TWI272661B - Liquid immersion exposure apparatus, method of controlling the same, and device manufacturing method - Google Patents

Description

1272661 (1) 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明關係於用以將一原始圖案曝光至一基材的液浸 曝光技術，同時’在基材上之空間係被塡充以液體。 【先前技術】 半導體裝置已變得更細緻，並且，曝光源已經由統高 φ 壓水銀的g線及i線改變至稱爲具有更短波長之準分子雷 射的KrF及ArF。再來，已經檢測F2雷射、電子束及X 射線的使用。 再者，有必要增加投影透鏡的N A (數値孔徑），以 完成更高解像能力，藉以降低焦點深度。如一般所知，這 些關係可以以下述公式加以表示： (解像能力）=kl ( λ /NA ) φ (焦點深度）=±k2 λ /ΝΑ2 其中λ代表用以曝光的光源的波長，ΝΑ代表投影透鏡的 Ν Α (數値孔徑），及k 1與k 2代表有關一製程的係數。 同時’一高解像能力及高焦點深度可藉由相偏移光罩 、變形照射、等等加以取得。然而，使用一 F 2雷射、電 子束及X射線的方法增加了設備的成本。相偏移光罩或變 形照射等在部份之電路圖案中並未產生任何效用。 因此’有想要使用液浸法，其中一投影曝光設備係被 -4 - (2) 1272661 設有具有液體入口包圍在投影透鏡末端（最接近晶圓的透 鏡）的一噴嘴；一液體係經由入口加以供給，該液體係被 保持於投影透鏡與晶圓之間，並執行曝光（日本特開平6-124873、國際公司案 WO99/049504小冊、及日本特開平 10-303114) 〇 在液浸法的作用下，上述解像能力及焦點深度係爲以 下公式所代表： » (解像能力）=kl (又0/η ) /ΝΑ0 (焦點涂度）=土k2( λ〇/η) / (ΝΑΟ) 2 其中λ 0代表在空氣中之曝光的波長，^代表用於光浸沒 的液體的繞射率，α代表光束的收斂的半角，及ΝΑ0 = sin α被建立。 即’液浸法的作用如同使用具有波長1 /η的曝光源。 ♦換句話說，當具有相同ΝΑ的投影光學系統設計時，液浸 法可以增加焦點深度η倍。例如，當水被使用作爲液體時 ’取得η=1·33，這表示焦點深度被改良了 33%。液浸法係 對於任何圖案均省效並可以組合以相偏移光罩、變形照射 法等等。 t '被浸狀態中之機台的控制能力，由於液體的例如表 ®張力 '重量、及黏力，而相對於沒有液浸法者（以下稱 乾態）係被改變並變差。因此，機台的對準正確性降低。 此一現象會以靜態及動態方式發生。特別是，變成主流的 -5- (3) 1272661 步進-掃描曝光設備係爲此現象所嚴重影響，因爲曝光係 在驅動時被執行。 再者，於本地塡充法中’ 一晶圓面被部份形成爲液浸 狀態，當晶圓的外圓周被照射曝光時，晶圓面可能由乾態 被改變爲液浸態，反之亦然。於此時，在液浸態與乾態間 之變化會產生大量之擾動。 當此擾動劣化了機台的效能時，則變成不可能取得液 • 浸曝光的最大可能效果。當然，有必要精確地控制液體的 振動、流率、厚度、體積、均勻性、溫度，以解決此問題 。該問題並不能只藉由此控制來解決，因此，有必要使用 一機台控制系統的手法。 【發明內容】 本發明係針對上述問題加以想出。本發明的一目的爲 補償並降低特定於液浸曝光設備的機台控制特徵中之變化 # ，以改良對準正確性。 爲了解決問題及取得目的，本發明之液浸曝光設備， 用以將一圖案經由一投影透鏡單元而曝光至一基材上，同 時’於基材及投影透鏡間之空間係被塡充以液體，該設備 包含：一機台，其承載基材；供給與回收機構，用以供給 液體至基材與投影透鏡間之空間，及用以回收來自該空間 的液體’及一控制益’其控制該機台的驅動，其特徵在於 該控制器依據液浸狀態，而改變機台的控制參數及機台的 驅動組合之至少之一。 -6- (4) 1272661 本發明之液浸曝光設備，用以在基材與投影透鏡間之 空間被塡滿以液體的狀態與液體由該空間移除的狀態間作 切換的同時，經由一投影透鏡，將一圖案曝光至一基材上 ’該設備包含：一機台’其承載該基材；供給與回收機構 ’用以供給液體至基材與投影透鏡單元間之空間，及用以 自該空間回收該液體；及一控制器，其控制該機台的驅動 ，其特徵在於該控制器基於液浸的出現，而改變機台的控 • 制參數與機台的驅動組合之至少之一。 本發明之液浸曝光設備，用以當在基材及投影透鏡單 元與基材的周圍部件間之空間被塡充以液體時，將一圖案 經由該投影透鏡單元曝光至該基材，該設備包含：一機台 ，其承載該基材；供給與回收機構，用以供給液體至該基 材與投影透鏡單元及基材周圍部件間之空間，並用以回收 來自該空間的液體；及一控制器，控制機台的操作，其特 徵在於該機台係被驅動以自一乾態移動至一液浸態，或者 # ，由液浸態移動至一乾態，該乾態爲基材表面並未被塡充 以液體，而液浸態爲基材表面被塡充以液體，該控制器改 變機台的控制參數及機台的乾態及液浸態間的驅動組合之 至少之一。 一種液浸曝光設備，用以在基材與投影透鏡單元間的 空間被塡入以液體時，將一圖案經由該投影透鏡單元曝光 至該基材上，該設備包含：一機台，其承載有該基材；供 給及回收機構，用以供給液體至基材與投影透鏡單元間之 空間，及自該空間回收液體；一控制器，控制機台的驅動 (5) 1272661 ，及一平板，其女排在該基材旁，其特徵在於該控制器當 液體通過基材與該平板間時，改變機台的控制參數與機台 的驅動組合之至少之一。 另外’本發明可以應用至爲液浸曝光設備之機台控制 器所執行之機台控制方法’以及，一裝置製造法，用以使 用該液浸曝光設備，來製造一半導體裝置。 如上所述’依據本發明，液浸投影曝光設備的對準正 φ 確性可以藉由降低在機台的控制特徵的變化加以改良，該 變化係爲一液浸態所造成。 除了上述之目的與優點外，其他目的與優點將由以下 之本發明之較佳實施例的說明，而爲熟習於本技藝者所了 解。於說明中，參考形成本案一部份的附圖，其例示本發 明的例子。然而，此例子並非排除本發明的各種實施例， 因此’參考在說明後之申請專利範圍，其係用以決定本發 明之範圍。 【實施方式】 本發明之實施例將參考附圖加以明確說明。 以下所討論之實施例係爲本發明實施機構的例子，並 可以依據一設備的各種狀況及架構加以適當修改或變化。 不必說，本發明也可以藉由供給一儲存媒體（或記錄 媒體）至一系統或設備，該儲存媒體係用以儲存執行液浸 曝光法及裝置製造法的軟體之程式碼，該等方法係包含在 以下所述之實施例中，並令該系統或設備的電腦（CPU或 (6) 1272661 MPU )讀取及執行儲存在儲存媒體的程式碼加以完成。 第1圖爲步進掃描液浸投影曝光設備的結構圖，其中 應用了本發明之實施例。 於第1圖中，一具有電路圖案1的光罩1係被以具有 均勻亮度的狹隙光IL所照射。光罩機台2及晶圓機台6 係在Y方向中彼此同步（狹隙的寬度方向），以投影透鏡 4的縮減比的速度進行，使得光罩1的圖案被形成並投影 • 在用以製造半導體裝置的晶圓5之上。一用於光罩機台的 干涉儀3量測光罩機台2的Y方向的位移並將該位移傳送 至一機台控制器1 1。同樣地，用於晶圓機台的干涉儀7量 測晶圓機台6的Y方向的位移，並將該位移傳送至機台控 制器1 1。 該機台控制器1 1基於量測値，而分開或同步地控制 光罩機台2及晶圓機台6。光罩機台及晶圓機台在X方向 的位移也被一干涉儀（未示出）所量測，該等機台係爲機 #台控制器1 1所控制。干涉儀3及7、投影透鏡4、光罩機 座8及晶圓機台9係被架構在一^主體結構1 0之上，因此 ，光罩機台2及晶圓機台6可以相對於主體結構1 〇被同 步控制。 參考數1 5表示用於主體的動作安裝件。動作安裝件 1 5支撐主體結構1 0，以降低振動並隔開來自地板的振動 。參考數1 6表示用於該機台的動作安裝件。動作安裝件 1 6降低爲晶圓機台6之動作所造成之振動並隔開來自地板 的振動。 -9 - (7) 1272661 一液浸噴嘴1 3係被附著至投影透鏡4並具有一機制 ，以供給及回收例如純水的浸液。此機制在晶圓5與投影 透鏡4之間，建立一液浸狀態1 4。於此時，液浸狀態不但 可以形成在晶圓5與投影透鏡4之間，也可以形成在一安 裝在晶圓機台之感應器（例如一機台參考標記、一不均勻 照射感應器、等等）及與感應器相對的光學件之間。 第2圖爲一方塊圖，顯示本發明之特徵。一輪廓儀（ • Profiler ) 21基於晶圓機台的預定驅動輪廓（profile )， 而產生一晶圓機台23的目標値（ref)。干涉儀24量測晶 圓機台23的現行位置（pos)。當在目標値（ref)與現行 位置（pos )間之差的偏移被傳送至控制器22時，該控制 器22基於該晶圓機台的預定控制參數，而輸出一驅動現 行値（控制變數）。所輸出之驅動現行値經由一驅動器被 傳送至安裝在晶圓機台上之線性馬達，以驅動該晶圓機台 〇 ^ 晶圓機台的驅動輪廓包含加速度、速度、急衝時間（ 加速度的變化率）、及沈降時間（由定速度段由加速度結 束開始的時間一直到曝光開始的時間）的至少之一。該等 參數產生晶圓機台的目標値。藉由改變這些參數的至少之 一 ’包含在由驅動的開始到結束所產生之目標値振動成份 被改變’因而，影響了晶圓機台的對準正確性。 另一方面，晶圓機台的控制參數包含PID參數、低通 濾波器、陷波濾波器、及一前饋增加之至少之一，並且有 關於該晶圓機台的控制特徵。此參數決定晶圓機台的穩定 -10- (8) (8)

1272661 度、反應度、堅固性、及對準正確 在傳統投影曝光設備中，驅動 定値。於本發明中，驅動輪廓及控 ’以下述之方式加以變化： (1 )依據液浸狀況加以變化， (2 )取決於每一驅動之液浸 (3 )取決於驅動時之液浸狀！ 於此時，每一驅動表示每一掃 。於第2圖中，用於輪廓機21及^ 組係爲改變單元2 0所改變，該改^ 狀況及液浸狀態的有無之資訊。有 的有無之資訊可以爲一感應器等等 可以事先儲存。 以下將針對（1 )至（3 )加以 (1 )在第1圖中，沒有液浸 ，在傳統投影曝光設備中，用於主 用於機台的動作安裝件1 6係將主 移動所造成之振動隔開。然而，液 液浸噴嘴1 3、投影透鏡4、及晶圓 及晶圓機台6，藉以建立振動傳遞 具有彈簧及黏性，所以振動可以由 結構，或者，由主體結構傳遞至晶 台的對準正確性降低。可以了解致 度。 輪廓及控制參數均爲固 制參數係依據液浸狀況 狀態的有無而加以變化 _的有無加以變化。 描驅動或每一步進驅動 控制器22的至少一參數 _單元20具有有關液浸 關液浸狀況及液浸狀態 所檢測，或者，該資訊 描述。 狀態14 (乾態）時，即 .體的動作安裝件1 5及 體結構與晶圓機台6之 :浸狀態1 4的出現經由 5而連接至主體結構1 〇 路徑。因爲液浸狀態14 丨晶圓機台所傳遞至主體 I圓機台。因此，晶圓機 I，改變控制特徵的因數 -11 . (9) 1272661 之彈簧與黏性係爲在液浸狀態1 4中之液體厚度（即在晶 圓與透鏡間之間隙）、溫度、成份、流率、體積、晶圓與 透鏡間之接觸面積、浸液與晶圓的接觸角（晶圓面的角度 及在晶圓面與表面張力所形成之浸液面之接觸點上之浸液 面上之正切）、以及，浸液及透鏡之接觸角所改變。然而 ，於本發明中，晶圓機台的驅動輪廓或控制參數之至少之 一係依據液浸狀況加以改變，使得有可能補償於液浸狀態 φ 1 4中之控制特徵的變化，並防止在對準正確性的降低。 (2 )液浸投影曝光設備產生液浸狀態1 4並在曝光時 驅動晶圓機台6。另一方面，在非曝光時間中，晶圓係被 承載進出，或者，設在晶圓機台6上之校正標記被加以量 測，及晶圓機台6係以乾態加以驅動。如在（1 )所描述 ，晶圓機台6的控制特徵係在液浸態1 4與乾態間作變化 。於本發明中，晶圓機台之驅動輪廓與控制參數之至少之 一係在液浸態與乾態間作變化，使得其有可能在液浸狀態 •及乾態中，取得較佳對準正確性。 (3)於第3圖中，晶圓31表示予以曝光之晶圓的一 部份。只顯示照射五次。在第3圖中之箭頭表示照射的曝 光方向。例如，照射3 2係由外部曝光至晶圓內側。於如 同安排在晶圓外緣上之照射3 2的照射中，在曝光時，一 液浸區由晶圓的外側移動，這將參考第4圖加以說明。 第4圖爲晶圓機台的俯視圖。參考數4 1表示晶圓及 參考數42表示對於第3圖之照射3 2的照射。爲了曝光照 射42，一液浸區43必須由晶圓4 1的外側移動至內側（實 -12- (10) 1272661 際液浸區43並未移動及晶圓機台1 3被驅動）。爲了在晶 圓外建立一液浸狀態，一相同面板4 0被設置，並完成與 晶圓4 1的外緣接觸並在高度上等於晶圓4 1。相同面板4〇 使得其可能曝光至在晶圓外緣上的照射42。然而，在相同 面板40與晶圓4 1間係設有： •微米級之間隙 •微米級的高度差（步進高度） •由於親水性及疏水性之差，造成在磨擦力等之差。 因此，當液浸區4 3係由相同面板4 0位移至晶圓41 時，晶圓機台的控制特徵係被改變。於本實施例中，當液 浸區4 3由相同面板4 0位移至（換句話說，晶圓41係在 乾態）晶圓41 (換句話說，晶圓4 1係在液浸態）時，在 晶圓機台的驅動輪廓或控制參數被切換的同時，驅動也被 執行，藉以降低由乾態轉移至液浸態時，控制特徵的變化 〇 本實施例也可應用至當液浸區由晶圓內部移動至外部 時，即，當位移係由液浸態移動至乾態時。 以下將討論改變驅動輪廓的方法。第5圖爲一示意圖 ’顯示於晶圓機台掃描時的目標加速。於第2圖之輪廓機 21中，產生並輸出了一藉由整合在兩機台中之目標加速所 取得之位移目標値。於第5圖中，橫座標表示時間及縱座 標表示加速度。參考數5 0表示在驅動開始時之最大加速 度，及參考數59表示在停止時之最大加速度（負値）。 參考數5 1、5 3、5 6及5 8表示用以決定在加速度中之變化 -13- (11) 1272661 率的急衝時間。參考數5 2及5 7表示被保持在最大加 時的時間段。參考數5 4表示一沈降時間.，由晶圓機 5 1 — 5 2 — 5 3後到達最大速度直到晶圓機台開始收斂至 要對準正確度，即與光罩機台同步的正確度爲止。在 時間5 4後，晶圓機台進入曝光時間5 5及執行曝光。 —5 7— 5 8後，驅動被完成。第5圖顯示於掃描時之目 速。於步進例子中，沒有沈降時間5 4並且曝光時間 簡單地被改變爲一定速時間。 於液浸態中，浸液劣化了晶圓機台的收斂。於同 正確性之劣化可以藉由使用沈降時間5 4長於乾態加 止。然而，較長的沈降時間5 4造成較低之產量。於 例子中，劣化於液浸態中之收斂波形包含一特定頻率 fl [Hz]。爲晶圓機台所產生之力量係被施加至浸液中 力量係成比例於加速度，因此，5 0、5 1、5 2及5 3係 擇，使得5 1 — 5 2-> 5 3的加速度波形並不包含fi。因 φ可能防止在同步化正確性之劣化，而不必增加沈降時 〇 當爲液浸噴嘴1 3所供給之浸液於流率及流速上 時，由壓力或脈動所對晶圓機台造成之干擾增加，因 降低了機台的對準正確度。同時，在此時，可以藉由 第5圖之目標加速度，而防止對準正確度的劣化。 在液浸態中，彈簧及浸液的黏度增加，及在以下 下，機台的對準正確性降低： (i )晶圓及透鏡的接觸面積（液浸半徑）增加， 速度 台在 一想 沈降 在56 標加 55被 步化 以防 很多 分量 。該 :被選 此， 間54 增加 而， 改變 情形 -14 - (12) 1272661 (ii )浸液及晶圓，或者，浸液與透鏡之接觸角度降 低， (iii )浸液的厚度，即於晶圓及透鏡間之距離降低。 因此，可以依據接觸面積、接觸角度及液體厚度，藉由改 變第5圖之目標加速度，加以防止在對準正確性之劣化。 以下將討論改變機台控制參數之方法。在液浸態中， 晶圓機台的頻率特徵係爲浸液所干擾。例如，彈簧在 φ 1 OHz或更低降低了增益，造成在低頻時，追蹤特性的劣 化。第2圖之控制器22包含以下之PID參數： PID ( s ) =Kp ( 1+fi/s-f s/fd ) 其中Kp代表一比例增益，fi代表一積分頻率，fd代表差 分頻率，及s代表一拉氏運算子。藉由增加比例增益Kp 或積分頻率fd，有可能補償在低頻的降低增益及追蹤特性 φ的劣化。因爲彈簧的負面影響在（i )至（iii )中增加， 所以，較佳地依據接觸面積、接觸角度及液體厚度，增加 比例增益或積分頻率。再者，取決於液浸態的有無，而可 有效地改變用於每一驅動的P ID參數。在驅動由乾態改變 至液浸態之一照射時，也可有效地改變PID參數，反之亦 妖〇 η 驅動輪廓及控制參數可以儲存在機台控制器中，成爲 對應於晶圓機台及其中開關之X及Υ座標的一表格。再 者，可以藉由基於實際曝光結果並更新該表格，而增加學 -15- (13) !272661 習，進以取得更大之效果。 以下將說明一雙極投影曝光設備的應用例，該設備具 有兩晶圓機台’一爲量測機台及一爲曝光機台。第6圖爲 '痛不此雙機台系統之槪念圖。雙機台的功能係爲已知，因 此，其詳細說明將被省略。 一量測單元60量測一晶圓（未示出）的對準及聚焦/ 定高度於機台61之上，該機台6 1係位在一對準量測機構 Φ 60下。一被安裝在機台64上之晶圓（未示出）經由投影 透鏡62被曝光至照明光IL之下，該機台64係在投影透 鏡6 2下。在此點，一液浸噴嘴6 3產生一液浸態6 5並執 行驅動。這兩機台可以彼此位置交換，藉以同時執行曝光 及對準程序。於此時，在對準量測機構下之機台係主要呈 乾態’而在投影透鏡62下之機台係主要爲液浸態。因此 ’在液浸態中之對準正確度的劣化可以藉由改變每一機台 位置之驅動輪廓及控制參數之至少之一加以防止。當然， •在具有兩或更多機台，例如三或四晶圓機台的投影曝光設 備中，驅動輪廓及控制參數之至少之一可以對每一機台加 以改變。 則述實施例也可以應用至步進-重覆液浸投影曝光設 備中。再者，該實施例也可以應用至光罩機台。本實施例 顯示位置控制系統。該實施例也可以應用至速度控制系統 [裝置製造方法] -16- (14) 1272661 以下將說明使用前述曝光設備作爲裝置製造方法的實 施例。 第7圖顯示製造微裝置（包含半導體晶片，例如IC 及L SI，液晶面板、C C D、薄膜磁頭、及微機械）的流程 。於步驟S 1 (電路設計）中，半導體裝置的電路被設計 。於步驟S2 (曝光控制資料準備）中，曝光設備的曝光 控制資料係基於設計電路圖案加以準備。同時，在步驟 φ S 3 (晶圓製造）中，晶圓使用一例如矽之材料加以製造。 步驟S 4 (晶圓處理）稱前段製程，其中電路被實際形成 在晶圓上，藉由使用晶圓及準備用以輸入曝光控制資料的 曝光設備，來進行微影術。下一步驟S 5 (組裝）稱爲後 段製程，其中半導體晶片使用在步驟S4中製造之晶圓加 以形成。後段製程包含組裝製程（切片、黏結）及封裝製 程（晶片密封）。於步驟S6 (檢視）中，在步驟S5中製 造之半導體裝置係被測試，以確認其操作及耐用性。在這 鲁些製程後，半導體裝置係被完成及裝運（步驟S7)。 第8圖顯示晶圓處理之詳細流程。於步驟S 1 1 (氧化 )中，晶圓表面被氧化。於步驟 S 1 2 ( C V D )中，一絕緣 膜被形成在晶圓表面上。在步驟S 1 3 (電極形成），一電 極藉由沉積而形成在晶圓上。於步驟S 1 4 (離子佈植）中 ，離子被植入晶圓中。在步驟S 1 5 (光阻處理）中，敏化 劑被施加至該晶圓。於步驟S 1 6 (曝光）中，電路圖案被 烘焙及藉由上述曝光設備所曝露至晶圓上。於步驟S 1 7 ( 顯影）中，曝光後之晶圓被顯影。在步驟S1 8 (蝕刻）中 -17- (15) 1272661 ，顯影光阻影像以下之部份被蝕去。於步驟S 1 9 (光阻剝 離）’光阻被移除’其在蝕刻後變成不必要。藉由重覆這 些步驟，可以在晶圓上形成多數電路圖案。 本發明並不限定於上述實施例，各種改變及修改可以 在本發明之精神及範圍內加以完成。因此，本發明之範圍 係由隨附之申請專利範圍所定義。 φ 【圖式簡單說明】 第1圖爲依據本發明實施例的液浸投影曝光的結構圖 第2圖爲顯示本發明實施例的控制方塊圖； 第3圖爲依據本發明之實施例的晶圓佈局的示意圖； 第4圖爲依據本發明實施例之液浸區的位移的示意圖 第5圖爲依據本發明實施例的機台的靶材加速示意圖 第6圖爲依據本發明另一實施例的雙機台投影曝光設 備的槪念圖； 第7圖爲製造一微裝置的流程圖；及 第8圖爲解釋一晶圓製程圖。 【主要元件符號說明】 光罩 光罩機台 -18- (16) 1272661

3 千涉儀 4 投影透鏡 5. 晶圓 6 晶圓機台 7 干涉儀 8 光罩機台座 9 晶圓機台 10 主體結構 11 機台控制器 13 液浸噴嘴 14 液浸態 15 動作安裝件 16 動作安裝件 20 改變單元 2 1 輪廓機 22 控制器 23 晶圓機台 24 干涉儀 3 1 晶圓 32 照射 40 面板 4 1 晶圓 42 照射 43 液浸區 •19 (17) (17)1272661 60 量測單元 6 1 機合 6 2 投影透鏡 63 液浸噴嘴 6 4 機台 65 液浸噴嘴

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Claims (1)

1. (1) (1)1272661 十、申請專利範圍 1 . 一種液浸曝光設備，用以將一圖案曝光至一基材上 ，同時在該基材與一投影透鏡間之空間係被塡充以液體， 該設備包含： 一機台，其承載該基材；及 一控制器，其控制該機台的驅動， 其中該控制器依據一液浸狀況，而改變該機台的控制 參數及機台的驅動輪廓之至少之一。 2 . —種液浸曝光設備，用以在基材與投影透鏡間之空 間被塡充以液體的狀態與液體由該空間移除的狀態間作切 換的同時，將一圖案曝光至一基材上，該設備包含： 一機台，其承載該基材；及 一機台控制器，控制該機台的驅動， 其中該控制器基於液浸的出現，而改變機台的控制參 數與機台的驅動輪廓之至少之一。 3 . —種液浸曝光設備，用以在一基材及投影透鏡單元 與基材週邊部件間之空間中塡充以液體的同時，將一圖案 曝光至基材上，該設備包含： 一機台，其承載該基材，及 一控制器，其控制該機台的操作， 其中該機台被驅動，以由一乾態位移至一液浸態或由 液浸態位移至乾態，該乾態係基材表面未被塡充以液體， 而液浸態係基材表面被塡充以液體， 該控制器在乾態及液浸態之間，改變機台的控制參數 -21 - (2) (2)1272661 及機台的驅動輪廓之至少之一。 4 · 一種液浸曝光設備，用以在基材及投影透鏡單元間 之空間被塡充以液體的同時，將一圖案曝光至該基材上’ 該設備包含： 一機台，其承載該基材； 一控制器，其控制該機台的驅動；及 一板，其安置在該基材旁， 其中該控制器在液體通過基材與板之間時，改變機台 之控制參數及機台的驅動輪廓之至少之一。 5 .如申請專利範圍第1至4項中任一項所述之液浸曝 光設備，其中該機台的控制參數包含PID參數、前饋增益 及濾波參數之至少之一。 6 ·如申請專利範圍第1至4項中任一項所述之液浸曝 光設備，其中該機台的驅動輪廓包含機台的加速度、速度 、急衝時間、及沈降時間之至少之一。 7 ·如申請專利範圍第1至4項中任一項所述之液浸曝 光設備，其中該液浸狀況包含在液浸態中之液體厚度、液 體溫度、液體成份、液體流率、液體體積、及液體流速之 至少之一。 8 ·如申請專利範圍第1至4項中任一項所述之液浸曝 光設備，其中該投影透鏡單元將圖案投影至基材，及該液 體被供給在透鏡表面與基材面之間，該透鏡表面係最接近 該投影透鏡單元的基材。 9 · 一種控制液浸曝光設備的方法，該設備包含一機台 -22- (3) 1272661 ，其承載一基材，及一控制器，其控制該機台的驅動，該 設備在基材與一投影透鏡單元間之空間被塡充以液體的同 時，將一圖案曝光至該基材，該方法包含步驟： 依據由控制器所執行之機台驅動控制中之液浸狀況， 改變機台的控制參數及機台的驅動輪廓之至少之一。 1 〇. —種控制液浸曝光設備的方法，該設備包含一機 台，其承載一基材，及一控制器，其控制該機台的驅動， Φ 該設備在基材與投影透鏡單元間之空間被塡充以液體之狀 態與液體由該空間移除之狀態間作切換時，將一圖案曝光 至該基材上，該方法包含步驟： 依據由控制器所執行之機台驅動控制中之液浸狀況， 改變機台的控制參數及機台的驅動輪廓之至少之一。 1 1 · 一種控制液浸曝光設備的方法，該設備包含一機 台，其承載一基材，及一控制器，其控制該機台的驅動， 該設備在基材與投影透鏡單元及基材的週邊部件間之空間 ®被塡充以液體之同時，將一圖案曝光至該基材上，該方法 包含步驟： 在爲該控制器所執行之機台驅動控制中，驅動該機台 ’以由一乾態位移至一液浸態或由液浸態位移至乾態，乾 態爲基材表面未被塡充以液體，液浸態係爲基材表面被塡 充以液體，及 在乾態及液浸態間，改變機台的控制參數及機台的驅 動輪廓之至少之一。 1 2 · —種控制液浸曝光設備的方法，該設備包含一機 -23- (4) 1272661 台，其承載一基材，一控制器，其控制該機台的驅動，及 一板，其安排在該基材旁，該設備在基材與投影透鏡單元 間之空間被塡充以液體之同時，將一圖案曝光至該基材上 ，該方法包含步驟： 當液體通過於基材及板之間時，改變機台的控制參數 及機台的驅動輪廓之至少之一。 13.—種裝置製造方法，包含： 使用如申請專利範圍第1至4項中任一項所述之曝光 設備以曝光一圖案；及 顯影該曝光之圖案。

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