TWI501334B - 浸潤液體補充裝置及補充方法與具有浸潤液體補充裝置之晶圓切割道檢測機 - Google Patents

浸潤液體補充裝置及補充方法與具有浸潤液體補充裝置之晶圓切割道檢測機 Download PDF

Info

Publication number
TWI501334B
TWI501334B TW102119748A TW102119748A TWI501334B TW I501334 B TWI501334 B TW I501334B TW 102119748 A TW102119748 A TW 102119748A TW 102119748 A TW102119748 A TW 102119748A TW I501334 B TWI501334 B TW I501334B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
perforation
immersion liquid
transparent sheet
replenishing device
wafer
Prior art date
Application number
TW102119748A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201448076A (zh
Inventor
Ying Cheng Chen
Sheng Feng Lin
Li Chueh Chen
Yi Chien Chen
Original Assignee
Yayatech Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Yayatech Co Ltd filed Critical Yayatech Co Ltd
Priority to TW102119748A priority Critical patent/TWI501334B/zh
Priority to US13/948,860 priority patent/US20140354965A1/en
Priority to CN201310522745.XA priority patent/CN104217972B/zh
Priority to DE202013105209.4U priority patent/DE202013105209U1/de
Priority to JP2013006797U priority patent/JP3188880U/ja
Publication of TW201448076A publication Critical patent/TW201448076A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI501334B publication Critical patent/TWI501334B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2041—Exposure; Apparatus therefor in the presence of a fluid, e.g. immersion; using fluid cooling means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/10—Measuring as part of the manufacturing process
    • H01L22/12—Measuring as part of the manufacturing process for structural parameters, e.g. thickness, line width, refractive index, temperature, warp, bond strength, defects, optical inspection, electrical measurement of structural dimensions, metallurgic measurement of diffusions
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/9501—Semiconductor wafers
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
    • G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
    • G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
    • G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
    • G01N21/956—Inspecting patterns on the surface of objects

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Investigating, Analyzing Materials By Fluorescence Or Luminescence (AREA)

Description

浸潤液體補充裝置及補充方法與具有浸潤液體補充裝置之晶圓切割道檢測機
本發明係關於一種浸潤液體補充裝置及補充方法與具有浸潤液體補充裝置之晶圓切割道檢測機，特別是關於一種具有第一管件、第二管件及環形儲槽之浸潤液體補充裝置及補充方法與具有浸潤液體補充裝置之晶圓切割道檢測機。
在半導體製程技術中，晶圓檢測的總體結果與整體半導體相關企業之品質形象息息相關。但由於晶圓切割道之檢測，大多由晶圓面上方進行，無法完全檢出隱藏在晶圓下表面的缺陷。
少部份的檢測機具雖然試圖自晶圓下方檢測晶圓下表面的缺陷，但因為貼於晶圓下方之藍膜的阻擋，檢測影像清晰度一直無法提升。幸而由本案發明人所申請之中華民國101年以申請號101147513號專利，提出以浸潤液體提升光線對藍膜的穿 透，而達到能自晶圓下方穿透藍膜對晶圓切割道做有效檢測的方法及架構，使得晶圓切割道難以檢測之問題可以迎刃而解。
然而，前述之檢測方法及架構，其浸潤液體必定隨 著檢測次數之增加而減少，因此，如何發展一個有效的浸潤液體補充裝置及補充方法，使晶圓切割道檢測之品質可以維持穩定，並能排放多餘的浸潤液體，便成為高效率晶圓切割道檢測技術一個重要的創新思考方向。
本發明為一種浸潤液體補充裝置及補充方法與具有浸潤液體補充裝置之晶圓切割道檢測機。浸潤液體補充裝置係具有一殼體、一蓋體、一透明片、一薄膜及一環形儲槽，並利用蓋體之第一管件輸入浸潤液體，以環形儲槽之第二管件輸出浸潤液體。浸潤液體補充方法包括有下列步驟：提供一浸潤液體補充裝置；輸入浸潤液體；形成一薄膜；及輸出浸潤液體。本發明之具有浸潤液體補充裝置之晶圓切割道檢測機則可確保在進行晶圓切割道檢測時，皆有足夠的浸潤液體可以形成薄膜，並可排放多餘的浸潤液體。
本發明係提供一種浸潤液體補充裝置，其係應用於晶圓切割道檢測，浸潤液體補充裝置包括：一殼體，其包括有一上殼部、與上殼部相對應之一下殼部及一側殼部延伸自上殼部外緣至下殼部外緣，其中上殼部中央具有一第一穿孔，又下殼部中央具有一第二穿孔；一蓋體，係固定結合於殼體，覆蓋上殼部且與上殼部具有一第一間隙，蓋體並具有一第三穿孔及一第一管件 結合於蓋體之一邊，其中第三穿孔與第一穿孔係相貫通，第三穿孔並大於第一穿孔且覆蓋第一穿孔，第一管件係具有一第一端口延伸至蓋體外及一第二端口延伸至第一間隙；一透明片，與上殼部固定結合並遮蔽第一穿孔，透明片之大小係小於第三穿孔並與第三穿孔形成一第二間隙；一薄膜，係由浸潤液體所形成，並形成於透明片上並覆蓋透明片；以及一環形儲槽，固設於側殼部，其具有一凹陷部及一第二管件，其中蓋體係延伸至凹陷部之一內側邊，第二管件並自凹陷部之一底面穿過並延伸至該環形槽之外。
本發明又提供一種具有浸潤液體補充裝置之晶圓切 割道檢測機，其包括如前一段所述之一浸潤液體補充裝置；以及一物鏡模組，固設於浸潤液體補充裝置之下殼部並穿過浸潤液體補充裝置之第二穿孔，且與浸潤液體補充裝置之第一穿孔具有一間距。
本發明再提供一種晶圓切割道檢測之浸潤液體補充 方法，其係應用於晶圓切割道檢測，浸潤液體補充方法包括下列步驟：提供一浸潤液體補充裝置，其中浸潤液體補充裝置包括一殼體、一蓋體、一環形儲槽及一透明片，殼體係包括有一上殼部、一下殼部及一側殼部，且上殼部中央具有一第一穿孔，下殼部中央具有一第二穿孔；蓋體係固定結合於殼體，覆蓋上殼部且與上殼部具有一第一間隙，蓋體並具有一第三穿孔及一第一管件，且第三穿孔與第一穿孔係相貫通，第三穿孔並大於第一穿孔且覆蓋第一穿孔，第一管件係具有一第一端口延伸至蓋體外及一第二端口延伸至第一間隙；環形儲槽係固設於側殼部，並具有一凹陷部及一第二管件，其中蓋體係延伸至凹陷部之一內側邊，第二管件 並自凹陷部之一底面穿過並延伸至環形儲槽之外；透明片係與上殼部固定結合並遮蔽第一穿孔，透明片之大小係小於第三穿孔並與第三穿孔形成一第二間隙；輸入浸潤液體，其係自第一管件輸入浸潤液體，經由第二間隙流至透明片上；形成一薄膜，薄膜係由浸潤液體形成於透明片上並覆蓋透明片；以及輸出浸潤液體，其中該浸潤液體係自該上殼部流入該凹陷部並自該第二管件輸出該浸潤液體至該環形儲槽之外。
藉由本發明之實施，至少可以達到下列進步功效：一、製造及裝設皆快速簡便又成本低廉；二、確保在進行晶圓切割道檢測時，皆有足夠的浸潤液體可以形成薄膜；及三、確保多餘的浸潤液體可順利排放，不影響操作或良率。
為了使任何熟習相關技藝者了解本發明之技術內容並據以實施，且根據本說明書所揭露之內容、申請專利範圍及圖式，任何熟習相關技藝者可輕易地理解本發明相關之目的及優點，因此將在實施方式中詳細敘述本發明之詳細特徵以及優點。
100‧‧‧浸潤液體補充裝置
300‧‧‧晶圓切割道檢測機
10‧‧‧殼體
11‧‧‧上殼部
111‧‧‧第一穿孔
12‧‧‧下殼部
121‧‧‧第二穿孔
13‧‧‧側殼部
20‧‧‧蓋體
21‧‧‧第一間隙
22‧‧‧第三穿孔
23‧‧‧第一管件
231‧‧‧第一端口
232‧‧‧第二端口
30‧‧‧透明片
31‧‧‧第二間隙
40‧‧‧薄膜
50‧‧‧環形儲槽
51‧‧‧凹陷部
511‧‧‧內側邊
512‧‧‧底面
52‧‧‧第二管件
60‧‧‧物鏡模組
61‧‧‧間距
70‧‧‧待測晶圓
80‧‧‧藍膜
90‧‧‧座體
S200‧‧‧浸潤液體補充方法
S10‧‧‧提供一浸潤液體補充裝置
S20‧‧‧輸入浸潤液體
S30‧‧‧形成一薄膜
S40‧‧‧輸出浸潤液體
第1圖係為本發明實施例之一種浸潤液體補充裝置之剖面圖；第2圖係為本發明實施例之一種浸潤液體補充裝置之浸潤液體流動剖面示意圖；第3圖係為本發明實施例之一種具有浸潤液體補充裝置之晶圓切割道檢測機，並透過一藍膜對一待測晶圓進行檢測之剖面示意圖； 第4圖係為本發明實施例之一種具有浸潤液體補充裝置之晶圓切割道檢測機進一步結合一座體之剖面圖；第5圖係為本發明實施例之一種晶圓切割道檢測之浸潤液體補充方法之流程圖；及第6圖係為本發明實施例之一種浸潤液體流動方向示意圖。
如第1圖及第2圖所示，本發明之一種浸潤液體補充裝置100，其包括：一殼體10、一蓋體20、一透明片30、一薄膜40以及一環形儲槽50。
如第1圖至第4圖所示之殼體10，其包括有一上殼部11；與上殼部11相對應之一下殼部12；及一側殼部13延伸自上殼部11外緣至下殼部12外緣。其中上殼部11中央具有一第一穿孔111，又下殼部12中央具有一第二穿孔121，又殼體10之形狀並無限制，本實施例之殼體10形狀為一中空桶形。
如第1圖至第4圖所示之蓋體20，係固定結合於殼體10，並覆蓋殼體10之上殼部11，且蓋體20與上殼部11之上端不緊密貼合而具有一第一間隙21。蓋體20並具有一第三穿孔22；及一第一管件23結合於蓋體20之一邊，其中第三穿孔22與該第一穿孔111係相貫通，並且第三穿孔22大於第一穿孔111且覆蓋第一穿孔111。第一管件23係結合於蓋體20之一邊並具有一第一端口231延伸至蓋體20外及一第二端口232延伸至第一間隙21。
浸潤液體係可以自浸潤液體補充裝置100之外部， 經由加壓或引導之方式，自第一管件23之第一端口231輸入，並自第一管件23之第二端口232輸出到第一間隙21。
如第1圖至第4圖所示之透明片30，係可以與上殼部11固定結合並遮蔽上殼部11之第一穿孔111。透明片30之大小係可小於蓋體20之第三穿孔22並與第三穿孔22形成一第二間隙31。浸潤液體係可以自第一間隙21流至第二間隙31並覆蓋透明片30。
如第1圖至第4圖所示之薄膜40，係由浸潤液體覆蓋於透明片30上所形成，薄膜40並係無間隙的覆蓋透明片30。
如第1圖至第4圖所示之環形儲槽50，係固設於側殼部13並圍繞包覆側殼部13之一部份，環形儲槽50並具有一凹陷部51及一第二管件52，凹陷部51並具有一內側邊511。環形儲槽50與蓋體20之關係為蓋體20係可以延伸至凹陷部51之內側邊511，使形成薄膜40形成於透明片30上之後，多餘的浸潤液體可以順著蓋體20排放至凹陷部51之內。
如第1圖至第4圖所示之環形儲槽50，第二管件52並自凹陷部51之一底面512穿過並延伸至環形儲槽50之外，凹陷部51內之浸潤液體係可以自第二管件52流出至環形儲槽50之外。
如第1圖至第4圖所示，浸潤液體可以自浸潤液體補充裝置100之外部，經由第一管件23輸入至透明片30上，並於透明片30上形成薄膜40，多餘的浸潤液體則自透明片30及蓋體20流進環形儲槽50之凹陷部51內，再由第二管件52輸出至浸潤液體補充裝置100之外部。如此，浸潤液體不但可以獲得補 充，多餘的浸潤液體並可以順利排放。
如第3圖所示，為本發明實施例之一種具有浸潤液體補充裝置100之晶圓切割道檢測機300，其包括有一浸潤液體補充裝置100；及一物鏡模組60。
如第3圖所示之晶圓切割道檢測機300，其浸潤液體補充裝置100如前述，於此不再贅述。
如第3圖所示之物鏡模組60，其可以為一顯微鏡模組或一顯微鏡攝像模組，用以進行詳細檢測，並擷取檢測之圖像資料進行後續處理。物鏡模組60係可固設於下殼部12並穿過下殼部12之第二穿孔121，物鏡模組60且與第一穿孔111具有一間距61，以方便物鏡模組60進行詳細檢測時之對焦調整或自動微調整。
如第4圖所示，晶圓切割道檢測機300可進一步包括一座體90，座體90係與浸潤液體補充裝置100之側殼部13相固接，並可固定晶圓切割道檢測機300。座體90可以是一個大型測試用機具所連接的一部份，並可將晶圓切割道檢測機300固定於大型測試用機具上進行檢測。
如第3圖及第4圖所示，薄膜40上可進一步設置一待測晶圓70，且薄膜40與待測晶圓70之藍膜(dicing tape)80相密合。如此，晶圓切割道檢測機300上之薄膜40與待測晶圓70之藍膜80相密合後，光線對藍膜80之穿透使得晶圓切割道檢測機可以隔著藍膜80對待測晶圓70之晶圓切割道進行精密之檢測及成像。
如第5圖所示，為本發明實施例之一種浸潤液體補 充方法(S200)之流程圖。本實施例之一種晶圓切割道檢測之浸潤液體補充方法(S200)之流程包括下列步驟：提供一浸潤液體補充裝置(步驟S10)；輸入浸潤液體(步驟S20)；形成一薄膜(步驟S30)；及輸出浸潤液體(步驟S40)。
如第5圖所示之提供一浸潤液體補充裝置(步驟S10)，係提供如前述各實施例及第1圖至第4圖中所示之浸潤液體補充裝置100。
如第5圖所示之輸入浸潤液體(步驟S20)，浸潤液體係可以自浸潤液體補充裝置100之外部，經由加壓或引導之方式自第一管件23輸入，在經由第一間隙21及第二間隙31流至並覆蓋透明片30。
如第5圖所示之形成一薄膜(步驟S30)，係浸潤液體無間隙的覆蓋透明片30並形成薄膜40，其中薄膜40係可與待測晶圓70之藍膜80相密合，使光線可以穿透藍膜80。
如第5圖所示，輸出浸潤液體(步驟S40)，係多餘的浸潤液體自透明片30及蓋體20流進浸潤液體補充裝置100之環形儲槽50之凹陷部51內，再經由連通於凹陷部51的底面512之第二管件52，順利排放輸出至浸潤液體補充裝置100之外部。
如第5圖所示之本發明實施例之一種浸潤液體補充方法(S200)，浸潤液體不但可以自第一管件23獲得補充輸入，多餘的浸潤液體並可以自第二管件52順利排放輸出。
如第6圖所示，在本發明實施例之一種具有浸潤液體補充裝置100或本發明實施例之一種具有浸潤液體補充裝置100之晶圓切割道檢測機300或本發明實施例之一種浸潤液體補 充方法(S200)之中，浸潤液體係自第一管件23輸入，流經第一間隙21及第二間隙31，並於透明片30之上形成薄膜40，且多餘的浸潤液體自蓋體20上方流入環形儲槽50之凹陷部51，再從凹陷部51之底面512由第二管件52流出。
前述各實施例及浸潤液體補充方法(S200)中之浸潤液體之顏色係可以為透明。浸潤液體對光線之折射率並可依照檢測需求選擇使用各種不同折射率之浸潤液體。
惟上述各實施例係用以說明本發明之特點，其目的在使熟習該技術者能瞭解本發明之內容並據以實施，而非限定本發明之專利範圍，故凡其他未脫離本發明所揭示之精神而完成之等效修飾或修改，仍應包含在以下所述之申請專利範圍中。
100‧‧‧浸潤液體補充裝置
10‧‧‧殼體
20‧‧‧蓋體
30‧‧‧透明片
40‧‧‧薄膜
50‧‧‧環形儲槽

Claims (8)

  1. 一種浸潤液體補充裝置，其係應用於晶圓切割道檢測，該浸潤液體補充裝置包括：一殼體，其包括有一上殼部、與該上殼部相對應之一下殼部及一側殼部延伸自該上殼部外緣至該下殼部外緣，其中該上殼部中央具有一第一穿孔，又該下殼部中央具有一第二穿孔；一蓋體，係固定結合於該殼體，覆蓋該上殼部且與該上殼部具有一第一間隙，該蓋體並具有一第三穿孔及一第一管件結合於該蓋體之一邊，其中該第三穿孔與該第一穿孔係相貫通，該第三穿孔並大於該第一穿孔且覆蓋該第一穿孔，該第一管件係具有一第一端口延伸至該蓋體外及一第二端口延伸至該第一間隙；一透明片，與該上殼部固定結合並遮蔽該第一穿孔，該透明片之大小係小於該第三穿孔並與該第三穿孔形成一第二間隙；一薄膜，係由一浸潤液體所形成，並形成於該透明片上且覆蓋該透明片；以及一環形儲槽，固設於該側殼部，其具有一凹陷部及一第二管件，其中該蓋體係延伸至該凹陷部之一內側邊，該第二管件並自該凹陷部之一底面穿過並延伸至該環形儲槽之外。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之浸潤液體補充裝置，其中該第一端口係輸入該浸潤液體，並自該第二端口輸出該浸潤液體。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之浸潤液體補充裝置，其中該浸潤液體係自該透明片及該蓋體上方流入該凹陷部。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之浸潤液體補充裝置，其中該浸潤 液體係自該第二管件流出至該環形儲槽之外。
  5. 一種具有浸潤液體補充裝置之晶圓切割道檢測機，其包括：一浸潤液體補充裝置，包括：一殼體，其包括有一上殼部、與該上殼部相對應之一下殼部及一側殼部延伸自該上殼部外緣至該下殼部外緣，其中該上殼部中央具有一第一穿孔，又該下殼部中央具有一第二穿孔；一蓋體，係固定結合於該殼體，覆蓋該上殼部且與該上殼部具有一第一間隙，該蓋體並具有一第三穿孔及一第一管件結合於該蓋體之一邊，其中該第三穿孔與該第一穿孔係相貫通，該第三穿孔並大於該第一穿孔且覆蓋該第一穿孔，該第一管件係具有一第一端口延伸至該蓋體外及一第二端口延伸至該第一間隙；一透明片，與該上殼部固定結合並遮蔽該第一穿孔，該透明片之大小係小於該第三穿孔並與該第三穿孔形成一第二間隙；一薄膜，係由一浸潤液體所形成，並形成於該透明片上並覆蓋該透明片；及一環形儲槽，固設於該側殼部，其具有一凹陷部及一第二管件，其中該蓋體係延伸至該凹陷部之一內側邊，該第二管件並自該凹陷部之一底面穿過並延伸至該環形儲槽之外；以及一物鏡模組，固設於該下殼部並穿過該第二穿孔，且與該第一穿孔具有一間距。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之晶圓切割道檢測機，其進一步包括一座體，與該側殼部相固接，並固定該晶圓切割道檢測機。
  7. 如申請專利範圍第5項所述之晶圓切割道檢測機，其中該薄膜上進一步設置一待測晶圓，且該薄膜與該待測晶圓之藍膜(dicing tape)相密合。
  8. 一種晶圓切割道檢測之浸潤液體補充方法，其係應用於晶圓切割道檢測，該浸潤液體補充方法包括下列步驟：提供一浸潤液體補充裝置，其中該浸潤液體補充裝置包括一殼體、一蓋體、一環形儲槽及一透明片，該殼體係包括有一上殼部、一下殼部及一側殼部，且該上殼部中央具有一第一穿孔，該下殼部中央具有一第二穿孔；該蓋體係固定結合於該殼體，覆蓋該上殼部且與該上殼部具有一第一間隙，該蓋體並具有一第三穿孔及一第一管件，且該第三穿孔與該第一穿孔係相貫通，該第三穿孔並大於該第一穿孔且覆蓋該第一穿孔，該第一管件係具有一第一端口延伸至該蓋體外及一第二端口延伸至該第一間隙；該環形儲槽係固設於該側殼部，並具有一凹陷部及一第二管件，其中該蓋體係延伸至該凹陷部之一內側邊，該第二管件並自該凹陷部之一底面穿過並延伸至該環形儲槽之外；該透明片係與該上殼部固定結合並遮蔽該第一穿孔，該透明片之大小係小於該第三穿孔並與該第三穿孔形成一第二間隙；輸入浸潤液體，其係自該第一管件輸入該浸潤液體，經由該第二間隙流至該透明片上；形成一薄膜，該薄膜係由該浸潤液體形成於該透明片上並覆蓋 該透明片；以及輸出浸潤液體，其中該浸潤液體係自該上殼部流入該凹陷部並自該第二管件輸出該浸潤液體至該環形儲槽之外。
TW102119748A 2013-06-04 2013-06-04 浸潤液體補充裝置及補充方法與具有浸潤液體補充裝置之晶圓切割道檢測機 TWI501334B (zh)

Priority Applications (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW102119748A TWI501334B (zh) 2013-06-04 2013-06-04 浸潤液體補充裝置及補充方法與具有浸潤液體補充裝置之晶圓切割道檢測機
US13/948,860 US20140354965A1 (en) 2013-06-04 2013-07-23 Immersion liquid replenishing apparatus, replenishing method, and wafer scribing lines inspection machine with immersion liquid replenishing apparatus
CN201310522745.XA CN104217972B (zh) 2013-06-04 2013-10-29 具有浸润液体补充装置的晶圆切割道检测机
DE202013105209.4U DE202013105209U1 (de) 2013-06-04 2013-11-18 Auffüll-Apparatur für Immersionsflüssigkeiten und Inspektionsmaschine für Wafer-Ritz-Linien mit Auffüll-Apparatur für Immersionsflüssigkeiten
JP2013006797U JP3188880U (ja) 2013-06-04 2013-11-29 浸潤液体補充装置、及び、浸潤液体補充装置を備えたウエハー罫書き線検査機

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW102119748A TWI501334B (zh) 2013-06-04 2013-06-04 浸潤液體補充裝置及補充方法與具有浸潤液體補充裝置之晶圓切割道檢測機

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201448076A TW201448076A (zh) 2014-12-16
TWI501334B true TWI501334B (zh) 2015-09-21

Family

ID=50337295

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW102119748A TWI501334B (zh) 2013-06-04 2013-06-04 浸潤液體補充裝置及補充方法與具有浸潤液體補充裝置之晶圓切割道檢測機

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20140354965A1 (zh)
JP (1) JP3188880U (zh)
CN (1) CN104217972B (zh)
DE (1) DE202013105209U1 (zh)
TW (1) TWI501334B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI606529B (zh) * 2016-11-02 2017-11-21 Lens housing assembly for wafer inspection equipment

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7692760B2 (en) * 2004-08-05 2010-04-06 Canon Kabushiki Kaisha Liquid immersion exposure apparatus, method of controlling the same, and device manufacturing method
TW201133588A (en) * 2009-10-16 2011-10-01 Tokyo Electron Ltd Liquid treatment method, liquid treatment apparatus and storage medium

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10333326B4 (de) * 2003-07-23 2007-03-15 Evotec Technologies Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur Untersuchung chemischer und/oder biologischer Proben sowie Objektivaufsatz
JP4253592B2 (ja) * 2004-01-06 2009-04-15 オリンパス株式会社 液浸対物レンズ、蛍光分析装置および倒立型顕微鏡。
EP1717628B1 (en) * 2004-02-16 2012-01-25 Olympus Corporation Immersion objective lens, retention mechanism for immersion medium and manufacturing method thereof
CN100552877C (zh) * 2006-05-04 2009-10-21 台湾积体电路制造股份有限公司 蚀刻装置、浸润槽及蚀刻方法
JP5597868B2 (ja) * 2006-09-07 2014-10-01 ライカ マイクロシステムズ ツェーエムエス ゲーエムベーハー 液浸対物レンズ、液浸膜を形成する装置及び方法
TWI512867B (zh) * 2012-12-14 2015-12-11 Yayatech Co Ltd 晶圓切割道之檢測方法及其檢測治具

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7692760B2 (en) * 2004-08-05 2010-04-06 Canon Kabushiki Kaisha Liquid immersion exposure apparatus, method of controlling the same, and device manufacturing method
TW201133588A (en) * 2009-10-16 2011-10-01 Tokyo Electron Ltd Liquid treatment method, liquid treatment apparatus and storage medium

Also Published As

Publication number Publication date
DE202013105209U1 (de) 2014-03-03
CN104217972A (zh) 2014-12-17
US20140354965A1 (en) 2014-12-04
CN104217972B (zh) 2017-04-26
JP3188880U (ja) 2014-02-13
TW201448076A (zh) 2014-12-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2012134553A5 (ja) 露光装置、液体検出方法、及びデバイス製造方法
JP6850332B2 (ja) イメージングシステム
JP2012138619A5 (ja) 液浸露光装置、液浸露光方法、デバイス製造方法、及び液浸露光装置の製造方法
JP2012248902A5 (ja) 洗浄方法、液浸露光装置、及びデバイス製造方法
JP2008506143A (ja) 液浸対物レンズを有した微細要素の検査用装置
EP1938074B1 (en) Cuvette for optical inspection of free floating ophthalmic lenses
US20190179230A1 (en) An inspection substrate and an inspection method
JP6425972B2 (ja) 管材の内面検査装置及びそれを用いた検査方法
JP6409178B2 (ja) 容器の検査方法及び検査装置
TWI501334B (zh) 浸潤液體補充裝置及補充方法與具有浸潤液體補充裝置之晶圓切割道檢測機
JP2008509426A6 (ja) 微細要素の検査用装置
KR20130078721A (ko) 평판 디스플레이 패널 검사 장치 및 방법
BR112015025556B1 (pt) Método de inspeção de defeito de metal
JP2006300875A (ja) 液面検出方法、液量検出方法、液面検出装置、液量検出装置および分注装置
JP2010216920A5 (zh)
JP6503658B2 (ja) 光分析システム、センサ装置及び光分析方法
JP2010210451A (ja) 全反射照明型センサチップ、その製造方法およびそれを用いたセンシング方法
KR20180003449A (ko) 웰 플레이트 및 그 사용 방법
WO2017069388A1 (ko) 레이저 가공 장비의 자동 검사 장치 및 방법
KR102246219B1 (ko) 전자 부품의 적외선 검사 장치 및 그 방법
TWI606529B (zh) Lens housing assembly for wafer inspection equipment
JP5030208B2 (ja) ポンプ吸込水槽模型試験における吸込管内流速測定装置
JP2017106816A (ja) 検査装置
JP3141389U (ja) 蛍光探傷検査用基準見本およびそれに用いられる見本用容器
TWI586976B (zh) 光學檢測裝置及其光學檢測治具