目標物31、32、33、34在z方向中的 位移。應理解到依如前所述之相同方式,可利用成對的位 移感測器測得之z位移的比較來判定基板臺11相對於參考 M9839.doc •19· £ 1328720
架13以χ和y轴線為中心的旋轉。然後,可利用這些量測值 以便判定基板臺11之任一部分的z位移。X,依如前所述 之相同方式,有可能檢測基板臺丨丨相對於參考㈣以χ和乂 軸線為中心的旋轉’且據此由四個位移感測器η、. 23 24田中任二者判定基板臺i i上之任一點的χ位移。 應理解到取代建構位移感測器21、22、U、Μ以檢測基 板臺11之相應部分相對於相關目標物在z方肖中及在χ和又 方向田中方向中的位移,可提供額外的位移感測器專門 用來檢測基板臺相對於一相關目標物在z方向中的位移。 這些z方向位移感測器可被定位為緊鄰乂和y方向位移感測 益。另一選擇,可將一或多個2方向位移感測器提供在基 板臺11上遠離χ和y方向位移感測器21、22、23、Μ之處。 又,儘管z方向位移感測器可與x*y方向位移感測器2ι、 22、23、24使用相同的目標物,另一選擇或除此之外,可 提供用於z方向位移感測器的額外目標物。 據此,應理解到藉由如上所述之位移感測器的一種構 造’有可能利用四或更多個位移感測器2丨、22、23、24當 中任三者判定基板臺11或被支承在基板臺11上之基板12的 任一部分在全部六個自由度中的位移。此種能力很有利, 因為如圖2所示,有可能期望在目標物31、32、33、34之 間有一間隙2 5。間隙2 5被提供為致使例如基板之檢查及/ 或檢測或曝照可在位移檢測系統1〇正在監測基板臺丨丨之位 移的同時進行。據此,舉例來說,一輻射束26可能需要穿 過間隙25從投影透鏡或度量系統27通行至基板12以便進行 119839.doc •20· 1328720 基板12之曝照或檢查及/或檢測。 但’當基板臺11移動以讓基板12之不同部分能被曝照、
檢測及/或檢查時,位移感測器21、22、23、24之一者可 移到一不讓輻射投射到其相應目標物上而是投射穿過間隙 25的位置。舉例來說,若圖2所示基板臺要被移到其y值最 大點及其X值最大點(對應於在X和y最小值曝照、檢測或檢 查基板12上之點),第二位移感測器22將無法使一輻射束
投射到其對應目標物32上且因此不會發揮作用。但其仍有 可能判定基板臺11或基板12上任一點在全部六個自由度中 的位移’因為剩下的三個位移感測器21、23、24依然能夠 發揮作用。 應理解到儘管以上說明關於檢測基板臺在χ、丫和z方向 中之位移的感測H ’本發明之實施例並不揭限於用來檢測 基板臺在這些方向中之位移的位移感測器的使p特定言
之k二感測器當中一或多者或是額外附加的獨立感測器 可檢測基板臺在-不同方向譬如對χ、^ζ轴線之一者成 45。之方向中的位移。又,儘管提供用以檢測基板臺在相 互正交方向中之位移的位移感測器可能很有利,但這並非 應更進一步理解到圖2是示音 一 疋丁思、圖且未依比例繪製。半 5之,基板臺11和度量/曝照單 M a 4® 0 你被不為在Z方向1 離目仏物31、32、33 ' 34較 楚,^疋為了讓圖式表开 在實務上這些組件會頻菩音+ 昭單元,7> μ顯#靠近在ϋ/或度量 …早凡27可突出穿過間隙25。 119839.doc •21- ^28720 ^28720 又,目標物31 動範圍做決定。 供一小間隙。 、32、33、34的大小係從基板臺丨丨所需移 相鄰目標物可為彼此接觸或者可在其間提 3 c 3 <1示出一種依據本發明之一實施例的排
、44以及安裝於基板臺5〇經配置用以檢測基 板臺50之相應部分相對於相應目標物41、42、43、44(且 因此相對於參考架)之位移的位移感測器51、52、53、 54在所示排列中,第一位移檢測系統40經配置致使其可 檢測基板臺5G相對於參考架在基板可能被曝照系統55曝照 之所有部分處的位移。 圖 3a 、 3b 、 3c 列。如圖所示, 基板臺50亦可被移到一讓基板之任何部分可被一度量單 元%檢測及/或檢查的位置。舉例來說,基板可在被轉移 至讓曝照單元55於其上曝照一圖案之前接受度量單元56詳 細檢測及/或檢查。因此,最好在度量單元56之檢查及/或 檢測程序期間 '曝照單元55之圖案曝照期間且在從一者轉 移到另一者的期間精確地檢測基板臺50之位移。因此,提 供一第二位移檢測系統45用以在度量單元56進行檢查及/ 或檢測程序期間檢測基板臺5〇之位移。第二位移檢測系統 45包括第五、第六、第七、和第八目標物46、47、48、49 及當作第一位移檢測系統40之一部分的位移感測器5 i、 52、53、54。換句話說,有些組件是第一位移檢測系統4〇 119839.doc -22- 丄328720 及第二位移檢測系統4 5所共用。 如圖3a所示,當基板臺5〇經定位致使度量單元兄得以進 行檢查及/或檢測程序時,第一位移感測器51經配置用以 檢測基板臺50之對應部分相對於第五目標物46的位移,第 二位移感測器52經定位用以檢測基板臺5〇之對應部分相對 於第六目標物47的位移,第三位移感測器53經定位用以檢 測基板臺50之對應部分相對於第七目標物銘的位移,且第
四位移檢測器54經定位用以檢測基板臺5〇之對應部分相對 =第八目標物49的位移。因& ’當基板臺5()較位以供度 量單元56進行檢查及/或檢測程序時,可依與當該基板臺 、生疋位以供曝照單兀55進行基板曝照時精確判定基板臺相 對於參考架之位移相同的方式藉由第二位移檢測系統叫 確判定基板臺50相對於參考架的位移。又,第__和第二位 移檢測系統40、45可被配置成如圖所示,使得對於曝照基 板所需之全運動範圍且對於檢查及,或檢測基板所需之全 運動範圍來說’在所有時間這四個位移檢測感測器Μ、 52、53、54當中三者能夠檢測基板臺5〇之相應部分 目標物之一者的位移。 、 囚此,如前所述且如圖所示 、53經配置用以檢測y方向中之位移且位移感測器當中 :者…4經配置用以檢測χ方向中之位移,有可 *照程序所f之全運動範圍及檢查及/或檢測程序所 全運動範圍完全判定基板臺5G之任何部分相對於參 W面内的位移…同樣如前所述,若位移感測Ϊ 119839.doc -23· 51、52、53、54每一者經更進一步配置以檢測2方向中之 移同樣有可能針對曝照程序所需之全運動範圍及檢查 及/或檢測程序所需之全運動範圍完全判;t基板臺50之: 何邛刀相對於參考架在全部六個自由度中的位移。
如圖3a、3b、3c、和3d中之基板臺5〇的位置序列所示, 有可能讓基板臺5〇從檢查及/或檢❹置(示於圖3_職 …'位置(不於圖3d)而不失去位移檢測之精度。這對於每一 4移感泪J器各有獨立目標#的位移檢測系统來說可能是個 問題’因為當基板臺5G移出曝照程序和檢查及/或檢測程 序任一者所需之移動範圍時,位移感測器51、52、53、54 必須從-目標物轉移到另一目標物。在目標物之間的邊界 處’位移感測器無法提供一可靠位移量測值。但藉由讓每 一位移感測器在度量位置和曝照位置每一者中各有一獨立 目標物,目標物之大小暨其成本可被保持在很小。
因此’如圖3a、3b、3。'和3d所示,位移檢測系統可經 配置致使當位移感測器51、52、53、54之—者通過—目標 物與次-目標物間之-邊界時,剩τ的三個位移感測器能 夠精確地檢測位移(使得基板臺50的完整位移可如前所述 判定)。 為實現此事,最好小心配置位移感測器5丨、52、53、54 在基板臺50上的相對位置以及目標物之間的邊界。特定言 之,對於接近目標物間之相應邊界的任二個位移感測器來 說最好基板里50之移動方向中之位移感測器間的分隔距 離異於該方向中之邊界間的分隔距離。據此’如圖外所 119839.doc •24· 1328720 示,舉例來說,第二和第三位移感測 秒级測态52、53之間在丫方
向中的分隔距離则於第五和第六目標物Μ、·之邊界 與第七和第八目標物48、49間之邊界之間在丫方向中的分 隔距離(其為零)。因此’如圖3b所示’第二位移感測器52 在第三位移感測器53開始從第七目標物化轉移到第八目把 物49之前就已完成從第六目標物47轉移到第五目標物4 J 作為另-實例,第-和第二位移感測器Η、”之間在^ 方向中的分隔距細異於第一和第二目標物“I間之邊 界與第二和第五目標物42、46間之邊界之間在乂方向中的 分隔距離D3。據此’第二位移感測器”在第一位移感測器 51開始從第二目標物42轉移㈣—目標物41之前就已完成 從第五目標物46轉移到第二目標物42。 圖3 a至3 f所$ 種確保二個位移感測器之間在基板
臺5〇移動方向中的分隔距離異於該等位移感測器所跨越之 二個目標物間之相應邊界在該方向中的分隔距離的可行方 式是將位移感測器51、52、53、54配置在基板臺5〇上相對 於基板罝50上一設定點在y方向中處於不同位置。另一選 擇或除此之外’相應目標物間之邊界的位置可為在Υ方向 中交錯安排。舉例來說,第一和第二目標物41、42間之邊 界在y方向中的位置可異於第三和第四目標物43、44間之 邊界在y方向中的位置。同樣的’第二和第五目標物42、 46間之邊界以及第三和第八目標物43、49間之邊界各自在 y方向中的位置與第五和第六目標物46、47間之邊界以及 第七和第八目標物48、49間之邊界各自在丫方向中的位置 H9839.doc -25· 1328720 可為不同。 又二解到如上所述在圖咖所示,在曝照程序期
Mai…Μ可被移動經過^平面内—移動範圍以便允 早兀55將曝照輻射投射到基板之任何部分上。在此 一移動範圍期間,在各階段,位移感測器51、52、53、54 之一者可能不再與目標物41、42、43、44之一 與目標物間之間隙對準。因此,最 疋 敢好確保在進行曝照程序 所需之W方向中的移動範圍全程當中,在任一時間只有 -個位移感測器51、52、53、54與目標物41、42、43、44 間之間隙對準。為確保如此,在-實施例中,目標物41、
44間之間隙的長度〇4小於在y方向中對準或是在X 二以-相對小距離分隔之感測器對之間的分隔距離 U5 D6〇因此,舉例a哥 笛一 ]來說第二和第四位移感測器53、 54間之分隔距離D5及第一和第二位移感測器I”間之八 隔距離D6大於y方向中之間隙長度D“相似地,χ方向: 之間隙寬度D7小於在x方向中對準或是在y方向中有一 小分隔距離之位移感測器對在χ方向中之分隔距離D8 此’舉例來說,第一和第四位移感測器5i、54在X方 之分隔距離D8大於X方向中之間隙寬度D7。 應理解到第二位移檢測系統之目標物46' 47、48、49 間的間隙大小係以一對應方式選擇。 之 為求圖面清楚,圖3a、3b、3c、和3d並未示出參考架。 但如圖乜簡要示出,第一至第八目標物可被安裝於單二個 參考架6〇。其隨後可被安裝到-度量參考架,舉例來說微 119839.doc •26· 1328720 衫裝置之其他組件 部可被安裝到該度量參考口早:、::單:或任-者之局 至最二=:::該底架至該度量參考架之振動傳輸減 主敢夕的振動隔離支撐件安裝。
目二:4㈣:圖作所示,與第一位移檢測系統4°有關的 =物4卜42、43、44可為安裝到一第一參考架Η,且與 -位移檢測系統55有關的目標物46、47、48、49可為〜 裝到-獨立的第二參考架62β獨立的參考架61、62舉例: 說隨後可被安裝到微影裝置之度量參考架。據此,自相應 參考架之一者至另一者的任何振動轉移會被最小化,使得 對於相對於另一參考架作出之檢測的影響最小化。 應理解到其他組件可被安裝到參考架61、62。舉例來 說,在圖4b所示排列中,曝照單元55或其一部分可被安裝 到第一參考架61 :相同地,該度量單元56或其一部分可被 安裝到第二參考架62。據此,藉由提供獨立的參考架61、 62,例如來自度量單元56的任何振動會對於基板臺5〇相對 於第一參考架61暨相對於曝照單元55之位移檢測的精度造 成盡可能小的影響。 圖5a和5b示出圖3a至3f所示排列之一變異型。特定言 之’用於第一位移檢測系統(例如供在曝照程序期間使用) 的目標物71、72、73、74與用於第二位移檢測系統(在度 量程序期間使用)的目標物75、76 ' 77、78分開。因此, 為確保如此,在基板臺從如圖5 a所示一可進行度量之位置 移到一可進行曝照之位置的轉移期間,基板臺的位移可被 119839.doc -27· 1328720 f確判定,附加目標物79被提供在第一位移檢測系統之目 才丁物71 72、73、74與第二位移檢測系統之目標物75、 76、77、78之間。如同之前的實施例,所有目標物的位置 以及位移感測器的位置經配置致使在所有時間,該等位移 感測器之至少三者可提供一位移檢測(亦即不與目標物之 間或目標物間之邊界上的間隙對準)。因此,應理解到可 使曝照單元與度量單元之間的間隔距離加大,提供用於其 他組件的額外空間,無須加大目標物之最大大小(暨成本) 且不會降低基板臺相對於參考架之位移的檢測精度。 應理解到附加目標物79之一或多者可由第二、第三、第 五、和第八目標物72、73、75、78之一或多者的延長部的 美供來取代。舉例來說,如圖5c所示,其中示出第一和第 二位移檢測系統之-部分,其中第二目標物72可有-朝第 五目標物75延伸且與第五目標物延長部…共用一邊界的 延長部…。同樣的,第三和第八目標物”、心具有互 朝彼此延伸且共用一邊界的相應延長部73a、78ae 在附加目標物79係被提供在第一位移檢測系統之目標物 7m 74之間及第二位移檢測系統之目標物75、 ”、以之間的情況中,如果將一共用參考架(以一對 應於圖〇所示的方式)用於兩位移檢測系統之目標物,則 附加目標物79可被安裝到與第-和第二位移檢測系統之目 標物^同的共用參考架。在—以獨立的參考架分別用於第 二=Γ系統之目標物的排列,,附加目標㈣ 可破女裝到參考架或者是附加目標物乃其中—歧可被安裝 119839.doc -28- 1328720 到一參考架且其他是被安裝到另一參考架。另一選擇,在 任一例中,附加目標物79可被安裝到一完全獨立於供第一 和第二位移檢測系統之目標物使用之參考架的獨立參考 架,或者可被直接安裝到微影裝置之一度量參考架。 圖6a、6b ' 6c、6d、6e、和6f示出一依據本發明之一實 施例的系統。該排列大部分與圖3a、3b、3c、和3d所示實 施例相對應,因此共通特徵已被標以相同參考數字且將不 重複其詳細說明。亦應理解到上文關於較早所述實施例提 到的變異型亦可能應用於此第三實施例。 圖6a-f所示實施例與圖3a_d所示實施例之間的差異在於 提供一第二基板臺80。第二基板臺8〇可與第一基板臺5〇完 全相同且包含位移感測器81、82、83、84。此一系統的好 處在於當一圖案正由曝照單元55曝照於被基板臺之一者支 承的一個基板上的同時’一被基板臺之另一者支承的第二 基板可為正在接受度量單元56檢查及/或檢測。因此,裝 置的生產量得以提高。 第二基板臺80的工作方式與第一基板臺5〇相同。據此, 第二基板臺80之位移感測器81、82、83、84可檢測相對於 第一、第二、第三、和第四目標物41、42、43、44的位移 而發揮第一位移檢測系統4〇的功能且可檢測相對於第五、 第六、第七、和第八目標物46、47、48、49的位移以發揮 第二位移檢測系統45的功能。 但如圖6a、6b、6c、和6d所示,為確保第一和第二基板 臺50、80可交換位置,亦即第一基板臺5〇可從如圖仏所示 119839.doc -29- ^^«720 之曝照位置移往如圖6f所示之度量位置(其可自此度量位置 移到如下文所述一讓一基板可自該基板臺卸載並讓一新基 板裝载到該基板臺上的位置,且移到該度量位置致使該新 基板可利用度量單元56進行檢查及/或檢測),且第二基板 臺80可從如圖6a所示之度量位置移到如圖訂所示之曝照位 置(並再次移回去)而該等基板臺每一者上的位移感測器不 會有夕於個位移感測器無法提供一位移檢測,從而阻止
相關基板臺50、80之位移的$整判$,最好是加大目標物 41、42、46其中-些。這會提高目標物的成本,因為目標 物越大則要遍及其全範圍製作達到必要精度會越困難,因 此目標物就越責。 又,如果微影裝置是俗稱之濕浸式微影裝置,則一些目 標物41 ’ 44的大小可能必須加大。在此一裝置中,一輻条 圖案在基板上的曝照是透過—液體層進行。此促成微影裝 =之較冋性能。為提供並控制液體之施加,曝照單元Η包
含一向正要進行曝照之基板部分提供液體且在邊緣移除液 *的簇流頭。此一系統的難處之一包含該簇流頭的起動和 仔止。因此’最好提供-種微影裝置,其中簇流頭盔須在 後續基板的曝照之間被停止和起動。這舉例來說可藉由一 俗稱之”濃交換(wet swap)"的使用而實現。圖6 列提供此一濕交換。 所不排 如圖61>所不’交換程序之—部分包含使第—和第 到相應位置致使其彼此緊鄰、例如彼此碰觸或 疋在y方向中非常靠近。如圖⑰所示,第一和第二基板臺 119839.doc 1328720 50、80可為對準但並非必要。隨後,第一和第二基板臺 50、80一起依以向移動致使曝照單元55(亦即镇流頭土)間之 .·· 接觸點從第一基板臺50移到第二基板臺80。由於第—和第 . 二基板臺50、80非常靠近或碰觸,簇流頭在其從第—基板 臺50轉移到第二基板臺8〇時不必被切換成關。在轉移$如 圖6c所示完成時,基板臺5〇、8〇可如圖“所示移開然後在 y方向中依反向方式(例如像圖6e所示)移到一位置,致使如 瞻圖6f所示第一基板臺5〇可朝度量位置移動且其位移可由第 二位移檢測系統檢測,而第二基板臺80可移到曝照位置且 其位移可利用第-位移檢測系統檢測。一旦完成相應曝照 和度量程序,可重複上述程序使基板臺再度交換回去。 如圖6a至6f所示,在使第二基板臺80從度量位置調換至 曝照位置當中,第一和第二基板臺5〇、8〇以一順時鐘方向 方式彼此互繞。如前所述,為了將基板調換回去,致使第 一基板臺50從度量位置回到曝照位置,可重複上述程序。 • 但基板臺50、80可包含臍帶式連結以例如在諸如基板臺所 包含之位移感測器的器件與微影裝置之其他部分中的組件 譬如控制系統之間提供電力和通信。因此,為免除用於連 接臍帶之一複雜系統的需求,將基板臺5〇、8〇交換回去的 程序’亦即使第一基板臺50回到曝照位置並使第二基板臺 80回到度量位置的程序可能以使該等基板臺依一逆時鐘方 向彼此互繞移動的方式異於圖6a至6f所示基板臺50、80之 互換。據此’要將第二基板臺8〇從度量位置移到曝照位置 時’使基板臺50、80依順時鐘方向彼此互繞,且要將第一 119839.doc •31· 1328720 基板臺50送回曝照位置時,使該等基板臺依逆時鐘方向彼 此互繞(或是颠倒過來,要將第二基板臺8〇從度量位置移 到曝照位置時係使基板臺5〇、80依逆時鐘方向彼此互繞, 而要將第一基板臺50送回曝照位置時係使該等基板臺依順 時鐘方向彼此互繞)。在此一排列中,其直截了當確保接 到該等基板臺的臍帶或其他連結不會彼此干擾。 在完成一基板臺上之一曝照程序之後,支承著該基板的 基板臺會如前所述朝度量位置回行然後移到一讓基板自該 基板臺卸載的基板卸載位置且隨後移到一讓一新基板裝载 至該基板臺的基板裝載位置。然後該基板臺被移動致使檢 測及/或檢查程序可利用度量單元在該新基板上進行。 基板卸載位置和基板裝載位置可經選擇致使基板臺會在 基板卸載和基板裝載作業期間留在第二位移檢測系統4 5能 夠檢測基板τ之位移的區域内β因此’朝向基板卸載位置 的移動、從基板卸載位置移到基板裝載位置的移動以及從 基板裝載位置移到進行檢查及/或檢測程序之位置的移動 可利用第二位移檢測系統45測得之基板臺位移檢測予以控 制。 基板卸載位置和基板裝載位置可被配置成彼此相鄰位於 第二位移檢測系統可檢測基板臺位移之區域的一末端邊 緣。舉例來說,其可被配置為致使就每一位置來說,基板 臺係在如圖6a至6f所示之負y方向中最遠位置。可提供晶 圓搬運機械人分別用以將基板卸離基板臺以及將基板裝載 到基板臺上。但晶圓搬運機械人可能移動得比較慢,且因 119839.doc •32- 1328720 此可能在一基板已移離基板臺之後一段時間處於一會干擾 到第二位移檢測系統之運作的位置。舉例來說’晶圓搬運 機械人可此阻止位移感測器之一或多者將一輻射束投射到 一相關目標物上。因此,為確保基板臺的位移在從基板卸 載位置移到基板裝載位置之移動期間全程中均可被檢測, 可能最好不是使基板臺從基板卸載位置直接移到基板裝載 位置而是在使基板臺橫越移動之前將基板臺直接移動離開 晶圓搬運機械人然後使其直接朝基板裝載位置前進。舉例 來說,在圖6a至6f所示一排列中,其中基板卸載位置和基 板裝載位置被提供在朝向第二位移檢測裝置之負y方向最 遠處的邊緣,基板臺一開始可被依正y方向推進離開基板 卸載位置’然後平行於X方向移動然後依負y方向前進到基 板裝載位置。依此方式,有可能在從基板卸載位置移到基 板裝載位置的移動期間持續檢測基板臺之位移,因為舉例 來說在晶圓搬運機械人阻礙位移感測器之一者之操作的同 時’沒有位移感測器跨越目標物間之一邊界。 圖7a至7h示出一依據本發明之一實施例的微影裝置。如 同圖6a-f所示實施例,此組態包含第一和第二位移檢測系 統以分別檢測一基板臺在曝照位置和度量位置中的位移。 此外’該裝置包含二個基板臺50、80,致使一被支承在一 第一基板臺5 0上的基板可接受曝照而同時一被支承在一第 二基板臺80上的第二基板可接受一度量單元檢查及/或檢 測。相似組件會被標以與前文所述實施例相同的參考數 字,且以下僅說明其差異。應理解到上文有關於第一至第 119839.doc -33· 1328720 三實施例提到的變異型亦可應用於圖以^所示實施例。 ... 如同圖6a-f所示實施例,使第一和第二基板臺5〇、8〇交 換位置之程序的第-階段是將第二基板臺8〇轉移至曝照位 置,如圖7b和7c所示。如前所述,該交換可被用在一採用 濕浸式曝照的微影裝置中’且可利用一依y方向移動的濕 交換使簇流頭從第一基板臺50轉移到第二基板臺8〇而不用 將濕浸簽流切換成關。但不同於第三實施例之排列,目標 物4i、42、43、44的大小並不加大。換句話說,第一位: 檢測系統40之目標物41、42、43、44僅具有要在一曝照程 序期間提供基板臺50之期望運動範圍所需要的必要大:。 因此’當濕交換進行時,如圖7b所示,第一基板臺5〇之第 -和第四位移感測器51、54分別越過第一和第四目標物 4卜44之邊界。因此,依據第四實施例,提供更多目標物 9卜92詩第-基板臺5()之第—和第四位移感測器m 以用來檢測基板臺5G之位移。同樣的,如圖至7g依序顯 不,提供更多目標物93、94、95、96以便促成即使在第— 基板臺50移動到離位於曝照位置之第:基板㈣彳目m 因此第-基板臺50之第-和第二位移感測無法檢 測相對於用於第-和第二位移檢㈣統4()、45之目桿k 位移的時候依然能㈣續進行第—基板㈣之位移檢測。 據此,在如圖至几所示之交換程序期間,第-基板臺50 的位移係由一第三位移檢測系統檢測,該第三位移檢測夺 統包含第-基板臺50之位移感測器51、52 53 54和複數 個目標物’包括用在第—和第二位移檢測系統44 45中之 119839.doc •34· 1328720 目標物的其中一些’以及附加目標物91、92、93、94 95 、 96 。 附加目標物91、92、93、94、95、96(目標物91和92未 示於圖7c)的位置可經特別選擇以便確保在所有時間會有 夠多的位移感測器與相應目標物對準,致使基板臺之位移 均可被判定。舉例來說,在X方向中與第一和第二位移檢
測系統44、45之目標物分開、在丫方向中呈長條形且被用 來在一基板臺於濕交換已完成後從曝照位置移往度量位置 的移動期間提供一用於該基板臺之第一和第二位移感測器 5 1、52的目標物的附加目標物95的位置可經謹慎選擇。特 疋❼之’其可經定位為致使當第一和帛二位移感測器5 i、 52與長條形附加目標物95對㈣同時,第三和第四位移感 測器53、54可在基板臺5G依y方向移動時與第—位移檢測 系統之第-及/或第二目標物41、42對準而不會通過第一 位移檢測系統之目標物41、42、43、44之間的間隙。
问樣的,附加目標物91、92、93、94、95、96與任何玉 他目標物之間的邊界可經定位為致使對於基板臺之希望彩 動來說,在該期望移動期間’依一已知方向移動之基板臺 上之任何位移感測器對之間在該移動方向中的分隔距離會 異於被該等位移感測器接近之二個目標物之間在相應邊界 之該方向中的分隔距離。因此,有可能確保在任—時間只 二一^移感測器正好跨越兩目標物間之—邊界而無法提 供一可靠位移檢測。 為使所用 目標物(特別是 附加目標物)之大小最小化,其 119839.doc •35· 1328720 排列可經建構致使在第一基板臺50從曝照位置移到度量位 置的轉移期間,位移感測器當中僅有二者能夠檢測位移 (剩下兩個位移感測器未對準目標物或是與兩目標物間之 邊界對準)。據此’為確保第三位移檢測系統在任何時間 都能夠判定基板臺5 0在全部六個自由度中的位移,位移感 測器當中一或多者可經修改致使其例如在該裝置僅於 平面中工作的情況中能夠檢測基板臺之對應部分在乂和丫兩 方向中的位移,且在該裝置監測全部六個自由度中之位移 的情況中更可檢測基板臺之對應部分在z方向中的位移。 因此’即使位移感測器當中僅有二者能夠檢測位移,只要 此二感測器當中一者是經修改的感測器其中之一,依然有 可能完整判定基板臺50之位移達期望程度。 在此一經修改的系統中,若想要判定基板臺以乂和y軸線 為中心的旋轉、例如藉以判定基板臺上不具備位移感測器 之點在z方向中的準確位移,則經修改的感測器亦包含一 與該感測器内之z位移檢測原點分開的z方向位移檢測第二 點。但因為位移感測器之有限大小,分隔距離相對較小, 且因此藉由二個Z位移量測值之一比較而判定的任何角位 移的精確度可能不及藉由比較得自二個獨立位移感測器之 Z位移量測值而判定的角位移。 仁應理解到在基板臺從曝照位置移回度量位置然後移到 基板卸載/裝載位置(其可能是在第二位移檢測系統運作的 區域以内、亦即度量位置)的過程中,以與一度量作業中 之移動期間、從度量位置到曝照位置之移動期間及一曝照 119839.doc 1328720 程序中之移動期間同樣精破的水準檢測位移可能不是那麼 重要。因為基板可能在一基板臺朝度量區域回行之後立即 移離基板臺故此事特別真實。因&,前文所述潛在缺點可 證明必非必然。又,應理解到如果第三位移檢测系統中一 基板臺從曝照位置回到檢測位置的必要精度並不如分別用 來在曝照和度量程序期間檢測基板臺之位移的第一和第二 位移檢測系統,則僅用於第三位移檢測系統之附加目標物
91、92、93、94、95、96的期望精度不會像用在第一和第 二位移檢測系統t之目標物的精度要求那樣高。因此,可 使用較便宜的目標物。 為求簡化,圖7a至7h所示排列僅示出用纟以一順時鐘方 向方式調換第-和第二基板臺5〇、80的附加目標物。如上 文關於圖6a-f之實施例所述,為了將基板臺調換回來、亦 即從圖7h所示排列使第—基板臺5()回到曝照位置,基板臺 可如圖7a至7h所示依一順時鐘方向方式依序交換。另一選 擇,如前所述,裝置可經建構致使基板臺之交換可為順時 鐘方向和逆時鐘方向輪替以便避免例如連接到基板臺的臍 帶式連結之間發生衝突。為提供此一排列,應當在用於第 一和第二位移檢測系統之目標物的反向側上提供一組與圖 7a至7h所示附加目標物93、94、95、96互補的附加目標物 (圖中未示)。 圖8a至8h示出圖7a_h所示實施例之一變異型。該變異型 大部分與圖7a至7h所示排列相同,且以下僅說明其差異 處。同樣的’利用相同參考數字標示共同部分。
S 119839.doc •37· Ϊ328720 圖7a至7h所示排列與圖8灿所示排列之間的主要差異
在於如圖8d、8_f所示,濕浸錢頭從第-基板臺50轉 移到第二基板臺80的濕交換程序係以第 —起依X方向而㈣向移動的方式進行第 種排列,提供附加目標物10〇、101、102、103以便在第二 基板臺8G移到用於濕交換之位置時精確地檢測該第二基板 臺的位移,且最好提供附加目標物1〇4、1〇5、ι〇6、ι〇7以 便在第-基板臺50從㉟交換讓位給第^基板臺職移回度 量位置時精確地檢測該第一基板臺的位移,該第一基板臺 在回到度量位置之後其位移再次可由第二位移檢測系統45 檢測。因此,如同圖〜至711所示排列,利用附加目標物 100、101、102、103、104、105、106、107及亦用於第一 和第二位移檢測系統之目標物的組合提供一第三位移檢測 系統。 如同圖7a至7h所示排列,圖8&至8h所示排列之附加目標 物 100、101、102、1〇3、1〇4、1〇5、100、107的位置可經 選擇以確保在所有時間會有數量足以判定基板臺之位移的 位移感測器與相應目標物對準。舉例來說,附加目標物 100、101、102、103、104、105、106、107每一者與任一 其他目標物之間的邊界可經定位致使對於該臺的任何希望 移動來說’基板臺上任何位移感測器對之間在移動方向中 的分隔距離會異於在該希望移動中被該等位移感測器接近 之兩目標物間之相應邊界在該方向中的分隔距離。此外, 附加目標物 100、101、1〇2、1〇3、1〇4、105、106、107的 H9839.doc -38- 1328720 大小和位置可經選擇以確保在基板臺之希望移動期間的基 板臺任何位置,只有一個位移感測器對準於目標物間之一 間隙上方。 關於圖8a-h所示實施例,位移檢測系統可能能夠至少在 一基板臺從度量區域轉移到曝照區域的過程中以與第一和 第二位移檢測系統40、45同樣精確的精度檢測基板臺之位 移°但僅需要精確地檢測從度量區域到曝照區域的整體位 移。因此’第三位移檢測系統檢測位移之一些部分的精度 要求可被放寬,只要位移之終點可相對於起點被精確地判 定即可。 應理解到上文關於圖7a至7h說明的變異型亦可應用於圖 8a至扑所示排列。特定言之,亦應理解到圖8a至8h中示出 的附加目標物僅為被用來以便進行基板臺之一順時鐘方向 交換的附加目標物。如果想要提供第一和第二基板臺5〇、 8〇之輪替順時鐘方向和逆時鐘方向交換,則可提供額外的 目標物。 儘管在圖7 a至8 h中已將僅用於第三位移檢測系統的附加 目標物敘述為複數個獨立目標物,應理解到在所述變異型 任一者中,該等附加目標物之任二者可被組合形成單一個 附加目標物。 圖9a至9h示出依據本發明之一實施例之一微影裝置的操 作。如同圖6a-f及圖7a-h所示實施例,該裝置包含第一和 第二基板臺50、8〇以及經配置分別用以檢測基板臺5〇、8〇 在曝照和度量區域中之也銘的链 T I徂移的第一和第二位移檢測系統 U9839.doc •39- 1328720 45如圖9b和9e所tf,提供__y方向中之濕交換以使 濕浸簇流頭從第-基板臺5G轉移到第二基板臺然後, 可利用第-位移檢測系統4G判定第二基板臺⑽之位移。如 圖叫9e所示,第—基板臺5Q移出第—位移系⑽的控制 範圍以外且朝度量位置回行,在此度量位置其可被依序移 到基板卸載位置和基板裝載位置。 如圖9d和9e所不’在第一基板臺5〇之回行移動期間可 能以不夠多的位移感測器判^該基板臺之位移。故第—和 第二位移檢測系統無法提供充分精度以控制該基板臺之移 動。因此提供-第三位移檢測系统例如利用-增量法則 (incremental rule)或任何其他適當位移感測器檢測該基板 3:相對於微影裝置底架而非相對於參考架的位置。 應理解到第三位移檢測系统可能精度遠低於第一和第二 位移檢測系統。此係因為第—和第二位移檢測系統檢測基 板臺相對於例如藉由振動隔離件安裝到底架之參考架的位 移’該等振動隔離件使從該底架轉移到該參考架的振動減 至最少。相對而言’第三位移檢測系統檢測基板臺直接相 對於底架的位移。因此,經由其他組件轉移到微影裝置底 架的任何振動會降低位移檢測精度。但由於該系統僅在基 板已完成曝照之後使用,基板臺之位移之高精度控制並非 必要。取而代之,如圖%至911所示排列所提供,第二位移 檢測系統在度量程序期間極精確地檢測一基板臺之位移, 該基板臺隨後被以上文關於第二、第三和第四實施例提及 之方式(例如利用附加目標物79)轉移到曝照區域致使該 119839.doc •40· 1328720 基板臺之位移持續受到高精度檢測,且隨後該基板臺之位 移會由第一位移檢測系統4 0以高精度檢測直到曝照程序完 成。 如圖9g所示’第三位移檢測系統可能夠精確以便使第一 土板玄50回到一讓已曝光基板可自基板臺5〇卸載的位置。 “二後,如圖9h所示,第一基板臺5〇可被轉移到一讓一新基 板可裝載至該基板臺的位置。在度量程序得以在一基板上 進行之前,有可能想要精確地判定裝載著基板之基板臺相 對於第二位移檢測系統之目標物的絕對位置。因此,最好 使用位置檢測系統檢測基板臺相對於參考架的絕對位 置。一旦基板臺相對於參考架的絕對位置已被判定,即可 利用第和第一位移檢測系統之基板臺位移連續檢測在曝 照完成之前所有時間判定基板臺之位置。 被用來檢測基板臺相對於參考架之絕對位置的位置檢測 系統可為諸如美國專利第6,875,992號所揭示的位置檢測系 統,該專利之内容以5丨用的方式併入本文中。在此一位置 感測器中,一輻射源被安裝在參考架上且將一輻射束引導 至一被安裝在基板臺上的反射器,該反射器係被建構用來 使從該輻射源發出的光線沿一平行但平移離開入射光路徑 的回行路徑反射。位移量係取決於基板臺的位置且由安裝 在輻射源附近的二維輻射偵測器檢測。三個此種器件可被 組合在一系統中以便檢測基板臺在全部六個自由度中的位 置。但此程序可能要花費一些時間,降低裝置的生產量。 舉例來說,裝置之總TACT時間可為7秒且判定基板臺位置 119839.doc -41· 所花費的時間可為0.3秒。據此,延緩該裝置以便以此時 間量檢測基板臺位置代表明顯的生產量損失。 但,依據本發明之一特定實施例,被用來判定基板臺相 對於第二位移檢測系統目標物之絕對位置的位置感測器可 能被建構成在基板被裝載到基板臺的同時可進行位置檢 測。據此,不會損失時間和生產量,又,此一排列相較於 諸如前文關於圖6a-f及7a-h之實施例所述的排列可能比較 有利’在關於圖6a-f及7a-h之實施例中基板臺的位移係利 用一高精度檢測系統持續檢測,且其中基板臺的絕對位置 在常態處理循環期間未被判定。這是因為在此一排列中, 基板臺可能必須在基板已從基板臺卸載之後、基板臺可被 移到基板裝載位置之前保持無運動,因為基板搬運器有些 時候可能阻止位移感測器檢測相對於目標物之位移。此問 題在圖9a-h所示實施例中被消除,因為基板臺的絕對位置 在基板臺每次被移到基板裝載位置之時均被判定。因此, 基板臺從卸载位置到裝載位置之移動中的任何不精確沒有 關係且不要求在晶圓搬運器避開位移感測器與目標物之間 的空間之前將基板臺固持在基板卸載位置。 應理解到在一基板裝載到基板臺的過程中檢測基板臺相 對於參考架之位置的程序可搭配上文所述任一本發明實施 例使用。特定言之,如果第三位移檢測系統不如第一和第 二位移檢測系統精確,則其可能特別適用於圖7a-h之實施 例。 更應理解到如同圖6a-f和7a-h之實施例,圖9a-h之實施 119839.doc •42- 丄 例可能被直戴了當配置為使第一和第二基板臺5〇、8〇重複 地依-順時鐘方向進行交換,或者亦可被配置為交替地以 順時鐘方向和逆時鐘方向進行交換。 儘管本文可能專注於微影裝置在ICs之生產中的使用, =理解到本發明所述微影裝置可有其他應用,譬如積體光 學系統、磁域記憶體之導引和制圖案、平板顯示器、液 晶顯示器(LCDs)、薄膜磁頭等的生產。熟習此技藝者會理 解到就此等替代應用來說,文中"晶圓"或"晶粒"術語的任 何使用可分別被視為與較—般㈣語"基板"或"目標部分" 同義。本說明書所述基板可能在曝照之前或之後經過處 理,例如在一軌道機(track)(一種通常將一層抗蝕劑施加於 一基板並顯影已曝光抗蝕劑的工具)、一度量工具及/或一 檢查工具内被處理。在可應用的情況中,本說明書所述可 被應用在此等及其他基板處理工具。再者,基板可被處理 一次以上,舉例來說以便創造出一多層IC,故文中所述基 板一辭亦可能是指一已經含有多個已處理層的基板。 儘管以上已就光學微影術的範疇說明本發明之實施例的 使用,應理解到本發明可被用在其他應用譬如壓印微影術 (imprint lithography)中,且在相關内容允許的前提下並不 侷限於光學微影術。在壓印微影術中,一圖案化器件中之 一起伏形貌界定要在一基板上創造的圖案。圖案化器件之 起伏形貌可被壓入一供應於基板的抗勉劑層中,然後夢由 施加電磁輻射、熱、壓力、或以上之一組合使抗蝕劑固 化。在抗蝕劑固化後將圖案化器件移離抗蝕劑而留下一圖 119839.doc •43 · 1328720 案 文中所述輻射"和"射束"術語涵蓋所有類型的電磁輻 射,包括紫外線(UV)輻射(例如具有365 nm、355 nm、248 nm、193 nm、157咖或126 nm或其近似值之一波長)和遠 i外線(euv)輻射(譬如具有在5_20 nm範圍θ之一波長)以 及粒子束譬如離子束或電子束。 "透鏡"-辭在意涵允許的情況中可為意指多種光學組件 之任-者或組合,包括折射型、反射型、磁力型、電磁 型、和靜電型光學組件》 儘S X上已說明本發B月之特定實施例’應理解到本發明 可被以文中未述的方式實施。舉例來說,本發明可採取一 含有描述如前所述-方法之—或多個機器可讀取指令序列 之電腦程式或是一内部儲存了此 1柯仔ί此電腦程式之資料儲存媒 體(例如半導體記憶體、磁碟或光碟)的形式。 希望以上說明被視為範例說明而非限制。故熟習此技蘢 者會理解到可不脫離以下提出之請求項的範圍對於前文所 述本發明作修改。 【圖式簡單說明】 圖1疋一依據本發明之一實施例的微影裝置; 圖2是一依據本發明之一膏 ^ . 貫施例的位移檢測系統的構 造, 圖3a至 列; 本發 實施例之一微影裝置的排 119839.doc •44· 1328720 圖5a、5b和5c示出依據一實施例之微影裝置之排列的變 異型; 圖6a至6f示出依據本發明之一實施例之一微影裝置的一 種排列; 圖7a至7h示出依據本發明之一實施例之一微影裝置的一 種排列; 圖8a至8h示出依據一實施例之微影裝置的一種變異 型;且 圖9a至9h示出依據本發明之一實施例之一微影裝置的排 列。 【主要元件符號說明】 10 位移檢測系統 11a 基板臺第一部分 lib 基板臺第二部分 11c 基板臺第三部分 lid 基板臺第四部分 12 基板 13 參考架 21 第一位移感測器 22 第二位移感測器 23 第三位移感測器 24 第四位移感測器 25 間隙 26 輻射束 119839.doc -45 - 1328720 27 度量/曝照單元 31 第一目標物 32 第二目標物 33 第三目標物 34 第四目標物 40 第一位移檢測系統 41 第一目標物 42 第二目標物 43 第三目標物 44 第四目標物 45 第二位移檢測系統 46 第五目標物 47 第六目標物 48 第七目標物 49 第八目標物 50 第一基板臺 51 第一位移感測器 52 第二位移感測器 53 第三位移感測器 54 第四位移感測器 55 曝照單元 56 度量單元 60 參考架 61 第一參考架 119839.doc -46* 1328720 62 第二參考架 71 第一目標物 72 第二目標物 72a 第二目標物之加長部 73 第三目標物 73a 第三目標物之加長部 74 第四目標物 75 第五目標物 75a 第五目標物之加長部 76 第六目標物 77 第七目標物 78 第八目標物 78a 第八目標物之加長部 79 附加目標物 80 第二基板臺 81 第一位移感測器 82 第二位移感測器 83 第三位移感測器 84 第四位移感測器 91 附加目標物 92 附加目標物 93 附加目標物 94 附加目標物 95 附加目標物 .47· 119839.doc 1328720 96 附加目標物 100 附加目標物 101 附加目標物 102 附加目標物 103 附加目標物 104 附加目標物 105 附加目標物 106 附加目標物 107 附加目標物 AD 調整器 B 輻射束 BD 射束傳送系統 C 目標部分 CO 聚光器 IF 位置感測器 IL 照明系統 IN 積光器 MA 圖案化器件 Ml、M2 光罩準直記號 MT 支撐結構 PI、P2 基板準直記號 PM 第一定位器 PS 投影系統 PW 第二定位器 -48- 119839.doc 1328720 so 輻射源 w 基板 WT 基板臺
/ 3Γ : 119839.doc -49-

Claims (1)

1328720 啊年斗月η日修正本 第096115612號專利申請案 中文申請專利範圍替換本(99年4月) 十丨申請專利範圍: • 1 一種經建構用以檢測一組件相對於一參考組件之位移的 位移檢測系統,其包括: 苐一、第一、苐二、及第四目標物,每一目標物被安 裝於該參考組件且經配置致使每一目標物之一目標表面 大致平行於一參考平面;及 第一、第二、第三、及第四位移感測器,每一感測器 經配置用以檢測該組件之一相應部分相對於一相應目標 籲 物之目標表面的位移; /、中-亥第-和第二位移感測器經建構分別用以檢測該 :件之第一和第三部分相對於該第—和第三目標物之目 表面/σ大致平行於該參考平面内之一第一方向的方 向的位移;且
W紙列盗經建構分別π从懷閃碌殂件 L第四。卩刀相對於該第二和第四目標物之目標表 大致平仃於该位於參考平面内且大致正交於該第 向之-第二方向的方向的位移。 2·如請求項1之位移檢 - ^ 揿利糸統,其中該第一、第二、第 組件之相應部分者更經建構用以檢測該 第三方向之方白的、目…目標表面沿—大致平行於-和第二方向。 第二方向大致正交於該第— 3· -種微影裝置,其包括: —如請求項1沾哲 的名-位移檢測系統,其中該組件是— 119839-990427.doc 經建構用以支承-基板的基板臺,且其中該第—位移檢, 測系統經配置用以至少在-使1案轉移到該基板上的 知序期間檢測該基板臺相對於該參考組件之位移;及 一第二位移檢測系、统,其經建構用以至少在使該圖案 轉移到該基板上的該程序之前—進行該基板之—或多種 檢測和檢查的程序期間檢測該基板臺相對於該參考組件 之位移’該第二位移檢測系統包括: 第五、第六、第七、及第八目標物,每一目標物被安 裝於該參考組件且經配置致使每—目標物之—目標表面 大致平行於該參考平面;及 第 及第四位 該第一位移檢測系統之第一、第二 移感測器; 其中該第-和第三位移感測器經建構分別用以檢測該 基板臺之第一和第三部分相對於該第五和第七目標物之 目標表面沿-大致平行於該[方向的方向的位移;且 其中該第二和第四位移感测器經建構分別用以檢測該 基板臺之第二和第四部分相對於該第六和第八目標物之 目標表面沿一大致平行於該第二方向的方向的位移。 4.如請求項3之微影裝置,其中該第一和第二位移檢測系 統經配置致使當該基板臺從一由該第二位移檢測系統檢 測該基板臺相對於該參考組件之位移的度量位置移到一 由該第一位移檢測系統檢測該基板臺相對於該參考組件 之位移的圖案轉移位置時,在所有時間該第一、第二、 第二' 和第四位移感測器之至少三者能夠檢測該基板臺 119839-990427.doc -2- 5. 相對於一目標物之目標表面的位移。 如請求項4之微影裝置’其令該第-和第二位移檢測系 統經配置致使任何位移感測器對在該基板臺大致平行於 該參考平面之-移動方向㈣分隔距離在該基板臺依該 移動方向移_間異於分別㈣料位移感測器跨越之 相鄰目標物間之一 邊界對在該移動方向中的分隔距離 6. 7. 如凊:項3之微影裝置,其更包括一或多個附加目標 物每附加目標物被安裝於該參考組件介於該第一和 第二㈣系統的目標物之間且致使該—或多個附加目標 物之每一者的目標表面大致平行於該參考平面, 其中該微影裝置經配置致使在該基板臺介於一由該第 二位移檢測系統檢測該基板臺相對於該參考組件之位移 的度里位置與一由該第一位移檢測系統檢測該基板臺相 對於該參考組件之位移的圖案轉移位置之間的移動期 門該第一、第二、第三、和第四位移感測器之至少一 者經建構用以檢測該基板臺之相應部分相對於該一或多 個附加目標物之一者之目標表面的位移。 如請求項3之微影裝置,其更包括: 一經建構用以支承一基板的第二基板臺,及 第五、第六、第七、及第八位移感測器,每一感測器 經配置分別用來以一對應於該第一基板臺之第一、第 一、第二、及第四部分分別被該第一、第二、第三、及 第四位移檢測器檢測的方式檢測該第二基板臺之一相應 部分相對於該第一、第二、第三、及第四目標物之目標 119839-990427.doc 1328720 表面或該第五、第六、第七、及第八目標物之目標参面、 的位移。 8. 如請求項3之微影裝置,其更包括一第三位移檢測系 統’該第三位移檢測系統經配置用以在該基板臺從一由 該第一位移檢測系統檢測該基板臺相對於該參考組件之 位移的圖案轉移位置移到一讓一基板自該基板臺卸載的 卸載位置的一基板臺回行移動之至少一部分期間檢測該 基板臺相對於該參考組件之位移。 9. 如明求項8之微影裝置,其中該第三位移檢測系統包括 至/ 基板臺回行目標物,每一目標物被安裝於該參考 汲件且經配置致使該至少一基板臺回行目標物之一目標 表面大致平行於該參考平面;且 其中°亥第一、第二、第三、及第四位移檢測感測器經 配置致使在該基板臺之一基板臺回行移動之該至少一部 月門該第一、第二、第三、及第四位移檢測感測器 之至夕者能夠檢測該基板臺之相應部分相對於該至少 一基板臺回行目標物之-者之目標表面的位移。 10. 如請求項9之微影裝置,其中該第一、第二、第三、及 第四位移感測器之至少—者經建構以便檢測該基板臺之 相應。P分相對於—目標物之目標表面沿大致平行於該第 一和第二方向二者之方向的位移。 η·:請求項8之微影裝置,其中該第-和第二位移檢測系 統之目標物被安裝於—度量參考架致使該第一和第二位 檢測該基板臺相對於該度量參考架的位移, 119839-990427.doc •4· 1328720 且該第二位移檢測系統檢測該基板臺相對於該微影裝置 之一底架的位移。 12. 如請求項丨丨之微影裝置,其更包括一位置檢測系統,該 位置檢測系統經建構用以在該基板臺回行移動完成後檢 測該基板臺相對於該參考組件的位置。 13. 如請求項12之微影裝置,其中該位置檢測系統經配置用
以在基板被裝載到該基板臺的同時檢測該基板臺相對 於該參考組件的位置。 14.如請求項8之微影裝置…該第一和第二位移檢測系 統經建構以便以-高於㈣三位移檢測系統的精度檢測 該基板臺相對於該參考組件之位移。 參考 15. 如請求項3之微影裝置,其更包括—第—和第 架’每~參考架被個別安裝於該參考組件;
::該第一、第二、第三、及第四目標物被安裝於該 =考架,且該第五、第六、第七、及第八目標物被 女裝於該第二參考架。 16. 如請求項3之微影裝置,其 架。 可、.且件疋一度量參考 17. 如請求項3之微影裝置,其中該第_、第二、一 測器之至少一者更經建構分別用二該: 孜$之相應部分相對於該第五、第 ^ . 、弟七、及第八目 私物之表面沿一大致平行於一第三方 哕筮门之方向的位移, 邊弟二方向大致正交於該第一和第二方向。 18. —種微影裝置,其包括: 119839-990427.doc 一經建構用以支承一基板的基板臺;
一第一位移檢測系統’其經建構用以在一圖案轉移至 該基板之一程序期間檢測該基板臺相對於一參考組件之 位移,該第一位移檢測系統包括至少一安裝於該參考組 件的目標物及至少一經建構用以檢測該基板臺之至少一 部分相對於該至少一目標物之位移的位移感測器;及 一第二位移檢測系統’其經建構用以至少在一基板臺 α行移動之。卩为期間檢測該基板臺相對於該微影裝置 之一底架的位移,在該基板臺回行移動期間該基板臺從 一讓該圖案轉移至該基板的位置移到一讓-I板自該基 板臺卸載的卸載位置。 19. 20. 21. 22. 如請求項18之微影裝置,其中該參考組件㈣—或多個 振動隔離支撐件安裝於該微影裝置之底架。 如請求項丨8之微影裝置,其更包括—位置檢測系統該 位置檢測系統經建構用以在該基板臺回行移動完成後檢 測該基板臺相對於該參考組件的位置。 如請求項20之微影裝置,其中該位置檢測系統經配置用 以在-基板被裝_該基板臺的同時㈣ 於該參考組件的位置。 @
一種檢測一組件相對於一 法包括: 參考組件之位移的 方法 該方 利用第一、篦- 咕一 —、第三、及第四位移感測器分別檢測 …且之一相應部分相對於-第-、第二、第三、及第 四目‘物之-目標表面的位移該第—、第二、第三、 119839-990427.doc -6 - 1328720 四目彳示物被安裝於該參考组件且經配置致使該第 一、第二、第三、及第四目標物每一者之目標表面大致 平行於—參考平面; 中該第一和第三位移感測器分別檢測該組件之第一 和第三部分相對於該第一和第三目標物之目標表面沿— 大致平仃於該參考平面内之—第一方向的方向的位 移,且
其中該第二和第四位移感測器分別檢測該組件之第二 寿第四部分相對於該第二和第四目標物之目標表面沿一 大致平行於該參考平面内大致正交於該第一方向之一第 二方向的方向的位移。 23. -種元件製造方法,其包括: 使一圖案從—圖案化器件轉移到一基板上,且 在該轉移期間利用請求項22之方法檢測-支承該基板 的基板臺的位移。
24. -種元件製造方法,其包括: 使一圖案從-圖案化器件轉移到一基板上,該基板在 該轉移期間係被支承在一基板臺上; ㈣㈣間’利用―位移檢測系統檢測該基板 I才士 考組件的位移,該位移檢測系統包括至少 -安裝於該參考組件的目標物及至少一位移感測器該 至少-位移感測器經建構用以檢測該基板臺之至少一部 分相對於該至少-目標物的位移;且 至少在一基板臺0# 仃移動之一部分期間檢測該基板臺 119839-990427.doc 1328720 相對於該微影裝置之一底架的位移,在該基板臺回彳;t移 動期間該基板臺從一讓該圖案轉移至該基板上的位置移 到一讓一基板自該基板臺卸載的卸載位置。 119839-990427.doc 1328720 第096115612號專利申請案 中文說明書替換頁(99年4月) 七、指定代表圖: (一) 本案指定代表圖為:第(2 )圖。 (二) 本代表圖之元件符號簡單說明:
10 位移檢測系統 11a 基板臺第一部分 lib 基板臺第二部分 11c 基板臺第三部分 lid 基板臺第四部分 12 基板 13 參考架 21 第一位移感測器 22 第二位移感測器 23 第三位移感測器 24 第四位移感測器 25 間隙 26 輻射束 27 度量/曝照單元 31 第一目標物 32 第二目標物 33 第三目標物 34 第四目標物 八、本案若有化學式時,請揭示最能顯示發明特徵的化學式: (無) 119839-990427.doc
TW096115612A 2006-05-09 2007-05-02 Displacement measurement system, lithographic apparatus, displacement measurement method and device manufacturing method TWI328720B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US11/430,196 US7483120B2 (en) 2006-05-09 2006-05-09 Displacement measurement system, lithographic apparatus, displacement measurement method and device manufacturing method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200801859A TW200801859A (en) 2008-01-01
TWI328720B true TWI328720B (en) 2010-08-11

Family

ID=38684790

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW096115612A TWI328720B (en) 2006-05-09 2007-05-02 Displacement measurement system, lithographic apparatus, displacement measurement method and device manufacturing method

Country Status (5)

Country Link
US (1) US7483120B2 (zh)
JP (1) JP4660503B2 (zh)
KR (1) KR100901476B1 (zh)
CN (1) CN101071276B (zh)
TW (1) TWI328720B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10352694B2 (en) 2017-04-18 2019-07-16 Industrial Technology Research Institute Contactless dual-plane positioning method and device

Families Citing this family (83)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW527526B (en) * 2000-08-24 2003-04-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby
US7561270B2 (en) * 2000-08-24 2009-07-14 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufactured thereby
WO2006087325A1 (de) * 2005-02-16 2006-08-24 Basf Aktiengesellschaft 5-alkoxyalkyl-6-alkyl-7-amino-azolopyrimidine, verfahren zu ihrer herstellung und ihre verwendung zur bekämpfung von schadpilzen sowie sie enthaltende mittel
US7515281B2 (en) 2005-04-08 2009-04-07 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR20180091963A (ko) 2006-01-19 2018-08-16 가부시키가이샤 니콘 이동체 구동 방법 및 이동체 구동 시스템, 패턴 형성 방법 및 패턴 형성 장치, 노광 방법 및 노광 장치, 그리고 디바이스 제조 방법
WO2007097466A1 (ja) 2006-02-21 2007-08-30 Nikon Corporation 測定装置及び方法、処理装置及び方法、パターン形成装置及び方法、露光装置及び方法、並びにデバイス製造方法
JP5115859B2 (ja) 2006-02-21 2013-01-09 株式会社ニコン パターン形成装置、露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
KR101356270B1 (ko) 2006-02-21 2014-01-28 가부시키가이샤 니콘 패턴 형성 장치, 마크 검출 장치, 노광 장치, 패턴 형성 방법, 노광 방법 및 디바이스 제조 방법
TWI602032B (zh) * 2006-08-31 2017-10-11 Nippon Kogaku Kk Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
KR101423017B1 (ko) 2006-08-31 2014-07-28 가부시키가이샤 니콘 이동체 구동 방법 및 이동체 구동 시스템, 패턴 형성 방법 및 장치, 노광 방법 및 장치, 그리고 디바이스 제조 방법
TWI547771B (zh) 2006-08-31 2016-09-01 尼康股份有限公司 Mobile body drive system and moving body driving method, pattern forming apparatus and method, exposure apparatus and method, component manufacturing method, and method of determining
TW201809913A (zh) 2006-09-01 2018-03-16 日商尼康股份有限公司 曝光裝置、曝光方法、以及元件製造方法
TWI622084B (zh) 2006-09-01 2018-04-21 Nikon Corp Mobile body driving method, moving body driving system, pattern forming method and device, exposure method and device, component manufacturing method, and correction method
KR101391025B1 (ko) * 2006-09-29 2014-04-30 가부시키가이샤 니콘 이동체 시스템, 패턴 형성 장치, 노광 장치 및 노광 방법, 그리고 디바이스 제조 방법
US8687166B2 (en) * 2007-05-24 2014-04-01 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus having an encoder position sensor system
US8098362B2 (en) * 2007-05-30 2012-01-17 Nikon Corporation Detection device, movable body apparatus, pattern formation apparatus and pattern formation method, exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method
KR101923356B1 (ko) * 2007-07-18 2018-11-28 가부시키가이샤 니콘 계측 방법, 스테이지 장치, 및 노광 장치
US8237919B2 (en) * 2007-08-24 2012-08-07 Nikon Corporation Movable body drive method and movable body drive system, pattern formation method and apparatus, exposure method and apparatus, and device manufacturing method for continuous position measurement of movable body before and after switching between sensor heads
JP4986185B2 (ja) * 2007-11-07 2012-07-25 株式会社ニコン 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
NL1036180A1 (nl) * 2007-11-20 2009-05-25 Asml Netherlands Bv Stage system, lithographic apparatus including such stage system, and correction method.
WO2009075103A1 (ja) * 2007-12-11 2009-06-18 Nikon Corporation 移動体装置、露光装置及びパターン形成装置、並びにデバイス製造方法
US8269945B2 (en) * 2007-12-28 2012-09-18 Nikon Corporation Movable body drive method and apparatus, exposure method and apparatus, pattern formation method and apparatus, and device manufacturing method
US8237916B2 (en) * 2007-12-28 2012-08-07 Nikon Corporation Movable body drive system, pattern formation apparatus, exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method
TWI454851B (zh) 2007-12-28 2014-10-01 尼康股份有限公司 An exposure apparatus, a moving body driving system, a pattern forming apparatus, and an exposure method, and an element manufacturing method
US8792079B2 (en) * 2007-12-28 2014-07-29 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method having encoders to measure displacement between optical member and measurement mount and between measurement mount and movable body
JP5344180B2 (ja) * 2008-02-08 2013-11-20 株式会社ニコン 位置計測システム及び位置計測方法、移動体装置、移動体駆動方法、露光装置及び露光方法、パターン形成装置、並びにデバイス製造方法
KR101670624B1 (ko) * 2008-04-30 2016-11-09 가부시키가이샤 니콘 스테이지 장치, 패턴 형성 장치, 노광 장치, 스테이지 구동 방법, 노광 방법, 그리고 디바이스 제조 방법
US8817236B2 (en) * 2008-05-13 2014-08-26 Nikon Corporation Movable body system, movable body drive method, pattern formation apparatus, pattern formation method, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US8228482B2 (en) * 2008-05-13 2012-07-24 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US8786829B2 (en) * 2008-05-13 2014-07-22 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
JP5233601B2 (ja) * 2008-11-07 2013-07-10 セイコーエプソン株式会社 ロボットシステム、ロボット制御装置およびロボット制御方法
US8760629B2 (en) 2008-12-19 2014-06-24 Nikon Corporation Exposure apparatus including positional measurement system of movable body, exposure method of exposing object including measuring positional information of movable body, and device manufacturing method that includes exposure method of exposing object, including measuring positional information of movable body
US8599359B2 (en) 2008-12-19 2013-12-03 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, device manufacturing method, and carrier method
US8773635B2 (en) * 2008-12-19 2014-07-08 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US8902402B2 (en) 2008-12-19 2014-12-02 Nikon Corporation Movable body apparatus, exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
JP2010243413A (ja) * 2009-04-08 2010-10-28 Canon Inc 測定装置、露光装置及びデバイスの製造方法
JPWO2010143652A1 (ja) * 2009-06-10 2012-11-29 株式会社ニコン 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法
NL2004735A (en) 2009-07-06 2011-01-10 Asml Netherlands Bv Imprint lithography apparatus and method.
NL2004680A (en) * 2009-07-06 2011-01-10 Asml Netherlands Bv Imprint lithography apparatus.
NL2004681A (en) * 2009-07-06 2011-01-10 Asml Netherlands Bv Imprint lithography apparatus.
NL2004834A (en) 2009-07-08 2011-01-10 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method.
US8488109B2 (en) 2009-08-25 2013-07-16 Nikon Corporation Exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method
US8493547B2 (en) 2009-08-25 2013-07-23 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposure method, and device manufacturing method
US8514395B2 (en) 2009-08-25 2013-08-20 Nikon Corporation Exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method
US20110102761A1 (en) * 2009-09-28 2011-05-05 Nikon Corporation Stage apparatus, exposure apparatus, and device fabricating method
US20110096306A1 (en) * 2009-09-28 2011-04-28 Nikon Corporation Stage apparatus, exposure apparatus, driving method, exposing method, and device fabricating method
US20110096312A1 (en) * 2009-09-28 2011-04-28 Nikon Corporation Exposure apparatus and device fabricating method
US20110096318A1 (en) * 2009-09-28 2011-04-28 Nikon Corporation Exposure apparatus and device fabricating method
NL2005309A (en) * 2009-10-13 2011-04-14 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method.
US20110128523A1 (en) * 2009-11-19 2011-06-02 Nikon Corporation Stage apparatus, exposure apparatus, driving method, exposing method, and device fabricating method
US20110123913A1 (en) * 2009-11-19 2011-05-26 Nikon Corporation Exposure apparatus, exposing method, and device fabricating method
US8488106B2 (en) * 2009-12-28 2013-07-16 Nikon Corporation Movable body drive method, movable body apparatus, exposure method, exposure apparatus, and device manufacturing method
JP5861858B2 (ja) * 2010-03-29 2016-02-16 株式会社ニコン 露光方法及び露光装置、並びにデバイス製造方法
NL2006714A (en) * 2010-06-07 2011-12-08 Asml Netherlands Bv Displacement device, lithographic apparatus and positioning method.
US8395783B2 (en) * 2010-07-16 2013-03-12 Rudolph Technologies, Inc. System metrology core
NL2007155A (en) 2010-08-25 2012-02-28 Asml Netherlands Bv Stage apparatus, lithographic apparatus and method of positioning an object table.
KR101311251B1 (ko) * 2010-11-12 2013-09-25 주식회사 고영테크놀러지 검사장치
US8937707B2 (en) * 2011-08-23 2015-01-20 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method, and method of calibrating a displacement measuring system
US9207549B2 (en) 2011-12-29 2015-12-08 Nikon Corporation Exposure apparatus and exposure method, and device manufacturing method with encoder of higher reliability for position measurement
US10551751B2 (en) 2012-04-26 2020-02-04 Asml Netherlands B.V. Lithography apparatus and device manufacturing method
CN104756013B (zh) * 2012-10-24 2017-09-29 Asml荷兰有限公司 衬底定位系统、光刻设备以及器件制造方法
US9651877B2 (en) 2012-11-19 2017-05-16 Asml Netherlands B.V. Position measurement system, grating for a position measurement system and method
CN104035287B (zh) * 2013-03-05 2016-03-16 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 曝光装置及其曝光方法
JP6362312B2 (ja) * 2013-09-09 2018-07-25 キヤノン株式会社 露光装置、それを用いたデバイスの製造方法
DE102013220196A1 (de) 2013-10-07 2015-04-09 Dr. Johannes Heidenhain Gmbh Optische Positionsmesseinrichtung
DE102013220214A1 (de) * 2013-10-07 2015-04-09 Dr. Johannes Heidenhain Gmbh Anordnung zur Positionierung eines Werkzeugs relativ zu einem Werkstück
TWI627379B (zh) 2013-10-07 2018-06-21 德商強那斯海登翰博士有限公司 光學位置測量裝置
CN103644848B (zh) * 2013-12-12 2016-02-03 哈尔滨工业大学 一种使用双频激光的三维光栅位移测量系统
CN103644849B (zh) * 2013-12-12 2016-02-03 哈尔滨工业大学 一种可测竖直位移的三维光栅位移测量系统
CN103759655B (zh) * 2014-01-23 2016-08-17 清华大学 基于光学倍程法的二自由度零差光栅干涉仪位移测量系统
CN105045042B (zh) * 2015-04-23 2017-06-16 清华大学 一种硅片台曝光区域六自由度位移测量方法
CN105487343A (zh) * 2016-01-14 2016-04-13 哈尔滨工业大学 基于平面光栅测量的动磁钢磁浮双工件台矢量圆弧换台方法及装置
JP6719246B2 (ja) 2016-03-25 2020-07-08 キヤノン株式会社 計測方法、計測装置、リソグラフィ装置及び物品の製造方法
US20170323708A1 (en) * 2016-05-03 2017-11-09 Texas Instruments Incorporated Component sheet and method of singulating
EP3376289A1 (en) 2017-03-17 2018-09-19 ASML Netherlands B.V. Stage system and metrology tool
JP6493481B2 (ja) * 2017-10-18 2019-04-03 株式会社ニコン 露光装置及びデバイス製造方法
JP6440878B2 (ja) * 2018-02-05 2018-12-19 キヤノン株式会社 露光装置、およびそれを用いたデバイスの製造方法
CN111091024B (zh) * 2018-10-23 2023-05-23 广州弘度信息科技有限公司 一种基于视频识别结果的小目标过滤方法和系统
CN110132550B (zh) * 2019-05-16 2020-08-18 清华大学 平面光栅标定系统
KR20210010001A (ko) * 2019-07-19 2021-01-27 에스케이하이닉스 주식회사 반도체 검사 장치 및 방법
EP3859448A1 (en) * 2020-01-28 2021-08-04 ASML Netherlands B.V. Positioning device and method to use a positioning device
CN115769046A (zh) * 2020-06-30 2023-03-07 日本电产株式会社 测定系统和测定方法
CN114719787B (zh) * 2022-04-24 2024-01-30 合肥工业大学 一种基于平行光路的多自由度检测装置

Family Cites Families (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0447222A (ja) * 1990-06-13 1992-02-17 Olympus Optical Co Ltd 高精度位置比較装置
DE4033556A1 (de) * 1990-10-22 1992-04-23 Suess Kg Karl Messanordnung fuer x,y,(phi)-koordinatentische
NL9100215A (nl) * 1991-02-07 1992-09-01 Asm Lithography Bv Inrichting voor het repeterend afbeelden van een maskerpatroon op een substraat.
JPH05129184A (ja) * 1991-10-30 1993-05-25 Canon Inc 投影露光装置
JPH07270122A (ja) * 1994-03-30 1995-10-20 Canon Inc 変位検出装置、該変位検出装置を備えた露光装置およびデバイスの製造方法
US5757507A (en) * 1995-11-20 1998-05-26 International Business Machines Corporation Method of measuring bias and edge overlay error for sub-0.5 micron ground rules
JPH09320921A (ja) * 1996-05-24 1997-12-12 Nikon Corp ベースライン量の測定方法及び投影露光装置
SG88824A1 (en) * 1996-11-28 2002-05-21 Nikon Corp Projection exposure method
EP0890136B9 (en) * 1996-12-24 2003-12-10 ASML Netherlands B.V. Two-dimensionally balanced positioning device with two object holders, and lithographic device provided with such a positioning device
JPH10318791A (ja) 1997-05-14 1998-12-04 Sony Precision Technol Inc スケール装置
JP2001118773A (ja) * 1999-10-18 2001-04-27 Nikon Corp ステージ装置及び露光装置
EP1111471B1 (en) 1999-12-21 2005-11-23 ASML Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus with collision preventing device
TWI231405B (en) * 1999-12-22 2005-04-21 Asml Netherlands Bv Lithographic projection apparatus, position detection device, and method of manufacturing a device using a lithographic projection apparatus
US7289212B2 (en) * 2000-08-24 2007-10-30 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, device manufacturing method and device manufacturing thereby
JP2002289515A (ja) 2000-12-28 2002-10-04 Nikon Corp 製品の製造方法、露光装置の製造方法、露光装置、及びデバイス製造方法
US6665054B2 (en) * 2001-10-22 2003-12-16 Nikon Corporation Two stage method
US6781694B2 (en) * 2002-07-16 2004-08-24 Mitutoyo Corporation Two-dimensional scale structures and method usable in an absolute position transducer
TWI246114B (en) * 2002-09-24 2005-12-21 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus, device manufacturing method, and device manufactured thereby
JP4362862B2 (ja) * 2003-04-01 2009-11-11 株式会社ニコン ステージ装置及び露光装置
JP4071733B2 (ja) * 2003-04-17 2008-04-02 エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. リソグラフィ装置、デバイス製造方法、およびコンピュータ・プログラム
EP1624481A4 (en) * 2003-05-15 2008-01-30 Nikon Corp EXPOSURE DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING COMPONENTS
EP2261741A3 (en) 2003-06-11 2011-05-25 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
KR101148811B1 (ko) 2003-06-19 2012-05-24 가부시키가이샤 니콘 노광 장치 및 디바이스 제조방법
EP1510870A1 (en) 2003-08-29 2005-03-02 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US6977713B2 (en) * 2003-12-08 2005-12-20 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP4586367B2 (ja) * 2004-01-14 2010-11-24 株式会社ニコン ステージ装置及び露光装置
US7102729B2 (en) * 2004-02-03 2006-09-05 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus, measurement system, and device manufacturing method
GB0403576D0 (en) * 2004-02-18 2004-03-24 Prior Scient Instr Ltd Stage apparatus
US7161659B2 (en) * 2005-04-08 2007-01-09 Asml Netherlands B.V. Dual stage lithographic apparatus and device manufacturing method
US7515281B2 (en) * 2005-04-08 2009-04-07 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10352694B2 (en) 2017-04-18 2019-07-16 Industrial Technology Research Institute Contactless dual-plane positioning method and device

Also Published As

Publication number Publication date
US7483120B2 (en) 2009-01-27
CN101071276B (zh) 2011-12-14
CN101071276A (zh) 2007-11-14
JP4660503B2 (ja) 2011-03-30
KR100901476B1 (ko) 2009-06-08
TW200801859A (en) 2008-01-01
JP2007318119A (ja) 2007-12-06
KR20070109871A (ko) 2007-11-15
US20070263197A1 (en) 2007-11-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI328720B (en) Displacement measurement system, lithographic apparatus, displacement measurement method and device manufacturing method
TWI476538B (zh) 定位測量系統及微影裝置
TWI357096B (en) Lithographic apparatus and method
TWI448831B (zh) 位置感測器及微影裝置
KR101196360B1 (ko) 멀티-헤드 정렬시스템 내의 정렬 헤드들의 위치 캘리브레이션
TWI424288B (zh) 微影裝置及器件製造方法
EP1762897A1 (en) Lithographic apparatus and device manufacturing method
TWI267939B (en) Alignment method and apparatus, lithographic apparatus, device manufacturing method, and alignment tool
TWI390366B (zh) 平台系統,包含該平台系統的微影裝置及修正方法
TW201239554A (en) Optical apparatus, method of scanning, lithographic apparatus and device manufacturing method
TW200840988A (en) A method of measurement, an inspection apparatus and a lithographic apparatus
TWI519904B (zh) 感測器系統、控制系統、微影裝置及圖案轉印方法
NL2006130A (en) Lithographic apparatus and device manufacturing method.
NL2005092A (en) Object alignment measurement method and apparatus.
TWI417680B (zh) 微影裝置及元件製造方法
TWI559092B (zh) 包含基板台的微影裝置
TWI329243B (en) Lithographic apparatus and device manufacturing method
JP2007208240A (ja) 基板テーブル、基板位置の測定方法、およびリソグラフィ装置
US8947640B2 (en) Positioning device, lithographic apparatus, positioning method and device manufacturing method
TWI460554B (zh) 光罩總成、微影裝置、微影處理中之用途及於微影處理之單一掃描移動中投影二或多個影像場之方法
TWI449852B (zh) 彈簧片、置物台系統及微影裝置
JP2016502070A (ja) オブジェクト位置決めシステム、リソグラフィ装置、およびデバイス製造方法
EP1675176B1 (en) Method for measuring the bonding quality of bonded substrates and method of producing a device from a bonded substrate
KR20230005374A (ko) 리소그래피 장치의 일부를 세정하기 위한 세정 툴 및 방법
JP2008160107A (ja) 検査方法および装置、リソグラフィ装置、リソグラフィ処理セルおよびデバイス製造方法