TWI303959B - Manufacturing method of substrate, release sheet, manufacturing method of substrate, and manufacturing method using the same - Google Patents

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1303959 玖、發明說明： C發明所屬技術領域】 發明領域 本發明係有關於一種連接兩面基板或多數層之電路圖 5案所構成之基板之製造方法及離型片、基板之製造裝置及 使用該基板之製造裝置之基板製造方法。 I：先前技術3 發明背景 近年來，隨著電子機器之小型化、高密度化，產業用 10及民生用之領域中亦強烈需求多層基板。特別，多層基板 要高密度化，電路圖案就要更微細化，且由於更多層之電 路圖案之積層精度會左右其性能，因此，需要積層精度高 且生產性南之積層方法。 以下，針對習知之多層基板，即4層基板之製造方法作 15說明。首先，說明多層基板之基礎之兩面（2層）基板之製造 方法。 第5A圖至第讣圖，係習知兩面基板之製造方法之步驟 截面圖。 第5A圖顯示於大小約4〇〇lmn之四方形、厚度i5〇//m之 2〇不織布之芳香族聚醯胺纖維含浸熱硬化性環氧樹脂之複合 材所構成之芳香族聚醯胺環氧片（以下稱為預浸體)51，及於 藉田射加工之貫通孔利用印刷等方法充填有導電性膏之通 孔52。其中，所謂預浸體，一般而言係指於玻璃布或紙等 基材含浸樹脂並經過乾燥處理而呈現半硬化狀態之複合 Ϊ303959 材。 第5B圖顯示銅箔53a、其前端之直徑約1〇111111之加熱衝 壓器54a、54b、以氣樹脂等作為材料之離型片55及定位檯 56 〇 在靜置於定位檯56上之銅箔53a上，以CCD等辨識裝置 (圖未不）檢測並定位設置於預浸體51之定位用通孔（圖未示） 後，積層預浸體51，並透過離型片55，利用加熱至約3〇(rc 之加熱衝壓器54a、54b以壓力Q.iMpa對預定部分加熱加壓3 秒鐘，以使預浸體51因I硬化性環氧樹脂熔融而黏著固定 10 於鋼箔53a。 接著，如第5C圖所示地，解除加熱衝壓器54a、54b對 預浸體51之加熱加壓並將廉型片55剝離。此外，標號63係 經過加熱衝壓器54a、54b加熱加壓之凹處部分。 接著’如第3D圖所示，於預浸體5丨積層銅箔53b使其與 15銅箔53a挾持預浸體51。接著，以加熱至約100°C之加熱衝 壓器54a、54b，以壓力O.IMpa對預浸體51及銅箔53a之預定 部分進行約3秒鐘之加熱加壓使其黏著固定。藉此，上下之 銅箔53a、53b與預浸體51黏著固定。此時之加壓處係與先 鈾之加壓處不同，且結束銅箔53a、53b與預浸體51之加壓 20 固定。 接著，如第5E圖所示地，將熱加壓（圖未示）設定為溫 度200°C、壓力5Mpa，並對預浸體51加熱加壓約2小時，使 包含於預浸體51中之熱硬化性環氧樹脂熔融硬化，而使上 下之銅洎53a、53b黏著於預浸體51全面，並且切除預浸體 1303959 之端部5IT之多餘之銅箔。藉此，形成2層之敷銅箔積層板。 此時，藉配置於預浸體51之充填有導電性膏之通孔52使上 下銅箔53a、53b互相電性接合。 接著，如第5F圖所示地，藉蝕刻等選擇性地除去敷銅 5箔積層板57之表面銅箔之預定部分以形成電路圖案，而完 成基板59。 苐6A圖至第6F圖，係顯示習知之多層基板之製造方 法，即以4層基板之製造方法為例之步驟截面圖。於第6A 圖中，經過與第5A圖至第5F圖所示者同樣之步驟後將銅箔 10 53a與預 >叉體51 a載置於定位擾56上。 接著，於預浸體5la上積層基板59而作成内層用核心基 板。將基板59積層於預浸體51a上，係於使用CCD等辨識農 置（圖未示）使形成於基板59之定位用圖案（圖未示）與形成 於預浸體51a之定位用通孔（圖未示）定位後進行。 15 之後，藉加熱至約300°C之加熱衝壓器54a、54b透過離 型片55對預浸體5la之預定部分進行約3秒鐘之加熱加壓。 藉此，將銅箔53a、預浸體51a、及基板59互相黏著固定。 接著’如第6B圖所示地，將預浸體51b以CCD等辨識裝 置檢測、辨識定位用通孔（圖未示）。之後，進行預浸體51b 20 與業已疋位固定於定位檯56上之基板59之定位圖案之對位, 並載置、積層。 ， 接著’藉加熱至約3〇〇之加熱衝壓器54a、54b透過離型 片55對基板59之預定部分進行約3秒鐘之加熱加壓，並使基 板59與預浸體511)互相黏著固定。 7 1303959 接著，如第6C圖所示地，於預浸體5lb之上面積層鋼箔 53b，並利用加熱至約300。(：之加熱衝壓器54a、54b對銅箔 53b之預定部分進行約3秒鐘之加熱加壓。實施該加熱加壓 處理時，會使下側之銅箔53a、下側之預浸體5 la、基板59、 5 上側之預浸體51b及上側之銅箔53b之間黏著，而互相固定。 接著，如第6D圖所示，將熱加壓器（圖未示）設定為溫 度200°C、壓力5Mpa，並對含有基板59之積層基板整體進 行約2小時之加熱加壓。藉此，上下預浸體5ia、5lb所包含 之熱硬化性環氧樹脂熔融，且上下銅箔53a、53b、與上下 10預浸體51a、51b藉前述熱硬化性環氧樹脂黏著固定，完成4 層敷銅箔板60。 然後，如第6E圖所示，利用對4層敷銅板6〇之表面進行 蝕刻等選擇性地除去銅箔來形成電路圖案61，並完成4層多 層基板62。 15 此外，欲使多層基板62更多層化時，可利用如第狃圖 所示之4層基板62作為核心基板並反覆前述步驟。 再者，與本發明有關之先行技術文獻，可舉例有曰本 專利公開公報7-283534號。 第7圖係用以說明習知技術之缺點之模式 顯示於加熱衝壓器54與預浸體51之間挾持離型片554 態。如财述般酉己置時’ η*於不弄辦且損傷加熱衝壓器$ 情況下，對預浸體51之預定部分進行加熱加壓。又益^ 預浸體5丨巾所含讀脂完全硬化，峰著預浸體$⑻ 53a、53b。然而，由於將離型片乃剝離時，預浸體5'^ 20 1303959 過加熱加壓之部分尚處於高溫狀態，且預浸體51中含有之 熱硬化性環氧樹脂62仍然處於熔融狀態下，又，預浸體51 仍於與離型片55溶融黏著之狀態，因此，溶融之熱硬化性 環氧樹脂62之一部份會黏著並附著離型片55。 5 且’經由高溫加熱加壓之凹處部分63因樹脂熔融流出 而減少，因此變形成凹狀，且預浸體51之心材露出。即， 以加熱衝壓器54加熱加壓之凹處部分63中，樹脂因高熱而 溶融並受到加壓，因此，樹脂壓出之凹處部分63產生樹脂 大部份流失之不良現象。 1〇 又’壓出之樹脂以黏著於離型片55之狀態使樹脂62脫 落’因此，以加熱衝壓器54加熱加壓之部分63中之樹脂不 足。又’由於剩餘之樹脂亦大致完全硬化，因此不能以接 下來之熱壓步驟藉來自周圍之樹脂流動達成樹脂厚度之均 一化，因此，以加熱衝壓器54加熱加壓之部分63處於多孔 15 之狀態，而陷入蝕刻液等可輕易浸入之狀態。 即，習知之製造方法中，使預浸體51積層於銅箔或核 心基板並黏著固定時，係以高溫加熱加壓預浸層51，因此’ 必定有加壓之部分之樹脂流出並完全硬化，造成預浸體51 之心材露出，並且成為多孔狀態之不良現象產生。 20 又，預浸體51中產生不必要之多孔部分時，該部分於 電路形成時會有蝕刻液流入，而該蝕刻液之殘渣必定會對 接下來之步驟造成不良影響。即，習知之製造方法中’具 有蝕刻液之殘渣成為製程中污染之主因之缺點。 又，習知之積層步驟中，離型片22及與其密著之預浸 1303959 體51會互相拉扯，因此，會有積層之材料組錯位之不良現 象產生。 本發明係提供一種於積層時在不使樹脂完全硬化之狀 態下，製造生產性優異之高精度之基板之製造方法及離型 5片、基板製造裝置及使用該基板製造裝置之基板製造方法。 C發明内容3 發明概要 本發明之一種基板之製造方法，係包括使用預浸體作 為被積層物之積層步驟者，其特徵在於包含有：以加熱加 1〇壓機構透過離型片對前述預浸體之預定部分加熱加壓之步 驟；解除前述加熱加壓機構之加熱加壓之步驟；及於冷卻 前述預浸體後剝離前述離型片之步驟。將前述預浸體與金 屬箔或基板，或前述預浸體組重疊，並固定重疊之預定部 分，藉此，可高精度地積層兩面基板或多層基板。 15 再者，本發明之基板之製造方法，包含有：於金屬箔 ，上積層預浸體之步驟；加熱加壓前述預浸體之預定部分以 固定前述金屬箔與預浸體之步驟；於前述預浸體上面積層 具有電路圖案之基板之步驟；加熱加壓前述基板之預定部 分以固定前述預浸體與基板之步驟；於前述基板上面再積 層預浸體之步驟；加熱加壓前述預浸體之預定部份以固定 前述預浸體與基板之步驟；於前述預浸體上面再積層金屬 名之步驟；加熱加壓前述金屬箔之預定部份以固定前述金 屬箱與預浸體之步驟；及對前述整體進行加熱加壓之步 驟。加熱加壓前述預浸體之預定部分之方法，包括··以加 1303959 熱加壓機構透過離型片加熱加壓前述預浸體之預定部分之 步驟；解除前述加熱加壓機構之加熱加壓之步驟；及於冷 卻前述預浸體後剝離前述離型片之步驟。 又，本發明係利用已加熱之加熱衝壓器透過離型片加 5 ’熱加壓前述預浸層之預定部分，藉此使含浸於前述預浸體 之B階段狀態之樹脂軟化或㈣以作為黏著劑，而可固定構 成材料組。於此，所謂B階段，係指材料與醇、丙_等液體 接觸日寸，成為膨脹但不完全溶解之暫時硬化之狀態。 接著，結束加熱加壓並解除前述加熱衝壓器之加熱加 1〇壓，亚且於前述預浸體之溫度下降後剝離前述離型片，藉 此具有可高精度地積層多層基板之效果。 又，本發明之基板之製造方法中，具有電路圖案之基 板係織布或不織布與熱硬化性樹脂之複合材。藉此可提昇 基板之機械強度。 15 又’本發明之基板製造方法中，前述預浸層於其基材 含浸之樹脂亦保持3階段狀態，藉此可防止熱硬化性環氧樹 脂經加壓而壓出並流出。 又’本發明之前述離型片於與前述預浸體一起加熱加 壓時’係夹在前述預浸體與加熱加壓機構之間，且前述離 2〇型片兼具耐熱性與離型性。前述離型片係由氟樹脂或經過 離型處理之聚苯硫或聚乙_脂構成。 别述之離型片可防止前述加熱衝壓器造成炫融之不良 現象產生。又’可防止前述離型片與前述預浸體黏著之不 良現象產生。 11 1303959 又，本發明之基板之製造裝置包含有··檯，係用以定 位積層基板材料者；加壓用孔，係設置於前述檯者；加熱 加壓機構，係設置於前述加壓用孔位置之上方及下方之可 上下移動者；及供給排出機構(離型片單元），係用以供給並 5排出離型片者，且，前述離型片係通過前述加壓用孔位置 以及上方及下方之前述加熱加壓機構之間來供給、排出。 又，本發明之製造裝置，係於前述檯之預定部分之一 處以上設置前述加壓用孔。利用於前述離型片通過之預定 邛分之一處以上设置前述加壓用孔，可分成下層用預浸體 10 與上層用預浸體之加壓。 又，本發明之製造裝置，特別具有可任意改變供給繞 捲成捲曲狀之前述離型片之供給捲盤與設置於前述檯之另 一端之接收捲盤之間之前述離型片之張力之結構，藉此得 到可輕易地進行積層後之前述離型片之剝離之作用效果。 15 又，本發明之製造I置具有可調整由前述供給捲盤供 給且由接收捲盤接收之前述離型片之拉力（張力）之機能。藉 此，可使前述離型片之鬆弛量為即使於前述供給排出機構 上升時仍呈現尚未拉緊之狀態。 又，本發明之製造裝置係於前述供給捲盤與接收捲盤 20之間具有多數導引前述離型片之導輥。藉此，可決定配置 前述離型片之位置，且可同時地進行多處之黏著固定。 又，本發明之製造裝置中，前述供給排出機構(離型片 單元)係設置成可上下移動。藉此，可有效率地進行前述離 型片之配置及剝離，而可提供生產性優異且穩定之基板。 12 1303959 圖式簡單說明 第1A圖〜第1G圖係顯示本發明之實施形態之基板之製 造方法之截面圖。 第2A圖〜第2F圖係顯示本發明之實施形態之多層基板 5 之製造方法之截面圖。 第3圖係顯示本發明之實施形態之基板之製造裝置之 立體圖。 第4A圖〜第4E圖係顯示本發明之實施形態之製造裝置 之動作之圖。 10 第5A圖〜第5F圖係顯示習知之基板之製造方法之截面 圖。 第6A圖〜第6E圖係顯示習知之多層基板之製造方法之 截面圖。 第7圖係用以說明習知之基板之製造方法中之缺點之 15 模式圖。 L實施方式3 較佳實施例之詳細說明 以下，針對本發明之實施形態，使用圖示作說明。 (實施形態1) 20 第1A圖〜第1G圖係顯示本發明一實施形態之多層基板 之構成内層用核心基板之兩面（2層）基板之製造方法之步驟 截面圖。 第1A圖係顯示於大小約400mm之四方形、厚度150//m 之不織布之芳香族聚醯胺（aramide芳族聚醯胺）纖維含浸 14 1303959 熱硬化性環氧樹脂之複合材所M + 务 π構成之芳香族聚醯胺環氧片 (以下稱為預浸體）ι，及於藉 $射力口工之貫通孔利用印刷等 方法充填有導電性膏之通孔2。 第職係顯示靜置於定位檯6上之銅⑽、具有作為加 5熱機構之機能之其前端之直徑約1Qmm之加熱衝壓器如、 4b、及離型片5。 離型片5係於厚度75" m之聚笨硫塗布石夕來提昇離型 性，且於加壓固定離型片5時，配置成離型處理側與預浸體 1接觸。 10 在靜置於定位檯6上之銅箱3a上，將預浸體UXCCD等 辨識裝置（圖未示）辨識並定位用以定位之通孔（圖未示） 後，積層於銅免3a上。接著，利用將加熱至約1〇〇<t之加熱 衝壓為4a、4b之壓力設定為〇1Mpa，並對預〶體R預定部 分加熱約3秒鐘，藉此，使熱硬化性環氧樹脂軟化或溶融而 15可黏著固定預浸體1與銅箔3a。 接著，如第1C圖所示地，暫時解除加熱衝壓器如、仆 之加熱加壓，而成為離型片5靜置於預浸體丨上之狀態。此 時，由於離型片5係受到稍高於預浸體1之軟化點左右之溫 度加熱加壓，因此，含浸於預浸體1之熱硬化性環氧樹脂即 20使經過加壓亦不會壓出而流出或硬化，係保持B階段狀態。 接著’如第1D圖所示，於預浸體1之加熱加壓之部分之 溫度下降後，由離型片5之其中一側依序慢慢地剝離。離型 片5可輕易地由預浸體1剝離。即，於含浸於預浸體1之熱硬 化性環氧樹脂之軟化點以下時，會更容易剝離。 15 1303959 關於離型片5之材質方面，就算使用於聚乙烯樹脂表面 塗布環氧樹脂使其硬化而提昇耐熱性與離型性者，戋使用 敗樹脂等，亦可得到同樣效果。 接著，如第1E圖所示，於預浸體丨上積層銅箔补，以藉 5銅箔3b與銅箔3a挾持預浸體1。然後，以加熱至約1〇〇它之 加熱加壓器4a、4b對預浸體1之預定部分以壓力〇1Mpa進行 約3秒鐘之加熱加壓來黏著固定。藉此，預浸體丨之上下之 銅箔3a、3b與預浸體1互相黏著固定。 接著，如第1F圖所示地，以熱加壓（圖未示）對預浸體1 10整面進行溫度20(TC、壓力5Mpa之約2小時之加熱加壓。並 藉4加熱加壓處理，使包含於預浸體1中之熱硬化性環氧樹 脂熔融硬化。熔融硬化時，上下之銅箔3a、3b黏著於預浸 體1。又，切除預浸體1之端部之多餘之銅箔，形成2層敷銅 箔積層板7。藉該加熱加壓處理，使上下銅箔3a、3b藉配置 15於預浸體1之充填有導電性膏之通孔2電性接合。 接著’如第1G圖所示般，藉蝕刻等選擇性地除去2層敷 銅络積層板7之銅箔後，完成形成有電路圖案8之2層基板9。 此時’儘管藉加熱衝壓器4a、4b加熱加壓之預浸體1之 一部分為B階段化狀態，基板之心材亦不會因加壓時之流動 20而呈現露出狀態，且蝕刻液亦不會滲透，因此可避免於下 一步驟中需取出蝕刻液殘渣。 第2A圖〜第2F圖係顯示本發明之多層基板之製造方法 之步驟截面圖，且係舉4層基板之例子來顯示。 於第2A圖中，經過與第！a圖〜第id圖同樣之步驟於定 16 1303959 位檯6上載置銅箔3a與預浸體丨&。且，於預浸體la上積層2 層基板9作為内層用核心基板。於預浸體la上積層2層基板 9，係於使用CCD等辨識裝置（圖未示）定位形成於預浸體la 之定位用通孔（圖未示）後進行。 5 定位結束後，利用加熱至約100°C之加熱衝壓器4a、4b 透過離型片5對預浸體ia及2層基板9上之預定部分進行約3 秒鐘之加熱加壓。藉此，黏著固定銅箔3&、預浸體^、及2 層基板9。 此處之加熱加壓處理中採用了離型片5。其理由係為了 10不使加熱衝壓器4a、4b直接加壓内層基板，以避免内層基 板受到污染。藉此，可防止離型片5與2層基板9熔著之不良 情況發生，因此，即使於加熱加壓結束後快速地進行將離 型片5剝離之步驟亦不會有阻礙。 接著，如第2B圖所示，使用CCD等辨識裝置對定位固 15定於定位檯6上之2層基板9之定位用圖案（圖未示），與預浸 體lb之定位用通孔（圖未示）進行辨識並定位而積層。 接著，以加熱至約100。(：之加熱衝壓器4a、4b透過離型 片5對預浸體1之預定部分加熱加壓約3秒鐘，藉此黏著固定 2層基板9與預浸體lb。 20 然後’如第2C圖所示，於加熱衝壓器4a、4b之加熱加 壓結束後，於預浸體lb之業經加熱之部分冷卻後，將離型 片5由其中一側依序緩慢地剝離，藉此可防止積層之基板之 錯位。又，於含浸於預浸體lb之熱硬化性環氧樹脂之軟化 點以下時，可更輕易地剝離且防止錯位。 17 1303959 接著，如第2D圖所示，於預浸體lb上積層銅落外並對 銅羯3b之預定部分，以加熱至約⑽力之加熱衝壓器如、扑 進行約3秒鐘之加熱加壓。藉此進行銅抑、預浸體la、2 層基板9、預浸體lb、及銅箔扑之黏著固定。 5 接著，如第2E圖所示，將熱加壓器（圖未示）設定為溫 度200 C、壓力5Mpa，並進行約2小時之加熱加壓，使上下 預浸體la、lb所包含之熱硬化性環氧樹脂炼融，且使鋼箱 3a、3b、與預浸體丨&、113及2層基板9藉熱硬化性環氧樹脂 黏著固定，藉此完成4層敷銅箔板10。 10 然後，如第2F圖所示，利用對4層敷銅板1〇之表面銅箔 進行蝕刻等選擇性地除去，來形成電路圖案u ,並完成4層 多層基板12。 由於經過加熱衝壓器4a、4b加熱加壓之多層基板12之 一部份，於熱加壓前保持B階段狀態，因此，藉熱加壓使樹 15脂產生流動，且基板表面保持平坦性，基板心材之芳香族 聚酿胺不會洛出至表面’保持良好狀態。 此外，多層基板12為4層以上之多層基板時，可使用多 層基板替代2層基板9作為内層用之核心基板，並同樣地反 覆第2A圖〜第2F圖說明之步驟。 20 此外，於實施形態1中，係敘述了先於定位用檯6上載 置銅箔3a、3b，再依序積層預浸體、核心基板、預浸體、 銅箔之步驟，然而，亦可使用於以核心基板為中心並於其 兩側配置有預浸體之狀態下，同時進行上下黏著固定之方 法，或者交互重疊多片核心基板與預浸體以使最外層為預 18 1303959 浸體之積層方法。 即，本發明之製造方法之於預浸體與加熱衝壓器之間 透過離型片黏著固定，並於剝離離型片後，黏貼銅箔並利 用熱加壓加熱而一次得到多層基板時，亦得到同樣之效果。 5 又，前述係說明了以芳香族聚醯胺不織布為心材，然 而心材為玻璃環氧織布時，亦可得到同樣之效果。 本發明著眼於前述習知之製造方法中之缺點與課題， 並藉由實驗發現離型片之剝離性與剝離之條件。 因此，沒有將加熱衝壓器設定為高溫，所以預浸體中 10 之樹脂沒有流動、流出’且沒有硬化’故’於剝離離型片 時，不會有樹脂黏附在離型片上之不良情況產生。又，預 浸體不會受到離型片拉動，因此，積層位置亦不會偏移， 可確保黏著強度。 以下，將以本發明之製造方法與習知之製造方法製成 15 之基板之表面凹凸狀態顯示於表1，並比較兩者來作說明。 表1 本發明之製造方法 習知之製造方法 加熱 加壓前 100 100

Ra=2.1p/n { I Ra=2.2nfn 加之固分 熱後壓部 加壓加定

Ra=4.2MfTl 因加熱衝壓器形成 之椒脂堆精_ Ρ8=8.1μΓΠ 加壓後 之加壓 固定部 100 μπι/cm

Ra=0.9^

Ra=2.2^ I 19 1303959 首先，本發明及習知之製造方法中，於加熱加壓前， 心材形狀都顯現於表面，且表面粗度Ra都為約2μιη左右之 表面粗度。 將前述狀態者加熱加壓時，於習知之製造方法中，由 5加熱衝壓器壓出之樹脂會於加熱衝壓器周圍形成樹脂堆 積，且加熱加壓之部分中預浸體之心材會露出，且表面粗 度Ra= 8·1μιη 〇 相對於此，本發明之製造方法中，雖然表面粗度高達 Ra = 4.2pm，但樹脂之狀態仍保持皆段狀態。 10 將前述狀態之預浸體以熱加壓加熱加壓時，習知之製 造方法中，由於樹脂已經硬化，因此樹脂無法充分流動， 所以先前形成之凹凸會對加壓後造成影響，得知表面粗度 Ra=2.2pm，且預浸體之心材明顯有露出。 另外，本發明之製造方法中，雖然於加熱加壓時有些 15 許面看起來粗糙，然而樹脂為B階段狀態且殘留於預浸體表 面，因此，於加壓後，表面粗度Ra=〇.9pm，可平坦。 結果，可防止姓刻液的殘渣對下一步驟之不良影響， 且可作為基板來使用之有效範圍較習知更廣，因此，亦可 提升材料之使用效率。 20 且，由於係以較低之溫度進行，而非以習知之加熱溫 度300°C進行，因此，可節省加熱衝壓器之使用電力，及可 謀求加熱衝壓器之壽命之延長，而提昇基板的品質及生產 性。 (實施形態2) 20 1303959 第3圖係本發明之用以製造基板所使用之製造裝置之 立體圖。 第3圖中’首先，可看到有作為加熱機構之加熱器如、 4b ’及定位檯6。於定位檯6之預定位置設置有加壓用孔24 5以推壓基板之下面。 又，供給捲盤22，係用以安裝配置於定位檯6之一邊之 預定位置之帶狀離型片5繞捲於塑膠之心體等者之離型片5 的供給捲盤。 由供給捲盤22供給之離型片5，係經由導輥25a導引而 10送至定位用檯6上。離型片5通過設置於定位用檯6之預定位 置之加壓用孔24上而區分加熱衝壓器4a、4b為上下後，再 由導輥25b導引並由離型片5之接收捲盤23接收。 將離型片5如第3圖般配置時，即，準備4組加熱衝壓器 4a、4b之組合時，可同時進行4處之黏著固定。 15 又，於離型片5通過之定位檯6之預定位置增設加壓用 孔24時，可區分成下層用加熱衝壓器la(參照第2F圖）與上層 用加熱衝壓器lb(參照第2F圖）之加壓。藉此，可避免多次加 壓預浸體之同一處。此時，可增設加熱衝壓器4a、4b，或 使加壓用孔24之直徑較加熱衝壓器4a、4b之直徑更大，藉 20 此使滑動軸承等移動位置。 如前述，本發明所使用之製造裝置，係用以有效率地 製造基板之裝置，藉此可提供生產性優異且穩定之基板。 (實施形態3) 接著，利用第4A圖至第4F圖說明本發明之基板之製造 21 1303959 所使用之製造裝置之動作。特別針對於銅箔3a上積層預浸 體1後所進行之加壓固定動作及離型片5之剝離動作作說 明。 第4A圖係顯示於定位檯6之上面載置銅箔3a，並再於其 5 上定位並靜置預浸體1之狀態。 於預浸體1之上方準備好離型片5。離型片5係由供給捲 盤22供給’並由導親25b導引而由離型片5之接收捲盤23接 收。離型片5之供給捲盤22及離型片5之接收捲盤23具有張 力調整機能。 10 第4B圖顯示加熱衝壓器之4a、4b之加熱加壓之順序。 大致於加熱衝壓器4a、4b加壓之同時，使供給捲盤22、導 輥25a、25b、離型片5、接收捲盤23之供給排出機構（此稱 為離型片單元）下降，並解除供給捲盤22、接收捲盤23間產 生之張力，使離型片5分別脫離導輥25a、25b，而呈現鬆弛 15 之狀態，藉此使銅箔3加壓固定於預浸體1。 此外，於第4B圖中，離型片5鬆弛之量係即使前述離型 片單元上升亦不會呈現拉緊之狀態。 接著，如第4C圖所示般，於解除加熱衝壓器4a、4b之 加壓同時，前述離型片單元亦上升。此時，由於離型片5業 已备弛，因此，呈現連接於預浸體1上之狀，熊。 接著，預浸體1冷卻至軟化點後，使供給捲盤22保持現 有狀態，並僅使接收捲盤23進行接收動作時，僅由單側捲 起離型片5，且同時由該單側朝另一側依序、緩慢地剝離， 而可滑順地剝離。 22 1303959 再者，利用捲起離型片，亦可如第4D圖所示般，依序 剝離靠近鬆捲側之加壓固定部分。 第4E圖係銅箔與預浸體之加壓固定與離型片$之剝離 結束之狀態。 5產業上之可利用性 如前述，本發明之基板之製造方法及離型片、製造裝 置及使用該製造裝置之基板製造方法中，於利用加熱衝壓 器透過離型片對預浸體表面加熱加壓以黏著鋼箱或核心基 板時，使加熱溫度為含浸於預浸體之樹脂之軟化點以上且 10 可保持樹脂為B階段狀態之溫度。 且’由預浸體表面剝離離型片時，由前述離型片之一 側依序緩慢地剝離，藉此可防止前述離型片帶走預浸體中 之樹脂。 藉此，於基板成型時，業已加壓固定之部分之預浸體 15心材不會露出，因此，可於電路形成時防止蝕刻液浸入， 而可提昇基板之品質，且可實現積層步驟之穩定化，亦可 提供生產性優異之基板之製造方法。 【圖式簡單說明：| 第1A圖〜第1G圖係顯示本發明之實施形態之基板之製 20 造方法之截面圖。 第2A圖〜第2F圖係顯示本發明之實施形態之多層基板 之製造方法之截面圖。 第3圖係顯示本發明之實施形態之基板之製造裝置之 立體圖。 23 1303959 第4A圖〜第4E圖係顯示本發明之實施形態之製造裝置 之動作之圖。 第5A圖〜第5F圖係顯示習知之基板之製造方法之截面 圖。 第6A圖〜第6E圖係顯示習知之多層基板之製造方法之 截面圖。

第7圖係用以說明習知之基板之製造方法中之缺點之 模式圖。 【圖式之主要元件代表符號表】 1，1\11)，51，51&，511)...預浸體 2,52…通孔 3汪，313,53&，531)...銅箔 4a，4b，54,54a，54b···加熱衝壓 器 5.22.55.. .離型片 6.56.. .定位檯 7.57.. .敷銅猪積層板 8，11，58,61 · ·.電路圖案 9.. .2.基板 10.60.. .敷銅箔板 12.. .多層基板 22…供給捲盤 23.. .接收捲盤 24.. .加壓用孔 25a，25b…導輥 51T...端部 59.. .基板 62.··多層基板，熱硬化性環氧 樹脂 63…凹處部分

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Claims (1)

1303959 H 93100888號申請案申請專利範圍替換本 2008.6 拾、申請專利範圍：

一種基板之製造方法，其特徵在於使用預浸體作為被積 層物之積層步驟中包含有： 以加熱加壓機構透過離型片對前述預浸體之預定部 分加熱加壓之步驟； 解除前述加熱加壓機構之加熱加壓之步驟；及 於冷卻前述預浸體後剝離前述離型片之步驟。 2· —種基板之製造方法，包含有： 於金屬箔上積層預浸體之步驟； 加熱加壓前述預浸體之預定部分以固定前述金屬箔 與預浸體之步驟； 於前述預浸體上面積層具有電路圖案之基板之步 加熱加壓前述基板之預定部分以固定前述預浸體與 基板之步驟； 於前述基板上面再積層預浸體之步驟， 加熱加壓前述預浸體之預定部份以固定前述預浸體 與基板之步驟； 於前述預浸體上面再積層金屬箱之步驟； 加熱加壓前述金屬箔之預定部份以固定前述金屬猪 與預浸體之步驟；及 對前述整體進行加熱加壓之步驟； 且，加熱加壓前述預浸體之預定部分之方法’包括· 以加熱加壓機構透過離型片加熱加壓前述預浸體之預 25 1303959 fjsli ί!| ( ^ ) 定部分之步驟； 解除前述加熱加壓機構之加熱加壓之步驟；及 於冷卻前述預浸體後剝離前述離型片之步驟。 3·如申請專利範圍第1項之基板之製造方法，其中使用前 述預浸體作為被積層物之積層步驟，係重疊前述預浸體 與金屬猪、或前述預浸體與基板，或前述預浸體組。 4.如申請專利範圍第1項之基板之製造方法，其中具有電 路圖案之基板係織布或不織布與熱硬化性樹脂之複合 材。 10 5·如申請專利範圍第1或2項之基板之製造方法，其中前 述預浸體係於基材含浸樹脂者，且前述樹脂係B階段 狀態。 6·如申請專利範圍第5項之基板之製造方法，其中前述加 熱加壓機構係將溫度設定成在含浸於前述預浸體之樹 15 脂之軟化點以上，且可維持B階段狀態者。 7.如申請專利範圍第1或2項之基板之製造方法，其中剝 離箣述離型片之步驟，係由前述離型片之其中一側依序 朝未剝離之另一側剝離。 8· —種離型片，係使用於至少使用預浸體作為被積層體之 20 積層步驟中，於以加熱加壓機構加熱加壓前述預浸體之 預定部分時，介於前述預浸體與加熱加壓機構之間者， 又，该離型片兼具耐熱性及離型性，且由經過離型處理 之聚本硫構成。 9·一種離型片，係使用於至少使用預浸體作為被積層體之 26 1303959 kl 6 1私 y 積層步驟中，於以加熱加壓機構加熱加壓前述預浸體之 預定部分時，介於前述預浸體與加熱加壓機構之間者， 又，该離型片兼具耐熱性及離型性，且由經過離型處理 之聚乙稀樹脂構成。 5 1〇·如申請專利範圍第8或9項之離型片，其中離型處理 係碎塗布處理。 11.如申睛專利範圍第8或9項之離型片，其中前述離型處 理係塗布熱硬化性樹脂之處理。 12·—種基板之製造裝置，包含有： 10 檯，係用以定位積層基板材料者； 加壓用孔，係設置於前述檯者； 加熱加壓機構，係設置於前述加壓用孔位置之上方 及下方且可上下移動者；及 供給排出機構，係用以供給並排出離型片者， 15 且’别述離型片係通過前述加壓用孔位置以及上方及下 方之前述加熱加壓機構之間來供給、排出。 13.如申請專利範圍第12項之基板之製造裝置，其中前述 加壓用孔係設置於前述檯之一處以上之任意位置。 14·如申請專利範圍第12項之基板之製造裝置，其中前述 2〇 離变片之供給排出機構包括： 供給捲盤，係用以於前述檯之一端供給繞捲成捲曲 狀之前述離型片者；及 接收捲盤，係設置於前述檯之另一端，以接收並排 出前述離型片者。 27 1303959 γ年έ #曰修(更)正本 15.如申請專利範圍第14項之基板之製造裝置，係具有可 調整由前述供給捲盤供給且由接收捲盤接收之前述離 型片之張力之機能。 16·如申請專利範圍第14項之基板之製造裝置，其中於前 5 述供給捲盤與接收捲盤之間具有多數用以導引前述離 型片之導輥。 17. 如申請專利範圍第14項之基板之製造裝置，其中前述 供給排出機構係可上下移動。 18. 如申請專利範圍第12項之基板之製造裝置，其中前述 10 加壓用孔之直徑係較前述加熱加壓機構之直徑更大，且 前述加熱加壓機構可水平移動位置。 19. 如申請專利範圍第12項之基板之製造裝置，其中前述 加熱加壓機構係由加熱衝壓器構成。 20. 如申請專利範圍第12項之基板之製造裝置，其中前述 15 加熱加壓機構係由脈衝式熱壓器或超音波構成。 21. —種基板製造方法，係使用如申請專利範圍第12項之 基板之製造裝置者，又，包含有： 於檯上定位並積層基板材料之步驟； 使由離型片之供給排出機構供給之前述離型片接觸 20 並配置於前述基板材料上之步驟； 利用加熱加壓機構透過前述離型片加熱加壓前述基 板材料之步驟； 解除前述加熱加壓機構對前述基板材料之加熱加壓 之步驟； 28

1303959 冷卻前述基板材料之步驟； 將前述離型片由前述基板材料剝離之步驟；及 將前述離型片排出之步驟。 22. 如申請專利範圍第21項之基板製造方法，其中使由前 5 述離型片之供給排出機構供給之前述離型片接觸並配 置於前述基板材料上之步驟，係將構成前述供給排出機 構之供給捲盤與接收捲盤間之前述離型片之張力調整 成一定，並且使前述供給排出機構下降來進行者。 23. 如申請專利範圍第21項之基板製造方法，其中以前述 10 加熱加壓機構透過前述離型片加熱加壓前述基板材料 之步驟，係使前述加熱加壓機構與前述供給排出機構同 時地下降來進行者。 24. 如申請專利範圍第21項之基板製造方法，其中解除前 述加熱加壓機構對基板材料之加熱加壓之步驟，係使業 15 已下降之前述加熱加壓機構與供給排出機構同時地上 升來進行者。 25. 如申請專利範圍第21項之基板製造方法，其中將前述 離型片由前述基板材料剝離之步驟，係僅使已上升且構 成前述供給排出機構之接收機構動作來進行者。 20 26.如申請專利範圍第21項之基板製造方法，其中排出前 述離型片之步驟，係藉由進行由前述基板材料剝離前述 離型片之步驟而同時地進行者。 29