DE102017213121A1 - Optisches System für die Mikrolithographie - Google Patents

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Abstract

Die Erfindung betrifft ein optisches System für die Mikrolithographie, wobei das optische System für einen Betrieb mit elektromagnetischer Strahlung ausgelegt ist, welche das optische System entlang eines Nutzstrahlengangs durchläuft, mit wenigstens einer Komponente (105), welche einen außerhalb des Nutzstrahlengangs befindlichen Bereich aufweist, wobei dieser Bereich eine katalytische oder chemisch aktive Schicht (110) aufweist, und wobei die katalytische oder chemisch aktive Schicht (110) und/oder ein diese Schicht (110) tragender Träger (230, 240) porös ist.

Description

  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • Gebiet der Erfindung
  • Die Erfindung betrifft ein optisches System für die Mikrolithographie.
  • Stand der Technik
  • Mikrolithographie wird zur Herstellung mikrostrukturierter Bauelemente, wie beispielsweise integrierter Schaltkreise oder LCD's, angewendet. Der Mikrolithographieprozess wird in einer sogenannten Projektionsbelichtungsanlage durchgeführt, welche eine Beleuchtungseinrichtung und ein Projektionsobjektiv aufweist. Das Bild einer mittels der Beleuchtungseinrichtung beleuchteten Maske (= Retikel) wird hierbei mittels des Projektionsobjektivs auf ein mit einer lichtempfindlichen Schicht (Photoresist) beschichtetes und in der Bildebene des Projektionsobjektivs angeordnetes Substrat (z.B. einen Siliziumwafer) projiziert, um die Maskenstruktur auf die lichtempfindliche Beschichtung des Substrats zu übertragen.
  • Im Betrieb einer solchen mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage kann trotz der Verwendung hochreiner, inerter Spülgase wie z.B. Stickstoff (N2) das Problem auftreten, dass Kontaminanten insbesondere in Form von Kohlenwasserstoffen in das Projektionsobjektiv oder auch in die Beleuchtungseinrichtung eintreten. Solche Kontaminanten können sich wiederum auf den einzelnen optischen Komponenten (z.B. Linsen oder Spiegel) niederschlagen und führen dann zu einer unerwünschten Absorption der das jeweilige optische System im Betrieb durchlaufenden elektromagnetischen Strahlung, was wiederum eine Änderung der jeweiligen optischen Eigenschaften (z.B. des Brechungsindex der Linsen oder des Reflexionsgrades der Spiegel) zur Folge hat. Weitere nachteilige Auswirkungen sind z.B. thermisch induzierte Deformationen sowie gegebenenfalls eine Störung der Uniformität der auf die Maske bzw. den Wafer gelangenden elektromagnetischen Strahlung.
  • Eine Vermeidung des vorstehend beschriebenen Kontaminationsproblems erweist sich dabei in der Praxis u.a. insofern als schwierig, als insbesondere die genannten Kohlenwasserstoffe durch in dem optischen System verwendete Dicht- und Klebstoffe und über unvermeidliche Zuleitungen für die verwendeten Spülgase in das jeweilige optische System gelangen können, so dass allein eine Verwendung möglichst hochreiner, inerter Spülgase insoweit keine völlige Abhilfe schafft.
  • Eine zur Beseitigung solcher Kontaminationen eigens durchgeführte intensive Reinigung der jeweiligen optischen Elemente führt zu einer Unterbrechung des eigentlichen Lithographieprozesses, was im Hinblick auf den zum maximierenden Durchsatz der Projektionsbelichtungsanlage und möglichst anzustrebenden, möglichst kontinuierlichen Betrieb unerwünscht ist.
  • Zum Stand der Technik wird lediglich beispielhaft auf US 6,290,180 B1 , US 2007/0264494 A1 , US 2003/0082367 A1 und EP 0 887 104 A1 verwiesen.
  • ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein optisches System für die Mikrolithographie bereitzustellen, welches eine wirksame Kontaminationsreduzierung ohne Unterbrechung des Betriebs bzw. ohne Beeinträchtigung des Durchsatzes des optischen Systems ermöglicht.
  • Diese Aufgabe wird durch das optische System gemäß den Merkmalen der unabhängigen Patentansprüche gelöst.
  • Ein erfindungsgemäßes optisches System für die Mikrolithographie, welches für einen Betrieb mit elektromagnetischer Strahlung ausgelegt ist, die das optische System entlang eines -Nutzstrahlengangs durchläuft, weist wenigstens eine Komponente auf, welche einen außerhalb des Nutzstrahlengangs befindlichen Bereich aufweist, wobei dieser Bereich eine katalytische oder chemisch aktive Schicht aufweist, und wobei die katalytische oder chemisch aktive Schicht und/oder ein diese Schicht tragender Träger porös ist.
  • Der Erfindung liegt insbesondere das Konzept zugrunde, zur Eliminierung der eingangs beschriebenen Kontaminationen in Form von Kohlenwasserstoffen während des Betriebs des jeweiligen optischen Systems einen (im Weiteren noch näher erläuterten) Selbstreinigungsprozess des Systems dadurch zu ermöglichen, dass eine katalytische oder chemisch aktive Schicht in einem optisch (z.B. für einen Abbildungs- bzw. Belichtungsprozess) nicht genutzten Bereich vorgesehen wird. Dadurch, dass die katalytische oder chemisch aktive Schicht und/oder ein diese Schicht tragender Träger porös ist, kann eine größere Oberfläche bereitgestellt und dementsprechend der Anlagerungs- und Abbauprozess der Kontaminanten bzw. Moleküle gesteigert werden.
  • Bei der katalytischen Schicht kann es sich insbesondere um eine photokatalytische Schicht handeln.
  • Die Wirkung der erfindungsgemäß eingesetzten katalytischen Schicht besteht insbesondere darin, vergleichsweise schwerflüchtige Kontaminanten wie z.B. Kohlenwasserstoffe in vergleichsweise leichtflüchtige (z.B. eine im Vergleich zu Kohlenwasserstoffen geringere Molekülmasse aufweisende) Moleküle umzuwandeln bzw. diese Umwandlung zu begünstigen, in dem die für eine Spaltung der besagten Kontaminanten erforderliche Energie (z.B. thermische Energie oder Strahlungsenergie) durch die katalytische Schicht herabgesetzt wird. Infolgedessen kann die besagte Spaltung bereits selbstständig oder durch Einwirkung der im optischen System im Betrieb vorliegenden elektromagnetischen Strahlung herbeigeführt werden. Die entsprechenden Spaltprodukte können dann aufgrund ihrer Flüchtigkeit entweder unmittelbar (z.B. unter Nutzung vorhandener Spülgase) abtransportiert oder zunächst durch vorhandene Spuren von Sauerstoff (O2) und/oder Wasser (H2O) oxidiert werden.
  • Im Ergebnis kann eine nahezu vollständige Zersetzung bzw. Umwandlung der Kontaminanten zu Kohlendioxid (CO2) und Wasser (H2O) erreicht werden mit der Folge, dass eine kontaminationsbedingte Beeinträchtigung der Leistungsfähigkeit des optischen Systems wirksam vermieden werden kann. Da aufgrund der vorstehend beschriebenen Wirkung der katalytischen Schicht die besagte Umwandlung der Kontaminanten bereits ohne weitere Energiezufuhr oder unter Nutzung der elektromagnetischen Strahlung erzielt wird, welche im Betrieb des optischen Systems ohnehin vorhanden ist, kann hierbei auf signifikante Unterbrechungen des Betriebs und eine hiermit einhergehende Beeinträchtigung des Durchsatzes des optischen Systems verzichtet werden.
  • In der Ausgestaltung mit einer chemisch aktiven Schicht erzeugt diese Schicht eine Reinigungswirkung über eine chemische Reaktion und kann z.B. höhere Oxide des Nickels aufweisen, welche in Kontakt mit einer Kontamination reduziert werden und dadurch die betreffende Kontamination (auf-)oxidieren.
  • Die Erfindung macht sich insbesondere den Umstand zunutze, dass bereits im „normalen“ Betrieb eines optischen Systems wie z.B. einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage elektromagnetische Strahlung in Form von Streulicht auch in außerhalb des eigentlichen Nutzstrahlengangs befindliche Bereiche gelangt mit der Folge, dass derartige Bereiche für die Platzierung der erfindungsgemäßen katalytischen Schicht genutzt werden können.
  • Mit anderen Worten kann eine unerwünschte Beeinflussung des eigentlichen Abbildungs- bzw. Belichtungsprozesses durch die Reinigungswirkung der katalytischen oder chemisch aktiven Schicht zuverlässig vermieden werden, indem die besagte Schicht lediglich in außerhalb des eigentlichen Nutzstrahlengangs befindlichen Bereichen platziert wird. Bei diesen Bereichen kann es sich (ohne dass die Erfindung hierauf beschränkt wäre) z.B. um Teilbereiche (z.B. Innenseiten) von Fassungen oder Blenden handeln.
  • Des Weiteren kann es sich bei diesen zur Aufbringung der erfindungsgemäßen katalytischen oder chemisch aktiven Schicht genutzten Bereichen auch um Teilbereiche optischer Elemente (insbesondere Linsen oder Spiegel) handeln, welche sich außerhalb des eigentlichen Nutzstrahlengangs befinden. Dabei kann in Ausführungsformen der Erfindung über die vorstehend beschriebene Nutzung von Streulicht hinaus auch eine unmittelbare elektromagnetische Strahlungseinwirkung auf die katalytische Schicht dadurch herbeigeführt werden, dass vorübergehend ein hierzu geeignetes Beleuchtungssetting eingestellt wird (z.B. ein extrem annulares Beleuchtungssetting mit Beleuchtung nur eines in Bezug auf die optische Systemachse radial äußeren ringförmigen Bereichs), in welchem die elektromagnetische Strahlung zwar auf die erfindungsgemäße katalytische Schicht, nicht jedoch z.B. auf einen in der Bildebene des Projektionsobjektivs befindlichen Wafer gerichtet wird.
  • Dadurch, dass der erfindungsgemäße (Selbst-) Reinigungsprozess je nach Ausführungsform „in situ“ im Betrieb des optischen Systems oder zumindest ohne Zerlegung des optischen Systems erzielt wird und so einen kontinuierlichen Abbau von Kontaminanten ermöglicht, kann ein mit zusätzlichen Reinigungsschritten verbundener Zeitaufwand und gegebenenfalls auch eine unerwünschte Unterbrechung des Lithographieprozesses vermieden werden, so dass letztlich eine Steigerung des Durchsatzes der Projektionsbelichtungsanlage erreicht wird.
  • Im Unterschied zu herkömmlichen Konzepten für den Einsatz funktionaler Schichten erfolgt der erfindungsgemäße Einsatz der katalytischen Schicht nicht etwa zur Verbesserung bestimmter Materialeigenschaften (wie z.B. Korrosionsbeständigkeit), sondern beinhaltet die Einführung einer zusätzlichen Funktionalität des optischen Systems, durch welche die das optischen System im Betrieb durchlaufende elektromagnetische Strahlung (z.B. Streustrahlung) zur Realisierung eines Selbstreinigungsprozesses zwecks Eliminierung unerwünschter Kontaminanten genutzt wird.
  • Gemäß einer Ausführungsform ist die katalytische Schicht in eine an der Komponente befindliche Kleberschutzschicht integriert. Diese Ausgestaltung hat den Vorteil, dass die in den entsprechenden Bereichen der Kleberschutzschicht typischerweise hohe Bestrahlungsintensität für den erfindungsgemäßen Selbstreinigungsprozess genutzt und zudem die Aufbringung zusätzlicher Schichten minimiert werden kann.
  • Gemäß einer Ausführungsform ist die katalytische oder chemisch aktive Schicht auf einem für die elektromagnetische Strahlung transparenten Träger aufgebracht.
  • Gemäß einer Ausführungsform weist die katalytische Schicht eine Dicke von wenigstens 1µm auf. Bei Ausgestaltung der katalytischen oder chemisch aktiven Schicht mit vergleichsweise großen Dicken können entsprechend viele Kontaminanten bzw. Moleküle angelagert bzw. im optischen System abgebaut werden, wobei zugleich ausgenutzt werden kann, dass aufgrund der Platzierung der katalytischen oder chemisch aktiven Schicht im optisch nicht genutzten Bereich bzw. außerhalb des Nutzstrahlengangs kein störender Lichtverlust aufgrund der Absorptionswirkung der katalytischen Schicht auftritt.
  • Gemäß einer Ausführungsform weist die katalytische Schicht wenigstens ein Material aus der Gruppe auf, welche TiO2, ZnO, WO3, CaTiO3, SnO2, CaTiO3, MoO3, NbO5, Fe2O3, Ta2O5 und TixZr1-xO2 (mit 0 < x < 1) enthält. Durch Auswahl eines oder mehrerer dieser Materialien kann eine geringe Partikelemission bzw. Ausgasung der Schicht bei hoher Langlebigkeit erreicht werden.
  • Gemäß einer Ausführungsform ist das optische System in einer Mehrzahl von Beleuchtungssettings betreibbar, wobei in wenigstens einem dieser Beleuchtungssettings die elektromagnetische Strahlung außerhalb des Nutzstrahlengangs auf die katalytische Schicht gelenkt wird.
  • Gemäß einer Ausführungsform teilt die katalytische oder chemisch aktive Schicht und/oder der diese Schicht tragende Träger das innerhalb des optischen Systems vorhandene Gasvolumen in zwei unterschiedliche Bereiche. Aufgrund dieser Zweiteilung des Gasvolumens kann der gesamte Gasstrom durch die betreffende Komponente treten und so eine mit einer Reinigungswirkung einhergehende Anhaftung oder chemische Reaktion von Kontaminationen erreicht werden.
  • Die Erfindung betrifft weiter auch ein optisches System für die Mikrolithographie mit einer porösen Komponente, welche das innerhalb des optischen Systems vorhandene Gasvolumen in zwei unterschiedliche Bereiche teilt, wobei durch Anlagerung oder chemische Reaktion von im optischen System vorhandenen Kontaminanten an dieser porösen Komponente eine Reinigung im optischen System erzielbar ist.
  • Gemäß einer Ausführungsform ist das optische System für eine Arbeitswellenlänge von weniger als 400 nm, insbesondere weniger als 250 nm, weiter insbesondere weniger als 200 nm, ausgelegt.
  • Gemäß einer Ausführungsform ist das optische System ein Projektionsobjektiv oder eine Beleuchtungseinrichtung einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage.
  • Gemäß einer Ausführungsform ist das optische System ein Inspektionsobjektiv, insbesondere ein Inspektionsobjektiv einer Waferinspektionsanlage oder einer Maskeninspektionsanlage.
  • Die Erfindung betrifft weiter auch eine mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage mit einer Beleuchtungseinrichtung und einem Projektionsobjektiv, wobei die Projektionsbelichtungsanlage eine Anordnung mit den vorstehend beschriebenen Merkmalen aufweist.
  • Weitere Ausgestaltungen der Erfindung sind der Beschreibung sowie den Unteransprüchen zu entnehmen.
  • Die Erfindung wird nachstehend anhand von in den beigefügten Abbildungen dargestellten Ausführungsbeispielen näher erläutert.
  • Figurenliste
  • Es zeigen:
    • 1 eine schematische Darstellung zur Erläuterung der Funktionsweise einer erfindungsgemäßen Anordnung zur Kontaminationsreduzierung in einer Ausführungsform; und
    • 2 eine schematische Darstellung zur Erläuterung eines möglichen Aufbaus einer für den Betrieb im DUV ausgelegten mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage, in welcher die Erfindung realisiert werden kann.
  • DETAILLIERTE BESCHREIBUNG BEVORZUGTER AUSFÜHRUNGSFORMEN
  • Im Weiteren wird zunächst eine mögliche Ausführungsform der erfindungsgemäßen Anordnung unter Bezugnahme auf die schematische Darstellung in 1 beschrieben.
  • In 1 mit „110“ bezeichnet ist eine katalytische Schicht, welche erfindungsgemäß auf einem optisch nicht genutzten bzw. außerhalb des Nutzstrahlengangs befindlichen Bereich einer Komponente 105 eines optischen Systems für die Mikrolithographie, z.B. ein Projektionsobjektiv oder eine Beleuchtungseinrichtung einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage, aufgebracht ist. Bei der Komponente 105 kann es sich lediglich beispielhaft um eine Blende oder eine Fassung handeln. Des Weiteren kann es sich bei der Komponente 105 auch um eine Linse oder einen Spiegel handeln.
  • Die katalytische Schicht 110 bewirkt eine Herabsetzung der zur Aufspaltung unerwünschter schwerflüchtiger Kontaminanten wie z.B. Kohlenwasserstoffe erforderlichen Energie (z.B. Photonenenergie oder Temperatur) mit der Folge, dass eine entsprechende Spaltung der Kontaminanten bzw. Kohlenwasserstoffe erfolgt und die hierbei entstehenden Fragmente wie in 1 angedeutet entweder unmittelbar unter Nutzung vorhandener Spülgase abtransportiert oder durch Zufuhr von Sauerstoff (O2) und/oder Wasser (H2O) oxidiert werden können.
  • Konkret trifft gemäß 1 ein Molekül 120 einer organischen Verbindung (z.B. Kohlenwasserstoff), welche eine unerwünschte Kontamination im optischen System darstellt, auf die Oberfläche der katalytischen Schicht 110 und wird zunächst an dieser Oberfläche gebunden. Wie ebenfalls in 1 angedeutet trifft im Betrieb des optischen Systems trotz des Umstandes, dass die katalytische Schicht 110 im eigentlich optisch nicht genutzten Bereich bzw. außerhalb des Nutzstrahlengangs angeordnet ist, elektromagnetische UV-Strahlung auf das Molekül 120. Bei dieser elektromagnetischen Strahlung kann es sich z.B. um Streustrahlung oder auch um Strahlung handeln, welche in einem eigens zu Reinigungszwecken (d.h. nicht zur Waferbelichtung) eingestellten Beleuchtungssetting auf die katalytische Schicht 110 gelenkt wird.
  • Wie in 1 lediglich schematisch angedeutet führt die elektromagnetische Strahlung aufgrund der durch die katalytische Schicht 110 bewirkten Herabsetzung der zur Spaltung des Moleküls 120 erforderlichen Energie (z.B. Photonenenergie oder Temperatur) dazu, dass das Molekül 120 in Fragmente (z.B. gemäß 1 die Fragmente „A“ und „B“) gespalten (d.h. „aktiviert“) wird. Diese Fragmente können aufgrund ihrer vergleichsweise geringen Molekülmasse besser aus dem optischen System (z.B. Projektionsobjektiv) z.B. über vorhandene Spülgase herausgespült werden oder in weiteren Szenarien wie ebenfalls in 1 angedeutet mit Sauerstoff (O2) oder Wasser (H2O) reagieren und damit (z.B. zu Komponenten „C“ und „D“) oxidiert werden. Die zuletzt genannte Reaktion bzw. Oxidation führt dazu, dass das entsprechend abgebaute Molekül 120 vergleichsweise leichter desorbiert und aus dem optischen System bzw. Projektionsobjektiv herausgespült werden kann.
  • Aufgrund der Platzierung der katalytischen Schicht 110 im optisch nicht genutzten Bereich bzw. außerhalb des Nutzstrahlengangs werden Probleme eines unerwünschten Lichtverlustes aufgrund der Absorptionswirkung der katalytischen Schicht 110 vermieden mit der Folge, dass die Auslegung der katalytischen Schicht ohne Rücksicht auf besagte Absorptionswirkung erfolgen kann. Insbesondere kann die katalytische Schicht 110 erfindungsgemäß eine vergleichsweise große Dicke (z.B. in der Größenordnung von einem oder mehreren Mikrometern) aufweisen mit der Folge, dass entsprechend viele Kontaminanten bzw. Moleküle 120 angelagert und wie vorstehend beschrieben abgebaut werden können.
  • In einer (nicht) dargestellten Ausführungsform kann die katalytische Schicht 110 auch auf einem Träger aus transparentem und porösem Material (z.B. SiO2) aufgebracht sein, um den Anlagerungs- und Abbauprozess der Kontaminanten bzw. Moleküle 120 weiter zu steigern. Dabei kann in Ausführungsformen auch der gesamte (Spül-)Gasstrom durch besagten Träger geleitet werden. Durch poröse Ausgestaltung des Trägers können Anlagerung und Umwandlung der Kontaminanten bzw. Moleküle 120 weiter gesteigert werden. Dabei kann die Porosität über die relative Dichte als Verhältnis aus Rohdichte und Reindichte definiert werden, wobei dieses Verhältnis z.B. größer als 40% sein sollte.
  • Durch die Ausgestaltung der katalytischen Schicht 110 mit hoher Porosität macht sich die Erfindung den Umstand zunutze, dass keinerlei mechanische Kräfte durch die betreffende Schicht 110 übertragen werden müssen, sondern eine Auslegung der Schicht 110 allein mit dem Ziel einer möglichst effektiven Umwandlung von Kontaminanten erfolgen kann (wobei lediglich darauf zu achten ist, dass das Material der katalytischen Schicht selbst keinerlei Ausgaseffekte zeigt bzw. Kontaminationen im optischen System bewirkt). Eine hohe Rauigkeit der katalytischen Schicht 110 ist im Hinblick auf die angestrebte Anbindung möglichst vieler Kontaminanten bzw. Moleküle ebenfalls vorteilhaft.
  • In Ausführungsformen der Erfindung kann insbesondere eine Integration der katalytischen Schicht 110 in eine Kleberschutzschicht erfolgen, womit die in den entsprechenden Bereichen der Kleberschutzschicht typischerweise hohe Bestrahlungsintensität genutzt und das Erfordernis einer Aufbringung zusätzlicher Schichten vermieden werden kann.
  • In weiteren Ausführungsformen kann es sich bei der Schicht 110 auch um eine chemisch aktive Schicht handeln, welche Schicht eine Reinigungswirkung über eine chemische Reaktion erzielt. Diese Schicht kann z.B. höhere Oxide des Nickels aufweisen, welche in Kontakt mit einer Kontamination reduziert werden und dadurch die betreffende Kontamination (auf-) oxidieren.
  • 2 zeigt eine schematische Darstellung eines möglichen Aufbaus einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage 200, welche für den Betrieb bei Wellenlängen im DUV-Bereich (z.B. ca. 193nm) ausgelegt ist und eine Beleuchtungseinrichtung 201 und ein Projektionsobjektiv 208 aufweist.
  • Die Beleuchtungseinrichtung 201 umfasst eine Lichtquelle 202 und eine in stark vereinfachter Weise durch Linsen 203, 204 und eine Blende 205 symbolisierte Beleuchtungsoptik. Die Arbeitswellenlänge der Projektionsbelichtungsanlage 200 beträgt in dem gezeigten Beispiel 193 nm bei Verwendung eines ArF-Excimerlasers als Lichtquelle 202. Die Arbeitswellenlänge kann jedoch beispielsweise auch 365 nm bei i-Linien-Systemen, 248 nm bei Verwendung eines KrF-Excimerlasers oder 157 nm bei Verwendung eines F2-Lasers als Lichtquelle 202 betragen. Zwischen der Beleuchtungseinrichtung 201 und dem Projektionsobjektiv 208 ist eine Maske 207 in der Objektebene OP des Projektionsobjektivs 208 angeordnet, die mittels eines Maskenhalters 206 im Strahlengang gehalten wird. Die Maske 207 weist eine Struktur im Mikrometer- bis Nanometer-Bereich auf, die mittels des Projektionsobjektives 208 beispielsweise um den Faktor 4 oder 5 verkleinert auf eine Bildebene IP des Projektionsobjektivs 208 abgebildet wird. Das Projektionsobjektiv 208 umfasst eine ebenfalls lediglich in stark vereinfachter Weise durch Linsen 209 bis 212 und 220 symbolisierte Linsenanordnung, durch die eine optische Achse OA definiert wird.
  • In der Bildebene IP des Projektionsobjektivs 208 wird ein durch einen Substrathalter 218 positioniertes und mit einer lichtempfindlichen Schicht 215 versehenes Substrat 216, bzw. ein Wafer, gehalten. Zwischen dem bildebenenseitig letzten optischen Element 220 des Projektionsobjektivs 208 und der lichtempfindlichen Schicht 215 befindet sich im Ausführungsbeispiel (jedoch ohne dass die Erfindung hierauf beschränkt wäre) ein Immersionsmedium 250, bei dem es sich beispielsweise um deionisiertes Wasser handeln kann.
  • In 2 sind weiter beispielhafte geeignete Positionen für einen porösen Träger 230 bzw. 240, auf welchem jeweils eine katalytische Schicht aufgebracht ist, angedeutet. Diese Positionen liegen jeweils zwischen einer Linse (203 bzw. 209) und der Außenwandung (dem Gehäuse) der Beleuchtungseinrichtung 201 bzw. des Projektionsobjektivs 208. Diese Positionen sind bei Vorhandensein eines hohen Streulichtanteils vorteilhaft. Vorzugsweise wird hierbei durch den porösen Träger 230 bzw. 240 bzw. die katalytische Schicht ein Abschnitt (bzw. ein Separator oder eine Trennschicht) gebildet, wodurch das innerhalb des optischen Systems vorhandene Gasvolumen in zwei unterschiedliche Bereiche geteilt wird und den der Gasstrom vollständig durchlaufen muss. In weiteren Ausführungsformen kann anstelle des porösen Trägers auch eine poröse Komponente (ohne darauf befindliche katalytische oder chemisch aktive Schicht) vorgesehen sein, welche ebenfalls das innerhalb des optischen Systems vorhandene Gasvolumen in zwei unterschiedliche Bereiche teilt, wobei durch Anlagerung von im optischen System vorhandenen Kontaminanten an dieser porösen Komponente eine Reinigung im optischen System erzielbar ist.
  • Wenn die Erfindung auch anhand spezieller Ausführungsformen beschrieben wurde, erschließen sich für den Fachmann zahlreiche Variationen und alternative Ausführungsformen, z.B. durch Kombination und/oder Austausch von Merkmalen einzelner Ausführungsformen. Dementsprechend versteht es sich für den Fachmann, dass derartige Variationen und alternative Ausführungsformen von der vorliegenden Erfindung mit umfasst sind, und die Reichweite der Erfindung nur im Sinne der beigefügten Patentansprüche und deren Äquivalente beschränkt ist.
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
  • Diese Liste der vom Anmelder aufgeführten Dokumente wurde automatisiert erzeugt und ist ausschließlich zur besseren Information des Lesers aufgenommen. Die Liste ist nicht Bestandteil der deutschen Patent- bzw. Gebrauchsmusteranmeldung. Das DPMA übernimmt keinerlei Haftung für etwaige Fehler oder Auslassungen.
  • Zitierte Patentliteratur
    • US 6290180 B1 [0006]
    • US 2007/0264494 A1 [0006]
    • US 2003/0082367 A1 [0006]
    • EP 0887104 A1 [0006]

Claims (16)

  1. Optisches System für die Mikrolithographie, wobei das optische System für einen Betrieb mit elektromagnetischer Strahlung ausgelegt ist, welche das optische System entlang eines Nutzstrahlengangs durchläuft, mit: • wenigstens einer Komponente (105), welche einen außerhalb des Nutzstrahlengangs befindlichen Bereich aufweist; • wobei dieser Bereich eine katalytische oder chemisch aktive Schicht (110) aufweist; und • wobei die katalytische oder chemisch aktive Schicht (110) und/oder ein diese Schicht (110) tragender Träger (230, 240) porös ist.
  2. Optisches System nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die katalytische Schicht (110) eine zur Aufspaltung und/oder Oxidation von im optischen System vorhandenen Kontaminanten erforderliche Energie im Vergleich zu einem analogen System ohne die katalytische Schicht (110) reduziert.
  3. Optisches System nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass diese Kontaminanten Kohlenwasserstoff aufweisen.
  4. Optisches System nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Komponente (105) eine Blende oder eine Fassung ist.
  5. Optisches System nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Komponente (105) eine Linse oder ein Spiegel ist.
  6. Optisches System nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die katalytische oder chemisch aktive Schicht (110) in eine an der Komponente (105) befindliche Kleberschutzschicht integriert ist.
  7. Optisches System nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die katalytische oder chemisch aktive Schicht (110) auf einem für die elektromagnetische Strahlung transparenten Träger (230, 240) aufgebracht ist.
  8. Optisches System nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die katalytische Schicht (110) eine Dicke von wenigstens 1µm aufweist.
  9. Optisches System nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die katalytische Schicht (110) wenigstens ein Material aus der Gruppe aufweist, welche TiO2, ZnO, WO3, CaTiO3, SnO2, CaTiO3, MoO3, NbO5, Fe2O3, Ta2O5 und TixZr1-xO2 (mit 0 < x < 1) enthält.
  10. Optisches System nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass dieses in einer Mehrzahl von Beleuchtungssettings betreibbar ist, wobei in wenigstens einem dieser Beleuchtungssettings die elektromagnetische Strahlung außerhalb des Nutzstrahlengangs auf die katalytische Schicht (110) gelenkt wird.
  11. Optisches System nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die katalytische oder chemisch aktive Schicht (110) und/oder der diese Schicht (110) tragende Träger (230, 240) das innerhalb des optischen Systems vorhandene Gasvolumen in zwei unterschiedliche Bereiche teilt.
  12. Optisches System für die Mikrolithographie, mit einer porösen Komponente, welche das innerhalb des optischen Systems vorhandene Gasvolumen in zwei unterschiedliche Bereiche teilt, wobei durch Anlagerung von im optischen System vorhandenen Kontaminanten an dieser porösen Komponente eine Reinigung im optischen System erzielbar ist.
  13. Optisches System nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass dieses für eine Arbeitswellenlänge von weniger als 400 nm, insbesondere weniger als 250 nm, weiter insbesondere weniger als 200 nm, ausgelegt ist.
  14. Optisches System nach einem der Ansprüche 1 bis 13, dadurch gekennzeichnet, dass dieses ein Projektionsobjektiv oder eine Beleuchtungseinrichtung einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage ist.
  15. Optisches System nach einem der Ansprüche 1 bis 13, dadurch gekennzeichnet, dass dieses ein Inspektionsobjektiv, insbesondere ein Inspektionsobjektiv einer Waferinspektionsanlage oder einer Maskeninspektionsanlage, ist.
  16. Mikrolithographische Projektionsbelichtungsanlage mit einer Beleuchtungseinrichtung und einem Projektionsobjektiv, dadurch gekennzeichnet, dass die Projektionsbelichtungsanlage ein optisches System nach einem der Ansprüche 1 bis 15 aufweist.
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