CN114257084B - 一种具有快启功能的电荷泵电路及其应用 - Google Patents

一种具有快启功能的电荷泵电路及其应用 Download PDF

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Abstract

本发明涉及电路设计技术领域，公开了一种具有快启功能的电荷泵电路及其应用，包括电荷泵主电路、振荡器电路、快启比较器电路，创新设计的双比较器电路，通过引入一个快速启动基准来实现两次对比，预先使能电荷泵主电路启动工作、建立初值，有效提高了电荷泵电压建立速度和精确度，具有较高的实用价值和广泛的应用前景。

Description

一种具有快启功能的电荷泵电路及其应用
技术领域
本发明涉及电路设计技术领域，具体涉及一种具有快启功能的电荷泵电路及其应用。
背景技术
电荷泵电路用于为其他电路提供电压值不同于电源电压值的电压。
在一些应用场合，电荷泵电路需要在很短的时间内完成建立好稳定的目标电压输出。然而一般的电荷泵电路中比较器的建立时间影响到电荷泵响应到所需目标电压的速度，所以如何使得电荷泵电路快速建立，成为了亟需解决的问题。
发明内容
针对现有技术的不足，本发明提供一种具有快启功能的电荷泵电路电路，能实现电荷泵电路的快速稳定建立。
本发明解决技术问题采用如下技术方案：
一种具有快启功能的电荷泵电路，包括电荷泵主电路，所述电荷泵主电路配置成用于建立并输出目标电压，还包括：
耦合至所述电荷泵主电路的振荡器电路，所述振荡器电路配置成用于驱动所述电荷泵主电路；
分别耦合至所述振荡器电路输入端和所述电荷泵主电路输出端的快启比较器电路，所述快启比较器电路配置成用于根据电荷泵主电路输出信号VHV_DIV与快启基准信号Vref1和目标基准信号Vref2的比较结果输出振荡器使能信号OSCEN送入振荡器电路，配合控制对电荷泵主电路的驱动，使得电荷泵主电路在目标基准信号Vref2生成稳定前启动并保持工作状态以建立初值。
优选地，所述使得电荷泵主电路在目标基准信号Vref2生成稳定前启动并保持工作状态以建立初值具体包括：
配置快启基准信号Vref1和目标基准信号Vref2，使得电荷泵主电路输出信号VHV_DIV低于快启基准信号Vref1时启动，并保持工作状态直至输出信号VHV_DIV爬升至快启基准信号Vref1，其中所述目标基准信号Vref2不晚于VHV_DIV爬升至快启基准信号Vref1时生成稳定。
优选地，所述电荷泵主体电路包括若干相互级联的电荷泵单元以及电阻R1、R2，所述电阻R1、R2串联后一端接入最后一级电荷泵单元输出端，另一端接地，电阻R1、R2的连接端作为输出节点输出电荷泵主电路输出信号VHV_DIV。
优选地，所述电荷泵单元包括PMOS管PM1～PM4、NMOS管NM1～NM2以及电容C1和C2，其中，
NMOS管NM1和NM2共源端并作为电荷泵单元的输入端接入信号VIN，NMOS管NM1的漏端与NM2的栅端、PMOS管PM3和PM1的漏端以及电容C1的下极板相连，NMOS管NM2的漏端与NM1的栅端、PMOS管PM4和PM2的漏端以及电容C2的上极板相连，PMOS管PM1和PM2的源端相连作为电荷泵单元的输出端输出信号VHN，PMOS管PM1的栅端与PM2的漏端相连，PMOS管PM2的栅端与PM1的漏端相连，PMOS管PM3和PM4的栅端均接入电荷泵使能信号VHV_EN、源端均接电源VDD，所述电容C1上极板和C2下极板分别接入驱动信号PH1和PH2。
优选地，所述振荡器电路包括第一与非门、若干相互级联的振荡器单元和时钟逻辑控制单元，其中，
所述第一与非门和时钟逻辑控制单元的输入端均接入振荡器使能信号OSCEN和最后一级振荡器单元的输出信号VOUT_OSC，所述第一与非门的输出端与第一级振荡器单元的输入端相连，所述时钟逻辑控制单元输出端分别输出驱动信号PH1和PH2。
优选地，所述振荡器单元包括NMOS管NM3、NM4以及PMOS管PM5和PM6，其中，
NMOS管NM3和PMOS管PM5共栅端并作为振荡器单元的输入端接入信号VIN_OSC、共漏端并作为振荡器单元的输出端输出信号VOUT_OSC，所述PMOS管PM6和NMOS管NM4栅端分别接入偏置信号VBIAS1和VBIAS2、源端分别接电源VDD和接地，PMOS管PM6漏端与PM5源端相连，NMOS管NM4漏端与NM3源端相连。
优选地，所述快启比较器电路包括第一比较器单元和第二比较器单元，所述第一比较器单元和第二比较器单元配置为在电荷泵使能信号VHV_EN为高后，第一比较器电路接收快启基准信号Vref1快速使能电荷泵主电路的启动建立初值，至目标基准信号Vref2生成稳定后，由第二比较器电路根据电荷泵主电路输出信号VHV_DIV与目标基准信号Vref2的比较结果控制使能电荷泵主电路的工作与否。
优选地，所述第一比较器单元包括NMOS管NM5～NM10、PMOS管PM7～PM9以及反相器I1～I3、第一或非门和第二与非门；
所述NMOS管NM5的栅端和漏端与NM6的栅端共同接入信号IREF，NMOS管NM5和NM6共源端并接地，NMOS管NM6的漏端与NM7的源端相连，NMOS管NM8和NM9共源端并接入NM7的漏端、栅端分别接入电荷泵主电路输出信号VHV_DIV和快启基准信号Vref1，NMOS管NM8的漏端与PMOS管PM7的漏端且栅端以及PM8的漏端和PM9的栅端相连，PMOS管PM7～PM9共源端且与电源电压VDD相连，PMOS管PM8和NMOS管NM7的栅端均接入第一比较器使能信号COMP1EN，NMOS管NM10的源端接地且栅端接入第一比较器使能信号的反相信号COMP1ENB，PMOS管PM9、和NMOS管NM9、NM10的漏端接入反相器I1的输入端，反相器I1的输出端与第二比较器的输出信号OSCEN2接入第一或非门的输入，第一或非门的输出通过反相器I2反相后与第二比较器使能信号COMP1EN共同接入第二与非门，第二与非门的输出通过反相器I3后输出振荡器使能信号OSCEN；
所述第二比较器单元包括NMOS管NM11～NM15、PMOS管PM10～PM12以及反相器I4，其中，所述NMOS管NM11的栅端接入信号IREF，NMOS管NM11源端接地，NMOS管NM11的漏端与NM12的源端相连，NMOS管NM13和NM14共源端并接入NM12的漏端且栅端分别接入电荷泵主电路输出信号VHV_DIV和目标基准信号Vref2，NMOS管NM13的漏端与PMOS管PM10的漏端、栅端以及PM11的漏端和PM12的栅端相连，PMOS管PM10～PM12共源端且与电源电压VDD相连，PMOS管PM11和NMOS管NM12的栅端接入第二比较器使能信号COMP2EN，NMOS管NM15的源端接地且栅端接入第二比较器使能信号的反相信号COMP2ENB，PMOS管PM12和NMOS管NM14、NM15的漏端接入反相器I4的输入端，反相器I4输出端输出第二比较器的输出信号OSCEN2。
优选地，所述快启基准信号Vref1由快启基准电路生成，所述目标基准信号Vref2由带隙基准电路生成，所述目标基准信号Vref2的精度高于快启基准信号Vref1。
本发明还提供一种芯片电路，所述芯片电路中包括前述的电荷泵电路。
与现有技术相比，本发明具有如下的有益效果：
本发明设计的电荷泵主电路、振荡器电路、快启比较器电路相互匹配工作，能够有效提高电荷泵电路的工作性能，创新设计的双比较器电路，通过引入一个快速启动基准来实现两次对比，预先使能电荷泵主电路启动工作、建立初值，有效提高了电荷泵电压建立速度和精确度，通过在关键节点建立初值，显著提高电荷泵电路的建立速度，大大减小了电荷泵电路的启动时间，从而大幅度的提高整体电路的工作频率。
关于本发明相对于现有技术，其他突出的实质性特点和显著的进步在实施例部分进一步详细介绍。
附图说明
通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本发明的其它特征、目的和优点将会变得更明显：
图1是本实施例中具有快启功能的电荷泵电路的结构示意图；
图2是本实施例中电荷泵主电路电路结构示意图；
图3是本实施例中电荷泵单元的电路图；
图4是本实施例中振荡器电路的电路结构图；
图5是本实施例中振荡器单元的电路结构图；
图6是本实施例中第一比较器单元的电路结构图；
图7是本实施例中第二比较器单元的电路结构图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
需要说明的是，在说明书及权利要求书当中使用了某些名称来指称特定组件。应当理解，本领域普通技术人员可能会用不同名称来指称同一个组件。本申请说明书及权利要求书并不以名称的差异作为区分组件的方式，而是以组件在功能上的实质性差异作为区分组件的准则。如在本申请说明书和权利要求书中所使用的“包含”或“包括”为一开放式用语，其应解释为“包含但不限定于”或“包括但不限定于”。具体实施方式部分所描述的实施例为本发明的较佳实施例，并非用以限定本发明的范围。
实施例1
请参照图1-7，本施例的一种具有快启功能的电荷泵电路，如图1所述，包括电荷泵主电路、振荡器电路和快启比较器电路；
上述电荷泵主电路，如图2所示，包括多级电荷泵单元与第一电阻R1和第二电阻R2，其中多级电荷泵单元串联，最后一级电荷泵单元输出信号VHV接入第一电阻R1的上端，第一电阻R1的下端和第二电阻R2的上端相连作为输出节点输出电荷泵主电路输出信号VHV_DIV,第二电阻R2的下端和地gnd相连；
本实施例中电荷泵单元如图3所示，包括第一PMOS管PM1，第二PMOS管PM2、第三PMOS管PM3和第四PMOS管PM4、第一NMOS管NM1、第二NMOS管NM2以及第一电容C1和第二电容C2；
其中输入信号VIN与第一NMOS管NM1和第二NMOS管NM2的源端相连，在这里输入信号VIN一般为电源电压VDD，第一NMOS管NM1的漏端与第二NMOS管NM2的栅端、第三PMOS管PM3和第一PMOS管PM1的漏端以及第一电容C1的下极板相连，第二NMOS管NM2的漏端与第一NMOS管NM1的栅端、第四PMOS管PM4和第二PMOS管PM2的漏端以及第二电容C2的上极板相连，第一PMOS管PM1和第二PMOS管PM2的源端相连作为电荷泵单元的输出端输出信号VHN，第一PMOS管PM1的栅端与PM2的漏端相连，第二PMOS管PM2的栅端与PM1的漏端相连，第三PMOS管PM3和第四PMOS管PM4的栅端均接入电荷泵使能信号VHV_EN、源端均接电源电压VDD，所述第一电容C1上极板和第二C2下极板分别接入驱动信号PH1和PH2；
为了使电荷泵主电路在输出节点建立初态，在电荷泵电路未工作前使电荷泵使能信号VHV_EN为低，从而电荷泵单元中输出节点为电源电压VDD；
为给电荷泵主电路提供驱动，本实施例采用的振荡器电路如图4所示，包括第一与非门、若干相互级联的振荡器单元和时钟逻辑控制单元，其中，
第一与非门和时钟逻辑控制单元的输入端均接入振荡器使能信号OSCEN和最后一级振荡器单元的输出信号VOUT_OSC，第一与非门的输出端与第一级振荡器单元的输入端相连，时钟逻辑控制单元输出端分别输出驱动信号PH1和PH2；
在本实施例中，如图5所示，振荡器单元包括第三NMOS管NM3、第四NMOS管NM4以及第五PMOS管PM5和第六PMOS管PM6，其中，
第三NMOS管NM3和第五PMOS管PM5共栅端并作为振荡器单元的输入端接入信号VIN_OSC，同时第三NMOS管NM3和第五PMOS管PM5共漏端并作为振荡器单元的输出端输出信号VOUT_OSC，第六PMOS管PM6和第四NMOS管NM4栅端分别接入偏置信号VBIAS1和VBIAS2，同时第六PMOS管PM6和第四NMOS管NM4的源端分别接电源VDD和接地，第六PMOS管PM6漏端与，第五PMOS管PM5源端相连，第四NMOS管NM4漏端与第三NMOS管NM3源端相连；
在本实施例中为了使得电荷泵电路快速响应，引入一个快速启动基准信号Vref1，其中快启基准信号Vref1由快启基准电路生成，目标基准信号Vref2由带隙基准电路生成，目标基准信号Vref2的精度高于快启基准信号Vref1，为此匹配设计了快启比较器电路，快启比较器电路配置成用于根据电荷泵主电路输出信号VHV_DIV与快启基准信号Vref1和目标基准信号Vref2的比较结果输出振荡器使能信号OSCEN送入振荡器电路，配合控制对电荷泵主电路的驱动，使得电荷泵主电路在目标基准信号Vref2生成稳定前启动并保持工作状态以建立初值，具体包括：
配置快启基准信号Vref1和目标基准信号Vref2，使得电荷泵主电路输出信号VHV_DIV低于快启基准信号Vref1时启动，并保持工作状态直至输出信号VHV_DIV爬升至快启基准信号Vref1，其中所述目标基准信号Vref2不晚于VHV_DIV爬升至快启基准信号Vref1时生成稳定；
本实施例中快启比较器电路包括第一比较器单元和第二比较器单元，所述第一比较器单元和第二比较器单元配置为在电荷泵使能信号VHV_EN为高后，第一比较器电路接收快启基准信号Vref1快速使能电荷泵主电路的启动建立初值，至目标基准信号Vref2生成稳定后，由第二比较器电路根据电荷泵主电路输出信号VHV_DIV与目标基准信号Vref2的比较结果控制使能电荷泵主电路的工作与否；
具体的本实施例中的第一比较器单元包括第五NMOS管NM5、第六NMOS管NM6、第七NMOS管NM7、第八NMOS管NM8、第九NMOS管NM9和第十NMOS管NM10，第七PMOS管PM7、第八PMOS管PM8和第九PMOS管PM9以及第一反相器I1、第二反相器I2、第三反相器I3、第一或非门和第二与非门；
其中第五NMOS管NM5的栅端和漏端与第六NMOS管NM6的栅端共同接入信号IREF，此IREF信号为一个由外部电路产生的电流信号，通过电流镜形式为比较器提供尾电流源，第六NMOS管NM6在第一比较器工作前关断，启动后处于饱和区，配合IREF信号为第一比较器提供尾电流源，第五NMOS管NM5和第六NMOS管NM6共源端并接地，第六NMOS管NM6的漏端与第七NMOS管NM7的源端相连，第八NMOS管NM8和第九NMOS管NM9共源端并接入第七NMOS管NM7的漏端，同时第八NMOS管NM8和第九NMOS管NM9栅端分别接入电荷泵主电路输出信号VHV_DIV和快启基准信号Vref1，第八NMOS管NM8的漏端与第七PMOS管PM7的漏端且栅端以及第八PMOS管PM8的漏端和第九PMOS管PM9的栅端相连，PMOS管PM7～PM9共源端且与电源电压VDD相连，第八PMOS管PM8和第七NMOS管NM7的栅端均接入第一比较器使能信号COMP1EN，第十NMOS管NM10的源端接地且栅端接入第一比较器使能信号的反相信号COMP1ENB，PMOS管PM9和NMOS管NM9、NM10的漏端相连，输出信号OSCENB1接入第一反相器I1的输入端，第一反相器I1的输出信号OSCEN1与第二比较器的输出信号OSCEN2接入第一或非门的输入，第一或非门的输出通过第二反相器I2反相后与第二比较器使能信号COMP1EN共同接入第二与非门，第二与非门的输出通过第三反相器I3后输出振荡器使能信号OSCEN；
本实施例中的第二比较器单元，如图7所示，包括第十一NMOS管NM11、第十二NMOS管NM12、第十三NMOS管NM13、第十四NMOS管NM14和第十五NMOS管NM15、第十PMOS管PM10、第十一PMOS管PM11和第十二PMOS管PM12以及第四反相器I4；
其中，第十一NMOS管NM11的栅端接入信号IREF，为保持第一比较器和第二比较器的一致性，在本实施例中同样通过与第一比较器相同的电流镜单元为第十一NMOS管NM11的栅端提供信号IREF的接入，即第五NMOS管NM5的栅端和漏端与第十一NMOS管NM11的栅端共同接入信号IREF，第十一NMOS管NM11和NM5源端均接地，NMOS管NM11的漏端与NM12的源端相连，第十三NMOS管NM13和NM14共源端并接入NM12的漏端，且第十三NMOS管NM13和NM14栅端分别接入电荷泵主电路输出信号VHV_DIV和目标基准信号Vref2，第十三NMOS管NM13的漏端与第十PMOS管PM10的漏端、栅端以及第十一PMOS管PM11的漏端和第十二PMOS管PM12的栅端相连，PMOS管PM10～PM12共源端且与电源电压VDD相连，第十一PMOS管PM11和第十二NMOS管NM12的栅端均接入第二比较器使能信号COMP2EN，第十五NMOS管NM15的源端接地且栅端接入第二比较器使能信号的反相信号COMP2ENB，PMOS管PM12和NMOS管NM14、NM15的漏端接入第四反相器I4的输入端，第四反相器I4输出端输出第二比较器的输出信号OSCEN2。
当第一比较器使能信号COMP1EN信号和第二比较器使能信号COMP2EN信号为高时，第一比较器和第二比较器使能，第一比较器使用快启基准信号Vref1，第二比较器使用更精准的目标基准信号Vref2，此时电荷泵主电路输出信号VHV_DIV电压低于快启基准信号Vref1，输出信号OSCENB1为低，经过第一反相器I1后输出信号为高，虽然此时目标基准信号Vref2尚未生成稳定建立好，第二比较器的输出信号OSCEN2为低，二者通过第一或非门后输出信号为低，再通过第二反相器I2与第一与非门的输入相接后得到输出信号再通过第三反相器I3振荡器使能信号OSCEN，尽管第二比较器此时缺位，但OSCEN信号仍然为高，使能振荡器电路为电荷泵主电路提供驱动信号PH1和PH2，经过一段时间后，电荷泵输出电压爬升到VHV_DIV信号高于快启基准Vref1时，输出信号OSCENB1为高，而此时更加精准的第二比较器的目标基准信号Vref2也建立稳定完成，VHV_DIV信号与目标基准信号Vref2进行比较来判断电荷泵电压是否达到所需目标输出电压，避免精确的第二基准建立稳定完成之前，电荷泵电路停止工作。
综上所述的整个工作原理可以清晰得到，本实施例的电荷泵电路能够大大地减小带电荷泵电路的建立时间。
实施例2
本实施例提供一种芯片电路，该芯片电路中包括如前述实施例中的电荷泵电路。
对于本领域技术人员而言，显然本发明不限于上述示范性实施例的细节，而且在不背离本发明的精神或基本特征的情况下，能够以其他的具体形式实现本发明。因此，无论从哪一点来看，均应将实施例看作是示范性的，而且是非限制性的，本发明的范围由所附权利要求而不是上述说明限定，因此旨在将落在权利要求的等同要件的含义和范围内的所有变化囊括在本发明内。不应将权利要求中的任何附图标记视为限制所涉及的权利要求。
此外，应当理解，虽然本说明书按照实施方式加以描述，但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案，说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见，本领域技术人员应当将说明书作为一个整体，各实施例中的技术方案也可以经适当组合，形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。

Claims (8)

1.一种具有快启功能的电荷泵电路，包括电荷泵主电路，所述电荷泵主电路配置成用于建立并输出目标电压，其特征在于，还包括：
耦合至所述电荷泵主电路的振荡器电路，所述振荡器电路配置成用于驱动所述电荷泵主电路；
分别耦合至所述振荡器电路输入端和所述电荷泵主电路输出端的快启比较器电路，所述快启比较器电路配置成用于根据电荷泵主电路输出信号VHV_DIV与快启基准信号Vref1和目标基准信号Vref2的比较结果输出振荡器使能信号OSCEN送入振荡器电路，配合控制对电荷泵主电路的驱动，使得电荷泵主电路在目标基准信号Vref2生成稳定前启动并保持工作状态以建立初值；
所述使得电荷泵主电路在目标基准信号Vref2生成稳定前启动并保持工作状态以建立初值具体包括：
配置快启基准信号Vref1和目标基准信号Vref2，使得电荷泵主电路输出信号VHV_DIV低于快启基准信号Vref1时启动，并保持工作状态直至输出信号VHV_DIV爬升至快启基准信号Vref1，其中所述目标基准信号Vref2不晚于VHV_DIV爬升至快启基准信号Vref1时生成稳定；
所述快启比较器电路包括第一比较器单元和第二比较器单元，所述第一比较器单元和第二比较器单元配置为在电荷泵使能信号VHV_EN为高后，第一比较器电路接收快启基准信号Vref1快速使能电荷泵主电路的启动建立初值，至目标基准信号Vref2生成稳定后，由第二比较器电路根据电荷泵主电路输出信号VHV_DIV与目标基准信号Vref2的比较结果控制使能电荷泵主电路的工作与否。
2.根据权利要求1所述的一种具有快启功能的电荷泵电路，其特征在于，所述电荷泵主电路包括若干相互级联的电荷泵单元以及电阻R1、R2，所述电阻R1、R2串联后一端接入最后一级电荷泵单元输出端，另一端接地，电阻R1、R2的连接端作为输出节点输出电荷泵主电路输出信号VHV_DIV。
3.根据权利要求2所述的一种具有快启功能的电荷泵电路，其特征在于，所述电荷泵单元包括PMOS管PM1~PM4、NMOS管NM1~NM2以及电容C1和C2，其中，
NMOS管NM1和NM2共源端并作为电荷泵单元的输入端接入信号VIN，NMOS管NM1的漏端与NM2的栅端、PMOS管PM3和PM1的漏端以及电容C1的下极板相连，NMOS管NM2的漏端与NM1的栅端、PMOS管PM4和PM2的漏端以及电容C2的上极板相连，PMOS管PM1和PM2的源端相连作为电荷泵单元的输出端输出信号VHN，PMOS管PM1的栅端与PM2的漏端相连，PMOS管PM2的栅端与PM1的漏端相连，PMOS管PM3和PM4的栅端均接入电荷泵使能信号VHV_EN、源端均接电源VDD，所述电容C1上极板和C2下极板分别接入驱动信号PH1和PH2。
4.根据权利要求3所述的一种具有快启功能的电荷泵电路，其特征在于，所述振荡器电路包括第一与非门、若干相互级联的振荡器单元和时钟逻辑控制单元，其中，
所述第一与非门和时钟逻辑控制单元的输入端均接入振荡器使能信号OSCEN和最后一级振荡器单元的输出信号VOUT_OSC，所述第一与非门的输出端与第一级振荡器单元的输入端相连，所述时钟逻辑控制单元输出端分别输出驱动信号PH1和PH2。
5.根据权利要求4所述的一种具有快启功能的电荷泵电路，其特征在于，所述振荡器单元包括NMOS管NM3、NM4以及PMOS管PM5和PM6，其中，
NMOS管NM3和PMOS管PM5共栅端并作为振荡器单元的输入端接入信号VIN_OSC、共漏端并作为振荡器单元的输出端输出信号VOUT_OSC，所述PMOS管PM6和NMOS管NM4栅端分别接入偏置信号VBIAS1和VBIAS2、源端分别接电源VDD和接地，PMOS管PM6漏端与PM5源端相连，NMOS管NM4漏端与NM3源端相连。
6.根据权利要求1所述的一种具有快启功能的电荷泵电路，其特征在于，所述第一比较器单元包括NMOS管NM5~NM10、PMOS管PM7~PM9以及反相器I1~I3、第一或非门和第二与非门；
所述NMOS管NM5的栅端和漏端与NM6的栅端共同接入信号IREF，NMOS管NM5和NM6共源端并接地，NMOS管NM6的漏端与NM7的源端相连，NMOS管NM8和NM9共源端并接入NM7的漏端、栅端分别接入电荷泵主电路输出信号VHV_DIV和快启基准信号Vref1，NMOS管NM8的漏端与PMOS管PM7的漏端且栅端以及PM8的漏端和PM9的栅端相连，PMOS管PM7~PM9共源端且与电源电压VDD相连，PMOS管PM8和NMOS管NM7的栅端均接入第一比较器使能信号COMP1EN， NMOS管NM10的源端接地且栅端接入第一比较器使能信号的反相信号COMP1ENB，PMOS管PM9、和NMOS管NM9、NM10的漏端接入反相器I1的输入端，反相器I1的输出端与第二比较器的输出信号OSCEN2接入第一或非门的输入，第一或非门的输出通过反相器I2反相后与第二比较器使能信号COMP1EN共同接入第二与非门，第二与非门的输出通过反相器I3后输出振荡器使能信号OSCEN；
所述第二比较器单元包括NMOS管NM11~NM15、PMOS管PM10~PM12以及反相器I4，其中，所述NMOS管NM11的栅端接入信号IREF，NMOS管NM11源端接地，NMOS管NM11的漏端与NM12的源端相连，NMOS管NM13和NM14共源端并接入NM12的漏端且栅端分别接入电荷泵主电路输出信号VHV_DIV和目标基准信号Vref2，NMOS管NM13的漏端与PMOS管PM10的漏端、栅端以及PM11的漏端和PM12的栅端相连，PMOS管PM10~PM12共源端且与电源电压VDD相连， PMOS管PM11和NMOS管NM12的栅端均接入第二比较器使能信号COMP2EN，NMOS管NM15的源端接地且栅端接入第二比较器使能信号的反相信号COMP2ENB，PMOS管PM12和NMOS管NM14、NM15的漏端接入反相器I4的输入端，反相器I4输出端输出第二比较器的输出信号OSCEN2。
7.根据权利要求6所述的一种具有快启功能的电荷泵电路，其特征在于，所述快启基准信号Vref1由快启基准电路生成，所述目标基准信号Vref2由带隙基准电路生成，所述目标基准信号Vref2的精度高于快启基准信号Vref1。
8.一种芯片电路，其特征在于，所述芯片电路中包括如权利要求1-7任意一项所述的电荷泵电路。
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