TWI325593B - Test equipment and selection device - Google Patents

Description

1325593 23033pif 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明是關於刻試裝置以及選擇裝置。特別是本發明 的測試裝置以及該測試裝置使用的選擇裳置，用於一種被 測試記憶體，該記憶體備有修復用資料攔，可一併進行2 憶體之替換#料.本_請案與下述日本專_請案_ 聯。關於藉由文獻的參照而允許併入的指定國，根據下述 申請案所記載的内容而併入本申請案令，以作為本申請 的一部分。 月、 特願2006 —015627申請日2006年1月24日 【先前技術】 =為非揮發性半導體記憶體，眾所周知的是快閃記憶 =(flash memory)。快閃記憶體廣範用於各種資訊機器 =包括_記憶_-般記髓裝置具有數量魔大的儲 t^rageeell)’因此在該等儲存格中有可能包含不良 。因此，記憶體裝置預先具有冗餘（redundancy) 情二要該冗餘儲存格在測試製程中替換不良儲存格。記 j裝置將不良儲存格替換為冗餘儲存格後，其結果可 良的儲存區域。—般而言，在記憶體裝置的測試製 程中進仃几餘儲存格與不良儲存格 稱為記憶體錢_ (或者驗處&减理被 ^當進行記憶體修復處理時，檢測不良儲存格的位 儲分析並預先規定以何财式將㈣出的不良 替換為冗餘儲存格。該處理被稱作記憶體修復分 1325593 23033pif 析 亚由測試裝置執行。 再者’目前尚未發現先前技術文獻，因此省略關於先 前技術文獻的記載。 測試裝置’例如，將藉由測試而獲得的失效資訊寫入 失效=憶體（FaiI Memory)，其後，自該失效記憶體讀出 失效貧訊並計數錯誤數，藉此進行記紐修復分析。記憶 體修復分析是以上述方式駭效資騎行寫人以及讀取， 因此較為耗時。 又’正在進行記憶體修復分析時，測試裝置無法進行 其他處理’因此記‘隨修復分析成細試細巾的空播時 間（deadtime)。又，近年來，快閃記憶體逐步大容量化， 可預測卿將變得更長，因此業者期韻短記憶體 修復分析的時間。 又’亦考慮有如下方法，即，預先將壓縮前的失效資 訊暫時儲存於失效記‘_巾，其後_軟體對失效資訊進 二壓縮’但對於該方法而言，在讀出失效資訊時較為耗時。 【發明内容】 因此，本發明的目的在於提供可解決上述問題的測試 I置以及選擇裝置。該目的由中請專利範圍獨立項中揭示 的特徵的組合而達成。又’依附項規定本發明的更有利的 具體例。 本發明的第1形態提供一種測試裝置，其對被測試纪 憶體進行測試’上述被測試記憶體為具有：多個區塊，各 自具有多個資料攔；以及修復用資料棚，以可-併替換上 7 23〇33p{f =多個區塊中同-資料欄位置的所有資料欄的設置。上 2裝置包括測試部，以區塊為單位，對被測試記憶體 杯^個區塊進彳了測試，並輸出測試對象區塊的各資料搁的 料二=體：於測試對象區塊所具有的多個資 標；計數^ 塊的該㈣攔的好壞之旗 ° ""對應於多個資料欄中的每一個，儲存在 料欄位置具有不良的區塊的數量;失： 試結果象區塊内的測試對象資料攔的測 示該資料攔為不，下兩種情況的至少1個為條件，將表 ===不:及對應於該資料糊‘ 試對象資料欄的測試^4數部，自測試部接收測 應於該資料攔健、。，並以如下情況為條件，增加對 指上述==計=:區塊數，上嫩是 計數記憶=;=體内;以及選擇部，根據儲存於 復用資料_資料攔。不良&塊數，來選擇應替換為修 多個分多·個，塊+每—個，對相應區塊所具有的 壞。失效寫人部:讀出該分頁的各資料搁的好 試結果的好壞的旗果為條件’將表示該測 資料攔之㈣最初測試對象分頁⑽測試對象 〜果。測試部依序對多健塊中的每一個進 23033pif 輸出測試對象區塊的各資料_好壞，旗如己 叫體可將與測試對象區塊所具有的多] 相對應的旗標，儲存至多個區塊所共用母1 儲存針對多個區塊中的每一個而分別設置的 諸存&域中，儲存與該區塊所具有的多個資 ::對應的旗標。測試部針對多個區塊中的每一個對相： =所多個分頁，依序自分頁序號最小的分頁進i 洌試社要入部以接收如下測試結果為條件，將表示哕 ，舰塊内的分頁序號最小的分頁的二t 位亦:對於不良區塊數較多的資料櫚 二並根據該優先度選擇要被修復用 本發明的第2形態提供一種選職置，其在 中選擇麟換為修制資料_資侧位置 ^ 測試記憶體包括··多個區塊，各自具有多個資料棚.^ = 以可一併替換多個區塊中同-資料棚位置 =所有讀攔的方式設置。上述選擇裝置包括：旗 二====區塊所具有的多個; ^母個⑭存表不該區塊的該資料攔的 * ’计數記憶體’對應於多個資料攔中的每__個 =資料欄的資料攔位置具有不良的區塊的數量；失 二，輸入測試縣區塊_測試對象歸獅測試紐果， 並以滿足如下兩種情況的至少i個為條件，將表示該資料 23033pif 櫚為不良的旗標寫入旗 測試結果為不良憶體，上述兩種情況是指上述 體内的旗標表示不良欄而儲存於旗標記憶 存於計數記憶體條件，增加對應於該資料攔而儲 記憶體内；以及並2應於該資料攔而儲存於旗標 欄的不良區塊雜存於能記憶體的各資料 =，形態提供-種測試裝置，其對作為二 塊的儲存區域及ίΓ 碰包括分割為多個區 -.,p,u.ar 多仃仏復用的修復線。上述測試裝置包 社旲’將測試信號供給至被測試記憶體，並將如下 魏輸出，上舰果是餘制試信號，將 自被”體輸出的讀出資料與期望值（Expectati〇n Γ二ir比較後所得的結果；以及不良區塊計算部，在 ^ = 憶體進行職的同時，並行地生成修復用的分 m貝訊’且上述不良區塊計算部包括：旗標記憶體， 〔、測試部存取至被測試記憶體的位址相對應的位址信 並在職於修復線分割朗試記紐的區塊*獲得的 :己，體區域中’儲存如下旗標資訊，該旗標資訊是累加 由測試部輸rfi的失效資訊而獲得的旗標資訊；以及計數記 隐體^收朗試部存取至蝴試記紐的位址相對應的 位址仏號’並在各被職記倾所具備的彡行修復線中， 1325593 23033pif 果’該結果是計數由賴部輸出的失效資訊的 產生:人數Μ得的結果。 再者， ^ p、+.j上述發明概要並未列舉本發明的所有必要特 r杳二夕個特徵群的次組合亦可絲發明。 【貫施方式】 I、丨 '* π π β，利用發明的實施形態來說明本發明，但下述實 方不限定申請專利範圍中的發明而且實施形態中

所說月的所有特徵的組合在發明的解決手段巾;f-定是必 須的。 圖1表示本實施形態的測試裝置10的構成及被測試記 憶f 100。測試裝置10對快閃記憶體等被測試記憶體1〇〇 ，行^試°被測試記憶體1〇〇包括：多個區塊，各自具有 夕個貝料攔；以及修復用資料欄，以可一併替換多個區塊 中同一資料襴位置的所有資料欄的方式設置。

測試裝置10包括測試部20、不良區塊數計算部30、 及選擇部40。測試部20以區塊為單位，對被測試記憶體 100進行測試’並輸出測試對象區塊的各資料攔的好壞。 作為例’測試部20包括失效記憶體（fail memory) 21、 圖案產生（Pattern generation)部 22、波形產生（waveform generation)部 23、邏輯比較（logical comparison)部 24、 失效壓縮部25、及邏輯和（logical sum)部26 ^失效記憶 體21儲存失效資訊，該失效資訊表示被測試記憶體100 的各儲存格的好壞。取而代之，失效記憶體21亦可儲存將 表示各儲存格好壞的失效資訊壓縮後而獲得的資訊，例如 U25593 23033pif 失(InPUt/()UtPUt)的好壞或者各資料攔的好壞的 ^生。卩22產生應供給至被測試記㈣1GG的測試 案、應根據所供給的測試信號而自被測試記 號的期望值、及被測試記憶體100 =作為測试對象的儲存格在被測試記憶體刚中的位址。 根據測試圖案而產生測試信號，並將顧 k唬供給至被測試記憶體1〇〇。 較部24以位元為單位，對自被測試記憶體· 輸出的輸出信號與期望值進行邏輯比較，判斷與各位元對 應的儲存格是否不良。紐，邏輯比㈣24經由邏輯和部 26 ’將以位元為單位而表示儲存格是否不良的失效資訊寫 入失效記憶體21中的位置，該位置與自圖案產生部^產 生的位址相對應。失效壓縮部25例如藉由進行〇r (邏輯 和）運算㈣失效資訊_成旗標，並作為卿^結果而輸 出，上述失效資訊以位元為單位來表示自邏輯比較部24 輸出的儲存格是否;F良’上賴標表*各資料欄的好壞。 邏輯和部26對自邏輯比較部24輪出的失效資訊、與自失 效纪憶體21上的寫入對象位置讀出的失效資訊進行邏輯 和運算。邏輯和部26在進行多次測試後，若對同一位元位 置檢測出至少1次不良’則可將失效記憶體21上的該位元 位置的值視為不良。 不良區塊數計算部30取得自測試部20輪出的表示被 測試記憶體100各資料欄的好壞的測試結果，並根據該測 12 1325593 23033pif 二。果计算被測試記憶體1〇〇内的乡彳胃ό β ^

::==:=HHS 記憶體31靼;1ΛΛ 及计數部34。旗標 亦即测試的物_象的區塊、 32與被測試記憶體1GG㈣多個¥料:數°己憶體 應，儲存在該資料欄的資料攔位置具有4不搁中^母一個相對 失效寫入部33自測試部20二二的數量。 試對象資料攔的測試結果，並以滿對象區塊内的測 1個為條件，將表示該資料ϋ足如下兩種情況的至少 31，上述兩種情況為··上述測試入旗標記憶體 上述資料棚而儲存於旗標記憶體31内為的不旗良;以及對應於 此，失效寫人部33可將表示測試對 ^不不、。藉 料攔中的每-個好壞的旗標儲存至旗多個資 果：二測試對象資_測試結 計數轉胸存於 記憶體31内。藉此，計數部料欄而儲存於旗標 所有區塊_試结束後，將該被測試 13 1325593 23033pif 資料攔中的每一個所包含的不良區塊數儲存至計數記情體 32 〇 ° 選擇部40根據儲存於計數記憶體32的各資料欄的不 良區塊數，選擇應替換為修復用資料欄的資料欄。又，選 擇部40亦可對於不良區塊數較多的資料欄位置給予更高 的優先度，並根據該優先度選擇要被修復用資料欄所替換 的資料攔。例如，選擇部40可根據儲存於計數記憶體32 的各資料欄的不良區塊數，規定各資料襴的優先度，其後 自所規定的優先度高的資料欄依序進行選擇，來作為應替 換為修復用資料欄的資料欄。然後，選擇部4〇例如將所選 擇的資料攔與修復用資料攔的對應關係寫入所選擇的被測 試記憶體100的規定儲存區域，藉此將所選擇的資料棚 換為修復用資料欄。 如上所述，測試裝置10與失效記憶體21的資訊寫入 相獨立地，求出被測試記憶體1〇〇的各資料欄的不良區塊 數，以選擇應替換為修復用資料攔的資料攔。藉此，測試 裝置10可不自失效記憶體21讀出失效資訊，而在短時間 内高效地選擇應替換為修復用資料攔的資料攔。藉此，測 試裝置10可將壓縮前的失效資訊寫入失效記憶體21，亦 可將失效記憶體21上的失效資訊用於例如製成表示物理 性不良位置的分佈資料。 ΐ 2表示被測試記憶體1〇〇的構成的一例。被測試記 憶體100可為快閃記憶體，該快閃記憶體包括各自具有多 個分頁的多個區塊、多個修復用資料欄、及多個修復用區 1325593 23033pif 塊。多個區塊標著表示各自位置的區塊序號。分頁是資 的寫入及讀出的單位。多個分頁標著表示各自在區塊沾 位置的分頁序號。 Μ 分頁各自具有多個資料攔。分頁内的資料攔數在所有 . 分頁中均相同。各分頁内的多個資料攔標著對各自進行特 別規定的資料攔序號。資料欄序號在所有區塊的所有分頁 中均相同。因此，藉由特別規定資料攔序號，可對所二區 φ 塊的全部分頁特別規定同一位置的資料欄。又，各分頁内 分割為儲存著用戶資料的資料區域、與儲存著管理資料等 的額外區域（extra area)。又，！個分頁内的i個資料攔包 含規定數量位元的儲存格，並使用多個1〇接腳來並行地 進行輸入輸出。 修復用資料攔的目的在於用作儲存區域，以代替包含 不良儲存格的資料攔。修復用資料攔包含與被測試記憶體 100内所有區塊的所有分頁中同一位置的資料欄相對應的 10 ’藉由進行修復處理’可-併替換所有區塊的所有分頁 — 中同一位置的1個資料攔。 修復用區塊的目的在於用作儲存區域，以代替包含不 I儲存格的區塊復用區塊的構成與區塊大致相同，藉 由進行修復處理，可替換任意i個區塊。如此，經修復處 理的被測試記憶體100可用作良好的記憶體裝置。 圖3表不由本實施形態的測試裝置1〇對圖2所示的被 測試記憶體100進行測試的流程。首先，在 測試部20讀出已寫入被測試記憶體1〇〇的資料，將讀出的 15 23033pif 資料與期望值比較，判定各上 ::判定結果作為被測試記而= 失效記憶體21。又，y· 叼夭效貝訊而儲存至 3〇計算各資料攔的不声厂乂驟川中，不良區塊數計算部 3。亦= 算部 各資料欄的不良區塊數。然後 根據 算出的不良_，選擇應替== 料攔修復處理f，^s，H驟H4G柿如τ處理（資 為修__ 擇_攔替換 體100的規定儲存區域，藉此進 _，在f㈣料處理的被職記憶體 料攔序號進行存_，搁2處理對象的資 行寫入、讀出或者刪除。貧·，對修復用資料欄進 塊修=理二資選 1 部40進行如下處理（區 料欄之外的i料攔中搁修復處理而被替換的資 ⑽用4棚巾檢包含不良儲存格的區塊，並以 =2^該’作為1例’選擇部40將與區塊修 t規_存_，藉此進行區塊修復處 ί機的被測試記憶體_，在以後，由用 塊修復處理對象的區塊序號進行存取時’ 代替該&塊’對修復用區塊進行寫人、讀出或者刪除。 1325593 23033pif 丹者 =’进擇。M〇可藉由資料搁修復處理而恢復 ^良儲存格的多個區塊。然後，選擇部4()在進行區塊 修;=區=1料糊修復處理，少應替換為 其次，在步驟S14中，選擇部4 =的狀態下，判斷包含不良儲存格的區== 區塊數量的比率，是否小於等於固定比率（例如， 方法可恢復不良儲存格的比率）。選擇部40在上述

St定Sl4的判斷結果為Ν。)時，其後 一

Yed拉wl 旱（步驟S14的判斷結果為 品。）時、後在步驟S16中，判定被測試記憶體⑽為良 藉由上述步驟S11〜S16的處理，測試穿f 1〇 ==被測試_10。進行二 =塊t復處理，並在反映㈣攔修復處理以及區塊 試裝Ϊ狀·4下，判定被測試記憶體⑽的好壞。而且1 科攔修復處理的資料欄，因此可以縮短測試：應進-資 可在=步=步綠S16中判定為良品時，測試裝置U) 17 23033pif 輅 圖4表示對圖2的具有不良儲存格圖案 進行測試㈣存於旗標記憶㈣的旗 資料32的不良區塊數。圖4中，在橫向上分配有 ，棚序號，在縱向上分配有區塊序號以及分頁序贫 存料攔交又的部分表示有該位置所包含的:良儲 當各區塊的各個資料欄中包含至少i個不 作眘ΐ標記憶體31儲存表示諸攔不良的旗標（圖4 ^摇 二攔不良旗標）。例如，對於圖4所示的例 而言’區塊序號#2的分頁序號#3的= 的次固儲存格為不良，因此旗標記憶體Μ將區塊 3 的貝料攔序號#0的資料攔不良旗標儲存為Τ。初2 的區3記^體32+f轉多個資料欄中的每―個包含不良 t資，不良旗標的總數，儲存為包含不良的=區 f於圖4所不的例中的資料棚序號#0而言H e己憶體32儲存“1”作為不良區塊數。 计數 良區3記儲存被測試記憶體100的各資料襴的不 所錯存部40可以藉由比較該計數記憶體32 40可以利用的大小來計算優先度。藉此，選擇部 櫚的資^ Μ單的處理來選擇應替換為修復用資料 圖5表不圖4所示的被測試記憶體1〇〇所包含的不， 18 1325593 23〇33pif 儲存格圖案的一例，以及對該圖案實施的資料攔修復處理 以及區塊修復處理的一例。圖5所示的例表示如下情形， 即，修復用資料欄的數量為4個，修復用區塊的數量為2 個。 ‘、、、 當對被測試記憶體100進行的讀出測試結束且不良儲 存格的檢測結束後，選擇部40進行資料攔修復處理^ ^料 欄修復處理中，當包含不良儲存格的資料攔的數量，多於 被測試記憶體1〇〇所具有的修復用資料欄的數量時，選擇 部40無法以修復用資料欄替換包含不良儲存格的所有資 料欄。因此，選擇部40根據不良區塊數，針對各資料襴而 。十鼻應替換資料棚的優先度’其後按照該優先度的自$至 低的順序，依序選擇資料攔。 例如，圖5所示的例中，修復用資料攔的數量為4個， 但存在7個包含不良儲存格的資料攔，因此選擇部4〇按照 優先度自高至低的順序’至多選擇數量與所具有的修復‘用' 資料攔數相當的修復用資料欄（本例中為4個），對上述7 個不良的資料欄進行資料欄修復處理。 此處，當在資料欄修復後進行區塊修復時，較理想的 是’選擇部40以使資料欄修復後的不良區塊的數量為最少 之方式，規定優先度。此時，各區塊的資料欄中所存在的 不良儲存格的個數不會對優先度的規定產生影響，在該資 料攔中存在幾個不良區塊會對優先度的規定產生影響。 即，優先度的基準是：利用修復用資料攔來替換上述^料 欄，藉此可恢復幾個不良區塊。因此，選擇部4〇亦可根據 19 1325593 23033pif 計數記憶體32中所儲存的各資料攔的不良區塊數 良區塊數由多至少的順序，規定優先度。 …、 例如’在® 5所示的例中，選擇部4〇按照 由多至少的順序來規定如下優先度，即，f 塊數 資料欄序號…資料欄序號#3'.。再者襴 區塊數相同的資料欄時（圖5的例中，資料棚序田號# 〇不: 1、 7的不良區塊數相同），選擇部40亦可根據其其 來規疋上述資料欄的優歧。例如，選擇部4()亦可二次 料爛序號_序來規定上㈣料_優先度。此時，= 部4〇按照不良區塊數由多至少的順序來規定優先度，盆 次，按照資料欄序號的順序來規定優先度，因此^ ^ 資料欄序號#6—資料欄序號#11—資料攔序號#3^料 攔序號#0—資料欄序號#1—資料欄序號#7—…。 若資料攔修復處理結束，則選擇部4〇繼而進行區塊修 復處理1塊修復處理時，選擇部4G將如下區塊替換成修 復用區塊，上述區塊在除藉由#料欄修復處理而被替換的 ，外的資料欄中，包含不良儲存格。區塊修復處理時， =含不良儲存格的區塊的數量，亦有可能多於被測試記憶 體100所具有的修復用區塊的數量。因此，選擇部40亦可 子如下區塊規疋應替換區塊的優先度，並按照上述優先度 自鬲至低的順序來選擇區塊，上述區塊在除藉由資料攔修 復處理而被替換的資料欄外的資料攔_，包含不良儲存格。 例如，圖5所示的例中，資料攔修復後，在區塊序號 并！、區塊序號#2、以及區塊序號#3令包含著不良儲存 20 1325593 23〇33pif 〇 χ, 。作為一例，選擇部40按照區塊序號的順序來規定優先 度’其結果，對區塊序號#1以及區塊序號#2進行區塊修 復。 然後’選擇部40在區塊修復處理結束後計數不良區 塊’若上述不良區塊的數量相對於所有區塊數的比率小於 等t固定比率’則判斷被測試記憶體100為良品，若超過 口定比率’則判斷被測試記憶體100為不良品。 圖ό表示不良區塊數計算部3〇的構成的一例。本例 個測試部20針對被測試記憶體100的多個區塊中的每一 ^ =相應區塊所具有的多個分頁分別進行測試，並輸出 ，分頁的各資料棚的好壞。此時，測試部2〇亦可在上述 料㈣輸出表示“H(high)邏輯”的測試結果，在 又、^為良品時，輸出表示“L (low)邏輯，，的測試結果。 八百部2G #可輪出測試對象資料欄位置以及測試對象 試對G塊料欄位置表示測試結果中的測 測試結果中的Si内=象分頁伽 一個，並輸出試部20依序測試多個區塊中的每 試部區塊内各資料欄的好壞。亦即，測 束後，對下-區塊進行所有㈣搁進行的測試結 行測試。X，測試部2〇亦'^不對相同區塊重複地進 Enable )，該允寫指令（輸出允寫指令（WE ’ Write 進行寫入讀出測試。 表不正在對被測試記憶體100 21 23〇33pif 旗才示δ己憶體31至少儲在费旦命 科襴數姻_ _i〇〇的資 依序對多個區塊巾, 兀貝枓）。又，測試部20 …對 ^標記.隨31，域針對多倾^mm 料搁===量,r記憶趙_資 f以表現被測試記憶體;。。所;==至f 資料值。藉此，計數記憶體32可以利數的 表現被測，憶體⑽的各資料攔所包含的不良來 令32可根據允寫指 Β失效寫入部33或者計數部34進行寫 “:30可以在測試部20進行動作的 =效寫人部33可將表示測試對象隨 ，攔不良的旗標’寫人旗標記憶體31上由測試 ，置所特別規定的位址。又，失效寫人部33可 標記憶體31上由賴對象資料攔位置所特 址，讀出儲存於旗標記憶體31的旗標。藉此，根= ί: :3可以自測試部2 0接收測試對象區塊内的柯試對i 貝料搁的職結果，並以滿足如下兩種情況的至 22 23〇33pif 條件，將表示該資 述兩種情況為：上的旗標以旗標記憶體3卜上 科攔而儲存於旗卜果為不良；以及對應於上述資 此外，失^憶體31内的旗標表示不良。 將表示該測試結果^可以接收如下測試結果為條件’ 測試結果是指^試對^的旗標寫人旗標記憶體3卜上述 試對象資料攔的測試^^塊^最初測試對象分頁内的測 試對象區塊作2測辦，可將已更新了測 根據上述失效$部=標寫入旗標記憶體3卜因此， 31的儲存_\ β^㈣多個區塊通用旗標記憶體 塊中試部2G自分頁序號最小的分頁，針對多個區 試，並發+ip ’依序對相顧塊所具有的鋒分頁進行測 好壞的旗標寫入旗標====的 結果。藉此，試對象資料攔之測試 — 根據失效寫入部33，在依序對多個區塊中的 測試時，可自測試對象區塊内的最初分頁將旗 標^旗標記憶體31。因此，根據上述失效寫人部33，^ 以對夕個區塊通賴標記憶體31的儲存區域。 ，為-例’*效寫入部33可包括最小序號分頁 6卜AND電路（and circuit，及電路）62、及〇R電路。 circmt ’或電路）63。最小序號分頁檢測部61輸入自測= 23 1325593 23033pif 部2〇輸出的測試對象分頁序號。然後，最小序號分頁檢測 部,在輸入則試斜象區塊内的最小分頁序號（例如， 的分頁時輪出η邏輯，在輸人最小分頁序號以 外的分頁序號時輪出L邏輯。 資 ^ND電路62輪續存㈣標記_ 3〗的㈣試對象 ς位置所特別規定的位址的旗標之邏輯值、及反轉最 t j分頁檢測部61之輪出值 輯值， =2輯值進行AND邏輯運算後所祕的邏輯值。= 標記憶二號邏 =為序= ^輯值為H邏輯。又’當測試對象分頁序號忍 以」以及賴對象Μ序號麟最序號= 旗“死憶體31的邏輯值Α τ 歸存於 的邏輯值為L _為邏神屢電路62所輪出 的剛路41絲測試縣區塊内_試對象分頁 62=象攔㈣】試結果之邏輯值、及自AND雷政 後所獾，邏輯f ’並輸出對該等邏輯值進行⑽邏輯運篡 β的賴值。當職縣_測 者當自伽電㈣__為Η邏為輯Η時邏 :電路63所輸出的邏輯值為Η邏輯。又，當‘= 值的測試結果為L邏輯，且自ΑΝ 的_ =為，輯時，〇R電路63所輸出的邏輯值為=^邏輯 :由：路6,的邏輯值，寫入旗標記憶: '、試對象貝料攔位置所特別規定的位址。 24 23〇33pif 測試、ί 33可❹下㈣為條件，將表示該 化，而===記憶體31後進行初始 接收了測試對象儲存的值無關’上述情況是指 象資料攔的:妙Γ序Γ小的分頁㈣测試對 以滿足如下兩種情二=二始化之後，失效寫入部33 良的旗標寫人旗標記憶體3卜了構表不該資料棚不 ^ CaltrXiO^ ^ 欄的測試結果、及自Ατ^緣檢卿64輸人測試對象資料 該斟金达％ ND電路62所輸出的邏輯值。Α Έ丨 攔的測試結果為H邏輯，且輯值:) 緣檢卿 64_1，= ，_果最:二:::=區邊塊缘^ 出信號為“r，在其他時刻為“G”〜邊緣檢，64的輸 ，出值’並輸出該等值的相加值。2檢測部64 的資料值表示不良區塊數，因此當邊緣檢测== 25 23033pif ^值。相加電路65的輪*值縣鮮良H塊數增加後 試數記憶㈣ 數部％可以如下情m/特職疋的位址。藉此，計 於計數記,_ 增加對應於該資 料欄而儲存 的测試結果為不良，情況為：職對象資科欄 欄而储存於旗標記憶體ί；；不。良的旗標並未對應於該資料 塊中:每代t々形態，旗標記憶體31亦可在針對多個區 具有的 错存與該區二 =33將表示測試對象區塊内的象ΐ:攔= %自旗標=f = = ::塊:置， 體象= 標置所特別規定的位址’讀輪於賴= 即使=:=:=:=，故 測試記憶體1〇❹的各資料欄所包含的不良is 圖7表示由本實施形態的第i變形例的測難置ι〇 戶^試的被測試記憶體100的構成之一例。本變形例 试裝置H)亦可對具備多個修復用資料櫚的被測試記憶體 26 23033pif 100進行測試’上述多個修復用f料欄可被分別替換至ι〇 的各位元位置。藉由實施資料欄修復處理，上述修復 料攔-併替換所有區塊的所有分頁中同—位置的i個資料 欄的10上的規定位元位置之儲存格。 圖8表示對圖7的被職記憶體⑽進行測試的本實 施形態的第i變形例❹m裝置1G之構成'及馳測試記 憶體UK)。本變形例的測試裝置1G採用與圖i所示的相同 符號的部件大致相_構成以及魏’因此以下除不同點 以外，省略說明。 本變形例的職部2G輸出如下失效資訊作為測試結 ^ ’該失效f絲示10的各位元位置上的各資料欄的好 壞。測試裝置10包括與1〇的各位元位置相對應的多個不 良區塊數計算部30 (30-卜扣―m，此處m表示1〇的位 元數）。各不良區塊數計具部3〇取得自測試部如輸出的測 試結果中、所對應的位元位置的測試結果，並計算不良區 塊數。 然後，選擇部40自各不良區塊數計算部3〇 (3〇_ !〜 30 —m)取得不良區塊數，以1〇的位元位置為單位選擇 應替換為修復用資料攔的資賴。上述本變形_測試裝 置10可以10的各位元位置賴存格為單位，來選擇應替 換為修復用資料棚的資料糊。 圖9表示本實施形態的第2變形例的測試裝置1〇的構 成及被測試記憶體1〇〇。本變形例的測試裝置1〇採用與圖 1所示的相同槪_件大致相_構成以及功能，因此 27 丄 jzroyj 23033pif 以下除不同點外’省略說明。 選擇部40對失效記憶體21輸出讀出命令以及位址， 财於失效記 25.藉由進行 出，上述纽作結果而輸 輸出的儲存格是科良，上賴標表j"各fSm2。1 不良區塊數計算部3G根據自失效魏部2 部4。輸出的位址，計算不良區塊t =; 計算部3G可雜據最_雜失效記憶體Μ的 果’計算被測試記憶體⑽⑽多個資料欄中的每 一個所包含的不良區塊數。 ^上使用實施升久態說明了本發明，但本發明的技術 範圍並，限定於上述實施形態中所揭示的範圍。本領域的 技術人員顯然瞭解，可在上述實施形態中附加多種變更或 改良。由申請專利範圍的記載顯然可瞭解，附加了上述變 更或改變的形態亦可包含於本發明的技術範圍。 【圖式簡單說明】 ^ “圖1表示本發明實施形態的測試裝置1〇的構成及被測 試記憶體100。 圖2表示被測試記憶體1〇〇的構成的一例。 _圖3表示由本發明的實施形態的測試裝置1〇對圖2 所示的被測試記憶體1〇〇進行測試的流程。 圖4表示對圖2的具有不良儲存格圖案的被測試記憶 28 1325593 23033pif 體100進行測試拉 於計數記憶體31的旗—存 I 5表不圖4所示的被測試記憶體100所包含的不良 儲子圖案的—例’以及對該圖案實施的資料欄修復處理 及區塊修復處理的一例。 圖6表不本發明實施形態的不良區塊數計算部3 0的構 成的一例》

圖7表示具備以儲存格為單位的修復用資料欄的被測 試記憶體100的一例。 圖8表示本發明實施形態的第i變形例的測試裝置1〇 的構成及被測試記憶體100。 圖9表示本發明實施形態的第2變形例的測試裝置1〇 的構成及被測試記憶體100。 【主要元件符號說明】 10 :測試裝置 20 :測試部

21 :失效記憶體 22 :圖案產生部 23 :波形產生部 24 :邏輯比較部 25 :失效壓縮部 26 :邏輯和部 30 :不良區塊數計算部 31 :旗標記憶體 29 23033pif 23033pif1325593 32 :計數記憶體 33 :失效寫入部 34 ··計數部 40 :選擇部 61 :最小序號分頁檢測部 62 : AND電路 63 : OR電路 64 :邊緣檢測部 65 :相加電路 100 :被測試記憶體 S11〜S16 :步驟

Claims (1)

1. 丄 23033pif 十、申請專利範圍： 祐職裝置，其對被測試記,1%體進行測試，上述 二=括:多個區塊，各自具有多個資料襴;以 欄二r資：:替設:上述多個區塊中同-資料 上述測試裴置包括： 測試部，以區塊為單位，對 試1輸出測試對象區塊的各資料欄的=進订測 存在EE巧====;個’儲 的測試對象資料攔====試對象區塊内 至少丨個為條件，將表示該資料:下兩種情況的 f=體，上述兩種情況是指：= 犧該資料棚而鍵存於上述旗標記憶雜内的上 試結果’收上:::對象資料欄的測 存於上述計數記憶體的區塊數，該資料欄而儲 =的=該::攔的上述二:二述= 31 1325593 23033pif ,儲存於上述計數記憶體的各資料攔的不 如mί替換為上述修復用資料欄的資料攔。 σ月 範圍第1項所述之測試裝置，其中： 上述測試部針對上述多個區塊中的每一個，/對 破所具有的多個分頁分別進行測試，並輸出該分頁的各資 料欄的好壞， 山X刀只谷貧 主-效寫入部以接收如下述之測試結果為條件’將 表—測試結果的好壞的上述旗標寫入上 、 結果是指上述測試對象區塊内的最象 分頁内的測試對象資料欄之測試結果。 3.如申請專利範目第2項所述之賴裝置，其 々ΐΐΓ試部依序對上述多個區塊中的每-個進行測 忒並輸出上述測試對象區塊的各資料搁的好壞，、 多個體將與上述測試對象區塊所具有的上述 多個貝侧中的母-個相對應的上述旗標 ， 個區塊所共用的儲存區域。 袼仔主上述夕 4·如申請專利第2項所述之測試裝置，其中. 上述旗標記憶體在針對上述多個區塊中的每個&八 別設，的，區域中，儲存與該區塊所具有的上述二 料攔中的每一個相對應的上述旗標。 資 5·如申請專利範圍第2項所述之測試裴置，其中： 上述測試部，針對上述多個區塊中的每一個^八 2號最小的分頁依序對相應區塊所具有的多個分頁進;： 32 1325593 23033pif 上述失效寫入部以接收如下測試結果為條件，將表示 該測試結果的㈣的上述旗標寫人上賴標記隐體上述 測試結果是指上賴試對㈣塊_分頁錢最小的分頁 的上述測試對象資料攔之測試結果。 6.如申請專利範圍第1項所述之測試裝置，其中： ▲上述選擇部對於不良區塊數較多㈣料攔位置給予更 並根據該優先度選擇要被上述修復用資料欄 所替換的資料欄。 上、ιΊ種選擇裝置’其在制試記憶體巾選擇應替換為 H用將_資料置，上频測試記憶體包 括·多個區塊，各自具有多個資料攔； 以可―併替換上述多個區塊中 攔 攔的方式設置， 料攔位置的所有資料 上述選擇裝置包括： ’儲存表示該區塊的該 ;有:=資=:rr象的測試對_所 貝料攔的好壞之旗標； 存在莰====;個，儲 的上述心寫入上述旗標記憶 料該資 33 1325593 23033pif 並以 於上述計數 良、且表 輸人上述測試對象資料攔的測試姓果， ==，增加對應於該資料攔而儲存; ==數’上述情況是指該測 標並未對應於該資料搁而儲存於上二 選擇。I5 ’根據儲存於上述計數記憶體的 =^替換為上述修復用資料搁的資= 辦谁…赌1 s、、置’其對作為快閃記憶體的被測試記憶 體進从’錄據輯結果來進行純肖的分析處理， 上遂被測試記憶體包括分割為多娜塊的儲存區域、及多 行修復用的修復線， 上述測試裝置包括： 測試°卩，將測試信號供給至上述被測試記憶體，並將 如I結果作為失效資訊而輸出，上述結果是指根據上述測 試信號’將自上述被測試記憶體輸出的讀出資料與期望值 進行比較後所得的結果；以及 不良區塊計算部’在對上述被測試記憶體進行測試的 同時’並行地生成修復用的分析處理資訊， 上述不良區塊計算部包括： 旗標記憶體’接收與上述測試部存取至上述被測試記 憶體的位址相對應的位址信號，並在對應於上述修復線分 割上述被測試記憶體的上述區塊而獲得的各記憶體區域 中’儲存如下旗標資訊，該旗標資訊是累加由上述測試部 輸出的失效資訊而獲得的旗標資訊；以及 34 1325593 23033pif 計數記憶體，接收與上述測試部存取至上述被測試記 憶體的位址相對應的位址信號，並在各上述被測試記憶體 所具備的多行修復線中，儲存如下結果，該結果是計數由 上述測試部輸出的上述失效資訊的產生次數而獲得的結 果。

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