TWI291723B - Protective tape applying and separating method - Google Patents

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TWI291723B
TWI291723B TW091137247A TW91137247A TWI291723B TW I291723 B TWI291723 B TW I291723B TW 091137247 A TW091137247 A TW 091137247A TW 91137247 A TW91137247 A TW 91137247A TW I291723 B TWI291723 B TW I291723B
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Masayuki Yamamoto
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Nitto Denko Corp
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Description

1291723 玖、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關在形成有圖案之半導體晶圓的表面黏貼保 護帶及將其保護帶剝離之技術。 【先前技術】 以往,在半導體晶圓的製造過程中,藉由磨削方法或硏 磨方法等之機械方法,或利用鈾刻等之化學方法來加工半 導體晶圓(以下,稱爲「晶圓」)的背面,將其厚度薄化。 在利用此等方法加工晶圓之際,爲保護形成有配線圖案之 表面,係在其表面黏貼有保護帶。 亦即,移載至背面硏磨工程之晶圓,其表面(圖案面) 係被夾盤台所吸附保持,再以磨石硏削背面。此時,在晶 圓表面施加硏削之壓力,恐會有圖案破損或髒污之虞,所 以在其表面黏貼保護帶。 又、因背面被硏削變薄的晶圓係在加工時或搬運時容易 破損,且因晶圓之彎曲或翹曲致使處理不便,所以係提案、 實施一種保護帶,其係在晶圓表面預先黏貼種類不同的2 片保護帶以防止晶圓的破損或彎曲(請參考日本專利特開 2000 - 3 3 1 9 6 8 號公報)。 如此,被黏貼在晶圓表面之2片的保護帶係在剝離工程 統一把2片一次剝離的方法係被提案、實施。 然而,上述之日本專利特開2000 - 331968號公報中所記 載之使用2片重疊的保護帶其在補強晶圓這點上雖然有益, 但在保護帶之剝離工程中具有如次之問題。 1291723 在統一把2片重疊的保護帶予以一次剝離時,因被黏貼 在晶圓表面之第1片保護帶與黏貼在其上之第2片保護帶 之黏著力的關係,有時不能一次剝離。亦即有時第1片保 護帶會殘留在晶圓表面。 此時係具有所謂難以知悉第1片保護帶是否會殘留在晶 圓表面之問題。 又,在不能確實知道從晶圓剝離之保護帶的片數時,係 會發生如次之問題。 而與既統一把2片保護帶剝離無關,當在判斷爲僅剝離1 片之場合時,會發生晶圓表面被再度黏貼剝離帶,造成晶 圓表面污染、破損等情事。 並且若在晶圓表面殘留有保護帶,則必需反覆2次的剝 離工程,也會發生作業效率低落之不理想狀況。 【發明內容】 本發明係有鑑於此種情事而成者,可賦予半導體晶圓剛 性且補強半導體晶圓,同時可容易地執行對半導體晶圓之 保護帶的黏貼,及從半導體晶圓剝離保護帶,以提供保護 帶之黏貼、剝離方法爲其主要目的。 本發明爲達成此種目的,係採用如次之構成。 在形成有圖案之半導體晶圓表面黏貼保護帶及將此保護 帶自半導體晶圓表面剝離之保護帶之黏貼、剝離方法中, 該方法係包含以下之過程: 黏貼工程、,上側黏著力強的保護帶係陸續到來般地把該 半導體晶圓之表面的複數片保護帶予以多重地黏貼; 1291723 於被多重黏貼的保護帶上黏貼剝離帶,透過此剝離帶以 自半導體晶圓的表面將多重保護帶一體地予以一次剝離之 剝離工程。 依本發明之保護帶的黏貼、剝離,上側黏著力強的保護 帶陸續到來而成多重的保護帶係被黏貼在半導體晶圓的表 面。因此,上側的保護帶係較位在其下側之保護帶的黏著 力還強,所以最底下的保護帶,亦即直接黏貼在半導體晶 圓之表面的保護帶係自半導體晶圓的表面先行剝離。因此, 多重的保護帶係成一體而可自半導體晶圓的表面剝離。· 又’在本發明中,多重的保護帶係以預先將2片保護帶 多重地黏貼者爲單位黏貼在半導體晶圓之表面者爲佳。 保護帶係以2片保護帶被預先多重地黏貼者爲單位。而 被多重黏貼在此等半導體晶圓之表面的保護帶係依丨次的 剝離動作一體地自半導體晶圓的表面一次地被剝離。 又’在本發明中,多重黏貼的保護帶之至少上側的保護 帶係紫外線硬化型之保護帶者爲佳。更佳.爲,於半導體晶 圓的表面上多重地黏貼保護帶之後再照射紫外線。 鲁 多重黏貼在半導體晶圓之表面的保護帶之至少上側的保 護帶上係被黏貼有紫外線硬化型的保護帶。藉由對多重黏 貼的保護帶實施紫外線照射處理,紫外線硬化型之保護帶 的黏者劑係硬化,且牢固地接著在下側的保護帶之表面。 因此’可將多重保護帶以1次的剝離動作自半導體晶圓的 表面予以一次地剝離。 又’在本發明中,多重的保護帶之中,下側爲紫外線硬 1291723 化型保護帶,在自半導體晶圓將保護帶剝離之前照射紫外 線爲佳。 在半導體晶圓之表面被多重黏貼的保護帶之中,在半導 體晶圓之表面直接黏貼紫外線硬化型的保護帶。在半導體 晶圓的表面多重黏貼保護帶後,在剝離此等多重保護帶之 前,係照射紫外線以剝離保護帶。因此,直接被黏貼在半 導體晶圓的表面之紫外線硬化型保護帶係硬化使得接著力 降低下,所以可容易由半導體晶圓剝離。 又,本發明中,多重保護帶之中,例如上側爲非紫外線 硬化型保護帶,或者下側爲非紫外線硬化型保護帶也可以。 又,本發明中,多重黏貼的保護帶之中,下側之保護帶 的表面爲粗面係較好。 由於下側之保護帶的表面爲粗面,所以被黏貼在其上之 保護帶的黏著劑係進入下側之保護帶之表面的凹凸。因此, 黏著面積係被擴大,上側之保護帶係更加強固地接著在下 側之保護帶的表面。 又’本發明中,多重保護帶係將2片保護帶予以個別地 反覆黏貼爲佳。例如,將2片保護帶予以多重黏貼之場合, 保護帶中至少上側的保護帶係紫外線硬化型的保護帶爲 izfc °更仏爲’在半導體晶圓之表面多重地黏貼保護帶之後 照射紫外線’或在半導體晶圓之表面黏貼保護帶之前的供 給過程’將保護帶彼此多重地黏貼再照射紫外線。 於半導體晶圓的表面黏貼1片的保護帶之後,第2片的 保p隻帶在表面疊在一起般地以個別的動作作多重黏貼後, 1291723 或者於保護帶被黏貼在半導體晶圓的表面之前的供給過程 保護帶彼此被預先多重黏貼之後朝保護帶照射紫外線。照 射紫外線後,紫外線硬化型的保護帶之黏著劑係硬化以強固 地將保護帶彼此予以接著。因此,可將多重保護帶以丨次 的剝離動作自半導體晶圓的表面一次剝離。 又,依本發明,多重保護帶之中,下側爲紫外線硬化型 保護帶,自該半導體晶圓剝離保護帶之前照射紫外線係較 好。 被多重黏貼在半導體晶圓之表面的保護帶之中,紫外線 硬化型保護帶係被直接黏貼在半導體晶圓的表面。在半導 體晶圓之表面將保護帶多重地黏貼之後,在將此等多重保 護帶剝離之前照射紫外線再剝離保護帶。因此,直接被黏 貼在半導體晶圓之表面的紫外線硬化型保護帶係硬化而接 著力降低下,所以可容易自半導體晶圓剝離。 又’依本發明,多重保護帶之中,例如上側爲非紫外線 硬化型保護帶,或者下側爲非紫外線硬化型保護帶也可以。 又,依本發明,被多重黏貼的保護帶之中,下側之保護 帶的表面爲粗面係較好。 由於下側之保護帶的表面爲粗面,所以被黏貼在其上之 保護帶的黏著劑係進入下側之保護帶之表面的凹凸。因此, 黏著面積被擴大’上側之保護帶係更加強固地接著在下側 之保護帶的表面。 本說明書係揭示如次之解決手段。 (1 )在把被多重黏貼於既形成圖案的半導體晶圓表面之不 1291723 同種類之紫外線硬化型保護帶予以剝離的剝離方法中,,, 該方法係包含以下之過程: 紫外線照射過程,係因應該紫外線硬化型的保護帶之種類 &照射變更波長後之紫外線; 剝離過程,係將施加該紫外線照射處理之多重的保護帶予 以剝離。 例如,爲了使被薄化加工的半導體晶圓具有剛性,係在 半導體晶圓的表面多重地黏不同種類的保護帶。此多重黏 貼的保護帶係設定爲,以一次的剝離動作將全部的保護帶 春 自半導體晶圓剝離。然而,依保護帶中黏著劑的強度差異 而異,有時1次的剝離動作並不能把全部的保護帶自半導 體晶圓的表面剝離。 依(1 )之發明,不同種類之紫外線硬化型保護帶係被多 重地黏貼在半導體晶圓的表面,同時因應保護帶之種類而 變更波長的紫外線係被個別地照射。各紫外線硬化型保護 帶係受對應各自波長的紫外線照射而硬化。因此,保護帶 彼此的接著面係依黏著劑的硬化而強固地接著,但是依被 鲁 黏貼在晶圓表面的保護帶之硬化,係變得容易自晶圓表面 剝離,其結果,以1次的剝離動作,可將多重保護帶一體 且一次地自半導體晶圓的表面剝離。 【實施方式】 以下,兹依圖面詳細說明本發明之適合實施例。 <第1實施例> 保護帶黏貼方法 -10- 1291723 . 首先,在說明本實施例之保護帶黏貼方法之前,有關在 本實施例所使用之一實施例的帶黏貼裝置,茲參照圖面加 以說明。 第1圖係表示帶黏貼裝置之槪略構成之前視圖,第2圖 至第4圖係表示帶黏貼工程之前視圖。 有關實施例之半導體晶圓的保護帶黏貼裝置1係裝備有: 帶供給部2,係供給附有分隔物S的保護帶T 1 ;分隔物回收 部5,係自附有其分隔物S的保護帶T1將分隔物S予以剝 離回收;夾盤台7,用以吸附載置半導體晶圓W (以下稱爲 「晶圓W」);帶黏貼機構8,係將保護帶T1 一邊推壓於晶 圓W上一邊將其黏貼;刀具單元1 0,將黏貼於晶圓W的保 護帶T 1以沿著晶圓W的外周形狀加以切斷;帶剝離機構1 1, 將切斷後之殘存帶T2予以剝離機構;帶回收部1 3 ’將剝離 的帶予以回收。 以下,具體說明各機構之構造。 帶供給部2係將帶筒管3所陸續抽出之附有分隔物S之 保護帶T1捲繞引導至引導滾筒群4。此外,帶筒管3係軸 支於未圖示之縱壁,且透過煞車等機構而受旋轉限制。 分隔物回收部5中,回收筒管6係軸支於未圖示之縱壁, 且被馬達等之驅動機構所連動連結。 夾盤台7係具有引導銷等物,把被移載的晶圓W之定向 平台等爲基準執行對準,同時將背面予以吸附保持。 帶黏貼機構8之架係以在帶行進方向可滑動般地由裝釐 本體之軌道所把持,且透過未圖示之馬達等之驅動部所連 -11- 1291723 動連結。又,黏貼輥9係以可旋轉地被軸支在架上,同時 此黏貼輥9係依未圖示之壓缸而形成上下搖動驅動。亦即, 黏貼輥9係推壓保護帶τ 1之表面且一邊轉動一邊在晶圓w 的表面黏貼保護帶T 1。 刀具卓兀1 0係依未圖不之昇降機構,在遍及待機位置及 切斷保護帶T1之切斷作用位置上作昇降移動,同時沿著晶 圓W之周緣將保護帶τι切斷。 帶剝離機構1 1之架係在帶行進方向以可滑動般地由裝置 本體的軌道所把持,未且透過圖示之馬達等之驅動部而連 動連結。又,剝離輥1 2係以可旋轉地被軸支在架上,同時 此剝離輥1 2係依未圖示之壓缸而形成上下搖動驅動。 剝離輥1 2係用以將沿晶圓W外周緣被切下的殘存帶T2 自晶圓W予以剝離者。 帶回收部1 3中,回收筒管1 4係軸支於未圖示之縱壁, 且被馬達等之驅動機構所連動連結。亦即,從帶供給部2 陸續抽出所定量的保護帶T1供給至晶圓W上,同時依驅動 部之作動而形成後述之切下後的殘存帶T2可被回收筒管1 4 所捲繞。 接著,參照圖面來說明將保護帶多重黏貼在晶圓表面之 方法所使用之具有上述構成之帶黏貼裝置。又,在本實施 例中係使用2台帶黏貼裝置,係以在晶圓表面多重黏貼種 類不同之2片的保護帶爲例加以說明。 此外,在此實施例所使用之2種類的保護帶係設定如以 下。 -12- 1291723 在晶圓W之表面直接黏貼的第1片保護帶τ 1,使用其基材 的表面爲粗的(粗面)非紫外線硬化型者。表面之粗度係 當使用觸針式表面粗度計來測定中心線表面粗度時,爲1 00A (埃)以上者爲佳。 基材表面之中心表面粗度爲100A以上時,被黏貼在其上 之保護帶的黏著劑係進入基材表面的凹凸而使接著面積變 大。亦即使保護帶彼此會牢固地接著。 基材表面之中心表面粗度爲100A以下時,被黏貼在其上 之保護帶的黏著劑之接著面積變小。因此,保護帶彼此的 貼附黏著強度降低而在剝離時僅上側之第2片被剝離,係 有第1片保護帶T1殘存在晶圓W的表面之虞。 第2片之保護帶T3係使用紫外線硬化型之保護帶。 又,2種類之保護帶T1及T3係各自成爲與分隔物S貼合 之輥狀者。 接著針對使甩2台帶黏貼裝置1將上述2種類的保護帶 Τ 1、T 3予以多重地黏貼在晶圓W之一循環動作加以說明。 首先,並設第1及第2帶黏貼裝置,在第丨帶黏貼裝置 的帶筒管3上係設定非紫外線硬化型的保護帶T1,他方之 第2帶黏貼裝置的帶筒管3上係設定紫外線硬化型的保護 帶T3。 第1帶黏貼裝置的夾盤台7係載置晶圓W且執行對準而 被吸附保持。此時,如第1圖所示,帶黏貼機構8及帶剝 離機構1 1係位在左側的初期位置,及刀具單元1 〇係位在 上方的待機位置。 -13- 1291723 晶圓W之對準完了後’如第2圖所示’帶黏貼機構8的 黏貼輥9係搖動降下’此黏貼輥9係一邊推壓保護帶T 1 一 邊在與帶行進方向相逆方向在晶圓W上(在第2圖中爲由 左往右之方向)轉動’使保護帶T1在晶圓W的表面整體均 一地黏貼。帶黏貼機構8在到達終了位置後’黏貼輥9係 上昇。 接著,如第3圖所示’刀具單元1 〇下降至切斷作用位置’ 藉由刀具單元1 〇繞晶圓W的周緣一周而使保護帶T1沿著 晶圓W被切下。 保護帶τ1切下完成後’刀具單元1 〇係如第4圖所示’ 上昇且返回待機位置。 接著,帶剝離機構11係如第4圖所示,在晶圓W上以與 帶行進方向相逆方向一邊移動一邊將晶圓W上被切下的殘 存帶T2予以捲起剝離。 帶剝離機構11係在到達剝離作業終了位置時,帶剝離機 構1 1和帶黏貼機構8係在帶行進方向移動以復歸至如第1 圖所示之初期位置。此時,殘存帶T2係被捲繞於回收筒管 1 4,同時一定量的保護帶Τ 1係自帶供給部2陸續被抽出。 於是在第1帶黏貼裝置之對晶圓W表面的保護帶T1之黏貼 動作係終了。 表面係在第1帶黏貼裝置被黏貼有保護帶T1的晶圓W係 被移往第2帶黏貼裝置。 第2帶黏貼裝置中,在夾盤台上執行晶圓W的對準之後, 係反覆與上述之第1帶黏貼裝置相同的動作,第2片的保 -14- 1291723 護帶T3係被黏貼而重疊在第1片的保護帶T1上。 在此黏貼時,藉由黏貼輥9 一邊推壓第2片保護帶的表 面且一邊轉動,第2片保護帶Τ3的黏著劑係進入第1片保 護帶Τ1的基材表面之凹凸且密接,所以接著面積係變大。 此結果係如第5圖所示,保護帶Τ1的基材Κ1表面的凹凸 內係有保護帶Τ3的黏著劑Ν3進入且密接著。因此,保護 帶Τ 1和Τ3係被多重黏貼而形成具剛性之晶圓W。 多重黏貼有2片保護帶之晶圓W係收納至晶盒且被搬運 至晶圓安裝裝置等處。 例如,晶盒被裝塡至晶圓安裝裝置後,係藉由機械手臂 將晶圓W由晶盒1片1片取出且往調準夾片台移載。 移載至調準夾片台的晶圓W係藉由定向平台以被執行對 準。對準終了後,如第6圖所示,位在調準夾片台AS之上 方的待機位置之紫外線照射單元U係降下,而朝晶圓W照 射紫外線。 ?紫外線照射後,保護帶T 3的黏著劑係硬化,藉由固接 效果、使得保護帶T3強固地接著在第1片保護帶Τ1的表 面。亦即,保護帶Τ1及T 3係更加強固地接著。 被施予紫外線照射處理的晶圓W係被搬運至固定架作成 部,如第7圖所示,於剝離工程、晶圓W被載置時的狀態, 亦即,由背面透過黏著帶Tn而被環狀架f所支持。被支持 在此環狀架f的晶圓W (以下,稱爲「固定架F」)係被搬 運至剝離工程,而載置於後述之第7圖之夾盤台19。 如同以上’在晶圓W之上黏貼基材的表面爲粗面的第1 -15- 1291723 片保護帶Τ 1,在其上黏貼紫外線硬化型保護帶Τ3,依此、 保護帶Τ3的黏著劑係進入保護帶Τ1的基材Κ1表面之凹凸, 接著面積係被擴大。在此狀態對晶圓W照射紫外線後,保 護帶Τ3的黏著劑係硬化,而藉由固接效果以確實地被安裝 在保護帶Τ1之上。 以下茲就有關保護帶剝離方法加以說明。 首先,有關本寳施例之保護帶剝離方法所使用之一實施 例的保護帶剝離裝置,係參照圖面加以說明。 第7圖係表示帶剝離裝置之槪略構成的前視圖,第8圖 φ 至第1 0圖係表示將保護帶剝離的工程之說明圖。 實施例之半導體晶圓的保護帶剝離裝置1 5係裝備有:帶 供給部16,係供給剝離帶T s ;夾盤台1 9,係將固定架F予 以吸附載置;剝離機構20,係對黏貼在晶圓W的表面之保 護帶Τ3 —邊推壓一邊黏貼剝離帶Ts且將其剝離帶Ts連同 保護帶T3 —起剝離;帶回收部22,係把由晶圓W所剝離的 帶予以回收。 以下,茲具體說明有關各機構的構造。 · 帶供給部1 6係以引導輥1 8把由帶筒管1 7所陸續抽出的 剝離帶T s引導至剝離機構2 0。此外,帶筒管1 7係軸支於 未圖示之縱壁。 夾盤台1 9係具備引導銷等物,以執行被移載的固定架F 之對準,同時將背面予以吸附保持。又,夾盤台丨9之架係 以在剝離帶T s的行進方向可滑動般地由裝置本體的軌道所 把持,並被連動連結於未圖示之驅動部。 -16- 1291723 剝離機構20係,剝離輥2 1以可旋轉地被軸支在架上, 同時此剝離輥2 1係依未圖示之壓缸等物而作上下搖動驅 動。亦即,形成爲使剝離帶Ts —邊推壓於保護帶T3的表 面一邊加以黏貼。 又,帶回收部2 2係,在未圖示之縱壁軸支有回收筒管2 3, 此回收筒管2 3係在馬達等之驅動部被連動連結著。亦即, 由帶供fe部1 6陸繪抽出所定量之剝離帶T s以供給至晶圓W 上’同時依驅動部的作動使得與保護帶T3成一體的剝離帶 Ts被回收筒管23所纏繞。 接著,使用具有上述構成之帶剝離裝置,一邊參照圖面 一邊說明把多重黏貼在晶圓表面之保護帶予以剝離的方 法。 例如’第8圖所示,第1片之基材表面爲粗面的保護帶, 第2片被黏貼有紫外線硬化型保護帶的半導體晶圓w與環 狀架f係自背面依黏著帶Τη而互相貼合成爲一體化之固定 架F。此固定架F係載置於夾盤台丨9。 被載置的固定架F係被執行對準而被吸附保持。此時, 夾盤台1 9係如第8圖所示,剝離輥21係移動至會抵接晶 圓W的周緣部之位置(在第8圖中爲左側)。 固定架F的對準完了後,如第9圖所示,剝離輥2丨係搖 動下降’同時夾盤台19係往剝離帶Ts的行進方向移動。 又伴隨者此夾盤台1 9的移動,剝離輥2丨係一邊推壓剝離 巾T s —邊在晶圓W上轉動。亦即,黏貼在最上面的保護帶 丁3上係被繼續黏貼剝離帶Ts,同時被黏貼有剝離帶&之 -17- 1291723 保護帶T3係與剝離帶T s —起被捲上而被剝離。 此時’因保護帶T 3之黏著力係較保護帶1的黏著力還強, 所以保護帶T1係先自晶圓w的表面剝離,結果,2片的保 護帶T 1、T3係成一體而自晶圓W剝離。 夾盤台1 9係如第1 〇圖所示,當到達終了位置後,剝離 輥21上昇,夾盤台19係在與帶行進方向相逆方向上移動 而復歸至初期位置。此時,被剝離且剝離帶T s成一體的保 護帶T 3係被回收筒管2 3所捲繞,同時一定量的剝離帶τ s 係自帶供給部1 6陸續被抽出。就這樣,被多重黏貼在晶圓 W表面之最上面的保護帶T3之剝離動作係終了。 如同以上,係可以1次的剝離動作把多重黏貼在晶圓W 的表面之保護帶予以一體化地剝離。 <第2實施例> 本實施例中係使用1台帶黏貼裝置將上述之第1實施例 所使用之2種類的保護帶(第1片表面爲粗面的非紫外線 硬化型’第2片爲紫外線硬化型保護帶)予以一次黏貼的 場合爲例加以說明。此外,與第1實施例裝置的構成爲相 同的部份係賦予相同符號,至於不同的部份係加以說明。 如第1 1圖所示’本實施例裝置1係具備有帶供給部2 a 和2 b等2組,且具備有把由帶供給部2 a、2 b所陸續抽出 的保護帶Τ1、T 3予以多重黏貼的黏貼部4 c、以及在由黏貼 部4c對晶圓W的上方供給保護帶的過程中照射紫外線之紫 外線照射單元U。 帶供給部2 a係把由帶筒管3 a陸續抽出之附有分隔物s -18- 1291723 的保護帶T1捲繞引導至引導輥4a。 帶供給部2 b係把由帶筒管3 b陸續抽出之無分隔物的保 護帶T3引導至黏貼部4c。 此外,帶供給部2a、2b係各自軸支於未圖示之縱壁並透 過煞車機構等受旋轉限制著。 黏貼部4c係由上下2個輥所構成且形成爲把由帶供給部 2 a、2b所陸續抽出來的2個保護帶夾入且在保護帶T 1之上 將保護帶T3推壓而黏貼。 分隔物回收部5係形成爲透過輥子4b將自黏貼部4c陸 續抽出來之保護帶T 1的分隔物S予以回收。 紫外線照射單元ϋ係形成爲對由黏貼部4 c被抽出且分隔 物S被剝離回收之2片重疊的保護帶τ 1、Τ3照射紫外線。 依上述之構成,由帶供給部2 a、2 b所陸續抽出之2片的 保護帶係在被供給至晶圓W的上方之前被多重地黏貼。此 成爲多重的保護帶ΤΙ、T3係以1次的黏貼動作而被黏貼在 晶圓W的表面。 被黏貼在晶圓W之多重的保護帶τ 1、τ 3係在剝離工程中, 依1次的剝離動作,成一體地自晶圓W的表面被剝離。 因此,在本實施例中,僅使用1台帶黏貼裝置就可把2 片保護帶黏貼在晶圓W,所以可圖謀作業效率之提升。 在本實施例中’雖然在2片的保護帶上使用了紫外線硬 化型的保護帶’但也可使用非紫外線硬化型的保護帶。在 此場合,即使沒有紫外線照射單元U的構成也沒關係。 本發明不局限在上述之實施例,也可如次加以變形實施。 -19- 1291723 (1 )在上述保護帶的黏貼方法中,係由原版輥供給薄膜狀 的保護市以黏貼於晶圓W ’且一邊沿著晶圓w周緣切下一 邊多重地黏貼’但是把預先被切斷成晶圓形狀者予以個 別地1片1片反覆黏貼也可以,預先把2片保護帶爲重 疊者予以繼續黏貼也可以。 (2)上述保護帶的黏貼方法中,雖然在第1片使用了基材 的表面爲粗面之非紫外線硬化型保護帶,而在第2片的 保護帶係使用紫外線硬化型保護帶,但是保護帶之組合 也可爲如下之組合。 亦即第1片係基材表面爲粗面的非紫外線硬化型保護 帶’第2片爲非紫外線硬化型保護帶的組合,或者第1片 係基材表面爲粗面的紫外線硬化型保護帶,第2片爲對一 般基材表面施作背面處理之紫外線硬化型保護帶的組合, 一般的非紫外線硬化型保護帶彼此或者一般的紫外線硬化 型保護帶之組合,或者把同一或不同種類的保護帶予以複 數片黏貼組合也可以。 (3 ) 士述保護帶的剝離方法中,係夾盤台1 9在帶行進方 向移動的形態,但也可以是剝離機構2 0自體在帶行進方 向移動的形態。 (4 )在上述的保護帶之剝離方法中係以固定剝離爲例加以 說明,但是並非限定爲此固定剝離,也可以是把被多重 黏貼於未由固定架所支持的晶圓表面之保護帶予以剝 離。 ※爲說明本發明,雖然圖示了現在認爲適當的幾個形 -20- 1291723 . 態,但期能理解並不表示本發明係受圖示之構成以及方 法所限定。 【圖式簡單說明】 第1圖係有關第1實施例之帶黏貼裝置之槪略構成之前 視圖, 第2圖係說明帶黏貼工程之槪略前視圖, 第3圖係說明帶黏貼工程之槪略前視圖, 第4圖係說明帶黏貼工程之槪略前視圖, 第5圖係被多重黏貼有保護帶之晶圓的縱斷面圖, 第6圖係對晶圓照射紫外線之動作說明圖, 第7圖係表示帶剝離裝置之槪略構成的前視圖, 第8圖係說明帶剝離工程之槪略前視圖, 第9圖係說明帶剝離工程之槪略前視圖, 第1 0圖係說明帶剝離工程之槪略前視圖, 第11圖係表不第2實施例之帶黏貼裝置的槪略構成之前 視圖。 ~主要部份之代表符號說明」 1·♦•保護帶黏貼裝置 2.·.帶供給部 2a...帶供給部 3...帶筒管 3a...帶筒管 3b...帶筒管 4···引導滾筒群 -21- 1291723 4 a...引導輥 4 b…輥子 4 c...黏貼部 5.. .分隔物回收部 6.. .回收筒管 7.. .夾盤台 8.. .帶黏貼機構 9.. .黏貼輥 10…刀具單元 11.. .帶剝離機構 12.. .剝離輥 13.. .帶回收部 14.. .回收筒管 15.. .保護帶剝離裝置 16…帶供給部 17…帶筒管 18…引導輥 19…夾盤台 20…剝離機構 22…帶回收部 23…回收筒管 Tl,T3...保護帶 T2...殘存帶 Τη...黏著帶 -22- 1291723 TS…剝離帶 F…固定架 W…晶圓 S…分隔物 AS…調準夾片台 U…紫外線照射單元 ※本發明係可依其思想或者不逸脫本質地以具體的形式來實 施,因此,以表示發明的範圍而言,並非以上之說明, 乃應參照所附加之申請專利範圍。
-23-

Claims (1)

1291723 拾、申請專利範圍: 1 · 一種保護帶之黏貼、剝離方法,係在形成有圖案之半導 體晶圓的表面上黏貼保護帶及將此保護帶由半導體晶圓 的表面剝離,而該方法係包含以下的過程: 黏貼工程,上側黏著力強的保護帶係陸續到來般地把 該半導體晶圓之表面的複數片保護帶予以多重地黏貼; 剝離工程,在多重黏貼的保護帶之上黏貼剝離帶,透 過此剝離帶而自該半導體晶圓表面使多重的保護帶成一 體地一次剝離。 2 ·如申請專利範圍第1項之保護帶之黏貼、剝離方法,其 中該多重之保護帶係,以預先多重黏貼2片保護帶者爲 單位黏貼在半導體晶圓的表面。 3 ·如申請專利範圍第2項之保護帶之黏貼、剝離方法,其 中該多重黏貼的保護帶中,至少上側的保護帶爲紫外,線 硬化型保護帶。 4 ·如申請專利範圍第3項之保護帶之黏貼、剝離方法,其 中於該半導體晶圓表面多重地黏貼保護帶之後再照射^ 外線。 5 ·如申請專利範圍第2項之保護帶之黏貼、剝離方法,其 中該多重的保護帶中,下側爲紫外線硬化型保護帶,係 在要自該半導體晶圓剝離保護帶之前照射紫外線。 6 ·如申請專利範圍第2項之保護帶之黏貼、剝離方法,其 中該多重的保護帶中,上側爲非紫外線硬化型保護帶。 7 ·如申請專利範圍第2項之保護帶之黏貼、剝離方法,其 -24- 1291723 中該多重的保護帶中,下側爲非紫外線硬化型保護帶。 8 ·如申請專利範圍第2項之保護帶之黏貼、剝離方法,其 中該多重黏貼的保護帶之中,下側之保護帶的表面爲粗 面。 9 ·如申請專利範圍第1項之保護帶之黏貼、剝離方法,其 Ψ該多重的保護帶係個別反覆地黏貼2片保護帶。 I 〇 ·如申請專利範圍第9項之保護帶之黏貼、剝離方法,其 中該多重黏貼的保護帶中,至少上側之保護帶爲紫外線 硬化型保護帶。 II ·如申請專利範圍第1 0項之保護帶之黏貼、剝離方法,其 中於該半導體晶圓的表面多重地黏貼保護帶之後係照射 $外線。 1 2 ·如申請專利範圍第1 〇項之保護帶之黏貼、剝離方法,其 中在該半導體晶圓表面黏貼保護帶之前的供給過程中, 係把保護帶彼此予以多重地黏貼且照射紫外線。 1 3 ·如申請專利範圍第9項之保護帶之黏貼、剝離方法,其 中該多重的保護帶中,下側爲紫外線硬化型保護帶,且 自該半導體晶圓將保護帶剝離前係照射紫外線。 1 4 ·如申請專利範圍第9項之保護帶之黏貼、剝離方法,其 中該多重的保護帶中,上側爲非紫外線硬化型保護帶。 1 5 ·如申請專利範圍第9項之保護帶之黏貼、剝離方法,_ 中該多重的保護帶中,下側爲非紫外線硬化型保|蒦胃。 1 6 ·如申請專利範圍第9項之保護帶之黏貼、剝離方、法,_ 中該多重黏貼的保護帶中,下側之保護帶的表面爲纟且胃。
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