TWI281781B - Noise filter and noise filter array - Google Patents

Description

1281781 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於用來有效消除流於電路基板上所形成之 孔號配線間雜訊之雜訊濾波器及雜訊濾波器陣列。 【先前技術】 例如，根據行動電話通訊方式之不同，有以一台行動 =話可使用複數個通訊頻帶。為防止在各通訊頻帶之接收 罝敏度的劣化，必須有效地除去在各頻帶之雜訊。 > 作為此種用來消除雜訊所使用之雜訊濾波器，在先前 技術中，眾知有扼流圈及肥粒鐵珠、梯型LC濾波器等。 此處，就雜讯濾波器而言，在使用上述阻流線圈時， =需單純地將阻流線圈構裝在各訊號配線，即能容易地達 成可消除雜訊之雜訊對策，但是由於阻流線圈可除去雜訊 之頻寬較窄，僅能有效除去特定頻率之雜訊，欲同時除去 多個頻帶之雜訊時卻是非常困難的。 又，在使用肥粒鐵珠時，與阻流線圈同樣的，僅需單 I純地將肥粒鐵珠構裝在各訊號配線，即能容易地達成消除 雜訊之雜訊對策，但由於肥粒鐵珠在低頻中亦會除去雜 汎，因此會使所須訊號亦產生衰減等，對訊號波形有較大 衫¥，此外，因為無法得到高衰減值，因此有可能會產生 無法充分消除雜訊之情形。 又，上述梯型LC渡波器，雖有τ型、万型、乙型等 各種形狀，但無論何種皆是藉適當設定電感與電容質，來 G知覓頻之雜訊消除特性，而必須將連接到電容器之外部 1281781 電極接地’因此在構裝梯型Lc濾波器之電路基板上，形 ^接地用電極圖案是不可或缺的。因此，會有電路基板配 線之自由度受限的問題。 再者，在進行高密度構裝之電路基板，雖形成有複數 :訊號配線，但有時會因零件之佈局而不易與此等訊號配 線一起形成充分線寬之接地用電極圖案，其結果，受到接 極圖案中寄生電感之影響使梯型LC渡波器之頻率 寸！生雙化，而產生無法充分除去雜訊之狀況。 另一方面’亦有-種先前技術’其提出：在介電體内 =狀積層複數個線圈導體以形成線圈，藉由此線圈之電 間之雜散電容形成—個陷波電路（τ ^成遽波器元 =係在磁性體内螺旋狀積層複數個線圈導體以^成線 陷波=此線圈之電感與線圈導體間之雜散電容形成一個 雜^波„成者）’將此㈣波器元件形成為-體來構成 ”/思波益（例如，參考專利文獻1)。 此雜訊遽波器，藉分別設定構成各遽波器元件之陷波 电路的共振頻率（對應複數個 通訊頻帶中之雜訊。 域…即能除去各 θ在=’此專利文獻1所記载之雜訊渡波器，由於不僅 :產I::在低頻側之共振頻率亦係依存於線圈導體間 之雜放電容，因此欲在各頻帶進行 訊消除，並不-定是容易的。 田且充刀之雜 亦即’ LC並聯共振電路中，共振頻率係依存於π乘 1281781 積值，LC乘積值愈大共振頻率愈小。此處，由於高頻側共 振頻率之設定，LC乘積值小亦可，因此藉雜散電容之調整 即月b谷易的貝現，但是在低頻側共振頻率之設定，必須將 • LC乘積值放大至某個程度。此時，若電感l之值設定得 • 過大的話會產生訊號波形失真等問題，因此即使欲將電感 L之值設定得較大，該值本身亦有其限制。因此，為了補 充電感L之不足部分，必須將線圈導體之層間距離縮短、 或是變更絕緣材料，來得到比較大之雜散電容。 鲁然而，如上述般將線圈導體之層間距離縮短時，會使 特性及可靠性降低。此外，變更絕緣材料時，會因材料特 性而產生分層現象（delamination)，或必須使用之片材種類 增加等，產生製造步驟數增加之問題。特別是在此專利文 獻1中，由於須同時燒成介電體與磁性體予以一體化，因 此在製程中易產生龜裂或剝落等，不僅會在強度面降低可 靠性，且必須以高精度來設定管理最佳製造條件，因此會 有成本增加之問題。 _ X ’另-先前技術中，亦提出-種同時形成在單一介 電體内將複數個線圈導體螺旋狀積層形成之線圈來構成複 數個陷波電路的技術。 然而，此構成之雜訊濾波器，亦與上述專利文獻1同 樣的，欲對應複數個通訊頻帶將各陷波電路設定於期望之 共振頻率是非常困難的，而且，線圈彼此之間易產生磁耦 合，而有無法形成複數個陷波電路、或在各陷波電路之共 振頻率無法得到高衰減值，無法在各個頻帶中進行適切且 Ϊ281781 充分之雜訊去除。 【專利文獻丨】特開平5 — 267059號公報 【發明内容】 且確錁題’係提供一種在複數個頻帶中，能容易 U⑨定共振頻率，且能就複數個頻帶以良好效 ::訊的雜訊遽波器，再者，提供一種能 在I振頻率獲得高衰減之雜訊渡波器以及使 '、、Λ濾波器之雜訊濾波器陣列。 為解决上述課題，本發明之雜訊濾波器係用來除去通 過電路基板上所形成之訊號配線的雜訊，其特徵在於 電極在絕緣體外部形成與該訊號訊號配線連接之-對外部 另方面’在該絕緣體内部串聯複數個線圈，立兩 :刀別與外部電極電氣連接，且於該複數個線圈中之ρ —個線圈並聯有電容器； ^ 體透2線圈，係將透過該絕緣體而積層之複度個線圈導 月且匕貝通孔連接成螺旋狀所構成； 接之屏蔽* I係將位於別後線圈間與兩線圈電氣共通連 电冬、以及與該兩外部電極中之-外部電極電 :接之電容形成電極，透過該絕緣體加以對向 發明（請求項2)之雜㈣波器，係、用來除去通過 电土板上所形成之訊號配線的雜訊，其特徵在於： 在絕緣體外部形成與該訊號配線連接之— 極，另_ > τ夕卜口 ρ電 面，在該絕緣體内部串聯複數個線圈， 丹兩端 8 1281781 分別與外部電極電氣連接，且於該複數個線圈中之至少 個線圈並聯有電容器； 該各線圈，係將透過該絕緣體而積層之複數個線圈導 體透過貫通孔連接成螺旋狀所構成； 該電容器，係將該線圈導體、以及與該兩外部電極中 之一外部電極電氣連接之電容形成電極，透過該絕緣體加 以對向配置所構成。

^又，請求項3之雜訊濾波器，係請求項2之構成令， 在月j後線圈之間，與線圈軸方向正交配置屏蔽電極。 、此外，本發明（請求項4)之雜訊濾、波器，係用來除去 過私路基板上所形成之訊號配線的雜訊，其特徵在於·· 在絕緣體外部形成與該訊號配線連接之—對外部带 2另I面，在該絕緣體内部串聯複數個線圈，其兩,山 分別與外部電極雪痛鱼 而 極包轧連接，且於該複數個線圈中之至少— 個線圈並聯有電容琴· 外国’係將透過該絕緣體 體透過貫通孔連接成螺旋狀所構成；積層之讀個線圈導 忒電容器，係將該兩外 前後線圈之間虚兩㈣。 之一外部電極、與在 間舁兩線圈電氣性共通連接之屏蔽雷搞、未、 該絕緣體對向配置所構成。 ° ，透過 又’清求項目5之雜訊 谨成中，兮ρ 态，係請求項1、3、4夕 構成中《屏蔽電極被設定4 之 積之1/2以上的面積。 ^復凰則後各線圈面 又’請求項6之雜訊濾波 你明衣項1〜5之構成中， 9 *1281781 由該各線圈、與對各線圈個別並聯之電容器 頻率彼此不同之複數個IX並聯共振電路。 求項7之雜訊遽波器’係請求項1〜5之構成中， 由该各線圈、對各線圈個別並聯接之電容器、以及隨此線 2形成所產生之雜散電容器，構成低頻側之LC並聯共振 兒路，此外，由線圈、盘隨、^ .. 囿/、^此線圈形成所產生之雜散電容 杰，構成咼頻側之；LC並聯共振電路。 又，本發明（請求項8)之雜訊濾波器陣列，其特徵在於· :將複數個申請專利範圍第i至7項中任一項之雜訊 ’以個別對應電路基板上形成之複數個訊號配線的 方式，配置成陣列狀而成為一體。 %、月长項9之雜訊濾波器陣列，係請求項8之構成 ;D Λ唬配線之该各線圈彼此之連接點，係透過 雜訊回^電容器以非接地狀態連接成共通。 毛月“求項1)之雜訊濾波器，由於係在絕緣體内複 、〜LC I恥共振電路為相對訊號配線以依序串聯連接之 2所形成’因此藉由將各LC並聯共振電路之共振頻率 設定成彼此不同，二匕士 ^人、 J 即此有效除去複數個頻帶中各個之雜 訊。 —"因此’藉由使用本發明之雜訊濾波器，例如可有效進 行行動電話之雜訊對策。 ^此外’由於係使用積層型線圈作為線圈，並將位於前 後線圈間與兩線®電氣共通連接之屏蔽電極，以及與該 〃卜P迅極中之一外部電極電氣連接之電容形成電極，透 10 1281781 緣體加以對向配置來構成電容器’目此能以較簡單 構成形成用來構成LC並聯共振電路之線圈與電容器。 此外，可以藉由調整電容器之電容、或改變線圈導體之阻 數、或是改變線圈導體間之距離，而容易地設定所欲之共 +再者’由於係將由線圈與電容器所形成< Lc並聯共 形成在單—絕緣仙，因此在製造時之龜裂或是剝 c f之機率小，而可以有效率地製造沒有構造缺陷、 σ *性尚之雜訊濾波器。 又’如請求項2所述，在使用積層型線圈作 亚將線圈導體、w βa & # ^ 及人乂及與遠兩外部電極中之一外部φ Τ電氣連接之電容形成電極，透過該絕緣體加以對向配： 來構成電容器之情形時，亦能以 ^配置 數個、，44 月匕Λ旱乂間早之構成，来形成複 ，聯共振電路。此外，可以藉由調整電容器之電 谷1或改變線圈導體之隨、或是改變線圈導體間之距離， 而此谷易地設定所欲之共振頻 去除雜訊。 、羊因此…尤各頻帶有效 明求項3所述’請求項 聊5TW/思饮斋之構成， 由方；在前後線圈間配置盥後图 取 可瑞-以 n配置…線圈軸方向正交之屏蔽電極時， Λ防止月’』後線圈間之磁耦合，因此可以確實地進> 各LC並聯共振電路之共振頻率之設定。 又’如請求項4 並將該兩外部電極中 線圈電氣性共通連接 所述，在使用積層型線圈作為線圈， 之外邛電極、與在前後線圈間與兩 之屏蔽包極，透過該絕緣體對向配置 1281781 來構成電容時，亦Μ 此以較間單之構成，形成複數個LC並 聯共振電路。此外，π、，# 1 線圈導# > , 可以猎由調整電容器之電容、或改變 地設—所^圈數、或是改變線圈導體間之距離’而能容易 二钱：之共振頻率。因此’能就各頻帶有效去除雜訊。 有至二：二之f訊渡波器，該屏蔽電極係被設定為具 為確貫地防止前後線„之軸合。 匕更 因此’可在不變動各Lc並聯共㈣波 於複數個頻帶中分別加大陷波之衰減量，更有 效地除去雜訊。 々里尺勇 別並二之雜_器，以各線圈、及對各線圈個 並聯J =谷器，來構成各共振頻率不同之複數個LC 器之電容'\可以精由適當地設定線圈之電感與電容 波哭：：“：貫且容易的調整、控制各Lc i聯共振遽 進行雜訊之去除。 合殒f充为 連接trrr之雜訊據波器，以各線圈、對各線圈並聯 構成、“益、以及隨此線圈形成所產生之雜散電容哭來 成低頻側之LC並聯共振電路， 圈形虏裕太又以線圈、及隨此線 /成所產生之雜散電容器來構成高 電路時，雖麸並谣士气口口 7 / 亚聯共振 之去除厂、構成間早’但仍能就各頻帶充分進行雜訊 線圈與電容二trrt二c並聯共振電路而言，能以 低頻側：：、“積6又疋大到某種程度，而充分除去 、j之雜讯。此外’就高頻側（Lc並聯共振電路而言， 12 1281781 由於LC乘積較低頻側小即彳，因此可以藉由調整線圈與 隨此產生之雜散電容來充分除去高頻側雜訊。 雨 月长項8之雜訊濾波器陣列，由於係以個別對應 電工路隸7上所形&之複數個訊號配線之方式，冑複數個請 、、 之任種雜訊濾波器配置成陣列狀而成為一體，

口此月b猎由-個零件（雜訊濾波器陣列），分別除去複數個 」-、、在之雜汛。因此，無須就各訊號配線個別設置雜訊 濾波器’❿與先前技術相比可以削減零件數目，且亦能嘩 求零件^之效率化、減少電路基板上零件之構裝面積。 如請求項9之雜訊濾波器陣列，在各訊號配線設置之 。線圈間彼此之連接點，係透過雜訊回流用電容器，以非 接地狀恶連接成共通時，與未設置雜訊回流用電容器時相 較能獲得高衰》咸，且具有良好之斷流特性，因此能將對訊 號波形之影響抑制於最小限度。此外，由於不需要在電路 基板形成接地用電極目案，因此可以提高電路基板配線之 由度且亦不須電路基板内部大面積之接地用電路圖 案。因此，能謀求電路基板成本之降低。 又，若使複數個訊號配線彼此電容耦合時，眾所週知 的會產生如串話（Cross Taik)等問題，此外，一般來說，訊 號頻率在數十MHz以下，雜訊頻率在GHz頻帶。因此， 本毛明中，為了在訊號頻率中沒有串話之影響，因此設定 雜訊回流用電容器之值非常重要（特別是以小電容形成）， 1由將雜訊回流用電容器設定於適當值，而能僅使雜訊電 流回流至其他訊號配線中。 13 1281781 【實施方式】 以下，顯示本發明之實施例，並詳細地說明其特徵。 [實施例1] 圖1顯示將本發明實施例1中之雜訊濾波器陣列構裳 於電路基板上之狀悲的俯視圖’圖2係沿圖1之a ~ A線 的剖面圖，圖3係本發明實施例1之雜訊濾波器陣列的等 效電路圖’圖4係顯示本發明實施例1之雜訊濾波器陣列 之製造方法的分解立體圖。

本實施例1中之雜訊濾波器陣列，如圖1〜3所示，係 用來除去形成於電路基板1上之複數個（在本實施例1令為 4條）訊號配線2中所流通之雜訊，為對應各訊號配線2將 4個雜訊濾波器3予以一體化所形成。 • /〇、岡、、乜峰肢—，此絕緣

體4係積層如陶究坯片等之絕緣性薄片，將其一體燒成後 所形成之長方體。在此絕緣體4之兩側端（左右外側&部）， 形成有分別對應各訊號配線2之訊號輸出人用外部電極6 7’各外部電極6, 7 ’係使用焊料等電氣性連接於構 ’ 路配線2之左右電極圖案2a，2b。 电 一又，在絕緣體4内，對應各訊號配線2,卩 能 成有2段之LC並聯共振電路8,9。 ： 聯共振電…’構一 14 1281781 定的彼此不同。 此處，前段之LC並聯共振電路8，具備輸入側線圈n、 及與此並聯之輸入側電容器12，後段2LC並聯共振電路 9’具備輸出側線目13、及與此並聯之輸出側電容器14。 又’此實施例i，在以下之說明中，將上述上侧輸入側線 圈11與下側輸出側線圈13,稱為「前後之線圈U，丨3」。 此外，此前後之線圈n，13,相當於請求項目i、’3」及 5中之「前後線圈」。 輸入側線圈η，係透過貫通孔17，在絕緣體4内依序 $接複數個積層之線圈導體16而形成為螺旋狀線圈。同 出側線圈13,亦係透過貫通孔19，在絕緣體4 $依序連接複數個積層之線圈導體18㈣成為螺旋“ 之二=7,係將輸入側線圈11與輸出側線圈13 L數6又疋的不同，俾使各[ 點相異。 卫如八振-路8, 9之共振 又’輸人側線圈U與輸出側線圈13之各 過：通孔2。彼此串聯，另一方向，輸 幹： 極6,7連接?另1則分別與輸入側及輸出側之各外部電 間二：：在前後線圈(輸入侧線圈11與輸出側線圈13)之 :以和線圈轴方向正交之方式配置有 )： 24,25,夢由^^電極23對向形成兩個電容形成電極 成幹二幵敝电極23與上側之電容形成電極24來構 成輪入側電…’並藉由屏蔽電極23與下側之電= 15 1281781 成电極25來構成輸入側電容器1 4 〇 又，上述屏蔽電極23係電氣連接於貫 輸入側之線圈U與下側輸出側線圈13加以串聯= 極23，具有覆蓋前後線圈n，13的大面積。 亦即，屏蔽電極23,具有作為各電容器12, 14之。 形成用之一側電極的功能，且亦具有不使前後線圈1二 彼此磁耦合之電磁屏蔽的功能。 ’ "此外，在防止前後線圈U，13彼此磁_合之同時，屏 ^極Μ之面積最好是Μ為具有至少可覆蓋前後各線 圈丨，13面積的1/2以上。 又，各電容形成電極24, 25，其各一端部係分別 至絕緣體4之外側部與各外部電極6,7電氣連接。並調整 並聯共振電路8,9之共振點，藉預先調整屏蔽電極 及與此屏蔽電極對向配置之上下各電容形成電極％ 25間 之對向面積與對向間距離，來改變輸入側電容器12與輸 出側電容！ 14之電容，俾充分除去欲除去之頻率雜訊： 此外，亦可藉由調整各線圈U，13本身之電感 振點。 接著，說明此實施例1之雜訊濾波器陣列的製造方法。 為製造此實施例1之雜訊濾波器陣列，例如，如圖4 2不，係分別準備既定片數之輸入側線圈形成用之絕緣性 溥片3 1、輸出側線圈形成用絕緣性薄片32、電容器形成 用、、、巴緣性 >專片33, 34, 35、以及視需要設在此等絕緣性薄片 16 1281781 ，’ 3 35之間用於破此連接的絕緣性薄片（未圖示）。 此外，作為此等絕緣性薄片，可以使用介電體之陶究生链 片0 此外，於線圈形成用各絕缝 士、、巴、、象性溥片31，32，為對應4 個線號配線2分別形成線圈〗〗 八…/ 又11，13，分別形成有4個線圈 導體16，18。此外，各線圈導 危——7 叫守體1 6，1 8，係在每個絕緣性 薄片31，32改變形狀以形成為對絕緣性薄片31,32之積層

方向成為螺旋狀。此外’各線圈導體16, 18，係對訊號之 流動方向為相同之捲繞方向。 另一方面，電容器形成用絕緣性薄片33, 34, 35令、 、上下之、”巴、、彖I生薄片33, 35，分別形成有電容形成電極％ 25二於中間之絕緣性薄片34，則形成有屏蔽電極。。又， 屏蔽電極23及電容形成電極24, 25，係為了分別對應*個 訊號配線2而形成為4個並列。此外，在此等絕緣性薄片 31〜35中之既定絕緣性薄片上，形成有能將上下薄片加以 電氣連接的貫通孔2 〇等。 又’上述線圈導體16, 18及屏蔽電極23、電容形成電 極24, 25，例如係使用Ag—Pd、Ag等材料。 接著，積層既定片數之輸出側線圈形成用絕緣性薄片 32、電谷器形成用絕緣性薄# 33〜35，以及輸入侧線圈形 成用絕緣性簿Η ο η ^ . _ 豕I王得片3 1，再視需要，在各絕緣性薄片3 i〜35 2間設置彼此連接用絕緣性薄片（未圖示）之後，將此等各 絕緣性薄片之積層體燒成為—體。之後，在所得之絕緣體 4兩令而部(左右外側部）’對應各訊號配線2形成外部電極6 17 1281781 藉此，得5丨丨目士， 之等效線路之實二/圖2所示之構成、以及如圖3所示 1之雜訊= /的雜訊濾波器陣列。又，此實施例 19,2〇依序連接，升，点，各線圈導體16，18透過貫通孔17, 圈13,而且各後围7螺旋狀輸入側之線圈11與輸出側線 另一端側透過貫通孔，213之;'端側與外部電極6,7連接、 屏蔽電極23。又，+互相串聯連接，且亦共通連接於 ，於屏蔽電極23，電容形成電極24，25 、°巴彖體4(!巴緣體層4a)彼此相對，且各電容形成電極μ， 25之各-端連接於外部電極6, 7，藉此形成輸人側電容器 12及輪出側電容器、14,以此方式，實現輸入側電容器η 及輸出側電容H 14分別並聯於輸人側線圈u及輸出側線 圈Π的構成。 使用此實施例1之雜訊濾波器陣列時，為了在複數個 /員π中能刀別有效除去雜訊，係將前後之並聯共振電 路8, 9之共振點，預先設定成欲除去之各頻帶中所含雜訊 的/、振頻率’如此’即能有效除去例如行動電話之雜訊對 策所須之800MHz附近、與2GHz附近之兩個通訊帶的雜 訊0 並且’由於在輸入側線圈11與輪出側線圈1 3之間存 在屏蔽電極23，因此能確實遮斷前後線圈11，1 3間之磁|馬 合。據此，可以在不變動各LC並聯共振電路8，9之共振 頻率的情形下，於複數個頻帶中分別加大陷波的衰減量。 例如，就高頻側共振頻率而言，能確保20dB以上之高衰 18 •1281781 減。 =者，此實施例1之雜訊濾波器陣列，係在一個零件 2内夕Γ广成複數個雜訊渡波113，能同時除去各訊號配線 Z之雜訊，因itΛ- 不/員在母個訊號配線2上設置雜訊濾波哭， 能減少零件之盤θ , ,ν" 数目。此外，由於複數個LC並聯共振電敗 乙形成在單-絕緣體4内，因二製造時產生戈^ 之疑慮減少’而能提供沒有構造缺陷、具有高可靠= 訊濾波器陣列。 罪注之雜 了 就以上貫施 <列1戶斤示之本發明之雜訊濾波器陣列，為 查其濾波特性，進行了以下之評價實驗。 …、 [評價實驗] 針對構成本發明雜訊濾波器陣列之一個雜訊濾波哭 调查了其插入損耗（IL)之頻率依存特性（以下，

特性）。又，此處，係將前段之LC並聯共振電路幹L :線圈η之電感u設定為制，輸入側電容器ΐ2 = 合值ci設定為L2pF’後段之LC並聯共振電路 ： 側線圈13之電感L2設定為18nH，輪屮办丨币h 則 _ ^ W翻出側電容器14之雷 各值C2設定為〇.4PF。其結果顯示於圖5。 ” 如圖5所示，雜訊濾波器3，在 Μ αλ 力電活所須雜訊對 朿的800MHz附近與2GHz附近之兩個通訊帶具有共于 率，確認了能有效除去各通訊帶中所含之雜訊。 ^辰頻 [實施例2] 圖6係本發明實施例2之雜訊據波器 ▽ ^ tSJ 圖。 又，圖6中，與圖1〜圖4具有相同符 I之部分，係代表 19 ^81781 汽％例1之雜訊濾波器陣列相同或是相當之部分。 例2之雜讯濾波器陣列，具有與圖3所示等致 峪相同之等欵電路。 器 °此M施例2之雜訊濾波器陣列中，輸入側電容 人輸出側電容哭14，係相斜# 士、认 f 出側線園W 係相對形成輸入側線圈11與輪 、、、圈13之各線圈導體丨 4(絕緣髒厗λ、 邻伤，透過絕緣體 立曰昀分別對向配置電容形成電極24, 25所構成。 側之一 I::、相對形成輸入側線圈11之線圈導體16之輸出 #伤’透過絕緣體4(絕緣，屏a 成電極24來(、巴、、彖體層叫對向配置電容形 末形成輸入側電容器12，此卜 側線圈Μ夕A、…· 相對形成輸出 線圈導體1 8之輪入你|夕 加八 各 Λ Λ 徇入側之一部份，透過絕緣體 、象體層對向配置電容形成雷朽以十…丄土 容器14。又…… 電極25來形成輸入側電 又各電容形成電極24 Μ十 x 絕後雕4 + 电位24,25之一端係分別引出至 、、彖肢4之兩外側部，與外部電極6 一 相對私λ 7 ϊ A 5 私乳連接。藉此， 子輪入側線圈工i與輸出側 器12鱼輪+ + 圈13構成由輸入側電容 又、輸出：電容器14並聯之2個LC並聯共振電路8,9β 線圈16 ““列2之雜讯濾波器陣列中，藉由對各導體 、圈16, 18調整電容形成電極24乃 距離箄，枯仏y ’ 之對向面積與對向間 £雕寻，使輸入側電容器12盥輪 化，來將久^ ”輸出側電容器14之電容變 不將各LC並聯共振電路8 q ^ u s 雜訊之业#+冰 ，之/、振點調整於欲除去 ^ ^ φ ,g(I. 耳了以猎由§周整輸入側 出側線圈13之電感來調整共振點。 又，此實施例；2中，盎眚尬/f 側輪入彳目ί # 一灵也例1之情形同樣的，在上 側輪入側線圈η與下側輪 在上 側線圈13之間設有屏蔽電極 20 '1281781 23，並電氣連接於將上側輸入側線圈11與下側輸出側線 圈1 3加以串聯之貫通孔2 0。 以此方式在上側輸入側線圈11與下側輸出側線圈 1 3 (上下線圈11，1 3)之間設置屏蔽電極2 3時，即使在零件 ' 尺寸小、線圈U，13之間相距較近的情形下，由於能防止 上下線圈11，13彼此間之磁叙合，因此能確保高衰減。然 而，視所使用之零件尺寸，亦有可充分確保上下線圈13 間距離的情形，此時，由於上下線圈n，13間之磁耦合變 鲁得極小，因此亦可省略屏蔽電極23。 又，此實施例2中，屏蔽電極23雖係電氣連接於將上 下線圈11，13間加以串聯之貫通孔2〇，但在防止上下線圈 11，13之磁耦合的情況下，屏蔽電極23亦可以是與貫通孔 2〇電氣分離之狀態。 由於其他構成及作用效果與實施合"之情形相同，此 處為避免重複，省略詳細之說明。 [實施例3 ]

反圖7係本發明第3實施例之雜訊遽波器陣列的截面圖。 β 7巾’與圖1〜圖4具有相同符號之部分，係與實施例 1之雜λ濾波裔陣列相同或相當部分。 丄此施例3之雜訊滤波器陣列，具有與圖3所示之等 政電路相同的等效電路。 此實施例3之雜訊濾波器陣列中，輸入側電容哭㈣ 輪出側電容器14，#由對 ρσ ” ^ ^ 由對應各矾唬配線2分別形成於絕緣 月丘4兩端側（左右外側 1 j "丨）之讯唬輸入用各外部電極6，7， 21 1281781 及在前後線圈丨丨J3 PB . ^ 孔20與前後線圈U】… 軸方向正交且藉由貫通 成。讀圏u，13電氣共通連接之屏蔽電極23所構 也就是說，由輸入側外部雷 與此對向之屏蔽帝極 ° 、及透過絕緣體4(4b) L 电極23構成輪入側電容哭1 〇丄 外部電極7、另、悉、a仍 电谷為12，由輸出側 '及透過絕緣體4(4b)盥if斜a 來構成輪入側電容哭14。“ h、此對向之屏蔽電極23 口口 14。猎此，電| 圈U，13，椹出欠电谷為12, W並聯於各線 構成各LC並聯共振電路8, 9。 说又，此實施例3之雜訊遽波器陣列中H 外部電極6, 7與屏蔽電極23 二係精由調整各 電容器12與輸出側電容器14之•二二巨離等’使輸入側 聯共振電路8 9夕丘士 ° 电谷變化，來將各IX並 8，9之共振點調整於欲除 此外，亦可以藉由調整輸人側線圈u鄉^”振頻率。 電感來調整共振點。 $圈11與輸出側線圈13之 :於其他構成及作用效果與實施 免重複，省略詳細之說明。 此處為避 [實施例4 ] 圖8係本發明實施例4之雜訊濾波器陣 ® 9係其等效電路圖’ i 口 立體圖。 只丁 ” I以方法的分解 传二圖8〜圖Μ中，與圖1〜4具有相同符號之部分， 係與細"之雜訊濾波器陣列相同或是相 八、 此實施例4之雜訊濾波器陣 刀 干夕奋# , I Ί I示八備圖1〜圖4所 不之戶、施例1的構成外，並進一 〃、備·構成雜訊濾波器 22 1281781 3(設於各訊號配線2)之前後lC並聯共振電路8, 9之各線 圈11，13間之連接點，係透過雜訊回流用電容器以非 接地狀態共通連接的構成。 —亦即’此雜訊濾、波器陣列’藉由與設在絕緣體4内之 屏蔽電極23對向、來對向配置電容形成電極& 25，據以 形成輸入側電容器12與輸出側電容器14，且進一步與屏 蔽電極23對向、透過絕緣體4(絕緣體層叫在上下分別配 置雜訊回流用電極36，藉由屏蔽带 稽幵敝包極23與雜訊回流用電 極3 6來形成雜訊回流用電容器3 8。 此貝施例4之雜訊遽波器陣列中，屏蔽電極u及電容 =電極24, 25雖係於每個訊號配線2沿著該訊號配線2 配線’2而正上六下之各雜訊回流用電極36,則係沿著與各訊號 又之方向（與圖8紙面垂直之方向）、以橫過各電 極2 3，2 4，2 5之方式、查碎游# χ '連，形成。且此雜訊回流用電極36係 里没在絕緣體4内而不盥外部連接言 ’、 帝搞％目士 、 /、卜Ρ連接。亦即，此雜訊回流用 包 ，/、有作為雜訊回流用電容器38 成用電極的功能，且亦且右柞主她 遺之電今形 此間以非接地狀態共通連接之電極的功能。〜彼 製造2。’參照圖1〇說明此實施例4之雜訊遽波器陣列之 例4之雜訊遽波器陣列之製造方法，基本上盥 二域1相同，但是在4個訊號 共振電路8, 9時，必項同4月“曼LC並聯 .^ ^ 須同守形成雜訊回流用電容器38，因 ^有各電容形成電極乂 25之絕緣性“ 33, 35 23 1281781 u、古亦係同％形成雜訊回流用電極36。又，此處，各雜訊 回流用《 36係分別延設於橫過電容形成用電極％ 25 之方向（沿絕緣性薄片33, 35長邊方向的方向）。 接著，積層既定片數之輸出側線圈形成用絕緣性薄片 電容器形成用絕緣性薄片33〜35、以及輸人側線圈形 =用絕緣性薄片3卜並視須要在各絕緣性薄片31〜35間 设置彼此間連接用的絕緣性薄片(未圖示)後，將此等各絕 緣性薄片之積層體-體燒成。之後，在所得之絕緣體4之 兩端部(左右外側部），形成對應各訊號配線2之訊號輪出 入用之外部電極6, 7。 雕藉此，如圖8所示，得到：就每一訊號配線2在絕緣 體4内形成前後兩段之LC並聯共振電路8, 9，Lc並聯共 :!路8,9之各線圈n，13之連接點係透過雜訊回流用電 3 8以非接地狀態共通連接，且具如圖9所示等效電 路之此貫施例4的雜訊濾波器陣列。 此構成之雜訊濾波器陣列中，在一個訊號配線2流動 之雜訊電流’會因各訊號配線2 < Lc並聯共振電路8, 9 損失而使雜汛減低，進一步藉由雜訊回流用電容器3 8 而分散至其他訊號配線2的方式進行回流。因此，使用此 雜訊濾波器陣列時’與實施们相較，能於各頻帶中更有 效地去除雜訊。此外，由於具有更良好之斷流特性，因此 了以有效地抑制對訊號波形之影響。 再者，由於不需要如先前技術般之接地用電極圖案， 因此可以提昇電路基板！（圖υ之配線自由度’而使用簡單 24 1281781 構造之電路基板卜因此能謀求電路基板ι之成本降低。 =於其他構成及作用效果與實施例丨相同，此處為避 免重複，省略詳細之說明。

又’上述實_ 4中’前後Lc並聯共振電路& 9之 σ Λ圈1 1，1 3間之連接‘點，雖係透過雜訊回流用電容哭3 8 以非接地狀態共通連接，但本發明並不限於此構成，例二， 亦可如圖U所示，在後段之Lc並聯共振電路9之輸出侧 將雜回流用電容器、38以非接地狀態共通連接，或者， 雖^特別顯示於圖中’但亦可相反地在前段之Μ並聯共 振屯路8之輸入側將雜訊回流用電容器％以非接地狀能 共通連接。 〜 針對上述實㈣4之雜訊較科列，為調查其據波 寸性’進行了以下之評價實驗。 [評價實驗1] 針對具有貫施例4之構成的雜訊濾波器陣列，進行了 11之调查°此處’為了防止因串話之影響使IL特性 乂生差異，因此，如® 12之等效電路所示，就4個雜 H皮器3中的3個雜訊據波器，在其左右端連接5〇 =端電阻進行了測試。此時’為進行特性之比較，針對如 只施例！之構成的沒有設置各雜訊回流用電容器38 ::了江特性之調查。又，此處係統—將前段lc並聯： :…之輸入側線圈U之電感設為2〇nH、輸入側電： :12之電容設為_ ’將後段以並聯共振電路 侧線圈1 3之電感設為i 3nH、輸出側電容器1 4之電容二 25 1281781 為〇.4pF，進行了測試。圖13顯示其結果。 如圖13所示，在設置雜訊回流用電容器38時，與μ 有設置雜訊回流用電容器38時相較，可以確認在行動； :雜訊政策所須之_ΜΗζ附近與2GHz附近的兩個通訊 j、及兩個頻帶之間，可以得到大的訊號衰減量，而能有 效除去各通訊帶中所含之雜訊。 [評價實驗2] 在具備實施例4之構成之雜訊滤波器陣 查雜讯回流用電容器38之電容的影響，進行使1 回流用電容器38之電盆為〇 在使雜況

^ 7 '谷在0PF〜15PF之範圍内變化時的IL 特性。又，此時，亦係以連接成如圖i2之 _ 構成來進行了測試。圖14顯示其結果。 >、、、、所不 如圖14所示，確認了雜訊回流用電容哭 — 大’可得到越大之訊號衰減量⑽之电谷越 會在訊號頻帶中產生串話加大對=，當電容值過大時， v τ废玍甲活加大對訊號波形 塑 訊回流用電容器38之電容， …口此雜 [評價實驗3] PF ¥左右“適當。 針對將前後LC並聯共振電路8 之連接點，透過雜訊回流用電容哭 各線圈U，13間 連接的情形（圖9)，以及將雜訊回^ ^非接地狀態共通 狀態共通連接於後段LCii聯共振 W 38以非接地 分別進行了 IL特性之測試。此時 、之輪出側的情形， 1相同。目15顯示其結果。圖15中式條件’與評價實驗 雜訊回流用電容器38時之α特性。，—併顯示了未設置 26 1281781 如圖15所示，無論是圖9所示之構成、或目n所示 、構成可以確涊在行動電話雜訊對策所須之8〇〇ΜΉζ附 y 2GHz ρ付近的兩個通訊帶，與未設置雜訊回流用電容 叩、38之&況相較，可以得到大的訊號衰減量，有效除去 各通訊帶中所含之雜訊。

上述實施例1〜實施例4中，由於係對各線圈n, 13 個別地並聯電容器12, 14以構成共振頻率互異之複數個IX 亚聯共振電路8,9,因此線圈Π，13之電感與電容器12，14 之電容的調整容易’能確實地將I Lc並聯共振電路8, 9 之共振頻率設定、控制於為進行雜訊去除所須之頻率。因 此’具有能在各頻帶中充分進行雜訊去除之特徵。 另-方面，藉由以下說明之實施例5〜7之構成，亦能 充分達成所欲目的。 亦即，如前所述，在u k + a 並如/、振電路中，共振頻率 依存於LC之乘積值，Lc之乘積越大共振頻率即越小而成 低頻側。又，在LC乘籍伯士口门士

― 宋積值相同時’電感值L越大則衰減 置越大、電谷器' C之比例越大衰減頻寬越窄。此處，由於 高頻側共振頻率之設定可以是…c乘積值，因此可以 藉由調整雜散電容而容易地實現。再者，雜散電容小亦可， 因此可以取較寬的衰減頻寬。另…，低頻側共振頻率 之設定’必…C之乘積值放大到—定程度 ，、： 電感值L設定得過大，則會產生訊號波形失真等問^因 此’欲放大電感值L時自有其限制。又，為彌 之限制，而縮小線圈導體之層間距離或變更絕緣㈣ 27 1281781 雜散電容設定得較大時，將會產生特性劣化而損及可靠 性、或是製程數增加而導致成本上升等問題。 因此，在以下之實施例5〜8中，對於低頻側雜訊，係 藉由線圈及與此線圈並聯之電容器的組合來構成可獲得相 當程度大LC乘積之LC並聯共振電路，對於高頻側雜訊， 則藉由線圈及此線圈形成用線圈導體（線圈導體層）間所產 生之雜散電容器來構成具有所欲Lc乘積之Lc並聯共振電 路，藉此，即能以較實施例丨〜4簡單之構成，就各頻帶 確保雜訊除去作用。以下，將顯示實施例5〜7，並、二 明其内容。 5兄 [貫施例5 ] 圖1“員示本發明實施例5之雜訊濾波器陣列之構成的 ’：：1 17顯示本發明實施例5之雜訊濾波器陣列的 :::路圖’ ® 18顯示本發明實施例5之雜訊濾波器之 法：分解側視圖。又，圖16〜18中，具有與圖卜 同或是相當之部分。 …之m皮益陣列相 只靶例5之雜訊濾波器陣列中，輸入側電容 係相對展γ $ 七為i 2 b ’ 、文氣極2 3之一部份透過絕緣體4 (纟邑续辦既 電容形 处、、巴、、象骽V、、巴、、象體層4a)將 取％極24對向配置所構成。 配置H ^對在前後線圈u，13之間以和線_方向正交 將電容^ $極23之—部份’透過絕緣體4(絕緣體層4a) 又，將：办Μ 24對向配置，來構成輸入側電容器12b。 兒4形成電極24之一端拉出至絕緣體4之一端側（左 28 1281781 外側部），與外部電極6電氣連接。藉此，對輸入側線圈u 並聯雜散電容器12a(隨著此線圈u之形成，在線圈導體（線 圈導體層）16間必然產生者，圖17)與輸入側電容器12b(因 電容形成電極24所產生），來構成低頻側之LC並聯共振 黾路8又，藉由輸出側線圈13、以及與伴隨此線圈J 3 之形成在線圈導體（線圈導體層）18間必然會產生之雜散電 奋裔14a(圖17)，來構成高頻側之乙。並聯共振電路9。 又，此實施例5之雜訊濾波器陣列中，係藉由對各導 _版1 6调整電容形成電極24之對向面積與對向間距離等， 使輸入側也谷裔12b之電容變化，即能將低頻側之並 聯共振電路8之共振點調整於欲除去雜訊之共振頻率。此 外，藉由調整輸入側線圈n與輸出側線圈13之電感、或 調整雜散電容器12a，14a之電容，亦能調整各Lc並聯共 振電路8，9之共振點。 又，此貝施例5中，在上側之輸入側線圈丨〗與輸出側 線圈13之間設置有屏蔽電極23，其電氣連接於將上側之 Φ輸入側線圈1 1與下側之輸出側線圈13間加以串聯之貫通 子L 20 。 如此，此實施例5中，各雜訊濾波器3，由於其前段 側之LC並聯共振電路8係由輸入側線圈n、雜散電容器 12a、及輸入側電容器12之組合來構成具有所欲之乘 積，因此，可以有效地除去低頻側之雜訊。亦即，由於能 將輸入側線圈11與輸入側電容器12b之Lc乘積值設定成 大至某種程度，因此能在避免因電感值L設定得過大而使 29 1281781 訊號波形失真、或因將雜散電容設定得較大使特性劣化及 製程數增加而導致成本上升等問題的同時，確實的除去低 頻側雜訊。。 又，由於後段側之LC並聯共振電路9，係由線圈Η、 以及隨此線圈13之形成必然產生之雜散電容器“a所構 成，因此可以有效除去高頻側之雜訊。亦即，高頻側丘振 頻率之設定，可以是小的LC乘積值，因此能藉由調整雜 散電容器14a之電容而容易地加以實現。並且，由於雜散 電容之比例即使小亦可，因，士又强w , ^ , 口此不須鈿小鬲頻側雜訊之衰減 頻寬’非常理想。例如’行動電話之通訊頻帶，低頻側為 875〜885MHz、高頻側為211〇〜217〇MHz，高頻側之通訊 區域較寬’根據此實施们之構成，能有效除去高頻侧之 雜訊。 承上所述，此實施例5中，各雜訊據波器3雖係較實 施例1〜4簡單之構成，但仍能確保各頻帶所欲之雜訊除 去作用。 由於其他構成及作用效果i告丨 、 ρ π双禾興只轭例1相同，此處為避 免重複，省略詳細之說明。 接著，說明此實施例5之雜訊濾波器陣列之製造方法。 由於此實施例5之製造方法與實施例！之情形基本上相 同’因此簡單地說明其内容。 例如，如圖18所示，分別準借 / 〜+備既疋片數之輸入側線圈 形成用絕緣性薄片 3 1、^山y , i 輸出側線圈形成用之絕緣性薄片 32、電容器形成用絕緣性薄片 ^ ^ 守行W，34、以及在此等絕緣性 30 1281781 /去片门31〜34之間視需要設置之彼此間連接用絕緣性薄月 (未圖示）。 号 ^時，於線圈形成用各絕緣性薄片31，32，為對應4 況魂配線2分別形成各飧 圈導 成各線圈U，13’分別形成有4個線 ^ u "，又，於電容器形成用絕緣性薄片33, 34中 側之ΓΓ絕ί性薄片33，形成有電容形成電極24，在下 23 形成有屏蔽電極23。此外，屏蔽電極 4 24^ ι 办成有4個。具去 执 μ 之既定絕緣性薄片，來成有”寺絕緣性薄片31〜34中 之貫通孔20等。/成“將上下薄片間加以電氣連接 定片數之輸出側線圈形成用絕緣 成用==絕緣性薄片33, 34、以及輸入側線圈形 取用緣性溥片31加以積 〜W之間插人彼此間連接用之〶要在各絕緣性薄片31 此等各絕緣性薄片—體燒成。、巴，，·心專片（未圖示）後，將 之後，在所得之絕緣體4兩 各訊號配線2形成外部電極」I外側部Ρ對應 所示構成、以及如圖17所亍料错此，得到具有如圖Μ 濾波器陣列。 ，效電路之實施例5之雜訊 [實施例6] 圖19為本發明實施例6之 圖19中，具有與圖卜4相同二思波器陣列的截面圖。 之雜訊濾m列相分，係與實施例1 31 1281781 電路相=例6之雜訊濾波器陣列，具有與圖17所示等效 ⑺之等效電路。 器I2H’.此實施例6之雜訊遽波器陣列中，輸入側電容 糸對形成輸入側線圈11之線圈導體16之一部份， 透過锅蜍刻》, 丨忉’ 成。、、‘立4(絕緣體層4a)對向配置電容形成電極以所構 久|、βρ 之一力、形成輸入側線圈1 1之線圈導體1 6之輸出側 泰一部份’透過絕緣體4(絕緣體I 4a)對向配置電容形成 二極來構成輪人側電容器12b。此外，電容形成電極 之一端係被拉出至絕緣體4之一端側（左外側部）與外部 電極6電氣連接。 以上述方式，藉由對輸入側線圈11 一起並聯雜散電容 叩12a(隨此線圈u之形成，在線圈導體（線圈導體層ye 間必然產生者，圖17)、與輸入側電容器12b(由電容形成 電極24產生），來構成低頻側之LC並聯共振電路8。又， 猎由輸出側線圈13、與隨此線圈13之形成在線圈導體（線 圈導體層）18間必然會產生之雜散電容器14a(圖17)，來構 成高頻側之LC並聯共振電路9。 又，在此實施例6之雜訊濾波器陣列中，可藉由對各 導體16調整電容形成電極24之對向面積與對向間距離 等’使輸入側電容器12b之電容變化，將LC並聯共振電 路8之共振點調整於欲除去之雜訊之低頻側的共振頻率。 此外，亦可藉由調整輸入側線圈1 1與輸出側線圈π之電 感值、或調整雜散電容器12a，14a之電容，來調整久 迹聯共振電路8, 9之共振點。 又，此實施例6中，盥竇尬“ 八側線圈11盥下側之^^出 ，5同樣的，在上側之輪 ”下側之輸出側線圈13之門讯古尸寸 ，其電氣連接於將上側之輸 =开蔽電極 例線㈣之間加以串聯的貫通孔;。線圈11與下側之輪出 由於其他構成及作用效果盥 免重複，省略詳細之說明。“"相同’此處為避 [實施例7] 圖20係本發明實施例7之 ¢1 20 Φ , Θ ^ m ’、σ ‘波态陣列的截面圖。 Μ “中，具有與圖i〜圖4 1之雜哺嗆、*抑陆 付唬之邛分，係與實施例 慮波益陣列相同或是相當之部分。 此實施例7之雜訊遽波 電路相同之等效電路。 ”有與圖Π所不等效 ^ &例7之雜訊m陣列中，輸人側電容 杰12b，係由對應各訊號 線2形成於絕緣體4之一端側（左 外側部）之訊號輸出入用外 > 用外邛電極6,以及在前後線圈11，13 間、與線圈轴方向正夺日、纟 且透過貝通孔20與線圈π，13 電氣共通連接之屏蔽電極23所構成。 亦p係由輪入側之外部電㉟6、以及透過絕緣體4(4b) 與此對向之屏蔽電極23來構成輸入側電容器…。藉此， 線圈11並聯雜散電容器m(隨此線圈η之形成， 在線圈導體(線圈導體層)16間必然產生者，圖17)與輸入 叫由4蔽電極23產生），來構成低頻側之… 並聯共振電路8。又，Μ山^， 又和由輸出側線圈13、以及隨此線圈 33 1281781 I3—之形成在線圈導體（線圈導體層）18間必然會產生 雷交哭 1 /1 ri / rgi ΐβ、 j %於薈座玍之 谷。。 7)’來構成高頻側之LC並聯共振電路y。 卜此“&例7之雜訊濾波器陣列中，藉由調整各 =:6二屏蔽電極23之對向間距離等，使輸入側電 吨1敖;pT h化’即能將LC並聯共振電路8之共振 ，..·占调整於欲除去雜訊之低 # 敕 /、搌頻率。此外，藉由調 4輸入側線圈u與輸出 ^ ^ 1〇 1/f U之電感、或調整雜散電 ::广，A之電容’亦能調整各LC並聯共振電路" 之共振點。 心其他構成及作用效果與實_ 5相同，此處為避 免重複，省略詳細之說明。 2二：述各實施例1〜7中，雖說明了對各個訊號配線 設置a並聯共振電路8,9之情形，但本發 :亚不限於此，亦可以是對各個訊號配線設置3段以上串 :之、=共振電路的構成”匕時，就各π並聯共振電 = = 與電容〜成為適當之共振頻率，即 b k付在更為寬頻之雜訊除去特性。 又’上述各實施例1〜7中 …、 路 中雖係沉明了對應形成在電 : 之4個Λ號配線2而將4個雜訊濾波器3加以 成-肢之雜訊濾波器陣列’但對各雜訊濾波器3之數 目並無特別限制，即使是呈供口口 ^ , ”疋具備早-雜訊濾波器3之構成時， 二可本發明。此外，實施例"，雖亦說明了對岸 :固訊號配線2而將4個雜訊據波器3加以組合成 雜訊渡波器陣列，但此時之訊號配線2的數目、及_ 34 1281781 波器3之數目並無特別限制。 本么月，在其他點上亦不限定於上述實施例1〜7，在 本發明之範圍内’可以有各種之應用與變形。 」:據本务日月’旎提供一種在複數個涉員冑中容易且確實 、叩定，、振頻率，在複數個頻帶中有效除去雜tfl之雜訊濾 波叩此外，更可提供能確實地防止線圈間之磁耦合、在 各共，頻率中獲得高衰減之雜訊濾波器，以及使用此雜訊 濾波裔之雜訊濾波器陣列。 ^再者，本發明之雜訊濾波器以及雜訊濾波器陣列，非 苇k 口運用在行動電話之雜訊去除等用途，此外，亦可廣 泛利用於其他用途（例如其他高頻電路之雜訊去除等用 途）。 【圖式簡單說明】 圖1，係顯示將本實施例丨之雜訊濾波器陣列構裝於 電路基板之狀態的俯視圖。 、、 圖2 ’係沿圖1之A — A線的截面圖。 圖3，係本發明實施例1之雜訊濾波器陣列的等效命 路圖。 包 圖4，係顯示本實施例1之雜訊濾波器陣列之製造方 法的分解立體圖。 圖5 ’係顯示本實施例1之雜訊濾波器陣列之插入損 失之頻率依存特性的特性圖。 、 圖6 ’係本發明實施例2之雜訊濾波器陣列之構成的 35 1281781 圖7， 截面圖D 圖8， 截面圖 係本發明實施例3之雜訊濾、波器陣列之構成 係本發明實施例4之雜訊濾波器陣列之構成 的 的 圖 回9，係本發明實施例4之雜訊濾波器陣列的等效電 路圖。 圖 1 π / ’係顯示本實施例4之雜訊濾波器陣列制 法的分解立體圖。 …方 圖 1 1 >. 1 ’係本發明實施例4之雜訊濾波器陣列 的等效電路圖。 圖]9 2^ 係進行本發明實施例4之雜訊濾波器陣列之 貝貫驗時之布線狀態的等效電路。 ΰ 圖13，係顯示將本發明實施例4之雜訊濾波器 插入指生 干之 、 ^員率依存特性與實施例1加以比較的特性圖。 圖14，係顯示本發明實施例4之雜訊濾波器陣列中， 使雜訊回流用電容器之電容變化時插入損失之頻率 性的特性圖。 存4寸 圖1 5，係顯示本發明實施例4之雜訊濾波器陣列中， 刀別就圖9所不構成與圖11所示構成測量其插入損失 頻率依存特性的特性圖。、 圖16 ’係顯示本發明實施例 成的截面圖。 之變形例 之 之雜訊〉慮波器陣列之構 路圖 圖17，係本發明實施例5之雜訊濾波器陣列的等效㊈ 36 1281781 圖1 8，係顯示本發明實施例5之雜訊濾波器陣列之製 造方法的分解立體圖。 圖1 9，係顯示本發明實施例6之雜訊濾波器陣列之構 成的截面圖。 圖20，係顯示本發明實施例7之雜訊濾波器陣列之構 成的截面圖。 【主要元件符號說明】

1 電路基板 2 訊號配線 2a，2b 電極圖案 3 雜訊濾波器 4, 4b 絕緣體 4a 絕緣體層 6, 7 外部電極 8 前段之LC並聯共振電路 9 後段之LC並聯共振電路 11 輸入側線圈 12 輸入側電容器 12a 雜散電容器 12b 輸入側電容器 13 輸出側線圈 14 輸出側電容器 14a 雜散電容器 16，18 線圈導體 37 1281781 17, 19, 20 貫通孔 23 屏蔽電極 24, 25 電容形成電極 31，32 線圈形成用絕緣性薄片 33, 34, 35 電容器形成用絕緣性薄片 36 雜訊回流用電極 37 終端阻抗 38 雜訊回流用電容器

38

Claims (1)

1281781 十、申請專利範圍： 1 ·一種雜訊濾波器，係用來除去通過電路基板上所形 成之όΚ號配線的雜訊，其特徵在於： -在、、’巴緣體外部形成與該訊號配線連接之一對外部電 • 極，另方面，在該絕緣體内部串聯複數個線圈，其兩端 分別與外部電極電氣連接，且於該複數個線圈中之至少一 個線圈並聯有電容器； /。線圈，係將透過該絕緣體而積層之複數個線圈導 • 體透過貫通孔連接成螺旋狀所構成； 该=谷器，係將位於前後線圈間與兩線圈電氣共通連 接井蔽私極、以及與該兩外部電極中之一外部電極電氣 連接之私谷形成電極，透過該絕緣體加以對向配置所構 成0 2 種雜訊濾波器，係用來除去通過電路基板上所形 成之訊號配線的雜訊，其特徵在於：

在絕緣體外部形成與該訊號配線連接之一對外部電 才兩 5 "7^ ’在該絕緣體内部串聯複數個線圈，其兩 分別與外部電極φ 枝電乳連接，且於該複數個線圈中之至少一 個線圈並聯有電容器； 、σ、友圈係將透過該絕緣體而積層之複數個線圈導 肢透過貫通孔連接成螺旋狀所構成； 之 it"1係將色線圈導體、以及與該兩外部電極中 部電極電氣連接之電容形成電極，透過該絕緣體加 以對向配置所構成。 39 1281781 3.如申請專利範圍第2項之雜訊濾波器，其中，係在 前後線圈之間，與線圈軸方向正交配置屏蔽電極。 種雜慮波益，係用來除去通過電路基板上所形 成之訊號配線的雜訊，其特徵在於： 在'%緣體外部形成與該訊號配線連接之-對外部電 極’另-方面，在該絕緣體内部串聯複數個線圈，其兩端 刀別人外。P电極電氣連接，且於該複數個線圈中之至少— 個線圈並聯有電容器； 。、、1圈係將透過該絕緣體而積層之複數個線圈導 體透過貫通孔連接成螺旋狀所構成； 琶谷係將5亥兩外部電極中之一外部電極、與在 前後線圈之間與兩線圈電氣性共通連接之屏蔽電極，透過 該絕緣體對向配置所構成。 口口 5·如申請專利範圍第卜3、4項中任一項之雜訊渡波 杰’其中，該屏蔽電極係被設定為具有至少覆蓋前後各線 圈面積之1/2以上的面積。 > 6 士申明專利範圍第丨至4項中任一項之雜訊濾波器， 其中，係由該各線圈、與對各線圈個別並聯之電容器，構 成各共振頻率彼此不同之複數個Lc並聯共振電路。 7如申明專利範圍第丨至4項中任一項之雜訊濾波器， 其中係由忒各線圈、對各線圈個別並聯接之電容器、以 及隨此線圈形成所產生之雜散電容器，構成低頻側之LC 並％共振电路，此外，由線圈、與隨此線圈形成所產生之 雜散電容器，構成高頻側之LC並聯共振電路。 1281781 δ· 一種雜訊濾'波器陣列，其特徵在於： 係將複數個申請專利範圍第1至7項中任一項之雜訊 濾波器，以個別對應電路基板上形成之複數個訊號配線的 方式’配置成陣列狀而成為一體。 9 ·如申請專利範圍第8項之雜訊濾波器陣列，其中， 設於該各訊號配線之該各線圈彼此之連接點，係透過雜訊 回流用電容器以非接地狀態連接成共通。 十一、圖式· 如次頁 41