JPS59196378A - 半導体素子接合用接着剤と半導体装置およびその製造法 - Google Patents
半導体素子接合用接着剤と半導体装置およびその製造法Info
- Publication number
- JPS59196378A JPS59196378A JP58071882A JP7188283A JPS59196378A JP S59196378 A JPS59196378 A JP S59196378A JP 58071882 A JP58071882 A JP 58071882A JP 7188283 A JP7188283 A JP 7188283A JP S59196378 A JPS59196378 A JP S59196378A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- adhesive
- semiconductor element
- compound
- aromatic
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L24/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/85909—Post-treatment of the connector or wire bonding area
- H01L2224/8592—Applying permanent coating, e.g. protective coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Other Resins Obtained By Reactions Not Involving Carbon-To-Carbon Unsaturated Bonds (AREA)
- Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
- Die Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は半導体素子例えば大規模集積回路素子（ＬＳＩ
）を支持部材に接合するだめの接着剤およびそれによっ
て接合された半導体装置およびその製造法に関する。
）を支持部材に接合するだめの接着剤およびそれによっ
て接合された半導体装置およびその製造法に関する。
金槌材料やセラミック材料から成る支持部材Ｋ。
有機材料から成る半導体素子を合成樹脂接着剤によって
固着せしめた半導体装置は周知である。この接着剤とし
ては、例えば、エーブルボンのようなエポキシ樹脂系の
ものが知られている。
固着せしめた半導体装置は周知である。この接着剤とし
ては、例えば、エーブルボンのようなエポキシ樹脂系の
ものが知られている。
そして、これらの半導体装置の多くは最終的に樹脂によ
っでモールドされ、樹龍封正体の形として一般に供され
ている。
っでモールドされ、樹龍封正体の形として一般に供され
ている。
しかしながら、かかる樹脂封止体の半導体装置にあって
は、耐湿性の点で問題のあることを見い出した。すなわ
ち、従来の接着剤を使用して半導体装＆ｌｋ形成する場
合は、以下の原因により、半導体素子のアルミニウム（
Ａｔ）配線または電極部、あるいはボンディング部が腐
食劣化され、あるいは電極線間のリーク電流が増加する
という問題点のあることを見い出した。
は、耐湿性の点で問題のあることを見い出した。すなわ
ち、従来の接着剤を使用して半導体装＆ｌｋ形成する場
合は、以下の原因により、半導体素子のアルミニウム（
Ａｔ）配線または電極部、あるいはボンディング部が腐
食劣化され、あるいは電極線間のリーク電流が増加する
という問題点のあることを見い出した。
（１）接着剤の加熱硬化時（キュア時）に、接着剤材料
中から発生するＣ，Ｈ，０等の元素を含む低分子成分の
有機化合物のガスが半導体素子表面に付着し、これが樹
脂封止体と半導体素子表面との接着性を阻害する。この
ような状態で外部より水分が浸入すると、半導体素子表
面と樹脂封止体の樹脂との界面が容易に剥離して空隙を
形成し、Ａ４配線またはボンディング部の腐食が加速さ
れる。
中から発生するＣ，Ｈ，０等の元素を含む低分子成分の
有機化合物のガスが半導体素子表面に付着し、これが樹
脂封止体と半導体素子表面との接着性を阻害する。この
ような状態で外部より水分が浸入すると、半導体素子表
面と樹脂封止体の樹脂との界面が容易に剥離して空隙を
形成し、Ａ４配線またはボンディング部の腐食が加速さ
れる。
（２）接着剤材料中に、加水分解性のＣｔイオン、１３
ｒイオンなどの腐食性が大きいノ１０ゲンイオンの不純
物が含まれているために、これが溶出して素子狭面の配
線または電極を腐食させる。
ｒイオンなどの腐食性が大きいノ１０ゲンイオンの不純
物が含まれているために、これが溶出して素子狭面の配
線または電極を腐食させる。
（３）接着剤材料中の硬化した樹脂が加水分解し易く、
これが、上述（２）の場合と同様に、素子表面に水分の
空隙を形成する原因となシ、配線を腐食させる。
これが、上述（２）の場合と同様に、素子表面に水分の
空隙を形成する原因となシ、配線を腐食させる。
従って、本発明の目的は、耐湿性あるいは耐腐食性に優
れた半導体装置およびその製造方法を提供することにあ
る。
れた半導体装置およびその製造方法を提供することにあ
る。
本発明の半導体素子接合用接着剤は、（ａ）芳香族シア
ナミド化合物および（ｂ）芳香族ジアミン、エポキシ化
合物、マレイミド化合物、フェノール化合物、ポリブタ
ジエンおよびトリアリルイソシアヌレートから選ばれる
少なくとも１種の重合性化合物を含むことを特徴とする
。
ナミド化合物および（ｂ）芳香族ジアミン、エポキシ化
合物、マレイミド化合物、フェノール化合物、ポリブタ
ジエンおよびトリアリルイソシアヌレートから選ばれる
少なくとも１種の重合性化合物を含むことを特徴とする
。
また、半導体装置は、半導体素子とそれを支持する支持
部材とが合成樹脂接着剤によって接合された半導体装置
において、前記接着剤がインメラミン環およびメラミン
環とを含む樹脂状硬化物であることを特徴とする。
部材とが合成樹脂接着剤によって接合された半導体装置
において、前記接着剤がインメラミン環およびメラミン
環とを含む樹脂状硬化物であることを特徴とする。
本発明においては耐熱性に加え、耐湿性の点でも極めて
すぐれた半導体装置を得ることができる。
すぐれた半導体装置を得ることができる。
その理由は、接着剤の耐熱性が悪いとワイヤボンディン
グ（ａ ５ＱＣ）時に接合剤中から微量の分解成分がで
て半導体素子や支持部材部に付着する。
グ（ａ ５ＱＣ）時に接合剤中から微量の分解成分がで
て半導体素子や支持部材部に付着する。
従って、後でグラスチックパッケージされた場合、半導
体素子、支持部材とプラスチック間の界面の接着性が悪
くなるためその界面から吸湿を起こし腐食劣化の原因に
なる。そこで、接着剤の耐熱性をあげる方法があるが、
一般に接合剤に耐熱性樹脂を用いると従来の耐熱性樹脂
はＮ−メチル−２−ピロリドンのような高沸点の特殊溶
剤を必要とするため、硬化時に溶剤が接着剤内部に残シ
空洞ができる。この空洞部に水が入シやすく、また、空
洞部が存在する分だけ接着力も小さくなる。また、従来
の耐熱性樹脂を用いた場合、２００〜３０（Ｉ’，６０
分以上と硬化に高温長時間を要する点も作業性の点で問
題になる。
体素子、支持部材とプラスチック間の界面の接着性が悪
くなるためその界面から吸湿を起こし腐食劣化の原因に
なる。そこで、接着剤の耐熱性をあげる方法があるが、
一般に接合剤に耐熱性樹脂を用いると従来の耐熱性樹脂
はＮ−メチル−２−ピロリドンのような高沸点の特殊溶
剤を必要とするため、硬化時に溶剤が接着剤内部に残シ
空洞ができる。この空洞部に水が入シやすく、また、空
洞部が存在する分だけ接着力も小さくなる。また、従来
の耐熱性樹脂を用いた場合、２００〜３０（Ｉ’，６０
分以上と硬化に高温長時間を要する点も作業性の点で問
題になる。
本発明の接着剤は、１５０〜３００Ｃで１０〜６００秒
と極めて、速硬化で、耐熱性も極めて優れたものになる
。そして、溶剤としても一般に使用されている低沸点の
ものを使用することができ、硬化時に接着剤中に溶剤が
残し、空隙を生ずるようなこともない。従って、空隙を
通しての吸湿性も極めて少ない。
と極めて、速硬化で、耐熱性も極めて優れたものになる
。そして、溶剤としても一般に使用されている低沸点の
ものを使用することができ、硬化時に接着剤中に溶剤が
残し、空隙を生ずるようなこともない。従って、空隙を
通しての吸湿性も極めて少ない。
本発明でいう前記一般式で示される芳香族シアナミド化
合物としては例えばフ土ニルシアナミド、ジシアナミド
ピリジン、ｍ−フェニレンジシアナミド、ｐ−フェニレ
ンジシアナミド、４．４’−ジンアナミドジフェニルメ
タン、２．２’−ビス（４−シアナミドジフェニル）フ
ロパン、４．４’−ジシアナミドフェニルオキシド、４
．４’−ジシアナミドフェニルスルフオ／、ビス（４−
アミノフェニルλフェニルホスフィンオキシト、ビス（
４−シアナミドフェニル）メチルアミン、１゜５−ジシ
アナミドピリジン、ｍ−キシリレンジシアナミド、１，
１−ビス（ｐ−シアナミドフェニル）フジタン、ｐ−キ
シリレンジシアナミド、ヘキサメチレンジシアナミド、
６，６′−ジシアナミド−２，２１−ジピリジル、４，
４′−ジシアナミドベンゾフェノン、４．４’−ジシア
ナミドアゾベンゼン、ビス（４−・シアナミドフェニル
）シクロヘキサン、１，１−ビス（４−シアナミド−３
−メチルフェニル） −１，３，４−オキサジアゾール
、４．４’−ジシアナミドジフェニルエーテル、４．４
’−ビス（ｐ−７アナミドフエニル）−２，２’−ジチ
アゾール、ｍ−ビス（４−ｐ−シアナミドフェニル−２
−チアゾリル）ベンゼン’１ ４．４’−ジシアナミド
ベンズアニリド、４．４’−ジシアナミドフェニルベン
ゾエート、２．２′−ビス（４−（４−７アナミドフエ
ノキシ）フェニル〕プロパン、２，２′−ビス０３−メ
チル−４−（４−シアナミドフェノキシ）フェニル〕プ
ロパン、２，２−ビス〔３−エチル−４−（４−シアナ
ミドフェノキシ）フェニル〕プロパン、２，２−ビス〔
３−プロピル−４−（４−シアナミドフェノキシ）フェ
ニル〕プロパン、２゜２−ビス〔３−イソプロピル−４
−（４−シアナミドフェノキシ）フ具ニル〕プロパン、
ビス〔４−（４−シアナミドフェノキシ）フェニルコメ
タンおよび下式（１） （ｎは０〜３である。）で示されるシアナミド末端スル
フォンエーテルオリゴマー、ポリフェニルメチレンポリ
シアナミドのうち少なくとも１種をいう。さらに、前記
シアナミド化合物の誘導体であるＮ−シアノ−Ｎ−アミ
ド化合物としては、例えば、一般式 （式中Ｒ′ハ水素、ヘンゼンスルホニル基、ベンゼンカ
ルボニル基、ベンジル基のいずれかを示し、１分子中の
少なくとも１個のＲ′は水素とする。
合物としては例えばフ土ニルシアナミド、ジシアナミド
ピリジン、ｍ−フェニレンジシアナミド、ｐ−フェニレ
ンジシアナミド、４．４’−ジンアナミドジフェニルメ
タン、２．２’−ビス（４−シアナミドジフェニル）フ
ロパン、４．４’−ジシアナミドフェニルオキシド、４
．４’−ジシアナミドフェニルスルフオ／、ビス（４−
アミノフェニルλフェニルホスフィンオキシト、ビス（
４−シアナミドフェニル）メチルアミン、１゜５−ジシ
アナミドピリジン、ｍ−キシリレンジシアナミド、１，
１−ビス（ｐ−シアナミドフェニル）フジタン、ｐ−キ
シリレンジシアナミド、ヘキサメチレンジシアナミド、
６，６′−ジシアナミド−２，２１−ジピリジル、４，
４′−ジシアナミドベンゾフェノン、４．４’−ジシア
ナミドアゾベンゼン、ビス（４−・シアナミドフェニル
）シクロヘキサン、１，１−ビス（４−シアナミド−３
−メチルフェニル） −１，３，４−オキサジアゾール
、４．４’−ジシアナミドジフェニルエーテル、４．４
’−ビス（ｐ−７アナミドフエニル）−２，２’−ジチ
アゾール、ｍ−ビス（４−ｐ−シアナミドフェニル−２
−チアゾリル）ベンゼン’１ ４．４’−ジシアナミド
ベンズアニリド、４．４’−ジシアナミドフェニルベン
ゾエート、２．２′−ビス（４−（４−７アナミドフエ
ノキシ）フェニル〕プロパン、２，２′−ビス０３−メ
チル−４−（４−シアナミドフェノキシ）フェニル〕プ
ロパン、２，２−ビス〔３−エチル−４−（４−シアナ
ミドフェノキシ）フェニル〕プロパン、２，２−ビス〔
３−プロピル−４−（４−シアナミドフェノキシ）フェ
ニル〕プロパン、２゜２−ビス〔３−イソプロピル−４
−（４−シアナミドフェノキシ）フ具ニル〕プロパン、
ビス〔４−（４−シアナミドフェノキシ）フェニルコメ
タンおよび下式（１） （ｎは０〜３である。）で示されるシアナミド末端スル
フォンエーテルオリゴマー、ポリフェニルメチレンポリ
シアナミドのうち少なくとも１種をいう。さらに、前記
シアナミド化合物の誘導体であるＮ−シアノ−Ｎ−アミ
ド化合物としては、例えば、一般式 （式中Ｒ′ハ水素、ヘンゼンスルホニル基、ベンゼンカ
ルボニル基、ベンジル基のいずれかを示し、１分子中の
少なくとも１個のＲ′は水素とする。
凡は炭素数４〜１４のアルギル基、シクロアルキレン基
、フェニレン基のいずれかを示す。Ａは０．１８．８０
２ 、ＣＯ，ＣＨ２のいずれかを示す。ｍはｏ、＞、ｎ
は０〜３、ｑは０〜４をそれぞれ示す。）で示される化
合物も含まれる。
、フェニレン基のいずれかを示す。Ａは０．１８．８０
２ 、ＣＯ，ＣＨ２のいずれかを示す。ｍはｏ、＞、ｎ
は０〜３、ｑは０〜４をそれぞれ示す。）で示される化
合物も含まれる。
本発明においては芳香族シアナミド化合物とともに重合
性化合物を併用してもよい。重合性化合物としては例え
ば、 、゛ 、 。
性化合物を併用してもよい。重合性化合物としては例え
ば、 、゛ 、 。
ニー；２．６−ジアミツヒリジン、ｍ−フェニレンジア
ミン、ｐ−フェニレンジアミン、４．４’−ジアミノジ
フェニルメタン、２，２′−ビス（４−アミノフェニル
）プロパン、ベンジン、４．４’−ジアミノフェニルオ
キシド、４．４’−ジアミノフェニルスルホン、ビス（
４−アミノフェニル）メチルホスフィンオキシド、ビス
（４−アミノフェニ′し）フェニルホスフィンオキシト
、ビス（４−アミノフェニル）メチルアミン、１，５−
シアばノナフタレ／、ｍ−キシリレンジアミン、１゜１
−ビス（ｐ−アミノフェニル）フラタン、６゜６′−／
アミノー２．２′−ジピリジル、４，４′−ジアミノベ
ンゾフェノン、４．４’−ジアミノアゾベンゼン、ビス
（４−アミノフェニル）フェニルメタン、１，１−ビス
（４−アミノフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス
（４−アミノ−３−メチルフェニル）シクロヘキサン、
２，５−ビス（ｍ−アミノフェニル）−１，３，４−オ
キサジアゾール、２，５−ビス（ｐ−アミノフェニル）
−１，３，４−オキサジアゾール、２，５−ビス（ｍ−
アミノフェニル）チアゾロ（４，５−ｄ）チアゾール、
５．５−ジ（ｍ−アミノフェニル）−（２，２’ ）ビ
ス（１，３，４−オキサジアゾリル）、４．４’ −ジ
アミノジフェニルエーテル、４．４′−ビス（ｐ−アミ
ノフェニル）−２，２’−ジチアゾール、ｍ−ビス（４
−ｐ−アミノフェニル−２−チアゾリル）ベンゼン、４
，４′−ジアミノベンズアニリド、４．４’−ジアミノ
フェニルベンシェード、Ｎ、Ｎ’−ビス（４−アミノベ
ンジル）−ｐ−フェニレンジアミン、４．４’−メチレ
ンビス（２−ジクロロアニリン）、ペンゾクアナミン、
メチルグアナミンなどの芳香族ジアミンを併用すること
ができる。
ミン、ｐ−フェニレンジアミン、４．４’−ジアミノジ
フェニルメタン、２，２′−ビス（４−アミノフェニル
）プロパン、ベンジン、４．４’−ジアミノフェニルオ
キシド、４．４’−ジアミノフェニルスルホン、ビス（
４−アミノフェニル）メチルホスフィンオキシド、ビス
（４−アミノフェニ′し）フェニルホスフィンオキシト
、ビス（４−アミノフェニル）メチルアミン、１，５−
シアばノナフタレ／、ｍ−キシリレンジアミン、１゜１
−ビス（ｐ−アミノフェニル）フラタン、６゜６′−／
アミノー２．２′−ジピリジル、４，４′−ジアミノベ
ンゾフェノン、４．４’−ジアミノアゾベンゼン、ビス
（４−アミノフェニル）フェニルメタン、１，１−ビス
（４−アミノフェニル）シクロヘキサン、１，１−ビス
（４−アミノ−３−メチルフェニル）シクロヘキサン、
２，５−ビス（ｍ−アミノフェニル）−１，３，４−オ
キサジアゾール、２，５−ビス（ｐ−アミノフェニル）
−１，３，４−オキサジアゾール、２，５−ビス（ｍ−
アミノフェニル）チアゾロ（４，５−ｄ）チアゾール、
５．５−ジ（ｍ−アミノフェニル）−（２，２’ ）ビ
ス（１，３，４−オキサジアゾリル）、４．４’ −ジ
アミノジフェニルエーテル、４．４′−ビス（ｐ−アミ
ノフェニル）−２，２’−ジチアゾール、ｍ−ビス（４
−ｐ−アミノフェニル−２−チアゾリル）ベンゼン、４
，４′−ジアミノベンズアニリド、４．４’−ジアミノ
フェニルベンシェード、Ｎ、Ｎ’−ビス（４−アミノベ
ンジル）−ｐ−フェニレンジアミン、４．４’−メチレ
ンビス（２−ジクロロアニリン）、ペンゾクアナミン、
メチルグアナミンなどの芳香族ジアミンを併用すること
ができる。
また、ビスフェノールＡのジグリシジルエーテル、３，
４−エポキシシクロヘキシルメチル−３゜４−エポキシ
シクロヘキサンカルボキシレート、４．４’−（１，２
−エポキシエチル）ビフェニル、４，４′−ジ（１，２
−エポキシエチル）ジフェニルエーテル、レゾルシンジ
グリシジルエーテル、ビス（２，３−エポキシシクロペ
ンチル）エーテル、Ｎ、Ｎ’−ｍ−フェニレンビス（４
゜５′−エポキシ−１，２−シクロヘキサンシカルボジ
イミド）などの２官能工ポキシ化合物、ｐ−アミンフェ
ノールのトリグリシジル化合物、１゜３．５−）す（１
，２−エポキシエチル）ベンゼン、テトラグリシドキシ
テトラフェニルエタン、フェノールホルムアルデドノボ
ラック樹脂のポリグリシジルエーテルなどの３官能以上
のエポキシ化合物、臭素化エポキシ化合物のようなノ・
ロゲン原子を含むエポキシ化合物などを併用することが
できる。
４−エポキシシクロヘキシルメチル−３゜４−エポキシ
シクロヘキサンカルボキシレート、４．４’−（１，２
−エポキシエチル）ビフェニル、４，４′−ジ（１，２
−エポキシエチル）ジフェニルエーテル、レゾルシンジ
グリシジルエーテル、ビス（２，３−エポキシシクロペ
ンチル）エーテル、Ｎ、Ｎ’−ｍ−フェニレンビス（４
゜５′−エポキシ−１，２−シクロヘキサンシカルボジ
イミド）などの２官能工ポキシ化合物、ｐ−アミンフェ
ノールのトリグリシジル化合物、１゜３．５−）す（１
，２−エポキシエチル）ベンゼン、テトラグリシドキシ
テトラフェニルエタン、フェノールホルムアルデドノボ
ラック樹脂のポリグリシジルエーテルなどの３官能以上
のエポキシ化合物、臭素化エポキシ化合物のようなノ・
ロゲン原子を含むエポキシ化合物などを併用することが
できる。
ま７ｆｔ、Ｎ、 Ｎ’−メチレンビスマレイミド、Ｎｔ
Ｎ′−エチレンビスマレイミド、Ｉ’Ｊ、Ｎ’−ヘキサ
メチレンビスマレイミド、Ｎ、Ｎ’−）ジメチレンビス
マレイミド、Ｎ、Ｎ’ −ｍ−フェニレンビスマレイミ
ド、Ｎ、Ｎ’−４，４’−ジフェニルメタンビスマレイ
ミド、Ｎ、Ｎ’−４，４’ −ジフェニルメタンビスマ
レイミド、ＮｇＮ′−ジフェニルエーテルビスマレイミ
ド、Ｎ、Ｎ’ −メチレンビス（３−クロロ−ｐ−フエ
ニレイ）゛ビスマレイミド、Ｎ、Ｎ’−４，４’−ジフ
ェニルサルフオンビスマレイミド、Ｎ、Ｎ’−４，４’
−シンクロヘキシルメタンビスマレイミド、Ｎ、Ｎ’
−α、α’−４．４’ −ジメチレンシクロへキサンビ
スマレイミド、Ｎ、Ｎ’−４，４’−ジフェニルシクロ
ヘキサンビスマレイミド等のビスマレイミド化合物、ア
ニリンとホルムアルデヒドの縮合物と無水マレイン酸と
を反応させて得られる次式（ｎ）で示される多価マレイ
ミドなどを併用することができる。
Ｎ′−エチレンビスマレイミド、Ｉ’Ｊ、Ｎ’−ヘキサ
メチレンビスマレイミド、Ｎ、Ｎ’−）ジメチレンビス
マレイミド、Ｎ、Ｎ’ −ｍ−フェニレンビスマレイミ
ド、Ｎ、Ｎ’−４，４’−ジフェニルメタンビスマレイ
ミド、Ｎ、Ｎ’−４，４’ −ジフェニルメタンビスマ
レイミド、ＮｇＮ′−ジフェニルエーテルビスマレイミ
ド、Ｎ、Ｎ’ −メチレンビス（３−クロロ−ｐ−フエ
ニレイ）゛ビスマレイミド、Ｎ、Ｎ’−４，４’−ジフ
ェニルサルフオンビスマレイミド、Ｎ、Ｎ’−４，４’
−シンクロヘキシルメタンビスマレイミド、Ｎ、Ｎ’
−α、α’−４．４’ −ジメチレンシクロへキサンビ
スマレイミド、Ｎ、Ｎ’−４，４’−ジフェニルシクロ
ヘキサンビスマレイミド等のビスマレイミド化合物、ア
ニリンとホルムアルデヒドの縮合物と無水マレイン酸と
を反応させて得られる次式（ｎ）で示される多価マレイ
ミドなどを併用することができる。
（ｎ）
また、本発明においては、次のようなモノマレイミド化
合ｖｌＪヲ併用することができる。例えばＮ−メチルマ
レイミド、Ｎ−エチルマレイミド、Ｎ−７’ロピルマレ
イミド、Ｎ−ブチルマレイミド、Ｎ−７！Ｊｌ／マレイ
ミド、Ｎ−ビニルマレイミド、Ｎ−フェニルマレイミ）
”、Ｎ −３−１０ロフエニルマレイミド、Ｎ−０−）
＋フルマレイミド、Ｎ−ｍ−）！Ｊルマレイミ）”、Ｎ
−ｐ−）１．１ルマレイミド、Ｎ−〇−メトキシフェニ
ルマレイミド、Ｎ−ｍ−メトキシフェニルマレイミド、
ＮＰ−メトキシフェニルマレイミド、Ｎ−ペンシルマレ
イミド、Ｎ−ピリジルマレイミド、Ｎ−ヒドロキンフェ
ニルマレイミド、Ｎ−アセトキシフェニルマレイミド、
Ｎ−ジクロロフェニルマレイミド、Ｎ−ベンゾフェノン
マレイミド、Ｎ−ジフェニルエーテルマレイミド、Ｎ−
アセチルフェニルマレイばド、Ｎ−アセチルフェニルマ
レイミド、Ｎ−シクロへキシルマレイミド等のモノマン
イミド化合物を併用することができる。
合ｖｌＪヲ併用することができる。例えばＮ−メチルマ
レイミド、Ｎ−エチルマレイミド、Ｎ−７’ロピルマレ
イミド、Ｎ−ブチルマレイミド、Ｎ−７！Ｊｌ／マレイ
ミド、Ｎ−ビニルマレイミド、Ｎ−フェニルマレイミ）
”、Ｎ −３−１０ロフエニルマレイミド、Ｎ−０−）
＋フルマレイミド、Ｎ−ｍ−）！Ｊルマレイミ）”、Ｎ
−ｐ−）１．１ルマレイミド、Ｎ−〇−メトキシフェニ
ルマレイミド、Ｎ−ｍ−メトキシフェニルマレイミド、
ＮＰ−メトキシフェニルマレイミド、Ｎ−ペンシルマレ
イミド、Ｎ−ピリジルマレイミド、Ｎ−ヒドロキンフェ
ニルマレイミド、Ｎ−アセトキシフェニルマレイミド、
Ｎ−ジクロロフェニルマレイミド、Ｎ−ベンゾフェノン
マレイミド、Ｎ−ジフェニルエーテルマレイミド、Ｎ−
アセチルフェニルマレイばド、Ｎ−アセチルフェニルマ
レイミド、Ｎ−シクロへキシルマレイミド等のモノマン
イミド化合物を併用することができる。
また、フェノール、クレゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−
クレゾール、２，５−キシレノール、２゜６−キシレノ
ール、０−クロルフェノール、ｍ−クロルフェノール、
ｐ−クロルフェノール、ｏ−フェニルフェノール、ｍ−
フェニルフェノール、ｐ−フェニルフェノール、サリケ
ニン、ビスフェノールＡなどのフェノール化合物を併用
することができる。
クレゾール、２，５−キシレノール、２゜６−キシレノ
ール、０−クロルフェノール、ｍ−クロルフェノール、
ｐ−クロルフェノール、ｏ−フェニルフェノール、ｍ−
フェニルフェノール、ｐ−フェニルフェノール、サリケ
ニン、ビスフェノールＡなどのフェノール化合物を併用
することができる。
その他、ポリブタジェン、トリアリルイソシアヌレート
、アクリル酸系化合物、グアナミン類、メラミンなどを
併用することができる。
、アクリル酸系化合物、グアナミン類、メラミンなどを
併用することができる。
本発明においては前述の重合性化合物はいずれか１種も
しくは２種以上用いてもよい。
しくは２種以上用いてもよい。
以上詳述した接着剤としては本願出願人が先に出願した
特願昭５６−１６８７８７号、特願昭５６−１７００５
７号、特願昭５６−２０３５４５号、特願昭５７−７６
６６号、特願昭５７−１１５４７号、特願昭５７−６１
００２号、特願昭５７−７１４２８号および特願昭５７
−７１４２９号明細書に記載されたものである。
特願昭５６−１６８７８７号、特願昭５６−１７００５
７号、特願昭５６−２０３５４５号、特願昭５７−７６
６６号、特願昭５７−１１５４７号、特願昭５７−６１
００２号、特願昭５７−７１４２８号および特願昭５７
−７１４２９号明細書に記載されたものである。
本発明において半導体素子とそれを支持する支持部材と
の間に芳香族シアナミドを直接介在させ加熱硬化させる
とよい。また、芳香族シアナミドを溶剤に溶かしたもの
を用いることができる。溶剤としては、メチルエチルケ
トン、メチルセロソルブ、メチルセロソルブ、Ｎ−メチ
ル−２−ピロリドン、Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミ）’
、Ｎ、Ｎ−ジメチルアセトアミドなどがある。上記組成
物の加熱硬化条件としては、一般に１５０Ｃ〜３００Ｃ
で１０〜６００秒である。
の間に芳香族シアナミドを直接介在させ加熱硬化させる
とよい。また、芳香族シアナミドを溶剤に溶かしたもの
を用いることができる。溶剤としては、メチルエチルケ
トン、メチルセロソルブ、メチルセロソルブ、Ｎ−メチ
ル−２−ピロリドン、Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミ）’
、Ｎ、Ｎ−ジメチルアセトアミドなどがある。上記組成
物の加熱硬化条件としては、一般に１５０Ｃ〜３００Ｃ
で１０〜６００秒である。
また、芳香族シアナミド化合物又は芳香族シアナミド化
合物と重合性化合物とを含む組成＊を予備反応させて得
られるプレポリマを接着剤として用いることができる。
合物と重合性化合物とを含む組成＊を予備反応させて得
られるプレポリマを接着剤として用いることができる。
プレポリマは、芳香族シアナミド化合物又は芳香族シア
ナオド化合物と重合性化合物とを含む組成物に溶剤を加
えて加熱反応させ製造する。加熱反応条件としては、一
般に６０〜１２０Ｃで１０〜１２０分である。溶剤とし
ては、上記と同様である。上記プレポリマを半導体素子
と、これを支持する支持部材との間に接着剤として介在
させ、加熱硬化させることができる。加熱硬化条件とし
ては、１３０〜３００Ｃで好ましくは１７０〜２７０Ｃ
の温度で、１０〜６００秒である。プレポリマ方式が接
着剤として用いる場合、最も好ましい。
ナオド化合物と重合性化合物とを含む組成物に溶剤を加
えて加熱反応させ製造する。加熱反応条件としては、一
般に６０〜１２０Ｃで１０〜１２０分である。溶剤とし
ては、上記と同様である。上記プレポリマを半導体素子
と、これを支持する支持部材との間に接着剤として介在
させ、加熱硬化させることができる。加熱硬化条件とし
ては、１３０〜３００Ｃで好ましくは１７０〜２７０Ｃ
の温度で、１０〜６００秒である。プレポリマ方式が接
着剤として用いる場合、最も好ましい。
また、半導体素子を載置、固着するための支持部材とし
ては、４２アロイｒ Ｃｕｒ Ｍ ｅｌセラミックスが
用いられる。この場合、放熱効果やアース効果を得るた
めに、接着剤にＡｇ、Ｃ１１あるいは導電性粉末を添加
することもできる。
ては、４２アロイｒ Ｃｕｒ Ｍ ｅｌセラミックスが
用いられる。この場合、放熱効果やアース効果を得るた
めに、接着剤にＡｇ、Ｃ１１あるいは導電性粉末を添加
することもできる。
以下、本発明の実施例について説明する。第２図は、本
発明の半導体装置を示す。１は、半導体素子のアルミニ
ウム電極に対応して設けられた複数の外部引出しリード
線。２は、半導体素子を載置、固着するための支持部材
（タブ）で、例えば上記リード線１と同様に、Ｆｅ−Ｎ
ｉ−Ｃｏの合金から成る。３は、半導体素子で、例えば
、ブレーナ技術によってシリコーン半導体ベレット素子
に回路が集積化された集積回路（ＩＣ）素子から成る。
発明の半導体装置を示す。１は、半導体素子のアルミニ
ウム電極に対応して設けられた複数の外部引出しリード
線。２は、半導体素子を載置、固着するための支持部材
（タブ）で、例えば上記リード線１と同様に、Ｆｅ−Ｎ
ｉ−Ｃｏの合金から成る。３は、半導体素子で、例えば
、ブレーナ技術によってシリコーン半導体ベレット素子
に回路が集積化された集積回路（ＩＣ）素子から成る。
この素子の表土面には、アルミニウム等の配線（図示さ
れていない）が施され、その出力電極（図示されていな
い）が設けられている。４は半導体素子３の表土面を上
支持部材２に接着又は固着させる接着剤で、上述したよ
うに、この接着剤は、本発明に従って特殊な組成から成
る。この接着剤の組成の具体的例については後述する。
れていない）が施され、その出力電極（図示されていな
い）が設けられている。４は半導体素子３の表土面を上
支持部材２に接着又は固着させる接着剤で、上述したよ
うに、この接着剤は、本発明に従って特殊な組成から成
る。この接着剤の組成の具体的例については後述する。
５は、半導体素子の表土面に設けられた出力電極を、対
応する外部引出しリード線１に電気的に接続するための
リード細線で、例えば金（ＡＩＪ）Ｉａ線から成り、周
知のワイヤボンディング技術によって、半導体素子３の
主面上の電極と、リード線１とにそれぞれボンディング
されている。６は樹脂封止体で、例えば周知のトランス
ファ成形技術に従って、形成されたものでちる。
応する外部引出しリード線１に電気的に接続するための
リード細線で、例えば金（ＡＩＪ）Ｉａ線から成り、周
知のワイヤボンディング技術によって、半導体素子３の
主面上の電極と、リード線１とにそれぞれボンディング
されている。６は樹脂封止体で、例えば周知のトランス
ファ成形技術に従って、形成されたものでちる。
次に、この装置の製造方法を述べる。まず、接着剤は次
のように製造される。所定量の４，４′−ジシアナミド
ジフェニルメタン、４．４’−ジシアナミドフェニルエ
ーテルとエポキシ樹脂又は４．４′−ジアミノジフェニ
ルメタンと溶媒とを加温できる攪拌釜に仕込み加熱して
均一に溶解する。次いで上記溶液に硬化促進剤と充填剤
を添加し、らいかい機を用いて均一に混練し、目的の接
着剤を′碍る。
のように製造される。所定量の４，４′−ジシアナミド
ジフェニルメタン、４．４’−ジシアナミドフェニルエ
ーテルとエポキシ樹脂又は４．４′−ジアミノジフェニ
ルメタンと溶媒とを加温できる攪拌釜に仕込み加熱して
均一に溶解する。次いで上記溶液に硬化促進剤と充填剤
を添加し、らいかい機を用いて均一に混練し、目的の接
着剤を′碍る。
かかる接着剤は、第１図に示されたリードフレーム７の
支持部材（タブ）２の上に塗布される。
支持部材（タブ）２の上に塗布される。
このとキ、リードフレームは予め良く洗浄しておき、接
着剤の塗布は、ディスペンサーあるいは印刷法によって
、第１図中、８に示す形状の如く行なわれる。１は外部
引出しリード線である。
着剤の塗布は、ディスペンサーあるいは印刷法によって
、第１図中、８に示す形状の如く行なわれる。１は外部
引出しリード線である。
この後、第２図に示すように、半導体素子３を支持部材
２の上に載せ、軽く圧力を加えて半導体素子と支持部材
とをよく密着させた後に加熱処理することによって接着
剤を硬化させる。
２の上に載せ、軽く圧力を加えて半導体素子と支持部材
とをよく密着させた後に加熱処理することによって接着
剤を硬化させる。
しかる後、周知の技術により、リード細線５をボンディ
ングし、さらに周知のトランスファ成形技術により、樹
脂封止体６を形成する。樹脂封止体６を形成後、第１図
に示したリードフレーム７のフレーム部は切断され、複
数の外部引出しリード線１を持つ半導体装置が完成され
る。
ングし、さらに周知のトランスファ成形技術により、樹
脂封止体６を形成する。樹脂封止体６を形成後、第１図
に示したリードフレーム７のフレーム部は切断され、複
数の外部引出しリード線１を持つ半導体装置が完成され
る。
この製造において、支持部材２上に塗布される接着剤の
量は、半導体素子３を支持部材２に接着したときに、硬
化された接着剤４が第２図に示すように、半導体素子の
裏主面に、丁度対応するように制限するか、おるいは、
第３図に示すように、半導体素子３の側面部９を包囲す
るよう制限することができる。第３図に示すように、接
着剤４が、半導体素子の側面部９に、はみ出るように塗
布される場合は、半導体素子と支持部材間の接着強度を
向上させることができると同時に、支持部材２あるいは
半導体素子３と樹脂封止体６との間の剥離を防止するこ
とができるから、半導体素子３の側面を通じて支持部材
２がら、半導体素子３の表土面への水分の浸入を阻止す
ることができ、従って、アルミニウム′眠極の腐食不良
の発生を低減することができる。
量は、半導体素子３を支持部材２に接着したときに、硬
化された接着剤４が第２図に示すように、半導体素子の
裏主面に、丁度対応するように制限するか、おるいは、
第３図に示すように、半導体素子３の側面部９を包囲す
るよう制限することができる。第３図に示すように、接
着剤４が、半導体素子の側面部９に、はみ出るように塗
布される場合は、半導体素子と支持部材間の接着強度を
向上させることができると同時に、支持部材２あるいは
半導体素子３と樹脂封止体６との間の剥離を防止するこ
とができるから、半導体素子３の側面を通じて支持部材
２がら、半導体素子３の表土面への水分の浸入を阻止す
ることができ、従って、アルミニウム′眠極の腐食不良
の発生を低減することができる。
不発明の接着剤は、セラミックパッケージ法にも十分適
用できることも確認されている。
用できることも確認されている。
甘た、第４図中、１０で示すように、半導体素子３の上
に、α線遮へいの目的のために、高純度の樹脂状物例え
ばポリイミド樹脂層を設けることもできる。
に、α線遮へいの目的のために、高純度の樹脂状物例え
ばポリイミド樹脂層を設けることもできる。
本発明によれば、リード線１として銅を用いた場合、低
温、短時間による接着硬化処理が可能となるので、該リ
ード線表面での酸化皮膜の生成をかなシ抑えることがで
き、樹脂封止体６との界面での密着力の低下が少なくな
るという利点が得られる。例えば前述の接着剤を用いる
ことにょ９．３５００以下の温度で硬化させることがで
き、硬化時間も２０秒以下で十分接着力が得られる。
温、短時間による接着硬化処理が可能となるので、該リ
ード線表面での酸化皮膜の生成をかなシ抑えることがで
き、樹脂封止体６との界面での密着力の低下が少なくな
るという利点が得られる。例えば前述の接着剤を用いる
ことにょ９．３５００以下の温度で硬化させることがで
き、硬化時間も２０秒以下で十分接着力が得られる。
実施例１
下記成分のうち、ジシアナミド化合物および溶媒である
下記ａおよびｂを３００ｍｔの還流器を付けたフラスコ
中で６０〜８０ｃで加熱下に９０分間攪拌し、均一な溶
液を得た。次いでこの溶液を１ｔの乳鉢に仕込み、その
後、充填剤である下記Ｃ成分を所足量仕込み自動らいが
い機で２時間攪拌して銀粉末を含む樹脂組成物を調整し
た。
下記ａおよびｂを３００ｍｔの還流器を付けたフラスコ
中で６０〜８０ｃで加熱下に９０分間攪拌し、均一な溶
液を得た。次いでこの溶液を１ｔの乳鉢に仕込み、その
後、充填剤である下記Ｃ成分を所足量仕込み自動らいが
い機で２時間攪拌して銀粉末を含む樹脂組成物を調整し
た。
ａ、４．４’−ジシアナミドジフェニルメタン１００Ｍ
量部 す、ブチルセロソルブ １ｏｏｉ−ｉｉＣ０銀
粉末（平均粒子径１．２μｍ） ３５０重量部 実施例２ 下記成分のうち、ジシアナミド化合物、芳香族ジアミン
および溶媒である下記ａ、ｂおよびＣを３００ｍｔの還
流器を付けたフラスコ中で６０〜８０Ｃで加熱下に４０
分間攪拌し、均一なブレポリマ溶液を得た。次いでこの
溶液を１ｔの乳鉢に仕込み、その後、充填剤である下記
ｄ成分を所定量仕込み自動らいかい機で２時間攪拌し銀
粉末を含む樹脂組成物を調製した。
量部 す、ブチルセロソルブ １ｏｏｉ−ｉｉＣ０銀
粉末（平均粒子径１．２μｍ） ３５０重量部 実施例２ 下記成分のうち、ジシアナミド化合物、芳香族ジアミン
および溶媒である下記ａ、ｂおよびＣを３００ｍｔの還
流器を付けたフラスコ中で６０〜８０Ｃで加熱下に４０
分間攪拌し、均一なブレポリマ溶液を得た。次いでこの
溶液を１ｔの乳鉢に仕込み、その後、充填剤である下記
ｄ成分を所定量仕込み自動らいかい機で２時間攪拌し銀
粉末を含む樹脂組成物を調製した。
ａ、４．４’−シフアナミドジフェニルメタン９０重量
部 す、４．４’−シアばノジフェニルメタン１０重量部 Ｃ０Ｎ−メチル−２−ピロリドン １００重量部 ｄ、銀粉末（平均粒子径１．２μｍ） ４００重量部 実施例３ 下記成分のうち、ジンアナミド化合物および溶媒である
下記ａ、ｂおよびＣを３００ ｍ Ａの還流器を付けた
フラスコ中で６０〜８０ｃで加熱下に４０分間攪拌し、
均一なプレポリマ溶液を得た。
部 す、４．４’−シアばノジフェニルメタン１０重量部 Ｃ０Ｎ−メチル−２−ピロリドン １００重量部 ｄ、銀粉末（平均粒子径１．２μｍ） ４００重量部 実施例３ 下記成分のうち、ジンアナミド化合物および溶媒である
下記ａ、ｂおよびＣを３００ ｍ Ａの還流器を付けた
フラスコ中で６０〜８０ｃで加熱下に４０分間攪拌し、
均一なプレポリマ溶液を得た。
次いでこの溶液を１ｔの乳鉢に仕込み、その後、充填剤
である下ｄ成分を所定量仕込み自動らいがい機で２時間
攪拌し銀粉末を含む樹脂組成物を調製した。
である下ｄ成分を所定量仕込み自動らいがい機で２時間
攪拌し銀粉末を含む樹脂組成物を調製した。
ａ、４．４’−ジシアナミドジフェニルメタン８０重量
部 す、４．４’−ジシアナミドジフェニルエーテル
２０重量部Ｃ，プチルセロンル
プ １００重量部ｄ、銀粉末（平均粒子径１．
２μｍ） ３５０重量部 実施例４ ド記成分のうち、ジシアナミド化合物、エポキシ化合物
および溶媒である下記ａ、 ｌ）およびＣを３００ｍｔ
の還流器を付けたフラスコ中で６０〜８０Ｃで加熱下４
０分間攪拌し、均一なプレポリマ溶液を得た。次いでこ
の溶液を１ｔの乳鉢に仕込み１、この後、硬化促進剤、
充填剤である下記ｄ。
部 す、４．４’−ジシアナミドジフェニルエーテル
２０重量部Ｃ，プチルセロンル
プ １００重量部ｄ、銀粉末（平均粒子径１．
２μｍ） ３５０重量部 実施例４ ド記成分のうち、ジシアナミド化合物、エポキシ化合物
および溶媒である下記ａ、 ｌ）およびＣを３００ｍｔ
の還流器を付けたフラスコ中で６０〜８０Ｃで加熱下４
０分間攪拌し、均一なプレポリマ溶液を得た。次いでこ
の溶液を１ｔの乳鉢に仕込み１、この後、硬化促進剤、
充填剤である下記ｄ。
ｅの各成分を所定量仕込み自動らいかい機で２時１…攪
拌して銀粉末を含む樹脂組成物を調製した。
拌して銀粉末を含む樹脂組成物を調製した。
ａ、４．４’−ジシアナミド化合物＝／Ｌ＞メ′タン６
０重量部 す、脂環式エポキシ樹脂ＣＹ−１７９（チパガイギ社製
） ４０重量部Ｃ，メチルセロソルブ
１００重量部ｄ、２−エチルメチルイミダゾ
ール ０．２重量部 ｅ、銀粉末（平均粒子径１．２μｍ） ４７５重量部 実施例５ 下記成分のうち、（ａ）成分、（ｂ）成分、（Ｃ）成分
を３００ ｍ ｔの還流器を付けたフラスコ中で７０〜
９０Ｃで加熱下に９０分間攪拌し、均一なプレポリマ溶
液を得た。
０重量部 す、脂環式エポキシ樹脂ＣＹ−１７９（チパガイギ社製
） ４０重量部Ｃ，メチルセロソルブ
１００重量部ｄ、２−エチルメチルイミダゾ
ール ０．２重量部 ｅ、銀粉末（平均粒子径１．２μｍ） ４７５重量部 実施例５ 下記成分のうち、（ａ）成分、（ｂ）成分、（Ｃ）成分
を３００ ｍ ｔの還流器を付けたフラスコ中で７０〜
９０Ｃで加熱下に９０分間攪拌し、均一なプレポリマ溶
液を得た。
次いでこの溶液を１ｔの乳鉢に仕込み、その後（（１）
成分を所定量仕込み自動らいかい機で２時間攪拌し、接
着剤を調製した。
成分を所定量仕込み自動らいかい機で２時間攪拌し、接
着剤を調製した。
ａ−２，２’ −ビス［４−（４−シフす：： ）”
フェノキシ）フェニル〕プロパン ７０重量部 す、Ｎ、Ｎ’−４，４’−ジフェニルメタンビスマレイ
ミド ３０重１を部Ｃ，Ｎ−メチルー２
−ピロリド／ １００重量部 ｄ、銀粉末（平均粒子径３．０μｍ） ４８０重量部 実施例６ 下記成分のうち、（ａ）成分、（ｂ）成分、（Ｃ）成分
を３００ｍｔの還流器を付けたフラスコ中で、７０〜９
０Ｃで加熱下に６０分間攪拌し、均一なプレポリマ浴液
を得た。
フェノキシ）フェニル〕プロパン ７０重量部 す、Ｎ、Ｎ’−４，４’−ジフェニルメタンビスマレイ
ミド ３０重１を部Ｃ，Ｎ−メチルー２
−ピロリド／ １００重量部 ｄ、銀粉末（平均粒子径３．０μｍ） ４８０重量部 実施例６ 下記成分のうち、（ａ）成分、（ｂ）成分、（Ｃ）成分
を３００ｍｔの還流器を付けたフラスコ中で、７０〜９
０Ｃで加熱下に６０分間攪拌し、均一なプレポリマ浴液
を得た。
次いで、この溶液を１ｔの乳鉢に仕込み、その後、（ｄ
）成分を所定量仕込み自動らいかい機で２時間攪拌し、
接着剤を調製した。
）成分を所定量仕込み自動らいかい機で２時間攪拌し、
接着剤を調製した。
ａ、４．４’−ジシアナミドジフェニルメタン９０重量
部 す、フェノールノボラックレジン １０重量部Ｃ，ブチ
ルセロソルブ １００重量部ｄ、銀粉末（粒径
０．２〜４μＦ）４５０重量部実施例 実施例１の銀粉末のかわりに、アルミニウム粉末を用い
た以外は実施例１と全く同様にして、接着剤を得た。
部 す、フェノールノボラックレジン １０重量部Ｃ，ブチ
ルセロソルブ １００重量部ｄ、銀粉末（粒径
０．２〜４μＦ）４５０重量部実施例 実施例１の銀粉末のかわりに、アルミニウム粉末を用い
た以外は実施例１と全く同様にして、接着剤を得た。
実施例８
実施例７のアルミニウム粉末のかわ９にニッケル粉末（
粒径ｚ６〜３６３μｍ）を用いて、接着剤を得た。
粒径ｚ６〜３６３μｍ）を用いて、接着剤を得た。
上記８つの接着剤は、それ自体が耐湿性、耐熱性に優れ
ている。比較接着剤を上記４つの作成例の接着剤とその
特性を比較検討した。
ている。比較接着剤を上記４つの作成例の接着剤とその
特性を比較検討した。
比較例
下記成分のうち、エポキシ化合物、硬化剤および溶媒で
あるＦ記ａ、ｂおよびＣを３００ｍｔの還流器を付けた
フラスコ中で１０００で加熱下に６０分間攪拌し、均一
な溶液をＩＬの乳鉢に仕込み、この後、それぞれの硬化
促進剤、充填剤およびシランカップリング剤である下記
ｄ、ｅおよびｆの各成分を所定量仕込み自動らいかい機
で２時間攪拌して銀粉末を営む樹脂組成物を調製した。
あるＦ記ａ、ｂおよびＣを３００ｍｔの還流器を付けた
フラスコ中で１０００で加熱下に６０分間攪拌し、均一
な溶液をＩＬの乳鉢に仕込み、この後、それぞれの硬化
促進剤、充填剤およびシランカップリング剤である下記
ｄ、ｅおよびｆの各成分を所定量仕込み自動らいかい機
で２時間攪拌して銀粉末を営む樹脂組成物を調製した。
ａ、エピコート１００１ １００重量部す、
テトラヒドロ無水フタル酸 ５２重量部Ｃ，ブチルセ
ロソルブ ７５重量部ｄ、２−エチルー４−
メチルイミダゾール２重量部 Ｃ１銀粉末（平均粒子径１．２μｍ） ６００重量部 ｆ、信越化学社製ＫＢＭ４０３ ０．１重量部上記実
施例１．２．３，４，５，６，７．８及び比較例の接着
剤を金属シャーレ中に約２ｒｕａの厚みで注形し、１２
０Ｃで２４時間、次いで１８０Ｃで５時間熱処理を行な
い、得られた試験片のＰＣＴ吸水率、熱抽出水のｐＨ１
電気伝導度。
テトラヒドロ無水フタル酸 ５２重量部Ｃ，ブチルセ
ロソルブ ７５重量部ｄ、２−エチルー４−
メチルイミダゾール２重量部 Ｃ１銀粉末（平均粒子径１．２μｍ） ６００重量部 ｆ、信越化学社製ＫＢＭ４０３ ０．１重量部上記実
施例１．２．３，４，５，６，７．８及び比較例の接着
剤を金属シャーレ中に約２ｒｕａの厚みで注形し、１２
０Ｃで２４時間、次いで１８０Ｃで５時間熱処理を行な
い、得られた試験片のＰＣＴ吸水率、熱抽出水のｐＨ１
電気伝導度。
Ｃｔ濃度を調べた結果を表に示す。
表
この表における各特性は、次のような試験方法で得られ
たものでちる。
たものでちる。
ｐ ＣＴ （ｐｒｅｓｓｕｒｅ Ｃｏｏｋｅｒ Ｔｅ５
ｔ ）吸水率：１０ｍＸ１０ｍＸ１ｍＯ試料’ｚ１２０
Ｃ−４０気圧水蒸気雰囲気中に２０時間放置後の重量増
加率。
ｔ ）吸水率：１０ｍＸ１０ｍＸ１ｍＯ試料’ｚ１２０
Ｃ−４０気圧水蒸気雰囲気中に２０時間放置後の重量増
加率。
抽出液の調整：試料を粉砕後、１００メツシユをバスし
たもの１０ｇを純水５０ｇに入れ、１００Ｃで２−０時
間放置し、屋５０ろ紙でろ過して得た。
たもの１０ｇを純水５０ｇに入れ、１００Ｃで２−０時
間放置し、屋５０ろ紙でろ過して得た。
ｐＨ：試料のｐＨをｐＨメーターによシ測定した。
電気伝導度：試料の電気伝導度を電気伝導度計で測定し
た。
た。
Ｃｔイオン濃度：試料のＣｔイオン濃度＋Ｃｔイオン濃
度測定用の電極を備えたイオンメーターで測定した。
度測定用の電極を備えたイオンメーターで測定した。
この結果よシ、上記８つの実施例は、加水分解し鼾＜、
また、不純物イオンの含有量が少ないことから、耐湿性
に優れていることか明らかにされた。
また、不純物イオンの含有量が少ないことから、耐湿性
に優れていることか明らかにされた。
次に上記実施例１，２，３．４及び比較例の組成物の接
着剤をガラス板に約１００μｍの厚さに塗シ付け、次い
で２５０Ｃで２０秒加熱処理を行ない、得られたサンプ
ルをガラスからはがし熱分解特性を調べた結果を第５図
に示す。第５図は加熱温度と重量減量率との関係を示す
ものである。
着剤をガラス板に約１００μｍの厚さに塗シ付け、次い
で２５０Ｃで２０秒加熱処理を行ない、得られたサンプ
ルをガラスからはがし熱分解特性を調べた結果を第５図
に示す。第５図は加熱温度と重量減量率との関係を示す
ものである。
ただし、比較例の接着剤は１３０Ｃで２０分、１８０Ｃ
で６０分の加熱処理を行なった。
で６０分の加熱処理を行なった。
第５図における熱分解特性は、次のような試験法で得ら
れたものである。
れたものである。
ＴＧＤ−３０００Ｗ熱天秤（真空理工製）を用い、試料
重量５０〜６９ｍｇ、空気雰囲気中、昇温速度１ＯＣｌ
―の条件で測定した。
重量５０〜６９ｍｇ、空気雰囲気中、昇温速度１ＯＣｌ
―の条件で測定した。
耐熱性を有する接着剤としては三菱瓦斯化学社製のＢ−
２１Ａがある。これはビスマレイミド・トリアジン樹脂
を使用したもので硬化物の熱分解開始温度が３６０Ｃ付
近と、本発明の硬化物の４００〜４５０Ｃよシ劣る。ま
た、硬化時間も１００Ｃ，３０分と１８０Ｃ，９０分と
かなり長時間を有するため、作業性に問題がある。
２１Ａがある。これはビスマレイミド・トリアジン樹脂
を使用したもので硬化物の熱分解開始温度が３６０Ｃ付
近と、本発明の硬化物の４００〜４５０Ｃよシ劣る。ま
た、硬化時間も１００Ｃ，３０分と１８０Ｃ，９０分と
かなり長時間を有するため、作業性に問題がある。
また、２關角のチップを銀めっきを行った４２−アロイ
のフレーム状に銀ペーストをかいして接着させた場合の
接着強さは３５０Ｇ、２０秒加熱時で本発明の実施例１
〜７の場合３．５〜３．７ Ｋｇであるのに対し、比較
例の場合０．２１Ｑ、上記Ｂ −２１Ａの場合１．０
Ｋｇとワイヤボンディング作業時の温度に相当する３５
０Ｃ付近でも接着力に大きな差があることがわかった。
のフレーム状に銀ペーストをかいして接着させた場合の
接着強さは３５０Ｇ、２０秒加熱時で本発明の実施例１
〜７の場合３．５〜３．７ Ｋｇであるのに対し、比較
例の場合０．２１Ｑ、上記Ｂ −２１Ａの場合１．０
Ｋｇとワイヤボンディング作業時の温度に相当する３５
０Ｃ付近でも接着力に大きな差があることがわかった。
このように、本発明に従えば、前述の接着剤組成物は加
水分解性の塩素イオンの濃度が低いので、半導体装置の
耐湿性を向上できる。さらに、メチルセロンルブの如き
、半導体素子表面に悪影響を及ぼさない溶媒を用いてい
るので、アルミニウム配線に対し、腐食の加速をさらに
防止できる。
水分解性の塩素イオンの濃度が低いので、半導体装置の
耐湿性を向上できる。さらに、メチルセロンルブの如き
、半導体素子表面に悪影響を及ぼさない溶媒を用いてい
るので、アルミニウム配線に対し、腐食の加速をさらに
防止できる。
この結果、第２図に示す本発明の半導体装置は、従来の
接着剤を用いて形成した樹脂封止型の半導体装置に対し
、上述したＰＣ’ＩＩ試綬と同様な方法で試験した結果
、半導体素子表面のアルミニウム電極又は配線の腐食断
線等による不良発生によって電気的特性が得られなくな
るまでの埒命（サンプルの５０チ不良が発生するまでの
時間）を、約５倍に改善することができた。
接着剤を用いて形成した樹脂封止型の半導体装置に対し
、上述したＰＣ’ＩＩ試綬と同様な方法で試験した結果
、半導体素子表面のアルミニウム電極又は配線の腐食断
線等による不良発生によって電気的特性が得られなくな
るまでの埒命（サンプルの５０チ不良が発生するまでの
時間）を、約５倍に改善することができた。
第４図は、本発明に従う半導体装置の他の実施例を示す
。第４図にて、第２図と同一参照符号を以って示された
部分は、第２図に関する上記説明と同様に理解される。
。第４図にて、第２図と同一参照符号を以って示された
部分は、第２図に関する上記説明と同様に理解される。
この実施例においては、半日は充填物として、上述した
ような導電性の銀粉末の代わシに、石英ガラスなどの絶
縁性の粉末を使用している。半導体素子３と支持部材２
との接着に用いた接着剤と同質の接着剤が、トランスフ
ァ成形する前に、半導体素子３の表土面を覆うようにコ
ート材！−）として塗布され、加熱処理されて硬化され
る。しかる後、樹脂封止体６が形成−ト材Ｈによって、
半導体素子は完全に包囲されるので、半導体素子３０表
主面に形成されたアルミニウム電極などの腐食をよ）完
全に防止することができる。また、α粒子などの好まし
くない放射線に対するソフトエラーの発生を防止するこ
とができ、特に、半導体メモリ装置に適用して有効であ
る。
ような導電性の銀粉末の代わシに、石英ガラスなどの絶
縁性の粉末を使用している。半導体素子３と支持部材２
との接着に用いた接着剤と同質の接着剤が、トランスフ
ァ成形する前に、半導体素子３の表土面を覆うようにコ
ート材！−）として塗布され、加熱処理されて硬化され
る。しかる後、樹脂封止体６が形成−ト材Ｈによって、
半導体素子は完全に包囲されるので、半導体素子３０表
主面に形成されたアルミニウム電極などの腐食をよ）完
全に防止することができる。また、α粒子などの好まし
くない放射線に対するソフトエラーの発生を防止するこ
とができ、特に、半導体メモリ装置に適用して有効であ
る。
上述せる説明から明らかなように、本発明は、特に樹脂
封止型の半導体装置において、耐湿性を向上せしめる点
で、顕著なる効果を奏するが、樹脂封止型の半導体装置
以外に、セラミックスパッケージ型のような他のシーリ
ング方式においても通用することができる。本発明は、
その要旨を変更しない範囲内において種々の変形が可能
である。
封止型の半導体装置において、耐湿性を向上せしめる点
で、顕著なる効果を奏するが、樹脂封止型の半導体装置
以外に、セラミックスパッケージ型のような他のシーリ
ング方式においても通用することができる。本発明は、
その要旨を変更しない範囲内において種々の変形が可能
である。
第１図は、本発明の半導体装置に用いられたリードフレ
ームの斜視図、第２図乃至第４図は、本発明の一実施例
になる半導体装置の断面図、第５図は、接着剤の熱分解
特性を示すグラフである。 １・・・リード線、２・・・支持部材、３・・・半導体
素子、的 ３［２Ｉｌ 活４Ｉ２］ ？ ６ 第１頁の続き ０発 明 者 植田豊− 東京都新宿区西新宿２丁目１番 １号日立化成工業株式会社内 （ゆ発 明 者 牧野犬輔 日立市東町４丁目１３番地１号日 立化成工業株式会社山崎工場内 （′７ｐ出 願 人 日立化成工業株式会社東京都新宿
区西新宿２丁目１番 １号 ６２５−
ームの斜視図、第２図乃至第４図は、本発明の一実施例
になる半導体装置の断面図、第５図は、接着剤の熱分解
特性を示すグラフである。 １・・・リード線、２・・・支持部材、３・・・半導体
素子、的 ３［２Ｉｌ 活４Ｉ２］ ？ ６ 第１頁の続き ０発 明 者 植田豊− 東京都新宿区西新宿２丁目１番 １号日立化成工業株式会社内 （ゆ発 明 者 牧野犬輔 日立市東町４丁目１３番地１号日 立化成工業株式会社山崎工場内 （′７ｐ出 願 人 日立化成工業株式会社東京都新宿
区西新宿２丁目１番 １号 ６２５−
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 、 （ａ）芳香族シアナミド化合物および（ｂ）芳
香族ジアミン、エポキシ化合物、マレイミド化合物、フ
ェノール化合物、ポリブタジェンおよびトリアリルイソ
シアヌレートから選ばれる少なくとも１種の重合性化合
物を含むことを特徴とする半導体素子と支持部材とを接
合するための半導体素子接合用接着剤。 ２ 、 （ａ）芳香族シアナミド化合物、（ｂ）芳香族
ジアミン、エポキシ化合物、マレイミド化合物、フェノ
ール化合物、ポリブタジェンおよびトリアリルイソシア
ヌレートから選ばれる少なくとも１種の重合性化合物お
よび（Ｃ）導電性粉末を含むことを特徴とする半導体素
子と金属性支持部材とを接合するための半導体素子接合
用接着剤。 ３、半導体素子とそれを支持する支持部材とが合成樹脂
接着剤によって接合された半導体装置において、前記接
着剤がインメラミン環およびメラミンＩＪ！とを含む樹
脂状硬化物であることを特徴とする半導体装置。 ４、半導体素子とそれを支持する支持部材とが合成樹脂
接着剤によって接合された半導体装置において、前記接
着剤がインメラミン環およびメラミン環を含む樹脂状硬
化物と導電性粉末とを含む接着剤であることを特徴とす
る半導体装置。 ５、半導体素子とそれを支持する支持部材との間に、芳
香族シアナミド化合物又は芳香族シアナミド化合物と重
合性化合物とを含む組成物を予備反応させて得られるプ
レポリマを接合剤として介在させ、加熱硬化させること
、を特徴とする半導体装置の製造法。 ６、前記プレポリマは、芳香族ジアミン、エポキシ化合
物、フェノール化合物、ポリブタジェンおよびトリアリ
ルインシアヌレートから選ばれる少なくとも１種の重合
性化合物と芳香族シアナミド化合物とを含む組成物を予
備反応させたものであることを特徴とする特許請求の範
囲第５項記載の半導体装置の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58071882A JPS59196378A (ja) | 1983-04-22 | 1983-04-22 | 半導体素子接合用接着剤と半導体装置およびその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58071882A JPS59196378A (ja) | 1983-04-22 | 1983-04-22 | 半導体素子接合用接着剤と半導体装置およびその製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59196378A true JPS59196378A (ja) | 1984-11-07 |
Family
ID=13473336
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58071882A Pending JPS59196378A (ja) | 1983-04-22 | 1983-04-22 | 半導体素子接合用接着剤と半導体装置およびその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59196378A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL8700189A (nl) * | 1986-02-13 | 1987-09-01 | Hitachi Chemical Co Ltd | Elektrogeleidende harspasta. |
| JPH02144980U (ja) * | 1989-05-11 | 1990-12-10 | ||
| JPH03145143A (ja) * | 1989-10-31 | 1991-06-20 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体用導電性樹脂ペースト |
| US6750301B1 (en) * | 2000-07-07 | 2004-06-15 | National Starch And Chemical Investment Holding Corporation | Die attach adhesives with epoxy compound or resin having allyl or vinyl groups |
| TWI627250B (zh) * | 2017-01-04 | 2018-06-21 | 台虹科技股份有限公司 | 黏著劑組成物及其應用 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5871923A (ja) * | 1981-10-26 | 1983-04-28 | Hitachi Ltd | 熱硬化性樹脂組成物およびそのプレポリマ |
| JPS5871924A (ja) * | 1981-10-23 | 1983-04-28 | Hitachi Ltd | 熱硬化性樹脂組成物 |
| JPS58125719A (ja) * | 1982-01-22 | 1983-07-26 | Hitachi Ltd | 熱硬化性樹脂組成物およびそのプレポリマ− |
| JPS58179229A (ja) * | 1982-04-14 | 1983-10-20 | Hitachi Ltd | 熱硬化性樹脂組成物 |
| JPS58189225A (ja) * | 1982-04-30 | 1983-11-04 | Hitachi Ltd | 熱硬化性樹脂組成物、そのプレポリマ−及び硬化物 |
| JPS58189218A (ja) * | 1982-04-30 | 1983-11-04 | Hitachi Ltd | ポリフエニルメチレンポリシアナミド化合物及びその製造方法 |
-
1983
- 1983-04-22 JP JP58071882A patent/JPS59196378A/ja active Pending
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5871924A (ja) * | 1981-10-23 | 1983-04-28 | Hitachi Ltd | 熱硬化性樹脂組成物 |
| JPS5871923A (ja) * | 1981-10-26 | 1983-04-28 | Hitachi Ltd | 熱硬化性樹脂組成物およびそのプレポリマ |
| JPS58125719A (ja) * | 1982-01-22 | 1983-07-26 | Hitachi Ltd | 熱硬化性樹脂組成物およびそのプレポリマ− |
| JPS58179229A (ja) * | 1982-04-14 | 1983-10-20 | Hitachi Ltd | 熱硬化性樹脂組成物 |
| JPS58189225A (ja) * | 1982-04-30 | 1983-11-04 | Hitachi Ltd | 熱硬化性樹脂組成物、そのプレポリマ−及び硬化物 |
| JPS58189218A (ja) * | 1982-04-30 | 1983-11-04 | Hitachi Ltd | ポリフエニルメチレンポリシアナミド化合物及びその製造方法 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL8700189A (nl) * | 1986-02-13 | 1987-09-01 | Hitachi Chemical Co Ltd | Elektrogeleidende harspasta. |
| JPH02144980U (ja) * | 1989-05-11 | 1990-12-10 | ||
| JPH03145143A (ja) * | 1989-10-31 | 1991-06-20 | Sumitomo Bakelite Co Ltd | 半導体用導電性樹脂ペースト |
| US6750301B1 (en) * | 2000-07-07 | 2004-06-15 | National Starch And Chemical Investment Holding Corporation | Die attach adhesives with epoxy compound or resin having allyl or vinyl groups |
| TWI627250B (zh) * | 2017-01-04 | 2018-06-21 | 台虹科技股份有限公司 | 黏著劑組成物及其應用 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS634701B2 (ja) | ||
| US6225418B1 (en) | Thermosetting resin composition | |
| JPH04359911A (ja) | 熱硬化性樹脂組成物 | |
| JPH0450223A (ja) | エポキシ樹脂組成物及び半導体装置 | |
| JPS59196378A (ja) | 半導体素子接合用接着剤と半導体装置およびその製造法 | |
| US6818318B2 (en) | Underfill sealant of epoxy resins, adhesion promotor and curative of N-containing compound and transition metal complex | |
| JP3317115B2 (ja) | 封止材用エポキシ樹脂組成物、その製造方法及び無機充填材 | |
| JPH06236899A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| EP0123262A2 (en) | Resin encapsulated semiconductor device and process for producing the same | |
| JPH06157754A (ja) | 樹脂組成物 | |
| JPH04218523A (ja) | 半導体封止用エポキシ樹脂組成物 | |
| KR100384273B1 (ko) | 반도체 소자 봉지용 에폭시 수지 조성물 | |
| JP3956717B2 (ja) | 封止用エポキシ樹脂組成物及び片面封止型半導体装置 | |
| JP2000086742A (ja) | エポキシ樹脂組成物及び導電性ペースト | |
| JP3599659B2 (ja) | 半導体装置用接着テープ | |
| JPH0693085A (ja) | 樹脂組成物 | |
| JP3719781B2 (ja) | イミド環含有フェノール樹脂並びにその製造方法及びそのフェノール樹脂を硬化剤としたエポキシ樹脂組成物 | |
| JPH037724A (ja) | エポキシ樹脂組成物 | |
| KR100809454B1 (ko) | 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용한 반도체 소자 | |
| JP2004244556A (ja) | 封止用樹脂組成物および半導体封止装置 | |
| JPH0697324A (ja) | 樹脂封止型半導体装置 | |
| JP3459322B2 (ja) | 半導体装置 | |
| JP3681082B2 (ja) | イミド環含有エポキシ樹脂及びエポキシ樹脂組成物 | |
| JPS63280725A (ja) | 封止用樹脂組成物 | |
| KR20120073017A (ko) | 반도체 소자 밀봉용 에폭시 수지 조성물 및 이를 이용한 반도체 장치 |