CN1808712A - 半导体装置、显示模块以及半导体装置的制造方法 - Google Patents

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Abstract

一种半导体装置，在由有机物构成的绝缘膜所形成的基板上具有布线图形，并安装半导体芯片，用各向异性导电粘接剂电连接液晶显示面板和PW基板。用硅偶连剂对绝缘膜的至少一个表面进行处理。在绝缘膜的表面上存在0.5～12.0atomic％(表面元素浓度)的作为硅偶连剂之构成元素的硅(Si)。

Description

半导体装置、显示模块以及半导体装置的制造方法
技术领域
本发明涉及被称为COF(Chip On FPC，Chip On Film)的、在由有机物构成的绝缘膜所形成的基板上具有布线图形，并且半导体芯片连接到该布线图形上的半导体装置、显示模块以及半导体装置的制造方法。
背景技术
作为显示模块，例如可以在有源矩阵型等的液晶显示模块中使用，同时，除电泳型显示器、扭曲球(twist ball)型显示器、使用了微小棱镜片的反射型显示器、使用了数字反射镜装置等的光调制元件的显示器之外，也可以在使用了有机EL发光元件、无机EL发光元件、LED(Light Emitting Diode：发光二极管)等发光亮度可变的元件作为发光元件的显示器、场致发射显示器(FED)、等离子显示器中使用。
以前，作为液晶模块120，如图8所示，将半导体芯片104连接到形成了布线图形102、103的由有机物构成的绝缘膜所形成的基板101上的半导体装置，即COF(Chip On FPC，Chip On Film)110采用各向异性导电粘接剂(ACF：Anisotropic Conductive Film)111粘接、并安装到液晶显示面板121上。
但是，上述现有的半导体装置、显示模块、以及半导体装置的制造方法中，由绝缘膜构成的基板101和各向异性导电粘接剂111的粘接强度低、由于安装后的机械应力而在基板101和各向异性导电粘接剂111的粘接部可能会产生剥离。
为此，为了防止发生上述粘接部的剥离所引起的电气缺陷，如图8所示，以前需要在与液晶显示面板121的接合部周边追加涂敷增强剂112、113，导致在制造显示模块方面成本增大。
并且，为了提高增强剂的粘合性，例如，在日本国公开专利公报“特开平6-157875号公报(1994年6月7日公开)”中，使用环氧树脂、松香脂、以及可溶性的聚酰亚胺硅氧烷构成的、在有机溶剂中具有较高溶解性的环己烷聚酰亚胺溶液组成物作为增强剂，由此，能够容易地进行涂敷、干燥以及固化。
但是，上述公报的半导体装置、显示模块、以及半导体装置的制造方法中，因为毕竟将所追加的增强剂112、113作为前提，因而不能在本质上解决问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种提高由绝缘膜构成的基板和各向异性导电粘接剂的粘合性、并能够排除所追加的粘合增强剂的半导体装置、显示模块、以及半导体装置的制造方法。
为实现上述目的，本发明的半导体装置涉及一种在由有机物构成的绝缘膜形成的基板上具有布线图形、并安装了半导体芯片的半导体装置，在上述绝缘膜的至少一个表面上进行硅偶连(siliconcoupling)剂处理的同时，作为上述硅偶连剂之构成要素的硅(Si)在绝缘膜的表面上存在0.5～12.0atomic％(表面元素浓度)。
根据上述发明，用硅偶连剂对由有机物构成的绝缘膜的表面进行表面处理。因此，使用各向异性导电粘接剂电连接半导体装置的布线图形和外部电路基板的布线时，提高由绝缘膜构成的基板与各向异性导电粘接剂的粘合性。作为其波及效果，可以减少因剥离引起的电气缺陷，同时，不需要涂敷所追加的增强剂，即可实现降低成本。
此外，本发明的半导体装置中，作为上述硅偶连剂的构成元素的硅(Si)在绝缘膜的表面存在0.5～12.0atomic％(表面元素浓度)。
由此，可以可靠地提高由绝缘膜构成的基板和各向异性导电粘接剂之间的粘合性。此外，作为其波及效果，可以减少因剥离引起的电气缺陷，同时，不需要涂敷追加的增强剂，即可实现降低成本。
其结果是，可以提供一种提高由绝缘膜构成的基板和各向异性导电粘接剂之间的粘合性、并能够排除所追加的粘合增强剂的半导体装置。
此外，如上所述，本发明的显示模块是使用了上述记载的半导体装置的显示模块，是用各向异性导电粘接剂电连接显示面板和上述半导体装置的显示模块。
因此，可以提供一种提高由绝缘膜构成的基板和各向异性导电粘接剂的粘合性、并能够排除所追加的粘合增强剂的显示模块。
此外，如上所述，本发明的半导体装置的制造方法包含以下工序：
采用在绝缘膜的表面存在0.5～12.0atomic％(表面元素浓度)作为构成元素的硅(Si)的硅偶连剂对由有机物构成的绝缘膜进行表面处理；在由有机物构成的绝缘膜所形成的基板上形成布线图形、并安装半导体芯片。
因此，可以提供一种提高由绝缘膜构成的基板和各向异性粘接剂的粘合性、并能够排除所追加的粘合增强剂的半导体装置的制造方法。
通过以下的记载可充分理解本发明的其它目的、特征以及优点。此外，通过参照附图所进行的下述说明可以清楚本发明的优点。
附图说明
图1(a)是表示本发明的液晶模块的一个实施方式的剖面图。
图1(b)是表示安装于上述液晶模块上的半导体装置的基板上所使用的、由硅偶连剂进行表面处理后的绝缘膜的剖面图。
图2(a)是表示由上述COF构成的半导体装置的平面图。
图2(b)是表示由上述COF构成的半导体装置的剖面图。
图3是表示在上述基板上安装了多个半导体芯片以及电子部件的半导体装置的剖面图。
图4是表示上述半导体装置的主要部分的剖面图。
图5是表示用上述硅偶连剂进行表面处理后的绝缘膜的粘接强度测量方法的剖面图。
图6(a)是表示未用上述硅偶连剂进行表面处理的绝缘膜的粘接强度测量结果的图表。
图6(b)是表示使用了上述硅偶连剂进行表面处理后的情况下的绝缘膜的粘接强度测量结果的图表。
图7是表示上述硅偶连剂的添加量所引起的粘接强度测量结果的图表。
图8是表示现有的液晶模块的剖面图。
具体实施方式
参照图1至图7对本发明的一个实施方式进行如下说明。
如图1(a)所示，作为本实施方式的显示模块的液晶模块20，是在作为由TFT(Thin Film Transistor：薄膜晶体管)基板21a以及滤光片基板21b构成的显示面板的液晶显示面板21上安装了半导体芯片10而构成的。此外，在上述半导体装置10的与液晶显示面板21相反一侧安装了PW(Printed Wiring：印制线路)基板30。并且，这些液晶显示面板21以及PW基板30具有作为本发明的外部电路基板的功能。
上述半导体装置10是用于驱动上述液晶显示面板21的装置，如图2(a)、图2(b)所示，半导体芯片4连接到形成了布线图形2、3的由有机物构成的绝缘薄膜所构成的基板1上，以所谓的COF(ChipOn FPC，Chip On Film)来形成。即，在COF中，直接在柔性薄膜上安装半导体芯片4。
上述布线图形2、3例如是在铜(Cu)构成的布线上进行锡(Sn)电镀而成的。此外，在半导体芯片4上设置了由金(Au)构成的突起电板5。并且，该突起电极5和上述布线2、3相连接，由此，使二者电连接。
即，COF的半导体芯片4上的突起电极5和绝缘膜上的布线图形2、3相接合时进行对位，以使实施了锡电镀的布线图形2、3和半导体芯片4上的金(Au)突起电极5相对，从与半导体芯片4的形成突起电极5的面相反侧的面、或者与绝缘膜的形成布线图形2、3的面相反侧的面施加一定时间的热压焊，并通过金(Au)-锡(Sn)的合金进行接合。
此外，本实施方式中，例如，将突起电极5和绝缘膜上的布线图形2、3进行接合后，向半导体芯片4和绝缘膜之间所形成的间隙以及半导体芯片4的周边注入由树脂构成的填充材料6。由此，谋求提高半导体装置10的耐湿性以及机械强度。
并且，根据需要，在绝缘膜的外部连接端子以外、以及半导体芯片4和其外周部上以外的绝缘膜上涂敷由绝缘材料构成的阻焊剂7。由此，可防止导电性异物直接附着在布线图形2、3上而造成的短路。
并且，在制造过程中，上述半导体装置10与图2(a)所示的连续的绝缘膜相连续地设置多个。因此，如图2(a)所示，通过以该绝缘膜的用户(user)外形8进行切出，从而形成为在由绝缘膜构成的基板1上安装了半导体芯片4的1个半导体装置10。
但是，在本实施方式的液晶模块20中，如图1(a)所示，使用各向异性导电粘接剂(ACF：Anisotropic Conductive Film)11将上述半导体装置10粘接在液晶显示面板21以及PW基板30上，由此，进行电连接。该各向异性导电粘接剂11是在厚度为15～45μm的粘合性薄膜中分散直径为3～15μm的导电粒子的粘接剂。因此，因为是导电粒子分散在薄膜中，所以各向异性导电粘接剂11本身是绝缘物。但是，通过在电路图形之间填入该各向异性导电粘接剂11，并进行加热、加压，由此，可使上下的电极间导通、使相邻的电极间绝缘、并同时进行上下的粘接。
此处，本实施方式中，如上所述，构成上述基板1的绝缘膜由有机物构成，同时，如图1(b)所示，用硅偶连剂31对该基板1的表面进行表面处理。
详细地说，本实施方式中，构成基板1的绝缘膜例如由聚酰亚胺等有机物构成。该聚酰亚胺是在主链上具有酰亚胺键的塑料，是耐热性最突出的塑料之一。并且，构成基板1的绝缘膜并不限于此，也可由其它的有机物构成。
另一方面，在本实施方式中，硅偶连剂31使用具有例如SiOn、Si(OH)n、SiOn(OH)n等SiOX结构作为构成元素的物质。并且，n的个数可变。
即，一般地，在由有机物构成的绝缘膜的表面发生水(H2O)分子的物理吸附(范德瓦耳斯键)以及化学吸附(氢键)，所以，在绝缘膜的表面上存在水的多分子层。因此，绝缘膜的表面成为亲水基。所以，例如使环氧树脂系的各向异性导电粘接剂11与成为亲水基的绝缘膜的表面相接触时，在环氧树脂的羟基(-OH)和吸附在表面上的水分子之间产生键，使环氧树脂的粘合性降低。因此，为了迅速从绝缘膜的表面除去水的多分子层，使绝缘膜的表面具有疏水性，用硅偶连剂31对绝缘膜进行表面处理。这样，通过对绝缘膜进行进行涂敷硅偶连剂31等表面处理，从而硅偶连剂31和绝缘膜表面的羟基(-OH)反应，从而将绝缘膜的表面作成疏水基。其结果是，提高绝缘膜和环氧树脂的各向异性导电粘接剂11之间的粘合力。
本实施方式中，优选在绝缘膜的表面上存在0.5～12.0atomic％(表面元素浓度)的作为上述硅偶连剂31之构成元素的硅(Si)。即，硅偶连剂31成为通过包含溶剂并进行干燥，从而在绝缘膜表面上存在0.5～12.0atomic％(表面元素浓度)的偶连剂31。并且，优选在绝缘膜表面存在1.0～6.0atomic％(表面元素浓度)的作为上述硅偶连剂31之构成元素的硅(Si)。
由于存在该硅偶连剂31，如后述的实施例所示，与以前相比，可提高各向异性导电粘接剂11和构成基板1的绝缘膜之间的附着强度。因此，例如，即使半导体装置10的部分相对液晶显示面板21弯曲的情况下，也可以防止由绝缘膜构成的基板1和各向异性导电粘接剂11的剥离。此外，如图7所示，在绝缘膜的表面上存在0.4atomic％(表面元素浓度)以下的硅偶连剂31的情况与未进行表面处理的情况相同，看不出粘合性提高。此外，存在13atomic％(表面元素浓度)以上的硅偶连剂31时粘接强度降低。
然后，对本实施方式的半导体装置10以及液晶模块20的制造方法进行说明。
首先，用硅偶连剂31对绝缘膜进行表面处理。进行表面处理时，例如，从绝缘膜的两面喷涂硅偶连剂31，之后使其干燥。干燥也可为过热干燥。并且，并不限于绝缘膜的两面，也可以只是一个表面。由此，硅偶连剂31附着在绝缘膜上进行表面处理。此外，涂装并不限于喷涂，刷涂、滚涂等一般性的涂装就可以。
然后，如图2(a)、图2(b)所示，在由上述有机物构成的绝缘膜所形成的基板1上形成布线图形2、3，并且，将布线图形2、3连接到这些布线图形2、3上，形成半导体装置10。并且，在所连接的绝缘膜上进行该半导体装置10的形成工序，最后按照用户外形8切出，形成各个半导体装置10。
然后，如图1(a)所示，使用各向异性导电粘接剂11电连接半导体装置10的布线图形2和液晶显示面板21。此外，也进行半导体装置10的布线图形3和PW基板30的连接。由此，完成液晶模块20。
本实施方式的液晶模块20中，通过用硅偶连剂31进行的表面处理，可提高各向异性导电粘接剂11和构成基板1的绝缘膜之间的粘接强度。其结果是，即使与现有技术相比使半导体装置10的绝缘膜弯曲，二者也不容易剥离。由此，可减少基板1和各向异性导电粘接剂11发生剥离引起的电气缺陷，同时，不需要涂敷现有技术中需要追加的增强剂。
并且，本发明并不限于上述实施方式，在本发明的范围内可以进行各种变形。例如，在上述的实施方式中，说明了设置在液晶模块20上的半导体装置10上有1个半导体芯片4，但并不限于此，例如，如图3所示，也可以是在基板1上安装了多个半导体芯片41、42的半导体装置40。即，半导体芯片4可以是2、3个以上。
此外，这些多个半导体芯片41、42并不一定具有相同的功能，例如，可以是液晶显示驱动用、系统用、或存储器用等各种功能的半导体芯片。具体地说，可以是液晶驱动驱动器用的半导体芯片41、液晶驱动控制器用的半导体芯片42等。
并且，在半导体装置40的基板1上不仅可以安装半导体芯片41、42，还可以根据需要安装例如电阻、电容、LED(Light EmittingDiode)等电子部件43。
此外，在上述说明中，布线图形2、3例如可以采用锡(Sn)或锡(Sn)电镀来形成，但是并不限于此，例如，如图4所示，可以采用金(Au)或金(Au)电镀来形成布线图形2、3。
由此，可以利用由金(Au)或金(Au)电镀构成的布线图形2、3和由金(Au)构成的突起电极5的同种类的金(Au)进行接合，所以传输效率提高。
这样，在本实施方式的半导体装置10中，在由有机物构成的绝缘膜所形成的基板1上具有布线图形2、3，安装半导体芯片4，并且用各向异性导电粘接剂11电连接液晶显示面板21以及PW基板30。
并且，在本实施方式中，用硅偶连剂31对由有机物构成的绝缘膜的表面进行表面处理。因此，当用各向异性导电粘接剂11电连接半导体装置10的布线图形2、3和液晶显示面板21以及PW基板30的各布线时，由绝缘膜构成的基板1和各向异性导电粘接剂11的粘合性得到提高。此外，作为波及效果，可以减少因剥离引起的电气缺陷，同时，不需要涂敷所追加的增强剂，即可实现降低成本。
其结果是，可以提供一种提高由绝缘膜构成的基板1和各向异性粘接剂11的粘合性，并能够排除所追加的粘合增强剂的半导体装置10。
此外，本实施方式的半导体装置10中，绝缘膜由聚酰亚胺构成。因此，通过用硅偶连剂对由聚酰亚胺构成的绝缘膜进行表面处理，增大粘合性提高效果。
此外，在本实施方式的半导体装置10中，在绝缘膜的表面存在0.5～12.0atomic％(表面元素浓度)的作为硅偶连剂31之构成元素的硅(Si)。由此，可以可靠地提高由绝缘膜构成的基板1和各向异性导电粘接剂11之间的粘合性。
此外，在本实施方式的半导体装置40中，可以在基板1上安装各种功能的半导体芯片4。例如，液晶显示驱动用、系统用、或存储器用等各种功能的半导体芯片41、42。
由此，不管半导体芯片41、42的功能种类如何，都可以提高由绝缘膜构成的基板1和各向异性导电粘接剂11之间的粘合性。
此外，在本实施方式的半导体装置40中，可在基板1上安装多个半导体芯片41、42。
由此，在安装了多个半导体芯片41、42的半导体装置40中，也可以提高由绝缘膜构成的基板1和各向异性导电粘接剂11之间的粘合性。
此外，在本实施方式的半导体装置10、40中，优选形成在半导体芯片4、42、42上的突起电极由金(Au)构成；另一方面，基板1上的布线图形2、3由锡(Sn)或锡(Sn)电镀构成。
由此，半导体芯片4、42、42的突起电极5和基板1的布线图形2、3的接合方式是采用金(Au)-锡(Sn)的合金接合来进行的，所以接合强度提高。
此外，本实施方式的半导体装置10、40中，优选形成在半导体芯片4、42、42上的突起电极5由金(Au)构成，同时，基板1上的布线图形2、3也由金(Au)或金(Au)电镀构成。
由此，半导体芯片4、42、42的突起电极5和基板1的布线图形2、3的接合方式是通过金(Au)-金(Au)的合金来进行的，所以接合强度提高。
此外，在本实施方式的半导体装置40中，在基板1上除了安装半导体芯片42、42外，还可以安装电阻、电容、LED等电子部件43。
由此，在除了安装半导体芯片42、42外，还安装了电阻、电容、LED等电子部件43的半导体装置40中，可以提高由绝缘膜构成的基板1和各向异性导电粘接剂11之间的粘合性。
此外，本实施方式的液晶模块20中，通过各向异性导电粘接剂11电连接液晶显示面板21和半导体装置10，同时，该半导体装置10采用硅偶连剂31对由有机物构成的绝缘膜的表面进行表面处理。
因此，可提供一种提高由绝缘膜构成的基板1和各向异性粘接剂11之间的粘合性，并排除所追加的粘合增强剂的液晶模块20。
此外，在制造本实施方式的液晶模块20时，用硅偶连剂31对由有机物构成的绝缘膜进行表面处理之后，在由有机物构成的绝缘膜所形成的基板1上形成布线图形2、3，并且，将半导体芯片4连接到该布线图形2、3上形成半导体装置10。此时，在绝缘膜的表面上存在0.5～12.0atomic％(表面元素浓度)的作为硅偶连剂31之构成元素的硅(Si)。并且，首先形成半导体装置10之后，可以采用硅偶连剂31对由有机物构成绝缘膜进行表面处理。
然后，使用各向异性导电粘接剂11电连接半导体装置10的布线图形2、3和液晶显示面板21。
由此，可以提供一种提高由绝缘膜构成的基板1和各向异性导电粘接剂11的粘合性，并可排除所追加的粘合增强剂的液晶模块20的制造方法。
实施例1
为了确认效果，对上述实施方式中记载的结构进行了验证试验并说明如下。
首先，验证用硅偶连剂31进行表面处理后的绝缘膜和各向异性导电粘接剂11之间的粘接强度。
硅粘接剂31使用在溶剂中混入了SiX的粘接剂，并且在绝缘膜的表面存在0.5～12.0atomic％(表面元素浓度)。
在测量粘接强度过程中，如图5所示，首先在液晶显示面板21的TFT基板21a上包夹各向异性导电粘接剂11，粘接作为基板1的构成材料的绝缘膜。其后，将拉伸角作成90度，用拉伸工具50拉伸上述绝缘膜。
其结果是，如图6(a)所示，60℃/90％RH中的放置时间0小时后、100小时后、300小时后、500小时后任意一个，与未进行图6(b)所示的硅偶连剂31的涂敷处理的COF相比，可知粘接强度得到了提高。整体上，粘合性约提高了88％(316/168＝1.88)。并且，上述图6(a)、图6(b)所示的各向异性导电粘接剂11的接合强度值是将绝缘膜宽度的单位长度作为基准的值，在各样品中，表示多个样本中的最小值。
此外，图7示出了硅偶连剂31的添加量引起的粘接强度测量结果。其结果是，绝缘膜的表面存在0.4atomic％(表面元素浓度)以下的硅偶连剂31，和未进行表面处理的情况相同，未发现粘合强度提高。此外，存在13atomic％(表面元素浓度)以上的硅偶连剂31时，接合强度降低。
实施例2
然后，在制造液晶模块20时，因为进行溶剂的清洗，所以，也对将该溶剂作为对象的耐溶剂性进行了确认试验。
作为溶剂，使用了在清洗中使用的异丙醇和丙酮。试验中，在常温下将用硅偶连剂31进行了表面处理后的绝缘膜在这些异丙醇和丙酮中浸泡1小时后，并进行了目视观察。此时，在绝缘膜的表面也存在0.5～12.0atomic％(表面元素浓度)的硅偶连剂31。
其结果如表1所示，用硅偶连剂31进行了表面处理后的绝缘膜与未进行表面处理的绝缘膜相同，在剥离、膨胀、溶解、裂隙方面没有异常。
表1
  溶剂名   样本   未进行表面处理的COF   进行了表面处理后的COF
  异丙醇   1   剥离、膨胀、溶解、无裂隙   剥离、膨胀、溶解、无裂隙
  2   剥离、膨胀、溶解、无裂隙   剥离、膨胀、溶解、无裂隙
  3   剥离、膨胀、溶解、无裂隙   剥离、膨胀、溶解、无裂隙
  4   剥离、膨胀、溶解、无裂隙   剥离、膨胀、溶解、无裂隙
  5   剥离、膨胀、溶解、无裂隙   剥离、膨胀、溶解、无裂隙
  6   剥离、膨胀、溶解、无裂隙   剥离、膨胀、溶解、无裂隙
  7   剥离、膨胀、溶解、无裂隙   剥离、膨胀、溶解、无裂隙
  8   剥离、膨胀、溶解、无裂隙   剥离、膨胀、溶解、无裂隙
  丙酮   1   剥离、膨胀、溶解、无裂隙   剥离、膨胀、溶解、无裂隙
  2   剥离、膨胀、溶解、无裂隙   剥离、膨胀、溶解、无裂隙
  3   剥离、膨胀、溶解、无裂隙   剥离、膨胀、溶解、无裂隙
  4   剥离、膨胀、溶解、无裂隙   剥离、膨胀、溶解、无裂隙
  5   剥离、膨胀、溶解、无裂隙   剥离、膨胀、溶解、无裂隙
  6   剥离、膨胀、溶解、无裂隙   剥离、膨胀、溶解、无裂隙
  7   剥离、膨胀、溶解、无裂隙   剥离、膨胀、溶解、无裂隙
  8   剥离、膨胀、溶解、无裂隙   剥离、膨胀、溶解、无裂隙
如上所述，本发明的半导体装置中，优选上述绝缘膜由聚酰亚胺构成。
一般地，半导体装置的基板多使用具有高耐热性的聚酰亚胺构成的绝缘膜。另一方面，聚酰亚胺和例如多使用环氧树脂的各向异性导电粘接剂之间的粘合性不太好。因此，用硅偶连剂对由聚酰亚胺构成的绝缘膜进行表面处理，由此，增大了粘合性提高效果。
此外，在本发明的半导体装置中，可在基板上安装各种功能的半导体芯片。例如，液晶显示驱动用、系统用、或者存储器用等各种功能的半导体芯片。
由此，不管半导体芯片的功能如何都可以提高由绝缘膜构成的基板和各向异性导电粘接剂之间的粘合性。
此外，在本发明的半导体装置中，可以在基板上安装多个半导体芯片。
由此，即使在安装了多个半导体芯片的半导体装置中，也可以提高由绝缘膜构成的基板和各向异性导电粘接剂的粘合性。
此外，在本发明的半导体装置中，优选形成在半导体芯片上的突起电极由金(Au)构成，另一方面，基板上的布线图形由锡(Sn)或锡(Sn)电镀构成。
由此，半导体芯片的突起电极和基板上的布线图形的接合方式通过金(Au)-锡(Sn)的合金接合来进行，所以，接合强度提高。
此外，在本发明的半导体装置中，优选形成在半导体芯片上的突起电极由金(Au)构成，同时，基板上的布线图形也由金(Au)或金(Au)电镀构成。
由此，半导体芯片的突起电极和基板上的布线图形的接合方式由金(Au)-金(Au)结合来进行，所以传输效率提高。
此外，在本发明的半导体装置中，优选在基板上除安装半导体芯片外，还安装了电阻、电容、LED等电子部件。
由此，在除了安装半导体芯片外，还安装了电阻、电容、LED等电子部件的半导体装置中，可以提高由绝缘膜构成的基板和各向异性导电粘接剂之间的粘合性。
此外，为了解决上述课题，本发明的显示模块是使用了上述半导体装置的显示模块，其特征在于：用各向异性导电粘接剂电连接显示面板和上述半导体装置。
按照上述发明，显示模块用各向异性导电粘接剂电连接显示面板和半导体装置，同时，该半导体装置用硅偶连剂对由有机物构成的绝缘膜的表面进行表面处理。
因此，可提供一种提高由绝缘膜构成的基板和各向异性导电粘接剂之间的粘合性，并能够排除所追加的粘合增强剂的显示模块。
此外，本发明的显示模块中，优选显示面板是液晶显示面板。
由此，可提供一种在将半导体装置接合到液晶显示面板上时，提高由绝缘膜构成的基板和各向异性导电粘接剂之间的粘合性，并能够排除所追加的粘合增强剂的液晶显示模块。
此外，为了解决上述课题，本发明的半导体装置的制造方法的特征在于，包含：用绝缘膜的表面上存在0.5～12.0atomic％(表面元素浓度)的作为构成元素的硅(Si)之硅粘接剂对由有机物构成的绝缘膜进行表面处理的工序；在由有机物构成的绝缘膜所形成的基板上形成布线图形，并安装半导体芯片的工序。而且，对绝缘膜进行的表面处理可以是对绝缘膜的表面或背面的任意一面、或这两个面所进行的处理。此外，可先在基板上安装了半导体芯片之后，用硅偶连剂对由有机物构成的绝缘膜进行表面处理。
按照上述发明，在制造半导体装置时，用硅偶连剂对由有机物构成的绝缘膜进行表面处理之后，在由有机物构成的绝缘膜所形成的基板上形成布线图形并安装半导体芯片。此外，硅偶连剂在绝缘膜的表面上存在0.5～12.0atomic％(表面元素浓度)的作为构成元素的硅(Si)。
由此，可以提供一种提高由绝缘膜构成的基板和各向异性导电粘接剂之间的粘合性，并能够排除所追加的粘合增强剂的半导体装置的制造方法。
并且，发明的详细说明项中的具体实施方式或实施例毕竟是为了使本发明的技术内容明确的内容，并非只限于那样的具体例而进行狭义地解释，在本发明的精神和所记载的技术方案的范围内，可以进行各种变更并进行实施。

Claims (22)

1.一种半导体装置，在由有机物构成的绝缘膜所形成的基板上具有布线图形并安装了半导体芯片，其特征在于：
对所述绝缘膜的至少一个表面进行硅偶连剂处理，同时，在绝缘膜的表面上存在0.5～12.0atomic％(表面元素浓度)的作为所述硅偶连剂的构成元素的硅(Si)。
2.如权利要求1记载的半导体装置，其特征在于：
所述绝缘膜由聚酰亚胺构成。
3.如权利要求1或2记载的半导体装置，其特征在于：
可在所述基板上安装各种功能的半导体芯片。
4.如权利要求3记载的半导体装置，其特征在于：
在所述基板上安装了多个半导体芯片。
5.如权利要求1或2记载的半导体装置，其特征在于：
形成于所述半导体芯片上的突起电极由金(Au)构成，而所述基板上的布线图形由锡(Sn)或锡(Sn)电镀构成。
6.如权利要求1或2记载的半导体装置，其特征在于：
形成于所述半导体芯片上的突起电极由金(Au)构成，同时，所述基板上的布线图形也由金(Au)或金(Au)电镀构成。
7.如权利要求1或2记载的半导体装置，其特征在于：
在所述基板上除安装半导体芯片外，还安装了电阻、电容、LED等电子部件。
8.一种显示模块，使用了权利要求1记载的半导体装置，其特征在于：
用各向异性导电粘接剂电连接显示面板和所述半导体装置。
9.一种显示模块，使用了权利要求2记载的半导体装置，其特征在于：
用各向异性导电粘接剂电连接显示面板和所述半导体装置。
10.一种显示模块，使用了权利要求3记载的半导体装置，其特征在于：
用各向异性导电粘接剂电连接显示面板和所述半导体装置。
11.一种显示模块，使用了权利要求4记载的半导体装置，其特征在于：
用各向异性导电粘接剂电连接显示面板和所述半导体装置。
12.一种显示模块，使用了权利要求5记载的半导体装置，其特征在于：
用各向异性导电粘接剂电连接显示面板和所述半导体装置。
13.一种显示模块，使用了权利要求6记载的半导体装置，其特征在于：
用各向异性导电粘接剂电连接显示面板和所述半导体装置。
14.一种显示模块，使用了权利要求7记载的半导体装置，其特征在于：
用各向异性导电粘接剂电连接显示面板和所述半导体装置。
15.如权利要求8记载的显示模块，其特征在于：
所述显示面板是液晶显示面板。
16.如权利要求9记载的显示模块，其特征在于：
所述显示面板是液晶显示面板。
17.如权利要求10记载的显示模块，其特征在于：
所述显示面板是液晶显示面板。
18.如权利要求11记载的显示模块，其特征在于：
所述显示面板是液晶显示面板。
19.如权利要求12记载的显示模块，其特征在于：
所述显示面板是液晶显示面板。
20.如权利要求13记载的显示模块，其特征在于：
所述显示面板是液晶显示面板。
21.如权利要求14记载的显示模块，其特征在于：
所述显示面板是液晶显示面板。
22.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括下述工序：
采用绝缘膜的表面上存在0.5～12.0atomic％(表面元素浓度)的作为构成元素的硅(Si)之硅偶连剂对由有机物构成的绝缘膜进行表面处理；
在由有机物构成的绝缘膜所形成的基板上形成布线图形，并安装半导体芯片。
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