TWI307457B - Resist pattern formation method, fine pattern formation method using the same, and liquid crystal element fabrication method - Google Patents

Resist pattern formation method, fine pattern formation method using the same, and liquid crystal element fabrication method Download PDF

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TWI307457B TW093136163A TW93136163A TWI307457B TW I307457 B TWI307457 B TW I307457B TW 093136163 A TW093136163 A TW 093136163A TW 93136163 A TW93136163 A TW 93136163A TW I307457 B TWI307457 B TW I307457B
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Description

1307457 ⑴ 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明，係關於光阻圖型之形成方法，及使用其形成 微細圖型之形成方法及液晶顯示元件之製造方法。 【先前技術】
在液晶顯示元件之液晶陣列基板之製造，係使用到使 用光阻被膜之光微影術步驟。 第2圖〜第15圖，係例示製造第16圖所示構造之 a-Si(無定形（amorphous)二氧化ΐ夕）形TFT陣列基板 之步驟。在此例，首先係如第圖2所示，在玻璃基板1上 形成閘電極層2 ’。
接著，以含有在閘電極層2 ’上形成光阻被膜，將該光 阻被膜，透過光罩予以選擇性曝光之步驟，之光微影術予 以予以圖型化，如第3圖所示可形成光阻圖型R 1 (第1 光微影術步驟）。 接著，將所得之光阻圖型R1作爲光罩使閘電極層2' 蝕刻後，藉由光阻圖型R1之除去，而可形成第4圖所示 之閘電極2。 接著，如第5圖所示，在閘電極2所形成之玻璃基板 1上可形成第1絕緣膜3，進而在其上依順序形成第la-Si 層4'及触刻檔止（stopper)膜5'。 以含有在蝕刻檔止膜5 1上形成光阻被膜，使該光阻被 膜，透過光罩進行選擇性曝光之步驟，之光微影術予以予 -4 - (2) 1307457 以圖型化’如第6圖所示來形成光阻圖型R2 (第2光微 影術步驟）。 接著’使所得之光阻圖型R2作爲光罩使蝕刻檔止膜 5'及第1 α-Si層4'蝕刻後，藉由光阻圖型r2之除去，可 形成第7圖所示之被圖型化之第ia_si層4與蝕刻檔止膜 5之層合體。 在其上，如第8圖所示，可使第2a-Si層6'及源汲電 極形成用金屬膜7'依順序形成。 接著’以含有在該金屬膜7'上使光阻被膜形成，使該 光阻被膜’透過光罩進行選擇性曝光之步驟，之光微影術 予以予以圖型化’來形成如第9圖所示之光阻圖型R 3 ( 第3光微影術步驟）。 此後，將所得光阻圖型R3作爲光罩使金屬膜7'及第 2a-Si層6’予以蝕刻後，藉由光阻圖型R3之除去，如第 10圖所示，在蝕刻檔止膜5上，可形成被圖型化之第2a-Si層6與源電極及汲電極7。 接著，如第1 1圖所示，在玻璃基板1上形成第2絕 緣膜8 ’。 接著，以含有在該第2絕緣膜8’上形成光阻被膜，將 該光阻被膜，透過光罩進行選擇性曝光之步驟，之光微影 術予以圖型化，如第1 2圖所示，可形成光阻圖型R4 (第 4光微影術步驟）。 此後，使所得之光阻圖型R4作爲光罩將第2絕緣膜 8'蝕刻後，藉由光阻圖型R 4之除去’如第]3圖所示，被 (3) 1307457 圖型化成具有接觸孔之形狀之第2絕緣膜8。 接著，如第I 4圖所示’在玻璃基板1上形成透明導 電膜9_。 接著，以含有在該透明導電膜9'上形成光阻被膜，使 該光阻被膜，將透過光罩進行選擇性曝光之步驟，之光微 影術予以圖型化，如第〗5圖所示，可形成光阻圖型R5 ( 第5光微影術步驟）。 此後，將所得之光阻圖型R5作爲光罩使透明導電膜 9'予以蝕刻後，光阻圖型R5之除去，如第1 6圖所示，可 形成被圖型化之透明導電膜9 »而獲得液晶陣列基板。 經過此步驟來製造液晶陣列基板之方法中，使用光罩 進行選擇性曝光之光微影術步驟則進行合計5次（第1〜 第5光微影術步驟）。 然而，近年來’液晶顯示元件之低價格化被強烈地期 望，因此製造步驟之簡略化，光阻消費量之抑制等進而被 要求。 因此，爲因應此等期望，因領域之不同使用厚度不同 之段狀之光阻圖型，可使得習知要使用2次之光微影術步 驟之步驟以1次之光微影術步驟就可進行之方法被提案出 。在此方法，在進行以段狀光阻圖型作爲光罩蝕刻後，藉 由利用其厚度之差’可不必依照光微影術步驟，而使此段 狀光阻圖型之平面形狀予以變形者，再度作爲光罩使用來 進行触刻。 (4) 1307457 【發明內容】 〔發明欲解決課題〕 ,根據上述方法，理論上，因可減少光微影術步驟之次 數，故藉此可抑制光阻之消費量，步驟亦可被簡略化，而 可期待在廉價液晶顯示元件之製造爲有效。 但是，在習知之液晶顯示元件製造爲恰當的光阻材料 ，爲了要形成此種段狀光阻圖型，則會使耐蝕刻性或耐熱 性不夠充分，而要實現此方法則有困難。 具體而言，如上述，段狀光阻圖型在其變形前與變形 後因係作爲蝕刻之光罩來使用，故高度蝕刻耐性爲必要， 而要形成此種具有高蝕刻耐性之段狀之光阻圖型則有困難 〇 又，使用於液晶顯示元件製造之光阻圖型，爲了要可 耐蝕刻處理或注入（inplantation )處理，則有實施後烘 烤處理使耐熱性提高之情形，但在習知之液晶顯示元件製 造上爲恰當的光阻材料，在廉價且且高感度之反面，因耐 熱性傾向於劣化，因後烘烤處理會使得段狀之光阻圖型流 動，而要維持不同厚度之形狀則有困難。 本發明，係鑑於上述情事而完成者，其目的爲提供一 種耐蝕刻性及耐熱性優異，可形成段狀光阻圖型之光阻圖 型之形成方法。 又本發明之目的係提供一種，使用本發明光阻圖型之 形成方法之微細圖型之形成方法，及使用該等液晶顯示元 件之製造方法。 -7 - (5) 1307457 〔解決課題之手段〕 爲達成上述目的，本發明之光阻圖型之形成方法係具 有，（A )在基體上形成光阻被膜之步驟，（B )經含有 選擇性曝光之光微影術步驟，使前述光阻被膜，被圖型化 成具有厚壁部與薄壁部之圖型形狀之步驟，及（C)進行 前述圖型化後，進行UV固化處理，來形成具有厚壁部與 薄壁部之段狀光阻圖型之步驟。 本發明之微細圖型之形成方法係，（E))進行前述 UV固化處理後，進而具有進行後烘烤處理之步驟爲佳。 本發明之微細圖型之形成方法，作爲上述基體，係在 玻璃基板上使閘電極，第1絕緣膜，第〗無定形二氧化矽 膜，蝕刻檔止膜，第2無定形二氧化矽膜，及源汲電極形 成用金屬膜，具有以自玻璃基板側依照順序被層合之多層 構造者爲佳。 本發明之微細圖型之形成方法，在形成前述段狀光阻 圖型後，進而以具有，（E )在使該段狀光阻圖型作爲光 罩之前述基體上實施蝕刻處理，其後，（F )相對於該段 狀光阻圖型進行灰化處理，使前述薄壁部被除去’ （G) 在除去前述薄壁部後，在使厚壁部作爲光罩之前述基體實 施蝕刻處理，其後（Η )將前述段狀光阻圖型之厚壁部除 去之步驟爲佳。 或者，本發明之微細圖型之形成方法係’以使用具有 前述多層構造之基體之本發明之光阻圖型之形成方法來形 -8 - (6) 1307457 成前述段狀光阻圖型後，進而具有，（E1 )使前述段狀光 阻圖型作爲光罩之前述源汲電極形成用金屬膜，前述第2 無定形二氧化矽膜，前述蝕刻檔止膜，及前述第1無定形 二氧化矽膜予以蝕刻處理，其後，（F )相對於該段狀光 阻圖型進行灰化處理，使前述薄壁部除去，（G')在將前 述薄壁部除去後，將使厚壁部作爲光罩之前述源汲電極形 成用金屬膜及前述第2無定形二氧化矽膜予以蝕刻處理使 前述蝕刻檔止膜層曝光，其後，（Η )使前述段狀光阻圖 型之厚壁部除去之步驟爲佳。 本發明之微細圖型之形成方法係，前述源汲電極形成 用金屬膜之蝕刻處理爲濕蝕刻處理或者乾蝕刻處理，前述 第2無定形二氧化矽膜之蝕刻處理以乾蝕刻處理爲佳。 本發明之液晶顯示元件之製造方法係，具有在玻璃基 板上形成像素圖型來製造液晶陣列基板之步驟的液晶顯示 元件之製造方法，其爲，使前述像素圖型之一部份，由本 發明之微細圖型之形成方法來形成。 或者，本發明之液晶顯示元件之製造方法，係以在使 用具有前述多層構造之基體之本發明之微細圖型之形成方 法，來形成微細圖型後，進而具有：（1)在該微細圖型 上設置第2絕緣膜之步驟，（：Γ )將第2絕緣膜藉由光微 影術予以圖型化之步驟，（Κ )在被圖型化之第2絕緣膜 上形成透明導電膜之步驟，以（L)使透明導電膜藉由光 微影術予以圖型化之步驟爲佳。 -9- (7) 1307457 〔發明之效果〕 根據本發明之光阻圖型之形成方法，在使光阻被膜圖 型化後實施UV固化，而可形成耐蝕刻性，耐熱性良好， 形狀穩定性優異之段狀光阻圖型。 又，在液晶顯示元件製造中，光阻消費量與半導體製 造步驟比較爲顯著的大量，又爲使大型基板生產效率良好 的製品化則生產率之提高爲必要不可缺。習知，在此種用 途例如使用無分餾，低分子量之樹脂之光阻材料等，雖可 使用廉價且高感度之光阻材料，但，因耐熱性傾向於劣化 ，故會使後烘烤處理所致段狀之光阻圖型造成流動，使得 維持厚度爲不同形狀會有困難。 根據本發明，即使使用此種廉價且高感度之光阻材料 ，亦可形成耐蝕刻性，耐熱性良好的段狀光阻圖型。 根據本發明之微細圖型之形成方法，因段狀光阻圖型 之耐蝕刻性優異，故使該段狀光阻圖型作爲光罩基體予以 蝕刻後，使該段狀光阻圖型之薄壁部以灰化處理除去者再 度作爲光罩使用，可使基體蝕刻，故使用光罩使光阻被膜 圖型化之光微影術步驟之次數可予以減少。 因此，可抑制光阻之消費量，亦可削減較爲高價的光 罩之費用，進而使步驟簡略化。 根據本發明之液晶顯示元件之製造方法，係在玻璃基 板上使像素圖型形成來製造液晶陣列基板之步驟中因可減 少光微影術步驟之次數，藉此，可實現光阻消費量之抑制 ，使用光罩之削減。又製造步驟亦可簡略化，故在製造廉 -10 - (8) 1307457 價之液晶顯示元件爲有效。 〔實施發明之最佳型態〕 〈光阻組成物〉 使用於光阻被膜之形成之光阻組成物，並無特別限制 ，可適用目前爲止用於液晶顯示元件製造用之光阻材料。 例如，（A )相對於鹼可溶性樹脂1 〇〇質量份，（B )含有下述一般式（I )所示苯酚化合物5〜25質量份， 相對於（A )成分與（B )成分之總質量100質量份，含 有（C )選自下述一般式（III )所示苯醌二疊氮酯化物（ 感光性成分1 )及下述一般式（V )所示苯醌二疊氮酯化 物（感光性成分2 )之至少一種於1 5〜4 0質量份之範圍 ’進而（D )含有有機溶劑之正型光阻組成物可恰當地使 用。 R10 R9
〔式中，R〗〜Rs係各自獨立之氫原子，鹵原子，碳 原子數]〜6之烷基，碳原子數1〜6之烷氧基，或碳原子 數3〜6之環烷基；尺】〇，係各自獨立之氫原子或破原子 數】〜6之烷基；R9可爲氫原子，碳原子數1〜6之燒基， 此時’ Q爲具有氫原子，碳原子數1〜6之烷基或下述化 -11 - (9)1307457 學式（Π )
(H)
(式中，R12及R13爲各自獨立之氫原子，鹵原子， 碳原子數1〜6之烷基，碳原子數1〜6之烷氧基，或碳原 子數3〜6之環烷基；c表示1〜3之整數。）所示殘基，或 ，Q可與R9之末端鍵結，此時，Q表示R9及，Q與R9間 之碳原子，同時表示碳鏈3〜6之環烷基；a，b表示1〜3 之整數；d表示0〜3之整數；a，b或d爲3時，各自非爲 R3，R6或R8;n表示0〜3之整數。〕 R10 R9
〔式中，R1〜Rs表示各自獨立之氫原子，鹵原子， 碳原子數1〜6之烷基，碳原子數1〜6之烷氧基，或碳原 子數3〜6之環烷基；R1()，R]]表示各自獨立之氫原子或碳 原子數1〜6之烷基；R9可爲氫原子，碳原子數1〜6之烷 基，此時，Q爲氫原子，碳原子數1〜6之烷基或下述化 學式（IV ) -12 - (10)1307457
αν) (式中，R12及R13表示各自獨立之氫原子，鹵原子 ，碳原子數1〜6之烷基，碳原子數1〜6之烷氧基，或碳 原子數3〜6之環烷基；C表示1〜3之整數。），或，Q可 與R9之末端鍵結，此時，Q爲R9及，Q與R9間之碳原 子，同時表示碳鏈3〜6之環烷基；D表示，獨立之氫原子 ，或1，2-萘醌二疊氮-5-磺醯基，D之至少一個表示1，2-萘 醌二疊氮-5-磺醯基；a，b表示1〜3之整數；d表示0〜3之 整數；a，b或d爲3時，各自非爲R3，R6或R8;n表示0〜 3之整數。〕
(式中，D表示獨立之氫原子，或1，2-萘醌二疊氮-5-磺醯基，D之至少一個爲1，2-萘醌二疊氮磺醯基。 關於（A )成分（鹼可溶性樹脂）： 作爲（A )成分之鹼可溶性樹脂，並無特別限制，可 自在正型光阻組成物中作爲被膜形成物質通常使用所得者 之中予以任意選擇。例如，可例舉作爲正型光阻組成物之 被膜形成用樹脂廣爲所知之苯酚樹脂，丙烯系樹脂，苯乙 -13- 1307457 (11) 烯與丙烯酸之共聚物，羥基苯乙烯之聚合物，聚乙烯苯酚 ’聚α-甲基乙燃本酌等。其中尤以苯酚樹脂被恰當地使 用’其中以可容易溶解於不會膨脹之鹼水溶液，顯影性優 異之酚醛淸漆樹脂爲恰當。 在苯酚樹脂之例方面，可例舉苯酚類與醛類之縮合反 應生成物，苯酚類與酮類之縮合反應生成物，乙烯苯酚系 聚合物，異丙烯基苯酚系聚合物，該等苯酚樹脂之加氫反 應生成物等。 在形成前述苯酚樹脂之苯酚類方面，可例舉例如苯酚 ;間甲酚，對甲酚，鄰甲酚等之甲酚類；2,3-二甲苯酚， 2,5-二甲苯酚，3，5·二甲苯酚，3，4-二甲苯酚等之二甲苯 酚類；間乙基苯酚，對乙基苯酚，鄰乙基苯酚，2,3，5 -三甲 基苯酚，2,3,5-三乙基苯酚，4-三級丁苯酚，3-三級丁苯 酚，2 -三級丁苯酚，2 -三級丁基-4 -甲基苯酚，2 -三級丁 基-5-甲基苯酚等之烷基苯酚類；對甲氧苯酚，間甲氧苯酚 ，對乙氧苯酌，間乙氧苯齡，對丙氧苯酣’間丙氧苯酌等 之烷氧苯酚類；鄰異丙烯基苯酚，對異丙烯基苯酚’ 2-甲 基-4-異丙烯基苯酚，2 -乙基-4-異丙烯基苯酚等之異丙烯 基苯酚類；苯基苯酚等之芳基苯酚類；七4’-二羥基雙苯基’ 雙苯酚A，間苯二酚，氫醌，五倍子酚等之聚羥基苯酚類 等。該等可單獨使用，或組合2種以上使用。在該等苯酚 類之中，尤以間甲酚，對甲酚’ 2，5 -二甲苯酚’ 3,5 -二甲 苯酚，2,3,5-三甲基苯酚爲佳。 前述醛類方面，可例舉例如甲醛，對甲醛’三噁烷， -14 - (12) 1307457 乙醛，丙醛’ 丁醛’三甲基乙醛，丙烯醛，巴豆醛，環 己烷醛，糠醛，呋喃基丙烯醛，苯甲醛，對苯二甲醛，苯 基乙醛苯基丙醛，/5 -苯基丙醛，鄰羥基苯甲醛，間 羥基苯甲醛’對羥基苯甲醛，鄰甲基苯甲醛，間甲基苯甲 醛，對甲基苯甲醛，鄰氯苯甲醛，間氯苯甲醛，對氯苯甲 醛’桂皮醛等。該等可單獨使用，或組合2種以上使用。 在該等醒類之中’就獲得容易性而言以甲醒爲佳，尤以爲 提高耐熱性則可使用羥基苯甲醛類與甲醛之組合。 在前述酮類方面’可例舉例如丙酮，甲基乙基酮，二 乙基酮’二苯基酮等。該等可單獨使用，或可組合兩種以 上使用。在苯酚類與酮類之組合中，以五倍子酚與丙酮之 組合特佳。 苯酚類與醛類或酮類之縮合反應生成物，可在酸性觸 媒之存在下以習知之方法製造。此時之酸性觸媒方面，可 使用鹽酸’硫酸’甲酸’草酸，對甲苯磺酸等。如此方式 所得之縮合生成物’可藉由分態等之處理，使切割低分子 領域者因耐熱性優異故佳。分餾等之處理，係藉由縮合反 應所得之樹脂予以溶解於良溶劑，例如甲醇，乙醇等之醇 ’丙酮’甲基乙基酮等之酮或’乙二醇單乙基酸乙酸醋， 四氫呋喃等’接著注入水中使之沈殿等之方法來進行。 在上述之物中尤其是在全苯酚系重覆單元中，使對甲 酣系重覆單元含有60莫耳％以上，且使間甲酿系重覆單 元含有3 0莫耳％以上，聚苯乙烯換算重量平均分子量（ Mw)爲2 000〜8 000之酚醛淸漆樹脂爲佳。 (13) 1307457 對甲酚系重覆單元在不足60莫耳％時’因相對 熱處理時之溫度高低不勻易引起感度變化’又間甲酌 覆單元在不足3 0莫耳％ ’會有感度劣化之傾向故不佳 另外，可含有二甲苯酚系重覆單元或’三甲基苯 重覆單元等之，其他苯酚系重覆單元亦可，但，最佳 對甲酚系重覆單元60〜70莫耳％，間甲酚系重覆單： 〜3 0莫耳％所成2成分系之酚醛淸漆樹脂，苯酚類之 體（具有2個苯酚核之縮合物分子）含量在GPC (凝 透色譜法）法中爲1 〇%以下般之苯酚類之低分子量體 少之酚醛淸漆樹脂爲佳。前述二核體可在高溫（例如 °c )之預烘烤或後烘烤中昇華，使爐之天板等髒污， 使塗佈光阻之玻璃基板髒污造成其生產率降低之原因 關於（B )成分（感度提高劑）： (B )成分係以使用，上述一般式（I )所示苯酚 物爲佳。 (B)成分之例方面，可例舉三（4 -羥基苯基） ，雙羥基-3-甲基苯基）-2-羥基苯基甲烷，雙（ 基-2,3,5-三甲基苯基）-2-羥基苯基甲烷，雙（4-爹 3,5-二甲基苯基）-4-羥基苯基甲烷，雙（4-羥基-3,5. 基苯基）-3-羥基苯基甲烷，雙（4-羥基-3,5-二甲基 )-2-羥基苯基甲烷，雙（4_羥基- 2/-二甲基苯基） 基苯基甲烷，雙（4-羥基-2,5-二甲基苯基）-3-羥基 甲烷，雙（4_羥基- 2:5 -二甲基苯基）-2 -羥基苯基甲 於加 系重 〇 酚系 爲， C 40 二核 膠滲 含量 130 進而 化合 甲烷 4-羥 邑基-二甲 苯基 -4-羥 苯基 烷’ -16 - (14) 1307457 雙（4-羥基-3, 5-二甲基苯基）-3,4-二羥基苯基甲烷，雙 (4-羥基-2,5-二甲基苯基）-3,4-二羥基苯基甲烷，雙（4-羥基-2,5-二甲基苯基）-2,4-二羥基苯基甲烷，雙（4-羥基 苯基）-3-甲氧-4-羥基苯基甲烷，雙（5-環己基-4-羥基- 2-甲基苯基）-4-羥基苯基甲烷，雙（5-環己基-4-羥基-2-甲 基苯基）-3-羥基苯基甲烷，雙（5-環己基-4-羥基-2-甲基 苯基）-2-羥基苯基甲烷，雙（5-環己基-4-羥基-2-甲基苯 基）-3，4 -二羥基苯基甲烷，1-[1-(4 -羥基苯基）異丙基 ]-4-[1,卜雙（4-羥基苯基）乙基]苯，1-[1-(3-甲基-4-羥 基苯基）異丙基]-4-[l，l-雙（3-甲基-4-羥基苯基）乙基] 苯，2- ( 2,3;4-三羥基苯基）-2- ( 2’，3'，4'-三羥基苯基） 丙烷，2- (2，4-二羥基苯基）-2-( 2’，4'-二羥基苯基）丙 烷，2- ( 4-羥基苯基）-2- ( 4’-羥基苯基）丙烷，2- ( 3-氟-4-羥基苯基）-2- (3’-氟- 4'-羥基苯基）丙烷，2- (2，4-二羥基苯基）-2- (41-羥基苯基）丙烷，2- (2,3,4-三羥基 苯基）-2- (4’ -羥基苯基）丙烷，2- (2,3,4 -三羥基苯基 )-2- (4'-羥基-3’，5'-二甲基苯基）丙烷，雙（2;3,4-三羥 基苯基）甲烷，雙（2,4-二羥基苯基）甲烷，2，3,4-三羥 基苯基- 4' -經基苯基甲院^ 1，1- — (4 -經基苯基）環己院 ，2，4-雙[1-(4-羥基苯基）異丙基]-5-羥基苯酚等。 在該等中，因感度提高效果特別優異，故以雙（4 -羥 基_3_甲基苯基）-2-羥基苯基甲烷，雙（4-羥基-2,3d-三 甲基苯基）-2-羥基苯基甲烷，2:4-雙[1-(4-羥基苯基） 異丙基]-5 -羥基苯酚，1，1 -二（4 -羥基苯基）環己烷，]- -17 - (15) l3〇7457 [K(4-羥基苯基）異丙基]-4-[]，l-雙（4-羥基苯基）乙基 ]$等爲佳。 液晶顯示元件製造之領域中，生產率之提高爲非常大 之問題，但藉由該苯酚化合物之配合，可達成高感度化’ 賦予生產率之提高1故佳。 又藉由該苯酚化合物之配合，因可在光阻膜強大的形 成表面難溶化層，故在顯影時未曝光部分之光阻膜之膜變 薄量減少，而可抑制顯影時間之差所產生顯影高低不勻之 發生，故佳。 在該苯酚化合物之中’就下述式（VI )所示之化合物 (】-[1-(4-羥基苯基）異丙基]-4-[15卜雙（4-羥基苯基） 乙基）苯）與下述式（VII)所示之化合物（雙（2，3,5-三甲基_4-羥基苯基）-2-羥基苯基甲烷），在高感度化， 高殘膜率化，及線性之提高效果優異之點爲特佳。
-18 - (16) 1307457
在配合（B )成分之情形，其含量相對於爲（a )成 分之鹼可溶性樹脂1〇〇質量份，可在爲5〜25質量份，較 佳爲10〜20質量份之範圍選擇。 若低於此範圍，則無法充分獲得高感度化，高殘膜率 化之提高效果，超過此範圍時，在顯影後之基板表面則易 於產生殘渣物’又原料成本亦被提高，並不佳。 關於（C)成分（感光性成分）： 以使用選自上述一般式（III)所示苯醌二疊氮（ diazido)醋化物（感光性成分1)及上述一般式（V)所 示苯醌二疊氮酯化物（感光性成分2 )之中之至少一種爲 佳，尤其是將該感光性成分1與感光性成分2混合使用’ 即使在使用5 0 0 X 6 0 0 m m 2以上之大型玻璃基板之處理中’ 亦可提供巨觀特性（塗布性，加熱高低不勻特性’顯影高 低不勻特性）優異之光阻材料。 另外’感光性成分1之平均酯化率以4 0〜6 0 %爲佳， 更佳爲4 5〜5 5 %。在不足4 0 %會有顯影後之膜變薄易於發 生，使得殘膜率易於降低。超過6 0 %時’會有使感度顯著 劣化之傾向。 -19- (17) 1307457 在該感光性成分]方面，以下述式（VIII )所示之化 合物（雙（2 -甲基-4-羥基-5-環己苯基）-3,心二羥基苯基 甲烷）之1，2·萘醌二疊氮-5-磺醯基化合物之苯醌二疊氮 醋化物比較廉價，就可調整感度，解像性’線性（ linearity )優異之光阻組成物之點而言較佳。此內酯化率 5 0 %爲最好。
(M) 一方面，在感光性成分2方面，以下述式（IX)所示 之2，3，4,4’-四氫羥基二苯基酮之lj-萘醌二疊氮-5-磺醯 化合物之苯醌二疊氮酯化物爲佳。其內之平均酯化率5 0 〜7 0 %之物爲佳，更佳爲5 5〜6 5 %。在不足5 0 %時，會有 易於產生顯影後之膜變薄，使殘膜率易於降低。一方面， 超過7 0 %時，會有保存穩定性降低之傾向。該感光性成分 2，爲非常廉價，就可調整感度優異之光阻組成物之點爲 佳。在其中，酯化率5 9 %之物爲最佳。
HO DH
(C )感光性成分，除了上述感光性成分1，2以外， 可亦使用其他之苯醌二疊氮酯化物。 -20- 1307457 (18) 上述其他之苯醌二疊氮酯化物之使用量，在（C )感 光性成分中，以30質量％以下，尤其是25質量％以下爲 佳。 感光性成分I與2之混合比率，相對於感光性成分1 之5 0質量份，使感光性成分2爲4 0〜6 0質量份’尤其是 45〜55質量份之範圍爲所期望。 感光性成分2之配合量比此範圍更少時，會有感度劣 化之傾向，若比此範圍更多時，會有光阻組成物之解像性 ，線性劣化之傾向。 (C )成分之配合量，可在相對於（A )成分之鹼可 溶性樹脂與（B )成分之合計量1 0 0質量份，爲1 5〜4 0質 量份，較佳爲20〜30質量份之範圍選擇。（C)成分之配 合量若低於上述範圍時，則圖型無法獲得忠實的影像，轉 印性亦會降低。一方面，（C)成分之配合量若超過上述 範圍時，感度或解像性會劣化，又顯影處理後會有殘渣物 發生之傾向。 此種光阻組成物，係將（A )〜（C )成分及各種添 加成分，溶解於爲有機溶劑之下述（D )成分，以溶液之 形式使用爲佳。 關於（D)成分（有機溶劑）： 較佳之有機溶劑之例方面，可例舉丙酮，甲基乙基酮 ，環己酮’甲基異戊酮，2 -庚酮等之酮類；乙二醇，丙二 醇，二乙二醇’乙二醇單乙酸酯，丙二醇單乙酸酯二乙二 -21 - (19) 1307457 醇單乙酸酯，或該等之單甲基醚，單乙基醚’單丙醚，單 丁酸或單本基醚等之多價醇類及其衍生物；二噁烷般之環 式酸類，及乳酸乙酯，酌酸甲醋，酢酸乙酯，酢酸丁酯， 丙酮酸甲酯’丙酮酸乙酯，甲氧丙酸甲酯，乙氧丙酸 乙酯等之酯類。該等可單獨使用，或混合2種以上使用。 在該等之內以丙二醇單甲基醚乙酸酯（PGMEa )， 就可賦予光阻組成物優異之塗布性，可賦予大型玻璃基板 上之光阻被膜優異之膜厚均勻性之點爲佳。 PGMEA以單獨溶劑使用爲最好，但PGMEA以外之溶 劑亦可與此混合使用。在此種溶劑方面，可例舉例如乳酸 乙酯，γ - 丁內酯，丙二醇單丁醚等。 在使用乳酸乙酯之情形’相對於P GMEA之質量比爲 〇.1〜10倍量，較佳爲在1〜5倍量之範圍配合爲所望。 又，在使用7 -丁內酯之情形’相對於PGMEA ’質量 比在〇·01〜1倍量’較佳爲0.05〜0_5倍量之範圍配合爲 所望。 在液晶顯示元件製造之領域中’通常使光阻被膜以 〇5~2.54111，尤其是1.0〜2.Ομπι之I旲厚在玻璃基板上形 成爲必要，但因此’使用該等有機溶劑’組成物中之上述 (A )〜（C )成分之總量’相對於組成物之全質量可調 整爲3〇質量％以下，較佳爲20〜28質量％之方式，而以 作爲塗布性優異之液晶顯示兀件製造用光阻材料爲佳。 此情形任意使用之下述（E )成分之量亦予以勘酌’ 溶劑（D )之使用量，相對於組成物之全質量以65〜85 -22- 1307457 (20) 質量％，較佳爲7 0〜7 5質量％爲佳。 關於（E )成分（其他之添加劑）： 其他之成分方面，防光暈（halation)用之紫 收劑’例如2,2’，4,4'-四氫羥基二苯基酮，4_二甲g 2’，4’-二羥基二苯基酮，5-氨基-3-甲基-^苯基_4-( 苯基偶氮）吡唑，4 -二甲基氨基-V -羥基偶氮苯， 基氨基- 4' -乙氧偶氮苯’ 4 二乙基氨基偶氮苯，谷 (glutamine)等或，又，爲防止輝紋（striati〇n) 面活性劑，例如Frorard FC-430，FC431 (商品名 3M 公司製）’ F-t〇p EF122A，EF122B，EF122C， (商品名’ Tokem Products公司製）等之氟系界面 ’苯醌’萘醌’對甲苯磺酸等之保存穩定化劑，進 必要，在不致影響本發明之情況下，可添加並含有 月旨，可塑劑，穩定化劑’對比提高劑等之慣用添加 以下’本發明之光阻圖型之形成方法及使用此 圖型之形成方法之實施彤態’係以適用於液晶顯示 製造之例來例舉’並參照第]A圖〜第]g圖予以說 首先準備基體。在本發明中基體，並無特別限 在使用必須在基板上予以蝕刻之層爲2層以上所層 體時’因可有效獲得本發明之效果故佳。 在製造液晶顯示元件之情形，基體〗〇係，例《 圖所示，在玻璃基板1上，使閘電極2，第丨絕綠 第]無定形一氧化较膜4 '，鈾刻檔止膜5 ’，第2無 外線吸 K氨基-4-羥基 4-二乙 氨醯胺 用之界 ，住友 EF 1 26 活性劑 而因應 添加樹 劑。 之微細 元件之 明。 定，但 合之基 !口 第 1 A :膜3， 定形二 -23- 1307457 (21) 氧化矽膜6 1，及源汲電極形成用金屬膜7 ’’係具有自 基板1側依照順序層合之多層構造被使用。閘電極2 型化，可以前述第2圖〜第4圖所示順序（含第1光 術步驟）來進行。 玻璃基板之大小並無特別限定，但可成 5 00 x 600mm2以上，尤其是，550〜650mm2以上之大 板。 閘電極 2係由，例如使用鋁（A1 )，鉻（Cr ) (Ti )，或錳（Mo )等之金屬等之導電性材料來形成 第1絕緣膜3，係例如以SiNx所形成。 蝕刻檔止膜5'，係例如以SiNx所形成。 源汲電極形成用金屬膜7'，係例如使鈦（Ti )與 A 1 )與鈦（Ti )依照此順序層合之層合膜所構成。 (A)首先，在基體10上形成光阻被膜R’。具 言，在基體10上塗佈上述光阻組成物，藉由在100-°C左右之加熱乾燥（預烘烤），可形成光阻被膜R'。 光阻被膜R’之厚以1.0〜3.0 μηι左右爲佳。 使光阻被膜R'之厚在此範圍內，可在適度曝光 曝光時間之範圍內，形成該高低差，又就可使該高低 狀良好的解像之點爲佳。 (Β )接著，經過光微影術步驟，如第1Β圖所 使光阻被膜R’圖型化成爲具有厚壁部r 1與薄壁部r2 形狀。 具體而言，例如透過半色調（ha] f tone )光罩等 玻璃 之圖 微影 爲在 型基 ，鈦 鋁（ 體而 1 40 量， 差形 示， 圖型 之透 -24- (22) 1307457 過率被設定之光罩（光柵r e t i c 1 e )，相對於光阻被膜R， 進行選擇性曝光，接著進行顯影，水洗，而可形成因領域 而厚度不同之形狀之光阻圖型形成。（第2光微影術步驟 )(C )圖型化後，進行U V (紫外線）固化處理，可獲 得第1 B圖所示段狀光阻圖型R。 在段狀光阻圖型R中厚壁部rl與薄壁部r2之厚度差 ’藉由其後之灰化處理可僅除去薄壁部r2使厚壁部rl以 恰當厚度殘留起見，則以0 · 5〜1 · 5 μ m左右爲佳，更佳之 範圍在0.7〜1.3μιη左右。 U V固化可使用公知之方法進行。例如，使用公知之 紫外線照射裝置，在被圖型化之光阻圖型全面照射紫外線 〇 紫外線之照射條件，並非因U V固化而使光阻圖型之 形狀變形，而爲獲得耐蝕刻性優異，耐熱性良好的段狀光 阻圖型R ’則特別使用自D e e ρ υ V領域經可視光領域之波 長（波長100〜700n m左右）之紫外線，尤其是使用2〇〇 〜5 OOnm左右之波長之紫外線爲主要之輸出光源，而以約 I 0 0 0〜5 0 0 0 0 m ·丨/ c m 2左右之照射量照射爲佳。更佳之照射 量在2000〜1 5 000m.丨/cm2左右。照射量，係由照射之紫外 線之強度與照射時間來控制。 另外，在u V固化（照射）之際，爲使照射部不致產 生皺紋，控制急激之照射或照射所致溫度上昇爲所望。 (D )在U V固化後’可進行後烘烤。該後烘烤處理 ，具體而言’係實施100〜]70 °C之溫度，3〜]0分左右之 -25 - 1307457 (23) 加熱處理。更佳之加熱條件係1 2 0〜1 3 0 °C，4〜6分左右 〇 此後烘烤處理並非必要，但藉由進行後烘烤可使段狀 光阻圖型R之耐熱性進而提高。又，藉由後烘烤處理，爲 使段狀光阻圖型R與基體1 〇之密接性提高，則尤其是爲 獲得對於濕蝕刻處理要得到高耐性爲有效。另外，藉由 UV固化處理可使段狀光阻圖型R之耐熱性提高，故在後 烘烤步驟中並不必擔心圖型會變形。 另外，該UV固化處理與後烘烤處理，可因應所望， 在後述之（F )步驟中於段狀光阻圖型R之灰化處理後， 再度進行亦無妨。 (E)將如此所形成之段狀光阻圖型R作爲光罩，如 第1C圖所示，進行基體10之金屬膜V蝕刻。金屬膜7' 之蝕刻可以周知之手法進行。一般而言可使用濕蝕刻處理 ’乾蝕刻亦可。 接著，使相同段狀光阻圖型R作爲光罩，如第1 D圖 所示，藉由前述金屬膜7’之蝕刻所曝光之第2無定形二氧 化矽膜6’與其下之蝕刻檔止膜5'，及第1無定形二氧化矽 膜4 1予以蝕刻。該等層之蝕刻，可以周知之手法進行。 一般而言可使用乾蝕刻處理。在此之段狀光阻圖型R 作爲光罩使用之蝕刻，可形成蝕刻檔止膜5與第I無定形 一氧化矽層4。 (F )此後，彳目對於段狀光阻圖型R實施灰化處理， 如第]E圖所示，可除去薄壁部r2。灰化處理可以周知之 -26 - (24) 1307457 手法進彳了。 段狀光阻圖型R被灰化處理時，厚壁部r 1及薄壁部 1-2則同時膜變薄，終究可完全除去薄壁部r2，其下之金 屬膜7'則曝光’厚壁部r 1成爲殘留之狀態。在此狀態下 使灰化處理停止，而可僅除去薄壁部r2。若殘留之厚壁 部r 1過薄，則作爲蝕刻光罩之機能並不充分，故殘留之 厚壁部rl之厚度爲〇·7μιη以上爲佳。 (G)接著，第1F圖所示，將因前述薄壁部Γ2之除 去而曝光之金屬膜7'，使殘留之厚壁部ri作爲光罩進行 蝕刻處理，而可形成源電極及汲電極7。 接著’如第1 G圖所示，因前次金屬膜7 1之蝕刻處理 所曝光之第2無定形二氧化矽膜6 ’，使殘留之厚壁部r 1 作爲光罩予以蝕刻處理，來形成被圖型化之第2無定形二 氧化矽膜6。 (Η )其後’將厚壁部Μ除去。厚壁部r ]之除去方 法，可以灰化處理等周知之手法進行。 在目前爲止之步驟，可獲得與前述之第10圖所示構 造相同構造之微細圖型。 此後，與前述之第11〜15圖所示步驟同樣之步驟， 可製造液晶陣列基板。亦即，（I )如第1 1圖所示，在前 次步驟所得之微細圖型上使第2絕緣膜8 1形成。第2絕緣 膜8 '，係例如可以S i N X形成。 (J )含有在第2絕緣膜8'上形成光阻被膜，使該光 阻被膜，透過光罩進行選擇性曝光之步驟，之光微影術1 -27 - (25) 1307457 予以圖型化，如第1 2圖所示，可形成光阻圖型R4 (第3 光微影術步驟）。所得之光阻圖型R4作爲光罩，進行第 2絕緣膜8 ’蝕刻後’將光阻圖型R4除去，如第1 3圖所示 ，可獲得被圖型化成具有接觸孔之形狀之第2絕緣膜8。 (K ) 如第]4圖所示，在被圖型化之第2絕緣膜8 上使透明導電膜9'形成。透明導電膜9'，例如可以ITo ( 酸化銦錫）形成。 (L)含有在透明導電膜9’上形成光阻被膜，使該光 阻被膜，透過光罩進行選擇性曝光之步驟，之光微影術， 予以圖型化， 如第1 5圖所示，可形成光阻圖型R 5 (第4光微影術 步驟）。 此後，所得之光阻圖型R 5作爲光罩進行透明導電膜 9’蝕刻後，藉由光阻圖型R5之除去，可形成第16圖所示 被圖型化之透明導電膜9，可獲得液晶陣列基板。 如此所得之液晶陣列基板與對向基板之間以夾持液晶 之方式，藉由以周知方法組合，而可獲得液晶顯示元件。 根據本實施形態，因可形成耐蝕刻性高之段狀光阻圖 型R ’將此段狀光阻圖型R作爲光罩，使基體1 0之金屬 膜7' ’第2無定形二氧化矽膜6’，蝕刻檔止膜5'，及第1 無定形二氧化矽膜4 ’予以蝕刻後，使該段狀光阻圖型R 之厚壁部rl作爲光罩而可進行金屬膜7·及第2無定形二 氧化矽膜6 ’之蝕刻。 因此，在液晶陣列基板之製造步驟中可減少光微影術 -28 - (26) 1307457 步驟之次數。例如在第2〜1 5圖所示習知之方法，要製造 液晶陣列基板則光微影術步驟有必要進行5次（第1〜第 5之光微影術步驟），而在本實施形態，可使相同構造之 液晶陣列基板以4次之光微影術步驟（第1〜第4光微影 術步驟）就可製造。藉此可抑制光阻之消費量，因步驟亦 爲簡略化，故可謀求液晶陣列基板之製造成本之削減。 又，本實施形態中所形成之段狀光阻圖型R，因耐熱 性良好，在後烘烤處理中可防止變形。藉由後烘烤之實施 ，可進而提高段狀光阻圖型之耐熱性及耐蝕刻性 另外，率本實施形態，係使段狀光阻圖型成爲剖面凹 狀’段狀光阻圖型，因領域不同厚度並不相同，故若爲具 有厚壁部與薄壁部之形狀則佳，在可由蝕刻所形成之微細 圖型可因應形狀適宜設計。例如，可在厚壁部之外側設置 薄壁部之剖面凸狀，亦可爲剖面山型狀。 又，在本實施形態，可適用於本發明之第1 6圖所示 構造之ct - S i (無定形二氧化矽）形τ F T陣列基板之製造 步驟，但並非限定於此構造之液晶陣列基板。本發明在具 有各種像素圖型之液晶陣列基板之製造均可適用，使用本 發明之微細圖型之形成方法來形成像素圖型之一部份，可 獲得與本實施形態同樣之效果。 【實施方式】 〔實施例〕 在下述實施例及比較例中，形成段狀光阻圖型，來評 -29- (27) 1307457 價耐熱性，耐乾蝕刻性，及耐濕蝕刻性。特性之評價係以 下述方法進行。 (1 )耐熱性評價： 相對於實施例及比較例所得之光阻圖型，進行1 3 〇 ’ 3 0 0秒之加熱處理，使光阻圖型之形狀不變形者爲〇， 變形者爲X。 (2 )耐乾蝕刻性評價： 相對於實施例及比較例所得之光阻圖型，使用乾蝕刻 裝置「TCE-7612X」（裝置名；東京應化工業公司製）， 蝕刻氣體係使用CF4，CHF3，He，各40毫升/min，40毫 升 /min’ 160 毫升/niin，在 300mT0rr(%39.9Pa)之減壓 氛圍下’進行 700W-400kHz，級（stage)溫度：20°C，靶 標（t ar g e t )溫度：2 5 °C之處理條件所致乾蝕刻處理，在處 理前後，光阻圖型之形狀不變形者爲〇，變形者爲X。 0 耐濕蝕刻性評價： 相對於實施例及比較例所得之光阻圖型，將該光阻圖 ^ 型所形成之基板設定於2 0 °C之濕蝕刻液[含有氟化氫酸（ · HF ) /氟化銨（NH4F ) = 1/6 (質量比）混合物之20質量 %水溶液]中，浸漬1 0分下進行濕餓刻處理，處理後之光 阻圖型，自基底基板不剝離者爲〇’可完成剝離者爲x。 -30- (28) 1307457 (實施例1 ) 調製正型光阻組成物。 (A )成分：甲酚酚醛淸漆樹脂[間甲酚/對甲酚=4/6 ( 莫耳比）之混合苯酚類與甲醛依照常法進行縮合反應所得 之，重量平均分子量（Mw) =5000之樹脂]100質量份， (B)成分：[雙（2,3,5-三甲基-4-羥基苯基）-2-羥基苯基 甲烷]10質量份，（C)成分：[2,3,4,4'-四氫羥基二苯基酮 1莫耳與1,2-萘醌二疊氮-5-磺醯基氯化物2.34莫耳之酯 化反應生成物]29.7質量份，（D)成分：準備[PGMEA]430 質量份，使上述（A )〜（D )成分均勻地溶解後，對此 界面活性劑係以B Y K - 3 10，B y k - C h e m i e 公司製 ]4 0 0 p p m之配合，對此使用孔徑0.2 μ m之膜過據器進行過 濾，來調製正型光阻組成物。 所得之正型光阻組成物，使用中央滴下&旋轉塗布法 所致光阻塗布裝置〔TR-3 6 000 (東京應化工業公司製） 〕，在100 Orpm進行10秒旋轉塗布，而可在Ti膜所形成 之玻璃基板（3 6 0 m m X 4 6 0 m m )上形成光阻層。 接著，使熱板之溫度爲13 0°C，藉由打開約1mm之 間隔之鄰近烘烤（proximity bake )進行60秒之第1次乾 燥，接著使熱板之溫度爲1 2 0 °C ’藉由打開0.5 mm之間隔 之鄰近烘烤進行秒之第2次乾燥’來形成膜厚2.0 μηι 之光阻被膜。 相對於該光阻被膜透過光罩進行選擇性曝光，進行顯 影處理，洗淨予以圖型化後，使用高壓水銀燈（使波長 -31 - 1307457 (29) 2 00〜600nm之光輸出），實施照射量3〇〇0inJ/cm2之UV 固化（照射）處理，來形成段狀光阻圖型。 所得之段狀光阻圖型如第]圖所示，爲剖面凹狀，厚 壁部之厚度2·0μηι，薄壁部之厚度〇.8μιη，全體之寬13μπι ，薄壁部之寬爲5 μ m .。 .. 關於此段狀光阻圖型，評價耐熱性，耐乾蝕刻性，及 _ 耐濕蝕刻性之結果係如下述表1所示。 (實施例2 ) 使用與實施例1同樣之正型光阻組成物，以與實施例 1同樣之順序形成段狀光阻圖型。但是，段狀光阻圖型之 形狀係成爲剖面凸狀，其尺寸，則爲厚壁部之厚度2 . Ομιη ，薄壁部之厚度〇 . 8 μΠ1，全體之寬1 3 μ1Ώ，厚壁部之寬爲 5 μιτι。 關於此段狀光阻圖型，評價耐熱性，耐乾蝕刻性，及 耐濕蝕刻性之結果如下述表1所示。 · (實施例3 ) 與實施例I同樣，在形成段狀光阻圖型後，相對於此 ，進行130t，3 00秒之後烘烤處理。 · 關於後烘烤處理後之段狀光阻圖型，評價耐熱性，耐 乾蝕刻性，及耐濕蝕刻性之結果係如下述表I所示。 (實施例Ο -32 - (30) 1307457 與實施例2同樣在形成段狀光阻圖型後，相對於此， 進行1 3 0 °C，3 0 0秒之後烘烤處理。 關於後烘烤處理後之段狀光阻圖型，評價耐熱性，耐 乾蝕刻性，及耐濕蝕刻性之結果如下述表1所示。 (比較例1 ) 除了在實施例1中，不進行u V固化處理以外其他則 同樣地形成段狀之光阻圖型。 關於此段狀光阻圖型，評價耐熱性，耐乾蝕刻性，及 耐濕蝕刻性之結果則如下述表1所示。 (比較例2 ) 除了在實施例2中，不進行UV固化處理以外’其他 則同樣，形成段狀之光阻圖型。 關於此段狀光阻圖型，評價耐熱性，耐乾蝕刻性’及 耐濕蝕刻性之結果則如下述表】所示。 (比較例3 ) 相對於比較例1所得之段狀光阻圖型（不予UV固化 )’與上述實施例3同樣進行後烘烤處理。 關於後烘烤處理後之段狀光阻圖型’則評價®熱性’ 耐乾蝕刻性，及耐濕蝕刻性之結果則如下述表〗所示。 (比較例4 ) -33 - (31) 1307457 相對於比較例2所得之段狀光阻圖型（不予UV固化 )，與上述實施例4同樣，進行後烘烤處理。 關於後烘烤處理後之段狀光阻圖型，評價耐熱性，耐 乾蝕刻性，及耐濕蝕刻性之結果則如下述表1所示。 【表1】 UV固化 後烘烤 耐熱性 耐乾蝕刻性 耐濕蝕刻性 實 施 例 1 有 te 〇 〇 X 實 施 例 2 有 M 〇 〇 X 實 施 例 3 有 有 〇 〇 〇 實 施 例 4 有 有 〇 〇 〇 比 較 例 1 姐 X X X 比 較 例 2 /MS 姐 X X X 比 較 例 3 te 川N 有 ΪΚ 一 來 ※ 比 較 例 4 姐 有 — 浓 — 笼 ※：後烘烤處理後，因會造成光阻圖型變形，故耐熱 性，耐乾蝕刻性，及耐濕蝕刻性之評價則不進行。 【圖式簡單說明】 【第1A圖〜第1G圖】顯示本發明之光阻圖型之形 成方法及微細圖型之形成方法之實施形態依照步驟順序之 剖面圖。 【第2圖】顯示習知液晶陣列基板之製造步驟之一部 份之剖面圖。 -34- 1307457 (32) [第3圖】習知液晶陣列基板之製造步驟之一部份延 續前圖之剖面圖。 【第4圖】習知液晶陣列基板之製造步驟之一部份延 續前圖之剖面圖。 【第5圖】習知液晶陣列基板之製造步驟之一部份延 續前圖之剖面圖。 【第6圖】習知液晶陣列基板之製造步驟之一部份延 續前圖之剖面圖。 【第7圖】習知液晶陣列基板之製造步驟之一部份延 續前圖之剖面圖。 【第8圖】習知液晶陣列基板之製造步驟之一部份延 續前圖之剖面圖。 【第9圖】習知液晶陣列基板之製造步驟之一部份延 續前圖之剖面圖。 【第1 〇圖〕習知液晶陣列基板之製造步驟之一部份 延續前圖之剖面圖。 【第1 1圖】習知液晶陣列基板之製造步驟之一部份 延續前圖之剖面圖。 【第1 2圖〕習知液晶陣列基板之製造步驟之一部份 延續前圖之剖面圖。 【第1 3圖】習知液晶陣列基板之製造步驟之一部份 延續前圖之剖面圖。 [第1 4圖〕習知液晶陣列基板之製造步驟之一部份 延續前圖之剖面圖。 -35 - 1307457 (33) 【第1 5圖】習知液晶陣列基板之製造步驟之一部份 延續前圖之剖面圖。 【第1 6圖】例示液晶陣列基板之剖面圖。 【主要元件之符號說明】 1 0 :基體 1 :玻璃基板 2 :閘電極 3 :第1絕緣膜 4':第1無定形二氧化砂膜 5 1 :蝕刻檔止膜 6 1 :第2無定形二氧化矽膜 7 1 :源汲電極形成用金屬膜 R’ ：光阻被膜 r ] ·厚壁部 r2 :薄壁部 R4 :光阻圖型 81 :第2絕緣膜 9 ’ ：透明導電膜 R5 :光阻圖型 -36 -

Claims (1)

  1. (1) (1)1307457 十、申請專利範圍 1 一種光阻圖型之形成方法，其特徵爲，具有，（A )在基體上形成光阻被膜之步驟，（B )經含有選擇性曝 光之光微影術步驟，使前述光阻被膜，予以圖型化成具有 厚壁部與薄壁部之圖型形狀之步驟，及（C)進行前述圖 型化後，進行UV固化處理，來形成具有厚壁部與薄壁部 之段狀光阻圖型之步驟。 2-如申請專利範圍第1項記載之光阻圖型之形成方 法，其具有，（D )在進行前述UV固化處理後，進行後 烘烤處理之步驟》 3 .如申請專利範圍第]項記載之光阻圖型之形成方法 ，其中上述基體，係具有，在玻璃基板上使閘電極，第1 絕緣膜，第1無定形二氧化矽膜，蝕刻檔止膜，第2無定 形二氧化矽膜，及源汲電極形成用金屬膜，以自玻璃基板 側依照順序被層合之多層構造者。 4 .如申請專利範圍第2項記載之光阻圖型之形成方法 ，其中，上述基體係具有，在玻璃基板上，閘電極，第1 絕緣膜，第1無定形二氧化矽膜，蝕刻檔止膜，第2無定 形二氧化矽膜，及源汲電極形成用金屬膜，自玻璃基板側 依順序層合之多層構造者。 5 . —種微細圖型之形成方法，其特徵爲，以如申請專 利範圍第1項記載之方法使前述段狀光阻圖型形成後，具 有，（E)使該段狀光阻圖型作爲光罩在前述基體進行蝕 刻處理後，（F )相對於該段狀光阻圖型進行灰化處理’ -37- (2) 1307457 將前述薄壁部除去，（G)在除去前述薄壁部後，使厚壁 部作爲光罩在前述基體實施蝕刻處理，其後（Η )將前述 段狀光阻圖型之厚壁部除去之步驟。 6 . —種微細圖型之形成方法，其特徵爲，以如申請專 利範圍第2項記載之方法來形成前述段狀光阻圖型後，具 有，（Ε)使該段狀光阻圖型作爲光罩在前述基體實施蝕 刻處理後，（F )相對於該段狀光阻圖型進行灰化處理， 將前述薄壁部除去，（G)將前述薄壁部除去後，使厚壁 部作爲光罩在前述基體實施蝕刻處理，其後（Η)除去前 述段狀光阻圖型之厚壁部之步驟。 7 . —種微細圖型之形成方法’其特徵爲，以如申請專 利範圍第3項記載之方法使前述段狀光阻圖型形成後，具 有，（Ε)使該段狀光阻圖型作爲光罩在前述基體實施蝕 刻處理後，（F )相對於該段狀光阻圖型進行灰化處理， 將前述薄壁部除去，（G )將前述薄壁部除去後，使厚壁 部作爲光罩在前述基體實施蝕刻處理，其後（Η )除去前 述段狀光阻圖型之厚壁部之步驟。 8 . —種微細圖型之形成方法’其特徵爲，以如申請專 利範圍第4項記載之方法使前述段狀光阻圖型形成後，具 有，（Ε )使該段狀光阻圖型作爲光罩在前述基體實施蝕 刻處理後，（F )相對於該段狀光阻圖型進行灰化處理， 除去前述薄壁部’ （G)將前述薄壁部除去後，使厚壁部 作爲光罩在前述基體實施蝕刻處理’其後（Η )除去前述 段狀光阻圖型之厚壁部之步驟。 -38 - (3) (3)1307457 9. 一種微細圖型之形成方法，其特徵爲，以如申請專 利範圍第3項記載之方法來形成前述段狀光阻圖型後，具 有，（E1 )使前述段狀光阻圖型作爲光罩’使前述源汲電 極形成用金屬膜，前述第2無定形二氧化矽膜，前述蝕刻 檔止膜，及前述第1無定形二氧化矽膜進行蝕刻處理後， (F )相對於該段狀光阻圖型進行灰化處理，除去前述薄 壁部，（G’）將前述薄壁部除去後’使厚壁部作爲光罩將 前述源汲電極形成用金屬膜及前述第2無定形二氧化矽膜 予以蝕刻處理，使前述蝕刻檔止膜層曝光’其後（Η )除 去前述段狀光阻圖型之厚壁部之步驟。 1 0 . —種微細圖型之形成方法，其特徵爲，以如申請 專利範圍第4項記載之方法使前述段狀光阻圖型形成後， 具有，（Ε')使前述段狀光阻圖型作爲光罩’將前述源汲 電極形成用金屬膜，前述第2無定形二氧化矽膜’前述蝕 刻檔止膜，及前述第1無定形二氧化矽膜予以蝕刻處理後 ，（F )相對於該段狀光阻圖型進行灰化處理’除去前述 薄壁部，（G1)除去前述薄壁部後，使厚壁部作爲光罩， 將前述源汲電極形成用金屬膜及前述第2無定形二氧化矽 膜予以蝕刻處理使前述蝕刻檔止膜層曝光’其後（Η )除 去前述段狀光阻圖型之厚壁部之步驟° 1 1 .如申請專利範圍第9項記載之微細圖型之形成方 法，其中，前述源汲電極形成用金屬膜之蝕刻處理係濕蝕 刻處理或者乾蝕刻處理，前述第2無定形二氧化矽膜之蝕 刻處理係乾蝕刻處理。 -39 - (4) 1307457 1 2 ·如申請專利範圍第1 0項記載之微細圖型之形成方 法’其中，前述源汲電極形成用金屬膜之蝕刻處理係濕蝕 刻處理或者乾蝕刻處理，前述第2無定形二氧化矽膜之蝕 刻處理係乾蝕刻處理。 1 3 _ —種液晶顯示元件之製造方法，其爲具有，在玻.， 璃基板上形成像素圖型來製造液晶陣列基板之步驟者，其 — 特徵爲， 前述像素圖型之一部份係以，如申請專利範圍第5〜8 φ I貝中任一項記載之微細圖型之形成方法所形成者。 ]4 · 一種液晶顯示元件之製造方法，其特徵爲，以如 申sra專利範圍第9〜1 2項中任一項記載之方法，使微細圖 型形成後，具有，（I)在該微細圖型上設置第2絕緣膜 之步驟’（J )使第2絕緣膜藉由光微影術予以圖型化之 步驟’ （K )在被圖型化之第2絕緣膜上形成透明導電膜 之步驟’ （L )使透明導電膜藉由微影術予以圖型化之步 驟考D -40-
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