TWI279898B - Multiple zone carrier head with flexible membrane - Google Patents

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TWI279898B
TWI279898B TW094109012A TW94109012A TWI279898B TW I279898 B TWI279898 B TW I279898B TW 094109012 A TW094109012 A TW 094109012A TW 94109012 A TW94109012 A TW 94109012A TW I279898 B TWI279898 B TW I279898B
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TW094109012A
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Hung-Chih Chen
Jeong-Hoon Oh
Tsz-Sin Siu
Thomas Brezoczky
Steven M Zuniga
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Applied Materials Inc
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    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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Description

1279898 玖、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於一種具有一彈性膜的化學機械研磨承 載體,及其相關方法。 【先前技術】
積體電路通常係藉著一連串導電層、半導體層或絕緣 層的沉積步驟而形成於基材上,特別是矽晶圓上。在沉積 了每一膜層之後,會蝕刻該些膜層以創造出電路特徵。當 連續沉積且蝕刻一系列的膜層時,基材的暴露表面會漸漸 變得不平坦。而此不平坦表面會在積體電路製程之光微影 步驟中造成問題。因此,需要週期性地平坦化該基材表面。 化學機械研磨(chemical mechanical polishing,CMP) 是一種已被接受的平坦化方法。此種平坦化方法通常要求 將基材安置在一承載體或研磨頭上,並使該基材之暴露表 面緊靠一移動的研磨表面,例如一旋轉研磨墊。該研磨墊 可以是一個具有一耐用粗糙表面的「標準」研磨墊,或是 一個在包含介質中固定有研磨劑顆粒的「固定式研磨劑 (fixed-abrasive)」研磨墊《承载體提供基材一個可控制的 負荷,以推擠基材使其緊靠研磨墊。而用來提供研磨顆粒 的研磨漿料則被供應至研磨墊的表面上。 某些承載體包含一個具有一放置表面(mounting surface)的彈性膜,用以接受基材。該彈性膜後方的腔室被 加壓,造成該彈性膜向外擴張而對該基材施加負荷。多種 3
1279898 承载體亦可包含一個環繞基材的定位環(retainin§ ring) 例如用來將基材固定在位於該彈性膜下方之承載體中。 些承載體包含複數個腔室,以對基材之不同區域提供不 的壓力。 【發明内容】 本發明之一方向係關於一種用於機材之化學機械研 的承載體,該承載體包含一基底與一個延伸在基底下方 彈性膜。該彈性膜包括一個具有一外表面之中心部位, 提供一基材接收表面;一邊緣部位’以連接該中心部位 該基底;以及至少一個由該中心部位之内表面延伸出的 板。該褶板將彈性膜與基底之間的容積分割成數個腔室 且該褶板包括一個橫向延伸之第一部位與一個彎曲的第 部位(an angled second section)。該彎曲的第二部位延伸 該第一部位之下方,且將該橫向延伸之第一部位連接至 中心部位。 本發明之實施例可包含一或多個下述特徵。該第一 位可以實質水平的方式伸展。該第二部位可具有一水平 載區(horizontal loading area),並設計該水平加載區之 小,使其足以作用掉該第一部位上之一部份的向下力, 向下力係由位在該彈性膜與該基底之間的腔室壓力所創 出來,而非由該基底之作用產生。該第二部位可具有一 約為二分之一該第一部位之大小的水平加载區。該褶板 某 同 磨 的 以 與 褶 在 該 部 加 大 該 造 個 之 4
1279898 第一部位對該中心部位的一接觸點,可實質垂直對齊 於該第一部位與該基底之接觸點及該第一部位與該第 位之接觸點之間的該第一部位之中點。該邊緣部位可 ^ $至該基底。一定位環可能環繞著位在該基材接收 上的一基材。該第一部位可作垂直移動,如此一來, 至 基材上的壓力行程(pressure profile)才不受定位 損影響。彈性膜可包括多個褶板,每個褶板包含一個 延伸的第一部位,以及一個彎曲且延伸在該第一部位 的第二部位。可以環狀且同心的方式來安置該些褶板 可設計該些褶板以提供三個獨立壓力腔室。該第一部 該第二部位約具有相同的剛性(rigidity),或該第二部 剛性可能較該第一部位更高。該第一部位與該第二部 能具有實質相同的厚度,或是該第二部位可能較該第 位之厚度更厚。該褶板可能包含一個垂直的第三區域 位於該橫向延伸之第一部位與該彎曲之第二部位之間 或包含一個垂直的第四區域,該第四區域位於該彎曲 二部位與該中心部位之間。一角度α介於該橫向延伸 一部位與該彎曲之第二部位之間,其角度可能約介於 與8 0 °之間,例如約為4 5 ° 。該些多個腔室可能提供 立調整之壓力至相關之該基材接收表面的多個區域上 可架構該彈性膜,以在相鄰區域内的不同壓力之間提 質一致的變化(uniform transition)。 本發明之另一方向係有關於一種用於基材之化學 於介 二部 直接 表面 施加 環磨 橫向 下方 ,且 位及 位之 位可 一部 ,其 ,及/ 之第 之第 20° 可獨 ,且 供實 機械 5 1279898 研磨的承載體。該承載體包括一基底與一個延伸在該基底 下方的彈性膜’以提供一基材接收表面且定義出多個腔 室’該些腔室係用來將可獨立調整之壓力提供至該基材接 收表面之相關的多個區域。該彈性膜係設計成用以在相鄰 區域内的不同壓力之間提供一實質相同的變化。 本發明之實行可包含一或多種下述特徵。
可設計該彈性膜之形狀以在相鄰區域内的不同壓力之 間提供一個實質呈單調性的變化。該彈性膜包括一個具有 一外表面之中心部位,以提供一基材接收表面;一個連接 該中心部位至該基底的邊緣部位;以及至少一個由中心部 位之内表面延伸出之褶板。該褶板將彈性膜與基底之間的 容積分割成數個腔室’且該褶板包括一個橫向延伸之第一 部位與一個彎曲的第二部位。該彎曲的第二部位延伸在該 第一部位之下方,且連接該橫向延伸之第一部位至該中心 部位。該第二部位可能具有一水平加載區,並設計該水平 加載區之大小’使其足以作用掉該第一部位上之一部份的 向下力,,該向下力係由其中一個該些腔室内的壓力所創 造出來,而非由該基底作用而產生。該第二部位可具有一 個約為二分之一該第一部位之大小的水平加載區。該褶板 之第二部位對該中心部位的一接觸點,可實質垂直對齊於 介於該第一部位與該基底之接觸點及該第一部位與該第二 部位之接觸點之間的該第/部位之中點。 本發明又一方向係有關於一種與基材化學機械研磨設 1279898 備之承載體搭配使用的彈性膜。該彈性膜包括一個中心 位,其具有一個用來提供一基材接受表面的外表面;一 緣部位,用來連接該中心部位至該承載體之基底;以及 少一個由該中心部位之内表面延伸出的褶板。該摺板包 一橫向延伸之第一部位,及一個延伸在該第一部位下方 彎曲的第二部位。 在另一方向上’本發明係有關於一種研磨基枯的 •法。該方法包括將一基材安置在一化學機械研磨設備的 承載體上,使得該基材之第一面鄰接該承载體,並利用 研磨墊與相對於該基材之第一面的第二面接觸,以研磨 基材;以及對多個腔室施加不同壓力,以在基材上創造 具有不同壓力的區域。該承栽體包含一基底部分、一定 裱及一彈性膜,該彈性膜提供一個基材放置表面並定義 多個腔室❶該彈性膜可被設計成可在相鄰區域内之不同 力之間提供一實質一致的變化。 • 本發明之另一方向係有關於一種彈性膜之褶板的運 方法。該褶板連接於一承載體與用來提供一基材接收表 之該彈性膜的中心部位之間。該方法包括在腔室之間提 一壓力差,以作用在該褶板之不同面上;允許該褶板之 水平部位作垂直方向的偏移;以及藉由壓力差而產生一 直作用力作用在該褶板上。 實施本發明可實現一、多種或不包含下述之優點。 體而言,可設計該彈性膜之形狀,以在相鄰的可加壓腔 部 邊 至 含 之 方 該 出 位 出 壓 作 面 供 垂 總 室 7 1279898 (pressurizable chamber)或區域之邊界上的不同壓力之 間’提供較一致的變化(例如單調性的升高或降低)。特別 是’該彈性膜可被設計成能降低或消除該些發生在用來分 隔腔至之彈性權板與用來提供一基材接收表面之該彈性膜 中心部位之結合處的壓力尖突現象(pressure spikes)。結果 是’藉著適當選擇該些腔室中的壓力來補償研磨速率之變 異及所得基材膜層厚度之變異,使得在完成研磨程序後, 經本發明之具有彈性膜之承載體研磨後的基材具有較佳的 平坦度。此外’亦可設計該彈性膜,使得藉由一化學機械 研磨設備之承載體所施加的壓力能對定位環磨損較不敏 於附圖及下述内容中記載有本發明之一或多個實施例 之細節。可根據該些敘述内容、圖式及申請專利範圍來暸 解本發明之其他特徵與優點。 【實施方式】 如上所述’部分承載體包含一個用以提供基材一放置 表面的彈性膜°此外’部分承載體包含複數個腔室位在該 彈性膜後方。每一個腔室可獨立加壓,以使該彈性膜向外 延伸,而對該基材之不同區域上施加不同的負荷。 不幸的疋’在某些彈性膜的設計中,在不同區域間之 過渡區上的壓力分佈並不均勻一致。特別是,該些膜的外 髮設計可能造成區域間之邊界上的壓力尖突。壓力尖突可 8
1279898 能在研磨行程(polishing profile)中產生不想要的非均 (non-uniformity,或不一致性)。因此,一種在鄰接且 立加壓之區域之間具有較均勻壓力變化的承載體是 的。 參考第1圖’係利用一個具有一承載體1〇〇的化 械研磨設備來研磨一個或多個基材10。並可在美國專 5,738,574號中找有關適合的CMP設備之敘述,且將. 文納入此處以供參考。 承載體100包含一個基底組合物1〇4(其可直接或 地連接至一旋轉驅動軸74)、一定位環11〇以及一彈 108。彈性膜108延伸在該基底1〇4下方,且與該基底 連接,以提供多個可加壓腔室。該些腔室包括一環狀 室106a、一同心環狀中間腔室l〇6b以及一同心環狀 室106c。通道112a、112b與112c係形成於該基底組 中且貫穿該基底組合物,以分別與該些腔室l〇6a、 與 1 0 6 c作流體性耦合,以對該研磨設備中的調控 (regulator)施壓》雖然第1圖顯示三個腔室,但該承 所具有之腔室數目亦可為兩個或四個。 雖然該承載體之結構以如圖所示,但該承载體可 其他元件,例如一個固定至該驅動轴的收納室,且該 1 04可活動性地自該收納室中脫離;或是具有一個平 機構(gimbal mechanism,其可能被認為是該基底組合 一部份)也允許基底104作旋轉運動;又或是具有一負 室位在該基底與該收納室之間、一或多個支撐結構位 勻性 可獨 有用 學機 利案 其全 間接 性膜 104 内腔 外腔 合物 106b 裝置 載體 包括 基底 衡頭 物的 荷腔 在該 9 1279898 些腔室106a-c中,或一或多個與彈性膜i〇8之内表面接觸 的内膜(internal membrane)以對該基材施加一支撐麇力 等。例如,可如美國專利案6,1 8 3,3 5 4號、美國專利申請 案09/712,3 8 9號(於1999年12月23曰申請)或如美國專利 申請案09/4 70,820號(於200年11月13曰申請)中所序述 般地設計該承載體100,且上述文獻之整體内容均納入本 文以供參考。
彈性膜1 0 8係由一種具彈性與伸縮性的流體不滲透性 材料(fluid-impermeable material)所形成,例如氯丁 (neoprene)、氯 丁二烯(chloroprene)、乙烯·丙烯(ethylene propylene)橡膠或矽膠等。例如,該彈性膜1〇8可由模麈 成型矽膠或液態射出成型矽膠所形成。 對於研磨程序來說,彈性膜1 08需為疏水性、耐用且 化學惰性的。彈性膜可包含一個中心部位1 2 0、一環狀邊 緣部位 124與一個或多個環狀同心内褶板(concentric annular inner flaps) 1 28a 與 128b,其中該中心部位 120 具 有一外表面以提供基材一放置表面122,該環狀邊緣部位 由該研磨表面向外延伸以連接至基底1 04,同心環狀内褶 板128a與128b係從該中心部位120的内表面126向外延 伸,並連接至基底104,以將介於該彈性膜108與該基底 104之間的容積分割成多個可獨立加壓的腔室i〇6a-c。可 利用環狀夾環114(annular clamp ring)將褶板128a與128b 的末端固定於基底104,並可將環狀失環114視為基底1〇4 的一部份。亦可利用環狀夾環11 6將邊緣部位1 24的末端 10
1 1279898 固定於基底104上,而夾環116同樣5 的一部份,或是將邊緣部位的末端夾 間。雖然以如第1圖所示地顯示出兩個 然承載體100可僅包含一個褶板,或包 板。 彈性膜1 0 8的中心部位1 2 0可如美 所討論之内容般地包含一彈性邊綠 Portion) ° 參考第2圖,每個内褶板(如褶板 水平的上方部位 140(upper portion)以 位 142(angled extension portion) » 該彎 接該水平部位1 4 0至該中心部位1 2 0。 水平部位 140具有一個固定在| 1 44,例如利用夾環11 4將其固定在基;^ 142往回彎折而鄰近該水平部位140,使 140與該彎曲部位142之間的门形角度 角。該门形角度可約介於20。至80。之f 特別是,可設計該彈性膜1 0 8,以使彎 部位1 2 0之内表面1 2 6結合之點實質垂 位14 0的中點(如圖中虛線所示),例如 基底1 04上之位置到水平部位與該彎曲 一半距離。 通常,彎曲部位142可具有一加載 平部位140上之一部份的向下力,該向 Γ被視為是基底1〇4 在定位環與基底之 褶板128a與128b, ,含三個或更多的褶 國專利案6,210,255 :部位(flexible lip 128a)包含一個實質 及一個彎曲延伸部 ‘曲伸展部位142連 ‘底 140上的末端 S 1 0 4上。弯曲部位 .得介於該水平部位 ,呈現銳角,而非鈍 同,例如約為45。。 曲部位142與中心 直對齊於該水平部 從水平部位固定在 部位142連接處的 區,以作用掉該水 下力係由腔室l〇6a 11 1279898 中的壓力所產生,而非由基底1 04所作用出來,且關於此 點’於下方内容中有更詳細的描述。因此,彎曲部位1 42 之大小可能為水平部位丨4〇之加載區之大小的一半(可藉 著將贊曲部位1 42投射至一水平平面上來決定該彎曲部位 142之負载區的大小)。 該褶板可能包括短的垂直部位丨5 〇與1 5 2,其分別位
於該彎曲部位142與該水平部位14〇及/或該中心部位120 之間。 f曲部位1 42與水平部位丨4〇兩者之厚度約可相等, 並可由相同材料來製造兩者,使其具有相同的剛性。 或可製造該彎曲部位1 42,使其剛性大於該水平部位 1 40。彎曲部位丨42可較該水平部位i 4〇之厚度更厚,例如 其厚度較該水平部位再多增加5 〇 %至丨〇 〇 %的厚度。例 如,水平部位140之厚度可約為2〇密耳(mils),而該彎曲 部位142可具有約為30至40密耳之厚度。此外(亦或者), 形成彎曲部位之材料可與形成水平部位之材料不同。或是 彎曲部位可含有一包埋元件(embedded element)或與一襯 墊層(backing layer)結合,以增加該彎曲部位的剛性。通常 在此種實施例中,可藉著彎曲該水平部位14〇來造成一主 要的垂直偏移,而彎曲部位142則可扮演一隔片(spaa。 的角色,以隔離該中心部位12〇與該基底1〇4。 參考第3圖,一腔室(如内腔室⑼“)内的壓力會施加 一向下力fd作用在該水平部位14〇上,以及施加一向外力 F〇作用在該彎曲部们42上。該向外力F〇可分解成一向 12 1279898 上力Fu以及一水平力Fh ^假設該彎曲部位1 42的加載區 之大小約為該水平部位之加載區大小的二分之一,那麼向 上力Fu之大小則約為該向下力FD的一半。此外,約二分 之一的向下力FD係由基底本身所提供,因此作用在該褶板 128a的淨垂直作用力為零。所得結果是,褶板i28a將不 會向下或向上推擠該中心部位12〇,且因此該摺板i28a不 會引導一壓力尖突作用在摺板與中心部位接合的位置上。 結論疋’鄰接區域之間(例如由腔室l〇6a與腔室i〇6b所形 成的區域之間)的變化將會較為均勻一致,例如在區域之間 的整個邊界上的壓力呈現單調性地升高或降低。 當定位環110磨損時,摺板128a_128c至該基底ι〇4 的接觸點會朝研磨墊靠近。然而,水平部位14〇能有效地 順應定位環的磨損而作調整,而使施加在基材上的壓力實 質不變。 不似彈性膜之其他部位,邊緣部位丨24較不需順應上 述變化而作變形。例如,邊緣部位丨24可相對較厚於中心 部位120或褶板部位128a與12扑。或者,可使用剛性較 該彈性膜其他部位材質之剛性更高的材料來形成邊緣部位 124 ’該些剛性較高的材料可包括如強化材料 materials),又或是使該些材料繞在一支撐或墊片結構上而 延展,以避免變形。或如2〇〇3年4月7號申請之美國專利 申凊案10/409,637號中所敘述的,邊緣部位可能包含一撓 性部分(fleXUre),並將此參考文獻之全體揭露内容納入此 處以作參考。 13 1279898 本發明之數個較佳實施例以揭露如 偏離本發明精神與範圍下,可作各種修 該彈性膜可固定在承載體上之不同位置 疋位環與基底之間,或被固定在定位環 位可向外延伸,而非向内延伸。彈性膜 懸置或安放在腔室内的支撐結構上。彈 之方式來製造,或由多個薄膜接合而成 劑來接合多片薄膜以形成一彈性膜。此 部位可直接連接至基底,例如邊緣部位 的支撐結構上,隨後可藉著如一個撓性 撐結構連接至基底。再者,需明白到, 定造型對於定位環磨損的敏感性確實降 形狀結構可能仍然有用。例如,承載體 法接觸到研磨墊,甚至根本不具有定位 結構仍能發揮如上述之作用。又再者,| 與「垂直(vertical)」之用詞係指該彈性 基材接收表面的位置,因此當承載體之 之研磨表面或隨著一垂直研磨表面而變 套用於該些情況中。故其他較隹實施例 涵蓋。 【圖式簡單說明】 第1圖為一個包含一彈性膜之承載丨 第2圖為第1圖之承載體的局部放; 上。然需明白在不 改或變化。例如, ,例如可被固定在 上。褶板之水平部 可附著在一或多個 性膜可以一體成形 ,例如利用一黏著 外,彈性膜之邊緣 可被連接在一剛硬 部分將該剛硬的支 即使是彈性膜之特 低,但該彈性膜之 所具有之定位環無 環時,該彈性膜的 水平(horizontal)」 膜之組件相對應於 位向隨著基材上方 動時,本發明仍可 仍為本發明範圍所 的剖面圖。 圖〇 14 1279898 第3圖為一示意圖,顯示數個施力作用至彈 各圖案中的參考件符號係對應至相關元件。 膜上。
【主要元件符號說明】 10 基材 1 14 夾環 74 驅動軸 120 中心部 位 100 承載體 122 放置表 面 104 基底 126 内表面 106a 腔室 128a 褶板 106b 腔室 128b 褶板 106c 腔室 140 水平部 位 108 彈性膜 142 彎曲部 位 110 定位環 144 末端 112a 通道 150 垂直部 位 112b 通道 152 垂直部 位 112c 通道
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Claims (1)

1279898 拾、申請專利範圍: 1. 一種用於一基材之化學機械研磨的承載體’該承載 體包括: 一基底;以及
一彈性膜延伸在該基底下方,該彈性膜包括一中心部 位、一邊緣部位及至少一褶板,該中心部位具有一外表面 以提供一基材接受表面,該邊緣部位連接該中心部位至該 基底,該褶板由該中心部位之一内表面延伸出,該褶板將 位在該彈性膜與該基底之間的一容積劃分成複數個腔室’ 該褶板包括一橫向延伸第一部位與一彎曲第二部位(an angled second section),該第二部位延伸在該第一部位下 方且連接該橫向延伸第一部位至該中心部位。 2·如申請專利範圍第1項所述之承載體,其中該第一 部位係實質水平地延伸。 3·如申請專利範圍第1項所述之承載體,其中該第二 部位具有一水平加載區,該水平加載區之大小足以作用掉 該第一部位上之一部份的向下力,該向下力係由位在該彈 性臈與該基底之間一腔室中的壓力所創造,而非由該基底 所創造。 4·如申請專利範圍第1項所述之承載體,其中該第二 16 1279898 部位具有一水平加載區,其大小約為該第一部位大小的一 分之-"*。 5·如申請專利範圍第1項所述之承載體,其中該摺板 之第二部位對該中心部位的一接觸點係實質垂直對齊於介 於該第一部位與該基底之接觸點及該第一部位與該第二部 位之接觸點之間的該第一部位之中點。 6·如申請專利範圍第1項所述之承载體,其中該邊緣 部位係與該基底直接連接。 7 ·如申請專利範圍第1項所述之承载體,其中該彈性 膜包括複數個環狀同心褶板,每一個該些褶板包括一橫向 延伸第一部位;以及延伸在該第一部位下方的一彎曲第二 部位。 8·如申請專利範圍第丨項所述之承载體,其中該第二 部位具有一厚度,該厚度約相等或大於該第一部位之厚度。 9·如申請專利範圍第1項所述之承載體,其中該第二 • 部位之剛性相等或大於該第一部位之剛性。 10·如申請專利範圍第1項所述之承载體,其中該褶 17 1279898 板包括一垂直部位,位在該橫向延伸第一部位與該彎曲第 二部位之間。 11 ·如申請專利範圍第1項所述之承載體,其中該褶 板包括一垂直部位,位在該彎曲第二部位與該中心部位之 間。
1 2.如申請專利範圍第1項所述之承載體,其中一角 度α ,介於該橫向延伸第一部位與該彎曲第二部位之間, 且該角度α之範圍約介於2 0。至8 0。之間。 1 3 ·如申請專利範圍第1 2項所述之承載體,其中該角 度α約為45。。 14. 一種用於基材化學機械研磨的承載體,其包括: 一基底;以及 一彈性膜,該彈性膜延伸在該基底下方,以提供一基 材接受表面且定義出複數個腔室,該些腔室係提供可獨立 調整之壓力至與該基材接收表面相關的複數個區域,該彈 性膜係被設計成用來在鄰接區域内之不同壓力之間提供一 實質一致變化。 15.如申請專利範圍第14項所述之承載體,其中該彈 18 1279898 性膜係被設計成用來在相鄰區域内中的不同壓力之間提供 一實質單調性變化。 1 6.如申請專利範圍第1 4項所述之承載體,其中該彈 性膜包括一中心部位、一邊緣部位及至少一褶板’該中心 部位具有一外表面以提供一基材接受表面,該邊緣部位連 接該中心部位與該基底,該褶板由該中心部位之一内表面 延伸出,該褶板將位在該彈性膜與該基底之間的一容積劃 分成複數個腔室,該褶板包括一橫向延伸第一部位與一彎 曲第二部位,該第二部位延伸在該第一部位下方立連接該 橫向延伸第一部位至該中心部位。 17. —種可與一基材化學機械研磨設備之一承載體併 用的彈性膜,該彈性膜包括: 一中心部位,其具有一外表面,以提供一基材接收表
面; 一邊緣部位,用來連接該中心部位至該承载體之基 底;以及 至少一稽板,由該中心部位之一内表面延伸出來,該 褶板包括一橫向延伸第一部位以及延伸在該第一部位下方 的一彎曲第二部位。 18. —種研磨基材的方法,包括: 19
1279898 放置一基材在一化學機械研磨設備的一承載體上 該基材之第一面鄰接該承載體,該承載體包括一基 位、一定位環及一彈性膜,該彈性膜提供該基材一放 面且定義出複數個腔室; 施加不同壓力至該些腔室,以在該基材上創造出 同壓力之複數個區域;以及 利用一研磨墊接觸該基材之一第二面來研磨該基 該第*一面係位在該基材之第一面的對侧上; 其中該彈性膜係被設計成用來在鄰接區域内之不 力之間提供一實質一致變化。 19. 一種操作一彈性膜之褶板的方法,該褶板被 在一承載體與該彈性膜之一中心部位之間並可提供一 接收表面’該方法包括·· 在複數個腔室之間創造一壓力差,以作用於該褶 不同面上; 允許該褶板之一水平部位作盡直偏移;以及 將由該壓力差在該褶板上所造成之一垂直作用力 作用掉。 ,使 底部 置表 具不 材, 同壓 連接 基材 板之 加以 20
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