TWI290361B - Semiconductor device, display module, and manufacturing method of semiconductor device - Google Patents

Semiconductor device, display module, and manufacturing method of semiconductor device Download PDF

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TWI290361B
TWI290361B TW095101896A TW95101896A TWI290361B TW I290361 B TWI290361 B TW I290361B TW 095101896 A TW095101896 A TW 095101896A TW 95101896 A TW95101896 A TW 95101896A TW I290361 B TWI290361 B TW I290361B
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TW095101896A
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Yasuhiko Tanaka
Kenji Toyosawa
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Sharp Kk
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Description

1290361 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種半導體裝置、顯示模組及半導體裝置 之製造方法，於以稱為COF(Chip On FPC，Chip On Film) 之含有機物之絕緣膜所形成之基板具有佈線圖案，且於該 佈線圖案連接半導體晶片。 作為顯示模組例如可使用主動矩陣型等之液晶顯示模 組，且除使用電泳型顯示器、扭珠（twist ball)型顯示器、 使用細微電漿薄膜之反射型顯示器、使用數位微鏡裝置等 之光調制元件之顯示器之外，亦可利用使用有機EL發光元 件、無機EL發光元件、LED(Light Emitting Diode·•發光 二極體）等之發光亮度可變之元件作為發光元件之顯示 器、場發射顯示器（FED)、電漿顯示器。 【先前技術】 以往，係如圖8所示，於液晶顯示面板121，以各向異性 導電接著劑（ACF : Anisotropic Conductive Film)lll接著、 安裝作為半導體裝置之COF(Chip On FPC，Chip 〇n Film)110，作為液晶模組12〇 ;該作為半導體裝置之c〇f係 於以由佈線圖案102、103形成之含有機物之絕緣膜形成之 基板101上，連接丰導體晶片104。 然而’於上述以往之半導體裝置、顯示模組及半導體裝 置之製造方法，絕緣膜組成之基板1 〇 1與各向異性導電接 著劑111之黏著強度低，藉由安裝後之機械性應力，基板 101與各向異性導電接著劑Π1之接著劑有產生剝離之虞。 108050.doc 1290361 因此’為防止上述接著部之剥離造成之電性不良之產 生’於以往係如圖8所示，必需追加塗布補強劑112、113 於與液晶顯示面板12 1之接合部周邊，於顯示模組之製造 上’有成本大幅增加之問題點。 又’為提高補強劑之密接性，例如於日本國公開專利公 報「特開平6-157875號公報（1994年6月7日公開）」，藉由使 用包含環氧樹脂、松酯及可溶性之聚醯亞胺硅氧烷、於有 機溶劑中具有高溶解性之聚醯亞胺環己烷溶液組成物作為 補強劑，而可容易塗佈、烘乾及硬化。 然而’於上述公報之半導體裝置、顯示模組及半導體裝 置之製造方法，結果由於以追加之補強劑112、u3作為前 提’故本質上問題並未解決。 【發明内容】 本發明之目的係提供一種半導體裝置、顯示模組及半導 體装置之製造方法，其提升絕緣膜所組成之基板與各向異 _ f生導電接著劑之密接性，且得以排除追加之黏著補強材。 本發明之半導體裝置為達成上述目的，於以含有機物之 絕緣膜形成之基板具有佈線圖案，而安裝半導體晶片者； 於上述絕緣膜之至少單邊表面進行矽耦合劑處理，且作為 上述矽耦合劑之構成元素之矽（Si)係存在於絕緣膜表面 〇·5〜12·〇 at〇mic%(表面元素濃度）。 $根據上述之發明’含有機物之絕緣膜之表面係以石夕輕合 “進行表面處理。因此，使用各向異性導電接著劑電性連 接半導體裝置之佈線圖案與外部電路基板之佈線時，絕緣 108050.doc 1290361 膜所組成之基板與各向異性導電接著劑之密接性提升。其 影響所及之效果’可減低剝離所造成之電性不良，且無需 塗佈追加之補強劑，而可謀求降低成本。 ·、、、而 另外，於本發明之半導體裝置，料前述㈣合劑之構 成元素之矽（Si)係存在於絕緣膜表面〇 5〜12 〇 at〇mic% (表 面元素濃度）。 藉此，可確實提升絕緣膜所組成之基板與各向異性導電 接著劑m另外，其影響所及之效果，可減低剝離 所造成之電性不良，且無需塗佈追加之補強劑，而可謀求 降低成本。 其結果，可提供一種半導體裝置，其提升絕緣膜所組成 之基板與各向異性導電接著劑之密接性，且可排除追加之 黏者補強材。 另外’本發明之顯示模組係如以上，使用上述揭示之半 導體裝置者；其係以各向異性導電接著劑電性連接顯示面 板與上述半導體裝置者。 因此’可提供一種顯示模組，其提升絕緣膜所組成之基 板與各向異性導電接著劑之密接性，且得以排除追加之黏 著補強材料。 另外’本發明之半導體裝置之製造方法係如以上，為包 含以下步驟之方法：將含有機物之絕緣膜以作為構成元素 之石夕（Si)存在於絕緣膜表面〇·5〜12.0 atomic%(表面元素濃 度）之石夕耦合劑進行表面處理之步驟、於用含有機物之絕 緣膜形成之基板形成佈線圖案，且安裝半導體晶片之步 108050.doc 1290361 驟。 因此，可提供一種半導體裝置之製造方法，其提升絕緣 膜所組成之基板與各向異性導電接著劑之密接性，且得以 排除追加之黏著補強材料。 本發明進一步之其他目的、特徵及優點係藉由以下所示 之記載可充分理解。另外，本發明之優點可藉由參照添附 圖面之以下之說明而得以明瞭。 【實施方式】 •以下係根據圖1至圖7說明有關本發明之一實施型態。 作為本實施型態之顯示模組之液晶模組2〇係如圖i(a)所 示’於作為由TFT(Thin Film Transistor :薄膜電晶體）基板 2 la及彩色濾光片基板21b所組成之顯示面板之液晶顯示面 板21，安裝半導體裝置1〇。另外，於上述半導體裝置1〇中 之液晶顯示面板21之相反側，安裝P W(Printed Wiring :印 刷佈線）基板30。又，此等液晶顯示面板21及PW基板30具 有作為本發明之外部電路基板之功能。 _ 上述半導體裝置10係驅動上述液晶面板21用者，如圖 2(a)、圖2(b)所示，在以形成佈線圖案2、3之含有機物之 絕緣膜形成之基板1上，連接半導體晶片4，以所謂 C0F(Chip On FPC，Chip On Film)形成。亦即，於C0F，在 軟性薄膜上，直接安裝半導體晶片4。 上述佈線圖案2、3係例如於銅（Cu)所組成之佈線鍍錫 (Sn)。另外，於半導體晶片4，設置以金（Au)形成之凸塊電 極5。而，藉由連接該凸塊電極5與上述佈線圖案2、3，兩 108050.doc 1290361 者呈電性連接。 亦即’於接合COF之半導體晶片4上之凸塊電極5與絕緣 膜上之佈線圖案2、3時，以將實施鍍錫之佈線圖案2、3與 半導體晶片4上之金（Au)之凸塊電極5相對之方式定位，於 半導體晶片4之凸塊電極5之形成面之相反侧之面，或絕緣 膜之佈線圖案2、3之形成面之相反側之面，實施一定時間 加熱壓著，且藉由金（Au)_錫（Sn)之合金接合。 另外，於本實施型態，例如將凸塊電極5與絕緣膜上之 佈線圖案2、3接合後，於形成半導體晶片4與絕緣膜之間 之間隙及半導體晶片4之周邊，注入由樹脂所組成之底部 填充膠材6。藉此，可謀求提升半導體裝置1〇之耐濕性及 機械性強度。 再者’依需要’除了於絕緣膜之外部連接端子以外，以 及於半導體晶片4與其外周部上以外之絕緣膜，塗佈由絕 緣性材料所組成之抗焊劑7。藉此，可防止因導電性異物 直接附者於佈線圖案2、3而造成之短路。 又，於製造過程中，連接於圖2(a)所示之連接之絕緣膜 而设置數個上述半導體裝置10。因此，如同圖（a)所示，藉 由切割出該絕緣膜中之使用者外形8，成為在絕緣膜所組 成之基板1搭載半導體晶片4之一個半導體裝置1〇。 然而，於本實施型態之液晶模組20，如圖丨（勾所示，上 述半導體裝置10係藉由對液晶顯示面板21及PW基板3〇使 用各向異性導電接著劑（ACF : Anis〇tr〇pic c〇nductive
Fihnm接著’而電性連接。該各向異性導電接著劑u係於 108050.doc -10- 1290361 厚度15〜45 μιη之接著性薄膜中，使直徑3〜15 μιη之導電粒 子分散者。因此，由於導電粒子分散於薄膜中，故各向異 性導電接著劑11本身係絕緣物。然而，將該各向異性導電 接著劑11夾於電路圖案之間，藉由進行加熱/加壓，取得 上下電極間之導通，將隣合之電極間絕緣，且可同時進行 上下之接著。 在此，於本實施型態，如前述，構成上述基板丨之絕緣 膜係由有機物組成，且如圖1(b)所示，該基板丨之表面有以 矽耦合劑3 1進行表面處理。 詳而言之，於本實施型態，構成基板丨之絕緣膜係由例 如聚醯亞胺等有機物組成。該聚醯亞胺係於主鏈具有醢亞 胺（鍵合之塑膠，為财熱性最優越之塑膠。又，構成基板又 之絕緣膜並不必限定於此，亦可由其他之有機物所組成。 另一方面，矽耦合劑3 1於本實施型態係使用例如具有 SiOn、Si(OH)n、SiOn(〇H)n等之SiX之構成者作為構成元 素。又，η之個數可變。 亦即，一般，於含有機物之絕緣膜之表面，會發生水 (ΗζΟ)分子之物理吸著（凡得瓦爾鍵）及化學吸著（氫鍵），故 於絕緣膜之面存在水之多分子層。因此，絕緣膜之表面成 為親水基。因而，例如使環氧樹脂係之各向異性導電接著 劑11接觸該成為親水基之絕緣膜之表面時，環氧樹脂之氫 氧基（-ΟΗ)與吸著於表面之水分子之間發生鍵合，環氧樹 脂之接著性降低。因此，為迅速由絕緣膜之表面除去水之 多分子層，且使絕緣膜之表面呈疏水性，藉由矽耦合劑3丄 108050.doc -11 - 1290361 進行絕緣膜之表面處理。如此， 藉由在絕緣膜進行矽耦合
力提升。 5 a削〕1心偁成元素之矽 〜12.0 atomic%(表面元素
(si)敢好係存在於絕緣膜表面〇5〜12〇 /辰度）亦即，藉由烘乾包含溶劑之矽耦合劑3丨，矽耦人 劑為存在於絕緣膜表面G5〜12G Μ。*%(表面元素^ 度）者。又，作為上述之矽耦合劑31之構成元素之矽（Si)存 在於絕緣膜表面1·〇〜6·0 at〇mie%(表面元素濃度）更佳。 藉由該矽耦合劑31之存在，如後述（實施例）所示，相較 於以往，各向異性導電接著劑11與構成基板1之絕緣膜之 附著強度提升。因此，例如於半導體裝置1〇之部份對於液 晶顯不面板21撓曲之情形中，亦可阻止由絕緣膜所組成之 基板1與各向異性導電接著之剝離。另外，如圖7所 示絕緣膜之表面存在0.4 atomic%(表面元素濃度）以下之 石夕搞合劑3 1者係與未進行表面處理相同，密接性未見提 升。另外’若存在13 atomic%(表面元素濃度）以上之矽耦 合劑31，則接合強度降低。 其次’說明有關本實施型態之半導體裝置10及液晶模組 20之製造方法。 首先’以矽耦合劑3 1對絕緣膜進行表面處理。於進行表 面處理時’例如由絕緣膜之兩面喷附塗裝矽耦合劑3 1，且 108050.doc •12· 1290361 於其後使之烘乾°供乾亦可係進行過熱。X，並不必限於 絕緣膜之兩面’亦可僅於—邊表面噴附塗裝。藉此，石夕輕 合劑31附著於絕緣膜而被表面處理。另外，關於塗裝亦不 限於噴附塗裝’以毛刷塗裝、滾筒塗裝等普通之塗裝即 〇 其次’如圖2(a)、圖2(b)所示，在以上述含有機物之絕 緣膜形成之基板1，形成連接佈線圖案2、3，且於該等佈 線圖案2、3形成連接佈、線圖案2、3之半導體裝置1〇。又， 該半導體裝置10之形成步驟係於連接之絕緣膜上進行，最 後切割出使用者外形8 ,成為各個半導體裝置丨〇。 其次如圖1(a)所示，使用各向異性導電接著劑11電性連 接半導體裝置10之佈線圖案2與液晶顯示面板21。另外， 亦進行半導體裝置1〇之佈線圖案3與pw基板之連接。藉 此’液晶模組20完成。 於本實轭型態之液晶模組2〇，藉由矽耦合劑3丨形成之表 面處理，各向異性導電接著劑丨丨與構成基板丨之絕緣膜之 附著強度有提升。該結果，即使半導體裝置10之絕緣膜比 以往撓曲，兩者亦不容易剝離。藉此，可減低基板丨與各 向異性導電接著劑n之剝離所造成之電性不良，且不需塗 佈以往所必需之追加之補強劑。 又，本發明並不限定於上述實施型態，於本發明之範圍 内可做種種之變更。例如於上述實施型態，設於液晶模組 20之半導體裝置1〇係以半導體晶片4為一個之方式進行說 明，但不必限於此，例如如圖3所示，亦可係於基板丨上搭 108050.doc -13- 1290361 載數個半導體晶片41、42之半導體裝置40。亦即，半導體 晶片4亦可為2、3個以上。 另外，關於此等數個導體晶片41、42，亦不一定需具有 相同之功能者，例如液晶顯示驅動用、系統用或記憶體用 荨之各種功能之半導體晶片亦可。具體而言，有液晶驅動 驅動器用之半導體晶片41、液晶驅動控制用之半導體晶片 42等。 再者，於半導體裝置40中之基板1上，不僅半導體晶片 41、42，依需要亦可搭載例如，電阻、電容器、 LED(Light Emitting Diode :發光二極體）等之電子零件 43 〇 另外，於上述之說明中，佈線圖案2、3係以例如以錫 (Sn)或鑛錫（Sn)形成’但不必定限於此，例如如圖*所示， 可將佈線圖案2、3以例如金（Au)或鍍金（AU)形成。 藉此，可藉與由金（Au)或鍍金（Au)所組成之佈線圖案
2、3，或與金（Au)所組成之凸塊電極5同種之金匀接 合，故傳送效率提升。 如此’本實施型態之半導體裝置1〇係於以含有機物之絕 緣膜形成之基板1具有佈線圖案2、3,而安裝半導體晶片 4 ’且以各向異性導電接著劑llf：性連接液晶顯示面板η 及PW基板30。 而於本實施型 ，田έ有機物之絕緣膜之表面係以矽耦 合齊m進行表面處理。因此，使用各向異性導電接著劑 u，電性連接半導體裝置1G之佈線圖案2、3與液晶顯示面 108050.doc -14- 1290361 板21及PW基板30之各佈線時，由絕緣膜所組成之基板1與 各向異性導電接著劑11之密接性提升。另外，其影響所及 之效果，可減低剝離所造成之電性不良，且不需塗佈追加 之補強劑，可謀求降低成本。 該結果’可提供一種半導體裝置1〇，其提升由絕緣膜所 組成之基板1與各向異性導電接著劑11之密接性，且得以 排除追加之黏著補強材。 另外，於本實施型態之半導體裝置10，絕緣膜係由聚酿 亞胺所形成。因此，藉由將由聚醯亞胺所組成之絕緣膜以 石夕耦合劑進行表面處理，成為密接性提升效果顯著者。 另外，於本實施型態之半導體裝置1〇，作為矽耦合劑3 ι 之構成元素之石夕（Si)存在〇·5〜12_0 atomic%(表面元素濃 度）於絕緣膜表面。藉此，可確實使由絕緣膜所組成之基 板1與各向異性導電接著劑11之密接性提升。 另外，於本實施型能之半導體裝置4〇,可在基板1搭載 各種功月b之半導體晶片4。例如液晶顯示驅動用、系統用 或記憶體用等之各種功能之半導體晶片41、42。 精此’不論半導體晶片41、42之功能之種類，皆可使由 絕緣膜所組成之棊板1與各向異性導電接著劑丨丨之密接性 提升。 另外，於本實施型態之半導體裝置40,在基板i可搭載 數個半導體晶片41、42。 藉此’搭載數個半導體晶片41、42之半導體裝置4〇中， 亦可使由絕緣膜所組成之基板1與各向異性導電接著劑11 108050.doc -15- 1290361 之密接性提升。 另外，於本實施型態之半導體裝置1〇、4〇，形成於半導 體晶片4、42、42之凸塊電極係以金（Au)形成，另一方面 基板1上之佈線圖案2、3係以錫（sn)或鍍錫（Sn)形成為佳。 藉此’半導體晶片4、42、42之凸塊電極5與基板上之佈 線圖案2、3之接合方式由於係藉由金（Au)_錫（Sn)之合金進 行接合，故接合強度提高。 另外，於本實施型態之半導體裝置1〇、40，形成於半導 體晶片4、42、42之凸塊電極5係以金（Au)形成，且基板1 上之佈線圖案2、3亦以金（Au)或鍍金（Au)形成為佳。 藉此’半導體晶片4、42、42之凸塊電極5與基板1上之 佈線圖案2、3之接合方式係藉由金（Au)_金（Au)之接合進 行，故接合強度提高。 另外，於本實施型態之半導體裝置40,在基板1除半導 體晶片42、42之外，亦可搭載電阻、電容器、LED等電子 零件43。 猎此’除半導體晶片42、42外，搭載電阻、電容器、 LED等之電子零件43之半導體裝置40中，可使絕緣膜所組 成之基板1與各向異性導電接著劑11之密接性提升。 另外，本實施型態之液晶模組20係以各向異性導電接著 劑11電性連接液晶顯示面板21與半導體裝置10，且該半導 體裝置10係用石夕麵合劑3 1表面處理由含有機物之絕緣膜之 表面。 因此’可提供一種液晶模組2 0 ’其提升由絕緣膜所組成 108050.doc -16- 1290361 之基板1與各向異性導電接著劑丨丨之密接性，且得以排除 追加之黏著補強材。 另外，於製造本實施型態之液晶模組2〇時，將由含有機 物之絕緣膜以矽耦合劑3 1進行表面處理後，於用含有機物 之絕緣膜形成之基板1形成佈線圖案2、3，且於該佈線圖 案2、3形成連接半導體晶片4之半導體裝置1〇。此時，作 為矽耦合劑31之構成元素之矽（Si)係於絕緣膜表面存在 〇·5〜12.0 atomic%(表面元素濃度）。又，先形成半導體裝置 1〇之後，亦可用矽耦合劑31將含有機物之絕緣膜進行表面 處理。 其後，使用各向異性導電接著劑11電性連接半導體裝置 10之佈線圖案2、3與液晶顯示面板21。 藉此，可提供一種液晶模組20之製造方法，其提升絕緣 膜所組成之基板1與各向異性導電接著劑^之密接性，且 得以排除追加之黏著補強材。 (實施例1) 有關揭示於前述實施型態之構成，由於為確認效果而進 行檢驗實驗，故於以下進行說明。 首先，檢驗有關以矽耦合劑3 1進行表面處理之絕緣膜與 各向異性導電接著劑11之黏著強度。 矽耦合劑3 1係使用於SiX混入溶劑者，且以於絕緣膜表 面存在0.5〜12.0 atomic% (表面元素濃度）之方式設置。 於黏著強度之測定，如圖5所示，首先於液晶顯示面板 21之TFT基板21 a與絕緣膜間夾入各向異性導電接著劑U， 108050.doc -17- 1290361 接著作為基板1之構成材料之絕緣膜。其後，將矣移之角 度設為90度，而以曳移治具（jig)5〇曳移絕緣膜。 其結果，如圖6(a)所示，不論於60°C/90%RH中放置時間 0時間後、100時間後、300時間後、500時間後之任一者 中’與未將圖6(b)所示之石夕柄合劑31進行塗布處理之c〇f 相比，皆可知其黏著強度有提升。整體而言，密接性提升 約88%(316/168 = 1.88)。又，上述圖6(a)、圖6(b)所示之各 向異性導電接著劑11之接合強度之值係以絕緣膜之寬度之 早位長度作為基準值，於各樣本中，表示數個試料中之最 小值。 口…----1、""里心鄱言強度 測定結果。該結果，於絕緣膜之表面存在04 atomic%(表 面元素濃度）以下之石夕轉合劑31者，與未進行表面處理之 情況相同，密接性未見提升。另外，若存在13atomic%(表 面π素浪度）以上之石夕輕合劑31，則接合強度降低。 (實施例2) _ 二:欠有Γ造液晶模組2°之際，藉由溶劑進行洗淨，故 亦進仃有關以該溶劑為對象 又 使用洗導用夕思 合劑3】進行表面處理之絕° 2係將心夕麵 丙醇與丙财—小時後，進"U⑴貝於此等之異 輕合㈣亦以於絕緣膜之表見觀察。又，於該情形石夕 元素濃度）之方式設置。 子在〇.5〜12·0 atomic%(表面 其結果如表i所示…夕 W 1進仃表面處理之絕緣 108050.doc •18- 1290361 膜係與未進行表面處理之絕緣膜相同，並無關於剝離、膨 脹、溶解、裂隙之異常。 [表1] 溶劑名 樣本 未進行表面處理之COF 進行表面處理之COF 異丙醇 1 無剝離、膨脹、溶解、裂隙 無剝離、膨脹、溶解、裂隙 2 無剝離、膨脹、溶解、裂隙 無剝離、膨脹、溶解、裂隙 3 無剝離、膨脹、溶解、裂隙 無剝離、膨脹、溶解、裂隙 4 無剝離、膨脹、溶解、裂隙 無剝離、膨脹、溶解、裂隙 5 無剝離、膨脹、溶解、裂隙 無剝離、膨脹、溶解、裂隙 6 無剝離、膨脹、溶解、裂隙 無剝離、膨脹、溶解、裂隙 7 無剝離、膨脹、溶解、裂隙 無剝離、膨脹、溶解、裂隙 8 無剝離、膨脹、溶解、裂隙 無剝離、膨脹、溶解、裂隙 丙酮 1 無剝離、膨脹、溶解、裂隙 無剝離、膨脹、溶解、裂隙 2 無剝離、膨脹、溶解、裂隙 無剝離、膨脹、溶解、裂隙 3 無剝離、膨脹、溶解、裂隙 無剝離、膨脹、溶解、裂隙 4 無剝離、膨脹、溶解、裂隙 無剝離、膨脹、溶解、裂隙 5 無剝離、膨脹、溶解、裂隙 無剝離、膨脹、溶解、裂隙 6 無剝離、膨脹、溶解、裂隙 無剝離、膨脹、溶解、裂隙 7 無剝離、膨脹、溶解、裂隙 無剝離、膨脹、溶解、裂隙 8 無剝離、膨脹、溶解、裂隙 無剝離、膨脹、溶解、裂隙 如以上，於本發明之半導體裝置，前述絕緣膜由聚醯亞 胺組成為佳。 一般，半導體裝置之基板多使用以具有高耐熱性之聚醯 108050.doc -19- 1290361 亞胺形成之絕緣膜。另一方面，聚醯亞胺與例如經常使用 環氧樹脂之各向異性導電接著劑之密接性並不佳。因此， 藉由將聚醯亞胺所組成之絕緣膜以梦耦合劑進行表面處 理，將成為密接性提升效果顯著者。 另外，於本發明之半導體裝置，可在基板搭載各種功能 之半導體晶片。例如液晶顯示驅動用、系統用或記憶體用 等之各種功能之半導體晶片。 藉此’不論半導體晶片功能之種類為何，皆可使絕緣膜 所組成之基板與各向異性導電接著劑之密接性提升。 另外，於本發明之半導體裝置，可在基板搭載數個半導 體晶片。 藉此，於搭載數個半導體晶片之半導體裝置中，亦可使 絕緣膜所組成之基板與各向異性導電接著劑之密接性提 升。 另外，於本發明之半導體裝置，形成於半導體晶片之凸 塊電極係以金（Au)形成，另一方面基板上之佈線圖案係以 錫（Sn)或鑛錫（Sn)形成為佳。 藉此，由於半導體晶片之凸塊電極與基板上之佈線圖案 之接合方式’藉由金（Au)-錫（Sn)之合金接合以進行，故接 合強度提高。 另外’於本發明之半導體裝置，形成於半導體晶片之凸 塊電極係以金（Au)形成，且基板上之佈線圖案亦以金（Au) 或鍍金（Au)形成為佳。 藉此’由於半導體晶片之凸塊電極與基板上之佈線圖案 108050.doc -20- 1290361 之接合方式，藉由金（Au)-金（Au)之接合以進行，故傳送效 率提升。 另外，於本實施型態之半導體裝置，在基板除半導體晶 片外，搭載電阻、電容器、led等電子零件為佳。 藉此，除半導體晶片外，搭載電阻、電容器、led等電 子零件之半導體裝置中，可使絕緣膜所組成之基板與各向 異性導電接著劑之密接性提升。 另外，本發明之顯示模組其特徵係為解決上述之課題， 而使用上述半導體裝置者；以各向異性導電接著劑電性連 接顯示模組與上述半導體裝置。 根據上述發明，顯示模組係使用各向異性導電接著劑電 性連接顯示面板與半導體裝置，且該半導體裝置以矽耦合 劑將由含有機物之絕緣臈之表面進行表面處理。 因此，可提供一種顯示模組，其提升絕緣膜所組成之基 板與各向異性導電接著劑之密接性，且得以排除追加之黏 者補強材。 另外，於本發明之顯示模組，顯示面板最好係液晶顯示 面板。 藉此’可提供一種液晶顯示模組，其於液晶顯示面板接 口半導體裝置之情形’提升由絕緣膜所組成之基板與各向 異性導電接著劑之密接性，且得以排除追加之黏著補強 材。 曰另外I發明之半導體裝置之製造方》去，為解決上述課 題’其特徵係包含以下步驟··將含有機物之絕緣膜以作為 108050.doc -21 - 1290361 構成元素之矽（si)存在於絕緣膜表面0 5〜12 〇 at〇mic%(表 面元素濃度）之矽耦合劑進行表面處理之步驟、於用含有 機物之絕緣膜形成之基板形成佈線圖案，且安裝半導體晶 之v驟。又，對於絕緣膜之表面處理可為於絕緣臈之表 面或背面之任一邊，或此等二邊之處理。另外，亦可先於 基板安裝半導體晶片後，將由含有機物之絕緣膜以矽耦合 劑進行表面處理。 根據上述發明，製造半導體裝置時，將由含有機物之絕 緣膜以矽耦合劑進行表面處理後，在以由含有機物之絕緣 膜形成之基板形成佈線圖案，且安裝半導體晶片。另外， 乍為夕岸馬a劑之構成元素之石夕（si)係存在於絕緣膜表面 〜12·0 at〇mic%(表面元素濃度）。 藉此，可提供一種半導體裝置之製造方法，其提升絕緣 膜所組成之基板與各向異性導電接著劑之密接性，且得以 排除追加之黏著補強材。 又，發明内容之項中所提出之具體之實施樣態或實施 例，最多僅為闡明本發明之技術内容者，不應僅限於如此 之具體例而做狹義之解釋，在本發明之精神與以下將揭示 之申請專利範圍之範圍内，可做種種之變更以實施。 【圖式簡單說明】 圖1 (a)係表示本發明中之液晶模組之一實施型態之剖面 圖。 圖1(b)係表示以使用於安裝在上述液晶模組之半導體裳 置之基板’以矽耦合劑進行表面處理之絕緣膜之剖面圖。 108050.doc -22- 1290361 圖2(a)係表示以上述c〇F形成之半導體裝置之平面圖。 圖2(b)係表示以上述c〇F形成之半導體裝置之剖面圖。 圖3係表示於上述基板搭載數個半導體晶片及電子零件 之半導體裝置之剖面圖。 圖4係表示上述半導體裝置之要部之剖面圖。 ，5係表示已用上述矽耦合劑進行表面處理之絕緣膜之 黏著強度測定方法之剖面圖。 圖6(a)係表不已用上述矽耦合劑進行表面處理之絕緣膜 之黏著強度測定結果之圖表。 3 (b)係表示未用上述石夕麵合劑進行表面處理之絕緣膜 之黏著強度測定結果之圖表。 圖7係表不因應上述矽耦合劑之添加量之黏著強度測定 結果之圖表。 圖8係表示以往之液晶模組之剖面圖。 【主要元件符號說明】 1 2 3 4 5 10 11 20 21 基板 佈線圖案 佈線圖案 半導體晶片 凸塊電極 半導體裝置 各向異性導電接著劑 液晶模組（顯示模組） 液晶表示面板（一 双（顯不面板、外部電路基板） 108050.doc '23- 1290361 21a TFT基板 21b 彩色濾光片基板 30 PW基板（外部電路基板） 31 矽耦合劑 40 半導體裝置 41 半導體晶片 42 半導體晶片 43 電子零件 50 矣移治具
108050.doc -24-

Claims (1)

1290361 十、申請專利範圍： 1β 一種半導體裝置，其係於以含有機物之絕緣膜形成之基 板包含佈線圖案，而安裝半導體晶片者，其特徵在於： 於上述絕緣膜之至少單邊之表面進行矽耦合劑處理， 且作為上述矽耦合劑之構成元素之矽（si)係存在於絕緣 膜表面為0.5〜12.0 atomic%(表面元素濃度）。 2·如請求項1之半導體裝置，其中前述絕緣膜係由聚醯亞 胺所組成。 3·如明求項1或2之半導體裝置，其中於前述基板可搭載各 種功能之半導體晶片。 4·如請求項3之半導體裝置，其中於前述基板可搭載數個 半導體晶片。 5·如請求項1或2之半導體裝置，其中形成於前述半導體晶 片之凸塊電極係以金（Au)形成，而前述基板上之佈線圖 案係以錫（Sn)或鍍錫（Sn)形成。 6. 如請求項1或2之半導體裝置，其中形成於前述半導體晶 片之凸塊電極係以金（Au)形成，且前述基板上之佈線圖 案亦以金（Au)或鍍金（An)形成。 7. 如請求項丨或2之半導體裝置，其中在前述基板除半導體 晶片外，尚搭載電阻、電容器、LED等電子零件。 8· —種顯示模組，其特徵在於：其係使用如請求項丨之半 導體裝置者；且 其以各向異性導電接著劑電性連接顯示面板與上述半 導體裝置。 ' 108050.doc 1290361 9. 10.
11. 一種顯示模組，其特徵在於：其係使用如請求項2 導體裝置之顯示模組者；且 其以各向異性導電接著劑電性連接顯示面板與上述半 其係使用如請求項3之半 性連接顯示面板與上述半 一種顯示模組，其特徵在於： 導體裳置之顯示模組者；且 其以各向異性導電接著劑電 導體裝置。 一種顯示模組，其特徵在於：其係使用如請求項4之半 導體裝置之顯示模組者；且 其以各向異性導電接著劑電性連接顯示面板與上述半 12. —種顯示模組，其特徵在於：其係使用如請求項5之半 導體裝置之顯示模組者；且 其以各向異性導電接著劑電性連接顯示面板與上述 導體裝置。 ' ;L 13. —種顯示模組，其特徵在於：其係使用如請求項6之半 導體裝置之顯示模組者；且 其以各向異性導電接著劑電性連接顯示面板與上述半 導體裝置。 14. 一種顯示模組，其特徵在於：其係使用如請求項7之半 導體裝置之顯示模組者；且 其以各向異性導電接著劑電性連接顯示面板與上述半 導體裝置。 108050.doc 1290361 1 5 ·如請求項8之顯示模組，其中 面板。 16 ·如請求項9之顯示模組，其中 面板。 17·如請求項10之顯示模組，其中 面板。 刖述顧示面板係液晶顯示 岫述顯示面板係液晶顯示 月^1述顯示面板係液晶顯示 1 8 ·如請求項11之顯示模組，其φ _ 、中刖4顯示面板係液晶顯示 面板。 前述顯示面板係液晶顯示 19 ·如請求項12之顯示模組，其中 面板。 20·如請求項13之顯示模組，其φ今 $ T刚述顯示面板係液晶顯示 面板。 前述顯示面板係液晶顯示 21 ·如請求項14之顯示模組，其中 面板。 22· —種半導體裝置之製造方 万/去’其特徵在於包含以下步 驟： 將含有機物之絕緩趨；& 繁膜以作為構成元素之矽（Si)存在於 絕緣膜表面為0.5〜1:> n冬· atormc%(表面元素濃度）之矽耦合 劑進行表面處理之步驟· 於以含有機物 安裝半導體晶片之步驟 之絕緣膜形成之基板形成佈線圖案， 且 108050.doc
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