TWI286678B - Method for the removal of deposition on an optical element, method for the protection of an optical element, semiconductor manufacturing method, apparatus including an optical element, and lithographic apparatus - Google Patents

Description

1286678 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種除去一光學元件上沉積物之方法、一 種光學元件之保護方法、一種器件製造方法、一種包含光 學元件之裝置及一種微影裝置。 【先前技術】 微影裝置為將所要圖案塗覆於基板上（通常塗覆於基板 之目標區上）的機器。微影裝置可用於（例如）積體電路（ic) 之製造中。在彼實例中，可使用一圖案化器件（或者稱為 光罩或主光罩）以產生一待形成於IC之個別層上的電路圖 案。可將此圖案轉移至基板（例如矽晶圓）上之目標區（例如 包含部分、一或若干晶粒）上。圖案之轉移通常經由在提 供於基板上之輻射敏感材料（抗蝕劑）層上成像而達成。通 常，單個基板將含有被連續圖案化之相鄰目標區之一網 路。已知微影裝置包含：步進器，其中藉由一次將整個圖 案曝露於目標區上而照射每一目標區；及掃描器，其中藉 由在一給定方向（”掃描”方向）上經由輻射束掃描圖案而同 時平行或反平行於此方向同步掃描基板來照射每一目標 區。亦能夠藉由將圖案壓印在基板上而將圖案自圖案化器 件轉移至基板。 在微影裝置中，可在基板上成像之特徵的尺寸受投影輻 射之波長的限制。為製造具有更高器件密度及由此之更高 操作速度的積體電路，需要能夠使較小特徵成像。儘管大 多數當前微影投影裝置使用藉由汞燈或準分子雷射器產生 105170.doc 1286678 之紫外光，但是已提議使用更短波長的輻射，例如約u nm之波長。此輻射被稱為遠紫外線（Euv)或軟射線，且 可能之源包含（例如）產生雷射之電浆源，&電電裝源或來 • 自電子儲存環之同步加速器輻射。 • EUV輻射之源通常為電漿源，例如一產生雷射之電漿或 一放電源。任何電漿源之共同特徵在於固有地產 • ^及原子，該等離子及原子在所有方向上自電漿射出。、此 冑粒：會損壞通常為具有易碎表面之多層式鏡面的集光器 及聚光器鏡面。此表面由於自電漿射出之粒子的衝擊或賤 射而逐漸降級，且該等鏡面之壽命因此而減少。對於集光 器鏡面而言，濺射效果尤其成問題。此鏡面之目的在於收 #藉由電聚源而在所有方向上發射之輻射且將其朝照明系 統中之其它鏡面導引。集光器鏡面被定位於非常接近電漿 源處且在其視線内，且因此自該電浆接收較大流量的快速 粒子。因為系統中之其它鏡面在某種程度上被屏蔽，所以 φ 其通常被自電聚射出之粒子的濺射損害的程度較小。 為防止集光器鏡面被碎片粒子損害，美國專利申請公開 案2〇〇2/〇051124 A1揭示了一在鏡面表面上之頂蓋層以保護 鏡面免受藉由自|聚源射出之快速離子及原？㈣致的濺 •射損害。將烴添加至含有鏡面之空間，且其物理或化學地 吸附至鏡面之表面且因此在表面上形成保護層。此表面層 由烴分子及可能之存在於系統中作為雜質之其它污染物粒 子以及自氣體供應引入系統中之任何另外的分子組成。當 藉由電漿產生之快速離子及原子撞擊鏡面之表面時，其接 105170.doc 1286678 觸該保護層，藉此將烴分子自頂蓋層移去，且避免了對鏡 面表面自身之損害。可使用動態頂蓋層。此為被連續濺射 掉且以另外之分子替代且因此層之厚度保持大體上恆定或 在可接受範圍内的頂蓋層。為達成此，需監控鏡面之反射 性及/或空間之背景壓力。 在不遠的將來，遠紫外線（EUV)源可使用錫或另一金屬 蒸氣以產生EUV輻射。此錫可滲入微影裝置且將沉積於微

影裝置中之鏡面上，例如輻射集光器之鏡面。預示此輻射 集光器之鏡面為多層式鏡面且其可具有釕（Ru)之EUV反射 頂層。在反射Ru層上之超過近似1〇 nm之錫（Sn)的沉積層 將以與塊狀Sn相同之方式反射EUV輻射。預想1〇 nmiSn 層在基於Sn之EUV源附近會很快沉積。因為錫之反射係數 大大小於釕之反射係數，所以集光器之總透射率將顯著減 小。美國專利申請公開案2〇〇2/〇〇51124Al2方法不適於自 類似鏡面表面的光學元件之表面除去（例如）Sn沉積物，亦 不適於自光學元件除去（例如）Si沉積物。美國專利申請公 開案2002/0051124 A1亦未處理光學元件上之粒子及苴它污 染物之錢射。因此需要-種改良之方法來處理此問題。 【發明内容】 ^發明之-態樣係提供-種用於除去一包含光學元件的 元件上沉積物的方法。本發明之另外的態樣係 ;供：種用於保護—包含光學元件的裝置之光學元件的方 法。本發明之又-態樣係提供一種 之另-態樣係提供—種包含光學元：方:如本發明 卞 < 扃置，例如微影裝 105170.doc 1286678 置，其中可應用本發明之方法。 根據本發明之一實施例，一種用於除去一包含光學元件 的裝置之光學元件上沉積物的方法包含：在至少部分裝置 中提供一含有Η:之氣體；自含有&之氣體的h2產生氫基； 及使具有沉積物之光學元件與至少部分氫基接觸且除去至 少部分沉積物。 在另一實施例中，沉積物包含選自B ' C、Si、Ge& Sn 之一或多種元素。由於在類似微影裝置的裝置中之非所要 之烴的存在，C(碳）可（例如）為光學元件上之沉積物，但亦 可故意存在作為保護頂蓋層。Si(矽）亦可故意存在作為保 護頂蓋層’而Sn(錫）可由於產生Sn之源而存在。另外，Si 可由於抗蝕劑之釋氣性而存在作為沉積物。在另外的實施 例中’至少部分氫基係藉由選自用於將Η:轉換為氫基的熱 長絲、電漿、輻射及催化劑的一或多個基形成器件而自含 有H2之氣體的H2產生。氫基與Sn(或Sn氧化物）、c、Si(或 Si氧化物）等反應，從而導致可藉由（例如）排氣裝置除去的 揮發性氫化物。可能已經氧化或可至少部分作為氧化物存 在而作為沉積物或頂蓋層的Sn及Si可分別減少為元素的Sn 及Si，且可作為氫化物或作為_化物而被除去。因此，在 又一實施例中，含有Ha之氣體可進一步包含鹵素氣體。鹵 素可形成揮發性鹵化物，且可改良（例如）Sn及以沉積物之 除去。 根據本發明之一實施例，一種用於保護一包含光學元件 的裝置之光學元件之方法包含：藉由沉積過程而對光學元 105170.doc 1286678 件提供頂蓋層；及在使用裝置期間或使用裝置後，在除去 過程中自光學元件除去至少部分頂蓋層，其中該除去過程 包含在至少部分裝置中提供含有H2之氣體；自含有h2之氣 體之％產生氫基；及使具有頂蓋層之光學元件與至少部分 氫基接觸且除去至少部分頂蓋層。 在另一實施例中，用於藉由沉積過程而對光學元件提供 頂蓋層之過程包含：提供一包含選自B、C、以及Ge之一 或多種元素的原料；自原料提供包含選自B、c、Si及Ge 之一或多種元素的能夠提供沉積物的物質；及使能夠產生 沉積物之該等物質與至少部分光學元件接觸。 在又一實施例中，用於藉由沉積過程而對光學元件提供 頂蓋層之過程包含：提供一包含選自B、c、Si及Ge之一 或多種元素的氣體；自氣體提供包含選自B、c、Si&Ge 之一或多種元素的能夠產生沉積物的物質；及使能夠產生 沉積物之該等物質與至少部分光學元件接觸。 該沉積物可用作頂蓋層。可用以提供頂蓋層之物質為 (例如）Si及C，且B(硼）或Ge(鍺）原子及粒子以及類似於（例 如）SiH2之中間產物可形成（si)沉積物。因此，原料可包含 氣體，其包含（例如）氫化硼、烴、矽烷或氫化鍺或其之 兩種或兩種以上的組合。在本發明之一實施例中，藉由熱 長絲、電漿或輻射而提供能夠提供沉積物之物質。在另一 實砭例中，藉由熱長絲沉積物而產生頂蓋層，且在又一實 轭例中，藉由選自B(例如得自氫化硼，諸如BH3)、c(例如 知自：k，諸如CH4)、Si(例如得自石夕烷，諸如Ge(例 105170.doc -10- 1286678 如得自氫化鍺，諸如GeHO之一或多種元素的熱長絲沉積 物而產生頂蓋層。在另一實施例中，藉由物理氣相沉積而 不是化學氣相沉積來提供能夠提供沉積物之物質，且可應 用（例如）Si及Ge之氧化物或金屬來替代氣體作為原料。元 素的Si及Ge經蒸發或激射掉而作為可沉積於光學元件上之 物質。因此，在一實施例中，頂蓋層包含選自B、C、Si及 Ge之一或多種元素。 在本發明之另一實施例中，裝置為微影裝置。另外，在 本發明之另一實施例中，光學元件包含鏡面或格柵，例如 集光器鏡面或多層式鏡面。在另一實施例中，光學元件包 含感應1§或主光罩。 在又一實施例中，裝置經設計而藉由輻射束照射光學元 件。在另一實施例中，光學元件包含感應器且經設計以對 準裝置之其它光學元件或部件（例如光罩、波形轉換器、 光罩台、晶圓臺等）。包含光學元件之裝置可經設計以提 供輻射束’諸如微影裝置。在又一實施例中，光學元件包 含一經設計以量測其它光學元件之特性（例如集光器鏡面 之反射的光學特性）的感應器。在再一實施例中，輻射包 含具有選自5-20 nm之範圍之波長的EUV輻射。在又一實 施例中，輻射包含具有選自365 nm、248 nm、193 nm、 157 nm、126 nm之波長的輻射，但是輻射亦可包含可用於 微影應用中之其它波長。 在使用光學元件期間或使用光學元件後，可部分或完全 地除去頂蓋層。在一實施例中，裝置之使用包含藉由輻射 105170.doc -11 - 1286678 束照射光學元件，例如應用EUV輻射的微影裝置之使用。 在使用期間，可能由於（例如）§11沉積物及/或（例如）藉由來 自源之Sn粒子來濺射掉部分頂蓋層而使頂蓋層退化。因 此，在使用後，或甚至在使用期間，可至少部分除去頂蓋 層，且可在光學元件上或在光學元件上之部分除去之頂蓋 層上產生新的頂蓋層。因此，在另一實施例中，在裝置之 至少部分使用期間，Sn沉積於至少部分頂蓋層上或除去至 >、邓刀頂蓋層。因此，在另外的實施例中，沉積物包含至 Sn且在其變化中，頂蓋層包含至少。在使用期間， 可發生沉積及除去兩個過程，藉此提供退化之頂蓋層。在 一另外的實施例中，在裝置之至少部分使用期間，（例如） 由於自抗蝕劑之釋氣性，Si沉積於至少部分頂蓋層上。因 此，在另一實施例中，沉積物包含至少Si，且在其變化 中’頂蓋層包含至少Si。 在另一實施例中，在除去過程中藉由蝕刻而除去頂蓋 層，且在又一實施例中，在除去過程中藉由使頂蓋層與氫 基接觸而除去頂蓋層。可以不同方式產生氫基。在根據本

發明之方法的一實施例中，至少部分氫基係藉由選自用於 將&轉換為氫基的熱長絲、電漿、輻射及催化劑的一或多 個基形成器件而自含有Hz之氣體的私產生， 吸附於催化劑表面的Η基或Η原子。催化劑可包== 渡金屬之催化劑，諸如包含Pd、扒、Rh、的催化 劑。催化劑亦可包含1111層，例如掠入射鏡面之表面或多層 之表面，其中Ru包含於頂層中。用於產生基之輻射可包| 105170.doc -12- 1286678 諸如EUV輻射、DUV輻射、UV輻射的輻射，例如包含具 有選自193 nm、157 nm及126 nm之波長的輻射之輻射，且 輻射可包含諸如電子束或電離輻射之輻射，使得可由氮形 成氫基。 根據本發明之另外的實施例，提供了一種方法，其中在 包含光學元件之裝置異地提供至少部分頂蓋層，且根據再 一實施例，提供了一種方法，其中在包含光學元件之裝置 異地除去至少部分頂蓋層。 根據本發明之一另外的實施例，一種器件製造方法包 含·提供一包含照明系統及投影系統之微影裝置，該微影 裝置進一步包含一光學元件；將圖案化之輻射束投影於被 輻射敏感材料層至少部分地覆蓋的基板之目標區上；藉由 沉積過程對光學元件提供頂蓋層；且在使用裝置期間或使 用裝置後’在包含在至少部分裝置中提供含有出之氣體的 除去過程中自光學元件除去至少部分頂蓋層；自含有^之 氣體的H2產生氫基；及使具有頂蓋層之光學元件與至少部 分氫基接觸且除去至少部分頂蓋層。 根據本發明之再一實施例，該裝置包含：一光學元件； 一經組態以在至少部分裝置中提供含有H2之氣體的入口； 及一經組態以自含有H2之氣體的h2產生基的氫基產生器。 根據另外的實施例，該裝置包含：一光學元件；一經組 態以在至少部分裝置中提供含有H2之氣體的入口； 一經組 態以自含有H2之氣體的H2產生基的氫基產生器；及一沉積 物產生器，其中該沉積物包含選自B、C、Si及Ge之一或 105170.doc • 13 - 1286678 多種元素。 根據再一實施例，氫基產生器包含一選自經組態以將Η: 轉換為氫基的可加熱之長絲、電漿產生器、輻射源及催化 劑的基形成器件。Ru包含於頂層中。輻射源可為一經組態 以產生諸如EUV輻射、DUV輻射、UV輻射的輻射（例如包 含具有選自193 nm、157 nm及126 nm之群之波長的輻射之 輻射）的源，且輻射源可產生諸如電子束或電離輻射之輻 射，使得可由氫形成氫基。在另一實施例中，微影裝置之 源被用作輻射源以產生基。 根據另一實施例，沉積物產生器經組態以產生一包含選 自B、C、Si及Ge之一或多種元素的沉積物，且包含選自 可加熱之長絲、用於產生電漿之產生器及輻射源的器件。 根據本發明之再一實施例，裝置包含一經組態以提供一 包含選自B、C、Si及Ge之一或多種元素的氣體的入口。 可引入該氣體使得可藉由（例如）熱長絲產生物質以在光學 元件上產生頂蓋層。在再一實施例中，該裝置進一步包含 一經組態以提供原料之入口。 根據本發明之再一實施例，微影裝置包含：一光學元 件；一經組態以調節輻射束之照明系統；一經組態以支撐 圖案化器件之支撐件，该圖案化器件經組態以在輻射束之 橫截面中賦予其圖案以形成圖案化輻射束；一經組態以固 持基板的基板台；一經組態以將圖案化輻射束投影於基板 之目4示區上的投影系統，一經組態以在至少部分裝置中提 供含有H2之氣體的入口；及一經組態以自含有出之氣體的 105170.doc •14- 1286678 h2產生基的氫基產生器。

根據再一實施例’微影裝置包含：一光學元件；一經組 態以調節輻射束之照明系統；一經組態以支樓圖案化器件 之支撐件，該圖案化器件經組態以在輻射束之橫截面中賦 予其圖案以形成圖案化輻射束；一經組態以固持基板的基 板台；一經組態以將圖案化輻射束投影於基板之目標區上 的投影系統；一經組態以在至少部分裝置中提供含有私之 氣體的入口； 一經組態以自含有Η:之氣體的仏產生基的氳 基產生器，及一沉積物產生器，其中該沉積物包含選自 B、C ' Si及Ge之一或多種元素。 根據本發明之再一實施例，一種用於除去一包含光學元 件的裝置之光學元件上沉積物（且其中沉積物包含選自由 B、Si、Ge及Sn組成之群的一或多種元素）的方法包含··在 至少部分裝置中提供含有①之氣體；自含有h2之氣體的出 產生氫基，及使具有沉積物之光學元件與至少部分氫基接 觸且除去至少部分沉積物。 在再一實施例中，沉積物包含至少Si。 根據本發明之再一實施例，裝置包含··一光學元件；及 一經組態以提供包含Sn之沉積物的沉積物產生器。 在再#施例中，裝置進一步包含一經組態以提供包含

Sn之原料的入口。原料可為一可用以使用cvd技術（例如 使用熱長絲）來產生頂蓋層的氣體，但是原料亦可為“之 金屬或氧化物’其可藉由PVD技術而提供待沉積的元素的 Sn 〇 105170.doc -15- 1286678 根據另一實施例，裝置為一用於EUV微影的微影裝置。 【貫施方式】 圖1不意性地描繪了根據本發明之一實施例的微影裝置 1。該裝置1包含一經組態以調節輻射束B(例如uv輻射或 EUV輻射）的照明系統（照明器）IL。一支撐件（例如光罩 台）MT經組態以支撐圖案化器件（例如光罩）MA且連接至一 經組態以根據某些參數精確定位圖案化器件的第一定位器 件PM。基板台（例如晶圓臺）WT經組態以固持基板（例如塗 覆抗蝕劑之晶圓）W且連接至一經組態以根據某些參數精確 定位基板的第二^位器件請。投影系統（例如折射投影透 鏡系統）PL經組態以將圖案化輻射束B投影至基板w之目標 區C(例如包含一或多個晶粒）上。 照明系統可包含用於導引、成形或㈣㈣的各種光學 組件，諸如折射、反射、磁性、電磁、靜電或其它類型之 光學組件，或其任何組合。 支撐件MT支撐圖案化器件MA，例如承受其重量。其以 _案化器件之定向、微影裝置之設計及諸如（舉例而言） 圖案化器件是否固持於真空環境中的其它狀況而定的方式 固持圖案化器件。支律件可使用機械、真空、靜電或盆它 夹持技術來固持圖案化器件。該支撐件可為(例如)可按昭 要求為固定或可移動的框架或台。該切件可球保圖案化 為件在（例如）相對於投影系統的所要位置處。 本文中對術語"主光罩，，或"光罩"的任何使料認為與更 普通術語”圖案化器件”同義。 105I70.doc

-16- 1286678 如本文使用之術語，，圖案化器件”應廣泛地解釋為係關於 可用以在輕射束之橫截面中賦予其圖案以便在基板之目標 區中產生圖案的任何器件。應注意，例如若圖案包含相移 特徵或所謂的輔助特徵，則賦予輻射束之圖案可能不完全 對應於基板之目標區中所要的圖案。通常，賦予輻射束之 圖案將對應於待產生於諸如積體電路之目標區中的器件中 • 之特定功能層。 _ 一圖案化器件為透射型或反射型。圖案化器件之實例包含 光罩、可程式化鏡面陣列及可程式化LCD面板。在微影中 光罩已為吾人所熟知，且其包含諸如二進位、交變相移及 衰減相移之光罩類型以及各種混合光罩類型。可程式化鏡 面陣列之實例使用小鏡面之矩陣配置，其每一者可個別地 傾斜以便在不同方向上反射入射輻射束。傾斜之鏡面在可 藉由鏡面矩陣反射的輻射束中賦予圖案。 如本文使用之術語"投影系統”應廣泛地解釋為包含任何 φ 類型的投影系統，包含折射、反射、折反射式、磁性、電 磁及靜電光學系統或其任何組合，因為其適用於所使用之 曝露轄射或適用於諸如使用浸沒液體或使用真空之其它因 素。本文中對術語"投影透鏡”之任何使用可認為與更普通 術# "投影系統’’同義。 如本文所描繪，裝置為（例如）使用反射光罩的反射類 型。或者’裝置可為（例如）使用透射光罩的透射類型。 微影裝置可為具有兩個（雙平臺）或兩個以上基板台（及/ 或兩個或兩個以上之光罩台）的類型。在此等”多平臺，，機器 105170.doc •17. 1286678 中，可平打使用額外的台，或可在—或多個臺上進行預備 步驟而一或多個其它台用於曝露。 微影裝置亦可為其中至少一部分基板可由具有相對較高 折射率之液體（例如水）覆蓋以便填充投影系統與基板間之 二間的類型。浸沒液體亦可應用於微影裝置中之其它空 間，例如光罩與投影系統之間。用於增加投影系統之數值 孔徑的浸沒技術在此項技術中已為吾人所熟知。如本文所 使用之術語"浸沒”並不意指諸如基板之結構必須淹沒在液 體中，而是液體在曝露期間位於（例如）投影系統與基板之 間。 參看圖1，照明器IL接收來自輻射源s〇之輻射。例如當 源為準分子雷射器時，源及微影裝置可為獨立實體。在此 等狀況下，不考慮使源形成微影裝置之部分，且輻射借助 於一包含（例如）適當的導引鏡面及/或射束放大器的傳遞系 統BD而自源SO傳到照明器IL。在其它狀況下，例如當源 為水燈k ’源可為微影裝置之整合部分。源S 〇及照明器 IL，以及射束傳遞系統BD(若需要）可稱為輻射系統。 照明器IL可包含一經組態以調整輻射束之角強度分佈的 調整器件AD。通常，可調整在照明器之瞳孔平面中的強 度分佈之外部及/或内部徑向範圍（通常分別稱為〜外部及 σ-内部）。此外，照明器IL可包含各種其它組件，諸如積 光器IN及聚光器C0。照明器可用以調節輻射束，以在其 橫截面中具有所要的均一性及強度分佈。 輻射束B入射於被固持於支撐結構（例如光罩台MT)上的 105170.doc -18 - 1286678 圖案化器件（例如光罩ΜΑ)上，且藉由圖案化器件而圖案 化。在已橫越過光罩ΜΑ後，輻射束Β通過投影系統pl， 其將射束聚焦於基板W之目標區C上。借助於第二定位5| 件PW及位置感應器IF2(例如干涉量測器件、線性編碼器或

電容感應器），可精確移動基板台WT(例如）以便在輻射束B 之路徑中定位不同目標區C。類似地，例如在自光罩庫機 械檢索後或在掃描期間，第一定位器件PM及位置感應器 IF1(例如干涉量測器件、線性編碼器或電容感應器）可用以 相對於輻射束B之路徑精確定位光罩MA。通常，光罩台 MT之移動可借助於形成第一定位器件pM之部分的長衝程 模組（粗定位）及短衝程模組（精細定位）而實現。類似地， 基板台wt之移動可使用形成第二定位器件pw之部分的長 衝程杈組及短衝程模組而實現。在步進器之狀況下，與掃 描裔相反，光罩台MT可僅連接至短衝程致動器、，或可固 疋。可使用光罩對準標記⑷、M2及基板對準標記以、Μ 來對準光罩ΜΑ及基板w。雖然所說明的基板對準標記佔 據專用目；^區，但是其可位於目標區之間的空間中。此等 被稱為切割道對準標記。類似地，在其中-個以上之晶粒 提供於光罩MA上的情況中，光罩對準標記可位於晶粒之 間。 所描綠之裝置可以以下模式之至少一種來使用：

〜1·在步進模式中，光罩台MT及基板台^保持基本固 :二時-次將賦予輻射束之整個圖案投影於目標 早個靜態曝露)上。然後在―或Y方向上移動基板台WT 105170.doc -19· 1286678 使得可曝露不同目標區c。在步進模式中，曝露場之最大 尺寸限制了成像於單個靜態曝露中的目標區c之尺寸。 2·在掃描模式中，同步掃描光罩台MT及基板台Wt， 同時將賦予輻射束之圖案投影於目標區（即單個動態曝露） 上。基板台WT相對於光罩台MT之速度及方向可藉由投影 系統PS之放大（縮小）及影像逆轉特徵而判定。在掃描模式 中’曝露場之最大尺寸限制了在單個動態曝露中的目標區 之（在非掃描方向上的）寬度，而掃描運動之長度則判定了 目標區之（在掃描方向上的）高度。 3·在另一模式中，光罩台MT保持基本固定，從而固持 可程式化圖案化器件，且移動或掃描基板台WT，同時將 賦予輻射束之圖案投影於目標區C上。在此模式中，通常 使用脈衝輻射源，且在基板台WT之每一移動後或在掃描 期間的連續輻射脈衝之間根據要求更新可程式化圖案化器 件。此操作模式可不難應用於利用諸如上文提及之類型的 可程式化鏡面陣列的可程式化圖案化器件的無光罩微影。 亦可使用上述有用模式之組合及/或變化或有用之完全 不同的模式。 術語π透鏡”在本文許可處可係指包含折射、反射、磁 性、電磁及靜電光學組件的各種類型之光學組件的任何一 種或組合。 在本發明之内容中，”光學元件，，包含選自濾光器、光學 格拇、鏡面（諸如多層式鏡面、掠入射鏡面、正入射鏡 面、集光器鏡面等）、透鏡、主光罩、二極體、感應器（諸

105170.doc -20- 1286678 如強度量測感應器、能量感應器、CCD感應器）、對準感 應器（諸如光學對準感應器）、氣障結構（例如如美國專利 6,6m，·及6,359,969所描述，該等專利案以引用的方式併 入本文中）等的一或多個元件。此等諸如濾光器、袼栅、 鏡面或透鏡之光學元件可為扁平或彎曲，且可存在作為 層、箔、器件等。在本發明之一實施例中，諸如濾光器、 光學格柵、類似於多層式鏡面、掠入射鏡面、正入射鏡 面、集光器鏡面之鏡面、透鏡等之光學元件可被激發或最 佳化而用於具有預定波長λ(如5-20 nm，即EUV輻射248 nm、 193 nm、157 nm或126 nm等）之輻射。其亦可在透鏡之狀 況下對具有波長為λ之輻射透射，或在鏡面之狀況下對其 反射，或在格柵之狀況下對其繞射。某些光學元件可提供 一或多個此等光學效應，參見（例如）歐洲專利申請案第 03077155號及歐洲專利申請案第〇3〇7785〇號，該等申請案 以引用的方式併入本文中。 如熟習此項技術之一般技藝者所瞭解，如本文使用之術 語”層’’在使用中可描述與其它層及/或與其它諸如真空之媒 介具有一或多個邊界表面的層。然而，應瞭解，"層"亦可 意指結構之部分。術語，，層"亦可指示大量層。此等層可（例 如）彼此相鄰或彼此在對方頂部等。其亦可包含一種材料 或材料之組合。亦應注意，本文所使用之術語”層”可描述 連續或不連續的層。在本發明中，本文使用之術語，，材料，， 亦可解釋為材料之組合。如熟習此項技術之一般技藝者所 瞭解，本文所使用之術語"沉積物”可指化學或物理地附著 105170.doc -21 - 1286678 至表面(例如光學兀件之表面)的材料。雖然此沉積物可為 L s <一疋其亦可包含多層式結構。_然沉積物可包含 頂蓋層’但疋其亦可包含非所要之類似於自源濺射之(元 素的）粒子的沉積物。沉積物亦可包含再沉積產物或蒸發 產物。沉積物亦可包含頂蓋層作為(例如)在使用具有濺射 粒子之源的裝置後之包含此等濺射粒子，《包含來自包含 選自由B、C、Si、Ge&Sn組成之群的一或多種元素之一 種的材料之沉積物的保護層。如熟習此項技術之一般技藝 者將瞭解，在短語”其中沉積物包含選自B、C、si、^及 Sn之或夕種元素或"其中頂蓋層包含選自b、C、Si及CJe 之一或多種元素，，中的術語"元素"本文中指的是包含此等 元素或包含含有此荨元素之粒子，或包含.含有此等元素 或其組合之諸如Si氧化物、Si碳化物等之化合物的沉積物 或頂蓋層。短語’’包含選自B、c、Si及Ge之一或多種元素 的沉積物"可指包含原子的B、C、Si或Ge或其組合的單層 或多層。 短語’’包含選自B、C、Si及Ge之一或多種元素的原料，，係 指B、C、Si及Ge之氣體（例如氫化物）、化合物（例如μ氧化 物）、金屬及元素。如熟習此項技術之一般技藝者將瞭 解’短語’’包含選自B、C、Si及Ge之一或多種元素的氣體” 係指在氣相中之此等元素及/或B、C、Si及Ge之揮發性化 合物，例如氫化物，雖然亦可選擇其它揮發性化合物，諸 如金屬烴化合物，例如四甲基石夕烧、四乙基石夕烧等。原料 (或氣體）可用以提供能夠產生沉積物的物質。舉例而言， 105170.doc -22- 1286678 S1H4可附著至光學元件之表面，且藉由熱長絲之熱量或藉 由幸田射等而產生Si頂蓋層。本文中，該等物質為原料自 身。另外，例如，SiHU可轉換為類似於siH_2及以之可在光 學疋件上形成Si頂蓋層或沉積物的物質。本文中該等物質 為SiH2及Si。在另一實例中，原料為（例如）Si〇4Si〇2且藉 •由PVD過程而提供在光學元件上形成沉積物的Si元素。此 處該4物質為Si元素。因此，短語"能夠產生沉積物之物 _ 質π係指能夠產生沉積物或頂蓋層的原料或中間產物或元 素’且術語"原料”係指可藉由（例如）化學氣相沉積過程或 物理氣相沉積過程提供藉由此等過程在光學元件上產生沉 積物或頂蓋層的物質的元素、氣體、金屬、金屬氧化物 等。如熟習此項技術之一般技藝者將瞭解，雖然存在類似 於Ar等之氣體，但是由於在用於EUV應用之裝置中遺留一 些氧，所以在光學元件上之沉積物或頂蓋層亦可包含氧化 物。另外，由於存在烴，所以亦可形成碳化物或碳氧化 — 物。 i 如本文使用之術語"輻射，，及”射束”包含所有類型的電磁 輻射，包含紫外（UV)輻射（例如具有365、248、193、157 或126 nm之波長λ)及遠紫外（EUV或軟X射線）輻射（例如具 有在5_20 nm之範圍内的波長），以及諸如離子束或電子束 之粒子束。通常，具有在約780-3000 nm(或更大）間之波長 • 的輻射被認為是IR輻射。UV係指具有近似100-400 nm之波 長的輻射。在微影中，其亦通常應用於可藉由汞放電燈產 生之波長：G線43 6 nm ; Η線405 nm ;及/或I線365 nm。 105170.doc -23- 1286678 VUV為真空uv(即被空氣吸收之uv)且係指近似丨〇〇·2〇〇 nm 之波長。DUV為深UV，且通常用於藉由準分子雷射器產 生之類似126 nm至248 nm之波長的微影中。如熟習此項技 術之一般技藝者將瞭解，具有在（例如）5-2Q nm之範圍内的 波長的輪射係關於具有特定波長頻寬的輻射，其至少部分 可在5_20 nm之範圍内找到。 圖2更詳細地展示了投影裝置}，包含輻射系統42、照明 φ 光學單元44及投影系統PL。輻射系統42包含可藉由放電電 漿形成的輻射源SO。可藉由其中產生非常熱之電漿以發射 在電磁波譜之EUV範圍内之輻射的諸如Xe氣體、Li蒸氣或 Sn蒸氣之氣體或蒸氣而產生EUV輻射。藉由使放電之部分 離子化電漿壓縮至光軸Q而產生非常熱之電漿。可要求 Xe、Li、Sn蒸氣或任何其它合適氣體或蒸氣之1〇 Pa的分 壓來用於有效產生輻射。使藉由輻射源8〇發射之輻射自源 腔室47經由一定位於源腔室47中之開口中或開口後的氣障 • 結構或污染收集器49而進入集光器腔室48。氣障結構/污 染收集器49包含諸如（例如）詳細描述於美國專利6,614,5〇5 及6,3 59,969中的通道結構。 集光器腔室48包含一可藉由掠人射集光器形成的輻射集 光器50。通過集光器50之輻射被反射出一待聚焦於集光器 腔室48中之孔徑處之虛擬源點52中的格柵光譜過濾器51。 自集光器腔室48，輻射束56在照明光學單元料中經由正入 射反射器53、54而反射至一定位於主光罩 的主光罩或光罩上。形成圖案化射束57，其在投 105170.doc -24- 1286678 中經由反射元件58、59而在晶圓平臺或基板台WT上成 像。在照明光學單元44及投影系統PL中通常可存在比所展 示更多的元件。 輻射集光器50可為如歐洲專利申請案〇3〇77675 1中所描 述的集光器，其以引用的方式併入本文中。 圖2展不之所有光學元件及未在此實施例之示意性圖式 中展示的光學元件對於（例如）Sn之沉積物而言易於損壞。 光學το件輻射集光器50及格栅光譜過濾器51尤其為此狀 況。因此，本發明之方法可應用於彼等光學元件，以及正 入射反射器53 ' 54及反射元件58、59。圖3根據本發明之 一實施例示意性地描繪了如何對此等光學元件產生頂蓋 層。 圖3不意性地描繪了光學元件ι〇〇之表面之部分，且意欲 示意性地描述藉由沉積過程對光學元件100提供頂蓋層125 之過耘。應瞭解，光學元件1〇〇可為集光器5〇、格柵光譜 過/慮器51 ’其可為具有（例如）Rll塗層等之諸如si/]V[〇多層 式鏡面的多層式鏡面。 藉由氣體供應6(1)經過入口 2(1)引入可提供可產生頂蓋 層125之形成的物質的氣體1〇5(在此實施例中，已將sij^ 作為氣體原料之實例）。由於存在提供器件之物質（在此實 施例中為熱長絲11〇，其提供可沉積之物質），故實現了 Si 的/儿積，其在其它物質中產生Si丨丨5，其形成沉積物或頂 现層125及另外的氫12〇。熱長絲11〇可為w(鎢）或丁&(鈕）線 或線圈，其視材料種類及所要溫度及用以解離氣體1〇5中 105170.doc -25-

CD 1286678 物質之化學鍵所要的溫度而定可加熱至（例如）1500-3000 κ 或甚至更高，使得可由於Si 115之沉積而形成頂蓋層125。 舉例而言，可經由Ta薄線發送約20 A。長絲達到約2000· 2300 K(對於W通常為約1700-2500 K)之典型溫度，且此溫 度足夠高到使烴或矽烷之Si-H鍵或C-H鍵斷裂，從而產生 氫基。Si粒子（尤其是原子）π5得以形成且將沉積於光學元 件100上作為沉積物或頂蓋層125。亦形成氫基或氳氣 120 〇 用以產生氫基之長絲的使用可導致在待清理之表面上產 生具有長絲材料之污染物。使用包括鎢作為長絲材料的長 絲係有利的-對於鎢（1 nm/小時）而言，沉積於已使用氯基 清理的樣品上的長絲材料之量顯著小於鈕（4_8〇 nm/小 時）。可能的解釋可為： 1·已知鈕能夠形成氫化鈕（ThH)，而對於鎢而言不會存 在氫化物（www.webelements.com)。因此藉由類似於Sn_及 C-的氫基可蝕刻鈕，而鎢似乎缺少此過程。 2·鈕之蒸氣壓力比鎢之蒸氣壓力高K2級量值，從而導致 钽以19 nm/小時蒸發及鶴以。nmM、3f蒸發·參見圖^及 9b。纽之蒸發比鎢之蒸發約大1級。 亦可使用適當齒素（例如氯及/或氟）來除去具有長絲材料 之污染物： 可藉由氣化物清理來除去 ^ 矛人1C螞（V)具；; 286°C之沸點且氣化鎢（VI)具有346t 丨 、部點。大體上低;5 1 ·〇 13巴之分壓即可有效用於清理。亦 〜『使用氟化物來ί 105170.doc -26- 1286678 理鎢·· WF6具有17.3°C之沸點。 2·可藉由氣化物清理來除去鈕··氯化钽（v)具有233t 之沸點。 在應用長絲溫度（約2200°C )下的鎢之蒸氣壓力大體上仍 然具有實質性（6·6x 10宅巴），因此可能必須組合此等量測 以藉由長絲材料將污染物減少至可接受水平。 • SiH4為揮發性化合物。可選擇及控制SiH4之分壓及類似 於氣體105之氣流、光學元件100之溫度、氣體ι〇5之溫 籲 度、長絲U 0之溫度等的其它參數，使得獲得所要之沉積 速率。 氣體105亦可包含當以熱長絲i丨〇加熱時形成Si的其它石夕 烷或Si化合物而不是SiH4，但是氣體105亦可包含類似於 CH4、乙烷、丙烷、（異）丁烷等或此等之兩者或兩者以上 之組合的烴，或能夠形成沉積物的81及C化合物之組合。 以此方式’ S i可以至面約3 0 _ 6 0 nm/分的典型增長率沉積。 C可以至高約30-60 nm/分的增長率增長。si、C或Si及C之 頂蓋層125的層厚度可在約〇·5至20 nm之間，例如在約1與 5 nm之間。頂蓋層具有在層厚度之約丨_50%的粗糙度，例 如在層厚度之約10與約20%之間。替代或僅次於8丨及/或 C，亦可選擇B及/或Ge作為待沉積於光學元件ι〇〇上的材 •料。 ' 可視光學元件之種類、所應用之溫度及在長絲110之位 置與光學元件1〇〇處之裝置中的局部壓力而定將長絲11〇置 放於距光學元件1〇〇約0.1至50 cm的距離處。應瞭解，長 105170.doc -27- 1286678 絲110可包含配置於距光學元件1〇〇之表面適當距離處的大 里長絲。亦應瞭解，長絲11 〇(或若干長絲）可藉由電源（未 圖示）以受控方式（個別地）加熱，且可藉由可光學量測光學 兀件100之溫度或光學元件100之部分的局部溫度或空間之 溫度或光學元件100與長絲110間之空間之部分的局部溫度 的熱元件或其它器件（亦未圖示）來進一步控制。亦應瞭 解，層125及時沉積且因此圖3示意性地展示了其中存在此 層125之時間的特定時刻。 在至少部分使用（例如）微影裝置的裝置期間，由於源 S〇(未圖示）之發射，使得Sn可沉積於至少部分頂蓋層125 上或損壞且除去至少部分頂蓋層125。在使用光學元件1〇〇 後’頂蓋層125會呈現出有損壞且可包含非所要或會潛在 損壞光學元件1〇〇之諸如Sn的元素，且因此可除去頂蓋層 125且藉由新頂蓋層125來替代頂蓋層125。圖4亦示意性地 描繪了光學元件1 〇〇之表面之一部分，且意欲示意性地描 述除去沉積物或頂蓋層125之過程。層125可為如上文於圖 3所述之頂蓋層，其亦可為在使用一包含具有頂蓋層125之 光學元件100的裝置後之此頂蓋層125，其中由於頂蓋層之 使用’僅次於選自B、c、Si及Ge之一或多種元素，頂蓋 層125亦包含（例如）來自（圖1及2中所示的）源SO之Sn，或層 125可主要或完全包含非所要之諸如Sn或來自塑料管或其 餘氣體之烴等的沉積物。 參看圖4’藉由氣體供應6(2)經過入口 2(2)而在其中存在 光學元件100的空間中提供包含Hz之氣體155。由於存在熱 105170.doc -28- ⑧ 1286678 長絲110，使得氫氣在氫基165中解離。氫基165之部分將 與光學元件100之表面上的沉積物或頂蓋層125接觸，其中 氫基165可與Si(包含Si氧化物）、Sn(包含錫氧化物）及c等 之一或多者反應。以此方式，使具有沉積物125之光學元 件100與氫基165之至少部分接觸且除去至少部分沉積物 U5。形成揮發性氫化物17〇，其在圖4中指示為SiH4，但 其亦可包含氫化錫及/或諸如CH4之烴等。可藉由排氣裝置 或栗（未在圖3及4中展示）至少部分除去揮發性化合物17〇。 然而，亦可提供一或多個吸氣器板，其上氫化物可形成沉 積物，然後其不再對光學元件有害。可獲得⑺^丨5〇 nm/小 時之除去率。增長及除去率可得自異地X射線螢光光言普 學。以此方式，使用一種方法，其中藉由沉積過程對光學 元件100提供頂蓋層125 ;且其中在使用裝置期間或使用裝 置後，在除去過程中自光學元件1〇〇除去至少部分頂蓋層 125。在使用期間光學元件1〇〇被保護，且由於頂蓋層ι25 之更新而可連續使用。在使用一段時間後，具有頂蓋層 125之光學元件1〇〇可經受上述除去過程，包含··在至少部 分裝置中提供含有A之氣體155;自含有出之氣體之％產 生氫基165;及使具有頂蓋層125之光學元件1〇〇與至少部 分氫基165接觸且除去至少部分頂蓋層丨25。如先前技術所 建議’在不使用可能損害包含光學元件1〇〇之裝置之部件 的鹵化物之狀況下，可至少部分除去沉積物或頂蓋層 125，藉此除去損壞的頂蓋層125或包含Sn之頂蓋層125。 甚至已氧化之Sn可藉由氫基165作為Sn氫化物而被除去。 105170.doc -29- 1286678 可藉由排氣裝置（未圖示）自裝置除去此等揮發性化合物。 藉由執行本發明之方法，藉由頂蓋層125而保護光學元件 1〇〇免受Sn影響，而使光學元件1〇〇的光學特性更好且具有 更長壽命。舉例而言，可減小由於Sn之反射損失，且可易 於更新保遵的頂蓋層125而獲得光學元件100之延長的壽 命。其次，包含選自B、C、Si及Ge之一或多種的頂蓋層 125對於EUV輻射而言具有相對透射性，使得輻射不會藉 由頂蓋層125而大體上減少。 在此實施例中，產生氫基之器件為長絲11〇，且提供來 自選自B、C、Si及Ge之一或多者的沉積物的器件亦為長 絲110。此等長絲可為相同的或可為不同的長絲11〇。 氣體供應6(1)及6(2)與入口 2(1)及2(2)可分別為相同的氣 體供應及入口。另外，此入口可為一用以將氣體引入裝置 或自裝置除去氣體的一般入口。因此，如熟習此項技術之 一般技藝者將瞭解’此等供應及入口表示能夠引入氣體且 若可應用則能夠自包含光學元件100的裝置或裝置之部分 除去氣體的彼等器件。如熟習此項技術之一般技藝者應瞭 解，該等器件可含有泵、容器、（部分）壓力構件、流動控 制器、閥、排氣裝置等。 頂蓋層125不僅保護光學元件1〇〇免受來自源之錢射產物 或電子的影響，其亦保護光學元件1〇〇免受（例如）氧或水之 化學攻擊。 在此實施例之變化中，圖4可涉及一包含鏡面58或59(參 見圖2)之光學元件100，或可存在於投影系統PL(在此系統 105170.doc -30 - 1286678 PL中，例如可存在6個鏡面）中的另一鏡面或光學元件 100。存在於投影系統PL中以及裝置之其它部件中的光學 元件可包含藉由來自波形轉換器台WT(參見圖上之晶 圓上之抗蝕劑的Si之釋氣性而形成的沉積物125。根據圖4 所描繪之方法，此沉積物可用藉由熱長絲11〇或藉由本文 所述之其它器件產生的氫基165來除去。另外，氣體供應 6(2)可提供氫氣155，但是可進一步提供鹵素。氫基可將存 在於沉積物125中之Si的氧化物減少為元素的以，其可藉由 分別產生揮發性氫化物及函化物而被進一步除去。與此項 技術中僅使用鹵化物之已知方法相反，使用本發明之方法 亦可除去（例如）Si及Sn之氧化物。 參看圖3，藉由供應6(1)經由入口 2(1)引入包含CH4之氣 體105。由於存在可加熱至15〇〇-3〇〇〇 κ或甚至更高以解離 氣體105中之CH4之化學鍵的熱長絲11(),可實現c之沉 積，使得可由於C 115之沉積而形成頂蓋層125。亦形成氫 基或氫氣120。亦可使用其它烴來替代ch4。 在使用光學元件100後，頂蓋層125可被除去且藉由新頂 蓋層125而被替代。參看圖4，藉由供應6(2)經由入口 2(2) 向其中存在光學元件100的空間提供包含出之氣體155。由 於存在熱長絲110，使得氫氣在氫基165中解離。部分氫基 165將移至光學元件1〇〇之表面上的沉積物或頂蓋層125， 其中氫基165可與C或C及Sn(自源SO濺射）等反應。形成揮 發性氫化物170，其在圖4中指示為SiH4，但在此實施例中 其包含烴或烴及氫化錫。可藉由排氣裝置或泵（圖3或4中 105170.doc 31 ⑧ 1286678 未圖示）至少部分除去揮發性化合物17〇。 在本發明之一實施例中，光學元件1〇〇可為輻射集光器 5〇(亦參見圖2)。圖5示意性地描繪了集光器50之一部分， 包含第一鏡面30(1)及第二鏡面30(2)。輻射集光器5〇可包 含兩個以上之鏡面以收集EUV輻射35且以產生輻射束56。 在鏡面30(1)與30(2)間之空間180中，存在配置於Euv輻射 35外即在鏡面30(2)之陰影中的空間18〇之某些部分。此等 空間部分由灰色區域指示。例如，如具有長絲11〇〇)與 ιι〇(2)之圖所指示，此等空間可用於配置長絲11〇。碳或矽 之氫化物可進入空間180且藉由加熱長絲11〇，頂蓋層（未 圖示）形成於鏡面30(1)與30(2)上。同樣地，氫氣可進入空 間180且可藉由長絲11〇至少部分轉換為氫基165，其可除 去非所要的諸如Sn之沉積物或諸如碳頂蓋層、矽頂蓋層或 碳矽頂蓋層等的頂蓋層125，其中此等後面的層亦可包含 來自源SO(未圖示）之Sn。 在此實施例之變化中，氣體供應6(1)及6(2)可定位於其 中定位有集光器50之空間中。在另外的變化中，可以如此 方式定位氣體供應使得入口 2(1)及2(2)亦在配置於Euv輻 射35外即在鏡面3〇(2)之陰影中的空間18〇之部分中。圖5分 別展示了氣體供應6(1)及6(2)之位置的實例。應瞭解，I 或多個6⑴及6(2)可分別定位於其中存在集光器5〇(或其它 鏡面)的空間中，但僅具有一個入口 2(未圖示)之一個氣體 供應6可交替地提供所要氣體。 在本發明之再一實施命】中，元件1〇〇可為進一步具 105170.doc _32_ 1286678 有加熱元件38的集光器50。圖6示意性地描繪了集光器5〇 之部分，包含第一鏡面30(1)及第二鏡面30(2)。輻射集光 器50可包含兩個以上之鏡面以收集EUV輻射35且以產生輻 射束56。在鏡面30(1)與30(2)間之空間180中，存在配置於 EUV輻射35外即在鏡面30(2)之陰影中的空間180之某些部 分。此等空間部分由灰色區域用參考數字32及34來指示。 例如，此等空間可用以配置長絲110(如圖5所示）。圖6示意 性地展示了藉由控制器40控制的加熱元件38。加熱元件源 38可藉由連接器31而連接至鏡面3 ο。）。連接器31可傳導地 加熱。控制器40可建構為適當的程式化電腦或具有適當類 比及/或數位電路的控制器。加熱元件38產生由箭頭37指 示的熱量，其被導引至輻射集光器5〇之第一鏡面3〇(1)。加 熱元件38亦可實體地連接至鏡面3〇(1)。加熱器38可包含不 同加熱το件及/或可經配置而使得可選擇加熱鏡面3〇(1)之 不同區域。以此方式，可更好地控制頂蓋層之層的增長及 層的除去。加熱元件38可由控制器40控制，該控制器4〇亦 可控制泵29或諸如熱電偶、氣體壓力、氣流的量測器件、 分析鏡面30(1)之反射性的分析單元、量測頂蓋層厚度之分 析單το等（在圖6中未展示，但是在圖7中展示了某些此等 器件）。 在本發明之再一實施例中，如圖7示意性地展示，光學 T件可為輻射集光器50，其可為進一步具有加熱元件68的 夕層式鏡面。此多層式鏡面可包含至少4〇層、或至少5〇 層、至少60層，且可進一步包含Ru保護層（頂層）。 105170.doc -33- 1286678 如圖7所描繪之系統包含一將輻射射入腔室3的源腔室 47，其可為集光器腔室48(圖2所示）之部分或可為集光器腔 室48自身。該系統包含氣體供應6以供應烴氣體、矽烷氣 體或兩者。該供應包含所需氣體6之源及入口 2(在此圖 .中，僅展示了 一個氣體供應6,但可存在更多供應，參見 (例如）圖3-5)。將氣體供應至腔室3且可經由感應器5(其可 _耦合至控制器，例如圖5中之控制器40)來監控在腔室3中 _ 氣體的分壓。可提供反射性感應器7且可將其用以判定何 時集光器5〇之反射能力由於Sn之濺射、Si&/4C等層之增 長及沉積物或頂蓋層125之除去而分別減小或增加。另 外，可提供出口 22以除去氫氣、氫化物及（若適用）齒化 物。雖然此實施例描述了多層式鏡面，但是其並不意欲限 制本發明。一替代物為掠入射鏡面，輻射以小於約2〇。的 角度被導引於其上的鏡面，其不必包含多個層但可由單個 金屬層製造而成。當曝露於藉由EUV輻射源產生之原子及 φ 離子時，此等鏡面亦降級。可將相同的方法應用於此等鏡 面。 出口 22可用作排氣裝置以用於除去（例如）H2、烴等，但 亦可用於除去（例如）在本發明之方法中形成的揮發性產物 (副產物），諸如H20，Sn、Si、B、c、Ge之氫化物及鹵化 物與可行成之烴，諸如（^Η4等。此等出口亦可存在於其它 位置’例如接近圖3、4、5及6中之光學元件1〇〇處。 將參看圖2-4描述用於提供頂蓋層125的方法之應用。使 用諸如熱長絲沉積之化學氣相沉積技術，可在光學元件 105170.doc •34- 1286678 100上沉積矽或碳且可自光學元件100蝕刻矽或碳。此給出 Si或C之薄層125(或Si及c之層）作為該（等）光學元件上之頂 蓋層，其將保護其免受來自源SO之快速離子的蝕刻。因為 頂蓋層125可連續蝕刻及沉積以便保持具有某一厚度及粗 糖度的頂蓋層，所以層125可為動態層。此可在三個獨立 過程中完成，即：（1)沉積層125 ;然後（2)操作微影裝置； 及（3)停止裝置及蝕刻掉層125(其可藉由來自源s〇之諸如 Sn的快速原子及離子而減小及損壞，且其亦可包含Sn，其 次C、Si或Si及C)。或者，在又一實施例中，可在微影操 作期間使用線上蝕刻及沉積而同時完成所有三個過程。可 用作動態頂蓋層125之材料為Si、c、B&Ge或者可使用此 等元素之兩者或兩者以上之組合。可線上即當Euv微影機 器運作時完成矽（或B、C、Ge)層之蝕刻及沉積。此分別意 指當用輻射束照射光學元件100時，向光學元件1〇〇提供至 少部分頂蓋層125，或當用輻射束照射光學元件1〇〇時，自 • 光學元件100除去至少部分頂蓋層125。若氣體壓力可足夠 高，則此能夠實現。對於EUV輻射而言氫具有非常好之透 射率，其意指線上Μ亦可行。幸運的是，邮⑻沉積物 之源）及CH4(C之源）對於EUV輻射具有非常好之透射率且 •具有甚至比氬更好的透射率，氬為此刻廣泛使用之緩衝氣 •，參見圖8，其中給出彼等氣體相對於壓力的透射率。 田故忍引入此等氣體分別作為氣體1〇5或155時，分別連接 腔室或連接腔室之其它部分的腔室間或腔室之封閉部分間 (例如圖2中之輻射系統42或圖7中之腔室3)的壓力差不必太 105170.doc -35- 1286678 大。另外’ 及ch4亦可充當用於Euv碎片抑制的緩衝 氣體。 由於來自源之快速離子及沉積速率，使得在光學元件 100上之不同點可經歷不同㈣速率。此使得難以在光學 •元件100之整個表面上達成具有均一的頂蓋層厚度的平 衡此可藉由加熱元件（參見（例如）圖6及7)在光學元件100 •上以溫度梯度來解決，以便在光學元件100之某些部分中 肖加㈣速率。亦可使用冷卻元件。因此，可加熱光學元 件100之一或多個部件，同時向光學元件1〇〇提供頂蓋層 125或同時除去頂蓋層（或沉積物）125，且可冷卻光學元件 1〇〇之一或多個部件，同時向光學元件1〇〇提供頂蓋層 125，使得可提供均一的頂蓋層125且亦可均一地至少部分 除去頂盍層125。可用珀爾帖（pehier)元件來執行冷卻；可 用加熱元件且亦可用IR輻射來執行加熱。控制頂蓋層125 之厚度及均一性之其它方法可為改變氣體之壓力、長絲 馨 110之溫度、長絲110距光學元件1〇〇之距離或不同長絲11Q 之個別溫度及距離等。 在另一實施例中，藉由物理氣相沉積（PVD)來產生頂蓋 層125。為此，以此方式在一包含光學元件1〇〇之裝置中引 入元素的B、C、Si或Ge或此等元素之一或多者之組合使 得頂蓋層125形成於光學元件1〇〇上。舉例而言，電子束撞 擊一包含B、C、Si或Ge之原料，其導致能夠分別藉由濺 射及/或B、C、Si或Ge之元素及/或粒子之蒸發而產生沉積 物的物質之形成。物理氣相沈積可在微影裝置之原位執 105170.doc -36 - 1286678 行，藉此提供線上沉積技術，或在PVD裝置異地執行，藉 此提供離線技術。 在此實施例中，沉積物產生器產生一選自B、c、Si及 Ge之一或多者的沉積物且為輻射源，例如提供電子轟擊的 源。在使用光學元件後或使用光學元件期間，可藉由使用 氫基產生器而除去頂蓋層125，該氫基產生器可為諸如可 加熱之長絲、電漿產生器、可為相同源之輻射源及催化 劑，以將H2轉換為氫基。 在另一實例中，參看圖4，次於氫155 ,亦可引入鹵素。 舉例而言，可用藉由熱長絲110產生之氫基165來減少可能 已因存在氧而被部分氧化的Sn。然後Sn可進一步作為SnH4 170而除去，且亦作為§；n鹵化物除去。舉例而言，次於 氫，氣體155亦可包含(:卜或^。必須使用比當前已知過程 更少之鹵素。將相同過程應用於Si或Ge頂蓋層或沉積物。 在又一實施例中，電漿產生器替代長絲i丨〇用以產生氫 基165。此產生器可為高電壓產生器，例如在兩個電極之 間為約5·1〇 kV，藉此形成電漿。由於存在此電漿，使得 將來自包含氫之氣體155的氫至少部分地轉換為氫基165。 此電漿亦可分別用以自包含矽烷之氣體1〇5產生Si作為 原料或自包含烴之氣體105產生（::作為原料。在此實施例 中’氫基產生器為電漿，且用以自B、c、Si及Ge之一或 多者產生沉積物的沉積物產生器可為長絲丨丨〇、電漿或輻 射源。 在又實知例中，使用次於長絲11 〇的催化劑以將{^2轉 105170.doc -37- !286678 換為氫基。此可為含有以之催化劑，諸如包含Ru之沸石 或具有Rii之氧化鋁或諸如Rh、Ir、Pt、Pd等之其它金屬。 由於存在用於將H2轉換為氫基的催化劑，使得將來自包含 氫之氣體155的氫至少部分地轉換為氫基165。在此實施例 之變化中，催化劑及光學元件100包含Ru層，其可為光學 元件100上之Ru保護層，諸如鏡面，例如多層式鏡面、掠 入射鏡面等。在此實施例中，氫基產生器為催化劑，且沉 積物產生器可為用以提供頂蓋層125的長絲11〇或另_器 件0 在此實施例的内容中，尤其在光學元件上之1111層的内容 中，氫氣分子可在Ru之表面上解離，從而導致氫原子使用 化學方法吸附至表面。氫原子可移至（例如）Sn且作為氫化 物除去Sn，或移至Sn氧化物（例如Sn0/Sn02)且對Sn減少Sn 氧化物。氳原子亦可形成於很接近811或Sn氧化物（或分別 為Si及SiO/Si〇2等）之表面上且分別除去Sn或減少Sn〇。然 _ 後可藉由氫基、與層之表面結合的氫原子且藉由鹵化物 而除去元素Sn(亦參見（例如）實施例1及8)。

在又一實施例中，藉由對裝置引入烴且在接近光學元件 100處提供烴而產生頂蓋層125。由於用源照射，使得附著 (例如，由於凡得瓦爾力）至光學元件100之表面的烴被至少 • °卩刀轉換為一包含c的頂蓋層125。該源可提供EUV、DUV 或UV輻射。#外或其它，可使用提供電子之源，其亦可 將烴轉換為C，使得提供一包含C之頂蓋層125。在此實施 例之變化中，例如輕射源可為源SO(參見圖1及2)及/或獨 105170.doc

-38- l286678 立輻射源。 在本發明之此實施例中，自包含此光學元件i 〇〇的裝置 除去包含沉積物或頂蓋層125的光學元件1〇〇，且藉由以下 步驟在另一配置中之異地執行沉積物或頂蓋層除去過程： •在至少部分此配置中提供含有H2之氣體；自含有h2之氣體 的H2產生氫基；且使具有頂蓋層ι25之光學元件ι〇〇與至少 部分氫基165接觸且自在此配置中的光學元件1〇〇除去至少 ^ 部分頂蓋層125。 在本發明之此實施例中，自包含此光學元件1〇〇之裝置 除去光學元件100，且藉由沉積物產生器在另一配置異地 執行用以產生頂蓋層125的沉積，其中沉積物包含選自B、 C、Si及Ge的一或多種元素。或者，亦可沉積Sn的薄層， 例如若干nm，諸如約uonm或約2_40mn。 在此實施例中，在裝置中使用之特定時期後除去頂蓋層 125。除去可執行至待由圖7之感應器7偵測的某一參考值 % (例如在光學元件ι〇0為鏡面或格栅之狀況下光學元件100 之反射）。在裝置之每次使用後或在使用裝置某些時間後 可重複此過程。不必完全除去頂蓋層125，僅需對其執行 除去操作直至獲得某一參考值為止。在除去部分頂蓋層 I25後，可產生新的頂蓋層125，直至獲得第二參考值為 •止。在完全除去頂蓋層125後或在部分除去頂蓋層125後， 可以此方式獲得新的均一的層。 在此實施例中，該裝置為一用於微影的微影裝置，且輻 射束包含輻射。光學元件100為光學元件，例如一用以感 105170.doc -39- 1286678 應輻射強度的二極體，或一用以感應其它光學元件100之 光學特性的二極體，或一用以量測鏡面之反射性的如圖7 所示的感應器7，或一用於對準的感應器等。在（例如）用以 感應輻射強度之感應器的狀況下，可設計微影裝置以用輻 射束照射光學元件，但上述感應器亦可存在於裝置中其中 不存在導引輻射之位置處。可產生（例如）若干nrn之Si的大 體上針對輻射透明的頂蓋層125。 根據另一實施例，裝置包含一經設計以用於EUV微影的 微影裝置，例如根據圖2的裝置。 雖然在本文中可特定參考1C製造中之微影裝置的使用， 但是應瞭解，本文所描述之微影裝置可具有其它應用，諸 如整合光學系統、用於磁域記憶體之導引及偵測圖案、平 板顯示器、液晶顯示器（LCD)、薄膜磁頭等的製造。應瞭 解’在此等替代應用之内容中，本文中對術語”晶圓，，或 π晶粒"之任何使用可認為分別與更普通術語”基板，，或，，目標 區’’同義。本文提及之基板可在曝露前或曝露後在（例如）軌 道（通常將一層抗#劑塗覆於基板上且顯影曝露之抗餘劑 的工具）、計量工具及/或檢測工具中進行處理。若可適 用，則本文之揭示内容可應用於此等及其它基板處理工 具。另外，可對基板處理一次以上，（例如）以便產生多層 式1C，使得本文使用之術語基板亦可指一已含有多個處理 之層的基板。 雖然上文已在光學微影之内容中特定參考了本發明之實 施例的使用，但是吾人將除解，本發明可用於其它應用 105170.doc -40 - 1286678 Z，例如屢印微影，且在内容允許之狀況下其並不限於光 以影。在麼印微影尹，圖案化器件中之構形界定在基板 上產生的圖案。圖案化器件之構形可壓人供給基板的一層 抗钱劑中，隨之藉由應用電磁輻射、熱量力或其組合 而固化抗蝕齊卜在抗敍劑固化後’自抗钱劑移出圖案化器 件而在其中留下圖案。 儘管已在上文描述了本發明之特定實施例時，但是吾人 將瞭解’纟發明之實施方法亦彳不同於本文所描述之實施 方法。舉例而言，本發明可採用含有描述如上文揭示之方 法的機器可明取指令之一或多個序列的電腦程式或具有儲 存於其中之此電腦程式的資料儲存媒體（例如半導體記憶 體、磁碟或光碟）的形式。 上文之描述忍欲具有說明性而非限制性。因此，熟習此 項技術者將瞭解，可在不背離以下陳述的申請專利範圍之 範疇的前提下對本發明進行修正。 雖然描述了使用原子氫進行清理，但是吾人熟知，氫可 天然地含有氘（在6500個氫中具有一個原子）及氚。使用原 子同位素之富集混合物來清理可能係有利的。使用原子氘 來清理可能會更有利。氘可稱作，，標準，，氣體： -通常可購得瓶裝的氘。 •操作類似於氫。 氣之使用並不昂貴。可花費約1000歐元買到200巴之 50公升的瓶裝氘。因此含量為10000樣準公升。進行清理 的典型流篁為1000毫巴1/s (10毫巴的壓力而抽汲為1〇〇 105170.doc 1286678 1/s)。然後在10000 s後將用完一瓶。當清理循環通常持續 300 S時，此意指可用一瓶完成3〇個清理循環。工具將必須 清理約100次，因此在整個壽命期間氘消耗的總成本為 3000歐元。使用氫之類似計算的結果為1〇〇〇歐元。 -預期原子氘之反應性高於氫。 本發明並不限於如實施例所描述的微影裝置之應用或微 •影裝置中之使用。另外，圖式通常僅包含理解本發明所必 _ 須的元件及特徵。除此之外，微影裝置之圖式為示意性圖 式且非按比例繪製。本發明並不限於示意性圖式中展示的 彼等元件（例如在示意性圖式中所繪的鏡面之數目）。另 外，本發明並不限於圖1及2中所描述的微影裝置。熟習此 項技術者將瞭解’上述實施例可組合。另外，本發明並不 限於保護以免受（例如）來自源S〇之sn的影響，且來自其它 源（諸如可損壞光學元件丨〇 〇之輻射源）之其它粒子可藉由本 發明之方法而除去。關於此等其它粒子，亦可同樣應用用 _ 於保護光學元件的方法。提及（例如）僅C或Si之該等實施例 亦可針對B、Ge及Sn。另外，當可藉由氳基至少部分除去 包含B、C、Si及Ge元素的頂蓋層U5時，可藉由提供包含 除此等元素之外的其它元素的頂蓋層125的沉積過程來產 生頂蓋層125。 【圖式簡單說明】 圖1示意性地描繪了根據本發明之一實施例的微影裝 置； 圖2不意性地描繪了根據圖i之微影投影裝置的euv照明 105170.doc -42- 1286678 系統及投影光學的侧視圖； 圖3示意性地描繪了如何根據本發明之一實施例產生頂 蓋層； 圖4示意性地描繪了如何根據本發明之一實施例除去沉 積物或頂蓋層； 圖5示意性地描繪了根據本發明之一實施例的一部分集 光器鏡面及長絲； 圖6示意性地描繪了根據本發明之一實施例的具有溫度 控制器之一部分集光器鏡面； 圖7示意性地描緣了根據本發明之一實施例的鏡面配 置； 圖8示意性地描繪了 &、CH4、SiKU及Ar氣體相對於壓力 之透射； 圖9a展示了用於钽及鎢之變化溫度[攝氏度]的長絲材料 之蒸氣壓力[Pa]的改變；及 圖9b展示了用於钽及鎢之變化溫度[攝氏度]的長絲材料 之增長率（蒸發）[nm/hr]的改變。 【主要元件符號說明】 1 投影裝置 2 入σ 2(1) 入口 2(2) 入口 3 腔室 5 感應器 105170.doc -43 - 1286678 6 氣體供應 6(1) 氣體供應 6(2) 氣體供應 7 反射性感應器 22 出σ 29 泵 30 鏡面 30(1) 鏡面 30(2) 鏡面 31 連接器 32 空間部分 34 空間部分 35 EUV輻射 37 箭頭 38 加熱元件 40 控制器 42 輻射系統 44 照明光學單元 47 源腔室 48 集光器腔室 49 氣障結構/污染收集器 50 集光器 51 格柵光譜過濾器 52 虛擬源點 105170.doc •44- 1286678

53 正入射反射器 54 正入射反射器 56 輻射束 57 圖案化射束 58 鏡面 59 鏡面 68 加熱元件 100 光學元件 105 氣體 110 長絲 110(1) 長絲 110(2) 長絲 115 C 120 氫基或氫氣 125 頂蓋層 155 氣體 165 氫基 170 揮發性化合物 180 空間 B 輻射束 C 目標區 CO 聚光器 IF1 位置感應器 IF2 位置感應器 105170.doc -45 1286678 IL 照明器

Ml 對準標記 M2 對準標記 MA 光罩 MT 光罩台 P1 對準標記 P2 對準標記 PL 投影系統

PM 第一定位器件 PW 第二定位器件 SO 源 W 基板 WT 波形轉換器台

105170.doc -46

Claims (1)

1. 年月曰修(更)正本

   * 1286^^132759號專利申請案 中文申請專利範圍替換;^(96年i月） 十、申請專利範圍： 一種用於除去一包含一光學元件的裝置之該光學元件上 一沉積物的方法，該方法包括： 在該裝置之至少部分中提供一含有仏之氣體； 自該含有H2之氣體的h2產生氫基；及 使具有/儿積物之該光學元件與該等氫基之至少部分接 觸且除去該沉積物之至少部分。 厶如請求項1之方法，其中該沉積物包括選自B、c、Si Ge及Sn之一或多種元素。 3·如明求項1之方法，其中藉由經組態以將私轉換為氫基 的長絲、一電漿、輻射或一催化劑而自該含有h2之氣 體的％產生該等氫基之至少部分。 ' 4·如請求項1之方法，其中該含有Η】之氣體進一步包括一 齒素氣體。 5_如請求項1之方法，其中該裝置為一微影裝置。 6·如請求項1之方法，其中該光學元件包括一選自一鏡 面、一格栅、一主光罩及一感應器之該群的光學元件。 7·如明求項1之方法，其中自包含該光學元件之該裝置異 地除去該頂蓋層之該至少部分。 8· 一種用於一包含一光學元件的裝置之該光學元件的該保 護的方法，該方法包括： 藉由一沉積過程對該光學元件提供一頂蓋層；及 在該裝置之使用期間或使用該裝置後，在一除去過程 中自該光學元件除去該頂蓋層之至少部分，該除去過程 105170-960118.doc 1286678 包括： 在該裝置之至少部分中提供一含有％之氣體； 自該含有&之氣體的Ha產生氫基；及 使具有該頂蓋層之該光學元件與該等氫基之至少部 分接觸且除去該頂蓋層之至少部分。 9·如請求項8之方法，其中該沉積過程包括： 提供—包括選自B、C、MGe之一或多種元素的原 料；

   自2等原料提供包括選自B、C、Si&Ge之—或多種元 素之能夠產生一沉積物的物質；及 使月b夠產i —沉積考勿的該等物質與胃《$元件之至少 部分接觸。 1〇.如請f項8之方法，其中藉由—長絲、-電漿或輻射而 產生旎夠產生一沉積物的該等物質。 11·月求項8之方法，其中該頂蓋層包括選自B、c、Si及 Ge之一或多種元素。 12·如吻求項8之方法，彡中該裝置之該使用包括以一輻射 束照射該光學元件。 13 ·如請求項8 石居’其中藉由經組態以將H2轉換為氫基 的長絲、一電製、輕射或一催化劑而產生該等氫基之 至少部分。 14.如請求項$夕古 、之方法，其中該含有H2之氣體進一步包括一 鹵素氣體。 15·如請求項8之方法， 其中該裝置為一微影裝置。 105170.960118.do, 1286678 鏡 16.如凊求項8之方法，其中該光學元件包括一選自 面 格柵、一主光罩及一感應器的光學元件。 17·如請求項8之方法’其中自包含該 地產生該頂蓋層之至少部分。 件之該裝置異 18.如請求項8之方法，其中自包含該光學元件之該裝置異 地除去該頂蓋層之該至少部分。 、 19· 一種半導體製造方法，其包括··

   提供-包括-照明系統及一投影系統的微影裝置，該 微影裝置進一步包含一光學元件； 使用該照明系統而提供一輻射束； 將一圖案化輻射束投影至一基板之一目標區上； 藉由一沉積過程對該光學元件提供一頂蓋層，·及 在該裝置之使用期間或在使用該裝置後，在一除去過 程中自該光學it件除去該頂蓋層之至少部分，該除去過 程包括： 在該裝置之至少部分中提供一含有h2之氣體； 自該含有H2之氣體的h2產生氳基；及 使具有該頂蓋層之該光學元件與該等氫基之至少部 分接觸且除去該頂蓋層之至少部分。 20.如請求項19之方法，其中該沉積過程包括： 提供一包括選自B、C、Si及Ge之一或多種元素的啟始 原料， 自該等啟始原料提供包括選自B、C、Si及Ge之一或多 種元素的能夠產生一沉積物的物質；及 105170-960118.doc 1286678 使能夠產生— 部分接觸。 ’冗積物的該等物質與該光學元件之至少 21·如清求項19之方沐 々去，其中藉由一長 生能夠產生一沉籍札 儿積物的該等物質。 一電漿或輻射產 22·如請求項19之方法， . Ge之一或多種元素。 • 23·如請求項19之方法， 束照射該光學元件。 其中該頂蓋層包括選自B、C、Si及 其中該裝置之該使用包括用該輻射

   24·如請求項19之方法 鹵素氣體。 其中該含有H2之氣體進一步包括一 如明求項19之方法，其中該裝置為一微影裝置。 26.如請求項19之方法’其中該光學元件包括一選自一鏡 面 格柵 主光罩及一感應器的光學元件。 …如請求項19之方法’其中自包含該光學元件之該裝置異 地產生該頂蓋層之至少部分。 28·如請求項19之方法，其中自包含該光學元件之該裝置異 地除去該頂蓋層之該至少部分。 29· —種用以除去沉積物之裝置，其包括： 一光學元件； 一經組態以在該裝置之至少部分中提供一含有H2之氣 體的入口；及 一經組態以自該含有Η:之氣體之H2產生氫基的氫基產 生器’該等氫基係與該光學元件上之一沉積物接觸並除 去至少部份該沉積物。 105170-960118.doc -4 - 1286678 30·如請求項29之裝置，其中該氫基產生器包括選自經組態 以將Hz轉換為氫基的一可加熱之長絲、一電漿產生器、 一幸S射源及一催化劑的一或多個器件。 31.如請求項29之裝置，其中該裝置為一微影裝置。 32·如請求項29之裝置，其中該光學元件包括一選自一鏡 •面、一格柵、一主光罩及一感應器的光學元件。 „ 33· —種用以除去沉積物之裝置，其包括·· 一光學元件； 一經組態以在該裝置之至少部分中提供一含有Η2之氣 體的入口； 一經組態以自該含有仏之氣體之Η2產生氫基的氫基產 生器；及 、、’至、、且I以產生一沉積物的沉積物產生器，其中該沉 積物包括選自B、c、Si及Ge的-或多種元素，及 其中該等氫基係與該光學元件上之該沉積物接觸並除 去至少部份該沉積物。 34·如明求項33之裝置，其中該氫基產生器包括經組態以將 H2轉換為氫基的一可加熱之長絲、一電漿產生器、一輻 射源及一催化劑中的一或多者。 35·如明求項33之裝置，其中該沉積物產生 器包括一可加熱 之長絲、一用於產生一電漿之產生器及一輻射源中的一 或多者。 36·如明求項33之裝置，其中該裝置為一微影裝置。 3 7.如明求項33之裝置，其中該光學元件包括一選自一鏡 105170-960118.doc 1286678 面、一格柵、一主光罩及一感應器的光學元件。 38. 如請求項33之裝置，其進一步包括一經組態以提供一包 括選自B、C、Si及Ge之一或多種元素之啟始原料的入 口 〇 39. 如研求項33之裝置，其進一步包括一經組態以提供一包 括選自B'C、Si及Ge之一或多種元素之氣體的入口。 • 40· —種微影裝置，其包括： 一光學元件； 一經組態以調節一輻射束的照明系統； 一經組態以支撐一圖案化器件的支撐件，該圖案化器 件經組態以在該輻射束之橫截面中賦予其一圖案以形成 一圖案化輻射束； 一經組態以固持一基板的基板台； 一經組態以將該圖案化輻射束投影至該基板之一目標 區上的投影系統； 一經組態以在該裝置之至少部分中提供一含有Η〗之氣 體的入口；及 一經組態以自該含有Hz之氣體之K產生氫基的氫基產 生器，該等氫基係與該光學元件上之—沉積物接觸並除 去至少部份該沉積物。 41·如請求項40之微影裝置，其中該氫基產生器包括經組態 以將H2轉換為氫基的一可加熱之長絲、一電漿產生器、 一輻射源及一催化劑中的一或多者。 42·如請求項40之微影裝置，其中該光學元件包括一選自一 105170-960118.doc -6- 1286678 鏡面、一格栅、一主光罩及一感應器的光學元件。 43· —種微影裝置，其包括： 一光學元件； 一經組態以調節一輻射束的照明系統； 一經組態以支撐一圖案化器件的支撐件，該圖案化器 ^ 件經組態以在該輻射束之橫截面中賦予其一圖案以形成 - 一圖案化輻射束； 一經組態以固持一基板的基板台； 一經組態以將該圖案化輻射束投影至該基板之一目標 區上的投影系統； 一經組態以在該裝置之至少部分中提供一含有h2之氣 體的入口； 一經組態以自該含有Η:之氣體之仏產生氫基的氫基產 生器；及 一沉積物產生器，其中該沉積物包括選自B、c、Si及 Ge的一或多種元素，及 其中該等氫基係與該光學元件上之該沉積物接觸並除 去至少部份該沉積物。 44·如請求項43之微影裝置，其中該氫基產生器包括經組態 以將H2轉換為氫基的一可加熱之長絲、一電漿產生器、 一輻射源及一催化劑中的一或多者。 45·如請求項43之微影裝置，其中該沉積物產生器經組態以 產生一包括選自B、C、Si及Ge之一或多種元素的沉積 物，且包括一可加熱之長絲、一電漿產生器及一輻射源 105170-960118.doc 1286678 中之一者。 46·如請求項43之微影裝置，其中該光學元件包括一選自_ 鏡面、一格栅、一主光罩及一感應器的光學元件。 47·如請求項43之微影裝置，其進一步包括一經組態以提供 一包括選自B、C、Si及Ge之一或多種元素之啟始原料的 β 入口。 -48·如請求項43之微影裝置，其進一步包括一經組態以提供 一包括選自Β、C、Si及Ge之一或多種元素之氣體的入 v 〇 49. 一種用於除去一包含一光學元件的裝置之該光學元件上 沉積物的方法，且其中該沉積物包括選自B、si、Ge及 Sn之一或多種元素，該方法包括·· 在該裝置之至少部分中提供一含有％之氣體； 自該含有H2之氣體的h2產生氫基；及 使具有沉積物之該光學元件與該等氫基之至少部分接 觸且除去該沉積物之至少部分。 5〇·如請求項49之方法，其中藉由經組態以將出轉換為氫基 的一可加熱之長絲、一電漿、一輻射源及一催化劑中之 一或多者’而自該含有H2之氣體之H2產生該等氫基之至 少部分。 51·如請求項49之方法，其中該含有H2之氣體進-步包括- 齒素氣體。 52.如明求項49之方法，其中該裝置為一微影裝置。 53·如請求, 、 之方法，其中該光學元件包括一選自一鏡 105170-960118.doc 1286678 曲、一格柵、一主光罩及一感應器的光學元件。 54·如請求項49之方法，其中自包含該光學元件之該裝置異 地除去該頂蓋層之該至少部分。 55·如請求項49之方法，其中該沉積物包括Si。 56·種用以除去沉積物之裝置，其包括： 一光學元件； 一經組態以在該裝置之至少部分中提供一含有H2之氣 體的入口； 一經組態以自該含有Η:之氣體之^產生氫基的氫基產 生器，；及 一經組態以產生一包括Sn之沉積物的沉積物產生器， 其中該冑纟基係與該光學元件±之該沉積⑯接觸並除 去至少部份該沉積物。 57. 如請求項56之裝置，其中該裝置為一微影裝置。 58. 如請求項56之裝置’其中該光學元件包括一選自一鏡 面、一格柵、一主光罩及一感應器的元件。 59. 如請求項56之裝置，其進一步包括一經組態以提供一包 括Sn之啟始原料的入口。 105170-960118.doc