TWI311774B - Lithographic apparatus,substrate holder , and method of manufacturing - Google Patents

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TWI311774B
TWI311774B TW093112697A TW93112697A TWI311774B TW I311774 B TWI311774 B TW I311774B TW 093112697 A TW093112697 A TW 093112697A TW 93112697 A TW93112697 A TW 93112697A TW I311774 B TWI311774 B TW I311774B
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substrate holder
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lithography
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TW093112697A
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Koen Jacobus Johannes Maria Zaal
Empel Tjarko Adriaan Rudolf Van
Joost Jeroen Ottens
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Asml Netherlands Bv
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Description

1311774 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種微影投影裝置,其包括·· -一用於提供輻射之投影光束之輻射系統; -一用於支播圖案化構件之支#結構,該圖案化構件用於 根據所要圖案來圖案化該投影光束,· _一包括複數個突起部分之基板固持器, 末端界定-用於支樓一大體平直的基板之大想平 +面’該基板固持器具有提供用於將該基板擠M在該等* 起部分之末端之擠壓力的構件;將位於該基板固持器邊二 區之突起部分進行配置,以㈣於擠壓構件之㈣力對該 基板提供大體平直的垂懸;及 〆 一用於將該圖案化光束投影至該基板之目標部 投影系統。 、 【先前技術】 應將本文中所採用之術語"圖案化構件"廣泛閣釋為涉及 可用於藉由對應於在基板之目標部分中㈣造的圖案之圖 案化橫截面來❹人㈣射光束之構件;亦可在本内容中 使用術語”光闕、通常’該圖案將對應於該目標部分中所 創造之元件中的特定功能層’該元件諸如_積體電路或其 匕元件(見下文)。此圖案化構件之實例包含: •-遮罩。遮罩之概念在微影技術中係熟知的,且其包含 諸如二進位交互相移及衰減相移之遮罩類型以及各種混合 遮罩類型。根據遮罩上之圖t,此遮罩在㈣光束中之置 92910.doc 1311774 放會導致撞擊在該遮罩上之輻射發生選擇性透射(在透射 性遮罩的狀況下)或反射(在反射性遮罩的狀況下)。在一遮 罩之狀況下,基板固持器通常將為一遮罩台,其確保可將 該遮罩固持在入射輻射光束中之理想位置,且可使其在必 要時相對於該光束移動; 具有黏彈性 可程式化鏡面陣列。此元件之一實例係一 控制層及反射表面之矩陣可定址表面。此裝置隱含的基本 原則係(舉例而言)該反射表面之定址區域將入射光反射為 繞射光,而非定址區域將入射光反射為非繞射光。藉由使 用一適當的濾光器,可將該非繞射光自該反射光束中濾 出,而僅留下該繞射光;以此方式,該光束根據該矩村 定址表面之定址㈣變得圖案H程式化鏡面陣列之 替代實施例採用微型鏡面之矩陣配置,可藉由施加—適當 的區域化電場或採用壓電致動構件來使每一微型鏡面在: 軸周圍個別地傾斜。再次,該等鏡面係矩陣可定址的,使 得定址鏡面於一不同方向將入射輻射光束反射至非定址鏡 面上;以此方式,該反射光束根據該等矩陣可定址鏡面之 定址圖案而被圖案化。可藉由使用適纟的電子構件來執行 所需的矩較址。在上文所描述之兩輯況下,圖案化= 件可包括一或多個可程式化鏡面陣列。舉例而言,可自美 國專利us 5,296,89mus 5,523,193及pcT專财請案购 98/38597與W0 98/33096中搜集到更多關於本文所涉及之 鏡面陣列的資訊,該等案以引用的方式倂入本文中。在— 可程式化鏡面陣列之狀況下,舉例而言 可將該基板固持 929l0.doc -8- 1311774 沿0j具體 的;及 ……為固定的或可移動 …可程式化㈣陣列。在美國專利仍5,229,872中給出 了此構造之一實例,該案以引用的 方式倂入本文中。同上, 二i而:,可將此狀況中之基板固持器體現為框架或台, 視兩要其可為固定的或可移動的。 【發明内容】 2簡潔起見’本文之其餘柯切以立置處料本身特 =對於涉及遮罩及料台之實例;然而,應在如上文所 :述之圖案化構件之更廣泛情形中領會此等情 的一般原則。 舉:而言,可在積體電路⑽製造中㈣微影投影裝 層二該狀況下’圖案化構件可產生-對應於該IC之個別 .包路圖案’且該圖案可在一已塗有一層輻射敏感材料 ,敍劑)之基板(石夕晶圓)上之目標部分(例如包括一或多個 曰曰粒)上成像。通常,一單一晶圓將含有藉由投影系統一次 —個地接連照射之相鄰目標部分的整個網路。在春前裝置 中’藉由遮罩臺上之遮罩進行圖案化,可區分兩種不同類 型的機器。在-類型之微影投影裝置令,藉由一次將整個 遮罩圖案曝露至目標部分上來照射每一目標部分,·此裝置 通常稱為晶圓步進器或步進重複裝置。在—替代裝置(通常 稱為步進掃描儀)中,藉由在給定參考方向(,,掃描”方向)上 漸進地掃描投影光束下之料圖案而同步 反平行於此方向之基板台來照射每一目標部分二,、因戈 92910.doc 1311774 為投影系統將具有放大因素M(通f <υ,所崎描該基板台 之速度ν將為掃描遮罩台之速度之贿的因數。舉例而言, 可自US 6,046,792中搜集到更多關於本文所描述之微影元 件的資訊,該案以引用的方式倂入本文中。 在-使用微影投影裝置之製造過程中,一圖案(例如在一 遮罩中)在-至少局部塗有一層輻射敏感材料(抗蝕劑)之基 板上成像。在Α成像步驟之#,該基板可經歷各種程序, 諸如上底漆、塗抗蝕劑及軟烘烤。在曝光後,該基板可經 受其它程序,諸如後曝光烘烤(pEB)、顯影、硬烘烤及成像 特點之量測/檢測。將此程序陣列作為圖案化一元件(例如⑹ 之個別層的基礎使用。接著,此圖案化層可經歷各種程序, 諸如蝕刻、離子植入(摻雜)、金屬化、氧化、化學機械研磨 等’所有程序皆用以完成-個別層。f要幾個層,則必 須為每-新層重複該整個程序或其變型。最終,將在基板 (晶圓)上出現一元件陣列。㈣,藉由一諸如切割或鑛割之 技術來將此等元彼此分隔開,由此可將個別元件安裝在一 載體上、連接至引腳,等等。舉例而言,可自書,,Mi_hip
Fabrication: A Practical Guide to Semiconductor Processing-(1997^ISBN 0-07-067250-4 > McGraw Hill Publishing Co. > Peter van Zant,第三版)中獲得關於此等過程之另外資訊, 該書内谷以引用的方式併入本文中。 為簡潔起見,在下文中可將投影系統稱為”透鏡";然而, 應將該術語廣泛地闡釋為包含投影系統之各種類型,舉例 而言,其可包含折射光學、反射光學及反射折射混合系統。 92910.doc -10- 1311774 輻射系統亦可包令妒姑·田 ,據用於引導、成形或控制投影光束之 此等設計類型中之任何類型而運作的組件,且在下文中將 2等組件整體或各自稱為,,透鏡,,。另夕卜,該微影裝置可為 :具有兩個或兩個以上基板台(及/或兩個或兩個以上遮罩 •、貞里在此等彡段"几件令,可平行地使用額外台, 5、可在4夕個置上進行預倩步驟,同時一或多個其它台 :曝光舉例而έ,在仍^⑽’⑷及觸術術^中 描述了雙段微影裝置,該等兩個案以制的方式倂入本文 中。 雖然本文特疋涉及根據本發明 < 裝置在ic製造中之使 用’但是應清楚地瞭解’該裝置具有报多其它可能的應用。 +例而。其可用於製造積體光學系統、磁域記憶體之導 向或偵測圖案、液晶顯示面板及薄膜磁頭等。熟悉此項技 術者將瞭解到,在該替代應用之情形中,應考慮將本文術 語”主光罩”、”晶圓”或"晶粒"之任何使用分別由更普遍之術 語"遮罩"、"基板"及"目標部分,,來取代。 在本文獻中,術語”轄射"及”光束"用於包含電磁輻射之所 有類型,包括紫外線(uv)輻射(例如具有365、248、193、 157或126 nm之波長)與遠紫外線(EUV)輻射(例如具有5至 20 nm範圍内之波長)’以及粒子束之所有類型,例如離子 束或電子束。 由於在微影過程中容差極窄,因此愈來愈需要在光微影 裝置中處理一基板時保證其絕對平直性,因為與理想平直 性之小偏差可能已導致在該光微影過程中所達成之影像解 92910.doc -11 - 1311774 析度的降級。新世代之光微影成像技術力求7〇11〇1或甚至低 至15 nm或更低之解析度。在此等情況下,—平直基板上之 細微不均衡性可能已導致損害聚焦及重疊解析度之可偵測 移位。 在此方面,將一聚焦誤差定義為理想聚焦平面之垂直偏 差。將一重疊誤差定義為影像相對於該聚焦平面之側向移 位,且该重疊誤差可由基板表面之細微彎曲所導致。此彎 曲引起晶圓平面相對於聚焦平面旋轉,使得影像與法線焦 點對準的影像相比稍微投影於其側向。該重疊誤差之量測 係該法線之旋轉角乘以該基板厚度的一半。 歐洲專利申請案EP0947884描述一具有基板固持器之微 影裝置,在該基板固持器中,配置突起部分以改良該基板 的平直性。此等突起部分具有5mm的—般直徑且通常二互 間距3 _的距離’且藉此形成了可支樓該基板之支撐部件 的床。由於該等突起部分之間的空間相對較大,因而可能 存在的污染並不對該基板之平直性形成障礙,因為此等污 染將位於該等突起部分之間^其不會將該基板局部升高。 尤其在邊界區域附近,上述應用改良此引腳分佈的平直 性。在此等區域[由於所應用之”防漏密封,,(ieak_sea”施 加吸取力’因而該基板趨向於離開理想平直性定向而發生 輕微彎曲。 , ―、你叉摞邵件在圯雕運緣 區域(所謂離邊緣區)的配置提供改良空間,因為現有配置 有向基板固持器之支撐突^部分提供不均衡負载的傾向 929I0.doc -12- 1311774 為了當基板由基板固持器支撐時再進一步改良該 直性,本發明之一目的係必須提供_具有已^之平 分佈之基板固持器的微影裝置。 又尋引腳 為了達成該目的,根據申請專 / 來配置本發明之光微影裝置。 、徵化特點 之Voronoi圖分佈而將該等突 關聯 ,r 刀刀佈在基板固持器的 中心區\該等複數個突起部分中之每-突起部分的支撐負 載大體相等。可將該乂嶋⑽圖分佈視為由劃分—在邛 ==相鄰突起部分之連接線之分界線所形成之相鄰 «的集合。因為自一位於該區域之中心的突起部分來 看’相對於每-相鄰突起部分’在中心突起部分與相鄰突 起部分之間將負載劃分真士黎 貝戰W刀為相等部分,且對於該中心突起部 分分佈之每-支撐突起部分’一均句負載導致其大體相等。 然而,自”普通,•物理學觀點來看,此等突起部分在極微 小偏離的方面可被認為是剛性體,此等突起部分具有可使 其高度根據施加於其上之負載波動的天然的彈性特性。由 於本發明提供在該等突起部分中提供均句得多的負載分佈 之益處,因而使本發明性光微影裝置之此等突起部分的高 度分佈集中在所欲平均高度值周圍窄得多的峰值内。因 此,根據申請專利範圍第i項所界定之該"v〇r〇n〇i準則,,之基 板固持器使基板在變形方面之不規則性降低,對可理想地 疋位於聚焦平面上之基板導致大體均勻的位置,而無聚焦 誤差或重疊誤差之局部失真。 因此’在本發明之裝置中,達成了甚至更大的基板平直 929l0.doc -13· 1311774 。吾人已發現,相對於 可顯著減少局部聚焦誤 性’導致了更好的影像解析度品質 已知規則分佈,藉由改良之分佈, 差。
在-較佳實施例中,基板固持器係一用於支撐大體圓开 基板之大體圓形結構,且其中該等複數個突起部分在遠翻 該圓形基板固持器之中心區之區中以大致同心圓配置 中至少-些同心圓為非等距的。㉟常亦可自上述公 EP-0947884中瞭解突起部分之圓形組之此同心配置;聚 而’根據本發明,兩個圓之徑向分離為非等距的,以向考 隨後的圓中整數個額外突起部分提供空間,同時仍維持^ 發明性光微影裝置之"Voronoi準則,,。
在另-較佳實施例中,將突起部分分佈為大體等邊的三 角形圖案。就一大體等邊的三角形圖案而言,三角形網: 意謂其令大於嶋(較佳大於95%)三角形是大於8〇%(較佳 大於95%)的等邊三角形,即此等三角形具有長度在每—三 角形之平均邊長度之10%内的邊。 — 在甚至另一較佳實施例中,吾人已發現,在中心區中, 其中突起部分之大體同心圓是更像多邊形結構較佳地, 根據規則六邊形形狀來配置中心突起部分。意即,較佳地, 不使用小於六個突起部分之環,且其中料六個突起部分 形成規則六邊形結構。此外’將突起部分之第二列配置成 具有在該等中心六邊形配置的突起部分周圍大體對稱定向 的12個突起部分。 吾人已發現,較佳地,基板固持器包括複數個N開口,該 929l0.doc _ 14 - 1311774 等開口中之每一開口界定一第二邊緣區,#中穿過該等N 個第—邊緣區之每一同心圓包括整數個N突起部分。以此方 式’可容易將對一單一開口之設計移用至另一開口,而無 需重新設計該開口附近的邊緣區。較佳地,以三個對稱組 悲'的開口之組的N/3倍數來配置該等複數個]^開口。可將此 等開口三件組(triplet)作為用於可在加载或卸除基板時自 基板固持器提升該基板之排出銷的導向通道使用。可將以 I情況視為一獨立發明:在基板固持器中,將此等>|個開口 叹计為N/3倍數三件組,其中為不同類型的具有不同尺寸的 排出鎖之微影裝置,可獨立於機器設計一基板固持器,其 具有用於所有銷佈局之可再生平直性。 此外,較佳地,基板固持器包括複數個M凹口,該等凹 :中之每—凹口界定―第三邊緣區,纟中穿過該等Μ個第 三邊緣區的每一同心圓包括整數個Μ突起部分。將此等凹 口作為用於一基板處理機之定向標記使用,且此等凹口相 對於突起部分之理想圓形配置發生失真。在本發明性設計 中,可容易將一凹口之失真複製至所有其它凹口,使得可 簡化設計。 雖然本發明相當獨立於用於產生擠麼力之特定撥塵構 件’但是該擠壓力較佳由真空壓力產生,該真空壓力係藉 域基板固持器之邊緣由一用於提供防漏密封之壁形成而 提i、以此方式,在基板固持器與基板之間施加真空壓力。 較钱’該真空壓力相對於周圍壓力在G.1巴至〇·9巴範圍 内更詳口之’ 5亥真空壓力相對於周圍壓力在〇 5巴至〇·2 92910.doc -15- 1311774 巴耗圍内。吾人已發現’較佳地,該真线力為最小同時 仍提供良好的擠壓力以將基板擠壓在基板固持器上。 在再一較佳實施例中,在此包括一壁之"防漏密封,,配置 中°亥壁與離其最近的圓之間的徑向距離X滿足關係0.3< x/d<〇.6 ’其中d為離該壁最近的兩個圓之相互徑向分離。根 據上文,藉由一組突起部分來界定該邊緣區,其中v〇r〇n〇i 區域延伸超出該邊緣。對於一同心圓圖案,此相當於配置 在離一邊緣最近處之突起部分的一同心圓。此外,當邊界 將一夾鉗區域與一不存在夾鉗之區域分開時,"邊緣"被界 定。 本發明進一步係關於一根據任何上文所提及之態樣的基 板固持器。 本發明進一步係關於一製造用於微影裝置之基板固持器 的方法,其包括以下步驟:提供一用於支撐一大體平直的 基板之板;將複數個支撐突起部分分佈於該板之離邊緣區 中’以便為該等複數個突起部分中之每一突起部分提供大 體相等的支撐區域’該等突起部分之末端界定一大體平直 的支撐平面;將複數個支撐突起部分配置在該板之邊緣區 中’以便相對於擠壓構件之擠壓力對基板提供大體平直的 垂懸’及計异一由與該等突起部分相關聯之Voronoi圖所界 疋的支樓區域分佈,且將與該支撲區域分佈之區域偏離保 持為最小值。 根據一態樣,該方法進一步包括以下步驟:a)對應於施 加在基板上的壓力計算該基板的高度分佈,該壓力將該基 92910.doc -16- 1311774 板擠壓在複數個分佈且使該等突起部分於軸向方向局部變 形;b)分析與該高度分佈相關聯之重疊誤差及聚焦誤差; 及C)在該等區域内再分佈該等支撐突起部分,I中該聚焦 誤差及/或該重疊誤差超過一預定最大值,並以疊代方式重' 複步驟a至c。 根據本發明之另-態樣,在該方法中,對應於晶圓之彎 曲剛性的有限元分析來計算該高度分佈。 【實施方式】 圖^示例性地描繪了根據本發明之—特定實施例的微影 投影裝置1。該裝置包括: _一用於提供輻射之投影光束PB(例如在深紫外線區域中 之幻的輕射系l«x、IL。在此特定狀況下,該輻射系統亦 包括一輻射源LA ; -一具有一用於固持遮罩MA(例如主光罩)之遮罩固持器 的第-載物台(遮罩台)MT,且其連接至用於關於項目孔精 確疋位s亥遮罩的第一定位構件PM ; -一具有一用於固持基板3之基板固持器2的第二載物台 (基板台)WT’且其連接至用於關於項目pL精較位該基板 的第二定位構件PW ;及 -一用於將該遮罩Μ A之照射部分成像於該基板3之一目 才T P 7J C(例如包括一或多個晶粒)上的投影系統(”透鏡”)ρ[。 如本文所描繪,該裝置為一反射性類型(即具有一反射性 遮罩)。然而,通常,該裝置亦可為一透射性類型(例如具有 一透射性遮罩)。或者,該裝置可採用另—類的圖案化構 92910.doc 1311774 件’諸如上述提及類型之可程式化鏡面陣列。 來源LA(例如準分子雷射源)產生一輻射光束。或將該光 束直接饋入一 IL照明系統(照明器)中,或在該光束已穿過 調節構件後再將其饋入該照明器中,舉例而言,該調節構 件可為諸如一光束放大器。該照明器IL可包括用於設定該 光束中之強度分佈之外部及/或内部徑向範圍(通常分別稱 為σ -外部及σ -内部)的調整構件am。此外,其通常將包括 各種其它組件,諸如一積光器IN及一聚光器C〇。以此方 式,在遮罩MA上撞擊的光束PB在其橫截面上具有一所需的 均勻性及強度分佈。 應注意’參照圖1 ’來源La可位於微影投影裝置之外殼 内(舉例而言,其通常為當該來源LA是一汞燈時之狀況); 但該來源LA亦可遠離該微影投影裝置,將其產生的輻射光 束引入該裝置中(例如借助於適合的引導鏡面);該後一情況 通常為當來源LA係一準分子雷射時之狀況。本發明及申請 專利範圍包含此等兩種情況。 隨後,光束PB遭遇固持在一遮罩$MT上之遮罩]^1人。在 穿過該遮罩MA之後,該光束PB通過將該光束PB聚焦於基 板3之一目標部分c上的透鏡pL。借助於第二定位構件 pw(及干涉量測構件IF),可精確地移動基板台wt,例如, 以便將不同的目標部分C定位於光束PB之路徑中。類似 地,例如在自一遮罩庫中對遮罩MA進行機械檢索之後,或 在掃榀期間,可將第一定位構件PM用來相對於光束pb之路 徑精確地定位該遮罩MA。通常,可借助於一長衝程模組(粗 92910.doc -18- 1311774 疋位)及—%衝程模組(精定位)(其未在圖1中明確描繪)來 實見載物口 MT、WT之移動。然而,在晶圓步進器之狀況 下(與步進掃描儀相對),遮罩台MT可僅連接至-短衝程致 ^ <可為111定的。可藉由使用遮罩對準標記Ml、M2 及基板對準標記P1 ' P2來使遮罩财與基板3對準。 了兩種不同模式來使用所描述之裝置: ,進模式中,遮罩台MT保持基本固定,且將整個遮 罩影像—次(即單一”快閃”)投影至一目標部分C上。接著, 於X及/或y方向移位基板台WT,使得可藉由光束PB來照射 一不同的目標部分C ;及 *2.在掃描模式中’應用基本相同的情況,除了一給定目 祆邛刀c在單一 ’’快閃”中未曝露。相反地,遮罩台在給 疋方向(所明的掃描方向",例如y方向)可以速度v移動,使 得技’IV光束PB在一遮罩影像上掃描;同時,基板台同時 、速度 Mv在相同或相反方向移動,其中M係透鏡孔之 放大倍率(通常,心1/4或1/5)。以此方#,可曝露相對較大 的目標部分C,而不會損害解析度。 如圖1所描繪,基板固持器2包括具有約100 μπΐ2一般高 ,數個支標銷形突起部分4。然而,本發明並非限於此 尚度,而在不脫離本發明之範疇的情況下,此高度可具有 其匕值。基板固持器2界定一用於支撐大體平直的基板^之 大體平直的支擇平面。—示例性描繪的真空系統5將基板掩 壓在突起部分4之末端。雖然在該實财使用—真空吸取力 來k供擠壓力,但是本發明並非限於此。 929l0.doc •19- 1311774 圖2展示如圖1所描繪之基板固持器之詳細橫截面圖。圖2 之基板固持器2包括具有約⑽叫之高度H的支撐引腳4(例 如圓體樹瘤狀物)。該等樹瘤狀物以大約3麵之距離相互 隔開。該f樹瘤狀物4具有大約〇.5inm的直徑。每一突起部 分具有一遠離基板固持器2之面7的末端6,且因此將該每一 突起部分體現(尺寸化)為所有該等末端6均位於位於面7上 方高度Η處之單一大體平直的平面8内。 板7進步包括一自該面7突出的壁9,其大體包圍該等複 數個樹瘤狀物4’ i其離該面7上方具有大體統一的高度h, 藉以h< Η。將該壁進行尺寸化以提供一”防漏”密封,即歸 因於高度之小變化,空氣可進入平面8與面7之間所形成的 空間。以此方式,產生能夠將基板保持擠壓在基板固持器 之恒定擠壓力。 在圖3中展示了基板固持器2之片段的俯視圖。在該圖 中,藉由交叉描繪了樹瘤狀物。在圖3中,所示之樹瘤狀物 的圖案包括一由外部樹瘤狀物1〇所界定之邊緣區。離邊緣 區直接自緊挨該等外部樹瘤狀物開始。原則上,該離邊緣 區可比一第一環延伸更遠且可延伸至甚至五個或十個環, 例如此視用於將基板3擠壓至基板固持器2之構件而定。如 圖2所示,外部樹瘤狀物1〇相對於與内部樹瘤狀物丨丨之分佈 可不同,以補償由晶圓固持器2之邊緣所導致的邊緣效應。 在該等樹瘤狀物之間的中間部繪製了分界線12,其為每一 樹瘤狀物劃分了一支撐區域13。所有支撐區域之組界定一 Voronoi圖分佈,或者可將該vor〇n〇i圖分佈視為由劃分一在 92910.doc -20- 1311774 中間部連接每兩個相 之相鄰區域的集合。因::分之連接線之分界線所形成 分來看,相對於每一相鄰該區域之申心的突起部 鄰突起部分之間將負㈣心,”心突起部分與相 起部分分佈之# ± ㈣部分4對於該中心突 相等。m 突”分,負解致其大體 相导。在圖9中進—击准__ 干u 步次不了用於通過一排出銷(e銷,未圖 ,、)之開口 14的樹瘤狀分 基板3時自基板固持_升=出:用於在加載或㈣ 挺升該基板3。另一規則性可為一由 參考物15所標明之邊緣凹口,其用以提供由 運輸基板3之構件所使用的定向標記。此外,可存在導致樹 瘤狀位置中發生基本移位之内在不規則性,以對每隨後的 圓中整數個額外突起部分提供空間;同時仍維持本發明性 光微影裝置之"Voronoi準則"。 圖4展示一樹瘤狀圖案之高度分佈的細節,該樹瘤狀圖案 具有相等間隔半徑’導致了樹瘤狀物之規則對稱圓圖案。 在此實例中,基板固持器係一用於支撐大體圓形基板的大 體圓形結構。自該圖案中’可推導出高度變化,其中很明 顯,歸因於支撐銷上之力分佈,中心區域趨向於,,下陷 (sag)"。該高度變化可藉由估計施加於銷上之力來計算,其 與每一銷之” Voronoi”區域有關。在此模式中,未包含晶圓 之臂曲剛性。歸因於該力分佈’晶圓之局部高度變化約為 20 nm。 一具有 圖5描述了如何因局部高度變化而產生重疊誤差 厚度T之基板3包括一第一層16。該基板3藉由微塵粒I?或其 92910.doc 21 - 1311774 類似物而局部失真,其引起該基板3彎曲。在一隨後的光微 影程序中,當法線19相對於法線向量20之理想平直性旋轉 α角時’因此對下一層18進行照射。結果,產生了 一具有 約為該法線之旋轉角α乘以基板之厚度的一半之重疊誤差 的移位層。 圖6展示圖4之樹瘤狀組態之重疊誤差分佈的第一圖。自 該圖中’可明顯看出,該重疊誤差最大為1.6 nm且位於該 樹瘤狀組態之第一六邊形中心環附近。自圖4中之該初始組 態中’產生各種最優化以改良重疊誤差分佈。 一第一最優化包括改變中心樹瘤狀物周圍多邊形/圓形 樹瘤狀圖案之半徑以具有非等距半徑來解釋v〇r〇n〇i準 則’使得分佈該等樹瘤狀物’以便為每一突起部分提供大 體相4的支樓區域。一第二最優化包括重新設計中心樹瘤 狀圖案。 圖7展示此等作用之結果且說明一具有已降低的最大為 0 · 7 nm之重疊誤差的樹瘤狀分佈。在該重新設計中,將該 等突起部分分佈為大體等邊的三角形圖案,其中根據一規 則六邊形來配置中心突起部分,且將突起部分之第二列配 置成具有在該等六邊形配置的中心突起部分周圍大體對稱 定向的12個突起部分。在該組態中,自12個樹瘤狀物之第 二行列之每一樹瘤狀物的相同位置觀察中心六邊形環。在 考慮晶圓之彎曲剛性時,t疊誤差降低。在該狀況下,視 曰曰圓上之位置而定,可將該重疊誤差降低因數3至4。可發 現最大旋轉為〇,69 urad,其等於〇·27 nm的重疊誤差。在使 92910.doc -22- 1311774 降低的ο·2巴而耗5巴之真线力時,可達成該重叠誤 差之進-步降低。可發現該重疊誤差降低至低於〇1聰。、 =示:用於-具有六個排出鎖開口灿”之基板固 “的…在—習知光微影裝置中,通常,每晶圓臺存 自該晶圓臺抬高基板的排出麟。在圖…鎖組 心中,存在三個銷之2倍數(六個開口 14,及14„)。由 數,因Η獨立於1定光微影機ϋ進行晶圓支撐, 種设計需要而都具有可變e銷位置之選擇。藉由盥晶 :臺:可再生位置上搞合之基板’可進行-獨立於此等; .銷位置的光微影處理,且貫穿整個包含各種機器中基板 之重複敍刻及成像的光微影常用程序,聚焦誤差及重疊誤 測且可再生的。此外,此N倍數在所謂複式系統 ,供-特定優勢,其"將對準及成像部分地分成兩個 又。在此等系統中,重疊誤差為可重複係很重要的。在 —用於特定裝置之排出鎖佈局中,未使用剩餘開口,但里 =乍為用於達成可預測且可重複的重疊誤差之"虛設開口” 微二在尤其’在一位置處’其中因失真而使基板區域稍 微移位’然而當用於所有隨後的光微影作用時,重叠誤差 可降低或不存在,該移位為相同的。因此,藉由提供基板 之可重複失真,可進一步降低該重疊誤差。 =展示-用於如圖8所示之排出鎖開口 14之改良樹瘤狀 =案的詳細視圖。根據該改良,對於一包括六個開口 _ 土板固持器2(如在圖8中),該等開口中之每一開口界定一邊 '、區其中穿過該等六個邊緣區的每_同心圓包括整數個 92910.doc -23- 1311774 的”個犬起部分。以此方式,可為所有六個排出銷開口使 口之邊緣區中之突起部分的組態保持相同。在該實例 中,可藉由包圍該開口之許多列來界定該邊緣區,較佳至 少兩或三個列。以此方式導致排出銷中心周圍統一的樹瘤 狀圖案之相等圖案。圖8及圖9中之開口藉由防漏密封來密 封。假没壓力在該密封之0 5 mm的寬度上線性地變化,自 内部上的最大值至外部上的零。在該圖中,該開口包括 8.255 mm直徑的E銷洞,全部設定於統一的樹瘤狀圖案内 部。自該密封至該E銷洞之距離約為1 mm。 藉由使用有限元分析來為該改良樹瘤狀圖案計算聚焦誤 差及重疊誤差分佈。看來對於該設計,該聚焦誤差變化至 13.5 nm的最大值。該重疊誤差在邊緣附近最大總計為2.7 nm«與上文提及的未干擾基板相比,該重疊因開口之存在 之干擾引入約10%的誤差。 nm 〇 圖10展示一用於一存在於基板固持器2之另一大體圓形 邊界中之凹口 15之改良樹瘤狀圖案的詳細視圖。根據該 圖,對於一包括四個凹口之基板固持器2,該等凹口中之每 一凹口界定一邊緣區,其中穿過該等四個邊緣區的每一同 心圓包括整數個的四個突起部分。在該實例中,可藉由包 圍該凹口之許多列來界定該邊緣區,較佳至少兩或三個 列。此外,藉由一防漏密封來密封該凹口。晶圓自由地延 伸超出樹瘤狀物之最後一列。藉由使用有限元分析,對於 一具有150 mm半徑的晶圓,對於該凹口組態,可發現聚焦 誤差低於17 nm。計算出重疊誤差低於3.1 92910.doc -24- 1311774 雖然上文已描述了本發明之特定實施例,但是應瞭解, 本發明之實施亦可不同於如所描述之實施。在該等實施例 中,已展不之基板固持器及基板具有一般圓形的形態。然 而,在不脫離本發明之範疇的情況下,諸如方形之其它形 態亦係可能的《本描述内容並非意欲限制本發明。 【圖式簡單說明】 現在將參考隨附的概要圖來說明(僅舉實例而言)本發明 實施例,圖式中:
圖1描繪一根據本發明之一實施例的微影投影裝置; 圖2描繪一用於根據圖1之裝置之基板固持器的詳細橫截 面圖; 、圖3描綠—展示根據本發明之v〇r_i圖分佈之基板的俯 圖4插綠-用於先前技術之樹瘤狀圖案的高度分佈; 圖5描繪一因基板之局部彎曲而導致的重疊誤差;
圖6描繪-對應於圖4之高度分佈的重疊誤差分佈; 圖7描緣-根據本發明之樹瘤狀圖案分佈的改良重疊誤 W田緣-具有用於引導排出銷通過其中之開口的基才 圖9描I會—在排出鎖開σ周圍之改良樹瘤狀分佈; ,圖10描繪一在一位於圓形基板周圍之凹口周圍的改良 瘤狀分佈。 【主要元件符號說明】 微影投影裝置 92910.doc -25- 基板固持器 基板 突起部分/樹瘤狀物 真空系統 末端 面 平面 壁 外部樹瘤狀物 内部樹瘤狀物 分界線 支樓區域 開口 排出銷開口 排出銷開口 參考物 第一層 微塵粒 下一層 法線 法線向量 目標部分 聚光器 幸畜射糸統 -26- 1311774 IF 干涉量測構件 IL 輻射系統 IN 積光器 LA 輕射源 Ml 遮罩對準標記 M2 遮罩對準標記 MA 遮罩 MT 遮罩台 PI 基板對準標記 P2 基板對準標記 PB 投影光束 PL 項目/透鏡 PM 第一定位構件 PW 第二定位構件 WT 載物台/基板台 AM 調整構件 92910.doc

Claims (1)

  1. D11 fΜ112697號專利申請案 中文申凊專利範圍替換本(97年12月) 十、申請專利範圍: 1· 一種微影裝置,其包括: 一用於提供一輻射之投影光束之輻射系統; 用於支撐圖案化構件之支撐結構,該圖案化構件用 於根據一所要圖案來圖案化該投影光束; 一包括複數個突起部分之基板固持器,該等突起部分 之末端界定—用於支揮—大體平直的基板之大體平直的 支撐平面°亥基板固持器具有提供一擠壓力以將該基板 擠塵在該等突起部分之該等末端的構件;將位於該基板 固持器之-邊緣區中之該等突起部分進行配置,以相對 於該擠壓構件之該㈣力對該基板提供_大體平直的垂 懸;及 一用於將該圖案化光束投影至該基板之—目標部分』 的投影系統; 其特徵在於: 該基板固持器之一離邊緣區中 項寻犬起部分之分饰 =1 复數個突起部分中之每-突起部分提供-大體相 =揮區域’該支撑區域係由一與該等突起部分相關 聯之Voronoi圖分佈所界定。 2. 如請求们之微影裝置’其中該基板固持器係一用於支揮 -大體圓形基板之大體圓形結構 扣却八+ ^ ^ 丹干該專複數個突 起4刀在一遠離該圓形基板固持器 丄fiAr-i 甲、區的區中以 大體同心圓配置;其中至少鞏此 ^至夕某些同心圓係非等距的。 3. 如Μ求項2之微影裝置,其中該 ^邵分係以大體等邊 92910-97123】,doc 1311774 二角形的圖案分佈。 如玥求項1、2或3之微影裝置’其中該等中心突起部分係 中“犬起部分及其周圍的配置為—規則六邊形形 狀之突起部分的第一列來配置。 5. 如請求項4之微影裝置,其中突起部分之-第二列係配置 成具有在突起部分之該第—列周圍大體對稱定向的⑵固 突起部分。 6. 如請求項2或3之微影裝置,其中該基板固持器包括複數 個N開口,該等開口中之每一開口界定—第二邊緣區,其 I該等N第一邊緣區的每一同心圓包括整數個n突起 部分。 7. 8. 如请求項6之微影裝置,其中該等複數個N開口係以三値 對稱組態的開口之組的N/3倍數來配置。 如明求項1、2或3之微影裝置’其中該基板固持器包括福 數個Μ凹口,該等凹口中之每一凹口界定一第三邊緣區, 其中穿過該等Μ第三邊緣區的每一同心圓包括整數個IV 突起部分。 9·如°青求項8之微影裝置,其中該等複數個Μ凹口係以三個 對稱組態的凹口之組的Μ。倍數來配置。 如晴求項丨、2或3之微影裝置,其中該基板固持器之該等 邊緣係由一用於提供一防漏密封之壁所形成,且其中該 擠壓構件包括用於在該基板固持器與該基板之間 真空壓力的構件。 如吻求項10之微影裝置,其中該真空壓力相對於周圍壓 92910-971231.doc 1311774 力在0.1巴至Ο 9巴範圍内。 12_如明求項丨丨之微影裝置,其中該真空壓力相對於周圍壓 力在0.5巴至〇.2巴範圍内。 13. 如吻求項1〇之微影裝置,其中該壁與離其最近的圓之間 的一徑向距離X滿足關係〇·3 < x/d< 〇 6,其中d為離該壁最 近的兩個圓之相互徑向分離。 14. 如凊求項丨、2或3之微影裝置,其中該邊緣區由離一邊緣 最近處配置的突起部分之至少一同心圓所界定。 15. —種用於根據請求項丨至14中任一項之微影裝置的基板 固持器。 “· -種製造用於一微影裝置之基板固持器之方法,其包括 以下步驟: 提供一用於支撐一大體平直的基板的板; 將複數個支撐突起部分分佈於該板之一離邊緣區中, 乂便為„亥等複數個突起部分中之每—突起部分提供一大 體相等的支撐區域’該等突起部分之該等末端界定一大 體平直的支揮平面; 將複數個支撑突起部分配置在該板之一邊緣區中,以 便對應於該_構件之_㈣力對該基板提供—大體平 直的垂懸;及 °十异由—與該等突起部分相關聯之V_〇i圖所界定的 一支律區域分備,b收^ 將〃該支撐區域分佈之區域偏離保 符為一最小值。 17.如請求項16之方法 ,、中該方法進一步包括以下步驟: 92910-971231.doc 1311774 a)對應於一施加在該基板上的壓力來計算該基板之一高 又刀佈該壓力將該基板擠壓在該等複數個分佈且使 *玄等突起部分於軸向方向局部地變形,· b):析與該高度分佈相關聯之一重疊誤差及聚焦誤差;及 =區域内再分佈該等支撐突起部分,其中該聚焦誤 式重複步驟a至e。 預疋最大值,並以一豐代方 18. 如請求項 彎曲剛性 二:二佈係對 應於一 晶圓之
    92910-971231.doc •4-
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8003919B2 (en) 2005-12-06 2011-08-23 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate heat treatment apparatus
JP2007158076A (ja) * 2005-12-06 2007-06-21 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板熱処理装置
US20090014917A1 (en) * 2007-07-10 2009-01-15 Molecular Imprints, Inc. Drop Pattern Generation for Imprint Lithography
US8154709B2 (en) 2007-10-10 2012-04-10 Asml Netherlands B.V. Method of placing a substrate, method of transferring a substrate, support system and lithographic projection apparatus
US8149387B2 (en) 2007-10-10 2012-04-03 Asml Netherlands B.V. Method of placing a substrate, method of transferring a substrate, support system and lithographic projection apparatus
NL1036033A1 (nl) 2007-10-10 2009-04-15 Asml Netherlands Bv Method of transferring a substrate, transfer system and lithographic projection apparatus.
US8119052B2 (en) * 2007-11-02 2012-02-21 Molecular Imprints, Inc. Drop pattern generation for imprint lithography
US8586126B2 (en) * 2008-10-21 2013-11-19 Molecular Imprints, Inc. Robust optimization to generate drop patterns in imprint lithography which are tolerant of variations in drop volume and drop placement
US8512797B2 (en) * 2008-10-21 2013-08-20 Molecular Imprints, Inc. Drop pattern generation with edge weighting
EP2490073B1 (en) 2011-02-18 2015-09-23 ASML Netherlands BV Substrate holder, lithographic apparatus, and method of manufacturing a substrate holder
CN104272190A (zh) 2012-02-03 2015-01-07 Asml荷兰有限公司 衬底保持器和光刻装置
NL2013835A (en) 2014-01-20 2015-07-21 Asml Netherlands Bv Substrate holder, support table for a lithographic apparatus, lithographic apparatus and device manufacturing method.
NL2017433A (en) * 2015-10-09 2017-04-11 Asml Netherlands Bv Substrate table and lithographic apparatus
CN107144898A (zh) * 2017-06-29 2017-09-08 中国建筑材料科学研究总院 光学调控电磁屏蔽玻璃及其制备方法
US10522385B2 (en) 2017-09-26 2019-12-31 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Wafer table with dynamic support pins
KR102066796B1 (ko) 2018-07-06 2020-01-15 에스케이씨 주식회사 유리접합필름의 패턴 제조방법 및 이를 포함하는 전사장치
US12032297B2 (en) 2018-11-16 2024-07-09 Asml Netherlands B.V. Method for monitoring lithographic apparatus
SG11202107823VA (en) * 2019-01-21 2021-08-30 Applied Materials Inc Substrate carrier
KR102654891B1 (ko) * 2020-12-28 2024-04-05 세메스 주식회사 이상 진단 시스템 및 이상 진단 방법
WO2024132327A1 (en) * 2022-12-23 2024-06-27 Asml Netherlands B.V. Method of generating a projection pattern of a plurality of projections of a substrate table

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5523193A (en) 1988-05-31 1996-06-04 Texas Instruments Incorporated Method and apparatus for patterning and imaging member
JP2938568B2 (ja) 1990-05-02 1999-08-23 フラウンホファー・ゲゼルシャフト・ツール・フォルデルング・デル・アンゲバンテン・フォルシュング・アインゲトラーゲネル・フェライン 照明装置
JPH04323849A (ja) * 1991-04-23 1992-11-13 Toshiba Ceramics Co Ltd ウェーハ用真空チャック
JPH0521584A (ja) * 1991-07-16 1993-01-29 Nikon Corp 保持装置
US5229872A (en) 1992-01-21 1993-07-20 Hughes Aircraft Company Exposure device including an electrically aligned electronic mask for micropatterning
EP0824722B1 (en) 1996-03-06 2001-07-25 Asm Lithography B.V. Differential interferometer system and lithographic step-and-scan apparatus provided with such a system
WO1998028665A1 (en) 1996-12-24 1998-07-02 Koninklijke Philips Electronics N.V. Two-dimensionally balanced positioning device with two object holders, and lithographic device provided with such a positioning device
EP0956516B1 (en) 1997-01-29 2002-04-10 Micronic Laser Systems Ab Method and apparatus for the production of a structure by focused laser radiation on a photosensitively coated substrate
SE509062C2 (sv) 1997-02-28 1998-11-30 Micronic Laser Systems Ab Dataomvandlingsmetod för en laserskrivare med flera strålar för mycket komplexa mikrokolitografiska mönster
USRE40043E1 (en) 1997-03-10 2008-02-05 Asml Netherlands B.V. Positioning device having two object holders
AU1261699A (en) * 1997-11-28 1999-06-16 Nikon Corporation Substrate retaining apparatus and exposure apparatus using the same
EP0947884B1 (en) * 1998-03-31 2004-03-10 ASML Netherlands B.V. Lithographic projection apparatus with substrate holder
JP2000068198A (ja) * 1998-03-31 2000-03-03 Asm Lithography Bv 改良基板ホルダ付きリソグラフィ―的投影装置
JP4298078B2 (ja) * 1999-08-20 2009-07-15 キヤノン株式会社 基板吸着保持装置および該基板吸着保持装置を用いた露光装置ならびにデバイスの製造方法
JP3427026B2 (ja) * 1999-12-24 2003-07-14 大日本スクリーン製造株式会社 網点形成方法および装置
JP2001332609A (ja) * 2000-03-13 2001-11-30 Nikon Corp 基板保持装置及び露光装置
JP2002343853A (ja) * 2001-05-16 2002-11-29 Nikon Corp 基板保持装置、露光装置及びデバイス製造方法

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Publication number Publication date
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