TWI278126B - GaN series light emitting diode structure of p-type contacting layer with low-temperature growth low resistivity - Google Patents

Description

1278126 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於氮化銦鎵/氮化鎵多重量子井結構 發光一極體（InGaN/GaN MQW LEDs)結構，特別是利 用鎮和銘共同摻雜且可製作低溫成長氮化銦鎵 (In^yGayN)低電阻值之p型接觸層。 【先前技術】 習知技藝氮化銦鎵/氮化鎵多量子井結構 (multiquantum well ^ MQW)發光二極體，主要利用 高溫成長之p型氮化鎵（GaN)作為接觸層，通常接觸層 總是形成於主動層（發光層）上方。在實際製造過程 中發現’南溫成長接觸層，會使前一步驟低溫成長主 動層（發光層）蟲晶特性不能維持，此一效果，即蟲 晶不能保持成長時的規則排列，不僅使發光層的電特 性變差或導電不良成為廢品，進而會影響整個元件， 必須採用較高電壓為操作電壓，結果會使得運作時消 耗之電功率增加。因此，為了要克服前揭問題，故我 們需要一種新的結構，以便得到低溫成長低電阻 接觸層。 【發明内容】 關於前揭習知技藝氮化鎵系多量子井結 Ϊ題利提供於氮化鎵系多量w ^利用鎂和鋁共同摻雜且可低溫成長之氮化銦鎵 Qini-yGayN)成長之p型接觸層。 要目的在純鎂和15共同摻㈣化銦鎵 成長ρ型接觸層之電阻值，較傳統ρ型氮化 1278126 之；=為低。原因在於本發明以銘摻雜成長P 曰 曰加一維電洞載子（carrier)及其遷移率 m〇 111 ty)，且氮化銦鎵具有比氮化鎵更低能隙，故能 成此一目的。 思 本發明再一目的係改善p型接觸層之材質發生吸光 題。一般而言，P型接觸層在主動層（發光層）上方，故 ，接觸層吸光會造減化㈣多4子井結構發光二極體發 光效率降低。而本發㈣和銘共同摻減化銦鎵P型接ς 層由於可低溫成長Ρ型接觸層，使得氮化鎵系材料側向 長速率降低而達到表面粗糙化之效果，進而降低光被全反 射的機率，以提高元件發光效率。 本發明又一目的係提供製作主動層（發光層）後，低 溫製作ρ型接觸層步驟之簡便性，並使得整體電特性變一 好，能降低整體元件的操作電壓，其運作時消耗之電功率 減低，及提高生產良率。由於本發明ρ型接觸層成長溫度， 較習知技藝Ρ型接觸層，以氮化鎵為材質來得低，故自氮 化銦鎵主動層（發光層）到氮化銦鎵（Inl yGayN)成長之Ρ 型接觸層，皆可採同樣低溫成長，進而保護氮化銦鎵發光 層，從而提高元件整體發光效率。 本發明目的及諸多優點將藉由下列具體實施例詳細說 明，及參照所附圖式，而被完全揭露。 【實施方式】 第一圖係根據本發明具低溫成長低電阻值ρ型接觸層 之氮化鎵系發光二極體結構第一實施例。根據本發明具低 溫成長低電阻值P型接觸層之氮化鎵系發光二極體結構第 貝施例’其包含·基板1〇，緩衝層（buffer iayer)i 1，η 型氮化鎵層12，主動層13，ρ型被覆層14，ρ型接觸層 15。基板10材質可由氧化銘單晶包含c-piane、 1278126 R-Plane 和 A-Plane) ’ SiC(6H-SiC 或 4H-SiC)，Si，ZnO，GaAs 和央晶石（MgA1204)製成，晶格常數(lattice constant)接近於氮 化物半導體之單晶氧化物也可使用，但一般使用Sapphire及 SiC。位於基板10上之緩衝層11，其材質係氮化鋁鎵銦 (Ah_x_yGaxInyN)，其中 0$ X<1，〇$ Y<1。 位於缓衝層11上之η型氮化鎵層12。位於η型氮化 鎵層12上之主動層13，其材質係氮化銦鎵。位於主動層 13上之ρ型被覆層14，其材質係鎂掺雜（Mg_doped)之ρ型 氮化鋁銦（AUnxN)，其中0<X<1，但〇·1$Χ$〇·4為最佳， 其厚度介於50埃至3000埃間，且其成長溫度介於攝氏600 度至1100度間。位於ρ型被覆層14上之ρ型接觸層15， 其材質係鋁鎂共同摻雜（Al-Mg-codoped)之ρ型氮化銦鎵 (InyGasyN)，其中0$ Y<1，其厚度介於200埃至3000埃 間，且其成長溫度介於攝氏600度至1100度間。 根據本發明具低溫成長低電阻值ρ型接觸層之氮化鎵 系發光二極體結構第一實施例，進一步地可包含位於η型 氮化鎵層上12之η型電極層16。根據本發明具低溫成長 低電阻值ρ型接觸層之氮化鎵系發光二極體結構第一實施 例，進一步地可包含位於ρ型接觸層15上之ρ型電極層 17，ρ 型電極層 17 包含 Ni/Au，Ni/Pt，Ni/Pd，Ni/Co, Pd/Au， Pt/Au，Ti/Au，Cr/Au，Sn/Au，Ta/Au，TiN，TiWNx，WSix 之金 屬導電層或透明導電氧化層（transparent conductive oxide layer，TCO)包含 ITO, CTO，ZnO:Al，ZnGa204, Sn02:Sb， Ga2〇3:Sn，AgIn02:Sn，In2〇3:Zn，CuA102, LaCuOS，NiO， CuGa〇2，SrCii2〇2 0 第二圖係根據本發明具低溫成長低電阻值p型接觸層 之氮化鎵系發光二極體結構第二實施例。根據本發明具低 1278126 溫成長低電阻值P型接觸層之氮化鎵系發光二極體結構第 二實施例，其包含：基板20，緩衝層21，η型氮化鎵層 22，主動層23，ρ型被覆層24，ρ型接觸層25。 基板20，其材質可由氧化鋁單晶（Sapphire)(包含 C-Plane、R-Plane 和 A-Plane)，SiC(6H-SiC 或 4H-SiC)，Si， ZnO ’ GaAs 和尖晶石（MgA】2〇4)製成，晶格常數(lattice constant) 接近於氮化物半導體之單晶氧化物也可使用，但一般使用 Sapphire及SiC。位於基板20上之緩衝層21，其材質係氮 4匕銘鎵銦（AU-x-yGaxInyN)，其中 〇$Χ<1，〇$ γ<1。位於缓 衝層21上之η型氮化鎵層22。位於η型氮化鎵層22上之 主動層23，其材質係氮化銦鎵。位於主動層23上之ρ型 被覆層24 ,其材質係鎂鎵共同摻雜（Mg-Ga-codoped)之氮 化鋁銦（Ah-χΙηχΝ)，其中〇<Χ<1，但〇·ΐ$ 〇·4最佳，其 厚度介於50埃至3000埃間，且其成長溫度介於攝氏600 度至1100度間。位於ρ型被覆層24上之ρ型接觸層25， 其材質係铭鎂共同摻雜（Al-Mg_codoped)之ρ型氮化銦鎵 (IiiyGaiyN)，其中0$ Y<1，其厚度介於200埃至3000埃 間，且其成長溫度介於攝氏600度至1100度間。 根據本發明具低溫成長低電阻值ρ型接觸層之氮化鎵 系發光二極體結構第二實施例，進一步地包含位於η型氮 化鎵層22上之η型電極層26。根據本發明具低溫成長低 電阻值ρ型接觸層之氮化鎵系發光二極體結構第二實施 例，進一步地可包含ρ型接觸層25上之ρ型電極層27。ρ 型電極層 27 包含 Ni/Au，Ni/Pt，Ni/Pd，Ni/Co, Pd/Au，Pt/Au， Ti/Au，Cr/Au，Sn/Au，Ta/Au，TiN，TiWNx，WSix 之金屬導電 層或透明導電之氧化層（transparent conductive oxide layer，TCO)包含 ITO, CTO, ZnO:Al，ZnGa204, Sn02:Sb， 1278126

Ga2〇3:Sn，AgIn02:Sn，Iri2〇3:Zn，CuA1〇2, LaCuOS，NiO， CuGa〇2，SrCu2〇2 0 第三圖係根據本發明具低溫成長低電阻值p型接觸層 之氮化鎵系發光二極體結構第三實施例。本發明具低溫成 長低電阻值P型接觸層之氮化鎵系發光二極體結構第三實 施例，其包含：基板30，緩衝層31，η型氮化鎵層32，主 動層33，雙重被覆層34，ρ型接觸層35。基板30，其材 質可由氧化銘單晶（Sapphire)(包含C-Plane、R-Plane和 A-Plane)，SiC(6H-SiC 或 4H-SiC) ，Si，ZnO，GaAs 和尖晶石 (MgAl204)製成，晶格常數(lattice constant)接近於氮化物半導 體之單晶氧化物也可使用，但一般使用Sapphire及SiC。位於 基板30上之缓衝層31，其材質係氮化鋁鎵銦 (Ah-x-yGadriyN)，其中 0$Χ<1，0$ Y<1。η 型氮4匕鎵層 32 位於緩衝層31上。 氮化鎵層32上之主動層33，其材質係氮化銦鎵。 位於主動層33上之雙重被覆層34,其包含：第一被 覆層340，第二被覆層342。位於主動層33上之第一被覆 層34〇，係鎂鎵摻雜（Mg-Ga-codoped)之ρ型氮化鋁銦 (AUhN)，其中〇<χ<1，但〇·1^Χ$〇·4最佳，其厚度介 於50埃至3000埃間，但50埃至1000埃最佳，且其成長 溫度介於攝氏600度至1100度間。位於第一被覆層340 上之第二被覆層342，係鎂摻雜（Mg- doped)之ρ型氮化鋁 錮（AUiizN)，其中0<Z<1，但0.1SZS0.4最佳，其厚度 介於50埃至3000埃間，但50埃至1000埃最佳，且其成 長溫度介於攝氏600度至1100度間。 P型接觸層35，其材質係鋁鎂共同摻雜 (Al-Mg_c〇d〇ped)之氮化銦鎵（IriyGaryN)，其中 0SY<1，其 1278126 位於雙重被覆層34上，其厚度介於200埃至3000埃間， 且其成長溫度介於攝氏600度至1100度間。 本發明具低溫成長低電阻值p型接觸層之氮化鎵系發 光二極體結構第三實施例，進一步地包含位於η型氮化嫁 層32上之η型電極層36。本發明具低溫成長低電阻值ρ 型接觸層之氮化鎵系發光二極體結構第三實施例，進一步 地可包含位於ρ型接觸層35上之ρ型電極層37。ρ型電極 層 37 包含 Ni/Au，Ni/Pt，Ni/Pd，Ni/Co, Pd/Au，Pt/Au，Ti/Au， Cr/Au，Sn/Au，Ta/Au，TiN，TiWNx，WSix 之金屬導電層或 透明導電氧化層（transparent conductive oxide layer，TCO) 包含 ITO, CTO, ZnOiAl，ZnGa204, Sn02:Sb，Ga203:Sn， AgIn02:Sn，In203:Zn，CuA1〇2，LaCuOS，NiO，CuGa02， SrCu2〇2 0 第四圖係根據本發明具低溫成長低電阻值p型接觸層 之氮化鎵系發光二極體結構第四實施例。本發明具低溫成 長低電阻值ρ型接觸層之氮化鎵系發光二極體結構第四實 施例，其包含：基板40，緩衝層41，η型氮化鎵層42，主 動層43，雙重被覆層44，ρ型接觸層45。基板40，其材 質可由氧化銘單晶（Sapphire)(包含C-Plane、R-Plane和 A-Plane)，SiC(6H-SiC 或 4H-SiC) ，Si，ZnO，GaAs 和尖晶石 (MgAl2〇4)製成，晶格常數(lattice constant)接近於氮化物半導 體之單晶氧化物也可使用，但一般使用Sapphire及SiC。位於 基板40上之緩衝層41，其材質係氮化鋁鎵銦 (AU-x-yGaxIriyN)，其中 0$ X<1，0$ Y<1。η 型氮化鎵層 42 係位於緩衝層41上。 位於η型氮化鎵層42上之主動層43，其材質係氮化 銦鎵。 1278126 位於主動層43上之雙重被覆層44，其包含：第一被 覆層440及第二被覆層442。位於主動層43上之第一被覆 層440，係鎂摻雜（Mg - doped)之p型氮化鋁銦（ΑΙυΙηχΝ)， 其中0<Χ<1，但0·1^Χ$0·4為最佳，其厚度介於50埃至 3000埃間，但50埃至1000埃最佳，且其成長溫度介於攝 氏600度至1100度間。位於第一被覆層440上之第二被覆 層442，係鎂鎵共同摻雜（Mg-Ga codoped)之ρ型氮化铭銦 (Ah-JnzN)，其中0<Z<1，0.1SZS0.4最佳，其厚度介於 50埃至3000埃間，但50埃至1000埃最佳，且其成長溫 度介於攝氏600度至1100度間。 位於雙重被覆層44上之p型接觸層45，其材質係鋁 鎂共同摻雜（Al-Mg-codoped)之p型氮化銦鎵（IiiyGaiyN)， 其中0SY<1，其厚度介於200埃至3000埃間，且其成長 溫度介於攝氏600度至1100度間。 本發明具低溫成長低電阻值p型接觸層之氮化鎵系發 光二極體結構第四實施例，進一步地包含位於n型氮化鎵 層42上之η型接觸層46。本發明氮化鎵系發光二極體結 構第四實施例，進一步地包含位於Ρ型接觸層45上之電極 層 47。電極層 47 包含 Ni/Au，Ni/Pt，Ni/Pd，Ni/Co, Pd/Au， Pt/Au，Ti/Au，Cr/Au，Sn/Au，Ta/Au，TiN，TiWNx，WSix 之金 屬導電層或透明導電氧化層（transparent conductive oxide layer，TCO)，其包含 ITO, CTO, ZnO:Al，ZnGa204, Sn02:Sb， Ga2〇3:Sn，AgIn02:Sn，In203:Zn，CuA102, LaCuOS，NiO， CuGa〇2，SrCu2〇2 0 本文以上所述僅為本發明之較佳實施例而已，並非用 以限定本發明之申請專利範圍，任何其它凡不脫離本發明 所揭示精神而完成的改變或修飾，均應屬本發明之申請專 11 1278126 利範圍。 【圖式簡單說明】 产第一圖係根據本發明具低溫成長低電阻值接觸層 之氮化鎵系發光二極體結構之第一實施例。 〆第二圖係根據本發明具低溫成長低電阻值p型接觸層 之氮化鎵系發光二極體結構之第二實施例。 弟二圖係根據本發明具低溫成長低電阻值P型接觸層 之氮化鎵系發光二極體結構之第三實施例。 尸第四圖係根據本發明具低溫成長低電阻值P型接觸層 之氮化鎵系發光二極體結構之第四實施例。 【主要元件符號說明】 10 基板 11 緩衝層 12 η型氮化鎵層 13 主動層 14 Ρ型被覆層 15 ρ型接觸層 16 η型電極層 17 ρ型電極層 2〇 基板 21 緩衝層 22 η型氮化鎵層 23 主動層 24 ρ型被覆層 25 ρ型接觸層 12 η型電極層 ρ型電極層 基板 緩衝層 η型氮化鎵層 主動層 雙重被覆層 第一被覆層 第二被覆層 Ρ型接觸層 η型電極層 Ρ型電極層 基板 緩衝層 η型氮化鎵層 主動層 雙重被覆層 第一被覆層 第二被覆層 Ρ型接觸層 η型電極層 ρ型電極層 13

Claims (1)

1278126 十、申請專利範圍： 1·一種具低溫成長低電阻值p型接觸層之氮化鎵系發光二 極體結構，其包含： 一基板，其材質可由氧化鋁單晶（Sapphire)(包含C-Plane、 R-Plane 和 A_Plane)，SiC(6H_SiC 或 4H_SiC)，Si，ZnO，GaAs 和災晶石（MgAl2〇4)製成，或是晶格常數(lattice constant)接近 於氮化物半導體之單晶氧化物，但一般使用Sapphire及SiC ; 一缓衝層，其材質係氮化鋁鎵銦（Al^yGaxInyN)，其中0 SX<1，0$ Y<1，位於該基板上； 一 η型氮化鎵層，係位於該缓衝層上； 一主動層，其材質係氮化銦鎵（InGaN)，位於該η型氮化 鎵層上； 一 Ρ型被覆層，位於該主動層上，其材質係鎂摻雜 (Mg-doped)之 ρ 型氮化鋁銦（Ah-χΙηχΝ)，其中 0<Χ<1，0.1 SXS0.4最佳，其厚度介於50埃至3000埃間，且其成長 溫度介於攝氏600度至1100度間；及 一 ρ型接觸層，位於該ρ型被覆層上，其材質係鋁鎂共 同掺雜（Al-Mg_codoped)之ρ型氮化銦鎵（InyGa^yN) ’其中 0-Υ<1，其厚度介於200埃至3000埃間，且其成長溫度 介於攝氏600度至1100度間。 2 ·如申請專利範圍第1項之發光二極體結構，進一步地 包含一 η型電極層，位於該η型氮化鎵層上。 3·如申請專利範圍第1項之發光二極體結構，進一步地包 含一 ρ型電極層，位於該ρ型接觸層上。 4·如申請專利範圍第3項之發光二極體結構，該ρ型電極 層包含一金屬導電層或一透明導電氧化層（transparent conductive oxide layer，TCO)，其中該金屬導電層之材質 1278126 包含 Ni/Au，Ni/Pt，Ni/Pd，Ni/Co, Pd/Au，Pt/Au，Ti/Au， Cr/Au，Sn/Au，Ta/Au，TiN，TiWNx，WSix，該透明導電氧化 層之材質包含 ITO, CTO, ZnO:Al，ZnGa204, Sn02:Sb， Ga203:Sn，AgIn02:Sn，In203:Zn，CuA102, LaCuOS，NiO， CuGa〇2，SrCii2〇2 0 5· —種具低溫成長低電阻值p型接觸層之氮化鎵系發光 二極體結構，其包含： 一基板，其材質可由氧化銘單晶（Sapphire)(包含C-Plane、 R-Plane 和 A_Plane)，SiC(6H-SiC 或 4H_SiC)，Si，ZnO，GaAs 和尖晶石（MgAl2〇4)製成，或是晶格常數(lattice constant)接近 於氮化物半導體之單晶氧化物，但一般使用Sapphire及SiC ; 一缓衝層，其材質係氮化鋁鎵銦（AlnyGaxInyN)，其中〇 -X<1，0SY<1，位於該基板上； 一 η型氮化鎵層，係位於該緩衝層上； 一主動層，其材質係氮化銦鎵，位於該η型氮化鎵層上； 一 Ρ型被覆層，其材質係鎂鎵共同摻雜（Mg-Ga-codoped) 之氮化鋁銦（AU-χΙηχΝ)，其中〇<Χ<1，但〇·1$Χ$〇·4最佳， 位於該主動層上，其厚度介於50埃至3000埃間，且其成 長溫度介於攝氏600度至1100度間；及 一 P型接觸層，其材質係鋁鎂共同摻雜（Al_Mg-codoped) 之ρ型氮化銦鎵（InyGauN)，其中0$ Y<1，位於該ρ型被 覆層上，其厚度介於200埃至3000埃間，且其成長溫度介 於攝氏600度至1100度間。 6 ·如申請專利範圍第5項之發光二極體結構，進一步地 包含一 η型電極層，位於該η型氮化鎵層上。 7·如申請專利範圍第5項之發光二極體結構，進一步地包 含一ρ型電極層，位於該ρ型接觸層上。 15 1278126 8·如申請專利範圍第7項之發光二極體結構，該p型電極 層包含一金屬導電層或一透明導電氧化層（transparent conductive oxide layer，TCO)，其中該金屬導電層之材質 包含 Ni/Au，Ni/Pt，Ni/Pd，Ni/Co, Pd/Au，Pt/Au，Ti/Au， Cr/Au，Sn/Au，Ta/Au，TiN，TiWNx，WSix，該透明導電氧化 層（transparent conductive oxide layer，TCO)之材質包含 ITO, CTO, ZnO:Al，ZnGa204, Sn02:Sb，Ga203:Sn， AgIn02:Sn，In203:Zn，CuA102, LaCuOS，NiO, CuGa02， SrCu2〇2 0 9·一種具低溫成長低電阻值p型接觸層之氮化鎵系發光二 極體結構，其包含： 一基板，其材質可由氧化銘單晶（Sapphire)(包含C-Plane、 R-Plane 和 A-Plane)，SiC(6H-SiC 或 4H-SiC)，Si，ZnO，GaAs 和尖晶石（MgAl2〇4)製成’或是晶格常數(lattice constant)接近 於氮化物半導體之單晶氧化物，但一般使用Sapphire及SiC ; 一緩衝層，其材質係氮化鋁鎵銦（AU_x_yGaxInyN)，其中〇 SX<1，〇$Υ<1，位於該基板上； 一 η型氮化鎵層，係位於該缓衝層上； 一主動層，其材質係氮化銦鎵，位於該η型氮化鎵層上； 一雙重被覆層，係位於該主動層上，其包含： 一第一被覆層，係鎂鎵摻雜（Mg_Ga-codoped)之ρ 型氮化鋁銦（AWnxN)，其中〇$ χ<ι，〇·ι$ 〇·4最佳， 最佳位於該主動層上，其厚度介於50埃至3000埃間，50 埃至1000埃最佳，且其成長溫度介於攝氏600度至11〇〇 度間；及 一第二被覆層’係鎂摻雜（Mg_ doped)之ρ型氮化 鋁銦（AU-zInzN)，其中 0$Z<1，0.1SZS0.4 最佳，位於 16 1278126 該第一被覆層上，其厚度介於50埃至3000埃間，50埃至 1000埃最佳，且其成長溫度介於攝氏600度至1100度間； 及 一 P型接觸層，材質係鋁鎂共同摻雜（Al-Mg-codoped)之 氮化銦鎵（IiiyGa^yN)，其中0$ Y<1，其位於該雙重被覆層 上，其厚度介於200埃至3000埃間，且其成長溫度介於攝 氏600度至1100度間。 10 ·如申請專利範圍第9項之發光二極體結構，進一步地 包含一 η型電極層，位於該n型氮化鎵層上。 11·如申請專利範圍第9項之發光二極體結構，進一步地包 含一> 型電極層，位於該ρ型接觸層上。 12·如申請專利範圍第11項之發光二極體結構，該ρ型電 極層包含一金屬導電層或一透明導電氧化層（transparent conductive oxide layer，TC0)，其中該金屬導電層之材質 包含 Ni/Au，Ni/Pt，Ni/Pd，Ni/Co, Pd/Au，Pt/Au，Ti/Au， Cr/Au，Sn/Au，Ta/Au，TiN，TiWNx，WSix，該透明導電氧化 層之材質包含 ITO, CTO, ZnOiAl，ZnGa204, Sn02:Sb， Ga203:Sn，AglnOySn，In203:Zn，CuA102, LaCuOS，NiO， CuGa02，SrCu2〇2 0 13· —種具低溫成長低電阻值p型接觸層之氮化鎵系發光 二極體結構，其包含： 一基板’其材質可由氧化銘單晶（Sapphire)(包含C-Plane、 R-Plane 和 A-Plane)，SiC(6H_SiC 或 4H_SiC)，Si，ZnO，GaAs 和尖晶石（MgAl2〇4)製成，或是晶格常數(lattice constant)接近 於氮化物半導體之單晶氧化物，但一般使用Sapphire及SiC ; 一緩衝層（buffer layer)，其材質係氮化鋁鎵銦 (Ali-X_y GaxIiiy N) ’ 其中 〇SX<l ’ 〇$γ<ι，位於該基板上， 17 1278126 一 η型氮化鎵層，係位於該緩衝層上； 一主動層，其材質係氮化銦鎵，位於該η型氮化鎵層上； 一雙重被覆層，係位於該主動層上，其包含： 一第一被覆層，係鎂摻雜（Mg _ doped)之ρ型氮化 鋁銦（AU-JnxN)，其中0<χ<ΐ，〇·ι$χ$〇·4最佳，位於該 主動層上，其厚度介於50埃至3000埃間，50埃至1000 埃最佳，且其成長溫度介於攝氏600度至1100度間；及 一第二被覆層，係鎂鎵共同摻雜（Mg-Ga codoped) 之P型氮化鋁銦（Ah-JnzN)，其中0<ζ<1，0·1$Ζ$0·4最 佳，位於該第一被覆層上，其厚度介於50埃至3000埃間， 50埃至1000埃最佳，且其成長溫度介於攝氏600度至1100 度間；及 一 Ρ型接觸層，其材質係鋁鎂共同摻雜（Al-Mg-codoped) 之ρ型氮化銦鎵（IiiyGaiyN)，其中0$ Y<1，位於該雙重被 覆層上，其厚度介於200埃至3000埃間，且其成長溫度介 於攝氏600度至1100度間。 14 ·如申請專利範圍第13項之發光二極體結構，進一步 地包含一 η型電極層，位於該η型氮化嫁層上。 15·如申請專利範圍第13項之發光二極體結構，進一步地 包含一 ρ型電極層，位於該ρ型接觸層上。 16.如申請專利範圍第15項之發光二極體結構，該ρ型電 極層包含一金屬導電層或一透明導電氧化層（transparent conductive oxide layer，TC0)，其中該金屬導電層之材質 包含 Ni/Au，Ni/Pt，Ni/Pd，Ni/Co，Pd/Au，Pt/Au，Ti/Au， Cr/Au，Sn/Au，Ta/Au，TiN，TiWNx，WSix，該透明導電氧化 層之材質包含 ITO，CTO，ZnO:Al，ZnGa2〇4，Sn02:Sb， Ga2〇3:Sn，AgIn02:Sn，Iri2〇3:Zn，CuA1〇2，LaCuOS，NiO, 18 1278126 CuGa〇2，SrCu2〇2 0

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