JPS59197154A - 半導体装置およびその製造法 - Google Patents

半導体装置およびその製造法

Info

Publication number
JPS59197154A
JPS59197154A JP58071877A JP7187783A JPS59197154A JP S59197154 A JPS59197154 A JP S59197154A JP 58071877 A JP58071877 A JP 58071877A JP 7187783 A JP7187783 A JP 7187783A JP S59197154 A JPS59197154 A JP S59197154A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
semiconductor device
weight
parts
protective film
semiconductor element
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP58071877A
Other languages
English (en)
Inventor
Masahiro Ono
正博 小野
Akio Takahashi
昭雄 高橋
Ritsuro Tada
多田　律郎
Motoyo Wajima
和嶋　元世
Toshikazu Narahara
奈良原　俊和
Masahiro Kitamura
北村　允宏
Masaji Ogata
正次 尾形
Yukihiko Takada
幸彦 高田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP58071877A priority Critical patent/JPS59197154A/ja
Priority to EP84104362A priority patent/EP0123262A3/en
Priority to KR1019840002130A priority patent/KR840008536A/ko
Publication of JPS59197154A publication Critical patent/JPS59197154A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/293—Organic, e.g. plastic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3135—Double encapsulation or coating and encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/45124—Aluminium (Al) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85909—Post-treatment of the connector or wire bonding area
    • H01L2224/8592—Applying permanent coating, e.g. protective coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01019—Potassium [K]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3025—Electromagnetic shielding

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Polymers With Sulfur, Phosphorus Or Metals In The Main Chain (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は樹脂封止型電子部品、例えばダイオード、トラ
ンジスタ、ＩＣ，ＬＳＩなどの半導体装置およびその製
造法に関する。
〔発明の背景〕
金属材料やセラミックス材料から成る支持部材に半導体
素子を合成接着剤によって固層し、半導体素子表面全保
護皮膜で被梯し、樹脂あるいはガラスによって全体’ｔ
Ｕ止した半導体装置は周知である。ここで、代表的な表
面保護皮膜としては、ポリイミド樹＋ｉＭあるいはシリ
コーンゲルが賞月されている。しかしながら、この半導
体装置にめっては、耐湿性が十分でなく、特により長ル
」の信頼性あるいは高街度配線を有する半導体装置の高
度の信頼性を要求される半導体において問題となってい
る。耐湿性が悪い半導体装置は、アルミニウム（Ａｔ）
自己線または電極部、あるいはボンディング部が腐食劣
化し、断線事故を生じるものである。
本発明の半導体装置は、表面保護皮膜を有する半導体素
子およびそれを封止する樹脂封止体を含む半導体装置に
おいて、前記保衾皮膜がイソメラミン環およびメラミン
環を含むポリマであることを特徴とする。
本発明者らは、下記の化学構造を含むポリマが半導体素
子との接着性が極めてすぐれていることを発見し、これ
を素子表面保護皮膜として用いることにより半導体装置
の耐湿性に大きく寄与することを見出した。
本発明でいうイソメラミン環およびメラミン環とは下記
〔Ｄおよび〔■〕で示されるものである。
■ １　　　　　　　〔メラミン環〕 上記ポリマを与える原料としては、芳香族シアナミド化
合物あるいはＮ−シアノ−Ｎ−アミド化合物から選ばれ
る多価シアナミド化合物がある。
これらの少なくとも１種を／Ｉｎ熱することにより前記
ポリマを生成できる。
芳香族シアナミド化合物としては例えばフェニ＄　２　
、　６−シアナミドフェニル、ｍ−フェニレンジシアナ
ミド、ｐ−フェニレンジシアナミド、４，４′−ジシア
ナミドフェニルメタン、２．２′−ビス（４−シアナミ
ドジフェニル）プロパン、４，４′−ジシアナミドフェ
ニルオキシド、４．４’−ジシアナミドフェニルスルフ
ォン、ビス（４−アミノフェニル）フェニルホスフィン
オキシト１　ビス（４−シアナミドフェニル）メチルア
ミン、１．５−ジシアナミドア７タレン、ｍ−キシリレ
ンジシアナミド、１，１−ビス（ｐ−シアナミドフェニ
ル）フラタン、ｐ−キシリレンジシアナミド、ヘキサメ
チレンジシアナミド、６゜６′−ジシアナミド−２，２
′−ジピリジル、４゜４′−ジシアナミドベンゾフェノ
ン、４．４’−ジシアナミドアゾベンゼン、ビス（４−
シアナミドフェニル）シクロヘキサン、１．１−ビス（
４−シアナミド−３−メチルフェニル）−Ｌ　３゜４−
オキサジアゾール、４．４’−ジシアナミドジフェニル
エーテル、４．４’−ビス（ｐ−シアナミドフェニル）
−２゜２′−ジチアゾール、ｍ−ビス（４−ｐ−シアナ
ミドフェニル−２ｆアソリル）ベンゼン、４．４’−ジ
シアナミドベンズアニリド、４．４’−ジシアナミドフ
ェニルベンゾエート、２．２′−ビスＣ４−（４−シア
ナミドフェノキシ）フェニル〕プロパン、２．２’−ビ
ス〔３−メチル−４−（４−シアナミドフェノキン）フ
ェニル〕フロパン、２，２−ビス〔３−エチル−４−（
４−シアナミドフェノキシ）フェニル〕プロパン、２．
２−ビス〔３−プロピル−４−（４−、シアナミドフェ
ノキシ）フェニル〕プロパン、２．２−ビス（３−イン
プロピル−４−（４−シアナミドフェノキシ）フェニル
〕プロパン、ビス（４−（４−シアナミドフェノキシ）
フェニルメタンおよヒ下式〔ＩＩＤ Ｈａ （ｎはＯ〜３である。） で示されるシアナミド末端スルフォンエーテルオリゴマ
ー、ポリフェニルメチレンポリシアナミドのうち少なく
とも１種をいう。
前記Ｎ−シアノ−Ｎ−アミド化合物としては、例えば、
一般式 （式中Ｒ′は水素、ベンゼンスルホニル基、ベンゼンカ
ルボニル基、ベンジル基のいずれかを示し、１分子中の
少なくとも１個のＲ′は水素とする。
Ｒは炭素数４・〜１４のアルキレン基、シクロアルキレ
ン基、フェニレン基のいずれかを示す。Ａば０、Ｓ、Ｓ
Ｏ２、Ｃｏ、ＣＨ２のいずれかを示す。
ｍは０，１．ｎはＯ〜３、ｑは０〜４をそれぞれ示す。
）で表わされる化合物がある。
本発明においては前記多価シアナミド化合物とともに重
合性化合物を併用してもよい。重合性化合物としては例
えば、４．４’−ジアミノジシクロヘキシルメタン、１
，４−ジアミノシクロヘキサン、２，６−ジアミツピリ
ジン、ｍ−フェニレンジアミン、ｐ−フェニレンジアミ
ン、４．４’−ジアミノジフェニルメタン、２．２’−
ビス（４−７ミノフエニル）プロパン、ベンジン、４゜
４′−ジアミノフェニルオキシド、４．４’−ジアミノ
フェニルスルホン、ビス（４−アミノフェニル）メチル
ホスフィンオキシド、ビス（４−アミノフェニル）フェ
ニルホスフィンオキシト、ビス（４−アミノフェニル）
メチルアミン、１，５−ジアミノナフタレン、ｍ−キン
リレンジアミン、１．１−ビス（ｐ−アミノフェニル）
フラタン、６．６′−ジアミノ−２，２′−ジピリジル
、４゜４′−ジアミノベンゾフェノン、４．４’−ジア
ミノアゾベンゼン、ビス（４−７ミノフエニル）フェニ
ルメタン、１，１−ビス（４−アミノフェニル）シクロ
ヘキサン、１．１−ビス（４−７ミノー３−メチルフェ
ニル）シクロヘキサン、２゜５−ビス（ｍ−７ミノ７エ
＝ル）　−１、３、４−オキサジアゾール、２，５−ビ
ス（ｐ−アミノフェニル）−１，３，４−オキサジアゾ
ール、２゜５−ビス（ｍ−アミノフェニル）チアゾロ（
４゜５−ｄ）チアゾール、５．５−ジ（ｍ　−７ミノフ
エニル）−（２，２’　）ビス（１，３，４−オキサジ
アゾリル）、４．４’−ジアミノジフェニルエーテル、
４．４′−ビス（ｐ−゛アミノフェニル）−２，２’−
ジチアゾール、ｍ−ビス（４−ｐ−アミノフェニル−２
−ジアゾリル）ベンゼン、４゜４′−ジアミノベンズア
ニリド、４．４′−ジアミノフェニルペンシェード、Ｎ
、Ｎ’−ビス（４−アミノヘンシル）　＝１）−７７フ
エニレンジアミン、４．４’−メｆレンビス（２−ジク
ロロアニリン入ペンゾクアナミン、メチルグアナミンな
どの芳香族ジアミンを併用することができる。
また、ビスフェノールＡのジグリシジルエーテル、３．
４−エボキシンクロヘキシル）チル−３゜４−エポキシ
シクロヘキサンカルボキシレート、４．４’−（１，２
−エポキシエチル）ビフェニル、４，４′−ジ（１，２
−エポキシエチル）ジフェニルエーテル、レゾルシンシ
クリシシルエーテル、ビス（２，３−エポキシシクロペ
ンチル）エーテル、Ｎ、Ｎ’−ｍ−フェニレンビス（４
゜５′−エポキシ−１，２−シクロヘキサンシ力ルポジ
イミド）などの２官能工ポキシ化合物、ｐ−アミンフェ
ノールのトリグリシジル化合物、１゜３．５−）す（１
，２−エポキシエチル）ベンゼン、テトラグリシドキシ
テトラフェニルエタン、フェノールホルムアルテドノボ
ラック樹脂のポリクリシジルエーテルなどの３官能以上
のエポキシ化合物、臭素化エポキシ化合Ｊ吻のようなハ
ロゲン原子を含むエポキシ化合物などを併用することが
できる。
一部、た、Ｎ、Ｎ’−エチレンビスマレイミド、Ｎ。
Ｎ’−エチレンビスマレイミド、Ｎ、Ｎ’−ヘキサメチ
レンビスマレイミド、Ｎ、Ｎ’−４リメチレンピスマレ
イミド、Ｎ、Ｎ’　−ｍ−フェニレンビスマンイミド、
Ｎ、　Ｎ’−４，４’−ジフェニルメタンビスマレイミ
ド、Ｎ、Ｎ’−４，４’　−ジフェニルメタンビスマレ
イミド、Ｎ、Ｎ’−ジフェニルエーテルビスマレイミド
、ＮＩＮ′−メチレンビス（３−クロロ−ｐ−）ユニし
ン）ビスマレイミ）”、Ｎ、Ｎ’−４，４’−ジフエニ
ルサルフオンビスマレイミド、Ｎ、Ｎ’−４，４’　−
ジシクロヘキシルメタンビスマレイミド、Ｎ、Ｎ′−α
。α’−４，４’−ジメチレンシクロヘキサンビスマレ
イミド、Ｎ、Ｎ’−４，４’−ジフェニルシクロヘキサ
ンビスマレイミド等のビスマレイミド化合物、アニリン
とホルムアルデヒドの縮合物と無水マレイン酸とを反応
させて得られる次式〔■〕で示される多価マレイミドな
どを併用することができる。
また、本発明においては、次のようなモノマレイミド化
合物を併用することができる。例えばＮ−メチルマレイ
ミド、Ｎ−エチルマレイミド、Ｎ−プロビルマンイミド
、Ｎ−ブチルマレイミド、Ｎ−アリｊマレイミド、Ｎ−
ビニルマレイミド、Ｎ−フェニルマレイミド、Ｎ−３−
クロロフェニルマレイミド、Ｎ−０−）リルマレイミド
、Ｎ−ｍ−トリルマレイミド、Ｎ−ｐ−）ＩＪルマレイ
ミド、Ｎ−０−メトキシフェニルマレイミド、Ｎ−ｍ−
メトキシフェニルマレイミド、Ｎ−ｐ−メトキシフェニ
ルマレイミド、Ｎ−ベンジルマレイミド、Ｎ−ピリジル
マレイミド、Ｎ−ヒドロキシフェニルマレイミド、Ｎ−
アセトキシフェニルマレイミド、Ｎ−ジクロロフェニル
マレイミ）”、Ｎ−ベンゾフェノンマレイミド、Ｎ−ジ
フェニルエーテルマレイミド、Ｎ−アセチルフェニルマ
レイミド、Ｎ−アセチルフェニルマレイミド、Ｎ−シク
ロヘキシルマレイミド等のモノマレイミド化合物を併用
することができる。
また、フェノール、クレゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−
クレゾール、２，５−キシレノール、２゜６−キシレノ
ール、０−クロルフェノール、ｍ−クロルフェノール、
ｐ−クロルフェノール、〇−フェニルフェノール、ｍ−
フェニルフェノール、ｐ−フェニルフェノール、サリケ
ニン、ビスフェノールＡなどのフェノール化合物を併用
することができる。
その他、ポリブタジェン、トリアリルイソシアヌレート
、アクリル酸系化合物、グアナミン類、メラミンなどを
併用することができる。
本発明においては前述の重合性化合物はいずれか１種も
しくは２種以上用いることができる。
以上詳述したポリマの一部は本願出願人の一部が先に出
願した特願昭５６−１６８７８７号、特願昭５６−１７
００５７号、特願昭５６−２０３５４５号、特願昭５７
−７６６６号、特願昭５７−１１５４７号、特願昭５７
−６１００２号、特願昭５７−７１４２８号および特願
昭５７−７１４２９号明細書に記載されたものである。
以下、本発明を図面により説明する。第１図は本発明の
一実施例になる半導体装置の断面図である。図において
、半導体素子１は支持部材（タブ）２上に接着剤３によ
り固着、接合される。さらに、半導体素子１の表面は前
記イソメラミン環およびメラミン環を含むポリマからな
る表面保護皮膜４により被覆され、かつ全体が熱硬化性
樹脂のモールド層（封止体）５により封止されている。
なお、６はリード組線、７はリード線である。半導体素
子１は例えば、プレーナ技術によってシリコーン半導体
ペレット素子に回路が集積化された集積回路（ｉＣ）素
子から成る。この素子の表土面には、アルミニウム等の
配線（図示されていない）が施され、その出力電極（図
示されていない）が設けられている。樹脂封止体５は例
えば既知モールド技術例えばトランスファ成形法により
形成することができる。
本発明でいう表面保護皮膜漠とは半導体素子（チップ）
の表面に付与されるものである。その目的は、ジャンク
ションの安定化のため、α線を遮へいするため、あるい
は樹脂封止体からの応力を緩和するためなど、これら少
なくとも１つの目的を達成するために用いられることが
多い。
本発明者らは、さらに研死の結末、樹脂封止体５につい
て前述の表面保護皮膜４と同じポリマにより形成するこ
とにより、封止体５と表面保護皮膜良４との界面での接
着力がより強くなり、耐湿性の改善に寄与すること金確
かめた。この場合、表面保護皮膜４を設ける工程と封止
体５を設ける工程とを別個にしてもよいし、また、α線
じゃへい効果を付与する場合には、樹脂中のフィラーは
、高純反のフィラーを用いるのが望ましい。表面保護皮
膜４を設ける工程を採らず、直接モールドすることによ
り封止体５と表面保護皮膜４とを一体に形成することも
できる。即ち、第２図に示すように、封止体５が表面保
護皮膜の役目′ｆｔ永ねるようにしてもよい。
さらに、不発明者らは第１図および第２図中、３で示さ
れるｆ＆着剤についても前述と同様のイソメラミン環お
よびメラミン環に’Ｊむポリマを用いることにより、耐
熱性に加え、耐湿性の点でも極めてすぐｉ″した半導体
装置を得ることができる。その理由は、接着剤の耐熱性
が悪いとワイヤボンディング（３５０１時に接合剤中か
ら敬呈の分解成分がでて半導体素子や支持部材部に付着
する。
従って、後でプラスチックパッケージされた場合、半導
体素子、支持部材とプラスチック間の界面の接涜性が悪
くなるためその界面から吸湿を起こしものはＮ−メチル
−２−ピロリドンのような高沸点の特殊溶剤を必要とす
るため、硬化１４に溶剤が接着剤同物に残り空洞ができ
る。この空洞部に水が入りヤすく、また、空洞部が存在
する分だけ接着力も小さくなる。また、従来の１１熱性
樹脂を用いｆ？：、場合、２００〜３００Ｃ，６０分以
上と硬化に尚温長時間ケ安する点も作業性の点で間、准
になる。本発明の接着剤は前述の通り、多価シアナミド
化合齋を出発原料とすることができるが、この多価シア
ナミド化合物あるいはこれと池の重合性化合Ｗ＋全含み
組成物は１５０〜３００Ｃで１０〜６００秒と極めて、
速硬化で、耐熱性も極めて優れたものになる。そして、
溶剤としても一般に使用されている低沸点のものを使用
することができ、硬化時に接着剤中に溶剤が残り、空隙
を生ずるようなこともない。従って、空隙を通しての吸
湿性も極めて少ない。また、接着剤の加熱硬化時（キュ
ア時）に、接着剤材料中から発生するＣ、Ｈ。
０等の元素を含む低分子成分の有核化合物のガスが半導
体素子表面に付着し、これが樹脂制止体と半導体素子表
面との接着性を阻害するが、このような状態で外部より
水分が浸入すると、半導体素子表面と樹脂封止体の樹脂
との界面が容易に剥離して空隙を形成し、Ａｔ配線また
はボンディング部の腐食が加速される。本発明ではこの
ような問題も生じない。
本発明に用いるポリマは前式（１）および〔五〕の生成
率の増加にしたがって、Ａ状態→Ｂ状態→Ｃ状態へと移
行する。Ｂ状態は所謂プレポリマであり、予備反応によ
って得ることができる。フェスとして用いる場合はＡ状
態ないしＢ状態で用いられる。本発明において、前記多
価シアナミド化合物または多価シアナミド化合物と他の
重合化合物を含む組成物（以下、単に原料化合物と称す
。）は有機溶媒溶液あるいは溶媒不存在下において加熱
することにより反応し、硬化する。後者は所謂溶融反応
である。この反応は、溶媒を使用した場合は一旦、５０
〜１５００程度で加熱し、その後上昇し、１５０〜２２
０Ｃ程度に加熱して行うとよい。一方、溶融反応の場合
は最初から比較的高温で、即ち、１５０〜２２００程度
に加熱して行なうことができる。プレポリマを得る場合
は反応物がＢ状態の時点で加熱を停止すればよい。溶媒
中での反応の場合は固形物（硬化物）が析出する前に加
熱を停止する。本発明においては、Ｂ状態で反応を一旦
停止することなく、直接硬化物を生成させてもよい。溶
媒としては例えばメチルエチルケトン、メチルアセチル
ケトン、２−メトキシエタノール、２−（メトキシメト
キシ）エタノール、２−インプロキシエタノール、２　
　（エトキシエトキシ）エタノール、ジオキサン、ジメ
チルジオキサン、モノグロピレングリコールメチルエー
テル、Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミド−ジメチルアセト
アミド、Ｎ−メチル−２−ピロリドンなどの１種もしく
は２種以上の混合溶媒を用いることができる。
本発明におかて、前記表面保険皮膜、樹°脂封止体およ
び接着剤は、前述のＢ状態、即ちプレポリマとしてから
用いるのが最も有用である．特に、表面保護皮膜および
接着剤の場合は、プレポリマを溶媒に溶かした溶液を用
いるのが好ましい。このプレポリマ溶液は遊換形成能が
大変すぐれており、従来のポリイミド樹月旨よりもはる
かにすぐれている。例えば膜厚の均一性がすぐれ、また
発泡が起りに＜＜、厚膜の形成が容易である。特に、−
ＭＵの塗工作業で十分厚い漢音形成することができる。
ポリイミド樹脂の場合、所定の）４さの膜を形成するに
は、数回の塗布と約２００ｔ：の温度の熱処理を繰シ返
し行なう必要がある。また、ポリイミド樹脂を最終硬化
させるためには、３００Ｃ〜４００Ｃで約１〜２時間と
いう高温かつ長時間熱処理全行なわなければならないた
め作業性に問題がある。また、高温かつ長時間の熱処理
が必要な／こめ、半導体特性の変動がしばしば起り問題
になる。かつ、ポリイミド樹脂は、半導体素子（チン７
′）との仮ｌａ性が悪いことも問題となっている。
本発明で用いる前記プレポリマ溶液は、１５００〜３０
０Ｃで１０抄〜３０分と極めて速硬化性であり、はス，
：乱、短時間１ｍｌ化が可能であるので半導体特性をそ
こなうことがない。
本発凋において、樹脂封止体へは勿論のこと、人血保護
皮，俣および接着剤に公知の無機充填剤やその他の添加
剤を加えることもできる。また、接着剤について４屯性
を付与するために、銀粉末などの畳重粉末を添加するこ
ともできる。この場合、支持部４オとアースとすること
ができる，。
〔発明の実施し１ｊ〕 実施例１ ａ）４．４’−ジシアナミドジフェニルメタン８０重量
部 Ｌ＋）４．４’−ジアミノジフェニルメタン２０重量部 上記２成分を１００重量部のメチルエチルケトンに溶か
し、６０〜８０Ｃで６０分間予備反応させてプレポリマ
を調製した。
実施例２ ａ）４＋　４’−ジシアナミドジフェニルエーテル７０
重量部 ｂ）４．４’−ジアミノジフェニルメタン３０重量部 上記２成分を１００重量部のメチルエチルケトンに溶か
し、６０〜８（Ｉ’で３０分間予備反応させてプレポリ
マ溶液製した。
実施例３ ４、４′−ジシアナミドジフェニルメタン１００重量部 をメチルエチルケトン１００重量部に浴カル、６０〜８
０Ｃで６０分間予備反応させて、）゛レポリマを調製し
た。
実施例４ ａ）４．４’−ジシアナミドジフエニルメタン８０ｉ量
量部 ｂ）　　ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂２０ｉ量部 上記２成分を１０重量部のブチルセロソルブに溶かし、
６０〜８０Ｃで３０分間予商反応させて、プレポリマを
調製した・ 従来例１ ａ）４．４’−ビス（ｐ−アミノフェノキン）ビフェニ
ル　　　　　　　　　　　５０重量部ｂ）　　ピロメリ
ット酸二無水物　　　　３０重量部上記２成分全４５０
重せ部のＮ−メチル−２−ピロリドンに溶かし、約１０
０で５時間反応させたプレポリマを調製した。
従来例２ ａ）　　ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂１００重量部 ｂ）　　フェノールノボラックレジン　　　５０ｆｆｆ
ｆｉ部Ｃ）２−エチル−４−メチルイミダゾール２重量
部 上記３成分を１００重量部のメチルエチルケトンに溶か
し、５０〜６０Ｃで約１５分間攪拌したプレポリマを調
製した。
上記実施例１〜４及び従来例１〜２の表面保護皮膜をＭ
Ｏ８型６４■（ピッ）Ｄ−ＲＡＭ素子に塗布した。その
時の被膜材の硬化条件を調べ−た。次に、上記皮膜金塗
布した素子ｆｆ１ＰｃＴ（１２０Ｃ。
２気圧の水蒸気中に放置する試験）１０００時間を行な
い、その時の素子と表面保護皮膜との接着性を、レッド
チェック液を用いて調べた。その結果を表１に示した。
表１より明らかなように、本発明の表面保護皮膜は、従
来材に比べ、硬化条件が、低温でかつ短時間であり、し
かも、素子との接着性が極めて良好であることがわかる
。
実施例５ ａ）４．４’−ジシアナミドジフェニルメタン１００重
量部 ｂ）ブチルセロソルブ　　　　　　１００重量部Ｃ）銀
粉末（平均粒子径１．２μｒｎ）３５０Ｍ量部上記ａ）
、　ｂ）成分を３００艷の環流器を付けたフラスコ中で
６０〜８０Ｃで９０分間攪拌し、均一なプレポリマ溶液
を得た。次いで、この溶液を１ｔの乳鉢に仕込み、上記
Ｃ）成分を所定量仕込み自動らいかい機で約２時間攪拌
し、銀粉末を含む接着剤を調製した。
実施例６ ａ）４．４’−ジシアナミドジフェニルメタ７８０Ｍ量
部 ｂ）４．４’−ジアミノジフェニルメタン２０Ｍ景部 Ｃ）ブチルセロソルブ　　　　　　１００重量部ｄ）銀
粉末（平均粒子径１．２μＩＴＩ　）　３５０１赦部上
記ａ）〜Ｃ）成分を３００−の環流器を付けたフラスコ
中で６０〜８０Ｃで４０分間攪拌し、均一な溶液を得た
。次いで、この溶液を１ｔの乳鉢に仕込み、上記ｄ）成
分を所定量仕込み自動らいかい俵で約２時間攪拌し銀粉
末を含む接着剤を調製した。
実施例７ ａＪ４，４’−ジシアナミドジフェニルメタン７０重量
部 ｂ）Ｎ、Ｎ’−４，４’−ジフェニルメタンビスマレイ
ミド　　　　　　　　　　３０重量部Ｃ）　　Ｎ−メチ
ル−２−ピロリドン　１００重量部ｄ）銀粉末（平均粒
子径３．０μｍ）４８０重量部上記上記−Ｃ）成分全３
００−の環流器を付けたフラスコ中で７０〜９０Ｃで９
０分間攪拌し、均一な溶液を得た。次いで、この溶液を
１ｔの乳鉢に仕込み、上記ｄ）成分全所定量仕込み自動
らいかい機で約２時間攪拌し、銀粉末を含む接着剤を調
製した。
従来例３ ａ）　　ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂１００重量部 ｂ）テトラヒドロ無水フタル酸　　　５２重量部Ｃ）ブ
チルセロソルブ　　　　　　１００重量部ｄ）　　２−
エチル−４−メチルイミダゾール２重量部 ｅ）銀粉末（平均粒子径１．２μｍ）６ｏｏ重量部ｆ）
エポキシシラン　　　　　　　　　２重量部上記ａ）〜
Ｃ）成分を５００７の環流器を付けたフラスコ中で６０
〜８０Ｃで３０分間攪拌し、均一な溶液を得た。次いで
、この溶液ｉ１ｔの乳鉢に仕込み、上記ｄ）〜ｆ）の成
分を所５ＦＬｆＡ仕込み、自動らいかい機で約２時間攪
拌し、銀粉末ケ含む接着剤を調製した。
従来例４ ａ）　　ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂１００重量部 ｂ）　　フェノールノボラックレジン　　　５０重ｉ部
Ｃ）ブチルセロソルブ　　　　　　１００Ｍ鼠部ｄ）　
　２−エチル−４−メチルイミダゾール２重量部 ｅ）銀粉末（平均粒子径１．２μｍ）６００重量部ｆ）
エポキシシラン　　　　　　　　　２重量部上記ａ）〜
Ｃ）成分を５００　ｍｌの環流器を付けたフラスコ中で
６０〜８０Ｃで６０分間攪拌し、均一な溶液を得た。次
いで、この溶′８ｆＬをＩＬの乳鉢に仕込み、上記ｄ）
〜ｆ）の成分を所定量仕込み、自動らいかい様で約２時
間攪拌し、銀粉末を含む接着剤ｆ：ｍ副製した。
上記、実施例５〜７及び従来例３，４の接着剤で、ＭＯ
８２４６４にビン）Ｄ−ＲＡＭ素子と同寸法のモデル素
子を、４２７０イのリードフレーム材の上に接着させた
。この時の接着作業性（硬化条件）を表２に示した。次
に、上記接層剤で接着させたモデル素子とフレーム材と
の接着力をプッシュプルゲージを用いて測定した。それ
らの結果を表２に示した。接着力は、初期直と、３５０
１１：（ワイヤーボンティング時に素子にかかる温度）
で１５分熱処理を行った後及びその後Ｐ　ＣＴ２Ｏ０時
間の耐湿試験を行った後で測定した。
注、接着力＝４２７０イのリードフレーム材の上に、モ
デル素子を各接層剤で接着し た。次いで、その素子とリードフレ ーム材との接層労金プッシュプルゲ ージにて測矩した。
表２より明らかなように、本発明の接層剤は、従来材に
比べ、作業性（硬化時間）が意時間であり、しかも、接
着力が高温下でも大きく、さらに劇湿性にも強いことが
わかる。
従来例５ 組成 ａ）クレゾールノボランク型エポキシ樹脂１００重量部 ｂ）フェノールノボラックレジン　　５＋重量ｍＣ）　
　２−ヘプタデシルイミダゾール　　２重量部ｄ）　　
へキストワックスＥ　　　　　　　２重量部ｅ）カーボ
ンブランク　　　　　　　　１重量部ｆ）エポキシシラ
ンＫＢＭ４０３　　　２重量部ｇ）石英ガラス粉　　　
　　　　　３００重量部上記上記−ｇ）の成分を８０〜
９０Ｃに加熱した８インチのミキシングロールで３〜１
０分間溶融混練し、その後冷却し、かつ粉砕して成形材
料を得／ζ。
従来例６ 組成 ン１）クレゾールノボ２ツク型エポキシ樹脂１００重量
部 ｂ）テトラヒドロ無水フタル酸　　　５０重量部Ｃ）　
　２−ヘプタデシルイミダゾール　　２重量部ｄ）へキ
ストワックスＥ　　　　　　　２重量部実施例８ 組成 ａ）４．４’−ジシアナミドジフェニルメタン８０重量
部 ｂ）’４．４’−ジアミノジフェニルメタン２０重量部 Ｃ）ステアリン酸　　　　　　　　　　２重量部ｄ）カ
ーボンラック　　　　　　　　　　１重量部ｅ）エポキ
シシラン　　　　　　　　　２重量部ｆ）石英ガラス粉
　　　　　　　　２００重量部上記上記−ｆ）の成分を
８０〜９０υに加熱した８インチのミキシングロールで
３〜１０　分Ｉｆｉ’ｌｉ８融混練し、その後冷却かつ
粉砕して成形材料を得た。
実施例９ 組成 ａ）　　４ｙ　４’−ジ・／アナミドジフェニルラメタ
フ５０重世部 ｂ）クレゾールノボラック型エポキシ樹脂５０重量部 り　２−ヘプタデシルイミダゾールＣ１ｙＺ（四国化成
製）　　　　　　　　　　　　１重量部ｄ）へキストワ
ックスＥ　　　　　　　２重量部ｅ）カーボンブラック
　　　　　　　　　１重量部ｆ）エボキ／シラ７　　　
　　　　　２重量部ｇ）石英ガラ、ス粉　　　　　　　
　２００重量部」二記ａ）〜ｇ）の成分を８０〜９０１
Ｚ’に加熱した８インチのミキシングロールで３〜１０
分間溶融混練し、その後冷却し、かつ粉砕して成形材料
を得た。
実施例 組成 ａ）４．４’−ジシアナミドフェニルメタン３０重笥部 １〕）クレゾールノボラック型エポキ”ＡＭ　ＢＷ５０
重量部 Ｃ）フェノールノボラックレジン　　２０重１部ｄ）ト
リフェニルホスフィン　　　　　２　重ｉｔ　Ｗｅ）　
　ヘキストワックスＥ（ヘキストジャ／くン製）２重量
部 ｆ）カーボンブラック　　　　　　　　　１重量部ｇ）
エポキシシラン　　　　　　　　　２重量部ｈ）石英ガ
ラス粉　　　　　　　　２００重量部上記上記−ｈ）の
成分を８０〜９０Ｃに加熱した８インチのミキシングロ
ールで３〜１０分間溶融混線し、その後冷却し、かつ粉
砕して成形材料を祷た。
実施例１１ 組成 ａ）４＋　４’−ジシアナミドジフェニルメタン７０重
量部 ｂ）Ｎ、Ｎ’−４，４’−ジフェニルメタンビスマレイ
ミド　　　　　　　　　　３０Ｍ量部Ｃ）ヘキストワッ
クス　　　　　　　　２重量部ｄ）カーボンブランク　
　　　　　　　１重量部ｅ）エポキシシラン　　　　　
　　　　２Ｍ量部ｆ）石英ガラス粉　　　　　　　　２
００重量部上記上記−ｆ）の成分紫８０〜９０’Ｃに加
熱した８インチのミキシングロールで３〜１０分間溶融
混練し、その後冷却し、かつ粉砕して成形材料を得た。
実施例１２ 組成 ａ）４．４’−ジシアナミドフェニルメタン５０重量部 ｂ）Ｎ、Ｎ’−４，４’−ジフェニルメタンビスマレイ
ミド　　　　　　　　　　　３０重量部Ｃ）　　クレゾ
ールノボラック型エポキシ樹脂２０重量部 ｄ）へキストワックス　　　　　　　　２重量部ｅ）カ
ーボンブラック　　　　　　　　ＩＮ量部ｆ）エポキシ
シラン　　　　　　　　　２重量部ｇ）石英ガラス粉　
　　　　　　　２５０重量部上記上記−ｆ）の成分を８
０〜９０Ｃに加熱した８インチのミキシングロールで３
〜１０分間溶融混練し、その後、冷却し、かつ粉砕して
成形材料を得た。
上記、実施列８〜１２、従来例６〜８の成形材料の緒特
性を表３に示す。また、それらの実施例１９〜２６．従
来例６〜８でアルミニウム蒸着電極を有するΔ４Ｏ８型
ＩＣｆ：）ランスファ成形した。
その樹脂封止ＭＯＳ型ＩＣについてプレッシャークンカ
ーテスト（ＰＣＴ、２気圧の水蒸気中での劣化テスト３
０００時間まで）と通′成ＰＣ’ｌ’（Ｂ−ＰＣＴ、印
加電圧３０Ｖ、５００時間まで）をそれぞれ行い耐湿性
を評価した。また、上記ＭＯＳ型ＩＣを１８０Ｃ中で長
時間通電テスト（１８０Ｂ−Ｔ、印加電圧ａｏｖ、１ｏ
ｏｏ時間まで）を行い高温下での動作特性を評価した。
また、上記ＭＯＳ型ＩＣのリード厳とモールドレジンと
の接着性をレッドチェック液に加圧（１０気圧）浸漬し
、評価した。これらの結果をまとめて表４に示した。
上記の評価は、ＰＣＴ、Ｂ−ＰＣＴは、断線不良個数、
１８０Ｂ−Ｔは、動作不良個数を表４に示した。またレ
ッドチェック評価は、リードとレジンとのすき間に浸入
したレッドチェック液の割合が１０チ（レジン中に封入
されているリード線の長さとの比）以内をＡ、１０〜３
０１ｔ−Ｂ。
３０〜５０％’（ＨＣ，５０〜８０％をり、８０〜１０
０％をＥと表わした。
表３，４に示された結果から明らかなように、本発明の
成形材料は、速硬化性でかつ、ガラス転移点が高く、耐
熱性も優れている。−また、接着力も大きく、耐湿性も
優れている。さらに高温での電気特性も優れており、半
導体装置封止用レジンとして好適である。また、さらに
、本発明で樹脂封止した半導体装置は、耐湿性が優れて
おり、また、高温下での動作特性も優れており、きわめ
て信頼性が高いことがわかる。
実施例１３〜１９．従来例７〜１１ ＭＯ８型６４にピントＤ−ＲＡＭ素子を表５に示す接着
剤でリードフレーム（４２７０イ）のタブ部（素子を搭
載する部分）に接着し、次に、その素子の底面を表５に
示す素子表面保護被膜材で覆い、更に、その素子−１ｉ
５に示す封止材でトランスファモールドした。その瑳、
そのモールド品の耐湿性（ＰＣＴ及びＢ−ＰＣＴ）と高
温下での半導体特性（１８０Ｂ−Ｔ）’に測定した。そ
の結果を表５に示した。
表５から明らかなように、本発明の接着剤、素子表面保
護被膜材、封止材の３池を組合せた樹脂封止型半導体装
置は、耐湿性及び高温下での半導体特性ともに極めて優
れていることがわかる。壕だ、本発明の表子光面保護被
膜材及び封止材を単独で用いても、耐湿性及び高温下で
の半導体特性は、従来材を用いた場合に比べ良好である
ことがわかる。
【図面の簡単な説明】
第１図および第２図は、本発明の一実施例になる半導体
装置の断面図である。 １・・・半連体素子、２・・・支持部材、３・・・接着
材、４・・・表面保護皮膜、５・・・樹脂封止体、６・
・・リード細第１頁の続き ０発　明　者　尾形正次 日立市幸町３丁目１番１号株式 ％式％ 目６番地株式会社日立製作所内

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、表面保護皮膜を有する半導体素子およびそれを封止
    する樹脂刺止体を含む半導体装置Ｈにおいて、前記保護
    皮膜がインメラミン環およびメラミン環を含むポリマで
    あることを特徴とする半導体装置。 体肢＠。 ３、支持部材上に接着剤を介して接合された表面保護皮
    膜を有する半導体素子およびこれを封止する樹脂封止体
    を含む半導体装置゛において、前記接着剤、表面保護皮
    膜および樹脂封止体がイソメラミン環およびメラミン環
    を含むポリマであることを特徴とする半導体装Ｉδ。 ４、樹脂刺止体で封止してなる半導体装置において、前
    記封止体がインメラミン環およびメラミン環を含むポリ
    マであることを特徴とする半導体装置。 ５、半導体素子表面に樹脂を被覆し、かつ加熱硬化して
    半導体素子表面に保護皮膜を形成する半導体装置の製造
    法において、前記樹脂として多価シアナミド化合物また
    はこれと他の重合性化合物を含む組成物を予備反応させ
    て得られるプレポリマを被覆し、加熱硬化することを特
    徴とする半導体装置の製造法。 ６、半導体素子表面に多価シアナミド化合物またはこれ
    と他の重合性化合物を含む組成物全予備反応させて得ら
    れるプレポリマを被覆し、加熱硬化して半導体素子表面
    に保護皮膜を形成し、さらに、全体を（ａ）多価シアナ
    ミド化合物またはこれと他の重合性化を含む組成物また
    はそれらを予備反応させて得られるプレポリマおよび（
    ｂ）無機充填剤を含む成形材料を用いてモールドし、封
    止体を形成することを特徴とする半導体装置の製造法。 ７、半導体素子を（ａ）多価シアナミド化合物またはこ
    れと他の重合性化合物を含む組成物またはそれらを予備
    反応させて得られるプレポリマおよび（ｂ）無機充填剤
    を含む成形材料を用いてモールドし、封止体を形成する
    ことを喝似とする半導体装置の装造法。
JP58071877A 1983-04-22 1983-04-22 半導体装置およびその製造法 Pending JPS59197154A (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58071877A JPS59197154A (ja) 1983-04-22 1983-04-22 半導体装置およびその製造法
EP84104362A EP0123262A3 (en) 1983-04-22 1984-04-17 Resin encapsulated semiconductor device and process for producing the same
KR1019840002130A KR840008536A (ko) 1983-04-22 1984-04-20 반도체장치 및 그 제조법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP58071877A JPS59197154A (ja) 1983-04-22 1983-04-22 半導体装置およびその製造法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS59197154A true JPS59197154A (ja) 1984-11-08

Family

ID=13473183

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP58071877A Pending JPS59197154A (ja) 1983-04-22 1983-04-22 半導体装置およびその製造法

Country Status (3)

Country Link
EP (1) EP0123262A3 (ja)
JP (1) JPS59197154A (ja)
KR (1) KR840008536A (ja)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2585006B2 (ja) * 1987-07-22 1997-02-26 東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社 樹脂封止型半導体装置およびその製造方法
US6833629B2 (en) * 2001-12-14 2004-12-21 National Starch And Chemical Investment Holding Corporation Dual cure B-stageable underfill for wafer level
US7329617B2 (en) * 2004-12-22 2008-02-12 Asm Assembly Automation Ltd. Coating for enhancing adhesion of molding compound to semiconductor devices
AU2020276096A1 (en) 2019-05-15 2022-01-06 A.W. Chesterton Company High temperature protective coating

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57208163A (en) * 1981-06-17 1982-12-21 Toshiba Corp Resin-sealed electronic component part and manufacture thereof

Also Published As

Publication number Publication date
EP0123262A3 (en) 1986-10-01
EP0123262A2 (en) 1984-10-31
KR840008536A (ko) 1984-12-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US5258426A (en) Semiconductor device encapsulant
KR960000704B1 (ko) 말레이미드 수지 조성물 및 이 조성물을 사용하여 제조된 수지 봉지형 반도체 장치
US20060228562A1 (en) Semiconductor device, resin composition for buffer coating, resin composition for die bonding, and resin composition for encapsulating
TWI445729B (zh) 系統級封裝型半導體裝置用樹脂組成物套組
JP2000109709A (ja) 熱硬化性樹脂材料およびその製造方法
Rabilloud High-Performance Polymer...
JPH04359911A (ja) 熱硬化性樹脂組成物
KR101057544B1 (ko) 접착제 조성물 및 접착 필름
JPH0551541A (ja) ポリイミド樹脂で被覆された無機充填剤、それを配合した樹脂組成物およびその樹脂組成物で封止された半導体装置
JPS59197154A (ja) 半導体装置およびその製造法
JPH093167A (ja) 樹脂組成物及びこれを用いた樹脂封止型半導体装置
JP4530126B2 (ja) 接着剤組成物及び接着フイルム
JPH06224239A (ja) 樹脂封止型半導体装置の製造方法
JP4272471B2 (ja) フィルム状接着剤
JP4586966B2 (ja) 接着剤組成物及び接着フィルム
JPS59196378A (ja) 半導体素子接合用接着剤と半導体装置およびその製造法
JP2005272483A (ja) 硬化性化合物、その硬化物および電子部品装置
JPH06157754A (ja) 樹脂組成物
JP2000169677A (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JPH02238053A (ja) マレイミド樹脂組成物、及び樹脂封止型半導体装置
JPH0697324A (ja) 樹脂封止型半導体装置
JPH0693085A (ja) 樹脂組成物
JP2500548B2 (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2635621B2 (ja) 半導体装置封止用樹脂組成物
JPS6345843A (ja) 半導体装置