CN104900769B - GaN基LED外延结构及其制作方法 - Google Patents
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- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 18
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 claims abstract description 36
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 34
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 31
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 27
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 claims description 25
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 19
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 5
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 4
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims description 4
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 106
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 105
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003978 SiClx Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003763 carbonization Methods 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
- H01L33/0066—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound
- H01L33/007—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound comprising nitride compounds
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/04—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
- H01L33/06—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction within the light emitting region, e.g. quantum confinement structure or tunnel barrier
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/26—Materials of the light emitting region
- H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table
- H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of Group III and Group V of the Periodic Table containing nitrogen
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
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Abstract
本发明提供一种GaN基LED外延结构及其制作方法，所述外延结构包括依次层叠的成核层、未掺杂GaN层、高温N型GaN层、低温N型GaN层、多量子阱结构、AlGaN层、低温P型AlInGaN层、P型电子阻挡层及P型GaN层。采用所述低温N型GaN层取代传统LED外延结构中的超晶格结构，由于所述低温N型GaN层的生长温度较低，会使得所述低温N型GaN层内的C元素的含量较高，又所述低温N型GaN层不含In元素，这不仅可以有效地降低外延电压，还可以有效地改善LED器件的漏电和反向电压，进而提高LED芯片的品质。
Description
技术领域
本发明属于半导体发光领域，涉及一种GaN基LED外延结构及其制作方法。
背景技术
发光二极管(LED，Light Emitting Diode)是一种半导体发光器件，是利用半导体P-N结电致发光原理制成。LED由于具有寿命长、耗能低、体积小、响应快、稳定性好及发光波长稳定等优点，已被广泛应用于各个领域，尤其随着其照明性能指标日益大幅提高，LED在照明领域常用作发光装置。其中，以氮化镓(GaN)为代表的III-V族化合物半导体，尤其是GaN(氮化镓)基LED由于具有带隙宽、发光效率高、电子饱和漂移速度高、化学性质稳定等特点，在高亮度蓝光发光二极管、蓝光激光器等光电子器件领域有着巨大的应用潜力，引起了人们的广泛关注。
LED芯片电压是衡量LED品质的一个重要参数，相同大小的LED芯片在相同电流条件下LED芯片电压较高时说明芯片的等效电阻值较高，电能在转化为光能的过程中也会产生更多的热能，对于LED芯片尤其在大电流长时间的驱动下大量热量的产生对LED芯片的老化品质会产生很大的影响，因此有效降低LED芯片电压对提升LED品质有重要的影响。而在芯片制程条件一定的情况下通过外延工艺调整降低LED芯片电压就是唯一的方法。
传统外延改善电压的方法多对外延材料及结构进行优化，如n型掺杂、p型掺杂及内部电流扩展等结构设计，这些方法所涉及的参数较多，调整也较为复杂和耗时较久，且不同机台间的调整方向没有很强的复制性，容易造成LED芯片其他性能受到影响。
发明内容
鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种GaN基LED外延结构及其制作方法，用于解决现有技术中使用传统外延降低LED芯片电压的方法存在的涉及参数较多，调整比较复杂耗时，且不同机台间的调整方向没有很强的复制性，容易造成LED芯片其他性能受到影响的问题。
为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种GaN基LED外延结构，所述外延结构包括：依次层叠的成核层、未掺杂GaN层、高温N型GaN层、低温N型GaN层、多量子阱结构、AlGaN层、低温P型AlInGaN层、P型电子阻挡层及P型GaN层。
优选地，所述成核层的厚度为15nm～50nm；所述未掺杂GaN层及所述高温N型GaN层的总厚度为1.5μm～4.5μm；所述N型GaN层内的掺杂元素为Si，Si的掺杂浓度为1e18cm-3～3e19cm-3。
优选地，所述低温N型GaN层的厚度为90nm～360nm；所述低温N型GaN层内的掺杂元素为Si，Si的掺杂浓度为1.5e17cm-3～1.5e18cm-3。
优选地，所述多量子阱结构由InGaN势阱与GaN势垒交替组成，一个所述InGaN势阱与一个所述GaN势垒构成一个周期对，在同一周期对内，所述GaN势垒位于所述InGaN势阱之上，所述多量子阱结构包括5～18个所述周期对；所述多量子阱结构中In组分的摩尔含量为15％～20％，所述InGaN势阱的厚度范围为2.0nm～4.0nm，所述GaN势垒的厚度范围为3.0nm～15nm。
优选地，所述AlGaN层中Al组分的摩尔含量为2％～20％，所述AlGaN层的厚度范围为20nm～35nm。
优选地，所述P型电子阻挡层为P型AlGaN、P型AlInGaN或P型AlGaN/GaN超晶格结构；所述P型电子阻挡层的总厚度范围为30nm～80nm，所述P型电子阻挡层中的掺杂元素为Mg，Mg掺杂浓度范围为5e18cm-3～3.5e19cm-3。
优选地，所述P型GaN层的厚度为30nm～150nm；所述P型GaN层中的掺杂元素为Mg，Mg掺杂浓度范围为5e18cm-3～1e20cm-3。
本发明还提供一种GaN基LED外延结构的制作方法，包括以下步骤：
提供生长衬底，在所述生长衬底上由下至上依次生长成核层、未掺杂GaN层及高温N型GaN层；
在所述高温N型GaN层上生长低温N型GaN层；
在所述低温N型GaN层上生长多量子阱结构；
在所述多量子阱结构上依次生长AlGaN层、低温P型AlInGaN层及P型电子阻挡层；
在所述P型电子阻挡层上生长P型GaN层。
优选地，优选地，所述生长衬底为蓝宝石生长衬底、GaN生长衬底、硅生长衬底或碳化硅生长衬底。
优选地，所述成核层的生长温度为450℃～650℃，生长厚度为15nm～50nm；所述未掺杂GaN层及所述高温N型GaN层的生长温度为1000℃～1200℃；总生长厚度为1.5μm～4.5μm；所述高温N型GaN层内的掺杂元素为Si，Si的掺杂浓度为1e18cm-3～3e19cm-3。
优选地，所述低温N型GaN层的生长温度为700℃～900℃；所述低温N型GaN层的厚度为90nm～360nm；所述低温N型GaN层内的掺杂元素为Si，Si的掺杂浓度为1.5e17cm-3～1.5e18cm-3。
优选地，所述多量子阱结构由InGaN势阱与GaN势垒交替组成，一个所述InGaN势阱与一个所述GaN势垒构成一个周期对，在同一周期对内，所述GaN势垒位于所述InGaN势阱之上，所述多量子阱结构包括5～18个所述周期对；所述多量子阱结构的生长温度为700℃～900℃；所述多量子阱结构内In的组分含量为15％～20％；所述第一InGaN势阱的厚度为2.0nm～4.0nm，所述第一GaN势垒的厚度为3.0nm～15.0nm。
优选地，所述AlGaN层的生长温度为850℃～900℃；所述AlGaN层中Al组分的摩尔含量为2％～20％，所述AlGaN层的厚度范围为20nm～35nm。
优选地，所述低温P型AlInGaN层的生长温度为700℃～800℃；所述P型电子阻挡层的生长温度为900℃～950℃；所述P型电子阻挡层为P型AlGaN、P型AlInGaN或P型AlGaN/GaN超晶格结构；所述P型电子阻挡层的总厚度范围为30nm～80nm，所述P型电子阻挡层中Mg掺杂浓度范围为5e18cm-3～3.5e19cm-3。
优选地，所述P型GaN层的生长温度为950℃～1000℃，生长厚度为30nm～150nm；所述P型GaN层中的掺杂元素为Mg，Mg掺杂浓度范围为5e18cm-3～1e20cm-3。
如上所述，本发明的GaN基LED外延结构及其制作方法，具有以下有益效果：采用所述低温N型GaN层4取代传统LED外延结构中的超晶格结构，由于所述低温N型GaN层的生长温度较低，会使得所述低温N型GaN层内的C元素的含量较高，又所述低温N型GaN层不含In元素，这不仅可以有效地降低外延电压，还可以有效地改善LED器件的漏电和反向电压，进而提高LED芯片的品质。
附图说明
图1显示为本发明实施例一中提供的GaN基LED外延结构的剖面结构示意图。
图2显示为本发明实施例一中提供的GaN基LED外延结构中多量子阱结构的剖面结构示意图。
图3显示为本发明实施例二中提供的GaN基LED外延结构的制作方法的流程图。
图4至图10显示为本发明实施例二中提供的GaN基LED外延结构的制作方法各步骤中的剖面结构示意图。
元件标号说明
1 生长衬底
2 成核层
31 未掺杂GaN层
32 高温N型GaN层
4 低温N型GaN层
5 多量子阱结构
51 InGaN势阱
52 GaN势垒
6 AlGaN层
7 低温P型AlInGaN层
8 P型电子阻挡层
9 P型GaN层
具体实施方式
以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。
请参阅图1至图10。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，虽图示中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。
实施例一
请参阅图1，本发明还提供一种GaN基LED外延结构，所述GaN基LED外延结构包括依次层叠的成核层2、未掺杂GaN层31、高温N型GaN层32、低温N型GaN层4、多量子阱结构5、AlGaN层6、低温P型AlInGaN层7、P型电子阻挡层8及P型GaN层9。
具体的，所述外延结构形成于一生长衬底1上，且所述成核层2位于所述生长衬底1的表面上。所述生长衬底1的材料可以为适合GaN及其半导体外延生长的材料，所述生长衬底1可以为蓝宝石生长衬底、GaN生长衬底、硅生长衬底或碳化硅生长衬底。
具体的，所述成核层2的厚度为15nm～50nm；所述未掺杂GaN层31及所述高温N型GaN层32的总厚度为1.5μm～4.5μm；所述高温N型GaN层32内的掺杂元素为Si，Si的掺杂浓度为1e18cm-3～3e19cm-3。
具体的，所述低温N型GaN层4的生长温度为700℃～900℃，所述低温N型GaN层4的厚度为90nm～360nm；所述低温N型GaN层4内的掺杂元素为Si，Si的掺杂浓度为1.5e17cm-3～1.5e18cm-3。采用低温生长的所述低温N型GaN层4取代传统LED外延结构中的超晶格结构，由于所述低温N型GaN层4的生长温度较低，会使得所述低温N型GaN层内的C元素的含量较高，又所述低温N型GaN层不含In元素，这不仅可以有效地降低外延电压，还可以有效地改善LED器件的漏电和反向电压，进而提高LED芯片的品质。
具体的，如图2所示，所述多量子阱结构5的结构由InGaN势阱51与GaN势垒52交替组成，一个所述InGaN势阱51与一个所述GaN势垒52构成一个周期对，在同一周期对内，所述GaN势垒52位于所述InGaN势阱51之上；优选地，本实施例中，所述多量子阱结构5包括5～18个所述周期对。
具体的，所第二InGaN势阱51的厚度为2.0nm～4.0nm，所述GaN势垒52的厚度为3nm～15nm；所述多量子阱结构5内In组分的摩尔含量为15％～20％。
具体的，所述AlGaN层6中Al的组分含量为2％～20％；所述AlGaN层6的厚度为20nm～35nm。
具体的，所述低温P型AlInGaN层7的生长温度为700℃～800℃。
具体的，所述P型电子阻挡层8可以为P型AlGaN、P型AlInGaN或P型AlGaN/GaN超晶格结构；所述P型电子阻挡层8的厚度为30nm～80nm；所述P型电子阻挡层8内的掺杂元素为Mg，Mg的掺杂浓度为5e18cm-3～3.5e19cm-3。
具体的，所述P型GaN层9的厚度为30nm～150nm；所述P型GaN层9内的掺杂元素为Mg，Mg的掺杂浓度为5e18cm-3～1e20cm-3。
实施例二
请结合图1及图2参阅图3至图10，本发明还提供一种GaN基LED外延结构的制作方法，包括以下步骤：
S1：提供生长衬底1，在所述生长衬底1上由下至上依次生长成核层2、未掺杂GaN层31及高温N型GaN层32；
S2：在所述高温N型GaN层32上生长低温N型GaN层4；
S3：在所述低温N型GaN层4上生长多量子阱结构5；
S4：在所述多量子阱结构5上依次生长AlGaN层6、低温P型AlInGaN层7及P型电子阻挡层8；
S5：在所述P型电子阻挡层8上生长P型GaN层9。
在步骤S1中，请参阅图3中的S1步骤及图4，提供生长衬底1，在所述生长衬底1上由下至上依次生长成核层2、未掺杂GaN层31及高温N型GaN层32。
具体的，所述生长衬底1可以为蓝宝石生长衬底、GaN生长衬底、硅生长衬底或碳化硅生长衬底。
具体的，所述成核层2的生长温度为450℃～650℃；所述成核层2的厚度为15nm～50nm；所述未掺杂GaN层31及所述高温N型GaN层32的生长温度为1000℃～1200℃；所述未掺杂GaN层31及所述高温N型GaN层32的总厚度为1.5μm～4.5μm；所述高温N型GaN层32内的掺杂元素为Si，Si的掺杂浓度为1e18cm-3～3e19cm-3。
在步骤S2中，请参阅图3中的S2步骤及图5，在所述高温N型GaN层32上生长低温N型GaN层4。
具体的，所述低温N型GaN层4的生长温度为700℃～900℃；所述低温N型GaN层4的厚度为90nm～360nm。
在步骤S3中，请参阅图3中的S3步骤及图2与图6，在所述低温N型GaN层4上生长多量子阱结构5。
具体的，如图2所示，所述多量子阱结构5的结构由InGaN势阱51与GaN势垒52交替组成，一个所述InGaN势阱51与一个所述GaN势垒52构成一个周期对，在同一周期对内，所述GaN势垒52位于所述InGaN势阱51之上；优选地，本实施例中，所述多量子阱结构5包括5～18个所述周期对。
具体的，所述多量子阱结构5的生长温度为700℃～900℃；所述InGaN势阱51的厚度为2.0nm～4.0nm，所述GaN势垒52的厚度为3nm～15nm；所述多量子阱结构5内In组分的摩尔含量为15％～20％。
在步骤S4中，请参阅图3中的S4步骤及图7至图9，在所述多量子阱结构5上依次生长AlGaN层6、低温P型AlInGaN层7及P型电子阻挡层8。
具体的，所述AlGaN层6中Al的组分含量为2％～20％；所述AlGaN层6的生长温度为850℃～900℃；所述AlGaN层6的厚度为20nm～35nm。
具体的，所述低温P型AlInGaN层7为低温P型AlInGaN层，所述低温P型AlInGaN层7的生长温度为700℃～800℃。
具体的，所述P型电子阻挡层8可以为P型AlGaN、P型AlInGaN或P型AlGaN/GaN超晶格结构；所述P型电子阻挡层8的生长温度为900℃～950℃；所述P型电子阻挡层8的厚度为30nm～80nm；所述P型电子阻挡层8内的掺杂元素为Mg，Mg的掺杂浓度为5e18cm-3～3.5e19cm-3。
在步骤S5中，请参阅图3中的S5步骤及图10，在所述P型电子阻挡层8上生长P型GaN层9。
具体的，所述P型GaN层9的厚度为30nm～150nm；所述P型GaN层9内的掺杂元素为Mg，Mg的掺杂浓度为5e18cm-3～1e20cm-3。
综上所述，本发明提供一种GaN基LED外延结构及其制作方法，采用所述低温N型GaN层取代传统LED外延结构中的超晶格结构，由于所述低温N型GaN层的生长温度较低，会使得所述低温N型GaN层内的C元素的含量较高，又所述低温N型GaN层不含In元素，这不仅可以有效地降低外延电压，还可以有效地改善LED器件的漏电和反向电压，进而提高LED芯片的品质。
上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。
Claims (15)
1.一种GaN基LED外延结构，其特征在于，所述外延结构包括依次层叠的成核层、未掺杂GaN层、高温N型GaN层、低温N型GaN层、多量子阱结构、AlGaN层、低温P型AlInGaN层、P型电子阻挡层及P型GaN层。
2.根据权利要求1所述的GaN基LED外延结构，其特征在于：所述成核层的厚度为15nm～50nm；所述未掺杂GaN层及所述高温N型GaN层的总厚度为1.5μm～4.5μm；所述高温N型GaN层内的掺杂元素为Si，Si的掺杂浓度为1e18cm-3～3e19cm-3。
3.根据权利要求1所述的GaN基LED外延结构，其特征在于：所述低温N型GaN层的厚度为90nm～360nm；所述低温N型GaN层内的掺杂元素为Si，Si的掺杂浓度为1.5e17cm-3～1.5e18cm-3。
4.根据权利要求1所述的GaN基LED外延结构，其特征在于：所述多量子阱结构由InGaN势阱与GaN势垒交替组成，一个所述InGaN势阱与一个所述GaN势垒构成一个周期对，在同一周期对内，所述GaN势垒位于所述InGaN势阱之上，所述多量子阱结构包括5～18个所述周期对；所述多量子阱结构中In组分的摩尔含量为15％～20％，所述InGaN势阱的厚度范围为2.0nm～4.0nm，所述GaN势垒的厚度范围为3.0nm～15nm。
5.根据权利要求1所述的GaN基LED外延结构，其特征在于：所述AlGaN层中Al组分的摩尔含量为2％～20％，所述AlGaN层的厚度范围为20nm～35nm。
6.根据权利要求1所述的GaN基LED外延结构，其特征在于：所述P型电子阻挡层为P型AlGaN、P型AlInGaN或P型AlGaN/GaN超晶格结构；所述P型电子阻挡层的总厚度范围为30nm～80nm，所述P型电子阻挡层中的掺杂元素为Mg，Mg掺杂浓度范围为5e18cm-3～3.5e19cm-3。
7.根据权利要求1所述的GaN基LED外延结构，其特征在于：所述P型GaN层的厚度为30nm～150nm；所述P型GaN层中的掺杂元素为Mg，Mg掺杂浓度范围为5e18cm-3～1e20cm-3。
8.一种GaN基LED外延结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供生长衬底，在所述生长衬底上由下至上依次生长成核层、未掺杂GaN层及高温N型GaN层；
在所述高温N型GaN层上生长低温N型GaN层；
在所述低温N型GaN层上生长多量子阱结构；
在所述多量子阱结构上依次生长AlGaN层、低温P型AlInGaN层及P型电子阻挡层；
在所述P型电子阻挡层上生长P型GaN层。
9.根据权利要求8所述的GaN基LED外延结构的制作方法，其特征在于：所述生长衬底为蓝宝石生长衬底、GaN生长衬底、硅生长衬底或碳化硅生长衬底。
10.根据权利要求8所述的GaN基LED外延结构的制作方法，其特征在于：所述成核层的生长温度为450℃～650℃，生长厚度为15nm～50nm；所述未掺杂GaN层及所述高温N型GaN层的生长温度为1000℃～1200℃；总生长厚度为1.5μm～4.5μm；所述高温N型GaN层内的掺杂元素为Si，Si的掺杂浓度为1e18cm-3～3e19cm-3。
11.根据权利要求8所述的GaN基LED外延结构的制作方法，其特征在于：所述低温N型GaN层的生长温度为700℃～900℃；所述低温N型GaN层的厚度为90nm～360nm；所述低温N型GaN层内的掺杂元素为Si，Si的掺杂浓度为1.5e17cm-3～1.5e18cm-3。
12.根据权利要求8所述的GaN基LED外延结构的制作方法，其特征在于：所述多量子阱结构由InGaN势阱与GaN势垒交替组成，一个所述InGaN势阱与一个所述GaN势垒构成一个周期对，在同一周期对内，所述GaN势垒位于所述InGaN势阱之上，所述多量子阱结构包括5～18个所述周期对；所述多量子阱结构的生长温度为700℃～900℃；所述多量子阱结构内In的组分含量为15％～20％；所述InGaN势阱的厚度为2.0nm～4.0nm，所述GaN势垒的厚度为3.0nm～15.0nm。
13.根据权利要求8所述的GaN基LED外延结构的制作方法，其特征在于：所述AlGaN层的生长温度为850℃～900℃；所述AlGaN层中Al组分的摩尔含量为2％～20％，所述AlGaN层的厚度范围为20nm～35nm。
14.根据权利要求8所述的GaN基LED外延结构的制作方法，其特征在于：所述低温P型AlInGaN层的生长温度为700℃～800℃；所述P型电子阻挡层的生长温度为900℃～950℃；所述P型电子阻挡层为P型AlGaN、P型AlInGaN或P型AlGaN/GaN超晶格结构；所述P型电子阻挡层的总厚度范围为30nm～80nm，所述P型电子阻挡层中Mg掺杂浓度范围为5e18cm-3～3.5e19cm-3。
15.根据权利要求8所述的GaN基LED外延结构的制作方法，其特征在于：所述P型GaN层的生长温度为950℃～1000℃，生长厚度为30nm～150nm；所述P型GaN层中的掺杂元素为Mg，Mg掺杂浓度范围为5e18cm-3～1e20cm-3。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510166452.1A CN104900769B (zh) | 2015-04-09 | 2015-04-09 | GaN基LED外延结构及其制作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510166452.1A CN104900769B (zh) | 2015-04-09 | 2015-04-09 | GaN基LED外延结构及其制作方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN104900769A CN104900769A (zh) | 2015-09-09 |
| CN104900769B true CN104900769B (zh) | 2017-10-17 |
Family
ID=54033305
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201510166452.1A Expired - Fee Related CN104900769B (zh) | 2015-04-09 | 2015-04-09 | GaN基LED外延结构及其制作方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN104900769B (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106098890B (zh) * | 2016-06-21 | 2019-04-09 | 吉林大学 | 一种基于碳面SiC衬底的垂直结构氮极性GaN基绿光LED芯片及其制备方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101359710A (zh) * | 2008-09-25 | 2009-02-04 | 上海蓝光科技有限公司 | 一种绿光发光二极管的制造方法 |
| CN102368519A (zh) * | 2011-10-27 | 2012-03-07 | 华灿光电股份有限公司 | 一种提高半导体二极管多量子阱发光效率的方法 |
| CN103854976A (zh) * | 2014-03-20 | 2014-06-11 | 西安神光皓瑞光电科技有限公司 | 一种具有p层特殊掺杂结构的外延生长方法 |
| CN104485399A (zh) * | 2014-12-01 | 2015-04-01 | 西安神光皓瑞光电科技有限公司 | 一种提高外延晶体质量的外延生长方法 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI278126B (en) * | 2004-08-04 | 2007-04-01 | Formosa Epitaxy Inc | GaN series light emitting diode structure of p-type contacting layer with low-temperature growth low resistivity |
-
2015
- 2015-04-09 CN CN201510166452.1A patent/CN104900769B/zh not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101359710A (zh) * | 2008-09-25 | 2009-02-04 | 上海蓝光科技有限公司 | 一种绿光发光二极管的制造方法 |
| CN102368519A (zh) * | 2011-10-27 | 2012-03-07 | 华灿光电股份有限公司 | 一种提高半导体二极管多量子阱发光效率的方法 |
| CN103854976A (zh) * | 2014-03-20 | 2014-06-11 | 西安神光皓瑞光电科技有限公司 | 一种具有p层特殊掺杂结构的外延生长方法 |
| CN104485399A (zh) * | 2014-12-01 | 2015-04-01 | 西安神光皓瑞光电科技有限公司 | 一种提高外延晶体质量的外延生长方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN104900769A (zh) | 2015-09-09 |
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