JPH08283381A

JPH08283381A - セラミック製パッケージ封止材組成物

Info

Publication number: JPH08283381A
Application number: JP8214095A
Authority: JP
Inventors: Michinobu Oomoto; 陸伸大本
Original assignee: Sumitomo Metal SMI Electronics Device Inc
Current assignee: Sumitomo Metal SMI Electronics Device Inc
Priority date: 1995-04-07
Filing date: 1995-04-07
Publication date: 1996-10-29

Abstract

(57)【要約】【構成】樹脂、硬化剤及び充填材を主要配合材料とす
るセラミック製パッケージ封止材組成物１４において、
樹脂がエピービス系エポキシ樹脂、ナフタレン系エポキ
シ樹脂及びフェノールノボラック系エポキシ樹脂から成
るセラミック製パッケージ封止材組成物１４。【効果】耐熱性、耐湿性、耐湿接着力に優れた封着部
を形成することができ、セラミック基体１２とセラミッ
ク製リッド１３とを比較的低温で簡単、かつ確実に接着
・封止することができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明はセラミック製パッケージ
封止材組成物に関し、より詳細には、セラミック製パッ
ケージを製造する場合、ＩＣチップ、ＬＳＩチップ、水
晶発振子、あるいはＨＥＭＴ等の半導体素子が搭載され
たセラミック製パッケージ基体とセラミック製リッドと
を接着・封止する際に用いられるセラミック製パッケー
ジ封止材組成物に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置において、ＩＣチップやＬＳ
Ｉチップ等の半導体素子はパッケージ基体に設けられた
半導体素子搭載部に収納され、該半導体素子搭載部がリ
ッド等により気密に封止されて実用に供されている。ア
ルミナ等のセラミックは耐熱性、耐久性、信頼性等に優
れているため、このパッケージ基体及びリッドの材料と
して好適であり、セラミック製のＩＣパッケージは現在
盛んに使用されている。

【０００３】このセラミック製のＩＣパッケージにおい
て、セラミック製のパッケージ基体を同様のセラミック
製のリッド等で封止する場合、その封止方法として、低
融点ガラス（ソルダーガラスペースト）を用いて封止す
るガラス封止法、セラミック基体及びリッドに形成され
た下地金属層を挟んでハンダにより封止を行なうハンダ
封止法、ローラ電極を用いて断続的に電流を流すことに
よりセラミックリッドの周辺を封止するシーム溶接封止
法、予め樹脂を塗布したセラミックリッドとセラミック
基体とを加熱することにより封止を行なう樹脂接着封止
法等が挙げられる。これら封止法の中で前記樹脂接着封
止法は、低温で比較的簡単に封止することができるた
め、作業性や量産性に富んでいるという利点がある。ま
た封止温度が約１４０〜１６０℃と低いことから、水晶
振動子やＨＥＭＴ（Hight ElectronMobility Transisto
r) 等の封止にも用途が広がってきている。

【０００４】以下に、このような樹脂接着封止法により
製造された半導体装置（セラミック製パッケージ）の構
成及び該半導体装置の一般的製造方法について説明す
る。なお以下においては、半導体装置のうち、半導体素
子及びワイヤーボンディング等の配線部分を除いた部分
をセラミック製パッケージということにする。

【０００５】図１は従来の樹脂封止材組成物を用いて製
造された半導体装置を模式的に示した断面図である（特
開平２−２８３４９号公報）。この半導体装置４０にお
いては、窒化アルミニウム等のセラミック製基体１２の
中央部分にキャビティ部１９が形成され、キャビティ部
１９の底面に形成されたメタライズ層１５にＩＣチップ
等の半導体素子１７がダイボンディング材料（図示せ
ず）によりボンディングされている。また基体１２の上
面１２ａにはリードフレーム１６が熱硬化性樹脂等を含
んで構成された封止材組成物４４により接着されてお
り、このリードフレーム１６と半導体素子１７とはワイ
ヤ１８を用いたワイヤボンディングにより接続されてい
る。さらにリードフレーム１６上にはセラミック製のリ
ッド１３が配設され、このリッド１３も封止材組成物４
４を用いて封着されている。これら基体１２、リッド１
３、封止材組成物４４等を含んでセラミック製パッケー
ジ４１が構成されている。またこれらセラミック製パッ
ケージ４１、リードフレーム１６、半導体素子１７、ワ
イヤ１８等を含んでＤＩＰ（Dual In line Packge)タイ
プの半導体装置４０が構成されている。

【０００６】次に、このように構成された半導体装置４
０を製造する方法の一例を説明する。まず基体１２にお
けるキャビティ部１９の底面にＡｕペーストを塗布した
後、９００℃で焼き付け、メタライズ層１５を形成す
る。次にこの上に接合材としてのＡｕ−Ｓｉ合金層等
（図示せず）を形成し、その上に裏面にＡｕを蒸着した
半導体素子１７を重ね合わせて加熱することにより、基
体１２に半導体素子１７を接合する。次に基体１２のキ
ャビティ部１９の周囲に封止材組成物４４を塗布し、リ
ードフレーム１６を圧着してこれらを仮り止めした後、
Ａｕ製のワイヤ１８を用いて半導体素子１７とリードフ
レーム１６とを接続する。次に基体１２周辺の封着部に
前記と同様の封止材組成物４４を塗布し、リッド１３と
基体１２とを重ね合わせる。次にこれらを加熱して封止
材組成物４４を硬化させると、半導体素子１７がキャビ
ティ部１９内に封止され、半導体装置４０（セラミック
製パッケージ４１）が製造される。

【０００７】従来のパッケージ封止材組成物としては、
樹脂に臭素化エピ−ビスエポキシ樹脂（１０部）、ナフ
タレン型エポキシ樹脂（３０〜５０部）、シリコーン変
性フェノールノボラック樹脂（６５〜７０部）、フェノ
ールノボラック樹脂（０〜５部）、クレゾールノボラッ
ク樹脂（０〜１０部）、及び３官能エポキシ樹脂（４０
〜５０部）が用いられたものが開発されている（特開平
３−１９５７２５号公報）。これらの樹脂を含んで構成
された封止材組成物では、粘りが少ないので作業性に優
れ、かつ耐熱衝撃性が高いという利点がある。

【０００８】また、従来の別のパッケージ封止材組成物
として、樹脂にナフタレンジオール型エポキシ樹脂１０
０部及びフェノールノボラック樹脂５９〜７０部が用い
られたものが開発されている（特開平３−１２４１７号
公報）。これらの樹脂を含んで構成された封止材組成物
では、靭性や耐クラック性が高いという利点がある。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】上記した従来のパッケ
ージ封止材組成物４４においては、樹脂にフェノールノ
ボラック系エポキシ樹脂、エピ−ビス系エポキシ樹脂等
が主に用いられており、エピ−ビス系エポキシ樹脂は吸
湿性が強いので、これが比較的多く配合された封止材組
成物では湿気が侵入し易く、半導体素子等に悪影響を及
ぼすという課題があった。一方、フェノールノボラック
系樹脂が比較的多く配合された封止材組成物では、架橋
密度が極めて密になるので、耐湿性（耐透水性）は改善
されるものの、メニスカス角αが４５°以上に拡がり易
い。また湿気の存在下における接着力（以下、単に耐湿
接着力と記す）が弱くなり易いという課題があった。

【００１０】本発明はこのような課題に鑑みなされたも
のであり、耐湿性と耐湿接着力とを同時に高めることが
できができると共に、パッケージの小形化を図ることが
できるセラミック製パッケージ封止材組成物を提供する
ことを目的としている。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明に係るセラミック製パッケージ封止材組成物
は、樹脂、硬化剤及び充填材を含有するセラミック製パ
ッケージ封止材組成物において、エポキシ樹脂当量４０
０〜５００のエピ−ビス系エポキシ樹脂が１０〜２０
部、エポキシ樹脂当量約２００のエピ−ビス系エポキシ
樹脂が３０〜４０部、ナフタレン系エポキシ樹脂が１０
〜２０部及びフェノールノボラック系エポキシ樹脂が３
０〜４０部の各重量割合により前記樹脂が構成されてい
ることを特徴としている。

【００１２】なお、本発明に係るエピ−ビス系エポキシ
樹脂、ナフタレン系エポキシ樹脂及びフェノールノボラ
ック系エポキシ樹脂は、それぞれ下記の化１式、化２式
及び化３式で表わされる。

【００１３】

【化１式】

【００１４】

【化２式】

【００１５】

【化３式】

【００１６】本発明に係るセラミック製パッケージ封止
材組成物においては、樹脂にエポキシ樹脂当量４００〜
５００のエピービス系エポキシ樹脂が配合されており、
このものの架橋密度が比較的粗いため、靭性が高くな
り、クラックの発生が防止される。しかしこの重量配合
割合が１０部を下回るとクラックが発生し易くなる一
方、２０部を超えると耐熱性、耐湿性が悪くなり易いの
で、配合割合は１０〜２０部の範囲が好ましい。

【００１７】また本発明に係るセラミック製パッケージ
封止材組成物においては、樹脂にエポキシ樹脂当量約２
００のエピービス系エポキシ樹脂が配合されており、こ
のものの架橋密度が比較的密であるため、耐熱性、耐湿
性に優れたものとなり、かつ接着力が強くなる。しかし
この重量配合割合が３０部を下回ると耐熱性、耐湿性が
低下し、かつ接着力が弱くなり易い一方、４０部を超え
ると靭性が低下し、かつ硬化反応が遅くなり易いので、
配合割合は３０〜４０部の範囲が好ましい。

【００１８】また本発明に係るセラミック製パッケージ
封止材組成物においては、樹脂にナフタレン系エポキシ
樹脂が配合されており、耐熱性、耐湿性、靭性に優れる
と共に、硬化反応時の収縮が少なく、耐湿接着力が強く
なる。しかしこの重量配合割合が１０部を下回ると耐熱
性、耐湿性、靭性が低下し、かつ耐湿接着力が弱くなり
易い一方、２０部を超えると粘くなり、反応性が遅くな
り易いので、配合割合は１０〜２０部の範囲が好まし
い。

【００１９】また本発明に係るセラミック製パッケージ
封止材組成物においては、樹脂にフェノールノボラック
系エポキシ樹脂が配合されており、架橋密度が密になり
易く、耐熱性、耐湿性に優れている。しかしこの重量配
合割合が３０部を下回ると耐熱性、耐湿性が低下し易い
一方、４０部を超えるとメニスカス角αが４５°以上に
大きくなり易く、また耐湿接着力が弱くなり易く、また
硬化反応時に収縮して内部応力を発生させ、この内部応
力により接着力を弱め易いので、配合割合は３０〜４０
部の範囲が望ましい。

【００２０】また本発明に係るセラミック製パッケージ
封止材組成物を構成する硬化剤は特に限定されないが、
３級アミン、アミン金属塩、またはイミダゾール類等が
使用可能である。これらの重量配合割合は３〜５部の範
囲が好ましく、この範囲内で前記エピービス系エポキシ
樹脂のエポキシ樹脂当量に適合させて添加すればよい。

【００２１】また本発明に係るセラミック製パッケージ
封止材組成物を構成する充填材は特に限定されないが、
無水硅酸、アルミナ、またはカーボン等が使用可能であ
る。これらの充填材の配合割合が多いと前記封止材組成
物の粘性が小さくなり、上記メニスカス角が拡がり易く
なり、セラミック製パッケージの形状が大きくなり、ま
た耐湿接着力が低くなる一方、配合割合が少ないと耐熱
性が低下する。したがって、例えば粒径が０．５μｍの
無水硅酸の場合、重量配合割合は１０〜２０部の範囲が
好ましい。

【００２２】また本発明に係るセラミック製パッケージ
封止材組成物を用いてセラミック製パッケージを製造す
る場合、封止時の加熱温度は１５０〜１６０℃、加熱時
間は１時間程度が好ましい。

【００２３】

【作用】上記構成のセラミック製パッケージ封止材組成
物によれば、エポキシ樹脂当量４００〜５００のエピー
ビス系エポキシ樹脂（以下、エピ−ビス系エポキシ樹脂
Ａと記す）が１０〜２０部、エポキシ樹脂当量約２００
のエピービス系エポキシ樹脂（以下、エピ−ビス系エポ
キシ樹脂Ｂと記す）が３０〜４０部、ナフタレン系エポ
キシ樹脂が１０〜２０部及びフェノールノボラック系エ
ポキシ樹脂が３０〜４０部の各重量割合により樹脂が構
成されており、エピービス系エポキシ樹脂Ａの配合割合
が２０部を超えないため、これを用いた封着部の耐湿性
が悪くなるのが防止され得ると共に、エピービス系エポ
キシ樹脂Ｂ、ナフタレン系エポキシ樹脂樹脂、及びフェ
ノールノボラック系エポキシ樹脂が適量配合されている
ため、耐湿性を高め得ることとなる。またフェノールノ
ボラック系エポキシ樹脂の配合割合が４０部を超えない
ため、メニスカス角が４５°以上になって耐湿接着力が
弱くなるのが防止され得ると共に、ナフタレン系エポキ
シ樹脂が適量配合されているため、メニスカス角が４５
°以下になり、耐湿接着力を強固にし得ることとなる。
この結果、封着部が優れた耐湿性及び強い耐湿接着力を
も兼ね備えたセラミック製パッケージを確実に製造し得
ることとなる。

【００２４】

【実施例及び比較例】以下、本発明に係るセラミック製
パッケージ封止材組成物の実施例を説明する。図１は実
施例に係る樹脂封止材組成物を用いて製造された半導体
装置（セラミック製パッケージ）を模式的に示した断面
図であり、図中１２はセラミック製基体を示している。
基体１２の上面１２ａにはリードフレーム１６が実施例
に係る封止材組成物１４により接着されており、このリ
ードフレーム１６上にはセラミック製リッド１３が配設
され、このリッド１３も封止材組成物１４を用いて封着
されている。その他の構成は従来の半導体装置４０と同
様であるので、その構成の詳細な説明は省略することと
する。これら基体１２、リッド１３、封止材組成物１４
等を含んでセラミック製パッケージ１１が構成され、こ
のセラミック製パッケージ１１、リードフレーム１６、
半導体素子３７、ワイヤ１８等を含んでＤＩＰタイプの
半導体装置１０が構成されている。

【００２５】次に、このように構成された半導体装置１
０を製造する方法の一例を説明する。なお、メタライズ
法により半導体素子１７を基体１２に接合する工程まで
は、従来の場合と同様であるので、それまでの工程の説
明は省略することとする。この後、基体１２のキャビテ
ィ部１９の周囲に熱硬化性樹脂、硬化剤、充填材を主要
配合原料とする実施例に係る封止材組成物１４を塗布
し、リードフレーム１６を圧着してこれらを仮り止めし
た後、Ａｕ製のワイヤ１８を用いて半導体素子１７とリ
ードフレーム１６とを接続する。次に基体１２周辺の封
着部に前記と同様の封止材組成物１４を塗布し、リッド
１３と基体１２とを重ね合わせる。次にこれらに約１５
０〜１６０℃で約１時間の加熱処理を施して封止材組成
物１４を硬化させ、半導体素子１７を封止し、半導体装
置１０（セラミック製パッケージ１１）を製造する。

【００２６】以下に、実施例に係るセラミック製パッケ
ージ封止材組成物を使用してセラミック製パッケージ１
１を構成し、各種の評価を行なった結果について説明す
る。実施例に係る封止材組成物の配合割合及び軟化温度
を下記の表１に示した。各エポキシ樹脂、硬化剤及び充
填材の配合割合は全エポキシ樹脂重量に対する割合で示
している。なお比較例として、下記の表１に示した実施
例に係る封止材組成物の配合割合とは異なるもの（比較
例１〜１１）、あるいは市販されている従来のセラミッ
ク製パッケージ封止材組成物（比較例１２）を採用し
た。

【００２７】

【表１】

【００２８】まず、耐熱性の評価試験を行なった結果に
ついて説明する。図２は耐熱性試験に用いられる試料及
びこの試料の製造方法を説明するために模式的に示した
斜視図であり、図中２１はセラミック基体を示してい
る。セラミック基体２１はアルミナ材料を用い、長さＬ
₁ が約３０ｍｍ、幅Ｗ₁ が約１２ｍｍ、厚さＴ₁ が約３
ｍｍの板形状に形成されている。またセラミック基体２
１上の所定箇所にはセラミック小片２２が配設されてお
り、セラミック小片２２はアルミナ材料を用いて１辺の
長さＬ₂ が約５ｍｍの立方体形状に形成されている。セ
ラミック小片２２とセラミック基体２１とは封止材組成
物２３を用いて接合されており、これら封止材組成物２
３、セラミック小片２２、セラミック基体２１により、
試料２０が構成されている。このように構成された試料
２０は、セラミック小片２２下面全体に所定量の封止材
組成物２３を塗布し、セラミック小片２２とセラミック
基体２１とを重ね合わせた後、約１５０〜１６０℃で約
１時間の加熱処理を施すことにより製造される。この試
料２０に図中矢印Ｆ方向から応力を付加し、セラミック
小片２２が剥離したときの応力を封止材組成物２３の塗
布面積で除すことにより、剪断強度を求めた。そしてＭ
ＩＬ（Military Specification（アメリカ）)規格のハ
ンダ付着試験方法に基づいて試料２０を２６５±５℃の
ハンダ浴中に５±１／２秒間浸漬し、これを２０回及び
５０回繰り返した後の剪断強度により耐熱性を評価し
た。この結果を下記の表２（＊１）に示した。

【００２９】

【表２】

【００３０】表２（＊１）から明らかなように、エピ−
ビス系エポキシ樹脂Ａが１０〜２０部、エピ−ビス系エ
ポキシ樹脂Ｂが３０〜４０部、ナフタレン系エポキシ樹
脂が１０〜２０部、フェノールノボラック系エポキシ樹
脂が３０〜４０部ほど配合された実施例１〜３に係る封
止材組成物の場合、耐熱性は実用上十分な性能を有して
いる。しかし、エピ−ビス系エポキシ樹脂Ａが２０部を
超えた比較例９〜１１、エピ−ビス系エポキシ樹脂Ｂが
３０部を下回った比較例４〜５、１１、ナフタレン系エ
ポキシ樹脂が１０部を下回った比較例８〜９、フェノー
ルノボラック系エポキシ樹脂が３０部を下回った比較例
１、７、９〜１０に係る封止材組成物の場合、耐熱性が
いずれも低めである。

【００３１】次に、耐湿接着力の評価試験を行なった結
果について説明する。試料は図２に示したものと同様の
形状のものを用いた。ＰＣＴ（Pressure Cooker Test)
を行なった後の試料２０に対して図２に示した矢印Ｆ方
向から応力を付加し、セラミック小片が剥離したときの
剪断強度により耐湿接着力を評価した。この結果を上記
の表２（＊２）に示した。

【００３２】表２（＊２）から明らかなように、実施例
１〜３に係る封止材組成物の場合、耐湿接着力はいずれ
も実用に十分耐え得る値である。一方、ナフタレン系エ
ポキシ樹脂が１０部を下回った比較例８〜９、フェノー
ルノボラック系エポキシ樹脂が４０部を超えた比較例
２、４、１２に係る封止材組成物の場合、耐湿接着力が
いずれも低下している。

【００３３】次に、耐湿性の評価試験を行なった結果に
ついて説明する。図３は耐湿性試験に用いられる試料及
びこの試料の製造方法を説明するために模式的に示した
断面図であり、（ａ）は正面断面図、（ｂ）は側面断面
図を示している。セラミック基体３１はガラス材料を用
いて略ボックス形状に形成されており、外側形状は長さ
Ｌ₁ が約４０ｍｍ、幅Ｗ₁ が約３０ｍｍ、高さＨ₁ が約
８ｍｍ、内側形状は長さＬ₂ が約３０ｍｍ、幅Ｗ₂ が約
２０ｍｍ、高さＨ₂ が約５ｍｍに設定されている。また
セラミック基体３１上の所定箇所にはセラミックキャッ
プ３２が配設されており、セラミックキャップ３２はガ
ラス材料を用いて長さＬ₃ が約３４ｍｍ、幅Ｗ₂ が約２
４ｍｍ、厚さＴ₃ が約１ｍｍの板形状に形成されてい
る。セラミックキャップ３２とセラミック基体３１とは
封止材組成物３３を用いて接合されており、これら封止
材組成物３３、セラミックキャップ３２、セラミック基
体３１により、パッケージタイプの試料３０が構成され
ている。このように構成された試料３０は、セラミック
キャップ３２下面の周辺に所定量の封止材組成物３３を
塗布し、セラミックキャップ３２とセラミック基体３１
とを重ね合わせた後、約１５０〜１６０℃で約１時間の
加熱処理を施すことにより製造した。図４はＭＩＬ規格
の耐湿性試験方法に定められた試験雰囲気を示した温度
−相対湿度−時間線図であり、試料３０をこの試験環境
に曝した後、封止材組成物３３の水分含有量を測定し、
この水分含有量により耐湿性を評価した。この結果を上
記の表２（＊３）に示した。

【００３４】表２（＊３）から明らかなように、実施例
１〜３に係る封止材組成物の場合、耐湿性がいずれも優
れている。一方、エピ−ビス系エポキシ樹脂Ａが２０部
を超えた比較例９〜１１、エピ−ビス系エポキシ樹脂Ｂ
が３０部を下回った比較例４〜５、１１、ナフタレン系
エポキシ樹脂が１０部を下回った比較例８〜９、フェノ
ールノボラック系エポキシ樹脂が３０部を下回った比較
例１、７、９〜１０に係る封止材組成物の場合、耐湿性
がいずれも低下している。

【００３５】次に、気密信頼性の評価試験を行なった結
果について説明する。試料は図３に示したものと同様の
形状のものを用いた。試験に先立ち、前記耐熱性試験の
場合と同様に試料３０をハンダ液中に１〜５０回浸漬し
た。次にＭＩＬ規格の封止試験方法（フロロカーボンに
よるグロスリーク法）に基づき、試料３０を真空・加圧
容器に入れて１Ｔｏｒｒの減圧下に１時間維持した後、
５０ｐｓｉｇに約３時間維持した。次にフロロカーボン
液中に浸漬した後、１２５±５℃のリーク指示液中に浸
漬して泡の発生状況の観察を行ない、１個でも泡が発生
した場合は不良品とし、この不良品が何回目のハンダ液
浸漬により生じたかにより気密信頼性を評価した。この
結果を上記の表２（＊４）に示した。

【００３６】表２（＊４）から明らかなように、実施例
１〜３に係る封止材組成物の場合、気密信頼性がいずれ
も優れている。一方、比較例７〜９、１２に係る封止材
組成物の場合、気密信頼性がいずれも低下しており、比
較例１２ではハンダ液浸漬前からすでに不良品が発生し
ていた。

【００３７】次に、気密信頼性の別の評価試験を行なっ
た結果について説明する。試料は図３に示したものと同
様の形状のものを用いた。図５は試験雰囲気を示した温
度−時間の１サイクル線図であり、試料３０を２０個ず
つこの試験環境に１００〜１０００サイクル曝した後、
前記封止試験方法に基づき泡の発生状況の観察を行な
い、２０個中の不良品数により気密信頼性を評価した。
この結果を上記の表２（＊５）に示した。

【００３８】表２（＊５）から明らかなように、実施例
１〜３に係る封止材組成物の場合、気密信頼性がいずれ
も優れている。一方、比較例７〜９、１２に係る封止材
組成物の場合、気密信頼性がいずれも低下している。

【００３９】またメニスカス角α（図３）を測定した結
果を上記の表２（＊６）に示した。表２（＊６）から明
らかなように、実施例１〜３に係る封止材組成物の場
合、メニスカス角αがいずれも４５°以下になってい
る。一方、フェノールノボラック系エポキシ樹脂が４０
部を超えた比較例２、４、１２に係る封止材組成物の場
合、メニスカス角αがいずれも４５°以上になってい
る。

【００４０】上記結果から明らかなように実施例１〜３
に係るセラミック製パッケージ封止材組成物１４では、
耐熱性、耐湿性、耐湿接着力に優れた封着部を形成する
ことができ、セラミック基体１２とセラミック製リッド
１３（共に図１）とを比較的低温で簡単、かつ確実に封
止することができる。

【００４１】また、エピービス系エポキシ樹脂Ａの配合
割合が２０部を超えないため、これを用いた封止部の耐
湿性が悪くなるのが防止されると共に、エピービス系エ
ポキシ樹脂Ｂ、ナフタレン系エポキシ樹脂樹脂、及びフ
ェノールノボラック系エポキシ樹脂が適量配合されてい
るため、耐湿性を高めることができる。またフェノール
ノボラック系エポキシ樹脂の配合割合が４０部を超えな
いため、メニスカス角αが４５°以上になって耐湿接着
力が弱くなるのが防止されると共に、ナフタレン系エポ
キシ樹脂が適量配合されているため、メニスカス角が４
５°以下になって耐湿接着力を強固することができる。
この結果、封着部が優れた耐湿性及び強い耐湿接着力を
も兼ね備えたセラミック製パッケージ１１（共に図１）
を確実に製造することができる。

【００４２】なお上記実施例では、樹脂封止材組成物を
用いて製造されたセラミック製パッケージがＤＩＰタイ
プの半導体装置１０として使用される場合について説明
したが、何らＤＩＰタイプに限定されるものではなく、
ＰＧＡ（Pin Grid Arrei) タイプ、ＱＦＰ（Quad Flat
Package)タイプ等の半導体装置であってもよい。

【００４３】

【発明の効果】以上詳述したように本発明に係るセラミ
ック製パッケージ封止材組成物にあっては、エピービス
系エポキシ樹脂Ａが１０〜２０部、エピービス系エポキ
シ樹脂Ｂが３０〜４０部、ナフタレン系エポキシ樹脂が
１０〜２０部及びフェノールノボラック系エポキシ樹脂
が３０〜４０部の各重量割合により樹脂が構成されてお
り、エピービス系エポキシ樹脂Ａの配合割合が２０部を
超えないため、これを用いた封着部の耐湿性が悪くなる
のが防止されると共に、エピービス系エポキシ樹脂Ｂ、
ナフタレン系エポキシ樹脂樹脂、及びフェノールノボラ
ック系エポキシ樹脂が適量配合されているため、耐湿性
を高めることができる。またフェノールノボラック系エ
ポキシ樹脂の配合割合が４０部を超えないため、メニス
カス角が４５°以上になって耐湿接着力が弱くなるのが
防止されると共に、ナフタレン系エポキシ樹脂が適量配
合されているため、メニスカス角が４５°以下になり、
耐湿接着力を強固にすることができる。この結果、封着
部が優れた耐湿性及び強い耐湿接着力をも兼ね備えたセ
ラミック製パッケージを確実に製造することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る樹脂封止材組成物または従来の樹
脂封止材組成物を用いて製造された半導体装置を模式的
に示した断面図である。

【図２】実施例及び比較例に係る封止材組成物を用いた
耐熱性試験用または耐湿接着力試験用の試料、及びこの
試料の製造方法を説明するために模式的に示した斜視図
である。

【図３】実施例及び比較例に係る封止材組成物を用いた
耐湿性試験用または気密信頼性試験用の試料、及びこの
試料の製造方法を説明するために模式的に示した断面図
であり、（ａ）は正面断面図、（ｂ）は側面断面図を示
している。

【図４】実施例及び比較例に係る封止材組成物を用いた
試料が曝される耐湿性試験の雰囲気を示した温度−相対
湿度−時間線図である。

【図５】実施例及び比較例に係る封止材組成物を用いた
試料が曝される気密信頼性試験の雰囲気を示した温度−
時間サイクル線図である。

【符号の説明】

１１セラミック製パッケージ１４封止材組成物

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】樹脂、硬化剤及び充填材を含有するセラ
ミック製パッケージ封止材組成物において、エポキシ樹
脂当量４００〜５００のエピービス系エポキシ樹脂が１
０〜２０部、エポキシ樹脂当量約２００のエピービス系
エポキシ樹脂が３０〜４０部、ナフタレン系エポキシ樹
脂が１０〜２０部及びフェノールノボラック系エポキシ
樹脂が３０〜４０部の各重量割合により前記樹脂が構成
されていることを特徴とするセラミック製パッケージ封
止材組成物。