TWI283441B - Substrate treating device - Google Patents

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TWI283441B TW091104159A TW91104159A TWI283441B TW I283441 B TWI283441 B TW I283441B TW 091104159 A TW091104159 A TW 091104159A TW 91104159 A TW91104159 A TW 91104159A TW I283441 B TWI283441 B TW I283441B
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Katsutoshi Nakata
Shunji Matsumoto
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Sumitomo Precision Prod Co
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Description

l2^3441 A7 _ B7 __ __ 友、發明說明(/ ) 【技術領域】 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明係關於以運送機構邊運送基板,邊對基板依序 施以濕式及乾式處理之基板處理裝置,特別係有關具有優 異的基板乾燥之均一性之基板處理裝置。 【習知技術】 習知,在製造液晶顯示器、光罩等之玻璃基板、或是 印刷電路板、半導體晶圓等之基板之步驟方面,對基板表 面供給各種處理液,再以該處理液對基板表面進行處理後 ’將其自基板表面除去之處理。 例如,在基板之洗淨步驟,使用洗淨裝置,將純水等 處理液對基板表面洗淨後,於乾燥裝置內,對基板表面吹 拂乾燥用氣體,以除去附著於該基板表面之處理液。 此種洗淨裝置及乾燥裝置係透過運送機構來一體連結 ’而構成基板處理裝置,通常在洗淨裝置與乾燥裝置之間 ’係以具備有開口部(用以運入、運出基板)之間隔壁來加 以隔開。 但,在前述洗淨裝置內,由於從噴嘴對基板噴灑霧狀 之洗淨液,被噴灑之洗淨液的霧氣會通過前述開口部而容 易滲入乾燥裝置內,因此,滲入乾燥裝置內之霧氣會附著 於基板上,故在基板表面容易產生點狀之染色。 此處,習知係在洗淨裝置與乾燥裝置之間設置一定之 間隔,來防止霧氣滲入於乾燥裝置內。 但,即使如上述構成之習知基板處理裝置,仍然具有 以下所述之問題。 _ 3 本紙張尺國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公爱) 一^ 一 一 1283441 A7 _____B7____ 五、發明說明(2 ) 即,在以前述洗淨裝置洗淨後之基板表面上,被供給 至該表面上之洗淨液係自然流下且從表面上除去後,洗淨 液之殘留液會形成島狀之點的狀態。又,若於該殘留液呈 點的狀態下而使用乾燥用氣體來進行基板乾燥時,在除去 、乾燥島狀之殘留液之際,於該處會產生染色。 特別地,近年來,基板已朝大型化邁進,從而在該大 型基板上,會有容易產生島狀之殘留液的問題。 本發明有鑒於以上問題,其目的係提供在基板表面上 不會造成染色的方式,可自該基板表面除去處理液並使其 乾燥,以及可使裝置小型化之基板處理裝置。 【發明之揭示】 本發明之基板處理裝置,其特徵係具備:運送機構, 以大致水平方式來運送基板;濕式處理部,針對以前述運 送機構所運送之基板施以濕式處理;膜液供給機構,配設 於比前述濕式處理部更靠運送方向下流側,使處理液形成 膜狀後供給至前述基板上;及氣體噴出機構,具有狹縫狀 之開口部,該開口部係以與前述基板的全面相對向的方式 配置於前述膜液供給機構之前述運送方向下流側,由前述 開口部噴出氣體,產生板狀之氣流。 依本發明之基板處理裝置,對由濕式處理部所排出之 基板上,以膜液供給機構供給形成膜狀之處理液。藉此, 可沿前述運送方向及與其垂直之方向將均一膜厚之處理液 塗布於基板上,即,不會在基板上產生島狀之殘留液。 其次,塗布於基板上之處理液,當其到達設於膜液供 Μ 4 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) -------------%il (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂---- .線费 1283441 a7 ____B7__ 五、發明說明(;) 給機構之運送方向下流側之氣體噴出機構正下方時,藉由 該氣體噴出機構所噴出之板狀氣流將其自基板上除去,即 ,進行液體去除,使該基板乾燥。 如此,依此基板處理裝置’由於在基板上塗布均一膜 厚的處理液之狀態下,即’不會在基板上產生島狀之殘留 液之狀態下,進行液體去除’因此’可根本防止習知問題 之於進行液體去除時所產生之染色。 又,由於從氣體噴出機構於運送方向上流側設置膜液 供給機構,因此,可藉由該膜液完全隔開在濕式處理部所 產生之霧氣。因此,可有效地防止在液體除去、乾燥後附 著於基板表面上之霧氣,並且不會產生因霧氣所造成之染 色。故不必拉長濕式處理部與氣體噴出機構間之距離,而 可獲得裝置之小型化。 又,前述氣體噴出機構,較佳係使其開口部長方向相 對於與前述運送方向成垂直之方向呈傾斜的方式而配置。 藉此,藉由自氣體噴出機構所噴出之氣流,可將處理液導 流向基板之側邊且順利地從基板上除去。 又,在基板下側,同樣地亦可設置前述氣體噴出機構 Ο 又,前述氣體噴出機構之開口部與前述基板間之距離 較佳係設爲1mm以上5mm以下。若開口部與基板之距離 小於1mm,則塗布於基板上之處理液會有接觸到開口部之 虞,另一方面,若大於5mm,則乾燥效果不佳。 又,前述氣體噴出機構,亦可沿前述運送方向並列設 夂 5 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐厂 嫌 -------------% (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂---- n I ϋ 1 1283441 A7 _____B7______ 五、發明說明(t ) Ο 運送機構l,具備:大直徑之運送滾輪R、及輔助滾輪 r。如第2圖所示,運送滾輪R具有複數個且以適當間隔設 置於橫跨前述兩側壁15間之軸11,而軸11的兩端係以可 轉動方式被軸承所支撐。又,該軸11之一端係從一方側壁 15往外部突出,並與設於側壁15外部之滾輪驅動裝置12 連結。藉此,運送滾輪R係以滾輪驅動裝置12驅動’而 將基板W往箭頭10方向運送。 又,輔助滾輪r,係沿基板W之運送方向,在第1上 氣刀6、第1下氣刀7、第2上氣刀8、及第2下氣刀9附 近以小間隔設置複數個,並且透過分別設置於支撐板21、 23、25之支撐構件22、24、26,以旋轉自如的方式支撐。 如此,藉由配置多數個輔助滾輪r,可防止基板W之彎曲 變形等,使基板W之平面度具有高精度,並可防止以膜液 供給機構4供給至基板W上之處理液之層形成不均一。又 ,支撐板21、23、25係適當地固設於前述兩側壁15。 在濕式處理部WET設置處理液供給機構(未圖示),以 對基板W之上面及/或下面供給處理液。該處理液供給機 構(未圖示),具備:配置於基板W之上方及/或下方之配管 、以及連結於該配管(未圖示)之複數個噴嘴’並且與用以 供給處理液之處理液供給源(未圖示)連接。又,噴嘴(未圖 示)係將其各噴霧範圍全體配置成覆蓋基板W之寬方向全 域。又,雖未圖示,在底板16形成集液部,並在該集液部 連接排液管,而在集液部所收集之處理液係通過排液管往 1 7 Φ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂----
.線M 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 1283441 A7 ______B7__ 五、發明說明(么) 外部排出。 如第2圖所示,膜液供給機構4,係使液體供給源40 所供給之處理液形成膜狀(遮簾狀),且經基板W上之全域 流下。 又,在基板W之下方位置,在挾住該基板W而與前 述膜液供給機構4相對向的位置,設置朝基板W下面噴射 處理液之處理液噴射機構5。又,由膜液供給機構4及處 理液噴射機構5所供給之處理液通常爲純水,惟並未限於 此,亦可適用於各種處理液。 第1上氣刀6及第1下氣刀7,係以挾住基板W而相 對向的方式並設,又,第2上氣刀8及第2下氣刀9亦同 樣地,以挾住基板W而相對向的方式並設,由各吹出口 61噴出乾燥氣體,產生板狀氣流,而將附著於基板W上 下面之處理液除去。 這些第1上氣刀6、第1下氣刀7、第2上氣刀8及第 2下氣刀9,其長方向L係相對於與基板W的運送方向正 交的方向,即,相對於基板W之寬方向Η呈傾斜的方式而 配置,各吹出口 61係與基板W之全面相對向。 以下,以第4〜6圖來說明上述第1上氣刀6、第1下 氣刀7、第2上氣刀8及第2下氣刀9之具體構成。又, 第1上氣刀6、第1下氣刀7、第2上氣刀8及第2下氣刀 9,分別具有相同構成。因此,以第1上氣刀6爲例來說明 其構成。 如第4圖所示,前述第1上氣刀6,係以螺絲65將前 Π 8 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) t (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂---------線
1283441 a7 ___J7__ 五、發明說明(2 ) 6、第1下氣刀7、第2上氣刀8及第2下氣刀9,藉由使 用角度調整用之刻度板62,而可進行前述傾斜角0 1之調 整。 又,雖未圖示,在第1上氣刀6、第1下氣刀7、第2 上氣刀8及第2下氣刀9之兩端’分別可沿上下方向移動 之適當支柱,因而可調節與基板W間之距離。 又,第1上氣刀6及第2上氣刀8之吹出口 61與基板 W間之距離,較佳爲1mm以上5mm以下之範圍。當吹出 口 61與基板W間之距離不足1mm時,則吹出口 61會有 接觸到塗布於基板W之處理液之虞,而當其超過5mm時 ,則乾燥效果不佳。又,前述傾斜角θ 1,雖爲15度以上 60度以下,惟較佳係形成不會有斑點且不飛散之安定的邊 界面。 依具有以上構成之本例之基板處理裝置,以運送機構 1來進行運送,而在由濕式處理部WET所排出之基板W 上,供給從膜液供給機構4所供給形成膜狀之處理液。藉 此,沿前述運送方向及與其正交方向,均一膜厚的處理液 不會產生斑點,即,不會產生島狀的殘留液,而將其塗布 於基板W上。 另一方面,在基板W下面,吹附來自處理液噴射機構 5之處理液,並將該基板W下面洗淨。 又,當進一步運送基板W,乃至到達第1上氣刀6與 第1下氣刀7之間,藉由第1上氣刀6所噴出之板狀的氣 流’如第3圖所示,在基板w上之處理液係沿箭頭方向推 ν.κ 10 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) t (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂---- 1 I n ϋ 線Hr 1283441 A7 ______ 五、發明說明(?) 壓除去,而使該基板W上面進行乾燥。 另一方面,在基板W下面,藉由第1下氣刀7所噴出 之板狀的氣流,來除去附著於該基板W下面之水滴,並予 以乾燥。 又,當將基板W進一步往箭頭10之方向運送時,該 基板W上下面係分別以第2上氣刀8及第2下氣刀9來進 行乾燥,並將乾燥後之基板W運入乾式處理部DRY。 如此,依該基板處理裝置,由於係在基板W上以塗上 均一膜厚之處理液之狀態下,即,在基板上不會產生島狀 的殘留液之狀態下,進行液體去除,因此,可以根本防止 習知問題在進行液體去除時所產生之染色。 又,由於從第1上氣刀6,在運送方向上流側設置膜 液供給機構4,在濕式處理部所產生之霧氣可藉由該膜液 來完全隔離。因此,在液體去除、乾燥後之基板W表面所 附著之霧氣可更有效地防止,從而,因霧氣所產生之染色 皆不會發生。因此,濕式處理部WET與第1上氣刀6間之 距離不必拉長,而可獲得裝置之小型化。 又,由於將第1上氣刀6配置成傾斜狀態,因此,可 將處理液朝基板W之側邊導流,藉此,可順利地將其自基 板W上除去。 【產業上之可利用性】 如以上所述,本發明之基板處理裝置,係可適用於液 晶顯示器、光罩等之玻璃基板、或印刷電路板、半導體晶 圓等之基板之製程上。 5 π 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) ------------%w (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂---- 線參丨 1283441 五、發明說明(^) 【符號說明】 1 運送機構 4 膜液供給機構 5 處理液噴射機構 6 第1上氣刀 7 第1下氣刀 8 第2上氣刀 9 第2下氣刀 12 滾輪驅動裝置 15 側壁 16、 17 底板 21、 23、25 支撐板 11、 24、26 支撐構件 40 液體供給源 60 氣體供給源 61 吹出口 63 前板 64 本體 65 螺絲 66 狹縫 67 氣體室 68 氣體供給路 DRY 乾式處理部 R 運送滾輪 12 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) *^vw.-------訂---------線一
本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) A7 1283441 _ B7 五、發明說明() WET濕式處理部
W 板基 9 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂---- .線参丨 7/ 0 ·>.£
3 IX 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐)

Claims (1)

  1. 398009? ABCD 專利申請案第91104159號申請專利範圍修正本 2006年11月修正 1、 一種基板處理裝置,其特徵係具備: 運送機構,以大致水平方式來運送基板; 濕式處理部,針對以前述運送機構所運送之基板施以 濕式處理; 膜液供給機構,配設於比前述濕式處理部更靠運送方 向下流側,使處理液形成均一膜厚的膜狀後供給至前述基 板上;及 氣體噴出機構,具有狹縫狀之開口部,該開口部係以 與前述基板的全面相對向的方式配置於前述膜液供給機構 之前述運送方向下流側,由前述開口部噴出氣體,產生板 狀之氣流。 2、 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置,其中,將 前述氣體噴出機構配置成相對於前述開口部之長方向與前 述運送方向正交之方向而傾斜。 3、 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置,其中,將 前述氣體噴出機構之開口部與前述基板間之距離設爲1mm 以上5mm以下。 4、 如申請專利範圍第1〜3項中任一項之基板處理裝 置,其中,沿前述運送方向並設有複數個前述氣體噴出機 構。 1 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公愛) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂: 線
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