TWI295091B - Coating for enhancing adhesion of molding compound to semiconductor devices - Google Patents
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- UHVMMEOXYDMDKI-JKYCWFKZSA-L zinc;1-(5-cyanopyridin-2-yl)-3-[(1s,2s)-2-(6-fluoro-2-hydroxy-3-propanoylphenyl)cyclopropyl]urea;diacetate Chemical compound [Zn+2].CC([O-])=O.CC([O-])=O.CCC(=O)C1=CC=C(F)C([C@H]2[C@H](C2)NC(=O)NC=2N=CC(=CC=2)C#N)=C1O UHVMMEOXYDMDKI-JKYCWFKZSA-L 0.000 description 1
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Description
1295091 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明涉及電子器件的封t ’尤其是涉及電子哭件的灌封 (encapsulation),該電子器件包括積體電路晶片和它們的載體,例 如引線框(lead frames)或其他的襯底(substrates)。 【先前技術】 在晶圓製造之後,半導體晶片或者積體電路(Ic)晶片必須經歷 幾個步驟以準備可能的應用。在檢查和分離(singulati〇n)之後,單 個的1C晶片被拾取並被貼附於它們的載體,如引線框。然後,IC晶片 上的每個導電盤(conductive pads)通過精細的導電線連接到引線框的 内引線(inner leads),形成引線鍵合後的引線框元件。其後,該引線 鍵合後的引線框元件將使用塑性模塑膠(plastic m〇lding c〇mp〇und) 灌封,並且該灌封後的引線框元件在被安裝到其他器件進行應用以 前,將被進一步修整、標記和測試。 通常被用來㈣電子器件或1(:晶片的密封劑是塑膠混合物 (plasticcompounds),包括具有重量高達8〇%填充物(fiUers)的 環氧樹脂(epoxy)和矽膠(silic〇ne)塑膠混合物。這種塑性模塑膠 具有4個基本功能:⑴物理上支撐引縣統,將晶片上的積體電路 和應用該晶片的外部元件系統進行電氣連接;⑵保護IC晶片避免污 染、不當刼作(abuse)、機械損壞或破裂;(3)化學上保護IC晶片避 免環境危險,例如影響1C晶片性能的編、灰塵和氣體;以及⑷ 提供用於紐當1C晶紅作時所産生歸的熱通道。和—些其他的灌 封技術相比較,塑膠灌封具有較大的優點,如童量輕、製作效率高和 生産成本低。 但疋’塑獅封的-個缺點是關於在賴後的電子器件或K晶 片周圍的匕的不氣逸的被封(_一hermetic seaHng),其可能導致由 1295091 於鐘膠混合物的水吸附(water adsorption)或著通過該塑膠混合物 的濕氣滲透(moisture permeation)。這樣産生了當前的模塑膠技術 普遍存在的問題。該問題由於該塑膠混合物和如引線框之類的載體之 間的熱膨脹係數(CTE)方面的較大差異而得到加劇。當灌封後的元件 經歷大而迅速的溫度變化時,灌封體内部的熱應力(thermal stress) 可能在介面處激勵出微細裂縫(fine crazes),尤其是在介面之間的 結合不是足夠強的時候。該微細裂縫在迴圈的熱衝擊的條件下可能發 展成破裂。這種破裂爲濕氣水分的滲透提供了通道。接著在灌封體内 水的進入和堆積會更加容易。該吸附水對於一些IC晶片不僅加速化學 或〉口金反應(chemical or metallurgical interaction),而且也導 致應用或者甚至是安裝過程中的器件故障。 ’, 例如,在元件元件或器件使用過程中,當灌封後的引線框元件遭 受快速加熱的時候,吸附或吸入的水將會閃蒸成蒸氣。這樣局部體積 將會産生快速增加。該快速膨脹將在三組介面處導致分離:引線框/塑 膠混合物介面,ic晶片粘合劑/晶片貼附盤(paddle)介面,和IC晶 片/塑膠混合物介面。作爲分離的後果是,正常的IC功能或者IC晶片 和外部電路的連接遭到破壞。同樣内部的分離也擾亂了灌封體内的應 力和張力分佈,其也更加導致了導線鍵合後的IC晶片的破裂或者合適 的散熱通道的破壞’藉此損壞了灌封電子器件的性能。在更極端的情 形下,由於快速的水壓膨脹,灌封體膨脹甚至破裂,尤其是當現在的 電子封裝件中載體和1C晶片的面積比值變得更小時。在灌封器件焊接 中這種現象正常稱之爲“爆玉米花” (P〇pc〇rn),其更頻繁地發生於 表面安裝元件上。 义、 塑膠灌封相關的另一個問題是來自包含於密封劑中的添加劑 (additives)。該添加劑包括連接劑(coupiing agents),阻燃劑 (flame-retardants),隔離劑(release agents)和其他物質。用於半 導體封裝的塑性模塑膠中普遍使用的阻燃劑添加劑是銻化合物 (antimony compound)和溴化的環氧樹脂(brominated epoxy)。阻燃 6 1295091 劑混合于灌封混合物中是下述事實所要求的··即過矣一些灌封電子器 件産生-些熱量,藉此會達到模塑膠的閃點(flashp〇int),而敎。 在包含有這種阻燃劑系統的密封劑達到其閃點溫度(fiash temperature)的情形下,録化合物和溴化的環氧樹脂合成爲三漠化録 (antuimy tribromide),-種厚重的阻燃氣體。該氣體阻止火勢蔓 延。上述所討論的阻燃材料和其他公知阻燃材料的採用,給當今的塑 膠灌封技術帶來了另-個問題。某些阻燃的化學製品,例如演化的環 氧樹脂,當其開始和灌封的導線鍵合後的引線框元件接觸日夺,將會降 低導線節點(wire j0ints)的可靠性。這種降低通常作爲阻燃的二果 出現,其導致接合導線和至少一個引線和/或晶片上的導電盤之間金屬 間節點(intermetallic joints)老化(degradati〇n)或者甚至故障。 來提膠從引線框或者襯底上分離,許多裝置被計劃 末“"面_接合。這些裝置包括包括制機械_(齡hanical n^rl〇cks)和化學接合。機械閉鎖包括壓印(_卿i㈣,如空洞、 凹匕和半球’其被機械地形成於引線框上,其正如專利 ’ %爲帛於固定模塑膠到引線框盤的結構和方法,,的美 =„的。其說明了這麵印可提高引線框的表面面積,並提 強^用於機械閉鎖的缺口。因此引線框和塑性混合物的黏著得到了加 ,在另種方法中’黑氧化(black 〇xide)被成功地使用於製造 P刷電路板-段時間。這種技術被轉換到引線框的處理,例如專利號 的,518名鶴肖於提高塑性密封劑和包含銅的引線框的黏著 中方t的_翻。該赫社要難歧表面輸在雖氧的環境 被乳化並生成黑色的氧化銅。該黑色的氧化銅在亞微細米 ^b-_rons)的尺寸下具有針狀的結構。因此,該引線框的表面面 体杜+理伽細彡脹。可以選擇地’财電學或化學勒來改變反庫 條件或者將氧化鋼局㈣減氧化亞銅(⑶卿s。咖),在該^ 1295091 上生成棕色氧化(brawnoxide),如公開於專利號爲4,4 爲“用於提高銅-環氧樹脂黏著的方法,,的美國專利。巧 冉 化和黑氧化相比具有更好的不規則結構。 …铩色乳 同時,連接舰長一段時間也被时黏著。通常 種能夠分馨襯底、齡g恤反應的功能群組 兩 底和钻合狀_大的化學接合,如公晰專峨 = 爲“用,高黏著的蓋貼附表面,,的美國專利。但是,鋼丄二= 上了通常封裝條件下的水解作用(hydr〇lysis)。 牧 因此’在列起弱化⑽框元件的導線節點 之間接合弱的問題是令人期望的。 ^下解决;|面 【發明内容】 ;: 因此,本發明的目的是在引線框元件上使用底漆, 塑膠與引線框、1C晶片之間的接合。 杈 本發明的另-相關的目的是尋求增強塑性模塑膠與引線框、冗晶 片之間的接合,而不影響此處所形成的導線接合的可靠性。 日日 2地,本發供—種械辭導體^件之前增賴塑膝和半 ¥體益件之_著的方法’辭導體器件包含有貼附於載體上的半導 體晶片,該方法包括:使用聚合物底漆塗覆該半導體器件的步驟。 /參__描述本發明實施例_圖,隨後來詳細描述本發明是 很方便的。關和侧的财不駿解成是對本發_關,本發明 的特點限定在申請專利範圍中。 x 【實施方式】 、所示爲包含有貼附於載體上的半導體晶片的半導體器件,更 尤其疋導線接合後引線框元件的俯視圖。該載體是四方引線框Μ的形 式並f多個引線丨卜;丨線U的外·和支撐杆13相連。引線的内端 形成指向引線框10中央的内引線14。晶粒貼附盤15設置在引線框1〇的 中央,該晶粒貼附盤15由系杆16所支撐,並提供用於貼附電子器件, 1295091 如半導Μ或1(:晶片17的位置。心日片17上的導電盤使用·精細的導線i8 電氣連接於内引線14的末端。 引線框的原材料通常爲銅或基於銅的合金,因爲銅合金具有报高 的‘電性和熱傳導。另外,當著重於熱膨脹係數或剛度時,其他鐵/鎳 合金,如合金42,也能被使用於引線框。在引線框1〇的表面,貴金屬 或者合金,如鎳、銀、金和/或把,可以尤其鍍在内引線14的末端和 晶粒貼附盤15上。引線框可以通過機械衝壓或者化學腐蝕製成。本發 明適合於所有的引線框,不管它們是否由基於銅的合金或者鐵/鎳合金 製成,是否由衝壓或者腐蝕製成,是否是預鍍或者局部鍍制。本發明 同樣也適合於具有固定1C晶片的銅表面的其他載體。 圖2所示爲根據本發明的較佳實施例的包含有應用聚舍物底漆 (polymer primer)的封裴處理的總圖。在製造流程中,引線框元件 通過幾個步驟被處理。首先,在晶粒貼附20中,IC晶片17被設置和固 疋在日日粒貼附盤15上。任一傳統的焊接材料(s〇ider materials)能 被使用於該晶粒貼附,如低熔點的焊料類似鉛/錫,或者共晶焊錫 (eutectic solders)類似金/錫和金/矽。另外,有機粘合劑(〇rganic adhesive )如填充銀的環氧樹脂混合物或者雙馬來酰亞胺 (bismaleimide)混合物,可被用來將ic晶片π固定在晶粒貼附盤15 上。在1C晶片17固定於晶粒貼附盤15上之後,在導線接合工序21中, 晶片17上的導電盤通過連接導線18到此和内引線14的末端電氣連接。 導線18可由銘、金或銅製成。另外,晶片上的電路和外部電路之間的 電氣互聯能通過焊接球(solder bal Is )實現,如在球形格柵陣列(bai 1 grid array : BGA)器件所使用的。而且,蝕刻金屬箔(etche(i metai foils),如銅也能被採用來進行電氣互聯,如同帶式(tape)自動接 合技術.中所採用的。 在使用塑性模塑膠灌封以前,導線鍵合後的引線框元件使用聚合 物底漆22 (polymer primer),最好是聚合物溶液塗覆。該應用聚合物 溶液的方法可以但不限於是落下(dropping)、下滴(dripping)或者 下述的喷射。該聚合物塗層提高了塑膠混合物(plastic compound) 1295091 和引線框、ICBsa>i的接*,@此捷高了封裝電子器件的寸靠性。 乾之後’下-個步驟是使用塑性模塑膠灌封引線框元件23。灌 ^在傳遞模賴(transfer mQlding machines)上完成。廣泛使用的 拉塑混合物是基於魏樹脂,如雙_氧樹脂,祕(細〇iic novalak)環氧樹脂和甲酚醛(cres〇1 n〇v〇lak)環氧樹脂。通常,模 塑混合物在關環境溫度下是固態形式,但在溫度提升時它們被適合 於變換爲液悲。對於灌封而言,模塑混合物的片狀首級插置於熱套 孔(hot barrel)中,並在熱套孔中液化。同時引線框元件被放置於 加熱的模塑洞穴中。然後,該液態混合物通過衝壓機強迫進入熱的模 塑洞穴中,並填充該模塑洞穴。通常,内引線14、晶粒貼附盤15和1(: 晶片17密封於模塑混合物中。該液態模塑混合物被允許來固仇和硬化 於加熱的模具(mold)中。模塑處理正常在幾分鐘内完成。如果肴必 要,在傳遞模塑後,灌封後的元件能夠在模具外面後期硬化。灌封也 月匕通過在電氣連接的半導體晶片上分配(diSpensing)液態塑膠混合 物末元成,然後在提升溫度時硬化該混合物。本發明適合於兩種灌封 方法。 在模塑和硬化之後,每個模塑電子封裝件被修整,和/或從其他封 裝件分離到其所連接處,並大體形成24。該電子封裝件在和其他器件 被使用以前,它們能被進一步標記和測試。 現在更詳細描述底漆塗層(primer coating)。聚合物溶液 (Polymeric solution)使用於引線框元件上,並導致在引線框元件 的表面形成聚合物膜。該聚合物在通過熱、光或其他形式的能量,如 r射線(gamma rays)、電子光束和等離子體(Plasma),所激勵之後能 夠相互交聯。該聚合物在它們的分子(molecules)中最好包含氮。該 含氮的聚合物較佳地選自:改丨生三聚酰胺紛盤(melamine modified phenol ic_formaldehyde )凝聚態聚合物或樹脂,丙烯酸共聚物 (acrylic copolymers )和苯並咪唑共聚物(benzimidazole copolymers),但是其不限於此。這些聚合物能夠經由在其上完成的乾 燥和硬化工序,通過複雜的接合與銅和貴金屬合成,並通過化學接合 1295091 使用喊樹脂難混合物接合。·因此,模塑混合物到彳丨線框和ic晶片 的接合力得到了域,並提高了封裝電子器件的可靠性。另外,膠乳 (latex)形式的聚合物能被用來塗覆該引線框元件。 月ίι述的酚醛樹脂較佳地通過多官能酚和醛(p〇lyfuncti〇nai phenol and aldehydes)的反應來産生。所述的多官能酚可包含有一 個或多個紛,曱盼,雙·,雙辦,雙齡泳/或脂肪鍵紛。所述白祕 較佳地爲曱醛,但其他的醛也是可能的。該聚合物可包含有單體 (monomers)或低聚物(〇ng〇mers),它們在經由熱、光或其他形式 的月b里如γ射線、電子光束和#離子體所激勵之後,能夠通過化學 接合合成産生高分子。 聚合物溶液可以從溶解於溶劑中的、一個單獨的上述提衣的聚合 物,或者包括超過一個以上的的前述聚合物的混合物中製備。溶凌中 聚合物的含量重量從〇· 01%到50%,較合適地重量從〇· 1%到4〇%,最合適 地重量從1· 0%到10%。理想地講,該溶劑相對於溶解的聚合物是好的溶 劑,並不影響1C晶片和導電盤以及導線節點/引線。對於改性三聚酰胺 酚醛樹脂而言,溶劑可以是水和醇類,其中醇類較適宜地包括甲醇, 乙醇,丙醇和/或丁醇。對於含氮丙烯酸共聚物,溶劑可以是醇類,乙 醚,酯,酮,鏈烷,和/或環烷。對於苯並咪唑共聚物,該溶劑包括二 曱基甲酰胺(dimethyl formamide)和/或Ν-甲基吡咯烷酮(N-methyl Pyrrolidone)。被用來分散所提及聚合物的該溶劑可以是單一的溶劑 或者超過一個以上溶劑的混合物,並具有可確定的溶液的蒸發速率 (evaporating rate)。該溶劑或溶劑混合物使得聚合物底漆 (polymeric primer)溶液具有低粘稠度,並避免在引線框元件上結 露和在乾燥過程如塗覆、烘焙中確保在引線框元件上形成均勻的聚合 物膜層。 灌封以前被採用來在引線框元件上應用聚合物溶液的方法包括但 不限於下落、下滴和/或喷射。在使用聚合物溶液塗覆以前,引線框元 件可以使用等離子流清洗,但其不是必要的。該塗覆處理沒有削弱該 引線框元件進行灌封、修整和引線塗層(lead finishing)的效果。例 1295091 如,在使肖聚合物溶液以前,沒肴必要從引線框元件上去除任何保護 膜,如貼附于四方扁平無引線(Quad Flat No—lead:,,QFN”)框架 的攔築膜(damming films)。 在應用聚合物溶液之後,在烤爐或通道中將潮濕的引線框元件提 升溫度烘烤。該烘烤的溫度較佳地是從60 — 26(rc,更合適地是Mi⑼ 一220°C,最合適地是從160 — 21(rc。烘烤時間較佳地是從丨一洲分鐘, 更合適地是從2~ 1〇分鐘,最合適地是從3一5分鐘。在溶劑蒸發以後, 該使用的溶液在引線框,IC晶片和結合導線的表面上變化爲均勻的聚 合物膜層。該聚合物膜層的厚度從10nm—0·丨刪變化,更合適地是從 50nm—50"m,最合適地是從300nm—30//m。 烘烤以後,引線框元件準備使用塑膠混合物進行灌封,埂常使用 傳統的模塑方法將其灌封。例如,塗覆後的引線框元件使用環氧樹脂 模塑混合物在模具中被灌封,其溫度變化範圍從15〇一19〇。〇,並在加 熱的模具中硬化(cured) 1 — 3分鐘。如果有必要,在傳遞模塑法 (transfer molding)之後,該灌封後的元件能進一步在模具外面進 行後期硬化。後期硬化的溫度變化從16〇一2〇〇°c,塗覆後的聚合物膜 層將和:咼環氧樹脂模塑膠到引線框、1C晶片的接合,並從而增強灌封 後電子器件的可靠性。
> 實例I 大小尺寸爲58 X 15 X 0.2mm的銅合金C194(標稱重量組成:銅 97· 5%,鐵2. 35%,辞〇. 12%,磷〇· 07%)使用二氣甲烷、乙醇、1〇%的 氫氧化鈉溶液和10%的硫酸沖洗,最後使用脫離子水清洗並使用氮氣 吹。假设晶粒接合和導線接合的條件,沖洗後的鋼板在下在烤爐 中加熱60分鐘,然後在23(TC下加熱3分鐘。具有鎳電鍍和鈀或金塗 層(finishing)的一些銅板也使用相同的加熱曲線進行熱處理。氧化 後的樣本滴入包括不同種類的三聚酰胺酚醛樹脂的乙醇溶液中。被塗 覆的樣本在180°C下烘烤。搭接長度爲7匪的單面搭接(single—lap
joint)使用Sumitomo的ΕΜΕ 6650R環氧樹脂模塑膠(emc)在160°C 12 1295091 下通過壓·縮10分鐘而使塗覆的鈉板形成模塑。該搭接剪切(lap-shear) 的樣本在175°C下後期硬化4個小時。室溫下搭接剪切測試在一台英斯 特朗材料測試機(Instron material tester)上進行,十字頭 (cross-head)的速度爲1. 3麵/分。對於每個實例測試了 5個樣本, 實例的搭接剪切強度採用平均值。表I總結了所得到的結果。 表I ,銅到EMC的接合強度 樣例 底漆濃度 烘烤條件 搭接剪切強度 標準差 % °C X分 Mpa 裸銅 No No 2.0 0.5 具有底漆的銅 0.02 180 X 10 2.4 0.6 0.1 180 X 10 4.1 1.0 0.4 180 X 10 5.8 0.4 2.0 180 X 10 10.5 0.9 5.0 180 X 3 10.5 1.0 10.0 180 X 10 10.2 0.7 Pd鈀塗層鋼 5.0 180 X 3 6.4 0.2 Au金塗層銅 5.0 180 X 3 6.5 0.7
實例II 大小尺寸爲30 X 7 X 0.2腿的銅合金C194(標稱重量組成··銅97.5%, 鐵2.35%,鋅0· 12%,磷0.07%)通過浸入二氣甲烷和乙醇脫脂,並由重量爲 10%的硫酸在室溫下活化2分鐘。然後將該酸洗的銅使用脫子水清洗並使 用氮氣吹。經過乾燥之後,將樣本落入包含有10%的三聚酰胺酚醛樹脂的 乙醇溶液中。被塗覆的樣本在180°C或200°C下烘烤。使用Sumitomo的ΕΜΕ 6600CS環氧樹脂模塑膠(EMC)在175°C的溫度和lOOOkgf的壓力下通過傳遞 模塑法在每個塗覆底漆的樣本上形成有直徑爲:km的模塑扣狀物。該具有 13 1295091 EMC扣狀物的銅板本在175°C下後期硬彳ti4個小時。然後根據je加c MSL I標 準,在相對濕度(RH) 85%的環境,溫度85°C下預處理168個小時。在預處 理後的兩個小日守内’邊樣本經歷南達260 C的回流加熱曲線(ref low heating profile)。該熱處理後的樣本的EMC扣狀物在Dage一4000機器上被剪切測 試,並且從襯底上分離該扣狀物的最大負荷得到記載。獲得的結果總結於 表Π中。 ' 樣例 底漆濃度 烘烤條件 扣狀物的 剪切負荷 標準差 % 〇C χ分 N 裸銅 None None 82.0 30 塗覆銅I 10 180 χ 3 213.8 40 塗覆銅II 10 200 χ 1〇 ] 281.7 10
實例III 爲了說明底漆在提高EMC黏著於貴金屬上的效果,大小尺寸爲30 χ 7 χ 〇· 2刪的銅合金C194被清洗,並鍍有薄的鎳/銀層。不經過進一步的清洗, 電鍍後的樣本落入包含有10%的三聚酰胺酚醛樹脂的乙醇溶液中。被塗覆 的樣本在180°C下烘烤5分鐘。使用Sumitomo的EME 6600CS環氧樹脂模塑膠 (EMC)在175°C的溫度和l〇〇〇kgf的壓力下通過傳遞模塑法在每個塗覆底漆 的樣本上形成有直徑爲3麵的模塑EMC扣狀物。該具有EMC扣狀物的樣本在 175C下後期硬化4個小時。然後根據JEDEC MSL丨標準,在相對濕度(RH) 85%的裱境,溫度下預處理168個小時。在預處理後的兩個小時内,該 樣本經歷面達施。(:的喊加熱曲線。雜處理後的樣本的·扣狀物從電 錢後的襯底上推離,並且得到最大負荷。表m總結了獲得的結果。 黍的效果 烘烤條件 標準差 樣例 14 1295091 '—- % 〇C X分 N • 裸銅 No No 82.0 30 塗覆鎳Ni的銅 10 180 x 5 228.0 23 塗覆銀Ag的銅 10 180 x 5 254.1 13 上述和其他的測試結果表明··在使用^^以莫塑以前,通過使用聚合物底 漆塗覆引線m在本f上提高和引線框之間的接合力。 修正和舶絲礎上躲Μ生變化、 發明的上述描述的精神和範=有這些變化、修正和/或補充都包括在本
15 1295091 【圖式簡單説明】 · . 根據本發明的較佳實施例一種用於增強灌封材料的黏著的方法的實 例將參考附圖加以描述,其中: 圖1所示爲導線接合後引線框元件的俯視圖; 圖2所示爲根據本發明的較佳實施例的包含有應用聚合物底漆 處理的總圖。 牙攻 【主要元件符號說明】 10四方引線框 11引線 U外端 13支撐杆 W内引線 15 晶粒貼附盤 16系杆 17 ic晶片 18導線 20 晶粒貼附 導線接合 22引線框塗上聚合物底漆 23 塑性模塑膠灌封引線框 24 修整和成型模塑器件 16
Claims (1)
- ^295091 十、申請專利範圍: 1、 一種在模塑半導體器件之前增強模塑膠和半導體器件之間粘著的方 - 法,該半導體器件包含有貼附於一引線框上的半導體晶片,該方法包括以 下步驟: 使用一聚合物底漆塗覆該半導體器件使得在該聚合物底漆與該半導體 器件之間構成複雜的接合, 再模塑該半導體器件使得該聚合物底漆與該模塑膠構成化學接合以增 強粘著。 2、 如申請專利範圍第1項所述的方法,其中該半導體器件包括有形成 ^ 於半導體晶片和引線框之間的導線連接;而該塗覆步驛也包括:在模塑之 前使用該聚合物底漆塗覆該導線連接的步驟。 3、 如申請專利範圍第1項所述的方法,其中該聚合物底漆包含有:含 氮的聚合物。 4、 如申請專利範圍第3項所述的方法,其中該含氮的聚合物選自下列 組群,該組群包括:改性三聚酰胺酚醛樹脂,丙烯酸共聚物和苯並咪唑共 聚物。 5、 如申請專利範圍第4項所述的方法,其中該酚醛樹脂通過多官能酚 和酸的反應來産生。 6、 如申請專利範圍第5項所述的方法,其中該多官能酚選自下列組群, 響該組群包括:酚,甲酚,雙酚Δ,雙酚F,雙酚s和脂肪鏈酚。 7、 如申請專利範圍第1項所述的方法,該聚合物底漆包含有溶液,該 溶液由一個多個溶解於溶劑中的聚合物所構成。 8、 如申請專利範圍第7項所述的方法,其中該溶液包含的聚合物重量 爲 0. 01%到 50%。 9、 如申請專利範圍第8項所述的方法,其中該溶液包含的聚合物重量 v 爲 1.0%到 10%。 10、 如申請專利範圍第7項所述的方法,該聚合物包括改性三聚酰胺 酚駿樹脂’該溶劑包括水和醇類。 11、 如申請專利範圍第10項所述的方法,該醇類選自下列組群,該組 17 K95091 群包括··甲醇,乙醇,丙醇和丁醇。 12 :如巾4專利細第7項所述的方法,該聚合物包含有丙稀酸共聚 物該洛劑選自下列組群,該組群包括:醇類,乙聽,酯,酮,鏈燒和環 烧。 13如申凊專利範圍第7項所述的方法,該聚合物包含有苯並味唾共 聚勿該命劑選自下列組群,該組群包括:二甲基甲醜胺和N一甲基吨 酮。 u 人物^乳如巾轉觀圍第1項所述的方法,其中該聚合物絲包含有聚 H如申4專利關第1項所述的方法,該方法還包含有下述步驟: 導體器件用該聚°物底錢覆該半導體11件赠,使用等離子體清洗該半 It: 執圍第1項所述的方法,該方法還包含有下述步驟·· 的溫度下二導 酬^方法,其巾辭導體餅是在⑽ -5i8鐘如㈣專利範圍第16項所述的方法,其中該半導體餅被烘烤3 在第1項所_方法1中該聚合物塗覆的厚度是 在3〇L如3I^ir。圍第1項所述的方法,其中該聚合物麵 行處理。種轉體塊件,肢根射請專概㈣1獅述的方法進 18 1295091 七、指定代表圖: (一) 本案指定代表圖為:第(二)圖。 (二) 本代表圖之元件符號簡單說明: 2 0晶粒貼附 21導線接合 22引線框塗上聚合物底漆 23塑性模塑膠灌封引線框 24修整和成型模塑器件八、本案若有化學式時,請揭示最能顯示發明特徵的化學式:
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