TWI320873B - Method of forming a mask layout and layout formed by the same - Google Patents

Description

1320873 九、發明說明： 本申請案要求優先權保護，其根據在2006年4月25 曰申請之韓國專利申請案第10-2006-037346號，其所有內 容皆包含於其中以供參照。 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於製造一半導體裝置，且更特別是一使用 需要電子束曝光（exposure)或者電子束寫入（writing)之切 割製程的遮罩佈局的形成方法，及利用該方法所形成的遮 罩佈局。 【先前技術】 當半導體裝置的整合度增加時，也減少了設計上的限 制。因此，當使用微影術（lithography)來形成一圖案時，由 於解析度限制而造成在該圖案轉移到光罩上的期間當中變 形的可能性增加。已經提出一解析度強化（resolution enhancement)技術，例如光學鄰近修正術（optical proximity correction，OP C)，來克服微影術的解析度限制。 已進行數次嘗試來改變配置在一晶圓上的裝置陣列， 藉以增加該裝置的整合度。例如，一動態隨機存取記億體 (DRAM)裝置的單元佈局可能從一8 F2單元佈局變化至給一 6F2單元佈局或者一 4F2單元佈局。 根據單元佈局的變化，被轉移到一晶圓上的一圖案形 狀係已經變成一斜向圖案（diagonal pattern)。例如，在該 6F2佈局中，用以形成一作用區（active region)的一裝置隔 離層之圖案並不會在與字元線垂直的水平方向上延伸。相 1320873 反地，該圖案係在一非90度的角度（例如，大約27度的角 度）上斜向延伸並與一字元線交叉。 在具有一斜向圖案的佈局上執行OPC製程之後，必須 執行電子束曝光處理來將該佈局轉移到一光罩基板上。由 於該電子束的形狀，則需要一延伸時段來執行該電子束曝 光處理。 第1圖係說明一裝置隔離層的一傳統遮罩佈局。第2 圖係第1圖之部分C的放大圖。第3圖係說明第1圖之遮 罩佈局的切割結果。 第1圖中所示之該單元佈局係一 6F2單元之一裝置隔 離層的佈局，其中矩形形狀或者多邊形形狀的斜向圖案10 係以大約27度的角度來進行配置。該斜向圖案1〇係用以 定義出作用區13和裝置隔離層14的一佈局。以角度値（呈 現多邊形的頂點1 5的位置）來呈現該斜向圖案1 〇的佈局， 其可被電腦輔助設計（CAD)系統或者一電子束曝光系統所 讀取。 在該6F2單元佈局當中，該斜向圖案1〇係在從水平方 向（X)算起大約27度（A)的角度上延伸，該水平方向（X)爲 字元線方向。垂直方向（Y)則是與該水平方向（X)垂直的一 位元線方向。斜向圖案10係反覆地在斜向方向（A)上配置》 在一個隨後的製程當中’將會利用該佈局來執行切割。然 後透過電子束曝光來將該佈局轉移到一光罩上。 在第1圖所示之6F2單元佈局係以該〇pc製程所獲得 的一修正佈局。藉由該OPC製程，該6F2單元佈局係包括 1320873 具有襯線（serif)多邊形形狀的一修正圖案16。該修正圖案 1 6係與該斜向圖案1 〇合倂。 以該OPC製程所獲得的該修正圖案16係具有一形 狀，其中具有一預定尺寸的一區段係移動於與該斜向圖案 10之側緣11垂直的方向（B)上。該方向（B)可以是與一斜向 圖案10的邊緣側緣12之延伸方向相同的方向。如第2圖 所示，藉由合倂該修正圖案16與該斜向圖案1〇而進一步 獲得頂點1 7 »該修正圖案1 6係包括表示該頂點1 7的角度 値。 當具備第1圖之上述製造結果的佈局被轉移到一光罩 上時，則執行一電子束曝光製程。使用特定光束形狀（例 如，可變的光束形狀）的向量掃描型電子束曝光系統係只發 出具有一受限制之形狀（例如，矩形或者梯形）的光束。該 電子束曝光系統可辨識出呈現該矩形或者該梯形之0、90 及4 5度的角度値。 第1圖的佈局資料係轉換成可被該電子束曝光系統辨 識的資料形式。執行一切割製程來將該佈局轉換成與該被 發出之電子束的尺寸有關的曝光要素。第3圖係說明第1 圖之佈局的切割結果。 參考第3圖，在該切割製程期間，可能在已分離之多 邊形切割區域21之間不當地產生小尺寸區域的碎片23和 25。因爲呈現該斜向圖案1〇以及該修正圖案16的頂點15 和17係以27度的角度値來呈現，所以產生碎片23和25。 該電子束曝光系統所能辨識的角度値卻只有0、45及90度。 1320873 —般而言，該切割方向係該水平方向（χ)。 頂點15和17係構成以該切割方向爲準之一預 度，例如2 7度。在該切割製程期間因爲頂點1 生多數碎片23。 該碎片23並無使用者所訂定之相對較大 區域尺寸》—般而言，自動將該碎片23調整到 光系統中所允許之最小尺寸。該碎片23的大小 在一小型曝光系統中可允許的最小尺寸（例如 切割區域的最小尺寸係被設在lOOnm的臨界尺 因爲不當地使該主要切割區域21分離，因 分離的切割區域21之間產生碎片25。當在該 執行該切割製程時，執行該製程來放大（例如， 佈局（第1圖）的CAD資料。在光微影技術製程 在1 : 4的縮減光微影技術期間），則需要—個 4倍）第1圖之佈局資料的製程在該光罩上執行 光’其中該佈局資料係使用該CAD而在一晶圓 計規則所製造。 由於該修正圖案16(第2圖）與該斜向圖案 生的該頂點1 7，可能會在該斜向圖案1 〇的側3 生不良的頂點。這些頂點可能會形成當該斜向β 大至一直線時所產生的一凹陷形狀。已放大的 能包括來自額外產生之頂點的資料。由於這些 資料’可能會如第3圖所示，在該切割製程期 片25。 不過’每個 定尺寸的角 5和1 7而產 尺寸的切割 在電子束曝 係被調整到 ，5 0 n m)。該 寸。 此可能在被 修正佈局上 4倍）該修正 期間（例如， 放大（例如， 該電子束曝 上根據該設 1 〇合倂時產 I 11額外產 B案1 〇被放 佈局資料可 額外的頂點 間產生該碎 1320873 該碎片23和25可以是尺寸遠小於該主要切割區域21 的多邊形區域。特別是，該多邊形區域係具有在該電子束 曝光系統中可允許的最小尺寸。該碎片23和25的產生則 是在一實際曝光製程中使電子束曝光射域（shot)之數量大 量增加的一個主要因素。該電子束曝光射域數量增加會使 電子束曝光所需時間增加的一個主要因子（例如，至少乘上 4)。可能因爲該抗蝕層上執行該電子束曝光，引起該抗蝕 層的劣化而造成光罩圖案缺陷（例如，嚴重的尺寸缺陷）。 【發明內容】 本發明係提供一種用於電子束曝光之遮罩佈局的形成 方法，能夠在執行切割製程時減少碎片的產生，並轉移具 有一斜向圖案的佈局到一光罩上。 根據本發明的一個型態，一種形成遮罩佈局的方法係 包括：提供一初始佈局’其中一第一多邊形的斜向圖案係 被反覆地配置在相對於垂直軸方向的斜向方向上。修正該 第一多邊形之斜向圖案之相對的邊緣側緣，因此在該水平 方向上延伸的第二多邊形係堆疊在該第一多邊形之斜向圖 案之相對的邊緣側緣，藉以形成一階梯形狀的佈局。在該 水平軸方向上切割該多邊形，藉以提供具有該修正佈局的 資料給一電子束曝光系統。 根據本發明的另一個型態，提供一種形成遮罩佈局的 方法。一初始佈局具備一第一多邊形的斜向圖案。該第— 多邊形係被反覆地配置在相對於垂直軸方向的斜向方向 上。執行0PC製程，藉以將襯線形狀之修正圖案導入斜向 1320873 圖案’而成爲第二多邊形形狀。該第二多邊形在水平軸方 向上延伸’因此該多邊形在該斜向方向上與該斜向圖案的 側緣交叉。在該水平軸方向上切割該等多邊形，藉以提供 具有該修正佈局的資料給一電子束曝光系統。 根據本發明的另一個型態，提供一種形成遮罩佈局的 方法。一初始佈局具備一第一多邊形的斜向圖案。該第一 多邊形係被反覆地配置在斜向方向上，與垂直軸方向形成 —預定角度。執行光學鄰近修正術（0 PC)製程，藉以提供襯 線形狀之修正圖案至斜向圖案，而成爲第二多邊形形狀。 該第二多邊形係在水平軸方向上延伸，因此該多邊形在該 斜向方向上與該斜向圖案的側緣交叉。修正該第一多邊形 之斜向圖案之相對的邊緣側緣，因此在該水平方向上延伸 的第三多邊形堆疊在該第一多邊形之斜向圖案的該等相對 的邊緣側緣，藉以形成一階梯形狀的佈局。在該水平軸方 向上切割該等多邊形，藉以提供具有該修正佈局的資料給 —電子束曝光系統。 根據本發明的再一個型態，提供一種以上述方法形成 的遮罩佈局β該遮罩佈局包括：一第一多邊形的斜向圖 案，其被反覆地配置在相對於垂直軸方向的斜向方向上。 一襯線形狀之光學鄰近修正圖案，其在水平軸方向上延 伸，並重疊在該斜向圖案的側緣，而成爲第二多邊形形狀， 因此該多邊形在該斜向方向上與該斜向圖案的側緣交叉。 第三多邊形在該水平軸方向上延伸，該第三多邊形係堆疊 在該第一多邊形之斜向圖案之相對的邊緣側緣’藉以形成 -10- 1320873 一階梯形狀的佈局。 更佳爲，該第一多邊形的斜向圖案係被作爲— 用以定義出一記憶體裝置的作用區和裝置隔離層。 更佳爲’遵循6F2單元佈局或者4F2單元佈局 一來配置該第一多邊形的斜向圖案，且該記憶體裝 動態隨機存取記憶體裝置。 更佳爲，該第一多邊形的斜向圖案係配置在距 直軸方向爲實質上27度的角度上。 更佳爲，該第一多邊形的斜向圖案係作爲一矩 梯形佈局其中之一。 更佳爲’將該第一多邊形的邊緣側緣修正成階 之佈局的該第二多邊形係作爲一矩形或者梯形佈局 一’且是以距離垂直軸方向或者水平軸方向其中之_ 45或90度的角度値來呈現。 更佳爲’將該第一多邊形的邊緣側緣修正成階 之佈局的該第二多邊形的垂直軸臨界尺寸係被設爲 多邊形的該垂直軸臨界尺寸大於在電子束曝光系統 許之最小曝光要素的尺寸。 更佳爲，提供用於OPC的襯線形狀之第三多邊 正圖案至該第一多邊形的斜向圖案。該第三多邊形 平軸方向上延伸，因此該多邊形在該斜向方向上與 圖案的側緣交叉。 更佳爲，將該第三多邊形的修正圖案重疊在該 案上。以用於該切割的縮減曝光率之倒數來放大 佈局， 其中之 置是一 離該垂 形或者 梯形狀 其中之 -爲0、 梯形狀 該第二 中可允 形的修 係在水 該斜向 斜向圖 佈局資 -11- 1320873 料’其中該第三多邊形的修正圖案係重疊在該斜向圖案上。 更佳爲’該電子束曝光系統係一向量掃描型電子束曝 光系統’其具備一矩形或者梯形其中之一的電子束形狀， 且是以距離垂直軸方向或者水平軸方向其中之一爲〇、45 或90度的角度値來呈現。 【實施方式】 本發明係藉由改變一6F2單元佈局或者一 4F2單元佈 局的設計來減少在電子束曝光之切割製程中產生的碎片。 使一作用區和一裝置隔離層的斜向圖案之佈局產生變化， 藉以設定該作用區。當進行光學鄰近修正術（0 PC)時，可使 該佈局產生這種變化。 例如，當該OPC修正圖案係呈現一種襯線多邊形形狀 時，該修正圖案則不是被設計爲與該斜向圖案的側緣垂 直。反而是該圖案被修正爲形成在水平軸方向（與該切割方 向相同）上延伸的一多邊形。因此，能夠排除或者降低因爲 頂點而產生的碎片，且該等頂點係因爲加上該修正圖案而 產生的。 當增加該修正圖案時，不執行一設定製程’因此該修 正圖案與斜向圖案合倂。然而，使用一電腦輔助設計（CAD) 工具來處理資料’因此僅重疊該修正圖案。所以當放大— 佈局的CAD資料時，可防止在該斜向圖案的佈局裡產生不 佳且不必要的頂點。該佈局可包括根據該圖案之設計規則 所設計的斜向圖案’藉以根據一縮減曝光比率之倒1數而實 現在一晶圓上（例如，在一 4 : 1縮減曝光期間時放大4 -12- 1320873 倍）。因此可防止因爲不當地產生的頂點而造成碎片。 在該OPC期間，藉由堆疊在該水平方向上延伸之小型 多邊形，而將該斜向圖案的邊緣側緣變成階梯（stair)形 狀。因此’可防止在與該斜向圖案之邊緣側緣相連的頂點 產生碎片。 可設定該階梯形狀的小型多邊形的臨界尺寸（例如，與 該切割方向垂直的臨界尺寸）’因此該臨界尺寸具有比在電 子束曝光系統內可允許之最小曝光要素或者最小切割尺寸 還要大的尺寸。例如，在一向量掃描型電子束曝光系統中， 當執行切割時，限制電子束的形狀。因此，該多邊形的切 割區域可被分成實質上等於多個多邊形的區域。 最好是顧及光學鄰近效應（ΟΡΕ)而設定該多邊形的尺 寸，因此該階梯形狀未被轉移到該晶圓上。較佳爲，當一 圖像被轉移到晶圓上時’由於引起的ΟΡΕ，造成該階梯形 狀形成一條直線。 在該切割製程期間’減少了碎片’因此電子束曝光射 域數量也被降低。在該切割製程之後’實際電子束曝光所 需之佈局資料量被大大降低。該電子束曝光所需的時間被 減少。因此可防止該圖案之臨界尺寸的波動’該波動係由 於該電子束曝光時間的增加所造成之抗蝕層的變形而產生 的。因此，可改進在該光罩上形成之抗蝕圖案的臨界尺寸 的一致性，因此該圖案形成在晶圓上。 首先參考第4圖和第7圖’藉由設計斜向圖案100之 原始佈局來執行本發明之遮罩佈局的形成方法並且實現於 -13- 1320873 —晶圓上，如第4圖所示（第7圖的701)» 該斜向圖案1〇〇呈現一矩形或者梯形之第一多邊形的 形狀。特別是，該斜向圖案1 00係作爲一佈局，用以定義 出作用區101和一裝置隔離層103。該斜向圖案100的佈 局被辨識爲具有表示該多邊形之頂點位置的角度値的資 料。該資料被儲存成可被一CAD系統或者一電子束曝光系 統所讀取的檔案（例如，圖像資料系統形式檔案）。 在該原始佈局中，最好能遵循一 6F2單元佈局來繪製 該斜向圖案1〇〇。在該6F2單元佈局中，該斜向圖案100 係在距離該水平方向（X)(字元線方向）或者該垂直方向 (Y)(與該水平方向（X)垂直的位元線方向）兩者之一呈大約 27度（Α)的角度上延伸。該斜向圖案100的邊緣側緣105 係在與該斜向方向（Α)垂直的方向（Β)上延伸。 可設定該斜向圖案1〇〇,因此遵循一4F2單元佈局來配 置該斜向圖案1〇〇。在該4F2單元佈局中，該斜向圖案1〇〇 係可被設定爲在一斜向方向上延伸的第一多邊形，該斜向 方向不易以該向量掃描型電子束曝光系統所能辨識的角度 値（例如，〇，45，或者90度的角度値）來表達。 參考第5圖和第7圖，在該斜向圖案100的佈局上進 行一 OPC製程。在該OPC處理期間，進行該佈局的修正或 者修改，藉以防止在切割製程期間產生碎片。然後，提供 與該斜向圖案1〇〇相關的佈局資料至該電子束曝光系統。 可以在例如該水平方向（X)上進行該切割製程。不過， 該斜向圖案100係形成爲在該斜向方向（Α)上延伸的第一多 -14- 1320873 邊形的形狀。因此會產生碎片，而該碎片所佔之區域尺寸 係小於不佳的切割區域。由於該切割製程，爲了防止碎片 的產生，而修正該斜向圖案100的佈局。 由於該光學鄰近效應（ΟΡΕ)，所以在該斜向圖案100上 進行該OPC製程。特別是在該斜向圖案1〇〇上增加一襯線 形狀的0PC修正圖案200(第7圖中703)。在該斜向圖案 1〇〇上重疊該修正圖案200，藉以準備CAD資料，這與將 該修正圖案200合倂至該斜向圖案1 〇〇的習知技術有所不 同。 一般而言’在一半導體記憶體裝置的量產期間，在一 光微影技術製程內使用縮減曝光。根據在該晶圓上實現之 一裝置圖案的設計規則，來設計包括該斜向圖案100的原 始佈局。 對於在該光罩上實現的該圖案，使用該CAD藉由該縮 減曝光之減少率的倒數來放大該原始佈局資料（例如，當該 縮減曝光是4: 1時’則放大4倍）。該放大的資料係轉變 成爲該光罩的佈局資料。在該放大製程期間，由於在該斜 向圖案1〇(參照第1圖）與該修正圖案16(參照第1圖）之間 進行合倂而產生的新頂點1 7 (參照第2圖），所以會在該斜 向圖案1〇(參照第1圖）的側緣Η (參照第1圖）產生不當的 新頂點。 在該切割製程中’可能會因爲該等新頂點而產生碎 片。爲了防止該碎片的產生，則執行該切割製程，因此， 當使用該CAD來放大該原始佈局時，該斜向圖案ι〇〇與該 -15- 1320873 修正圖案200係做爲獨立資料來進行處理。在該斜向圖案 100上重疊該修正圖案200’因此該修正圖案200可被保持 作爲獨立資料，且不需合倂該修正圖案200與該斜向圖案 100 〇 以該修正圖案200所形成之第二多邊形係在該水平方 向（X)上延伸的一小型多邊形，因此該多邊形在斜向方向上 與該斜向圖案100的側緣交叉。這是因爲該切割方向被認 爲是該切割區域之縱長方向。因爲該切割方向是該水平方 向（X)，所以該襯線形狀的修正圖案200係形成爲在水平方 向（X)上延伸之該第二多邊形形狀。 該第二多邊形的修正圖案200係與該切割方向一致， 以防止因爲表示該第二多邊形200之頂點201而產生的額 外碎片。以該頂點201之角度値所表示之該第二多邊形形 狀在電子束曝光時是與該曝光束的形狀相同的角度値（例 如，0、45或者90度）。 往回參考第5圖和第7圖，在該OPC處理期間，修正 該第一多邊形之斜向圖案100之相對的邊緣側緣105 (參照 第4圖），因此使在該水平方向上延伸的多邊形300堆疊形 成一階梯形狀的佈局（第7圖的705)。 該斜向圖案1〇〇的邊緣側緣105係在與該斜向方向（A) 垂直的方向（B)上延伸。當在該邊緣側緣105上進行切割製 程時，如第3圖所示，在鄰近的頂點會產生該碎片23。爲 了防止該碎片23的產生，在一堆疊架構中加入該第三多邊 形300，如第5圖所示，藉以在該OPC期間將該邊緣側緣 -16- 1320873 105修正爲該階梯形狀。 儘可能將該第三多邊形300之尺寸調整到比在該電子 束曝光系統可允許之最小曝光要素的尺寸還要大。例如， 該第三多邊形3 00設爲大於50nm的尺寸；特別是該第三多 邊形300設爲大約lOOnm的尺寸。因此，在該垂直軸方向 (Y)上的臨界尺寸係比該最小要素在切割製程期間的切割 區域還要大。該等第三多邊形3 00係多個在水平方向（該切 割方向）（X)上延伸的多邊形。該第三多邊形3 00係可調整 到在該電子束曝光系統內可辨識之角度値（例如，0、45或 者90度的角度値）所呈現的形狀。在切割第三多邊形300 時，不會因爲頂點而產生碎片。因此，更佳爲地將該等第 三多邊形3 00切割成多個相等的區域。 參考第6圖和第7圖，該等多邊形係在水平方向（X) 上被切割成小型切割區域，藉以將與該修正斜向圖案1 〇〇 有關的佈局資料提供至該電子束曝光系統。在該〇 PC處理 期間，由於一隨後的切割製程•該電子束曝光系統用一電 子束來掃描該光罩，藉以使該光罩曝光（第7圖中的707)。 由於該切割製程，如第6圖所示，可防止在該斜向圖 案100的主要多邊形部分601產生碎片。也藉由該第三多 邊形300來防止在該斜向圖案100的側緣部分603產生碎 片（參照第5圖），且實質上形成階梯形狀。該切割製程的 結果證明：可將該切割區域的最小臨界尺寸設定成比產生 碎片23和25 (如第3圖所示）的尺寸還要寬。 在習知技術中，例如，在該電子束曝光系統中執行該 -17- 1320873 切割製程，雖然該切割區域的最小尺寸被設定到大於該最 小曝光要素（例如，100nm)，但由於該碎片23和25的產生， 所以未能以設定的臨界尺寸來進行該切割製程（參照第3 圖）。卻以小於該設定臨界尺寸的大小來執行該切割製程 (例如，50nm)。因此，大幅增加了電子束曝光射域的總數。 例如，當以5 Onm的最小切割區域尺寸來執行該切割製 程時，射域的數量是大約197,000,000»在此情況下，該電 子束曝光所需的時間是大約6 5個小時。不過，根據本發明 就能防止產生該碎片。因此，該最小切割區域之尺寸可被 增加到大約1 OOnm。因此，該電子束曝光射域的總數被降 低到大約93,000,000。因此，該電子束曝光所需的時間被 降低到大約3 0個小時。 可降低該電子束曝光時間（或者電子束寫入時間），因 此可改善產能。另外，該曝光時間被降低。能有效地防止 抗蝕層之劣化的變形，因此改善了該圖案之臨界尺寸的一 致性。 雖然本發明實施例係描述了有關使用6F2單元佈局的 DRAM裝置，本發明可被用於在一4F2單元佈局、一快閃 裝置、一特殊用途積體電路（ASIC)裝置或諸如此類上形成 一斜向圖案。 從上述中可明顯看出，當該斜向圖案的佈局資料被切 割成一電子束曝光系統所需之一資料形式時，在一 OPC製 程期間透過該佈局的修正或者修改來防止產生碎片。本發 明可防止在該切割製程之後，該佈局資料突然地增加，因 -18- 1320873 而降低該資料量。 另外，可降低曝光射域的數量，且因此有效地降低電 子束曝光或者電子束寫入所需的時間。換句話說，可增加 該切割區域的尺寸或者解析度。因此，能夠有效地防止因 過度曝光所造成之該抗蝕層劣化的變形引起的該圖案變 形。因此能保證該圖案之臨界尺寸的一致性和精確度。 雖然已揭露本發明的較佳實施例來進行說明，但熟習 該項技藝者只要不違反附加之申請專利範圍所揭露之發明 的範圍和精神，將可進行各種各樣的修改、增加和替換。 【圖式簡單說明】 第1圖係說明一裝置隔離層的一傳統遮罩佈局； 第2圖係說明傳統遮罩佈局的第1圖之部分C的放大 圖； 第3圖係說明第1圖之遮罩佈局的切割結果； 第4圖係說明本發明之較佳實施例的原始遮罩佈局； 第5圖係說明藉由修正第4圖之原始遮罩佈局所獲得 的一修正佈局； 第6圖係說明切割第4圖之該修正遮罩佈局的結果： 第7圖係說明本發明之較佳實施例的遮罩佈局之形成 方法的流程圖。 【主要要素符號說明】 10 斜向圖案 11 側緣 12 邊緣側緣 -19- 1320873

13 14 15 16 17 2 1 23 2 5 1 00 10 1 1 03 1 05 200 20 1 300 60 1 603 作用區 裝置隔離層 頂點 修正圖案 頂點 切割區域 碎片 碎片 斜向圖案 作用區 裝置隔離層 邊緣側緣 修正圖案 頂點 第三多邊形 主要多邊形部分 側緣部分 -20

Claims (1)

1320873 十、申請專利範圍： l —種形成遮罩佈局的方法，該方法包括： 提供一初始佈局，其中一第一多邊形的斜向圖案係 被反覆地配置在相對於垂直軸方向的斜向方向上； 修正該第一多邊形之斜向圖案之相對的邊緣側緣， 因此在該水平方向上延伸的第二多邊形係堆疊在該第一 多邊形之斜向圖案之相對的邊緣側緣，藉以形成一階梯 形狀的佈局：以及 在該水平軸方向上切割該多邊形，藉以提供具有該 修正佈局的資料給一電子束曝光系統。 2·如申請專利範圍第丨項之方法，其中，該第一多邊形的 斜向圖案係被作爲一佈局，用以定義出一記億體裝置的 作用區和隔離區。 3. 如申請專利範圍第2項之方法，其中，遵循6F2單元佈 局或者4F2單元佈局其中之一來配置該第一多邊形的斜 向圖案，其中該記憶體裝置是一動態隨機存取記憶體裝 置。 4. 如申請專利範圍第1項之方法，其中，該第一多邊形的 斜向圖案係配置在距離該垂直軸方向爲實質上27度的角 度上。 5. 如申請專利範圍第1項之方法，其中，該第一多邊形的 斜向圖案係作爲一矩形或者梯形佈局其中之一》 6. 如申請專利範圍第1項之方法，其中，該第二多邊形係 作爲一矩形或者梯形佈局其中之一，且是以距離垂直軸 1320873 方向或者水平軸方向其中之一爲0、45或90度 來呈現。 7. 如申請專利範圍第1項之方法，其中，該第二 垂直軸臨界尺寸係被設爲該第二多邊形的該垂 尺寸大於在電子束曝光系統中可允許之最小曝 尺寸。 8. 如申請專利範圍第1項之方法，其中，更包括 光學鄰近修正術的襯線形狀之第三多邊形的修 在水平軸方向上延伸之多邊形形狀的該第一多 向圖案，因此該多邊形在該斜向方向上與該斜 側緣交叉。 9. 如申請專利範圍第8項之方法，其中，更包括 將該第三多邊形的修正圖案重疊在該斜向 以及 以用於該切割的縮減曝光率之倒數來放大 相關的資料’其中該第三多邊形的修正圖案係 斜向圖案上。 10. 如申請專利範圍第1項之方法，其中，該電子束 係一向量掃描型電子束曝光系統，其具備一矩形 其中之一的電子束形狀，且是以距離垂直軸方向 軸方向其中之一爲0、45或90度的角度値來呈 11. —種形成遮罩佈局的方法，該方法包括： 提供一初始佈局，其中一第一多邊形的斜向 反覆地配置在相對於垂直軸方向的斜向方向上； 的角度値 多邊形的 直軸臨界 光要素的 提供用於 正圖案至 邊形的斜 向圖案的 圖案上； 與該佈局 重疊在該 曝光系統 或者梯形 或者水平 現。 圖案係被 -22- 1320873 執行光學鄰近修正術，藉以將襯線形狀之修正 入至該斜向圖案，而成爲在水平軸方向上延伸之第 形，因此該多邊形在該斜向方向上與該斜向圖案的 叉；以及 在該水平軸方向上切割該等多邊形，藉以提供 修正佈局的資料給一電子束曝光系統。 12. 如申請專利範圍第n項之方法，其中，該第一多 斜向圖案係遵循6F2單元佈局或者4F2單元佈局其 而定義出一作用區和一隔離區。 13. 如申請專利範圍第11項之方法，其中，該第一多 斜向圖案係配置在距離垂直軸方向爲實質上27度 上。 14. 如申請專利範圍第Π項之方法，其中，該執行步 修正該第一多邊形之斜向圖案之相對的邊緣側緣， 該水平方向上延伸的該第三多邊形係堆疊在該第 形之斜向圖案之相對的邊緣側緣，藉以形成一階梯 佈局。 15. 如申請專利範圍第14項之方法，其中，該第三多 垂直軸臨界尺寸係被設爲大於在該電子束曝光系 允許之最小曝光要素的尺寸。 16_如申請專利範圍第η項之方法，其中，該執行步驟 將該第二多邊形的修正圖案重疊在該斜向圖寨 及 以用於該切割的縮減曝光率之倒數來放大該 圖案導 二多邊 側緣交 具有該 邊形的 中之一 邊形的 的角度 驟包括 因此在 一多邊 形狀的 邊形的 統中可 包括： :上；以 佈局的 -23- 1320873 資料’其中該第二多邊形的修正圖案係重疊在該斜向圖案 上。 17. —種形成遮罩佈局的方法，該方法包括： 提供一初始佈局，其中一第一多邊形的斜向圖案係被 反覆地配置在相對於垂直軸方向的斜向方向上： 執行光學鄰近修正術，藉以提供襯線形狀之修正圖案 至斜向圖案，而成爲在水平軸方向上延伸之第二多邊形， 因此該多邊形在該斜向方向上與該斜向圖案的側緣交叉； 修正該第一多邊形之斜向圖案之相對的邊緣側緣，因 此在該水平方向上延伸的第三多邊形堆疊在該第一多邊 形之斜向圖案之相對的邊緣側緣，藉以形成一階梯形狀的 佈局：以及 在該水平軸方向上切割該等多邊形，藉以提供具有該 修正佈局的資料給一電子束曝光系統。 18. 如申請專利範圍第17項之方法，其中，該執行步驟包括： 將該第二多邊形的修正圖案重疊在該斜向圖案上；以 及 以用於該切割的縮減曝光率之倒數來放大該佈局的 資料，其中該第二多邊形的修正圖案係重疊在該斜向圖案 上。 19. —種遮罩佈局，包括： 一第一多邊形的斜向圖案，其被反覆地配置在相對於 垂直軸方向的斜向方向上； —襯線形狀之光學鄰近修正圖案，其重疊在該斜向圖 -24 - 1320873 案的側緣，而成爲在水平軸方向上延伸的第二多邊形形 狀，因此該多邊形在該斜向方向上與該斜向圖案的側緣交 叉；以及 該第三多邊形在該水平軸方向上延伸，該第三多邊形 係堆曼在該第一多邊形之斜向圖案之相對的邊緣側緣，藉 以形成一階梯形狀的佈局。 2〇·如申請專利範圍第19項之遮罩佈局，該第一多邊形的斜 向圖案係遵循6F2單元佈局或者* F2單元佈局其中之一而 定義出一作用區和一隔離區。 -25-