JP2899196B2 - スキャン型露光装置 - Google Patents

スキャン型露光装置

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JP2899196B2
JP2899196B2 JP5161024A JP16102493A JP2899196B2 JP 2899196 B2 JP2899196 B2 JP 2899196B2 JP 5161024 A JP5161024 A JP 5161024A JP 16102493 A JP16102493 A JP 16102493A JP 2899196 B2 JP2899196 B2 JP 2899196B2
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    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70358Scanning exposure, i.e. relative movement of patterned beam and workpiece during imaging

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置の製造工程に
おいて、スリット状の露光ビームをスキャンとしてマス
クまたはレチクル上の回路パターンを遂次半導体ウエハ
上に転写するスキャン型露光装置、特には斯るスキャン
露光を半導体ウエハ上の複数領域ごとに繰り返す所謂ス
テップアンドスキャン型露光装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、ステップアンドスキャン型露光装
置は、米国特許第4697−087号明細書に記載され
ているように、露光中におけるアライメント計測はでき
なかった。即ち、プリスキャンというシーケンスを用い
て予めレチクルとウエハのずれ/相対位置を計測し、ス
キャン露光時にこれを補正データとして加えてアライメ
ント制御を行なうものであった。この方式によると、プ
リスキャンによるシーケンスで、フローが複雑になる事
やプリスキャンによって計測したアライメント計測デー
タが時々刻々と変化しているレチクルとウエハのずれを
必ずしも正確に反映していない事、スループットが低下
する事などの欠点があった。
【0003】この欠点を克服するために、例えば特開平
4−307720号公報では、レチクルとウエハの両方
の走査方向に沿った回折格子を設け、回折格子からの回
折光を走査露光中に遂次検出して、リアルタイムでアラ
イメント計測することで、ウエハステージがレチクルス
テージに、若しくはレチクルステージがウエハステージ
にトラッキングするように構成することが提案された。
この方式によって、レチクルとウエハ間の正確な位置合
わせ手段が提供され、走査方向における露光エリア内の
ディストーションも補正できる様になったとされてい
る。
【0004】
【発明が解決しようとしている課題】しかしながら、上
記従来例では、レチクルとウエハの回折格子によるトラ
ッキング制御を行うにあたり、以下の様な点の改良が必
要である。
【0005】(1)トラッキング制御をしながらスキャ
ン露光に入る前に、マスクとウエハは絶対位置及び等速
駆動制御されているが、この異なる制御方式間の切りか
えを等速駆動中に行うこと。
【0006】(2)上記切り換え操作を行う過程でステ
ージに対し重ね合わせ誤差となる振動を極力抑えるこ
と。
【0007】(3)スキャン露光エリアがウエハの端面
において途切れていても露光されるべきエリア内におい
ては正確にアライメントされており、ウエハ面の有無に
よってトラッキング露光を終了、開始すること。
【0008】本発明は、このような事情に鑑みなされた
もので、その目的は、上述の点が改良されたスキャン型
露光装置を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段及び作用】本発明は、上記
の点を解決するために、スキャン型露光装置において、
トラッキング制御と外部測長系(例えばレーザー干渉
計)による位置制御を併用した上で、トラッキング制御
と外部測長系による位置制御を走査中に連続的に切り換
える手段を提供している。併せて、ウエハ端における露
光エリアにおいて、トラッキング制御に使用する格子パ
ターンの選択方法を提供することにより、トラッキング
露光時の精度向上を得ている。
【0010】
【実施例】図1は本発明の一実施例である半導体装置製
造用のステップアンドスキャン型露光装置概要図であ
る。本実施例において、ウエハステージ27は、スキャ
ン露光時絶対座標系すなわち露光装置上の動かぬ機械原
点29に対してスキャン動作するマスク(レチクル)ス
テージ28にトラッキング制御によりサーボロックされ
る。33a、33bはそれぞれスキャン露光時のマスク
ステージ28、ウエハステージ27の走査方向である。
【0011】感光基板である半導体ウエハ34上の露光
エリア35を露光する露光ビーム36は、光源30より
出射され光学系31を経由してスリット32によって細
長い形状に整形される。なお、ウエハ34が露光ビーム
で露光されることにより、周知のようにウエハ34上に
半導体装置を製造する工程が進められる。スリット32
の開口幅はウエハステージ27及びレチクルステージ2
8の走査速度、露光ビーム36の強度によって可変であ
る。37L、37R、38L、38Rはそれぞれレチク
ル及びウエハ上の露光エリアの左右両側に配置されたア
ライメントマーク群である。これらアライメントマーク
群37、38は図5に示すような格子パターンの形状を
している。これらの格子パターンより矢印501方向の
相対位置ずれ検出が可能である。更に格子パターンを縦
横に配置してx、y、θ方向の相対位置ずれを検出する
こともできる。
【0012】ウエハ34とマスクステージ28上のマス
クとの相対位置ずれはアライメント計測ユニツト40に
よって計測される。LDドライバ42によって駆動され
るレーザー光源41から出射される計測ビーム43は、
レチクル及びウエハ上のアライメントマーク37、38
に向けて照射される。アライメントマーク37、38に
よって反射、回折して戻ってきた計測ビーム43はビー
ムスプリッタ44を介して投光ビームと分割され、フォ
トセンサ1に達する。フォトセンサ1によりアライメン
ト計測先は微少電気信号に変換されプリアンプ2によっ
て増巾されたあと、位相計測部3によりアライメント計
測信号、すなわち相対位置ずれ信号45が生成される。
【0013】一方、プリアンプ2によって増巾された電
気信号はコンパレータ46により基準信号レベル47と
比較され、その結果をシュミットゲートIC48とプリ
アップ抵抗器49によってTTLレベルの論理信号50
に変換される。この回路は上はウエハ上のアライメント
パターン38によって反射されたアライメント計測光の
有無(強度)を調べるものであり、これに基づいて正し
い相対位置ずれ信号45が得られていることを検証した
結果(以下判別信号50)を出力する役割を持ってい
る。
【0014】上記役割をレーザー干渉計51、52など
の外部測長系の計測値と基準値と比較することやフォト
センサ1上の受光スポットの位置や位相を判断すること
によって代用することも可能である。
【0015】51、52はそれぞれマスクステージ、ウ
エハステージの位置座標計測を行うレーザー干渉計であ
る。マスクステージ28はレーザー干渉51によりX軸
方向が計測、制御される。ウエハステージ27はレーザ
ー干渉計52により、X、Y、θ、Wx 、Wy 方向が計
測、制御される。17a〜17cはリニアモーターであ
り、ウエハステージ27を駆動するためのX、Y、θ方
向の推力を発生する。ウエハステージは平面ガイドと兼
ねた定盤53から微少寸法浮上している。更にウエハス
テージ27には3本の圧電素子によって構成されたチル
トステージ(不図示)が搭載されている。これらの構成
によりウエハステージ27は外部から伝わる振動や摩擦
の影響を受けにくい高精度な位置決め性能を得ている。
【0016】54はマスクステージ28は駆動するため
のリニアモーターである。マスクステージ28もウエハ
ステージと同様に不図示のガイドより微少寸法浮上して
支持され、駆動される。本実施例において、マスクステ
ージ28はX方向のみ駆動ストロークを持つ。55はプ
リアライメント用テレビスコープであり、56はプリア
ライント画像処理ユニットである。
【0017】露光に先立ってウエハステージ上に吸着さ
れたウエハは、まずプリアライメントスコープ55によ
りプリアライメントされる。すなわち、ウエハ上に予め
形成されたプリアライメントマークをプリアライメント
スコープ55で計測し、粗い位置合わせをする。プリア
ライメントスコープ55から出力される画像信号は、プ
リアライメント画像処理ユニットにより位置ずれ信号に
変換され、出力される。
【0018】プリアライメントを終えたウエハは露光シ
ーケンスに入る。マスク、ウエハ上におけるアライメン
トパターンは露光ショット上においてはd=10μm前
後(図5参照)のピッチで描画されており、このピッチ
巾を上回る位置ずれ量(±5μm)のずれを持ってスキ
ャン露光を行うと、正確なアライメント計測ができなく
なる。これはアライメント計測光43の位相差を相対位
置ずれ量45として計測しているために、1ピッチ以上
のマークのずれがあると区別が出来なくなってしまうた
めである。従って、プリアライメントスコープによるプ
リアライメント精度を±1μmとし、マスク像とウエハ
上の露光ショットのプリアライメント後の相対位置ずれ
量が他の誤差要因と含めて±5μm以下となるように規
定している。
【0019】図2は本実施例におけるウエハステージ制
御系の機能ブロック図である。図1におけるアライメン
トマーク37、38は露光ショットの両側に配置されて
いるので、アライメント計測を行うフォトセンサ1a、
1bによる計測機構は本実施例において2基搭載されて
いる。
【0020】プリアンプ2a、2bからは判別信号50
a、50b(図1において説明)が出力され、I/Oユ
ニット18に入力される。4a、4bはデータホールド
ユニットであり、I/Oユニット18から出力されるデ
ータホールド制御信号(2値)23a、23bを参照し
て、入力されてくる計測データをそのまま通すか、直前
の瞬間における入力データを出力に保持したままにする
かを切り換える。
【0021】5a、5bは可変ゲインアンプであり、I
/Oユニット18から出力されてくるゲインデータ24
a、24bを参照してアンプの増巾率を可変する。6、
7、11、14は加減算器であり、入力される信号の加
算、減算結果を出力する。8は重ね合わせ目標値であ
り、マスクとウエハの露光画角におけるアライメントマ
ークの相対位置関係目標値が格納されている。この重ね
合わせ目標値8を変化させる事によりトラッキング露光
時におけるマスクとウエハパターンの相対位置関係を微
調することができる。
【0022】9は可変ゲインアンプであり、トラッキン
グ制御時における目標値との偏差データを増巾し、I/
Oユニット18から出力されるゲインデータ25により
増巾率を可変する。10はレーザー干渉計であり、スキ
ャン走査方向(X軸)のステージ27の位置座標を計測
する。
【0023】12はステージ遂次目標値であり、トラッ
キング制御を行わない時のステージの目標位置座標を示
す。13は可変ゲインアンプであり、レーザー干渉計1
0によるフィードバック制御時におけるステージ遂次目
標値12との偏差データを増巾し、I/Oユニット18
から出力されるゲインデータ26により増巾率を可変す
る。15はサーボ処理演算部であり、入力される偏差デ
ータをウエハステージの動特性を考慮した最適な操作量
を電流アンプ16に出力しリニアモーターのソレノイド
17をドライブする。I/Oユニット18はバスによっ
てCPUユニット20と接続されており、更にCPUユ
ニット20はバス21によって記憶装置22と接続され
ている。記憶装置22にはウエハ、及びショット毎にI
/Oユニット18から出力される信号のスケジュールデ
ータなどが格納されている。
【0024】57に示す点線内の処理過程はソフトウエ
ア化する事が可能であり、後述の第2実施例ではソフト
ウエア化した場合の構成を解説する。
【0025】図3は本発明を適用したステップアンドス
キャン型露光装置のウエハステージ制御ダイヤグラムで
ある。ここでは図2における各マークの判別信号50
a、50bをA−ENB、B−ENBと呼び、各ゲイン
データ24a、24b、25、26をそれぞれGLA、G
LB、GPH、GSTと呼び、各データホールド制御信号23
a、23bをそれぞれA−HOLD、B−HOLDと呼
ぶものとする。
【0026】この図においては、ウエハの端部分におけ
るスキャン露光の制御シーケンスを説明する。ステージ
位置x0 においては、ウエハステージ27とマスクステ
ージ28は停止状態にある。この状態において、ウエハ
ステージ27上のウエハ34はプリアライメント装置5
5によってプリアライメント済であるので、マスクアラ
イメントマーク37とウエハアライメントマーク38の
位置ずれは前述の通り所定の誤差内に位置決めされてい
る。
【0027】また、この停止位置はマスクステージ28
とウエハステージ27が走査露光に入るまえに一定速度
になるまで加速しなければならないので必要とされる助
走区間だけスリット位置が露光エリア35に対して後退
している。
【0028】x0 からx1 にかけての区間Xs の間はレ
ーザー干渉計52による絶対位置制御を行い、同時にス
テージ遂次目標値12を次々と更新してウエハステージ
27を加速する。ウエハステージ27の加速動作直後は
撃力による残留振動が残るので、同振動が十分減衰する
事を待ってから露光に入るのが良い。従って、同振動が
収束するのを待つ時間は本実施例においては区間XS
SDで包合するように設計されている。
【0029】更に区間XS ではマスクステージ28も同
様な絶対位置制御で加速操作が行われている。この領域
においては、トラッキング制御に用いるアライメント信
号は隣りの露光ショットもしくは非露光エリアとのアラ
イメント計測値を返すので、あてにならない。ウエハ側
のアライメントマークを隣合うショット同士でつなげた
り、各アライメントマーク列に対し複数のアライメント
計測箇所を設けて補助的に用いてトラッキング制御を行
う手法も本発明におけるアライメント計測信号切りかえ
の応用として考えられる。
【0030】アライメント計測信号のあてにならない区
間においては、GLA、GLB、GPH、を0に絞り、GST
を1にすることによってサーボ処理部15に与えられる
偏差データは絶対位置制御を反映したものに限定され
る。アライメント計測データは不定とならないようにA
−HOLD、B−HOLDによって一定値に保持されて
いる。
【0031】x1 からx2 にかけての区間XSDの間は絶
対位置制御からトラッキング制御へと徐々に遷移する区
間である。すなわち、XSD区間ではアライメント計測ビ
ームが部分的に露光エリアを照らし始めマスクアライメ
ントマーク37とウエハアライメントマーク38の相対
位置ずれ量が計測できるようになる。区間の始まりであ
る。x1 においてA−HOLDとB−HOLDをスルー
(Through)側に切りかえ、GLA、GLB、を0か
ら1/2に、GPH、を0から1に向けて徐々に増やし、
STを1から0に向けて徐々に減らすことにより実質的
な制御は絶対位置制御からトラッキング制御へと連続的
に切りかわる。
【0032】x2 の地点においては完全にショット両端
のアライメントマーク38L、38Rによるトラッキン
グ制御に切り換わっている。x2 からx3 にかけての区
間XD はショット両端のアライメントマーク38L、3
8Rから検出される相対位置ずれ信号を使ってトラッキ
ング制御・一定速度により走査露光する区間である。本
実施例においてはショット両側のアライメントマークか
らの相対位置ずれ計測値を1/2:1/2で混合して相
対位置ずれの現在位置を得ているがショット毎や走査位
置等によってGLA、GLBを変化すれば上記混合比率を変
化させることも可能である。
【0033】x3 からx4 にかけての区間XDMは露光エ
リア35上のアライメントマークのうち一方38Lがウ
エハの端にさしかかる等の要因で同マークから正常なア
ライメント信号が得られなくなる場合に先立って行われ
る処理をする領域である。すなわちGLAを1/2から0
に向かって徐々に減らし、GLBを1/2から1に向かっ
て徐々に増やす。アライメントマーク38のL側の相対
位置ずれ計測値は徐々にS/Nが低下して信頼できなく
なるのでx3 における計測値のまま、以後A−HOLD
信号を保持(HOLD)側に切りかえることで固定す
る。x4 の地点においてはトラッキング制御時における
位置ずれ量参照は完全にアライメントマーク38のR側
からのみ実質的に行われるようになる。
【0034】x4 からx5 にかけての区間XM はショッ
トの片方のアライメントマーク38Rから検出される相
対位置ずれ信号を使ってトラッキング制御、一定速度に
より走査露光する区間である。x6 からX7 にかけての
区間XMEは残されたひとつのアライメントマーク列38
Rがウエハ端にさしかかる等の要因で同マークから正常
なアライメント信号が得られなくなる場合に先立って行
われる処理をする領域である。すなわちGLB、GPHを1
から0に徐々に減らし、GSTを0から1に徐々に増や
す。アライメントマーク38Rの相対位置ずれ計測値は
徐々にS/Nが低下して信頼できなくなるので、x5
おける計測値のまま、以後B−HOLD信号を保持(H
OLD)側に切りかえることで固定する。これにより実
質的な制御はトラッキング制御からレーザー干渉計52
を用いた絶対位置制御へと連続的に切りかわる。
【0035】x2 からx5 に至るまでの区間は絶対位置
制御用の偏差信号はGSTを0にすることで使われていな
いにも拘らず、ステージ遂次目標値12はマスクステー
ジの動きと同期して常に更新されている。従って区間X
MEにおいてトラッキング制御時の偏差と絶対位置制御の
偏差信号値が大きく異なることによりウエハステージ2
7に大きな加振力が加わることはない。
【0036】x6 からx7 にかけての区間XE はウエハ
ステージ27が絶対位置制御をかけられた状態で減速、
停止をする領域である。x7 における地点でウエハステ
ージは完全停止する。ここで説明したダイヤグラムでは
露光ショットのエリアが途中で切れているため、全エリ
アを走査露光する場合よりも早く露光シーケンスが切り
上げられている。一方、マスクステージ28はx6 にお
いてウエハステージ27が減速開始すると同時に減速、
停止する。
【0037】その後ウエハステージ27は絶対位置制御
のまま次の露光ショットにおけるスタート位置へ移動
し、マスクステージ28はリワインド動作を行った後次
の露光ショットの動作にそなえて待機する。
【0038】マスクステージ28の動きはウエハステー
ジ27の動作区間XS において加速され、区間XE にお
いて減速、停止するまでは一定の速度で駆動される。本
発明の適用により、その間のウエハステージは走査駆動
中にトラッキング制御と絶対位置制御、トラッキング制
御における参照信号の切りかえをする事が可能であり、
更に切りかえにあたって発生する振動を最少に抑えるこ
とが可能である。
【0039】更に応用として、各時点における制御状態
(CONTROL MODE)を区間XS 、XE につい
てABS、XD についてTRK2 、XM についてTRK
1 とすれば、XSD、XDM、XMEは各制御状態間の遷移区
間であり、本発明によればすべての制御状態は可逆的に
遷移可能である。
【0040】図9は本実施例における各制御状態を表現
したものであり、各制御状態間の遷移は、走査中、停止
中にかかわらず連続的に行われる。また、アライメント
計測部や他の測長系の追加により状態数が増えた場合も
全く同様に本発明を適用することができる。
【0041】各状態から他の状態へ遷移する場合、遷移
のきっかけとなる判断基準は、本実施例においてはあら
かじめウエハの大きさやショットレイアウトやショット
の寸法から決定されるマークレイアウト寸法データ(マ
ークレイアウトデータ 703;後述)によって計算さ
れている位置座標(または機械原点29からの相対距
離)とレーザー干渉計10によって計測される絶対位置
座標(またはこれと機械原点29間の距離)の大小を比
較することで達成されている。
【0042】アライメント計測値の信頼性を判別してい
る判別信号50による制御状態切りかえは補助的に行わ
れている。すなわち、アライメントマーク38のコンタ
ミネーションなどの理由でトラッキング制御中に相対位
置ずれ信号が予期しない場所で得られなくなった場合、
例えばモードTRK2 からモードTRK1 にもしくはモ
ードTRK2 からモードABSに連続的に切り換えるこ
とにより、安定した露光シーケンスを提供するようにな
っている。
【0043】図4は本実施例におけるマスクステージ制
御系の機能ブロック図である。マスクステージ28の絶
対位置を計測するレーザー干渉計51から出力される
Y、O成分の計測値はI/Oユニット406を経由して
CPUユニット20に読み込まれる。一方、X成分は加
減算器401で逐次目標値レジスタ404との差分をと
られ、結果として得られた目標値との偏差をサーボ処理
部402に出力する。サーボ処理部402では入力され
る偏差データをマスクステージの動特性を考慮した最適
な操作量を電流アンプ403に出力する。電流アンプ4
03はリニアモータのソレノイド54をドライブしマス
クステージ28に推力を与える。405はプロファイル
ジェネレータであり、CPUユニット20からI/Oユ
ニット406を経由して送られる最終目標値409及び
制御信号を参照してマスクステージ28が滑らかな加速
運動及び等速度運動をするような逐次目標値を逐次目標
値レジスタ404に一定微少時間ごとに書き込むように
なっている。
【0044】本実施例においては常に絶対位置制御する
マスクステージ28に対しウエハステージ27がトラッ
キング制御で追従動作したり絶対位置制御に切りかわっ
て動作するような構成をとっている。当然ながら本発明
は常に絶対位置制御するウエハステージ27に対しマス
クステージ28がトラッキング制御で追従動作したり絶
対位置制御に切りかわって動作するような構成の装置に
も適用することが可能である。
【0045】図7は、本発明において図3で説明した制
御ダイヤグラム706を作成するためのフローチャート
である。記憶装置22には露光画角寸法やアライメント
マーク位置を規定したショットデータ701と、各枚葉
におけるIDと共にウエハ上のショットレイアウトを記
録したウエハデータ702が格納されている。これらの
データ701、702はマークレイアウト処理707の
プロセスにより、ウエハ上のアライメントマーク座標を
プリアライメントマーク座標位置を基点とした数値テー
ブルであるマークレイアウトデータ703に変換され
る。
【0046】ステージ制御パラメータ704はウエハス
テージ27及びマスクステージ28の加減速レート、速
度、加減速時の振動収束に要する時間など、装置固有も
しくはシーケンス固有のパタメータ群である。露光シー
ケンスデータ705は各枚葉における露光ショットを露
光する順番やスキャン方向を規定したデータテーブルで
ある。一枚のウエハ内における露光ショットを露光する
軌跡の一部を図6に601で示す。
【0047】斜線をほどこした露光ショットは、露光途
中でアライメント計測信号が途切れたり回復するショッ
トである。制御ダイヤグラム706上ではマークレイア
ウト703からアライメント計測信号が途切れたり回復
する点の座標が予め予測できるので、制御手段の切りか
え点やアライメント計測信号数の設定を709に示すよ
うなテーブル作成することで図2に示すような制御シー
ケンスを実現している。
【0048】以上説明した本実施例は従来例に対し、次
の様な利点を持っている。
【0049】 スキャン走査中に制御手段を絶対位置
制御からトラッキング制御に切りかえるので、露光時の
ステージの動作が効率的かつスムーズになる。
【0050】 トラッキング制御時に加減速をしない
構成になっているので、トラッキング誤差や脱調現象を
極力おさえることができる。
【0051】 アライメント計測系の切りかえも走査
中に行えるので、ウエハの端にかかっているような露光
ショットに対する露光も安定かつ高精度に行うことがで
きる。
【0052】(他の実施例)図8には本発明における第
2実施例を掲げる。この実施例は、図1の点線57内に
ある演算・制御処理部をすべてソフトウエア的な処理に
置換(図8の点線812内)したものである。
【0053】この図において、801はアライメント計
測ユニットからの相対位置ずれデータをアナログ値から
ディジタル値に変換するADコンバータ、802はAD
コンバータ801からのディジタル値をローカルバス8
10内に採り入れるI/O回路である。803はレーザ
ー干渉計10からのディジタル値(絶対位置測長値)を
ローカルバス810内に採り入れるI/O回路である。
804はCPUであり、I/O802、803から採り
込んだデータをCPUユニット20からの指示により処
理をする。
【0054】807はROM、808はRAMである。
809はデュアルポートRAMであり、上位CPUユニ
ット20とのデータ、コマンドのやりとりを行う。80
5はタイマーであり、一定時刻例えば500μsecお
きに割り込み信号806を出力する。割り込み信号80
6を受けたCPU804は割り込み処理に入り、それま
で行っていた通常処理を中断する。割り込み処理の内容
に主に各I/Oユニット及びデュアルポートRAMから
のデータ取り込み、サーボ処理、各I/Oユニット及び
デュアルポートRAMへのデータ出力である。
【0055】処理されたデータはI/Oユニット814
を通してD/Aコンバータ813へ出力されリニアモー
ター17を駆動する。図3において示したような制御ダ
イヤグラムは、CPUユニットからバス811を介して
デュアルポートRAM809に与えられる。CPU80
4は割り込み信号INT806発生時にこのデータを読
みに行き、解釈・実行する。CPU804とCPUユニ
ット20は1個のCPUですべてを処理することも場合
によっては可能であるが、サーボ処理などの処理内容が
複雑になる傾向があるので分割した方が賢明である。
【0056】CPU804には繰り返し演算や行列によ
る積和演算処理が多いので、数値演算機能を強化した特
殊なプロセッサを用いた方が良い。
【0057】以上説明した本発明の第2実施例も前述の
第1実施例と同様の利点を持っている。本実施例では第
1実施例における演算・制御処理部をソフトウエア化し
たことにより経時安定性、柔軟性、量産性の観点におい
て、第1実施例に比べて改善されているので明らかであ
る。
【0058】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、 露光時のステージ動作が効率的かつスムーズにな
る。
【0059】 トラッキング制御時にステージの加減
速を行わなくともよいので、トラッキング誤差や脱調現
象を極力抑えることができる。
【0060】 アライメント計測系の切りかえも走査
中に行えるのでウエハの端にかかっているような露光シ
ョットに対する露光も安定かつ高精度に行うことができ
る。等の効果を得ることができる。
【0061】また、アライメント計測が有効であるかを
判別する判別信号により補助的にアライメント計測値及
び制御方式を切りかえられる手段を提供したことによ
り、 何らかの予期せぬ要因でアライメント信号が検出で
きなかった場合にも安定した露光が達成できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のスキャン型露光装置の一実施例を示す
図。
【図2】本実施例のウエハステージ制御系を示すブロッ
ク図。
【図3】本実施例のウエハステージ制御ダイヤグラムを
示す図。
【図4】本実施例のマスクステージ制御系を示すブロッ
ク図。
【図5】レチクル及びウエハのアライメントパターンを
示す図。
【図6】ウエハ上のショットレイアウトの一例を示す
図。
【図7】制御ダイヤグラムを作成するためのフローチャ
ート。
【図8】本発明の他の実施例を示す図。
【図9】本実施例における制御状態遷移を示す図。
【符号の説明】
1 フォトセンサ 2 プリアンプ 3 ロックインアンプ 4 データホールドユニット 5、9、13 可変ゲインアンプ 6、7、11、14 加減算器 8 トラッキング制御時の重ね合わせ目標値 10 レーザー干渉計 12 絶対位置制御時のステージ逐次目標値 15 サーボ処理ユニット 16 電流アンプ 17 リニアモータ 18 I/Oユニット 19 バス 20 CPUユニット

Claims (15)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 細長いスリット状の露光ビームでマスク
    をスリットに対し直角方向にスキャンすることによっ
    て、前記マスク上に形成されたパターンを感光基板上の
    被露光領域に転写するスキャン型露光装置において、 前記マスクをスキャン方向に沿って少なくとも一次元移
    動させるマスクステージと、前記感光基板を前記マスク
    ステージの一次元移動方向に沿って前記マスクステージ
    と同期する速度で移動するウエハステージと、前記マス
    クステージと前記ウエハステージの装置の機械原点から
    の距離を各々計測する第1計測手段と、前記マスクステ
    ージの移動方向に沿って一定間隔で配置された前記マス
    ク上のグレーティングパターンと前記ウエハステージの
    移動方向に沿って一定間隔で配置された前記感光基板上
    のグレーティングパターンとの間における相対位置ずれ
    量を光電的に検出する第2計測手段と、前記1計測手段
    により前記ウエハステージ及び前記マスクステージの速
    度及び位置の少なくとも一方を制御する第1制御手段
    と、前記第2計測手段により検出される前記マスクと前
    記感光基板間における相対位置ずれ量が所定の値に維持
    されるように前記マスクステージ及び前記ウエハステー
    ジの少なくとも一方を制御する第2制御手段と、所定の
    判断基準に従って前記第1制御手段と第2制御手段を停
    止することなく切り換える切り換え手段を有することを
    特徴とするスキャン型露光装置。
  2. 【請求項2】 前記判断基準は前記ウエハステージの前
    記機械原点からの予め設定された相対距離、若しくは位
    置座標であることを特徴とする請求項1に記載のスキャ
    ン型露光装置。
  3. 【請求項3】 前記判断基準は前記第2計測手段におけ
    るアライメント計測光の受光スポットの位置、位相、及
    び強度情報の少なくとも一つに基づいて設定されること
    を特徴とする請求項1に記載のスキャン型露光装置。
  4. 【請求項4】 前記切り換え手段は、前記第1計測手段
    によって得られた計測値と目標値から得られた第1の偏
    差データと、前記第2計測手段によって得られた計測値
    と相対位置ずれ目標値から得られた第2偏差データを切
    り換えて制御に用いることを特徴とする請求項1記載の
    スキャン型露光装置。
  5. 【請求項5】 前記第2制御手段による制御は、前記マ
    スク上及び前記ウエハ上のグレーティングパターン対の
    少なくとも一方が計測可能である際に行われることを特
    徴とする請求項1に記載のスキャン型露光装置。
  6. 【請求項6】 前記第2制御手段による制御において、
    前記グレーティングパターン対の数が変化する場合、前
    記グレーティングパターン対から得られる計測データの
    混合比率を徐々に変化させることにより最終的な計測デ
    ータを得ることを特徴とする請求項5に記載のスキャン
    型露光装置。
  7. 【請求項7】 前記グレーティングパターン対から得ら
    れる計測データの混合比率は時間軸から見て滑らかな曲
    線として変化することを特徴とする請求項6に記載のス
    キャン型露光装置。
  8. 【請求項8】 前記第2計測手段は、計測不能となる以
    前に計測された計測データを保持して供することができ
    ることを特徴とする請求項6に記載のスキャン型露光装
    置。
  9. 【請求項9】 前記第2制御手段による制御は、前記マ
    スク上に形成されたパターンの露光エリアに露光ビーム
    走査が達する前に前記第1制御手段から切り換えられる
    ことを特徴とする請求項1に記載のスキャン型露光装
    置。
  10. 【請求項10】 細長いスリット状の露光ビームでマス
    クをスリットに対し直角方向にスキャンすることによっ
    て前記マスク上に形成されたパターンを感光基板上の被
    露光領域に転写するスキャン型露光装置において、 前記マスクをスキャン方向に沿って少なくとも一次元移
    動させるマスクステージと、前記感光基板を前記マスク
    ステージの一次元移動方向に沿って、マスクステージと
    同期する速度で移動するウエハステージと、前記マスク
    ステージと前記ウエハステージの装置の機械原点からの
    距離を計測する第1計測手段と、前記マスクステージの
    移動方向に沿って一定間隔で配置された前記マスク上の
    グレーティングパターンと前記ウエハステージの移動方
    向に沿って一定間隔で配置された前記感光基板上のグレ
    ーティングパターンとの間における相対位置ずれ量を光
    電的に計測する第2の計測手段と、前記2計測手段によ
    り検出される前記マスクと前記感光基板間における相対
    位置ずれ量が所定の値に維持されるように前記マスクス
    テージと前記ウエハステージの少なくとも一方を制御す
    る制御手段と、前記第2計測手段に使用される複数のグ
    レーティングパターン対の中から所定の判断基準に従っ
    て計測値の算出に供するパターン対を選択する選択手段
    を有することを特徴とするスキャン型露光装置。
  11. 【請求項11】 前記判断基準は前記ウエハステージの
    前記機械原点からの予め設定された相対距離、若しくは
    位置座標であることを特徴とする請求項10に記載のス
    キャン型露光装置。
  12. 【請求項12】 前記判断基準は前記第2計測手段にお
    けるアライメント計測光の受光スポットの位置、位相、
    及び強度情報の少なくとも一つに基づいて設定されるこ
    とを特徴とする請求項10に記載のスキャン型露光装
    置。
  13. 【請求項13】 細長いスリット状の露光ビームでマス
    クをスリットに対し直角方向にスキャンすることによっ
    て前記マスク上に形成されたパターンを感光基板上の被
    露光領域に転写するスキャン型露光装置において、 前記マスクをスキャン方向に沿って少なくとも一次元移
    動させるマスクステージと、前記感光基板を前記マスク
    ステージの一次元移動方向に沿って、前記マスクステー
    ジと同期する速度で移動するウエハステージと、前記マ
    スクステージと前記ウエハステージの装置における機械
    原点からの距離を各々計測する第一の計測手段と、前記
    マスクステージの移動方向に沿って一定間隔で配置され
    た前記マスク上のグレーティングパターンと前記ウエハ
    ステージの移動方向に沿って一定間隔で配置された前記
    感光基板上のグレーティングパターンとの間における相
    対位置ずれ量を光電的に検出する第2の計測手段と、前
    記1計測手段により前記ウエハステージ及び前記マスク
    ステージの速度及び位置の少なくとも一方を制御する第
    1制御手段と、前記第2計測手段により前記マスクと前
    記感光基板間における相対位置ずれを検出し、検出され
    る相対位置ずれ量が所定の値に維持されるように前記マ
    スクステージ及び前記ウエハステージの少なくとも一方
    を制御する第2制御手段と、前記第1及び第2制御手段
    の切り換えを前記第1及び第2計測手段から処理して得
    られる各々の偏差データの混合比率を徐々に変化させる
    ことにより任意に行わせることができる切り換え手段を
    有することを特徴とするスキャン型露光装置。
  14. 【請求項14】 前記第2計測手段は、計測不能となる
    以前に計測可能であったエリアの計測データを保持可能
    であることを特徴とする請求項13に記載のスキャン型
    露光装置。
  15. 【請求項15】 前記各々の偏差データの混合比率は、
    時間軸から見て滑らかな曲線として変化することを特徴
    とする請求項13に記載のスキャン型露光装置。
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