TWI323480B - - Google Patents

Description

1323480 (1) 玖、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關半導體製造裝置用耐電漿構件，可適合 使用於半導體製造裝置或液晶，電漿顯示器製造裝置用耐 電漿構件’具有含Y ’ Gd，Tb , Dy，Ho或Er氧化物形 成噴鍍皮膜之構件及其製造方法。 【先前技術】 向來使用噴鍍法之半導體製造裝置用耐電漿構件，液 晶，電漿顯示器等製造裝置用構件，靜電吸盤主要爲使用 氧化鋁。近年，確認稀土類化合物之耐鹵電漿耐性，亦開 發出Y 2 0 3噴鍍構件（例如參閱專利文獻1 :日本特開 2001-164354 號公報）。 但是’向來之皮膜，如塗敷（as at噴鍍原樣狀態） 表面粗糕度Ra爲6/_dm以上，Rmax 40//m以上，由於表 面之凹凸大’實際使用時，必要硏磨加工。構件之形狀以 曲面存在之部份多，由於不可能機械硏磨加工，必要以手 作業施以硏磨加工。因此，成本上昇，更有因硏磨加工污 染高純度之皮膜的問題。又，皮膜存在空孔，因硏磨屑混 入，其後之超音波洗淨步驟亦有難於去除之問題。 更又有空孔之存在，例如曝於鹵氣體電漿時，鹵氣體 穿過氣孔侵入至皮膜內部，有促進皮膜惡化之顧慮。 因此，噴鍍皮膜之氣孔有必要定量化，一般限於以 SEM觀察確認氣孔：現狀不能充分定量化。又，4 00MHz〜 (2) (2)1323480 數GHz之微波領域，由物質所持之介電損失而發熱。介 電損失大時發熱亦大，例如於蝕刻製程中鹵電漿吸盤以外 之發熱擔心皮膜惡化。

[專利文獻I J 曰本特開2001-164354號公報 【發明內容】 〔發明所欲解決之課題〕 本發明所欲解決之課題係有鑑於上述問題點，在噴鍍 後亦無需硏磨即可使用，氣孔更少，介電損失小之適合於 半導體製造裝置用或液晶，電漿顯示器製造裝置用耐電漿 構件及其製造方法。 〔課題解決手段及發明之實施型態〕 本發明者’爲達成上述目的經深入進行檢討之結果， 發現錦合金或施以陽極氧化加工鋁合金之基材，以含γ， Gd ’ Tb ’ Dy，H〇或Er氧化物形成噴鍍皮膜之構件，該 皮膜與基材之密合強度爲2〇MPa以上2顯微型威氏硬度 爲45〇kgf/mm2以上’噴鍍狀態之表面粗糙度爲Ra5 μ m 以下，Rmax 35 v m以下，絕緣破壞強度爲25kV/mm以 上’ ]MHz〜]GHz之正切介電質損耗角（tan5 )爲8xlCr3 以下之構件’不用硏磨力工即可得到具有緻密之表面狀 態’適合於半導體製造裝置用或液晶，電漿顯示器製造裝 用耐電漿構件，完成本發明。 -5- (3) (3)1323480 因此’本發明係提供鋁合金或施以陽極氧化加工鋁合 金之基材，以含Y，Gd’ Tb’ Dy’ Ho或Er氧化物形成 噴鍍皮膜之構件，該皮膜與基材之密合強度爲20MPa以 上顯微型威氏硬度爲45〇kgf/mm2以上，噴鍍狀態之表面 粗糖度爲Ra5/zm以下，Rmax35//m以下，絕緣破壞強度 爲25kV/mm以上，1MHz〜1GHz之正切介電質損耗角（ tand )爲8xl(T3以下爲其特徵之耐電漿構件。又，本發 明係鋁合金或施以陽極氧化加工鋁合金之基材，使用含 Υ，Gd ’ Tb，Dy，Ho或Er平均粒徑爲3〜20 μ m，容積密 度爲30〜50%之粉體氧化物，電漿輸出20〜]5〇kW，粉體供 給量10〜30/zm/流程之條件，於大氣壓下噴鍍電漿，形成 與基材之密合強度爲20MPa以上，顯微型威氏硬度爲 45 0kgf/mm2以上’噴鍍狀態之表面粗糙度爲Ra5 # m以 下，Rmax35//m以下’絕緣破壞強度爲25kV/mni以上， 1MHz〜1GHz之正切介電質損耗角（tan^ )爲8χ]0_3以下 之皮膜爲特徵之耐電漿構件製造方法。 以下，更詳細說明本發明。 本發明之耐電漿構件係鋁合金或施以陽極氧化處理形 成陽極氧化皮膜之鋁合金所成之基材，由含 Y，Gd， Tb ’ Dy，Ho或Er所選之1種或2種以上之元素氧化物形 成噴鍍皮膜者。 此時，鋁合金係含鋁90重量％以上，特別是含有95 重量°/〇以上’及Mn’ Cu’ Si，Mg，Cr，Zr等之]種或2 種以上之元素合金化者爲合適。 -6- (10)1323480 褂 麯 1 G Η z 0.0006 0.000 8 0.0009 0.0008 0.0007 0.0005 0.0007 jpST K o o Ο Ο Ο Ο Ο o o o o ο ο ο ο ο ο ο ο ο ο 皆 m /—N B m m H > οο (Ν 卜 (Ν οο (Ν σ> CN m m /—N s m VwX X CO (N 卜 <N ΓνΙ 〇> ο) (Ν <Ν rn (Ν m cti s m Pi E s 漱 (N 寸 ΟΟ ro ΙΟ ν〇 ν〇 »〇 cd P4 窗 铋 ]SU rg 到 E o v〇 〇 Ό 〇〇 m 〇s ν〇 卜 ΟΝ 鍪 m 00 寸 寸 寸 r^t <π 6¾ -s ct cu <N oo (N 〇4 Ό CN νη <Ν m m s N·^ m o r〇 o r>* r-> Ο ΓΝΪ r*i Ο ΓΊ Ο ΓΜ Γ»*» Ο m Ο iM fS >- o J2) Η Ο. Ο X U0 — (N m 寸 Ό — =γ» m m 莩 m 驾 4=? 驾 Μ •g u _j -13- (11) 1323480 〔發明的功效〕 本發明之耐電漿構件，爲不必要表面硏磨加工之緻密 構件，可適合使用於半導體製造裝置或液晶，電漿顯示器 製造裝置用耐電漿構件。又，依本發明之製造方法可確實 的製造相關之耐電漿構件。 -14 -

Claims (1)

1. 1323480 拾、申請專利範圍 第93113237號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 民國98年 1. 一種耐電漿構件之製造方法，爲左 極氧化加工鋁合金之基材上，使用含Y Ho或Er平均粒徑爲3~20 // m，容積密 體氧化物，在電漿輸出爲 2 0〜15 0k W 1 0〜3 0 a m/流程之條件，於大氣壓下噴錢 材之密合強度爲 20MPa以上，顯搜 45 0kgf/mm2以上，噴鍍狀態之表面粗糙 下，Rmax35//m以下，絕緣破壞強度爲 1MHz~1GHz之正切介電質損耗角（tan(5 之皮膜者。 2 .如申請專利範圍第1項之製造方法， 至100〜300°c後，噴鍍電漿。 1 2月25日修正 >鋁合金或施以陽 ’ Gd，Tb，Dy， 度爲30~50%之粉 、粉體供給量爲 【電漿，形成與基 ![型威氏硬度爲 度爲 R a 5 // m以 25kV/mm 以上， )爲8χ10_3以下 其係將基材加熱