TWI326096B - High voltage capacitor and magnetron - Google Patents

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TWI326096B TW093119063A TW93119063A TWI326096B TW I326096 B TWI326096 B TW I326096B TW 093119063 A TW093119063 A TW 093119063A TW 93119063 A TW93119063 A TW 93119063A TW I326096 B TWI326096 B TW I326096B
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    • H01GCAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00Fixed capacitors; Processes of their manufacture
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Description

1326096 九、發明說明: (一) 發明所屬之技術領域 本發明係關於一種高電壓貫通型電容器及具有以該高 電壓貫通型電容器所形成濾波器之磁控管。 (二) 先前技術 習用之此種高電壓貫通型電容器,已具諸例如特開平 8-316099號公報及實開平4-405 24號公報等之揭示。其一 般之構造如下所述。在構成電容器之電介質體磁器形成有 2個相間隔之貫通孔。在電介質體磁器之貫通孔開口的兩 面上’分別設有相互獨立之個別電極及對該個別電極形成 爲共通之共同電極。共同電極係以焊接等之方式固著於接 地配件之浮上部之上。將電容器之貫通孔及接地配件之貫 通孔連通並使貫通導體貫通之。該貫通導體係使用電極連 接體等以焊接焊於電容器之個別電極上。在接地配件之浮 上部外周’以絕緣殻將電容器包圍之方式加以插著之。在 接地配件之他面側,則以絕緣殼將貫通導體包圍之方式插 著之。該絕緣殼則係以密著於接地配件浮上部內周面之方 式予以裝著。因此,於絕緣殼及以絕緣殼所包圍的內外處 ’充塡以環氧樹脂等之熱硬化性絕緣樹脂,因而可確保耐 濕性及絕緣性》 但是,因爲絕緣樹脂僅充塡密著接地配件浮上部之內 外周面、絕緣殼之內周面 '及電容器之內外面等處,兩者 係成非接著狀態。因此,絕緣樹脂在硬化收縮時所產生之 應力及使用時重複所產生之應力等,將使電介質體磁器與 -5- 1326096 絕緣樹脂之間產生間隙,再者,於絕緣樹脂與絕緣殼之內 周面及與接地配件之境界處,亦將誘發間隙。 產生上述間隙之主要原因,係緣自環氧樹脂等之熱硬 化性絕緣樹脂硬化時所生之應力、及構成電容器之電介質 體磁器因爲電致伸縮現象所生之應力等而導致者。 構成電容器之電介質體磁器,係一種以鈦酸鋇作爲主 成分所作成之電介質體磁器。此種電介質體磁器係屬於壓 電性結晶族之強電介質體。隸屬壓電性結晶族之強電介質 體顯示有逆壓電效果,因此,施加交流高電壓時,即可在 構成電容器之電介質體磁器的內部產生機械能。 例如,把此種高電壓貫通型電容器用以作電子烤箱之 磁控管中的濾波器使用時,令磁控管振盪之交流高電壓係 施加於電容器上。當施加交流高電壓時,在電介質體磁器 之內部,藉前述之逆壓電效果使電能變換爲機械能。因之 ,電介質體磁器在施加電壓時係伸展,而在無施加電壓時 則縮回原始之狀態者。 爲了可令電子烤箱之磁控管振盪,乃施加以4kV〇.p左 右之電壓並保持高用頻率數或20kHz〜40kHz之頻率數》 又,在磁控管剛開始振盪前,乃先施加0〜40kVp-p之過渡 電壓。構成電容器之電介質體磁器乃因承受該等電壓而導 致反覆之伸 '縮,此種現象,即是所稱電介質體磁器的電 致伸縮現象。 此種電致伸縮現象係於電介質體及絕緣樹脂之間 '另 外絕緣樹脂及絕緣殼之內周面與接地配件等之邊界等間隙 1326096 誘發而產生爲主要原因。由是,習用之該種高電壓貫通型 電容器’短時間內即產生了特性劣化及電極間短路等不良 問題,甚或造成危險性。 又’難燃劑沈降於電介質體磁器之陶瓷素地溝部內亦 是造成特性劣化之另一種原因。 迄今,所使用之絕緣樹脂係含有添加型難燃劑六溴乙 烷(hexabromoethane)之環氧樹脂,此種狀況,因爲難燃劑 含有大的棒狀粒子,難燃劑之比重較諸基礎樹脂還大,故 乃沈而傾向偏在於絕緣界面處。難燃劑本身之絕緣性較基 礎樹脂爲差,因而波及基礎樹脂與基材之密著強度,致產 生不良影響。難燃劑之沈降乃使初期破壞電壓値有所偏差 ,亦因而產生了無法保持較短時間之高溫特性的問題。 (三)發明內容 [發明擬解決之課題] 本發明之課題係提供一種高信賴度之高電壓貫通型電 容器,可增大:絕緣殼及接地配件與充塡在殼側之內部的 絕緣樹脂其間之界面中的接著力;及充塡在電容器周圍之 絕緣樹脂其間之界面的接著力,因而可防止兩者間之界面 剝離,並可避免特性劣化及電氣短路。本發明亦提供一種 磁控管,係將該種高電壓貫通型電容器予以組入而當作濾 波器者。 [解決課題之構成] 爲了解決上述之課題,依本發明之高電壓貫通型電容 器含有:至少1個接地配件;至少1個電容器;至少1個 1326096 貫通導體;至少1個絕緣管;至少1個絕緣殼;及絕緣樹 脂。 該接地配件在一面側上具有浮上部,該浮上部則具有 自一面側貫通至另一面側之貫通孔及接續該貫通孔之內部 空間。 該電容器之構成爲含有具有貫通孔之電介質體磁器, 在該電介質體磁器之該貫通孔其開口的兩面處則設以電極 ,電極中之一方固著於該接地配件之該一面上。 該貫通導體係貫通該電容器及該接地配件而連接於該 另一電極。該絕緣管被覆於貫通導體。 該絕緣殼係設在該接地配件之一面側,其一端嵌合於 該浮上部之該外周上,該絕緣樹脂則係充塡於該絕緣殻之 內部及該接地配件之該內部空間,同時,亦充塡於該電容 器之外周,且在該絕緣殼內部充塡該電容器的周邊β 該絕緣殼側之絕緣樹脂,係一種含溴(Br)系難燃劑之 環氧樹脂,該溴系難燃劑則爲溴化芳香族甘油乙烷基者。 依上述構造之高電壓貫通型電容器,使用於電子烤箱 之磁控管時,把貫通導體作爲給電端子,在該貫通端子與 形成接地電位之接地配件之間連接以電容器,則貫通導體 接通時,所生之雜訊即因電容器之濾波作用加以吸收之。 又,因接地配件具有貫通孔,而電容器亦具有貫通電 介質體磁器之貫通孔,故可將對地成高電位之貫通端子、 形成接地電位之接地配件及電容器之一方電極兩者之間, 藉貫通孔而確保充份之電氣絕緣,並可施作裝配者》 1326096 此外’絕緣樹脂除了充塡在絕緣殼之內部及接地配件 的內部空間外,絕緣樹脂亦充塡於電容器之周遭,故可耐 高溫負載試驗及耐濕負載試驗等之信賴性試驗,亦可令使 用在高溫多濕之環境中的信賴度提高。 本發明之特徵爲在上述之一般性構造,作爲絕緣殼側 之絕緣樹脂’係使用含有溴系難燃劑之環氧樹脂,而該溴 系之難燃劑,則爲溴化芳香族甘油乙烷基者。 溴化芳香族甘油乙烷基爲液體狀,含有之粒子甚爲微 細’故可抑制粒子之沈降而保持絕緣樹脂界面之密著性。 因之’絕緣殼暨接地配件與充塡在殼側內部之絕緣樹脂兩 者間之界面中的接著力;以及充塡在電容器周遭之絕緣樹 脂兩者間之界面中的接著力,等均可增大,由是,即使是 產生了樹脂硬化之收縮,或是在使用時電介質體磁器之電 致伸縮現象等,亦足以承受所致之機械應力。因此,可阻 止絕緣殼暨接地配件,充塡在殼側內部之絕緣樹脂,其間 之界面剝離,故本發明乃可提供一種可避免特性劣化及電 氣短路之高信賴度的高電壓貫通型電容器。 進者,本發明亦揭示一種將該高電壓貫通型電容器予 以組入作爲濾波器之磁控管。 本發明之其他目的、構成及優點等,將配合附圖詳細 說明之,惟所附圖面僅爲一種例子而已。 [發明之效果] 基於前述,依本發明可獲致以下之效果: (a)可增大:在絕緣殼及接地配件與充塡在殼側內部 -9- 1326096 之絕緣樹脂兩者間之界面的接著力;及電容器與充塡在電 容器四周之絕緣樹脂兩者間之界面的接著力,而阻止兩者 間界面之剝離,並可避免特性劣化及電氣短路,因而可提 供一種高信賴度之高電壓貫通型電容器。 (b)可將該種高電壓貫通型電容器作爲濾波器加以組 入,因而可提供一種高信賴度之磁控管。 (四)實施方式 第1圖爲本發明高電壓貫通型電容器一例之正面剖面 圖,第2圖爲第1圖所示高電壓貫通型電容器之分解斜視 圖。第1圖及第2圖所示之高電壓貫通型電容器,含有: 接地配件1、電容器2、貫通導體4, 5、絕緣殼6、外側絕 緣樹脂7 '內側絕緣樹脂8、絕緣蓋9及由矽等構成之絕緣 管 10 ' 1 1。 接地配件1在一面側具有浮上部1 1 1,浮上部1 1 1具 有貫通孔II2。電容器2係配置在浮上部111上,電極215 則以焊接等方式固著在浮上部111。貫通導體4、5係貫通 電容器2所形成之貫通孔211'212及接地配件1所形成之 貫通孔112內部,並介由電極連接體12、13導通連接於電 極 213' 214° 外側絕緣樹脂7係充塡在接地配件1 一面側之電容器 2惆圍而密著於電介質體磁器210的表面。內側絕緣樹脂8 則係充塡在位於接地配件1另一面側、該電容器2之貫通 孔211、212內而密著於電介質體磁器210之表面。外側絕 緣樹脂7係以含有溴系難燃劑之熱硬化環氧樹脂構成,該 -10- 1326096 溴系難燃劑則爲一種溴化芳香族甘油乙烷基。 絕緣管10、11係把位在貫通導體4、5之貫通孔211 ' 212內的部分予以被覆之。 絕緣殼6及絕緣蓋9係由聚丁烯對苯二甲酯(polybutylene telephthalate)、聚乙烧對苯二甲醋(p〇iyethlene telephthalate) 或變性三聚氰胺(melamine)等所構成。絕緣殼6係嵌入於 接地配件1浮上部1 1 1之外周。絕緣蓋9則嵌入於接地配 件1浮上部1 1 1之內周。外側絕緣樹脂7係充塡在絕緣殼 6的內部,而內側絕緣樹脂8則係充塡在絕緣蓋9之內側 、設於接地配件上之浮上部111的內側、及電容器2之貫 通孔2 1 1、2 1 2內。 構成電容器2之電介質體磁器210的組成爲周知者, 具體例而言,係以BaTi03-BaZn03-CaTi03-MgTi03爲主成 分,以含有一種或複數種之添加物予以組成之。 電容器2之電極215係固著在接地配件1之一面上, 因而係設在接地配件1上。貫通導體4、5貫通電容器2及 接地配件1,並且導通連接於電極213、214。因此,使用 於電子烤箱之磁控管狀況時,係把貫通導體4、5作爲給《 端子,在該貫通導體4、5及作爲接地電位之接地配件1間 ,連接以電容器2,貫通導體4、5導通時所生之雜訊即可 藉電容器2之濾波作用加以吸收,乃可獲得高電壓貫通型 電容器。 因接地配件1設有至少一個之貫通孔112,且電容器2 設有貫通電介質體磁器210之至少一個貫通孔211、212’ -11- 1326096 故可確保:把對接地形成高電壓之貫通導體4、5,在形成 接地電位之接地配件1與電容器2電極215之間,藉貫通 孔211、212而有充分之電氣絕緣。 絕緣樹脂7、8因係充塡在電容器2之周圍,故可提高 作高溫負載試驗及耐濕負載試驗之信賴性試驗,或使用在 高溫多濕環境中之信賴度。 依本發明之特徵,在上述之一般性構造,作爲絕緣殼 側之絕緣樹脂者,係使用含溴系難燃劑之環氧樹脂,而溴 系難燃劑則係使用溴化芳香族甘油乙烷基。因溴化芳香族 甘油乙烷基爲液狀,所含之粒子甚微細,故可抑制粒子之 沈降,因而可保持絕緣樹脂界面之密著性。 因爲絕緣殼6及接地配件1與充塡在殻側內部之絕緣 樹脂,兩者間界面中的接著力;及電容器2與充塡在電容 器周遭之絕緣樹脂兩者間界面中的接著力,均可予以增大 ’由是,即使是發生了絕緣樹脂之硬化收縮,或使用時電 介質體磁器210之電致伸縮現象等,亦可充分承受所致之 機械性應力。 進者,可防止:絕緣殼及接地配件與充塡在殻側內部 之絕緣樹脂兩者之界面;及電容器與充塡在電容器周遭之 絕緣樹脂兩者間之界面,等之界面剝離,故可獲得一種避 免特性劣化及電氣短路之高信賴度高電壓貫通型電容器。 其次,舉示試驗數據加以說明。 本實施例之高電壓貫通型電容器使用環氧樹脂製成。 -12- 1326096 環氧樹脂含有作爲溴系之難燃劑的溴化芳香族甘油乙烷基 ,溴含量爲對溴化芳香族甘油乙烷基爲40〜60wt%,對環 氧樹脂全體(亦含充塡劑)爲2〜6wt%而調製之。溴化芳寄 族甘油乙烷基的分子量爲200〜400。 另一方面,比較例之高電壓貫通型電容器,使用含有 添加型難燃劑六溴乙烷之環氧氧樹脂製成。 1.高溫負載試驗: 使用上述之絕緣樹脂,分別製作如第1、2圖所示之高 電壓貫通型電容器各10個樣品作高溫負載試驗。高溫負載 試驗係把樣品收容在恒溫槽內,溫度保持120°C,連續施 加DC 15kV之電壓,並計測發生故障時之時間。表1爲高 溫負載試驗結果。 表1 高溫負載試驗結果 試驗條件 120°C — DC 15kV(n =各 10)單位:小時 樣品編號 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 比較例 37 50 56 68 98 156 244 278 334 454 實施例 1165 1190 1190 1190 1190 1192 1192 1282 1282 150 1 由表1可知,實施例之高電壓貫通型電容器,對比較 例而言,迄至故障之時間延長了約2.6〜40倍之多,故可 判知其信賴度係大幅提高。 2 .交流破壞電壓試驗: 使用上述之絕緣樹脂,作成如第1、2圖所示高電壓貫 通型電容器之樣品各20個遂行交流破壞電壓試驗。交流破 壞電壓試驗係在常溫中對樣品施加頻率數50Hz之正弦波 -13- 1326096 交流電壓,自ον慢慢提高,及至破壞時測定其破壞電壓。 表2爲交流破壞電壓試驗結果。第3圖爲依表2所示交流 破壞電壓試驗結果之分佈圖。 表2 交流破壞電壓試驗結果 試驗項目 單位:Κν 實施例 比較例 編號 AC破壞電壓 AC破壞電壓 1 29.6 19.6 2 3 1.0 24.5 3 3 1.8 25.7 4 3 2.2 28.9 5 33.1 29.0 6 33.3 29.2 7 33.3 3 0.1 8 34.3 30.1 9 34.3 30.4 10 35.1 3 1.5 11 36.6 32.3 12 37.8 33.4 13 3 8.1 3 3.8 14 3 8.2 33.9 15 38.9 33.9 16 38.9 34.0 17 39.4 34.4 18 3 9.7 3 5.8 19 4 1.3 36.1 20 42.3 39.3 m i m 29.6 19.6 max 42.3 39.3 a v e 36.0 3 1.3 σ 3.6 4.5 a v e + 3 o 46.8 44.8 a v e — 3 σ 25.1 17.8 -14- 1326096 依表2之數據可知,實施例之高電壓貫通型電容器, 平均破壞電壓(ave)爲36.0kV’較諸比較例之平均破壞電壓 (ave)爲31.3kV猶高出約5kV之多。又,破壞電壓之標準 偏差σ,實施例爲3.6kV,較諸比較例之4.5kV猶低,故 其波動較小。因此,依本發明,即可實現高信賴性之高電 壓貫通型電容器。 又,就破壞模式作檢討時,實施例之高電壓貫通型電 容器在陶瓷(ceramic)基材溝部處之破壞數爲低下。此一事 實,乃印證了確可提高電介質體磁器本體與絕緣樹脂兩者 之密著性。 茲就第1、2圖所示之高電壓貫通型電容器的剖面、樹 脂剖面的放大照片,及上述絕緣樹脂之試件的剖面、樹脂 剖面的放大照片,等加以檢討得知,實施例之難燃劑的粒 子(亦含凝集)較諸比較例的粒子還微細,故可判斷電介質 體磁器本體及絕緣樹脂兩者之密著性至爲良好。 由以上之結果,可知增大:絕緣殼暨接地配件與分別 充塡在其內部之絕緣樹脂,兩者間界面中的接著力;及電 容器與充塡在電容器周圍之絕緣樹脂,兩者間界面中的接 著力,可阻止該等兩者間之界面剝離,復可避免特性劣化 及電氣短路。 用於實施例之絕緣樹脂中,其溴化芳香族甘油乙烷基 的分子量爲200〜400。 第4圖爲把與本發明有關之高電壓貫通型電容器當作 濾波器予以組入之磁控管部分剖切剖面圖,1 5爲陰極桿、 -15- 1326096 16爲濾波器箱、17、18爲電感器、19爲和電感器17、18 合用作爲濾波器使用之本發明高電壓貫通型電容器。濾波 器箱16之配置係覆蓋陰極桿15,又,高電壓貫通型電容 器1 9則係穿通貫通設在濾波器箱1 6側面板1 6 1上之貫通 孔,外側絕緣樹脂7係以貫通而伸出於外部之方式設置, 接地配件1有部分係安裝固定於濾波器箱1 6之側面板1 6 1 。電感器17' 18係位在濾波器箱16之內部,而在陰極桿 15之陰極端子與高電壓貫通型電容器19之貫通導體4、5 之間成串聯連接。21爲冷卻鰭片' 22墊片' 23爲RF輸出 端,24則爲磁鐵。 爲了令電子烤箱之磁控管振盪,在高電壓貫通型電容 器19之貫通導體4、5供給以保持商用頻率數或2 0kHz〜 4〇kHz頻率數之4kV〇.p程度之電壓。所供給之高電壓係由 貫通導體4' 5通至電感器17、18而供給磁控管。通過貫 通導體4、5所滋生之雜訊,介由電容器2及電感器17、 1 8之濾波作用即可加以吸收之。 又,因絕緣樹脂7、8係充塡在電容器2之周邊,故即 使在高溫多濕之環境之電子烤箱,亦可確保充分之信賴性 〇 再者,如第1'2圖所說明之高電壓貫通型電容器η ,其所用之絕緣樹脂係使用含有溴系難燃劑之環氧樹脂, 該溴系難燃劑則使用溴化芳香族甘油乙烷基。因此,乃增 大了絕緣樹脂之界面中的接著力而可防止界面剝離,避免 特性劣化及電氣短路,提高了耐濕性能,即使在高溫、多 -16- 1326096 濕之環境中使用電子烤箱,亦可確保其高信賴性。 以上’已就本發明之實施例詳細說明,惟本發明並非 限制僅如所陳,此道行家自可在本發明之技術思想下作各 種之變化及修改,但此均應屬本發明之專利保護範疇。 (五)圖式簡單說明 第1圖爲本發明高電壓貫通型電容,器一例之正面剖面 圖 第2圖爲第1圖所示高電壓貫通型電容器之分解斜視 圖 第3圖爲交流破壞電壓試驗結果之分佈圖。 第4圖爲高電壓貫通型電容器予以組入之磁控管部分 剖切剖面圖》 主要元件符號說明 1 接 地 配 件 2 電 容 器 4、5 貫 通 導 體 6 絕 緣 殼 7 外 側 絕 緣 樹 脂 8 內 側 絕 緣 樹 脂 9 絕 緣 蓋 10' 11 絕 緣 管 -17-

Claims (1)

1326096 十、申請專利範圍: ι_ —種高電壓貫通型電容器,具有至少一個接地配件、至 少一個電容器'至少一個貫通導體'至少一個絕緣管、 至少一個絕緣殼、及絕緣樹脂,其特徵爲: 該接地配件在一面側上具有浮上部; 該浮上部具有自一面側貫通至另一面側之貫通孔及 接續該貫通孔之內部空間; 該電容器含有具有貫通孔之電介質體磁器,而在該 電介質體磁器之該貫通孔作開口的兩面上設有電極,電 極中之一方係固著於該接地配件之該一面上; 該貫通導體係貫通電容器及該接地配件,並導通連 接於該電極中之另一方; 該絕緣管係被覆於該貫通導體; 該絕緣殼係設在該接地配件之一面側,一端則嵌入 於該浮上部之該外周; 該絕緣樹脂係充塡於該絕緣殼之內部及該接地配件 之該內部空間,同時,亦充塡於該電容器之周圍; 該絕緣殼側之絕緣樹脂,係含溴系難燃劑之環氧樹 脂,該溴系難燃劑則爲溴化芳香族甘油乙烷基者。 2. 如申請專利範圍第1項之高電壓貫通型電容器,其中該 絕緣樹脂之溴含量對環氧樹脂全體(亦含充塡劑)爲2〜 6wt%,對溴化芳香族甘油乙烷基係40〜60wt%,該溴化 芳香族甘油乙烷基之分子量則爲200〜400。 3. —種磁控管,爲將高電壓貫通型電容器作爲濾波器予以 -18- 1326096 組入者,其中該高電壓貫通型電容器爲申請專利範圍第 1項所界定之高電壓貫通型電容器者。 4.一種磁控管,爲將高電壓貫通型電容器作爲濾波器予以 組入者,其中該高電壓貫通型電容器爲申請專利範圍第 2項所界定之高電壓貫通型電容器者。
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