CN1455948A - 基板处理装置 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一边以运送机构运送基板，一边依序对基板施以湿式及干式处理的基板处理装置。该基板处理装置具备：用来运送基板(W)的运送机构(1)；对被运送的基板(W)施以湿式处理的湿式处理部(WET)；配设于比湿式处理部(WET)更靠运送方向下流侧，使处理液形成膜状后供给至基板(W)上的膜液供给机构(4)；以及其开口部以与基板(W)的全面相对向的方式配置于膜液供给机构(4)的运送方向下流侧，由开口部喷出气体，产生板状气流的气体喷出机构。

Description

基板处理装置

技术领域

本发明涉及一边以运送机构运送基板，一边对基板依序施以湿式及干式处理的基板处理装置，特别是关于具有优异的基板干燥的均一性的基板处理装置。

背景技术

目前，在制造液晶显示器、光罩等的玻璃基板、或是印刷电路板、半导体晶圆等的基板的工序中，对基板表面供给各种处理液，再以该处理液对基板表面进行处理后，将其自基板表面除去的处理。

例如，在基板的洗净工序，使用洗净装置，将纯水等处理液对基板表面洗净后，于干燥装置内，对基板表面吹拂干燥用气体，以除去附着于该基板表面的处理液。

此种洗净装置及干燥装置是借助运送机构来一体连结，而构成基板处理装置，通常在洗净装置与干燥装置之间，是以具备用于将基板搬入搬出的开口部的间隔壁来加以隔开。

但，在前述洗净装置内，由于从喷嘴对基板喷洒雾状的洗净液，被喷洒的洗净液的雾气会通过前述开口部而容易渗入干燥装置内，因此，渗入干燥装置内的雾气会附着于基板上，故在基板表面容易产生点状的染色。

因此，目前是在洗净装置与干燥装置之间设置一定的间隔，来防止雾气渗入于干燥装置内。

但，即使如上述构成的现有基板处理装置，仍然具有以下所述的问题。

即，在以前述洗净装置洗净后的基板表面上，被供给至该表面上的洗净液自然流下且从表面上除去后，洗净液的残留液会形成岛状的点的状态。又，若于该残留液呈点的状态下而使用干燥用气体来进行基板干燥时，在除去、干燥岛状的残留液之际，于该处会产生染色。

特别地，近年来，基板已朝大型化迈进，从而在该大型基板上，会有容易产生岛状的残留液的问题。

发明内容

本发明鉴于以上问题，其目的是提供在基板表面上不会造成染色地、可自该基板表面除去处理液并使其干燥，以及可使装置小型化的基板处理装置。

本发明的基板处理装置，具备：以大致水平方式来运送基板的运送机构；对以前述运送机构运送的基板施以湿式处理的湿式处理部；配设于比前述湿式处理部更靠运送方向下流侧，使处理液形成膜状(遮帘状)后供给至前述基板上的膜液供给机构；以及具有狭缝状的开口部，该开口部是以与前述基板的全面相对向的方式配置于前述膜液供给机构的前述运送方向下流侧，由前述开口部喷出气体，产生板状的气流的气体喷出机构。

根据本发明的基板处理装置，首先，对由湿式处理部所排出的基板上，以膜液供给机构供给形成膜状的处理液。由此，可沿前述运送方向及与其垂直的方向将均一膜厚的处理液涂布于基板上，即，不会在基板上产生岛状的残留液。

其次，当涂布于基板上的处理液到达设于膜液供给机构的运送方向下流侧的气体喷出机构正下方时，通过该气体喷出机构所喷出的板状气流将其自基板上除去，即，进行液体去除，使该基板干燥。

如此，依此基板处理装置，由于在基板上涂布均一膜厚的处理液的状态下，即，不会在基板上产生岛状的残留液的状态下，进行液体去除，因此，可根本防止现有问题的在进行液体去除时所产生的染色。

又，由于从气体喷出机构于运送方向上流侧设置膜液供给机构，因此，可通过该膜液完全隔开在湿式处理部所产生的雾气。因此，可有效地防止在液体除去、干燥后附着于基板表面上的雾气，并且不会产生因雾气所造成的染色。故不必拉长湿式处理部与气体喷出机构间的距离，而可获得装置的小型化。

又，前述气体喷出机构，优选是使其开口部长方向相对于与前述运送方向垂直的方向呈倾斜的方式而配置。由此，通过自气体喷出机构所喷出的气流，可将处理液推向基板的侧边且顺利地从基板上除去。

又，在基板下侧，同样地亦可设置前述气体喷出机构。

又，前述气体喷出机构的开口部与前述基板间的距离较佳是设为1mm以上5mm以下。若开口部与基板的距离小于1mm，则涂布于基板上的处理液会有接触到开口部的危险，另一方面，若大于5mm，则干燥效果不佳。

又，前述气体喷出机构，亦可沿前述运送方向并列设置多个。藉此，可更提高基板的干燥效果。

附图说明

图1为表示本发明的基板处理装置的要部概略结构的模式截面图。

图2为图1的俯视图。

图3为图2的要部详细图。

图4为图1中所示第1上气刀的截面图。

图5为图4箭头V方向的俯视图。

图6为图4箭头VI方向的前视图。

具体实施方式

下面参照附图更详细地说明本发明。

如图1所示，本发明的基板处理装置，具备：沿箭头10的方向水平运送基板W的运送机构1；对以运送机构1所运送的基板W施以湿式处理的湿式处理部WET；进行干式处理的干式处理部DRY；以及配置于湿式处理部WET与干式处理部DRY之间的膜液供给机构4、第1上气刀(air knife)6、第1下气刀7、第2上气刀8、第2下气刀9。

又，前述湿式处理部WET、膜液供给机构4、第1上气刀6、第1下气刀7、第2上气刀8、第2下气刀9及干式处理部DRY，是收纳于由2个侧壁15，15、底板17、上板17所构成的盖体内。又，膜液供给机构4，是配置于气刀(在本例为第1上气刀6及第1下气刀7)的运送方向上流侧。

运送机构1具备：大直径的运送滚轮R、及辅助滚轮r。如图2所示，运送滚轮R具有多个且以适当间隔设置于横跨前述两侧壁15、15间的轴11，而轴11的两端是以可转动方式被轴承所支撑。又，该轴11的一端是从一方侧壁15往外部突出，并与设于侧壁15外部的滚轮驱动装置12连结。由此，运送滚轮R是以滚轮驱动装置12驱动，而将基板W往箭头10方向运送。

又，辅助滚轮r，是沿基板W的运送方向，在第1上气刀6、第1下气刀7、第2上气刀8、及第2下气刀9附近以小间隔设置多个，并且透过分别设置于支撑板21、23、25的支撑构件22、24、26，以旋转自如的方式支撑。如此，通过配置多个辅助滚轮r，可防止基板W的弯曲变形等，使基板W的平面度具有高精度，并可防止以膜液供给机构4供给至基板W上的处理液的层形成不均一。又，支撑板21、23、25是适当地固设于前述两侧壁15、15上。

在湿式处理部WET设置处理液供给机构(未图示)，以对基板W的上面及/或下面供给处理液。该处理液供给机构(未图示)，具备：配置于基板W的上方及/或下方的配管、以及连结于该配管(未图示)的多个喷嘴，并且与用以供给处理液的处理液供给源(未图示)连接。又，喷嘴(未图示)是将其各喷雾范围全体配置成覆盖基板W的宽方向全域。又，虽未图示，但在底板16形成集液部，并在该集液部连接排液管，而在集液部所收集的处理液是通过排液管往外部排出。

如图2所示，膜液供给机构4，是使液体供给源40所供给的处理液形成膜状(遮帘状)，且经基板W上的全域流下。

又，在基板W的下方位置，在挟住该基板W而与前述膜液供给机构4相对向的位置，设置朝基板W下面喷射处理液的处理液喷射机构5。又，由膜液供给机构4及处理液喷射机构5所供给的处理液通常为纯水，但并不限于此，亦可适用于各种处理液。

第1上气刀6及第1下气刀7，是以挟住基板W而相对向的方式设置，又，第2上气刀8及第2下气刀9亦同样地，以挟住基板W而相对向的方式设置，由各吹出口61喷出干燥气体，产生板状气流，而将附着于基板W上下面的处理液除去。

这些第1上气刀6、第1下气刀7、第2上气刀8及第2下气刀9，其长方向L是相对于与基板W的运送方向正交的方向，即，相对于基板W的宽方向H呈倾斜的方式而配置，各吹出口61是与基板W的全面相对向。

以下，以图4～图6来说明上述第1上气刀6、第1下气刀7、第2上气刀8及第2下气刀9的具体构成。又，第1上气刀6、第1下气刀7、第2上气刀8及第2下气刀9，分别具有相同构成。因此，以第1上气刀6为例来说明其构成。

如图4所示，前述第1上气刀6，是以螺丝65将前板63锁固于长尺状的本体64上，而形成于前板63、本体64间的狭缝66的宽度M可调整。又，狭缝66的开口部形成前述吹出口61。

又，在本体64内，形成气体室67、气体供给路68，该气体供给路68连接于气体供给源60。又，特别地，虽未图示，在气体供给路68与气体供给源60之间插入流量调整机构及空气过滤器。

如图5及图6所示，以前述狭缝66、气体室67、及气体供给路68作为1组而构成的区块B是与长方向L串联而构成，各气体供给路68由气体供给源60来供给气体。又，各狭缝66及气体室67分别沿长方向L而形成，而各狭缝66是与相邻的狭缝66互相连通。又，气体供给路68，是在区块B的大致中央由上方朝气体室67以直线方式形成。通过将区块B连结的构成，而可容易对应宽度较宽的长尺状的基板W。

具有以上构成的第1上气刀6、第1下气刀7、第2上气刀8及第2下气刀9，如图1所示，分别相对于基板W的法线方向，在运送方向下流侧仅倾斜角度θ1的状态而固定。通过此种倾斜，可将附着于基板W的处理液朝运送方向下流侧吹掉。

又，在图1中，针对第1上气刀6及第2上气刀8，虽为方便说明起见而省略角度调整用的刻度板62的图示，但第1上气刀6及第2上气刀8也与第1下气刀7及第2下气刀9同样地具有角度调整用的刻度板62，第1上气刀6、第1下气刀7、第2上气刀8及第2下气刀9，通过使用角度调整用的刻度板62，而可进行前述倾斜角θ1的调整。

又，虽未图示，在第1上气刀6、第1下气刀7、第2上气刀8及第2下气刀9的两端，分别可沿上下方向移动地安装在适当支柱上，因而可调节与基板W间的距离。

又，第1上气刀6及第2上气刀8的吹出口61与基板W间的距离，较佳为1mm以上5mm以下的范围。当吹出口61与基板W间的距离不足1mm时，则吹出口61会有接触到涂布于基板W的处理液的担心，而当其超过5mm时，则干燥效果不佳。又，前述倾斜角θ1，虽为15度以上60度以下，但较佳是形成不会有斑点且不飞散的稳定的边界面。

并且，虽未图示，但在前述侧壁15，15、底板17以及上板17所围成的室中，连接有适宜的排气机构，通过该排气机构可将前述室内的气体排气。

依具有以上构成的本例的基板处理装置，以运送机构1来进行运送，而在由湿式处理部WET所排出的基板W上，供给从膜液供给机构4所供给形成膜状的处理液。藉此，沿前述运送方向及与其正交方向，均一膜厚的处理液不会产生斑点，即，不会产生岛状的残留液，而将其涂布于基板W上。

另一方面，在基板W下面，吹附来自处理液喷射机构5的处理液，并将该基板W下面洗净。

又，当进一步运送基板W，乃至到达第1上气刀6与第1下气刀7之间，通过第1上气刀6所喷出的板状的气流，如图3所示，在基板W上的处理液是沿箭头13方向推压除去，而使该基板W上面进行干燥。

另一方面，在基板W下面，通过第1下气刀7所喷出的板状的气流，来除去附着于该基板W下面的水滴，并予以干燥。

又，当将基板W进一步往箭头10的方向运送时，该基板W上下面是分别以第2上气刀8及第2下气刀9来进行干燥，并将干燥后的基板W运入干式处理部DRY。

如此，依该基板处理装置，由于是在基板W上以涂上均一膜厚的处理液的状态下，即，在基板上不会产生岛状的残留液的状态下，进行液体去除，因此，可以根本防止在进行液体去除时所产生的染色的现有问题。

又，由于从第1上气刀6，在运送方向上流侧设置膜液供给机构4，在湿式处理部所产生的雾气可由该膜液来完全隔离。因此，在液体去除、干燥后的基板W表面所附着的雾气可更有效地防止，从而，因雾气所产生的染色皆不会发生。因此，湿式处理部WET与第1上气刀6间的距离不必拉长，而可获得装置的小型化。

又，由于将第1上气刀6配置成倾斜状态，因此，可将处理液朝基板W的侧边导流，藉此，可顺利地将其自基板W上除去。

产业上的可利用性

如以上所述，本发明的基板处理装置，是可适用于液晶显示器、光罩等的玻璃基板、或印刷电路板、半导体晶圆等的基板的制造工序上。

Claims (4)

1.一种基板处理装置，其特征在于，具备：

以大致水平方式来运送基板的运送机构；

对以所述运送机构所运送的基板施以湿式处理的湿式处理部；

配设于比所述湿式处理部更靠运送方向下流侧，使处理液形成膜状后供给至所述基板上的膜液供给机构；以及

气体喷出机构，其具有狭缝状的开口部，该开口部是以与所述基板的全面相对向的方式配置于所述膜液供给机构的所述运送方向下流侧，由所述开口部喷出气体，产生板状的气流。

2.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，将所述气体喷出机构以使其所述开口部长方向相对于与所述运送方向垂直的方向呈倾斜的方式配置。

3.如权利要求1或2所述的基板处理装置，其特征在于，将所述气体喷出机构的开口部与所述基板间的距离设为1mm以上、5mm以下。

4.如权利要求1～3中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，沿所述运送方向设置有多个所述气体喷出机构。

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