TWI312915B - Negative voltage generator circuit - Google Patents

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TWI312915B
TWI312915B TW094123637A TW94123637A TWI312915B TW I312915 B TWI312915 B TW I312915B TW 094123637 A TW094123637 A TW 094123637A TW 94123637 A TW94123637 A TW 94123637A TW I312915 B TWI312915 B TW I312915B
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signal
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TW094123637A
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TW200627115A (en
Inventor
Sang-Hee Kang
Jun-Gi Choi
Yong-Kyu Kim
Original Assignee
Hynix Semiconductor Inc
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Description

1312915 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種半導體積體電路(ic);且尤其關於一 種可靠提供半導體積體電路(1C)一負電壓之負電壓產生電 路。 【先前技術】 一半導體積體電路(1C)中利用一負電壓。因此,該半導 體1C中包含一種用以可靠提供負電壓之内部電壓產生電 路。 圖1係用以出示一種輸出一負電壓VBB之傳統產生電路 的一方塊圖。 如所示,傳統之產生電路包括一感測器10、振盪器2〇、 一相位控制器30和一電荷抽送器40。 感測器10感測負電壓VBB之位準,以便輸出根據一感測 結果所啟動的一致能信號0SC_EN。振盪器2〇輸出時脈信號 OSC1和OSC2 ’以響應致能信號0SC_EN。相位控制器3〇接 收時脈信號OSC1和OSC2,藉此輸出相位彼此相反之電子電 荷抽送時脈信號…和!^及電子電荷抽送切換信號⑴和 G2。此處,電子電荷抽送切換信號G1和G2分別具有與電子 電荷抽送時脈㈣相反之相位。再者,電荷抽送器 4〇輸出負電壓VBB,以響應電子電荷抽送時脈信號 及電子電荷抽送切換信號G1和G2。 圖2係用以出示圖丄所示之電荷抽送器4〇的一示意電路 103068.doc 1312915 如所示,電荷抽送器4〇包括第一至第四電容器PMl、 PM2、PM3和PM4及第一和第二NMOS電晶體NM1和NM2。 具備PMOS電晶體之第一至第四電容器PMl、PM2、PM3和 PM4接收電子電荷抽送時脈信號P1和P2及電子電荷抽送切 換信號G1和G2。詳述之,第一電容器PM1和第三電容器PM3 分別接收電子電荷抽送時脈信號P1和P2 ;而且第二電容器 PM2和第四電容器PM4分別接收電子電荷抽送切換信號G1 和G2。其間,其閘彼此交又耦合之第一和第二NMOS電晶 體NM1和NM2透過其第一終端提供負電壓VBB ;而且第一 和第二NMOS電晶體NM1和NM2其個別之第二終端分別耦 合至節點P1B00T和P2B00T。 再者,電荷抽送器40包括其閘分別耦合至第二電容器 PM2和第四電容器PM4之第二終端的第一和第二PMOS電 晶體PM5和PM6以及連接於一第三和第四節點G1BOOT和 G2BOOT與一接地電壓VSS間之第三至第八PMOS電晶體 PM7、PM8、PM9、PM10、PM11 和 PM12。第一和第二 PMOS 電晶體PM5和PM6耦合於第一和第二NMOS電晶體NM.1和 NM2之第二終端與接地電壓VSS之間。其他六個PMOS電晶 體PM7、PM8、PM9、PM10、PM11和PM12用以鉗住第三和 第四節點G1BOOT和G2BOOT之電壓;亦即,第三至第八 PMOS 電晶體 PM7、PM8、PM9、PM10、PM11 和 PM12使第 三和第四節點G1BOOT和G2BOOT之電壓保持在一預定範 圍中的一數值。 圖3係用以出示圖1所示之輸出一負電壓VBB之產生電路 103068.doc 1312915 其一作業的一波形。 其後,參照圖1至3解釋用以輸出負電壓VBB之產生電路 的作業。 感測器10感測負電壓VBB的一位準,藉此在該位準變成 低於預定範圍的一最小值之情況下輸出致能信號〇sc_en。 然後,於接收啟動之致能信號0SC 一 ,振盪器2〇開始 振盪作業’以便輸出振盪時脈信號〇scl和〇SC2。 相位控制器30接收時脈信號0SC丨和〇SC2,以便輸出相位 彼此相反之電子電荷抽送時脈信號p丨和?2及電子電荷抽送 切換信號G1和G2。此處,電子電荷抽送切換信號〇1和^2 分別具有與電子電荷抽送時脈信號ρι* p2相反之相位。 電荷抽送器40藉由抽送電子電荷並將電子電荷從其一輸 出電壓終端傳輸至接地電壓終端而輪出負電壓vbb,以響 應電子電荷抽送時脈信號PyDP2及電子電荷抽送切換信號 G1和G2。如果從感測器10輸出之致能信號〇% en變成不° 活動’則電荷抽送器40停止抽送作業而且不將電子電荷傳 輪至接地電壓終端。 »更近看電荷抽送器40之作業,電子電荷被抽送而且從電 荷抽送器40之輸出終端轉移至節點ρΐΒ〇〇τ,以響應電子電 荷抽送時脈信號PU後從節點Ρ1Β(χ)τ#至接地電壓終 端’以響應電子電荷抽送切換信號G1。 其間,電子電荷被抽送而且從電荷抽送4〇之輸出終端轉 移至節點Ρ2ΒΟΟΤ,以響應電子電荷抽送時脈信號…然後 從節點Ρ則ΟΤ移至接地電壓終端,以響應電子電荷抽:切 103068.doc 1312915 換信號G2。 藉由透過上述兩種方法抽送電子電荷,負電壓vbb得以 提供給電荷抽送器40之輸出終端。
然而,如果作業電壓的一位準變小’而且PM〇s電晶體 PM5和PM6的一絕對門限電壓值變大,則如圖3所示,第三 和第四節點G1BOOT和G2BOOT之位準上升。因此,pM〇s 電晶體PM5和PM6其用以傳輸電子電荷的一能力降低;然後 從節點P1BOOT和P2BOOT至接地電壓vss的一電子電荷傳 輸不會穩定作業。 由於上述原因,一電荷抽送器的一驅動力變弱。因此, 不可避免地,該抽送器之大小應更大,以便解決上述問題。 【發明内容】 因此’本發明的-目的為:提供—種可#提供半導體積 體電路(1C)一負電壓之負電壓產生電路。 根據本發明的-方面,其中提供—種負㈣產生電路, 包括:藉由將-電子電荷從—輪出終端抽送至—第一節點 與-第二節點之一而提供該輸出終端—負電壓的一電子電 荷抽送裝置,·用以控制將電子電荷從該輸出終端抽送至該 第-節點以響應-第—抽送時脈信號的—第—抽送控制裝 置,用以㈣將電子電荷從該輸出終端抽送至該第二節點 提二ΐ 時脈W的一第二抦送控制裝置;用以 :供第-蝴脈信號和第二抽送時脈信號的一控制裝 置’其中弟一抽送時脈作骑知楚 σ第一抽送時脈信號係於每一 預疋區間交㈣時以應提供給該輸^端之貞電壓的— 103068.doc 1312915 位準,以及當第一抽送時脈信號和第二抽送時脈信號不啟 動時將該電子電荷抽送裝置之第一節點和第二節點重置為 負電壓之位準的—第一重置控制裝置。 根據本發明的—另一方面,其中提供一半導體裝置的一 負電壓產生電路,用以透過一輸出終端產生具有低於一接 地電壓其一位準的一負電壓,其包括:用以感測透過該輸 出^端提供之負電壓的一位準並且輸出第一和第二抽送時 鲁 1信號及第-和第二抽送切換信號的—控制裝置其中第 抽送時脈k號和第二抽送時脈信號具有彼此相反之相 位,而且第一和第二抽送切換信號分別具有與第一和第二 抽送時脈信號相反之相位;其第一終端一起連接至該輸出 終端而且第二終端分別連接至該第一和第二節點、閘彼此 交又耦合之第一和第二NM0S電晶體;透過其第二終端接收 第一抽送時脈信號的一第一電容器,其中該第一電容器的 第一終端連接至該第一節點;透過其第二終端接收第二 馨抽送時脈信號的一第二電容器,其中該第二電容器的一第 一終端連接至該第二節點;連接於該第一節點與接地電壓 間的一第一切換PMOS電晶體;連接於該第二節點與接地電 壓間的一第二切換PM0S電晶體;透過其第二終端接收第一 抽送切換信號的一第三電容器,其中該第三電容器的—第 一終端連接至該第一切換PM0S電晶體的一閘,·透過其第二 終端接收第二抽送切換信號的一第四電容器,其中該第四 電容器的一第一終端連接至該第二切換pM〇s電晶體的— 閘;以及當第一和第二抽送時脈信號及第一和第二抽送切 103068.doc •10· 1312915 換信號不啟動時重置該第一、第二、第三、第四電容器之 端的-重置控制構件,其中該重置控制構件將該第二和 f-電容器之第一終端重置為接地電壓位準,而且將該第 -和第二電容器之第二終端重置為負電壓位準,而且該重 置:制構件進-步將該第三和第四電容器之第一終端重置 為一電力供應電壓位準,而且將該第三和第四電容器之第 二終端重置為接地電壓位準。 【實施方式】 、其後’將參照附圖而詳細說明根據本發明的—種用於一 半導體裝置十之負電壓產生器電路。 圖4係用以出示根據本發明其一較佳具體實施例的一種 輸出一負電壓VBB之產生電路的一方塊圖。 如所不’根據較佳具體實施例之用以輸出負電壓VBB的 產生電路具備一控制器1000和一電荷抽送器600。 控制器1000包括-感測器i 〇〇、一振盈器2〇〇和一相位控 制器300。感測器1〇〇用以感測負電遷vbb之位準,而且輸 出一致能信號OSCJEN。振盈器藉由執行—振靈作業而 輸出一時脈信號咖,以響應致能信號目位控制 器300接收時脈信號⑽,而且輸出相位彼此相反的一第一 電子電荷抽送時脈信號?1和一第二電子電荷抽送時脈信號 P2及-第一電子電荷抽送切換信號⑴和—第二電子電荷抽 送切換信號G2。此處,電子電荷抽送切換信號⑴和仍具有 分別與電子電荷抽送時脈信相反之相位。電荷抽 送器_藉由抽送電子電荷而將負電壓卿輸出至其輸出 I03068.doc 1312915 終端。 再者,根據較佳具體實施例之用以輸出負電壓VBB的產 生電路包括一重置控制器500和一抽送控制器400。抽送控 制器4〇〇輸出緩衝之電子電荷抽送時脈信號plD和P2D及電 子電荷抽送切換信號G1D和G2D,其來自由相位控制器300 所傳輸之電子電荷抽送時脈信號P1和P2及電子電荷抽送切 換信號G1和G2’以響應致能信號OSC—EN。 在致能信號〇sc_ENF啟動之情況下,抽送控制器400使 電子電荷抽送時脈信號和P2D成為一接地電壓位準 VSS,而且使電荷抽送切換信號G1D和G2D成為一正供應電 壓位準。同時,在致能信號〇SC_EN不啟動之情況下,重置 控制器500將電荷抽送器600之節點P1BOOT和P2BOOT的 一電壓保持在負電壓VBB位準,以及將第三和第四節點 G1BOOT和G2BOOT的一電壓保持在接地電壓VSS位準。 圖5A係用以說明圖4所示之感測器100的一示意電路圖。 如所示,感測器100係由第一和第二MOS電晶體P1和P2 及具備兩反相器11和12的一第一緩衝器組成。第一 MOS電 晶體P1透過其閘接收接地電壓VSS,而且其第一終端連接 至電力供應電壓VDD。第二MOS電晶體P2透過其閘接收負 電壓,而且其第一終端連接至接地電壓VSS。第一緩衝器 的一輸入終端連接至第一和第二MOS電晶體P1和P2之共用 第二終端;而且第一缓衝器輸出致能信號〇SC_EN。 圖5B係用以說明圖4所示之振盪器200的一示意電路圖。 如所示,振盪器200係由用以接收致能信號〇SC_EN的一 103068.doc -12- 1312915 第一 ΝΑΝΟ閘ND1及彼此串列連接之偶數個第三至第八反 相器13、14、15、16、17和18以及具備第九和第十反相器19 和110之進一步的一弟二緩衝器組成。此處,第三反相器U 接收從第一 NAND閘ND1輸出的一信號;而且來自第八反相 器18的一輸出信號輸入至第一 NAND閘ND1的一第二終 端。具備第九和第十反相器19和110之第二緩衝器緩衝來自 第五反相器15的一輸出信號,藉此輸出時脈信號0SC。 圖5C係用以出示圖4所示之相位控制器3〇〇的一示意電路 圖0 如所示,相位控制器300具有將從振盪器2〇〇輸出之時脈 信號osc延遲一第一預定時間的一第一延遲31〇以及將來 自第一延遲之延遲時脈信號OSC-丨延遲一第二預定時間的 一第二延遲320。
相位控制器300進一步包括一相位〇尺閘、一相位NAND 閘、一相位反相器114和一第三緩衝器。相位〇R閘具備一第 一 NOR閘N0R1和一反相器Iu以便輸出第一電子電荷抽送 切換G i。相位NAND閘具備一第二ναν〇閘nd2和兩反相器 112和1113以便輸出第二電子電荷抽送切換G2。相位肋 閘接收時脈信號〇SC和從第二延遲32〇輸出之延遲時脈信 號〇SC_2。相位反相器114倒置來自第一延遲31〇之延遲時脈 信號〇 s c _ i以便輸出第〜電子電荷抽送時脈信號ρ ι。具備 兩反相nm和m之第三緩衝器緩衝從第—延遲131〇輸出 之延遲時脈信號0SC—UX便輪出第二電子電荷抽送時脈信 號P2 〇 103068.doc -13- 1312915 圖5D係用以描繪圖4所示之抽送控制器400的一示意電路 圖。 如所示,抽送控制器400包括具備一第三NAND閘ND3和 一反相器117的一第一重置AND閘、具備一第四NAND閘 ND4和一反相器118的一第二重置AND閘、具備一第五 NAND閘ND5和兩反相器II9和120的一第一重置NAND閘, 以及具備一第六NAND閘ND6和兩反相器121和122的一第 二重置NAND閘。 第一重置AND閘接收來自相位控制器300之相位反相器 114的輸出信號P1和從感測器100輸出之致能信號〇SC_EN 以便輸出第一電子電荷抽送時脈信號P1D。具備第四NAND 閘ND4和反相器118之第二重置AND閘接收來自第三緩衝 器之輸出信號P2和從感測器100輸出之致能信號〇SC_EN藉 此輸出第二電子電荷抽送時脈信號P2D。第一重置NAND閘 接收來自相位OR閘之輸出信號G1和從感測器100輸出之致 能信號〇SC_EN以便輸出第一電子電荷抽送切換信號 G2D。具備第六NAND閘ND6及兩反相器121和122之第二重 置NAND閘接收來自相位NAND閘之輸出信號G2和從感測 器100輸出之致能信號OSC_EN以便輸出第二電子電荷抽送 切換信號G2D。 圖5E係用以說明圖4所示之重置控制器500的一示意電路 圖。 如所示,重置控制器500係由一降位準移位器5 10、一升 位準移位器520、第一至第五重置MOS電晶體PMOS1至 103068.doc -14- 1312915 PM0S5、一反相器122和一重置電容器P5組成。 降位準移位器510將以電力供應電壓VDD和接地電壓 VSS的一位準輸入之致能信號OSC_EN的一位準移位至電 力供應電壓VDD和負電壓VBB的一位準。其間,升位準移 位器520將以電力供應電壓VDD和接地電壓VSS的一位準 輸入之致能信號OSC_EN的一位準移位至高於電力供應電 壓VDD的一高電壓VPP和接地電壓VSS的一位準。第一和第 二重置MOS電晶體PMOS1和PMOS2將透過其第一終端傳輸 ® 之接地電壓VSS_1和VSS_2輸出至分別連接至其第二終端 之電荷抽送器600的第三和第四節點G1BOOT和G2BOOT, 以響應由降位準移位器5 10移位之致能信號〇SC_EN。反相 器122倒置及輸出由降位準移位器5 10移位之致能信號 OSC_EN。第三重置MOS電晶體PMOS3用以將透過其第一終 端輸入的一輸入電壓 VINT ( VDD - |VBB| < VINT < VDD ) 傳輸至其第二終端,以響應來自反相器122的一輸出信號。 重置電容器P5用以透過其第一終端接收由升位準移位器 520移位之致能信號。最後,其閘連接至電容器P5之第二終 端和第三重置MOS電晶體PMOS3之第二終端的第四和第五 重置MOS電晶體PMOS4和PMOS5將透過其第一終端傳輸之 負電壓VBB_1和VBB_2輸出至分別連接至其第二終端之電 荷抽送器600的第一和第二節點P1BOOT和P2BOOT。 圖5F係用以描繪圖4所示之電荷抽送器600的一示意電路 圖。 如所示,電荷抽送器600具備一電子電荷抽送區塊610、 103068.doc -15- 1312915 一第一電子電荷抽送控制器620和一第二電子電荷抽送控 制器630。電子電荷抽送區塊610藉由將一電子電荷從輸出 終端OUT抽送及傳輸至第一節點P1BOOT或第二節點 P2BOOT而將負電壓VBB供應給一輸出終端OUT。第一電子 電荷抽送控制器620用以將電子電荷從輸出終端OUT抽送 及傳輸至第一節點P1B00T,以響應第一電子電荷抽送時脈 信號P1D,而且第二電子電荷抽送控制器630用以將電子電 荷從輸出終端OUT抽送至第二節點P2BOOT,以響應第二電 子電荷抽送時脈信號P2D。 再者,電子電荷抽送區塊610包括一電子電荷傳輸區塊 613、一第一切換區塊611和一第二切換區塊612。電子電荷 傳輸區塊613將電子電荷從輸出終端OUT傳輸至第一節點 P1B00T或第二節點P2B00T。第一切換區塊611用以切換第 一節點P1B00T與接地電壓VSS,而且第二切換區塊612用 以切換第二節點P2B00T與接地電壓VSS。 又再者,電子電荷傳輸區塊613具備用以傳輸電子電荷之 第一和第二NMOS電晶體NM1和NM2。第一和第二NMOS電 晶體NM1和NM2之第一終端一起耦合至輸出終端OUT,而 且第一和第二NMOS電晶體NM1和NM2之第二終端分別耦 合至第一節點P1BOOT和第二節點P2BOOT。同時,其閘與 彼此之第二終端交叉耦合。 其間,第一切換區塊611具有經由其閘被施以從一第一切 換控制器640輸出的一信號而且連接至第一節點P1BOOT和 接地電壓VSS的一第一切換PMOS電晶體PM5。 103068.doc -16- 1312915 第二切換區塊612具有透過其閘接收從一第二切換控制 器650輸出的一信號而且連接至第二節點P2BOOT和接地電 壓VSS的一第二切換PMOS電晶體PM6。 亦即,於第一電子電荷抽送時脈信號P1D和第二電子電 荷抽送時脈信號P2D不啟動的一時期期間,重置控制器500 使第一和第二切換PMOS電晶體PM5和PM6之閘重置為接 地電壓VSS位準。 第一電子電荷抽送控制器620和第二電子電荷抽送控制 器630分別包括一第一電容器PM1和一第三電容器PM3。第 一電容器PM1透過其第一終端接收第一電子電荷抽送時脈 信號P1D,而且其第二終端連接至第一節點P1BOOT。第二 電容器PM2透過其第一終端接收第二電子電荷抽送時脈信 號P2D,而且其第二終端連接至第二節點P2BOOT。 再者,電荷抽送器600具有一第一切換控制器640和第二 切換控制器650。 第一切換控制器640具備一第二電容器PM2和一第一鉗 位電路641。此處,第二電容器PM2透過其第一終端接收第 一電子電荷抽送切換信號G1D,而且其第二終端連接至第 三節點G1BOOT。其間,第一鉗位電路641用來使連接至第 二電容器PM2之第二終端的第三G1BOOT之電壓停留在一 預定電壓範圍中。 第一鉗位信號具備三PMOS電晶體PM7、PM8和PM9。其 閘連接至接地電壓VSS之PMOS電晶體PM7連接於第三節點 G1B00T與接地電壓VSS之間。PMOS電晶體PM9的一第一 103068.doc • 17- 1312915 終端連接至接地電壓VSS,而且其閘連接至其第二終端。 PMOS電晶體PM8透過其第一終端連接至PMOS電晶體PM9 之第二終端,而且透過其第二終端和閘連接至第三節點 G1B00T。 第二切換控制器650具備一第四電容器PM4和一第二鉗 位電路651。第四電容器PM4透過其第一終端接收第二電子 電荷抽送切換信號G2D。同時,第四電容器PM4的一第二終 端連接至第四節點G2BOOT。第二鉗位電路65 1使節點 G2B00T的一電壓停留在一預定電壓範圍中。 第二鉗位電路651具備三PM0S電晶體PM10、PM11和 PM12。其閘連接至接地電壓VSS之PM0S電晶體PM10連接 於第四節點G2B00T與接地電壓VSS之間。PMOS電晶體 PM12的一第一終端連接至接地電壓VSS,而且PM0S電晶體 PM12的一閘和一第二終端彼此連接。同時,第一PM0S電 晶體PM11的一第一終端連接至PM0S電晶體PM12之第二 終端,而且PM0S電晶體PM11的一閘和一第二終端兩者一 起連接至第四節點G2B00T。 再者,根據本發明之較佳具體實施例的負電壓產生電路 進一步包括抽送控制器400,於電子電荷抽送時脈信號P1D 和P2D不啟動時,用以重置分別接收電子電荷抽送時脈信號 P1D和P2D之第一電子電荷抽送控制器620和第二電子電荷 抽送控制器630的輸入終端以及分別接收電子電荷抽送切 換信號G1D和G2D之第一切換控制器640和第二切換控制器 6 5 0的輸入終端。 103068.doc -18- 1312915 圖6係出示圖4所示之輸出一負電壓之產生電路其作業的 一時序圖。 其後,參照圖4至6解釋輸出一負電壓之產生電路的作業。 感測器100感測負電壓VBB之位準,在負電壓VBb之位準 低於一預定範圍的一最小值之情況下,啟動致能信號 〇SC_EN並將其輸出。
然後,振盪器200於其接收啟動之致能信號〇sc_EN後開 始振盪作業而且輸出振盪時脈信號〇sc。 於相位控制器300接收時脈信號〇sc後,相位控制器3〇〇 輪出彼此具有相反相位之電子電荷抽送時脈信號ρι*ρ2& 相位分別與電子電荷抽送時脈信號p丨和^相反之電子電荷 抽送切換信號G1和G2。 於啟動致能信號〇SC_EN並且輸入抽送控制器4〇〇時, 送控制器400藉由緩衝電子電荷抽送時脈信號卩丨和p2及 子電荷抽送切換仏號G1和G2而輸出電子電荷抽送時脈 號P1D和P2D及電子電荷抽送切換信號Glr^〇G2D。另一 面,於不啟動之致能信號〇sc_E_入抽送控制器4〇叫 抽送控制器400以接地電壓vss位準輸出電子電荷抽送 脈,號P1D和P2D,而且以電力供應電壓vdd位準輸出電 電荷抽送切換信號G1D和G2D。 荷抽送器咖接收電子電荷#送時脈信號piD和 :子電何抽达切換信號G1D和G2d,而且藉由將電子電荷4 ^終~抽达至接地電遷vss供應終端而輸出負電/ 。當從感測器⑽輸出之致能信號OSC—EN不啟動時 103068.doc •19- 1312915 電荷抽送器600停止將電子電荷從其輸出終端抽送至接地 電壓VSS。 更近看電荷抽送器600之作業,電子電荷從電荷抽送器 600之輸出終端抽送至節點P1BOOT,以響應電子電荷抽送 時脈信號P1D,然後,從第一節點P1BOOT移至接地電壓VSS 終端,以響應電子電荷抽送切換信號G1D。 其間,電子電荷從電荷抽送器600之輸出終端抽送至第二 節點P2BOOT,以響應電子電荷抽送時脈信號P2D,然後從 • 節點P2BOOT移至接地電壓VSS終端,以響應電子電荷抽送 切換信號G2D。 藉由透過上述兩方法抽送電子電荷,負電壓VBB得以提 供給電荷抽送器600之輸出終端。 於致能信號OSC_EN不啟動時,重置控制器500不作業, 重置控制器500使第一和第二節點P1BOOT和P2BOOT之電 壓重置為負電壓VBB位準,而且使第三和第四節點G1BOOT 和G2BOOT之電壓重置為接地電壓VSS位準。 * 根據傳統技藝,當電荷抽送器不作業時,該產生電路將 第三和第四節點G1BOOT和G2BOOT之電壓保持在浮動狀 態。因此,第三和第四節點G1BOOT和G2BOOT之電壓位準 變得愈來愈高;然後電荷抽送器之作業變壞。 另一方面,於電荷抽送器600不作業時,根據本發明之較 佳具體實施例的產生電路使第三和第四節點G1BOOT和 G2BOOT之電壓位準重置為接地電壓VSS。因此,第三和第 四節點G1BOOT和G2BOOT之電壓位準並未過度上升。 103068.doc -20· 1312915 換言之,於電荷抽送器600不執行用以提供負電壓VBB之 作業時,用於電荷抽送器600其抽送作業之第一至第四電容 器PM1至PM4的終端均具備最佳電壓位準,以便使電荷抽送 器600最佳操作一跟隨之電子電荷抽送作業。 再者,提供給用以執行一切換作業之第一和第二切換 PMOS電晶體PM5和PM6其閘的電壓位準愈少,電荷抽送器 600執行電子電荷抽送作業愈有效率。因此,本具體實施例 將提供於第一和第二切換PMOS電晶體PM5和PM6其閘之 電壓位準重置為接地電壓VSS位準。 更近看重置控制器500之作業,於致能信號OSC_EN啟動 而為高位準時,降位準移位器5 10將具有電力供應電壓VDD 位準的一信號輸出至第一和第二MOS電晶體PMOS1和 PMOS2。 其間,於致能信號OSC_EN啟動而為高位準時,升位準移 位器520將具有電力供應電壓VDD位準之致能信號OSC_EN 的電壓位準轉換成高電壓VPP。因而,將第四和第五MOS 電晶體PMOS4和PMOS5關機。 當致能信號〇SC_EN不啟動而為低位準並且輸入降位準 移位器510時,降位準移位器510將以電力供應電壓VDD和 接地電壓VSS的一位準輸入之致能信號OSC_EN的位準轉 換成電力供應電壓VDD和負電壓VBB的一位準。 因而將第一和第二MOS電晶體PMOS1和PMOS2開機,而 且將透過其第一終端輸入之接地電壓VSS_1和VSS_2提供 給連接至其第二終端之第一和第二節點G1BOOT和 103068.doc -21 - 1312915 G2BOOT。 其間,當致能信號〇SC_EN不啟動並且輸入升位準移位器 520時,升位準移位器520將具有高電壓VPP和接地電壓VSS 之致能信號OSC_EN的位準轉換成電力供應電壓VDD和接 地電壓VSS的位準。 然後,第四和第五MOS電晶體PMOS4和PMOS5開機,以 便將從其第一終端輸入之負電壓VBB_1和VBB_2提供給分 別連接至其第二終端之第一和第二節點P1BOOT和 P2BOOT。 重置控制器500之反相器122和第三MOS電晶體PMOS3係 提供用來於致能信號OSC_EN啟動的一時期期間將第四和 第五MOS電晶體PMOS4和PMOS5可靠關機。於接收從降位 準移位器510輸出之具有電力供應電壓VDD位準的一信號 後,第三MOS電晶體PMOS3開機。結果,具有定值位準之 電壓VINT施於第四和第五MOS電晶體PMOS4和PMOS5之 閘。然後,第四和第五MOS電晶體PMOS4和PMOS5關機。 藉由於電荷抽送器600停止執行電子電荷抽送作業時重 置第一至第四節點P1BOOT、P2BOOT、G1BOOT和 G2BOOT,根據本發明之輸出負電壓VBB的產生電路可以有 效率地執行電子電荷抽送作業,以便提供負電壓VBB。因 此,有可能可靠提供負電壓VBB給根據本發明之產生電路。 再者,該產生電路以較傳統產生電路更少之抽送作業數 目提供相同數量的負電壓VBB,因為該產生電路可靠提供 負電壓VBB。因此,本發明有可能最小化一產生電路的一 103068.doc • 22- 1312915 111,112, 113, 114, 115, 116, 117, 118, 119,120, 121,122 ND1, ND2, ND3, ND4, ND5, ND6 NM1, NM2 NOR1 NAND 閘 NMOS電晶體 NOR閘
PI, P2 P5 PM1, PM2, PM3, PM4, PM5, PM6, PM7,PM8, PM9, PM10, PM11, PM12 PMOS1, PMOS2, PMOS3, PMOS4, PMOS5 MOS電晶體 重置電容器 電容器 重置MOS電晶體 103068.doc -25-

Claims (1)

13 1茨(^23637號專利申請案
中文申請專利範圍替換本(97年1〇月) 十、申請專利範圍: '—種用於—半導體裝置中之負電壓產生電路,包含: 藉由將一電子電荷抽送至供應給一第一節點與一第二 節點之#預定位準而產生一負電壓的一電子電由 送構件; 用以提供一第一抽送時脈信號和一第二抽送 的一控制單元; 用以控制將若干電子電荷供應給該第一節點和第 點以響應第—和第二抽送時脈信號的一抽送控制構件; 以及 ’ 時抽送時脈信號和該第二抽送時脈信號不啟動 ,"電子電何抽送構件之第一節 負電壓之位準的一I即點重置為 议平的重置控制構件。 2 如請求項1之負電壓 墙 電路’其中第一抽送時脈作號在 ^ ^ '仏唬係於母一預定區間交替計時以響雁自 電壓的一位準。 | 丁 μ響應負 3.如請求項2之負電壓 括: 生電路,其令該抽送控制構件包 用以控制將電子電荷從輸出終端 響應一第—妯1 + < 送至°亥第—節點以 用以控制蔣t 2 # 抽V控制構件;以及 制將電子電荷從輸出終 響應—第二拙$吐nr v 、端抽一至该第二節點以 4·如請求項A 弟一抽达控制構件。 項3之負電壓產生電路,其 包括: 、中°亥電子電荷抽送構件 103068-971017.doc 1312915 將電子電荷從輪出終 鳊得輸至該第—節點與第二筘點 之-的-電子電荷傳輪構件; 即點 用以切換該第-節點與—接地電壓的一第 件;以及 莰地4 Μ的第一切換構 用以切換該第二節點虚 5·如請求項4之… 的一第二切換構件。 “項4之負電屋產生電路,進-步包括: 用以接收_隻 , 的-第換信號及切換該第-切換構件 弟抽运切換控制構件,苴中箆—妯、关+认 從該控制單元輸出,& 〃中第#送切換信號係 ' 且具有與第一抽送時脈_沪彳目/5 的一相位;以及 了脈饴唬相反 用以接收一第-社、主+ 的一第…抽送切換信號及切換該第二切換構件 第-抽送切換控制構件,其中第 從該控制單开鉍山 之切換係 的一相位。輪出’而且具有與第二抽送時脈信號相反 6 ·如請求項5 > έ + 接至巧/電路’其中該第—切換構件係連 該:第―郎點和接地電壓的一第一 pM〇s電晶體,而且 輸*的:::件的-閘接收從該第-抽送切換控制構件 接至該Γ:?電壓產生電路’其中該第二切換構件係連 即點和接地電壓的一第二PMOS電晶體,而且 :出的—換構件的一閘接收從該第二抽送切換控制構件 别的—信號。 8.如請求項7 > & & 和第、、之負電壓產生電路,其中當第一袖送時脈信號 由送時脈信號不啟動時該重置控制構件將該第一 103068-971017.doc -2 - 1312915 切^構件和第二切換構件之問重置為接地電壓位準。 .如β求項8之負電壓產生電路,其中該控制單元包括: 乂感測經由輸出終端提供之負電壓位準並且輸出一 致能信號以響應感測之負電壓位準的—感測構件;’ 用以振盪一時脈信號以響應該致能信號的一振盪構 "用二!出一第一抽送信號和一第二抽送信號的-相位 工制構件’其中該第-和第二抽送信號具有彼此相反之 相位;以及 =根據該致能信號控制該第一和第二抽送時脈信號 ::弟-及第二抽送切換信號之啟動的一第二重置控制 構件。 Α如請求項9之負電麼產生電路,其中該重置控制構件包 括· -種用以將一電力供應電壓和接地電壓之致能信號的
-位準移位至電力供應電壓和負電愿的一位準之 移位器; τ種用以將電力供應電壓和接地電壓之致能信號的_ 位準移位至—高電展和接地電虔的-位準之升位準移位 器’其中該高電壓的—位準高於電力供應電壓之位準; 第一和第二MOS電晶體,用以將從其第一終端輸入之 接地Μ輸出至分別連接至該第—和第二刪電晶體之 第二終端的第一和第二PM〇s電晶體之閘,· -種用以倒置及輸出由該降位準移位器移位之致能信 i03068-97I017.doc 1312915 號的反相器; -種將透過其第一終端輸入的一輸入電壓傳輸至其第 -終w響應從該反相器輸出的—信號之第三则電晶 體,其中該輸入電麼小於電力供應電麼但大於電力供應曰 電麼減去負電壓其一絕對值的一電壓; 種透過其第-終端接收從該升位準移位器輸出的一 信號之電容器;以及
用以將從其第一終端輸入之負電壓輸出至分別連接至 其第二終端之第-和第二節點的第四和第五刪電晶 體’其中該第四和第五M0S電晶體—起連接至該電容器 的一第二終端和該第三MOS電晶體的一帛二終端。 11·如請求項10之負電塵產生電路,其中該感測構件包括: 透過其閘接收接地電壓的一第六;^〇8電晶體,其中該 第六MOS電晶體的一第一終端連接至電力供應電壓; 透過其閘接收負電壓的一第七M〇s電晶體,其中該第 七MOS電晶體的一第一終端連接至電力供應電壓;以及 透過其輸出終端提供致能信號的一第一緩衝器,其中 该第一緩衝器的一輸入終端連接至該第六和第七M〇s電 晶體的一共用第二終端。 it如請求項U之負電壓產生電路,其中該振盪構件包括: 一種透過其第一終端接收致能信號之第—NAND閘; 一種用以倒置及傳輸從該第一 NAND閘輸出的一信號 之第一反相器,其中該第一反相器具備偶數個反相器, 而且一第一輸入接收來自該NAND閘之輸出信號,而且一 I03068-971017.doc -4 - 1312915 最後輸出提供給該NAND閘的—第二終端;以及 種用以緩衝具有奇數個第—反相器的一反相器其一 輸出並將其當作時脈信號予以輸出之第二緩衝器。 月长員12之負電壓產生電路,其中該相位控制構件包 括: 種用以將從該振盪構件輸出之時脈信號延遲一第一 預定區間的第—延遲構件; 種用以將彳< 該第—延遲構件輸出之時脈信號延遲-第二預定區間的第二延遲構件; 種用以執行對該時脈信號和由言亥第二延遲構件延遲 的一時脈信號之一邏輯運算的OR閘; 種用以執行對該時脈信號和由該第二延遲構件延遲 之時脈信號之—邏輯運算的NAND閘; -種用以倒置從肖第—延遲構件@出的—信號之第二 反相器;以及 -種用以緩衝從該第一延遲構件輸出之信號的第三緩 衝器。 Μ.如請求項13之負電壓產生電路,其中該第二重置控制構 件包括: 用以接收從該相位控制構件之〇R閑輸出的—信號和從 該感測構件輸出之致能信號而且輸出第一抽送時脈信號 的一第一 AND閘; 化 用以接收從該相位控制構件之第二NAND閘輸出的一 信號和從該感測構件輸出之致能信號而且輸出第二抽送 103068-971017.doc 1312915 時脈信號的一第二AND開; 用以接收從該相位控制構件之第二反相 號和從該感測構件輸出之致能信號而且輸㈣2 一信 換信號的一第三NAND閘;以及 抽送切 用以接收從該相位㈣構件之第三緩衝 =從該感測構件輸出之致能信號而且輸出第二二: 換4號的一第四NAND閘。 '、刀 15.:請求項14之負電壓產生電路,其中該 控制構件分別包括一第一和第二 ::抽适 笛-#^ 电今窃其中該第一和 -電谷器透過其[終端接收第—和第二抽送日 二而且其第二終端分別連接至該第一和第二節點。。 項15之負電壓產生電路,其中該第-抽送切換控 制構件包括: 。。透過其第-終端接收第—抽送切換信號的—第三電容 益其中該第三電容器的一第二終端連接至該第一節 點,以及 使該第〕電容器之第二終端的一節點 麼範圍中的一第一鉗位電路。 電 ^如請求項15之負電壓產生電路,其中該第一鉗位電路包 括: 連接於該第一節點和接地電壓間的一第一鉗位PMOS 電晶體,其中該第一鉗位PMOS電晶體的一閘連接至接地 電壓; ”第一終端連接至接地電壓的一第二鉗位PM〇s電晶 103068-971017.doc 1312915 體’其中該第二鉗位PMOS電晶體的一閘和一第二終端連 接在一起;以及 /、第一終端連接至該第二鉗位pM〇s電晶體之第二終 =的—第三鉗位PM0S電晶體,其中該第三鉗位pM〇s電 晶體的—閘和一第二終端連接至該第一節點。 18. 如請求項17之負電壓產生電路,其中該第二抽送切換控 制構件包括: 透過其第一終端接收第二抽送切換信號的一第四電容 器其中該第四電容器的一第二終端連接至該第二節 點;以及 使《亥第四電容器之第二終端的一節點停留在一預定電 壓範圍中的一第二鉗位電路。 19. 如請求項18之負電壓產生電路,其中該第二鉗位電路包 括: 連接於該第一節點與接地電壓間的一第四钳位PM〇s 電晶體,其中該第四鉗位pM〇s電晶體的一閘連接至接地 電壓; 其第一終端連接至接地電壓的一第五鉗位PM〇S電晶 體’其中該第五鉗位PMOS電晶體的一閘和一第二終端彼 此連接;以及 其第一終端連接至該第五鉗位PMOS電晶體之第二終 知的一第六鉗位PMOS電晶體’其中該第六鉗位pmos電 晶體的一閘和一第二終端連接至該第二節點。 20. 如凊求項19之負電壓產生電路,其中該電子電荷傳輸構 103068-971017.doc 1312915
件包括其閘彼此交叉耦合之第一和第二NMOS電晶體,其 中該第一和第二NMOS電晶體之第一終端一起連接至輸 出終端,而且該第一和第二NMOS電晶體之第二終端分別 連接至該第一和第二節點。 103068-971017.doc
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Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100633332B1 (ko) * 2004-11-09 2006-10-11 주식회사 하이닉스반도체 음의 전압 공급회로
KR100727440B1 (ko) * 2005-03-31 2007-06-13 주식회사 하이닉스반도체 내부전원 생성장치
KR100826647B1 (ko) * 2006-11-20 2008-05-06 주식회사 하이닉스반도체 전압펌프 초기화 회로 및 이를 이용한 전압 펌핑장치
KR20080100539A (ko) * 2007-05-14 2008-11-19 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 내부전압 발생기 및 발생방법
KR100870429B1 (ko) * 2007-08-30 2008-11-25 주식회사 하이닉스반도체 내부 전압 생성 회로
KR100915816B1 (ko) * 2007-10-04 2009-09-07 주식회사 하이닉스반도체 내부 전압 생성 회로
US7760010B2 (en) * 2007-10-30 2010-07-20 International Business Machines Corporation Switched-capacitor charge pumps
KR100927402B1 (ko) 2007-11-05 2009-11-19 주식회사 하이닉스반도체 반도체 메모리 소자
KR101222062B1 (ko) * 2011-01-27 2013-01-15 에스케이하이닉스 주식회사 반도체 집적회로
US9026063B2 (en) * 2011-05-17 2015-05-05 Triquint Semiconductor, Inc. Complementary metal-oxide semiconductor direct current to direct current converter
US20130002343A1 (en) * 2011-06-29 2013-01-03 Synopsys Inc. High voltage regulation in charge pumps
US9847133B2 (en) * 2016-01-19 2017-12-19 Ememory Technology Inc. Memory array capable of performing byte erase operation
CN108880233B (zh) * 2018-08-03 2023-10-24 上海艾为电子技术股份有限公司 一种电荷泵电路
CN114257084B (zh) * 2021-12-24 2023-07-18 恒烁半导体(合肥)股份有限公司 一种具有快启功能的电荷泵电路及其应用

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10255469A (ja) * 1997-03-07 1998-09-25 Mitsubishi Electric Corp 半導体集積回路
JP3904282B2 (ja) * 1997-03-31 2007-04-11 株式会社ルネサステクノロジ 半導体集積回路装置
US5945869A (en) * 1997-05-23 1999-08-31 Texas Instruments Incorporated Voltage detector using body effect
US6335893B1 (en) * 1997-06-16 2002-01-01 Hitachi, Ltd. Semiconductor integrated circuit device
KR100243295B1 (ko) 1997-06-26 2000-02-01 윤종용 반도체장치의 백 바이어스 발생기 및 그 발생방법
JP2000049299A (ja) 1998-05-25 2000-02-18 Mitsubishi Electric Corp チャージポンプ回路およびそれを備える不揮発性半導体記憶装置
KR20000013309A (ko) 1998-08-06 2000-03-06 윤종용 고전압 발생 회로
US6281724B1 (en) * 1998-11-17 2001-08-28 Analog Devices, Inc. Circuit for partial power-down on dual voltage supply integrated circuits
KR100348221B1 (ko) * 1998-12-30 2002-09-18 주식회사 하이닉스반도체 고전압 발생기
US6456152B1 (en) * 1999-05-17 2002-09-24 Hitachi, Ltd. Charge pump with improved reliability
US6337595B1 (en) * 2000-07-28 2002-01-08 International Business Machines Corporation Low-power DC voltage generator system
KR100401521B1 (ko) * 2001-09-20 2003-10-17 주식회사 하이닉스반도체 고전압 동작용 승압 회로
KR100633332B1 (ko) * 2004-11-09 2006-10-11 주식회사 하이닉스반도체 음의 전압 공급회로

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