TWI314649B - Vertical probe and methods of fabricating and bonding the same - Google Patents

Vertical probe and methods of fabricating and bonding the same Download PDF

Info

Publication number
TWI314649B
TWI314649B TW095127083A TW95127083A TWI314649B TW I314649 B TWI314649 B TW I314649B TW 095127083 A TW095127083 A TW 095127083A TW 95127083 A TW95127083 A TW 95127083A TW I314649 B TWI314649 B TW I314649B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
probe
bump
probes
substrate
contact
Prior art date
Application number
TW095127083A
Other languages
English (en)
Other versions
TW200706884A (en
Inventor
Oug-Ki Lee
Original Assignee
Phicom Corp
Oug-Ki Lee
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Phicom Corp, Oug-Ki Lee filed Critical Phicom Corp
Publication of TW200706884A publication Critical patent/TW200706884A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI314649B publication Critical patent/TWI314649B/zh

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02General constructional details
    • G01R1/06Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067Measuring probes
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02General constructional details
    • G01R1/06Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067Measuring probes
    • G01R1/06711Probe needles; Cantilever beams; "Bump" contacts; Replaceable probe pins
    • G01R1/06733Geometry aspects
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R1/00Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
    • G01R1/02General constructional details
    • G01R1/06Measuring leads; Measuring probes
    • G01R1/067Measuring probes
    • G01R1/06711Probe needles; Cantilever beams; "Bump" contacts; Replaceable probe pins
    • G01R1/06733Geometry aspects
    • G01R1/06744Microprobes, i.e. having dimensions as IC details
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R3/00Apparatus or processes specially adapted for the manufacture or maintenance of measuring instruments, e.g. of probe tips

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Measuring Leads Or Probes (AREA)

Description

1314649 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本私月係關於電子元件測試系統的探針,明確地說, =㈣於藉由接觸微小電子元件之觸點以測試電氣特 欲的心針,而且本發明係關於製造及接合該探針的方法。 【先前技術】 〜、機械式工具,用於量測微小電子元件(舉例來 :兄:+導體兀件)的電氣特性。如本技術領域所熟知者,— 械導7L件係具有複數個觸點,肖以和—外部電子系統交 、信號。料導體元件係對經由該等觸點被輸入的電氣传 就進行某項作業處理,並且經由該等觸點將處理之後的 果傳輸至-外m於此期間,該等探針係被排列在一 ί針卡的—印刷電路板之上,實際接觸該等觸,點,以便讓 匕們與外部的元件或系絲形士、田认、任—& 』凡仟次糸統形成用於進行信號傳送的電氣路 經。 此時,隨著半導體元件中之整合密度的提高,該等觸 點的間距便係縮短且尺寸係變小。因為該等探針應該實際 接觸該等觸點’所以’因整合密度提高而所需的觸點結構 改變便會造成和該等探針之結構及排列有關的技術性困 難。舉例來說,該等探針的排列必須確保該最小間距不會 於它們之間發生電氣干擾與短路。 為降低觸點與探針之間的接觸電阻值,應該使用超驅 (咖也㈣接觸技術來連接該等探針與該等觸點。(此處的 超驅接觸技術係一種在該等探針上施加超過必要強度之壓 1314649 力的連接方法。) 不過,因為超驅接觸技術中的接觸壓力係來自該等探 針的變形以及一合成恢復力,所以反覆地進行超驅接觸可 能會導致該等探針的形狀出現永久變形。探針若出現此種 •變形可以降低該探針的恢復力或是導致該等探針的排列出 -現變化。為減輕該些問題,該等探針必須具有足夠大的恢 復力。 根據先前技術,已經有人提出一種懸臂式探針卡,以 • 便增強探針的恢復力(參見圖1)。於該懸臂式探針卡90令, 排列在基板91之上的複數個凸塊92係接合支撐樑93的 其中一端。與一電子元件之觸點直接接觸的尖端94則係 接合支撐樑93的另一端。依此方式,該等尖端94便會在 壓力的作用下接觸該等觸點,而該支撐樑93則必須具有 因彈性所產生的恢復力。此時,支撐樑93的長度應該要 夠長,方能產生必要的恢復力。倘若支撐樑的長度不足的 話,那麼支撐樑93的彈性便會太弱,而無法提供足夠的 所以,懸臂式探針卡的支撐樑應該具有夠長的長度, 且應該提高與該等支撐樑接合的凸塊之間的距離,方=滿 足和支撐樑之長度有關的要求。 ' 之間的間距,方 此外,還必須最小化該探針卡中探針 能檢測現今高度整合的半導體元件。
然而 因為 ’要最小化懸臂式探針之間 它們的支摟標應該具有足夠 的間距會面臨眾多難 的長度方能確保必要 ί314649 的恢復力。進一帝古夕 rp,. 係將”一接。式::卡㈣造方式 保持整體的水平性’且报難產生均句的探針長:難精確地 據此,必須隨著半導體元件之整A t X。 等觸點的排列方式從-維排列(舉例來°==將該 舉例來說,矩陣_。然二 們之間的間距均會非常大切襟的佔據面積以及它 【發明内容】 於 2發明的目的係提供一種佔據較小 較高整合密度的半導體元件。 軒適用 :者’本發明還提供一種具有足夠恢復力的探針。 的探針進—步’本發明還提供一種容易保持其整體水平性 之探步’本發明提供一種用於製造具有均勻長度 小山為達成前述技術㈣,本發明提供—種含有兩個分裂 y而的k針。該探針包括:—接觸體,其含有兩個尖端, 用以接觸一待測目標體;一連接體,其係被電連接至該待 目‘體的終端;以及一凸塊,其係連結該接觸體與該連 接體’並且緩衝作用於該接觸體之上的物理應力。 —q此處,該接觸體、該連接體、以及該凸塊可被形成於 ^針本體之中°從該尖端至該凸塊中心軸線的距離可保 持口疋或疋隨著該凸塊接近該待測目標體而變大。該等兩 1314649 個尖端係從該凸塊處分裂’其形狀為u形’用於提供恢復 力以抵抗因接觸該待測目標體所造成的外部力。 根據本發明的實施例,該接觸體、該連接體、以及該 凸塊的厚度均相同。該接觸體的寬度以及該凸塊的寬 可以小於該接觸體的厚度以及該凸Μ厚度。該連接體可 •以由一要被插入該待測目標體之終端之中的插检所構成。 此處,該插栓可以係中空式插栓,用於為其提供恢復力’ 俾使可被固定地插入該待測目標體的終端之中。而且,, 體可以係由自該等尖端處分開的至少一導引支撐體: 構成。 、此外’該凸塊可被配置成交錯式結構或是中空式結構, 以便緩衝作用於該接觸體的物理應力。 程來=成另一技術目的,本發明提供一種利用圖案化製 的方法’其包含-光微影術與餘刻步驟。該 方法係由下面步驟所構成:於一基板上 與一鑄造膜,·對該镱㈣m 少战犧牲膜 卞亥鑄以膜進仃圖案化,以形成一 該圖案係界定哕聱,# & d 罈k圖案, 露出…/ 且具有複數個開口,用以 " 、的頂端面;形成一導電膜,用以填補咳等開 口,蝕刻該導電臈直到露出以 形成該箄摁# π也肤』识鲕面為止,用以 、,以填補該等開口;以及依序移除$-^ 案及該犧牲膜,以伯Λ 一 亇杪除4鑄造圖 開口中每-者^ 取出該等探針°於此期間,該等 者係依照包含一連接體、—凸$ 該凸塊處分裂的^^ Μ鬼卩及兩根自 藉由提卩2、狀來界定該探針。 ,、八有为裂自其凸塊之尖端對的探針,該探 ' 1314649 針便能夠穩定有效地接觸—捭 得測目標體。進一步古之,兮 棟針中内含的凸塊有助於減低作 ° °亥 低作用於該等尖端上的物理應 力。此外,和習知的懸臂式探 μ 之撰朴总+古拉人s 卞不同的係,根據本發明 之如針係垂直接合至一凸塊,因 ^ 几城& 匕 其重心係位於通過該 '龙的垂直線上。因此,根據本發明之f # 4 ,, 対73之^木針於一探針卡中 •所佔據的面積係較小,有利於+ τ t j於硎忒—两度整合的半導體元 件(舉例來说,一具有類似矩陣 干維觸點排列的 【實施方式】 ^ 現在將詳細參考附圖中所示 X ^ 1 1 1〈枣發明的較佳實施例。 ,本發明並不僅限於下 r X T所解釋的貫施例,更確切 吧说’本文之實施例的目的係 ^ , 曰7係為更谷易且完整瞭解本發明 的乾嚀與精神。 應瞭解的係,當甘 C, β文中k及某-層位於另-層或基板「之 γ時’其可以係直接位於該另一層或基板之上,或者亦 ;:有中間層存在。另外,於該等圖式中,為清楚起見, -放大各層與各區域的厚度。還應該瞭解的係,雖然本 17 、使用第一、第二、第三、以及類似的詞語來說明 π件、組件、區域、層、及/或區段,不過,前述各元件、 組件、a Μ、層、及/或區段應該不受限於前述詞語。前述 ::僅係用來區分某一元件、組件、區域、層、或區段以 —兀件、組件、區域、層、或區段。因此, 言会'白勺$ 一 - . 牛、叙件、區域、層、或區段亦可稱為第二元 件、会且株 ' — 區域、層、或區段,其並不會脫離本發明的教 .,f; |Λ^ *杏:〇 尽文所說明與解釋的每一實施例均包含其互補實 9 1314649 施例 圖。 圖 所不的係根據本發明一實施例之垂直探針的平面 根據本發明實施例的探針100包括:一接 觸體10、— &换 〇尾20、以及連接體30。該接觸體10具有複 數個尖端1 S m 、>、. 用以實際接觸一待測目標體(舉例來說,一 導體凡件的觸點)。該凸塊20的功能係用於緩衝被施加 在接觸切測目標體之該等尖端15 t上的物理應力,防 |卜言亥算,卜 山 厂太鸲15的變形超出彈性上限。該連接體30係藉由 形成於~輕料卜 丄 ^ 卞之中的複數條互連線而被連接至外部量測 设備的—量測終端。 康本發明,该接觸體1 〇的形狀、該凸塊2 0的形狀、 j及°亥連接體3G的形狀均可視需要而改變。目3至8所 的係根據本發明實施例之接觸冑1〇的各種形狀的平面 圖。圖 9 $ 1 1 ήϊ!-, , 所不的係根據本發明實施例之凸塊20的各 種:狀的平面圖。圖12至16所示的係根據本發明實施例 之連接體30的各種形狀的平面圖。 20 J見在參考圖3至8,該接觸體1〇係包含分裂自該凸塊 、兩個尖端15。此分裂讓該等尖端15的形狀變成、 ^根據本發明之實施例,該等尖端15的延伸方向1平 :^塊2〇的中心轴線2。換言之’介於該等尖端。與 ㈣ 之中心軸線2之間的距離係恆定不變的。此外, ’太端1 5係以對稱於該中心轴線2的方式來設置。 根據本發明的其它實施例’該等尖端15與:中心軸線 1314649 2的分隔距離大於和該凸塊20的相隔距離。也就是,如圖 4與7中所示,該等尖端1 5的延伸方向1’可以與該中心轴 線2形成一預設的銳角。因此,該接觸體1 〇與該凸塊20 可被建構成近似「Y」的形狀。明確地說,如圖7中所示, 根據本發明的該等尖端亦可被配置成「V」形,其係與「U」 形不同。 此時,該等尖端15的末端(也就是,接觸一待測目標 體的部份)可被配置成有角度的稜角。具體言之,該等尖端 15的末端可以具有會和該等尖端15之延伸方向1或丨,形 成銳角與鈍角的稜角。每一個稜角的曲率半徑均非常小, 小於該尖端15之寬度w的1/1〇至1/1〇〇00。根據本發明 之實施例,介於該等銳角稜角之間的間距係大於介於該等 鈍角稜角之間的間距。因此,當該等尖端15接觸到一具 有均勻高度之表面的待測目標體時,該等銳角稜角便會比 該等鈍角稜角先接觸到該待測目標體的表面。倘若接觸稜 角的角度係銳角的話,那麼因量測過程所造成的壓力便會 集中於其上。從而,便可以於該待測目標體的表面上形成 刮痕,其可能會降低接觸電阻值。 另一方面,於此一超驅接觸作業期間,該等尖端i 5可 能會因被超壓超過彈性上限而產生變形。為防止發生變 形,可改變該等尖端15之該等稜角的角度與曲率半徑。 舉例來祝’如圖5中所示’該等尖端15彳能具有圓形末 端。 根據本發明,該等尖端丨5於該超驅接觸作業期間可能 -1314649 θ具有恢復力。该恢復力可能係肇因於該等尖4 1 種結構性配置。舉例來說,當接觸到該待測目標體時,該 等尖端15係於和該待測目標體垂直的方向(也就是,於垂 直該中心軸線2的方合、+获1 w 的万向)中發生變形。於此情況•中,當接觸 到該待別目‘體時,该等尖# i 5的末端便會逐漸遠離該 中心軸線2。更詳細地說,如圖8中所示,倘若該等尖端 15接觸到觸點55的話,該等尖端15作用於觸點55之上
的力心便會導致該觸點55於該等尖端15之上產生—反作 用力f2 ’❿且係導致—變形力f3,使得該等尖# 15的末端 與該中心軸線2分開。因此,便會於該觸點乃之上形成 刷痕記號。而後,倘若該等尖端15離開該觸點55的話, 便會有一恢復力匕作用於該等向外擴張的尖端15之上。 因此,該等尖端15便會恢復到它們在該接觸作業之前的 原始形狀。根據本發明,因為該探針丨〇〇藉由一對尖端i 5 來接觸該觸點55,所以,便能夠於接觸該待測目標體時確 保其物理穩定性。明確地說,因為相反的變形力&係作用 於兩個尖端15的每一者之上,所以,便可減輕該探針ι〇〇 之上的交叉應力(也就是,該變形力的方向)。 但疋’ 5玄导尖纟而15與違觸點5 5之間反覆地接觸卻可 能係損及該等尖端15之恢復特徵。為避免發生此問題, 該尖端1 5中連結該凸塊20的寬度%可以不同於該尖端丄5 的寬度w。如圖6中所示,該等寬度w與%可以符合w >w 的的關係。 現在參考圖9至11,如前面所述,凸塊2〇係減輕該 12 1314649 等尖端15上的物理接觸應力。為達成此效果該凸塊2〇 也會被配置成具有一恢復力。舉例來說,該凸塊2〇的形 狀可被配置成一棒體’如圖2纟9中所示。此棒體類型的 凸塊20適合用來接觸一不需要具有一超驅深度的待測目 .標體(舉例來說,一不具有氧化物膜的金屬觸點),因為其 不具有大額的恢復力。 根據本發明其它實施例,該凸塊2〇的形狀可被配置成 —彈簧(也就是,交錯類型),如圖1〇中所示。如眾所熟知 •者,因為-彈簧的彈性上限高於一棒體,所卩,該彈簧形 狀的凸塊20,可為該探針提供一非常大的恢復力。因此, '•亥彈簧形狀的凸塊2 〇 ’能夠最小化該等尖端丨5上的物理應 力。此外,該棒體類型的凸塊2〇伴隨的係垂直於該中心 輛線2的變形,其中便會出現恢復力;而該彈簧形狀的凸 塊20,則係配合沿著該中心軸線2之恢復力來運作,因為 其變形係朝向該中心軸線2。與此相同的係,當該凸塊2〇 鲁的變形方向平行於該中心軸線2時,便可最小化排列著該 等探針1 5之位置處因該超驅接觸作業所導致的變化率。 根據本發明另外其它實施例’該凸塊20還可被配置成 -、有中空的中心部份’如圖Π中所示。此中空類型的凸 境20”的其它優點係可最小化該等探針的配置變化,因為 其之恢復力同樣係沿著該中心軸線2來作用,如同該彈菁 %狀的凸塊20’般。此外,因為該中空類型的凸塊2〇”係經 由—較寬的區域來連結該接觸體10或該連接體3〇,所以, 因外部交叉應力(也就是,垂直於該中心軸線2)所導致的 13 -1314649 佈置變化便會小於該彈簧形狀的凸塊20,的佈置變化。必 要時,可以改變該等中空部份的數量。 現在參考圖12至16,根據本發明之連接體3〇包括圖 12中所示的棒體類型,圖13至16中所示的(複數個)導引 支撐體32及/或34,或是圖15與16中所示的一插栓%。 導引支撐體32或34係用於將該等探針1〇〇接合至一
基板。更詳細言之’如圖6A_ 6B中所示,藉由將該等連 接體30焊接至基板2〇〇的凸塊21〇,便可讓該等探針 與其接合。於此接合過程期間,必須讓該等探針ι〇〇的長 度保持一致,方能讓該基板200至該等尖端15之末端的 距離保持規律。因為該導引支撐體32或Μ可當作一用於 調整該等探針⑽之長度的基準部,所以,很輕易地便可 讓該基板200至該等尖端15之末端的距離保持均勻。 如圖5C中所示,該等導引支撐體32與34可被建構 在彼此相隔一預設間距的兩層之中。此一介於該等導引支
樓體32與34之間的間距可以相應於該焊接過程中所使用 的一頂端支撐板220的厚度。進一步言之,為達均勻長度 之目的且幫助進行接合’本發明還可提供_底部支樓二 23〇,其具有複數個對齊的溝槽235,用以讓該等接觸體 插入其中。 該插栓36係插入基板200的凸塊21〇之中,以便安定 該等探針1 00的接合狀態。為達此目的, 女疋 h M 1 y r所示, 該寺凸塊210中每一者均必須具有一對應於該探針⑽之 插栓36的附接溝槽215。從圖16中可以看出,相較於其 14 1314649 它類型,被配置成中空類型的㈣全36可輕易地被插入該 附接溝槽215之中並且可牢牢地固定於其上。更詳細言之, 含有該插栓36的探針_係藉由將該插栓36插入^附接 溝槽215之中並且對該凸塊21〇進行炫化/淬化作業之後而 被接合至該基板200(參考圖17、2〇、以及21)。如圖2〇 中所示,藉由對整個基板·進行加熱至超過凸塊21〇的 溶點以上’或是如圖21中所千,μ山& 圑1 f所不精由雷射光束來提高該 等凸塊210的溫度,均可達到溶化凸塊2ι〇的目的。對此 狀況來說,該等凸塊21〇可以係由金、錫、錯、或含有前 述三者之合金所構成。而構成基板扇的材料(舉例來說, 陶幻即使在基板200升溫至凸塊21G的炼點仍可保有其物 理特性。 ' 此時,構成該等凸塊21〇包含在基板2〇〇之上沉積一 凸塊膜然後再藉由一光微影術與蝕刻製程來圖案化該凸塊 膜的步驟。因此,該等凸塊21"、以直線或二維的圖案被 :列在基板200之上。此外’構成該等附接溝肖215包含 藉由一光微影術與蝕刻製程來圖案化基板2〇〇上之該等凸 塊215的步驟。於此期間,較佳的係,相應於插栓L的 寬度來調整該等附接溝肖215的寬度,以便最小化和該等 插栓3 6之間的間隙。 圖22所示的係和量測根據本發明實施例之探針有關的 特徵圖形的立體圖。現在參考圖22,本發明的探針可藉由 於-探針本體中併入該接觸冑1〇、一凸塊2〇、以及一連 接體30而構成。該接觸體1〇、該凸塊2〇、以及該連接體 15 1314649 3〇可以具有相同的厚度h。利用稍後於下文所述的處理方 法便可達成本發明的此項特點。 此時’顧及該恢復力係由物理變形所產生的,所以, 必須控制該探針1 00之物理變形的圖案,以便為其提供較 大的彈性上限以及最大的恢復力。為達此目的,該探針1〇〇 的厚度h較佳的係大於該接觸體1 〇與該凸塊的寬度你, 亚且滿足w<h<20w的條件。於此情況中,在超驅作業期間, "亥等Λ端1 5的變形係受到限制而以寬度的方向為主而 非以厚度的方向為主。因此,此有向性的變形限制有助於 最小化因在#法確保有足夠恢復力之方向巾的非刻意 而對該探針所造成的破壞。 一' +圖23至25以及圖26至29所示的係製造根據本發明 之垂直探針的處理步驟的平面圖與剖面圖。此處,圖* % 至29所示的係沿著圖23至25中虛'線W,所取得的剖面圖。 現在參考圖23與26 ’於一基板·上係依序形成一
銅)所=與—鑄造膜。該犧牲膜310可以係由金屬材料(如 H而該鑄造膜則可以係由光阻、氧化⑪、氮化石夕、 :氧化矽、或是s〇G所製成,用以作為和該犧牲膜㈣具 不同餘刻選擇性的材料。接著’便會對該鑄造膜進行 “匕,以形成複數個開口 325,用以界定的 從而係& 士 * 介疋忑寺铋針的形狀。 件。“4-鑄造圖案32〇’用以作為產生該等探針的禱 接觸體、 化之後係 兮於此期間,每一根探針於形成之後均包含該 4凸塊、以及該連接體,其中該接觸體於被圖案 16 1314649 具有兩個形狀幾乎為「u」形的尖端 則如圖2至乃^ D亥彳衣針的細部圖案 不再對它們作進示之實施射所提出*,所以,此處 進步详述。形成該鑄造H 含藉由一光彳鼓旦〜+ # 化·圖案320的步驟包 步驟用用到:刻製程來圖案化該鱗造膜,其令該 ^ 刻印著該等探針100之形狀的光罩。進—步 〇之’根據本於明沾 ’ 驻士 — Χ明的一貫施例,該鑄造圖案32〇可以係— 猎由该光微影術與蝕刻是, ’、 阳阆安 ^ , η 展牙王所形成的一光 圖本。於此期間’該鑄造圖案32〇係露出位於其下方之 犧牲膜3 1 0的頂端面。 上传=亡考圓24與27,於該犧牲膜310的外露的表面 心:一導電膜,用以填補該等開。奶。接著,便會 刻該導電膜,以便露出該鑄造圖案320的頂端 面用以於5玄等開口 325之中形成該等探針⑽。該導電 膜係由一金屬材料所構成’其和該犧牲膜Η。具有不同的 蝕刻選擇性,用以劃分該等後面的探#⑽。蝕刻該導電 膜的步驟包含藉由一和該鑄造圖t 32〇具有不同蝕刻選擇 性的蝕刻配方來平坦化該導電臈。 現在參考圖25與28 ’外露的鑄造圖案32〇係被移除, 直到位於其下方的犧牲膜310為止。而後,如圖29中所 不,係藉由一和該等探針1〇〇具有不同蝕刻選擇性的濕式 蝕刻法從該處移除該外露的犧牲骐31〇。結果,位於該犧 牲膜310之上的該等探針1〇〇便會與基板分離。 本發明的工業應用性係可用於測試具有複數觸點的微 小電子元件。 17 1314649 圖 【圖式簡單說明 圖1所示的係_ 圖2所示的係根據本發 習知探針卡的部份剖面 圖 明一實施例之垂直探針的平面 圖3至8所示的係根 的平面圖。 據本發明實施例之探針的接 觸體 施例之探針的凸塊的 圖9至1 1所示的係根據本發明實 平面圖。 、 圖12至16所不的係根據本發明實施例之探 體的平面圖。 圖17至21所不的係接合根據本發明實施例之垂直探 計的特徵圖形。 视圖 圖22所示的係根據本發明另—實施例之垂直探針的透 理丰圖23至25所7^的係製造根據本發明之垂直探針的處 里步驟的平面圖。 圖26至29所示的係_批钿4去丄# 竹展化·根據本發明之垂直探針的處 里步驟的剖面圖。 【主要元件符號說明】 90 懸臂式探針卡 91 基板 92 凸塊 93 支撐樑 94 尖端 18 1314649 100 1 Γ 2 10 15 20 20, • 20” 30 32 34 36 55 200 210 # 215 220 230 235 300 探針 尖端1 5的延伸方向 尖端1 5的延伸方向 凸塊20的中心軸線 接觸體 尖端 棒體類型的凸塊 彈簧形狀的凸塊 中空類型的凸塊 連接體 導引支撐體 導引支撐體 插栓 觸點 基板 凸塊 附接溝槽 頂端支撐板 底部支撐板 溝槽 基板 310 犧牲膜 320 鑄造圖案 325 開口 19

Claims (1)

  1. J314649 l^:r f ^ ^ f1!,.)i;,i:..; 十、申請專利範園:一-- 1 · 一種探針,其包括: ^ —接觸體,其包含彼此分隔的兩個尖端,用以接觸一 待測目標體的終端; —連接體’其係固定至一探針卡基板;以及 —凸塊,其係連結該接觸體與該連接體,並且緩衝作 用於該接觸體之上的物理應力; 其中該接觸體的寬度小於該接觸體的厚度,且該凸塊 鲁的寬度小於該凸塊的厚度。 2‘如申請專利範圍第丨項之探針,其中該接觸體、該連 接體、以及該凸塊係形成於一探針本體之中。 3 _如申明專利範圍第丨項之探針,其中該尖端的一末端 係有角度的。 4.如申請專利範圍帛上項之探針,纟中該尖端的一末端 係圓形。 φ 5·如申請專利範圍帛1項之探針,其中從該尖端至該凸 塊之中心軸線的距離係恆定不變的,或者從該凸塊至該待 測目標體越來越寬。 / ^ 6. 如申請專利範圍帛!項之探針,其中該等兩根尖端分 又自該凸塊’以形成一 U形。 7. 如申請專利範圍第1IS之探針,其中該接觸體與該凸 塊碰觸的位置處之寬度大於該尖端的寬度。 8. 如申請專利範圍第!項之探針,其中該連接體包含下 面至少其中一者:棒體類型結構、交叉類塑結構、中空類 20 J3I4549 型結構、以及具有兩個支撐體的結構。 9·如申請專利範圍第!項之探針’其中該凸塊包含下面 至少其中一者:彈簧形狀結構以及中空類型結構。 1 〇 · —種製造探針的方法,其包括: 於一基板上依序形成一犧牲膜與一鑄造膜; 對該鑄造膜進行圖案化,以形成_鑄造㈣,該圖案 犧扭疋該等探針的形狀並且具有複數個開σ,用以露出該 犧牲膜的頂端面; 於該鑄造圖案中形成複數個導體探針並且填補該等開 u,以及 除該禱造圖案及該犧牲膜,以便從該基板中升 巧取出該等探針, π 其中,該等開口中备—本 包括-連接體、-凸换I系界疋探針的形狀且該探針 端的接觸體;&塊、以及具有分又自該凸塊之兩根尖 厚度係大於連接體之寬度及凹塊之寬度。 •如“專利_10項之方法 -含銅的金屬材料所構成, /、中該犧牲《係由 其中該鑄造膜係由選自 光阻、氧化矽、氮化矽、、〉'其中一者所構成: 其中該導㈣二^ 夕'以及S0G’以及 的金屬材料所構成。 °該犧牲膜具有不同蝕刻選擇性 12.如申請專利範圍第1〇項之方+ 面其中一者:—彈項之方法,其中該凸塊包括下 ” 7大部件以及一中空類型部件,而該 21 1314649 連接體則包含一插栓類型部件。 13. —種將垂直探斜姐 休針接合至一基板上所形成之終端的方 法,其包括: 於 該基板上形成I古m & 取具' 有附接溝槽的複數個凸塊; 形成該等含有一接链躺 1 筏觸體、一凸塊、以及一具有一插栓 之連接體的探針; 將該等探針的插栓插入該等附接溝槽之中;以及 鑄造該等插栓與該等凸塊。
    1 4 ·如申請專利節= 靶圍弟13項之方法,其中該凸塊係由選 自下面的至少其中—者所错 有所構成.鎳、姑、金、以及含有鎳、 鈷、以及金中至少其中一者的合金。 ” 1 5 _如申§青專利範圍第13 包括: 項之方法’其中形成該等凸塊 於該基板上形成一 圖案化該凸塊膜, 等凸塊;以及 圖案化該等凸塊, 接溝槽,
    凸塊膜; 以便形成被排列在該基板之上的該 以便於該等凸塊之中形成複數條附 塊包括實施光微影術 其中,圖案化該凸塊膜與該等凸 製程與蝕刻製程。 如申請專利範圍第13項之方法,其中將該等 造於該等凸塊之中包括接合該等探針,豆 /、τ该寺探針係藉 由一預設的導引板被固定至該基板, 其中接合該等探針與該基板包括利用下面立 八丫 一者來 22 1314649 熔化該等凸塊··對該基板進行加熱’或是對該基板照射雷 射光束。 1 7.如申請專利範圍第13項之方法’其中將該等探針的 插栓插入該等附接溝槽之中包括: 將該等探針的該等接觸體插入至一底部支撐板之中, 用以暫時固定該等探針; :用-具有複數條溝槽的導引支撐板來對齊該等探 至㈣中對齊該等探針包括將該等插栓的導引支摔體插入 β .弓丨支揮板的該等溝槽之中;以及 將該等已對齊探針的插栓插入至該《附接溝槽之中。 十一、圈式: 如次頁。
    23
TW095127083A 2005-08-03 2006-07-25 Vertical probe and methods of fabricating and bonding the same TWI314649B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050071115A KR100653636B1 (ko) 2005-08-03 2005-08-03 수직형 프로브, 그 제조 방법 및 프로브의 본딩 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW200706884A TW200706884A (en) 2007-02-16
TWI314649B true TWI314649B (en) 2009-09-11

Family

ID=37708868

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW095127083A TWI314649B (en) 2005-08-03 2006-07-25 Vertical probe and methods of fabricating and bonding the same

Country Status (6)

Country Link
US (1) US7830162B2 (zh)
JP (1) JP2009503535A (zh)
KR (1) KR100653636B1 (zh)
CN (1) CN101233416B (zh)
TW (1) TWI314649B (zh)
WO (1) WO2007015600A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI420110B (zh) * 2010-07-26 2013-12-21

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100830352B1 (ko) * 2006-12-21 2008-05-19 주식회사 파이컴 프로브 팁, 프로브 카드, 프로브 팁 제조 방법 및 프로브구조물 제조 방법
KR100966901B1 (ko) 2008-02-20 2010-06-30 (주)아메드 프로브 팁 제조 방법
JP2010008335A (ja) * 2008-06-30 2010-01-14 Japan Electronic Materials Corp プローブカード
KR100955597B1 (ko) * 2009-08-11 2010-05-03 (주)메리테크 반도체나 평판표시소자 검사에 사용되는 프로브의 제조방법
US9103358B2 (en) * 2010-03-16 2015-08-11 Eaton Corporation Corrosion-resistant position measurement system and method of forming same
JP2015035435A (ja) * 2011-11-25 2015-02-19 シャープ株式会社 太陽電池モジュールの絶縁検査用プローブ、検査用プローブを用いた太陽電池モジュールの絶縁検査方法、および太陽電池モジュールの製造方法。
JP5868239B2 (ja) * 2012-03-27 2016-02-24 株式会社日本マイクロニクス プローブ及びプローブカード
CN113703204A (zh) * 2021-09-03 2021-11-26 苏州凌云光工业智能技术有限公司 一种探针及显示屏点灯治具
CN115308456B (zh) * 2022-09-29 2023-03-10 深圳市道格特科技有限公司 一种垂直探针及探针卡

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04216470A (ja) 1990-12-14 1992-08-06 Nec Eng Ltd プローブ
JPH09105761A (ja) * 1995-10-09 1997-04-22 Nitto Denko Corp プローブ構造の製造方法およびそれに用いられる回路基板
JPH09219267A (ja) 1996-02-07 1997-08-19 Sony Corp Bga・ic試験用コンタクト・ソケット
JPH1138041A (ja) * 1997-07-24 1999-02-12 Mitsubishi Electric Corp プローブカード用片持ち型プローブ針とその製造方法ならびに制御方法
EP0899538B1 (en) * 1997-08-27 2003-05-14 IMEC vzw A probe tip configuration, a method of fabricating probe tips and use thereof
US6504223B1 (en) 1998-11-30 2003-01-07 Advantest Corp. Contact structure and production method thereof and probe contact assembly using same
JP2000329789A (ja) 1999-03-12 2000-11-30 Sony Chem Corp 針状接点プローブ
JP2002062314A (ja) 2000-08-18 2002-02-28 Mitsubishi Materials Corp コンタクトプローブ
US7190179B2 (en) * 2001-04-13 2007-03-13 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Contact probe
AU2002353582A1 (en) 2002-02-05 2003-09-02 Oug-Ki Lee Method for manufacturing electric contact element for testing electro device and electric contact element thereby
US20050184748A1 (en) * 2003-02-04 2005-08-25 Microfabrica Inc. Pin-type probes for contacting electronic circuits and methods for making such probes
KR100465348B1 (ko) * 2002-06-24 2005-01-13 주식회사 파이컴 마이크로 튜브를 이용한 전자소자 검사용 프로브 팁
KR100473430B1 (ko) * 2002-07-04 2005-03-10 주식회사 파이컴 수직형 프로브 카드
JP2004138405A (ja) * 2002-10-15 2004-05-13 Renesas Technology Corp 半導体装置測定用プローブ
CN2591636Y (zh) * 2002-12-05 2003-12-10 曾家棠 印刷电路板测试装置的转接模具
KR100573089B1 (ko) 2003-03-17 2006-04-24 주식회사 파이컴 프로브 및 그 제조방법
US7315505B2 (en) * 2003-07-14 2008-01-01 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Storage device having a probe with plural tips
KR100446551B1 (ko) 2003-08-18 2004-09-01 주식회사 파이컴 화산형 프로브, 이의 제조방법 및 이를 구비한프로브카드
KR200372710Y1 (ko) * 2004-10-21 2005-01-21 주식회사 파이컴 소형의 평판표시소자 검사용 프로브
EP1748447B1 (en) * 2005-07-28 2008-10-22 Interuniversitair Microelektronica Centrum ( Imec) Dual tip atomic force microscopy probe and method for producing such a probe
KR100546831B1 (ko) * 2005-08-31 2006-01-25 (주) 마이크로프랜드 프로브 카드의 탐침팁 공정 방법

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI420110B (zh) * 2010-07-26 2013-12-21

Also Published As

Publication number Publication date
US7830162B2 (en) 2010-11-09
TW200706884A (en) 2007-02-16
JP2009503535A (ja) 2009-01-29
WO2007015600A1 (en) 2007-02-08
CN101233416B (zh) 2012-07-18
KR100653636B1 (ko) 2006-12-05
US20090174421A1 (en) 2009-07-09
CN101233416A (zh) 2008-07-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI314649B (en) Vertical probe and methods of fabricating and bonding the same
TW201112500A (en) Board having connection terminal
TWI280369B (en) Probe and method of manufacturing the same
US9015935B2 (en) Method for manufacturing probe card
JP6541194B2 (ja) 非平面形状の人工網膜補てつデバイスの組立方法
TW200806993A (en) Contactor having a global spring structure and methods of making and using the contactor
KR101694768B1 (ko) 반도체 테스트 소켓 및 그 제조 방법
KR100838511B1 (ko) 프로브 형성 방법
KR20090030543A (ko) 프로브 핀 및 이를 제조하는 방법
TWI278952B (en) Vertical-type electric contactor and manufacture method thereof
JP7011665B2 (ja) ウェハ接合のための犠牲アライメントリング及び自己はんだ付けビア
KR20080085345A (ko) 프로브 카드 제조 방법 및 그에 의한 프로브 카드
JP4569366B2 (ja) 接続装置
KR101301739B1 (ko) 프로브 카드 제조 방법
KR101378391B1 (ko) 프로브 카드 제조 방법
TW201110472A (en) Contacting structure of contacts in electrical connector
KR101301738B1 (ko) 프로브 카드 제조 방법 및 그에 의한 프로브 카드
KR100806380B1 (ko) 프로브 카드 제조 방법 및 이에 의한 프로브 카드
JP2008216206A (ja) コンタクタ、プローブカード及びプローブカードの製造方法
JP2011191103A (ja) フォースセンサ及びその製造方法
US7685704B2 (en) Method for manufacturing bump of probe card
KR101301737B1 (ko) 프로브 카드 제조 방법
WO2003034078A1 (fr) Tige de sonde, carte de sonde, appareil d'essai et procede de production de tige de sonde
WO2010064618A1 (ja) プローブカードおよびその製造方法
KR100929247B1 (ko) 프로브 카드 제조 방법

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees