1282109 (1) 玖、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種使用在如電視受像機或顯示器裝置 等之彩色陰極射線管的畫像顯示裝置中所採用之偏向軛， 尤其係關於校正發散（m i s c ο η v e 1· g e 11 c e )之構造。 【先前技術】 使用頸部裝設有偏向軛之同軸式三支電子槍彩色陰極 射線管（以下稱爲CRT )的畫像顯示裝置中，將來自於三 支電子槍所發射之R (紅）、G (綠）、B (藍）之三個電 子束良好地集中（聚集）在銀幕（畫面）面上之方法中的 一個，係採用自我聚集方式之偏向軛的方法。 該自我聚集方式之偏向軛，一般係由上下一對之水平 偏向線圈及左右一對垂直偏向線圈所構成，利用這些偏向 線圈形成針墊形之水平偏向磁場及桶狀之垂直偏向磁場， 因而成爲可獲得良好聚集特性之構成。 但是，實際上大量生產之偏向軛會由於偏向線圈特性 之誤差等而產生發散，因此一方面將磁性片貼到偏向線圏 之適當位置上，由所裝載的校正電路而使磁場變化，以進 行此散發之校正。 第14 ( a )圖、第14 ( b )圖係顯示由垂直偏向磁場 的誤差所產生的代表性散發。 第14 ( a )圖係顯示稱爲「Y軸之R (紅）倒向左 側」之散發圖型，並且第14 ( b )圖係顯示稱爲「Y軸之 (2) 1282109 R (紅）倒向右側」之散發圖型，圖中之實線係表示R (紅）之縱·線的輝線，虛線係表示B (藍）縱線的輝線。 通常這些散發總稱爲YH交互散發。 校正該YH交互散發用之先前技術的校正電路之一例 顯示於第1 0圖中。在該圖中，垂直偏向電路丨5 6之輸出 上串聯有一對垂直偏向線圈丨丨2，1丨3以及校正電路n 5。 校正電路1 1 5是使第1、第2之磁場校正線圈1 0 1， 102串聯，3端子可變電阻器20之可動端子T1介由電阻 器11 1而連接到其連接點P上。而，電子束朝畫面上側偏 向之情況時的垂直偏向電流之朝向是以實線之箭頭S1表 示，並且在朝畫面下側偏向之情況時的垂直偏向電流之朝 向是以虛線之箭頭S 2表示。 第1 6圖中顯示裝載有該校正電路1 1 5之偏向軛。 磁場校正線圈1 0 1係卷繞在 字狀的磁心1 1 4 A上， 如第1 6圖所示，其係配置在偏向軛之頸部1 5 1 C中比水平 軸（X軸）更上側之Y軸上。 另一方面，磁場校正線圈102爲與磁場校正線圏101 同樣地卷繞在 字狀的磁心1 14B上，其被配置成比上述 X軸更下側之Y軸上而與磁性磁心1 1 4 A成對向。 此構成中，可變電阻器20之電阻可被變更，以進行 YH交互散發之校正。 【發明內容】 [本發明所欲解決之課題] 一 7 - (3) (3)1282109 然而，自我聚集方式之偏向軛中，來自垂直偏向線圏 所產生的桶狀垂直偏向磁場，會使如第1 5 ( a )圖所示G (綠）之橫線（圖中爲虛線）比R (紅）或B (藍）之橫 線更偏到內側，而產生通常稱爲 VCR窄化（VCR n a 1· 1· 〇 w )之散發。 因而，利用磁場校正線圈10 1，1 0 2產生針墊形磁 場，而對G (綠）電子束賦予比R (紅）或B (藍）電子 束更強的垂直偏向力5之時，可校正V C R窄散發。以下 將以第1 0圖〜第1 3圖說明此校正。 第1 1圖〜第1 3圖係爲將第1 6圖所示之偏向軛裝設在 CRT54之頸部的狀態下，從銀幕側觀看配置有磁心 1 1 4 A，1 1 4 B之位置的槪略剖面圖，第1 1 ( a )圖〜第1 3 (a )圖係顯示向畫面上側偏向時之圖，第1 1 ( b )圖〜第 13(b)圖係顯示向畫面下側偏向時之圖。 第1 1 ( a )圖及第1 1 ( b )圖係顯示3端子可變電阻 器20之可動端子T 1位於中心之情況下，電子束之向畫面 上側及畫面下側偏向時，磁場校正線圈1 0 1，1 02所產生 的磁場Ml，M2及從而電子束之受力及其方向。 第12 ( a )圖及第12(b)圖係顯示，在3端子可變 電阻器20之可動端子T1從中心向第10圖中之上方向 (箭頭1 6 )移動之情況下，電子束之向畫面上側及畫面 下側偏向時，磁場校正線圈1 〇 1，1 〇2所產生的磁場Μ 1， M2，及從而電子束之受力及其方向。 第1 3 ( a )圖及第13 ( b )圖係顯示，在3端子可變 (4) 1282109 電阻器20之可動端子T1從中心向第10圖 (箭頭17)移動之情況下，電子束之向畫面 下側偏向時，磁場校正線圈1 0 1，1 0 2所產生Θ M2，及從而電子束之受力及其方向。 弟11圖〜弟13圖中’磁場Μ1 ’ Μ 2之強 暸解起見，方便上做成弱與基準二個階段，分 實線表示。 3端子可變電阻器20之可動端子Τ 1位於 下，無論偏向電流在箭頭S1，S 2之任何一個 時，在第1、第2之磁場校正線圏101，102上 相等。 從而，可產生如第11(a)圖、第ll(b 上下對稱之針墊式磁場Ml，M2。 雖然此磁場Μ1，M2可分別對R，B之電 軸方向的逆向之力，這些力之強度相同而互相 使R，Β之電子束在X軸方向不會變化。 因此，雖然ΥΗ交互散發之校正並未進行 央之G (綠）電子束賦予比R，Β之電子束更: 向之力，因此可校正VCR窄散發。 其次，使3端子可變電阻器20之可動端 10圖之箭頭16的方向上移動時’在第1磁 1 〇 1流動之電流比在第2磁場校正線圈1 02流 得更少。 從而，此情形下之磁場於第1磁場校正線 一 9 一 中之下方向 上側及畫面 J磁場Μ 1， 度爲了容易 另以虛線及 中心之情況 方向上流動 流動的電流 )圖所示之 子束賦予X 抵消之故， ，但是對中 ®的γ軸方 子Τ1在第 場校正線圈 動之電流變 圈1 0 1側之 (5) 1282109 磁場Μ 1會變弱，而變成如第12 ( a )圖、第1 2 ( b )圖所 示之上下非對稱的針墊式磁場。 然後，向畫面上側偏向時（參照第12 ( a )圖），各 電子束在Y軸之正方向上偏向，同時R之電子束在X軸 之正方向上（圖之右方向）、B之電子束在X軸之負方向 上（圖之左方向）分別偏向。 並且，向畫面下側偏向時（參照第1 2 ( b )圖），各 電子束在Y軸之負方向上偏向，同時R之電子束在X軸 之負方向上、B之電子束在X軸之正方向上分別偏向。 從而，利用這些偏向可使第 14 ( a )圖所示的 R (紅）倒向左側之散發獲得校正。 但是，因爲在第1磁場校正線圈1 0 1流動之電流變少 之故，使上述針墊式磁場變弱，如第1 5 ( a )圖所示而有 產生顯著的VCR窄散發的問題。 另一方面，使3端子可變電阻器20之可動端子T1在 第1 0圖之箭頭1 7的方向上移動時，在第2磁場校正線圈 1 02流動之電流比在第1磁場校正線圈1 0 1流動之電流變 得更少。 從而，此情形下之磁場於第2磁場校正線圏1 02側之 磁場M2會變弱，而變成如第13 ( a )圖、第1 3 ( b )圖所 示之上下非對稱的針墊式磁場。 然後，向畫面上側偏向時（參照第1 3 ( a )圖），各 電子束在Y軸之正方向上偏向，同時R之電子束在X軸 之負方向上（圖之左方向）、B之電子束在X軸之正方向 -10- (6) 1282109 上（圖之右方向）分別偏向。 並且，向畫面下側偏向時（參照第13 ( b )圖），各 電子束在Y軸之負方向上偏向，同時R之電子束在X軸 之正方向上、B之電子束在X軸之負方向上分別偏向。 從而，由於這些偏向可使第14 ( b )圖所示的 R (紅）倒向右側之散發獲得校正。 但是，因爲在第2磁場校正線圏1 02流動之電流變少 之故，使上述針墊式磁場變弱，如第1 5 ( a )圖所示而有 產生顯著的錄放影機窄散發的問題。 包含有此 VCR窄散發、及如第1 5 ( b )圖所示之G (綠）對R (紅）或B (藍）向外側偏移之VCR寬散發的 VCR散發，較佳爲在晝面上儘可能地將此偏移量抑制在 ± 0.030公厘以內。 如上所述，在第10圖所示之習知電路中，將3端子 可變電阻器20之可動端子T1移動時，雖然可進行YH交 2散發之校正，但是同時亦使在磁場校正線圈1 0 1或磁場 校正線圏1 02中流動之電流變少，而使針墊式磁場變弱之 故，因而VCR散發的校正量減少，其結果有遠超過 ± 0.0 30公厘而產生VCR窄散發的問題。 因此，本發明所欲解決的課題，在提供一種偏向軛， 其可在不產生VCR窄散發之下進行YH交互散發的校正。 [解決課題之手段] 爲了解決上述之課題，本案之發明手段具有下列構 —11 (7) 1282109 成。 即，申請專利範圍第1項係關於一種偏向軛，其係具 有圓筒狀之頸部（5 1 c )、及一對垂直偏向線圈（12， 1 3 )之偏向軛，其特徵爲：具備有：夾住該頸部且成對向 地配置之第1及第2磁心（丨4 A，14B )，及連接到該垂直 偏向線圈的散發校正電路（15A，15B，15C )，該散發校 正電路具有：第1至第4磁場校正線圈（1〜4 )，及具有 二個固定端子（T2，T3)及一個可動端子（T1)的3端子 可變電阻器（20 );形成有使該第1磁場校正線圈（1 ) 與該第2磁場校正線圈（2 )串聯的第1串聯電路；形成 有使該第3磁場校正線圈（3 )及第4磁場校正線圈（4 ) 分別串聯到二個固定端子（T2，T3 )的第2串聯電路；該 第1串聯電路串聯到該垂直偏向線圏（1 2，1 3 )，將上述 第1串聯電路及上述第2串聯電路並聯，而使上述第1磁 場校正線圈（1 )與上述第2磁場校正線圈（2 )連接；將 該可動端子（T1 )連接到上述第1磁場校正線圏（1 )與 上述第2磁場校正線圈（2 )的連接點（p ):將上述第1 及第3磁場校正線圏（1，3 )卷繞在磁心（丨4 a )上；將 上述第2及第4磁場校正線圈（2，4 )卷繞在磁心 (14B )上。 甲旨靑專利範圍第2項係針對申請專利範圍第1項所記 載之偏向轭’其中上述散發校正電路（15A，15C)具有 連接到上述可動端子（T 1 )與上述連接點（p )之間的第 1固定電阻器（1 1 )。 -12- (8) 1282109 申請專利範圍第3項係針對申請專利範圍第1或2項 所記載之偏向軛，其中上述散發校正電路（1 5 B，1 5 C )具 有分別與上述第3磁場校正線圏及第4磁場校正線圈 (3’ 4)串聯的第2固定電阻器（5，6)。 申請專利範圍第4項係針對申請專利範圍第1至3項 中任一項所記載之偏向軛，其中上述第3磁場校正線圈 (3 )對上述第 1磁場校正線圈（1 )之卷數比率 (RT1 )，及上述第4磁場校正線圈（4 )對上述第2磁場 校正線圏（2 )之卷數比率（RT2 )均在0.5以上且在1.5 以下。 【實施方式】 本發明之實施形態將以較佳實施例而參照第1〜9圖、 第14圖及第15圖說明。 首先，本發明之實施例中的電路將使用第1圖詳述 之。 垂直偏向電路5 6之輸出端串聯有一對之垂直偏向線 圏1 2，1 3及校正電路1 5。 此校正電路1 5係由：串聯之第1磁場校正線圈1及 第2磁場校正線圈2，以及串聯之第4磁場校正線圈4、3 端子可變電阻器20之固定端子T2，T3及第3磁場校正線 圈3，與第1磁場校正線圈1及第4磁場校正線圏4連接 成並聯電路，將3端子可變電阻器20之可動端子T 1介由 電阻器1 1連接到第1，第2磁場校正線圈1 ’ 2的連接點 (9) 1282109 P所構成。 此第1圖中，電子束在向晝面上側偏向之情況時的垂 直偏向電流之朝向是以實線之箭頭s1表示，並且在向晝 面下側偏向之情況時的垂直偏向電流之朝向是以虛線之箭 頭S2表示。 其次’裝載有該校正電路1 5之本發明偏向軛的槪略 將以第4圖說明。 第4圖中，偏向軛係由例如一方爲大徑側、另一方爲 小徑側、並分別具有凸緣5 1 a，5 1 b之一對半環狀隔離材 5 1組合而形成略微漏斗狀。 隔離材51之內側裝設有鞍型之水平偏向線圏（圖中 未顯示），外側則裝設有鞍型之垂直偏向線圏12，13 (圖中未顯示）。 垂直偏向線圈1 2，1 3之外側安裝有形成鐵氧體之磁 心（圖中未顯示），並且在其外側上，裝載有垂直偏向電 路5 6、3端子可變電阻器20及電阻器Π之基板5 3被安 裝在隔離材5 1之基板安裝腕5 1 d上。 而，隔離材 51 通常係由變性聚苯乙醚 (polyphenylene ether)(變性 PPE)、聚丙烯（PP)等之 熱可塑性樹脂所製成者。 小徑側之凸緣5 1 b的中央部分上’多數個舌片所形成 之圓筒狀頸部5 1 c在凸緣5 1 b上被一體成型’並朝圖中未 顯示之CRT54的管軸（Z軸）方向突出。 此偏向軛爲被稱爲鞍·鞍（S S )型，其乃依照上述而 (10) 1282109 構成者。 然後，將埋入於頸部5丨c之束帶（圖中未顯示）繫 緊，可將偏向軛裝設到CRT54之頸部。 其次’將說明頸部5 1 c之附近。 小徑側凸緣5 1 b之頸部5丨c側之面附近有一對磁心 14A ’ 14B朝著偏向軛之上下方向（γ軸方向）上夾持頸 部5 1 c而成對向地裝設著。此裝設是利用裝在凸緣5丨b上 之裝設手段（圖中未顯示）而進行裝設，或者亦可利用其 他之手段進行裝設。 此磁心14A，14B係使用形成爲具有從軀部14Ab， 14Bb之兩端朝向軀部之直行方向延伸之一對腳部14Ac， 14Bc的字狀、厚度爲0.5公厘之矽鋼板的衝壓品所形 成。 一方的磁心14A之軀部14Ab上卷繞有第1磁場校正 線圏1，再從其上方卷繞著第3磁場校正線圈3。 另一方之磁心14B之軀部14Bb上卷繞有第2磁場校 正線圈2，再從其上方卷繞著第4磁場校正線圏4。 第1磁場校正線圈1及第3磁場校正線圈3係卷繞成 彼此產生同方向之磁場，同樣地，第2磁場校正線圈2及 第4磁場校正線圈4係卷繞成彼此產生同方向之磁場。 卷繞在磁心14A，14B之順序亦可先從第3、第4磁 場校正線圏3，4開始。並且，亦可第1、第3磁場校正 線圏1，3同時卷繞，同樣地，亦可第2、第4磁場校正線 圈2,4同時卷繞。 — 15 — (11) 1282109 各磁心之末端導線介由端子5 5而連接到基板5 3的電 路。 校正電路1 5 A在此構成中之作用將使用第1圖及第 7〜9圖而詳述。 第7圖係實施例之偏向軛裝設在CRT54之頸部上的 狀態中，從銀幕側觀看配置有磁心14A，14B之位置的槪 略剖面圖，第7 ( a )圖〜第9 ( a )圖係顯示向畫面上側偏 向時之圖，第7 ( b )圖〜第9 ( b )圖係顯示向晝面之下側 偏向時之圖。 第7 ( a )圖及第7 ( b )圖係顯示3端子可變電阻器 20之可動端子T 1位於中心之情況下，電子束之向畫面上 側及畫面下側偏向時，第1〜第4磁場校正線圈1〜4所產 生的磁場Ml，M2、及從而電子束之受力及其方向。 第8 ( a )圖及第8 ( b )圖係顯示3端子可變電阻器 20之可動端子T1從中心向第1圖中之上方向（箭頭16) 移動之情況下，電子束之向畫面上側及畫面下側偏向時’ 第1〜第4磁場校正線圏1〜4所產生的磁場Ml ’ M2 ’及從 而電子束之受力及其方向。 第9(a)圖及第9(b)圖係顯示3端子可變電阻器 2 0之可動端子T1從中心向下方向（箭頭1 7 )移動之情況 下，電子束之向畫面上側及畫面下側偏向時’第1〜第4 磁場校正線圈1〜4所產生的磁場M1 ’ M 2 ’及從而電子束 之受力及其方向。 第7圖〜第9圖中，磁場Ml，M2之強度爲了容易暸 16 - (12) 1282109 解起見，方便上做成弱、基準、強三個階段’其分別以虛 線、實線、粗實線表示。 3端子可變電阻器20之可動端子T 1位於中心之情況 下，無論偏向電流在箭頭S 1，S 2之任何一個方向上流動 時，在第1、第2之磁場校正線圈1 ’ 2上流動的電流均 相等。 從而，可產生如第7(a)圖、第7(b)圖所示之上 下對稱之針墊式磁場Ml，M2。 此磁場Μ 1，Μ 2例如如向第7 ( a )圖所示畫面上側偏 向時，磁場Μ1可對R之電子束賦予X軸之負方向的力， 磁場Μ 2則可賦予正方向的力。磁場Μ1可對Β之電子束 賦予X軸之正方向的力，磁場Μ 2則可賦予負方向的力。 但是，賦予各電子束的這些X軸方向之力其強度相同 而互相抵消之故，使R，Β之電子束在X軸方向上不會變 化。 向畫面下側之偏向時’雖然正負方向爲逆向，但是也 是同樣。 因此，雖然並不進行ΥΗ交互散發之校正，但是對中 央之G的電子束賦予比R，Β之電子束更強的γ軸方向之 力，因此可校正VCR窄散發。 其次，3端子可變電阻器20之可動端子Τ1朝第1圖 之箭頭16之方向（圖中之上下方向）移動時，在第丨磁 場校正線圈1中流動的電流，比在第2磁場校正線圏2中 流動的電流變得更少。此變少部分之電流流到第4磁場校 — 17— (13) 1282109 正線圈4中。 從而，此情形下之磁場Μ1，M2在第1磁場校正線圈 1側之磁場Μ1會變弱，在第2磁場校正線圈2側之磁場 M2變強，雖然如第8(a)圖、第8(b)圖所示變成上下 對稱之針墊磁場，但是綜合之針墊磁場強度沒有變化，因 此VCR窄散發之校正效果不會減少。 然後，朝向畫面上側偏向時（參照第8 ( a )圖）， 各電子束朝γ軸之正方向偏向，同時r之電子束朝X軸 之正方向（圖之右方向）、B之電子束則朝X軸之負方向 (圖之左方向）分別偏向。 並且，朝向畫面下側偏向時（參照第8 ( b )圖）， 各電子束朝Y軸之負方向偏向，同時R之電子束朝X軸 之負方向偏向，B之電子束則朝X軸之正方向偏向。 從而，利用這些偏向可使第14 ( a )圖所示的R (紅）倒向左側之散發獲得校正。 另一方面，使3端子可變電阻器20之可動端子T1在 第1圖之箭頭17的方向（圖之下方向）上移動時，在第 2磁場校正線圏2流動之電流比在第1磁場校正線圏1流 動之電流變得更少。此變少部分之電流流到第3磁場校正 線圈3中。 從而，此情形下之磁場Μ 1，M2在第2磁場校正線圏 2側之磁場Μ 2會變弱，在第1磁場校正線圈1側之磁場 Μ1則變強，雖然如第9 ( a )圖、第9 ( b )圖所示變成上 下對稱之針墊磁場，但是綜合之針墊磁場強度沒有變化， -18 - (14) 1282109 因此VCR窄散發之校正效果不會減少。 然後，朝向畫面上側偏向時（參照第9 ( a )圖）， 各電子束朝γ軸之正方向偏向，同時R之電子束朝X軸 之負方向（圖之左方向）偏向，B之電子束則朝X軸之正 方向（圖之右方向）偏向。 並且，朝向畫面下側偏向時（參照第9 ( b )圖）， 各電子束朝γ軸之負方向偏向，同時R之電子束朝X軸 之正方向偏向，B之電子束則朝X軸之負方向偏向。 從而，利用這些偏向可使第 14 ( b )圖所示的 R (紅）倒向右側之散發獲得校正。 如以上所說明，依照本發明時，即使YH交互散發調 整之時，也不會有新的VCR窄散發產生。 但是，校正電路並非僅限定於校正電路1 5 A者，亦可 採用例如第2圖所示之另一校正電路1 5 B。 該校正電路15B爲將上述校正電路15A中之電阻器 1 1削除，並分別將電阻器5，6串聯到第4、第3磁場校 正線圈4，3者。 並且，亦可使用如第3圖所示之另一校正電路1 5C。 此校正電路15C相對於上述校正電路15A係分別將 電阻器5，6串聯到第4、第3磁場校正線圏4，3者。 這些校正電路15B，15C係，在第3、第4磁場校正 線圈3，4之電阻値比第1、第2之磁場校正線圈1，2之 電阻値更小之情形時，爲了使第3、第4磁場校正線圈 3，4中流動的過剩電流適當化而有效地構成者。以上所 — 19*^ (15) 1282109 說明的校正電路1 5 A〜1 5 C之內’使用電阻器數量最少的 校正電路1 5 A最價廉，因而爲較佳之構成。 以上說明的構成中，第1、第2之磁場校正線圈1，2 與第3、第4磁場校正線圈3，4之卷數比率變更時，確 定會使YH交互散發校正時VCR散發之校正量變更。 具體上，第3、第4磁場校正線圈3，4之卷數比率 對第1、第2之磁場校正線圈1，2爲減少之時，校正效 果變弱而變成如第1 5 ( a )圖所示之VCR窄散發，卷數比 率增加時，校正效果變強而變成如第1 5 ( b )圖所示之 VCR寬散發。 在此，本發明人經銳意檢討而進行試驗之結果，預先 將第3磁場校正線圈3對上述第1磁場校正線圏1之卷數 比率RT1，及上述第4磁場校正線圏4對上述第2磁場校 正線圈2之卷數比率RT2均設定在0.5以上且在1.5以下 之範圍時，可充分地抑制在YH交互散發校正時之VCR散 發校正量的變化，因而在不會產生新的 VCR散發之下， 可使YH交互散發進行良好的校正。 VCR散發之校正量的變化與卷數比RT1，RT2之關係 顯示在第6圖中。該圖中，橫軸爲卷數比RT1，RT2，縱 軸爲VCR散發之校正量變化。 供做試驗用的校正電路爲校正電路1 5 A，各構件之規 格如以下所示。 3端子可變電阻器20 : 20 Ω 一 20- (16) 1282109 電阻器1 1 : 2.7 Ω 第1 ’第2之磁場校正線圈1，2 :線徑0.30公厘 第3 ’第4之磁場校正線圈3，4 :線徑0.3 0公厘 試驗係在此校正電路14 Α之中，將第1、第2之磁場 校正線圈1，2之卷數固定在65圈，將第3、第4磁場校 正線圈3，4之卷數在相同卷數下以120，100，80，65， 55 ’ 45，35，25，15，5圏而進行種種變化，而後進行 VCR散發之校正量測定。 其結果如第6圖所示，隨著卷數比變高之時，VCR散 發確定從負側（窄側）到正側（寬側）大致成直線式地增 加。 然後如前所述，爲了確實地獲得畫面上之 VCR散發 校正中所需要的變化量範圍-0.030〜+ 0.030公厘，卷數比 RT1，RT2確定在設定在0.5以上且在1.5以下之時較佳。 而本發明之實施例並不限於上述之構成。 例如，雖然上述之實施例是做成將第1磁場校正線圈 1及第3磁場校正線圈3卷繞在校正電路14 A上，將第2 磁場校正線圈2及第4磁場校正線圈4卷繞在校正電路 1 4B上之構成，但是亦可將各個磁場校正線圈分別獨立地 卷繞在磁心上。 具體上的構成如第5圖所示，將第1〜第4磁場校正 線圈卜4分別地卷繞在磁心 14A1，14B1，14A2，14B2 上，將磁心14A1與磁心14A2，以及將磁心14B1與磁心 一 21 一 (17) 1282109 1 4 B 2分別地在Z軸方向上成並聯配置，同時磁心1 4 A 1與 磁心1 4 B 1 ’以及將磁心1 4 A 2與磁心1 4 B 2將頸部5 1 c夾 持而成對向地配置。並且，磁心14A1，14A2或磁心 14B1，14B2成並聯配置之順序並未限制。 以上說明的實施例中，校正電路1 5 A中之電阻器11 的電阻値做成小之時，在第3，第4磁場校正線圏3，4 中流動的電流會增加，使Y Η交互散發校正量增加，而電 阻値做成大之時，在第3，第4磁場校正線圏3，4中流 動的電流會減少，使ΥΗ交互散發校正量減少。 從而利用將電阻器5，6或者電阻器5，6，1 1之電阻 値進行調整之時，可以變更ΥΗ交互散發校正量，需要任 意的校正量之情形時，亦可將電阻器5，6或者電阻器 5，6，1 1做成可變電阻器。 偏向軛並不限於SS型，爲鞍·環（toroidal ) ( ST ) 型之偏向軛時亦可。隔離材51並非做成半環狀之一對， 亦可形成爲一體。再者，小徑側凸緣5 1 b或頸部5 1 c構成 分離的物體時亦可。 然後，除了這些例子以外，在不脫離本發明之要旨的 範圍下的變更均爲可能。 [發明的效果] 如以上所詳述，依照本申請案之發明時，在不會產生 VCR窄散發之下，可獲得yh交互散發被校正的效果。 (18) 1282109 【圖式簡單說明】 第1圖係顯示本發明偏向軛之實施例的電路圖。 第2圖爲顯示本發明偏向軛之另一實施例中之電路的 電路圖。 第3圖係顯示本發明偏向軛之另外之實施例中之電路 的電路圖。 第4圖係本發明偏向軛之實施例的槪略斜視圖。 第5圖係本發明偏向軛之另外實施例的槪略斜視圖。 第6圖係顯示本發明偏向軛之實施例中卷線比與校正 量之變化的關係曲線圖。 第7圖係顯示本發明偏向軛之實施例中可動端子之第 1位置上的作用之槪略剖面圖。 第8圖係顯示本發明偏向軛之實施例中可動端子之第 2位置上的作用之槪略剖面圖。 第9圖係顯示本發明偏向軛之實施例中可動端子之第 3位置上的作用之槪略剖面圖。 第1 〇圖係顯示習知之偏向軛的電路之一例的電路 圖。 第11圖係顯示習知之偏向軛的作用之槪略剖面圖。 第1 2圖係顯示習知之偏向軛的作用之槪略剖面圖。 第1 3圖係顯示習知之偏向軛的作用之槪略剖面圖。 第14圖係說明YH交互散發之圖。 第1 5圖係說明錄放影機散發之圖。 第1 6圖係顯示習知之偏向軛的一例之槪略剖面圖。 -23- (19) (19)1282109 元件符號對照表 T 1可動端子 T2，T3固定端子 P連接點 RT1，RT2 卷數比 1〜4第1〜第4磁場校正線圈 5，6電阻器 1 1電阻器 1 2，1 3垂直偏向線圏 14A，14B，14A1，1 4 A 2,1 4 B 1,1 4 B 2 磁心 14Ab，14Bb 軀部 1 5 A〜1 5 C 校正電路 20 3端子可變電阻器 5 1半環狀隔離材 5 1 a，5 1 b 凸緣 5 1 c頸部 5 1 d基板安裝腕 53基板 5 5端子 5 6垂直偏向電路 一 24