TWI272249B - Crystalline ceric oxide sol and process for producing the same - Google Patents
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Description
1272249 A7 B7 五、發明説明(i) 技術領域 本發明係有關近似單分散之結晶性二氧化鈽溶膠及其 製造方法。 先行技術 曰本專利特開平1 0 - 9 5 6 1 4號公報揭示,惰性 氣體環境下水性媒體中,鈽(I I I )鹽與鹼性化合物以 3至3 0之(〇H) / (C e3 + )莫耳比反應產生氫氧化 鈽(I I I )懸浮液後,直接於該懸浮液在大氣壓下於 1 0至9 5 °C溫度,以氧或含氧氣體吹入氧化,得二氧化 鈽粒子之製造方法。 發明所欲解決之課題 以特開平1 0 - 9 5 6 1 4號公報之製造方法所得之 水性液體含二氧化铈粒子之溶膠,以氣體吸附法(B E T 法)之比表面積爲3 0平方米/克,故B ET法換算粒徑 爲2 0奈米。該溶膠以動態光散射法量測之粒徑爲3 0 6 奈米,故(動態光散射法量測粒徑)/(氣體吸附法之比 表面積換算粒徑)之比爲1 1。因此,粒子之沈降性値得 探討,因有長時間靜置而粒子沈降固結之問題,用作硏磨 劑時須以分散機激烈攪拌,將溶膠再分散。本發明在提供 單分散性高之溶膠之製造方法,將之用於硏磨,以防硏磨 面發生微小表面缺陷。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 衣 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -4 - 1272249 A7 ____ B7 五、發明説明(2 ) 用以解決課題之手段 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明第一係,含氣體吸附法之比表面積換算之粒徑 在1 0至2 0 0奈米,且(動態光散射法量測之粒徑)/ (氣體吸附法之比表面積換算之粒徑)之比在2至6範圍 之結晶性二氧化鈽粒子之溶膠。 第二係下述(A )步驟及(B )步驟: (A )步驟:惰性氣體環境下水性媒體中鈽(I I I )鹽與鹼性物質以3至3 0之(〇H ) / ( C e 3 + )莫耳 比反應產生氫氧化鈽(i i i )之懸浮液後,直接於該懸 浮液在大氣壓下於1 0至9 5 °C之溫度以氧或含氧氣氣體 吹入,生成含氣體吸附法之比表面積換算之粒徑在1 〇至 2 0 0奈米,且動態光散射法量測之粒徑)/(氣體吸附 法之比表面積換算粒徑)之比在1 0以上之結晶性二氧化 鈽粒子之溶膠之步驟,及 (B )步驟:將(A )步驟所得溶膠濕式粉碎之步驟 所成的第一之含結晶性二氧化鈽粒子之溶膠之製造方法。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 第三係,鹼性物質爲鹼金屬氫氧化物,有機鹼或其混 合物之第二之含結晶性二氧化鈽粒子溶膠之製造方法。 第四係,含氧氣體係空氣或氧與氮之混合氣體之第二 或第三之含結晶性二氧化鈽粒子溶膠之製造方法, 第五係,下述(a)步驟及(b)步驟: (a )步驟:碳酸鈽於3 0 0至1 1 0 〇°C鍛燒製造 結晶性氧化鈽粒子之步驟,及 (b )步驟:將(a )步驟所得粒子濕式粉碎& #驟 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 771 ' ' 1272249 A7 B7 五、發明説明(3 ) 所成的第一之含結晶性二氧化鈽粒子溶膠之製造方法, (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 第六,濕式粉碎係以濕式球磨機,砂磨機,立式球磨 機,珠磨機,超音波均質機,壓力均質機或超霧化機進行 之第二至第五任一之含結晶性二氧化鈽粒子溶膠之製造方 法,及 第七,水性媒體中含第一之結晶性二氧化鈽粒子附著 於帶負電聚合物粒子表面之有機-無機複合粒子之水性漿 液。 發明之實施形態 本發明之溶膠含高結晶性二氧化鈽粒子。 該二氧化铈粒子之氣體吸附法(B E T法)比表面積 爲4至8 3平方米/克,由此値換算之粒徑爲1 〇至 2 0 0奈米。氣體吸附法之比表面積換算之粒徑,可用以 觀測各粒子粒徑之平均値。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 而,動ϋ光散射、法係以N 4 ( COULTER ELECTRONICS 公司製),DLS - 6000 (大塚電子(股)製)等裝 置量測’其値爲2 0至8 0 0奈米。動態光散射法所觀測 之粒徑包括凝集,癒合粒子之粒徑。 本發明之溶膠中,所含結晶性二氧化鈽粒子係氣體吸 附法之比表面積換算之粒徑爲1 〇至2 〇 〇奈米,且(動 態光散射法量測之粒徑)/(氣體吸附法比表面積換算之 粒徑)比在2至6範圍之結晶性二氧化鈽粒子。這些溶膠 因氣體吸附法之比表面積換算之粒徑與動態光散射法量測 -6- 本紙張尺度逍用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 1272249 A7 __ B7 五、發明説明(4 ) 的粒徑差小於以往之含結晶性二氧化鈽粒子之溶膠,故凝 集體小,近似單分散溶膠。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 本發明溶膠係經(A )步驟及(b )步驟製造。 用以製造本發明溶膠之(A )步驟,係於惰性氣體環 境下水性媒體中’鈽(I I I )鹽與鹼性物質以3至3 〇 之(〇H) / (C e3+)莫耳比反應生成氫氧化鈽( I Ϊ I )懸浮液後,直接於該懸浮液在大氣壓下於1 〇至 9 5 °C溫度以氧或含氧氣體吹入氧化,製造含氣體吸附法 (B E T法)比表面積換算之粒徑爲1 0至2 0 0奈米, (動態光散射法量測之粒徑)/(氣體吸附法比表面積換 算之粒徑)比在1 0以上範圍之結晶性二氧化鈽粒子之溶 膠。 鈽(I I I )鹽化合物有硝酸亞鈽,氯化亞鈽,硫酸 亞鈽,碳酸亞鈽,硝酸銨鈽(I I I )等。上述鈽( I I I )鹽化合物可單獨或混合使用。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 鹼性物質有氫氧化鈉,氫氧化鉀等鹼金屬氫氧化物, 或氨,胺,氫氧化四級銨等有機鹼,尤以氨,氫氧化鈉, 氫氧化鉀爲佳,這些可單獨或混合使用。 含氧氣體有空氣,氧,氧等氧化性氣體與氮等惰性氣 體之混合氣體等,以空氣從經濟面,取用面均係較佳。 上述(B )步驟係(A )步驟所得溶膠之濕式粉碎步 驟。 本發明溶膠可經(a )步驟及(b )步驟製造。 (a )步驟係將碳酸鈽於3 0 0至1 1 〇 〇 °C鍛燒, 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X29?公釐) 1272249 A7 P--------B7 ___ 五、發明説明(5 ) 製造結晶性氧化铈粒子。碳酸鈽可用市售平均粒徑數微米 至100微米之碳酸鈽。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 鍛燒溫度若低於3 0 0 °C,則氧化反應不足,不得結 晶性二氧化鈽而不佳。又,鍛燒溫度若高於1 1 〇 〇 °C, 則結晶性二氧化鈽之一次粒徑在3 〇 〇奈米以上而不佳。 上述(a )步驟所得結晶性氧化铈粒子於(b )步驟 濕式粉碎,製造含結晶性二氧化鈽粒子之溶膠。 甩以製造本發明溶膠之(B )步驟及(b )步驟,係 將(A )及(a )步驟所得結晶性二氧化铈溶膠及結晶性 二氧化鈽粒子濕式粉碎之步驟。該濕式粉碎可用濕式球磨 機,砂磨機,立式球磨機,珠磨機,超音波均質機,壓力 均質機,超霧化機等裝置。 (A )步驟後之(B )步驟,係一面維持(A )步驟 之氣體吸附法(B E T法)之比表面換算之粒徑,一面進 行濕式粉碎使動態光散射法量測之粒徑)/(氣體吸附法 比表面積換算粒徑)之比達2至6範圍。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 亦即,該(B )步驟並不使(A )步驟所得結晶性二 氧化鈽粒子之一次粒徑變小,其目的在使粒子之間點狀輕 微癒合狀態分離,故經(B )步驟後粒子以氣體吸附法( B E T法)換算之粒徑値,幾乎仍是(A )步驟之値不變 〇 另一方面,(a )步驟後之(b )步驟,係以濕式粉 碎使(a )步驟所得結晶性二氧化鈽粒子不破壞其一次粒 徑,使一次粒徑由面之癒合分離,剝開癒合之面,成爲新 -8- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 1272249 A7 _____ B7 五、發明説明(6 ) 的表面。因此(b )步驟後,粒子以吸附法(b E T法) 換算之粒徑値小於(a )步驟之値。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明之含結晶性二氧化鈽粒子之溶膠,藉由超濾法 或者壓濾淸洗法等淸洗去除雜質後,以添加四級銨離子( NR4 +,其中R係有機基)至(NR4+) / (C e〇2) 之莫耳比在Ο . Ο Ο 1至1之範圍,成爲鹼性溶膠提升安 定性爲佳。 四級銨離子係以添加矽酸四級銨,鹵化四級銨,氫氧 化四級銨’或其混合物而得,特以砂酸四級銨,氫氧化四 級銨爲佳。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 亦可含少量酸或鹼。酸者以用水溶性酸使〔Η +〕/〔 Ce〇2〕莫耳比在〇.〇〇1至1之範圍,成酸性溶膠而 提升安定性爲佳。該酸性溶膠之p Η在1至6,以2至6 爲佳。上述水溶性酸有氯化氫,硝酸等無機酸,甲酸,醋 酸,草酸,檸檬酸,乳酸等有機酸,其酸性鹽,或其混合 物。亦可於〔〇1~1—〕/〔〇6〇2〕莫耳比爲〇.〇〇1 至1範圍添加水溶性鹼,成爲鹼性溶膠。該鹼性溶膠之 ρ Η在8至1 3,以9至1 3爲佳。上述水溶性鹼,有上 述氫氧化四級銨,矽酸四級銨以外之乙醇胺,二乙醇胺, 三乙醇胺,Ν,Ν -二甲基乙醇胺,Ν —甲基乙醇胺,單 丙醇胺及氨,氫氧化鉀等。 本發明之結晶性二氧化鈽溶膠,可於(Β )步驟及( b )步驟結束後添加上述鹼或酸,以提升溶膠之安定性。 但亦可於(A )步驟及(a )步驟結束後添加上述鹼或酸 -9- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 1272249 Α7 Β7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明(7 ) ’再以濕式球磨機,砂磨機,立式球磨機(三井礦山(股 )製),珠磨機(ASIZAWA (股)製),超音波均質機( 曰本精機製作所(股)製),壓力均質機(SMT (股)製) ’超霧化機(SGINO MACHINE (股)製)等進行濕式粉碎 。爲(B )步驟及(b )步驟之安定操作,以於(A )步 驟及(a )步驟結束後添加上述鹼或酸之方法爲較佳。 本發明之結晶性二氧化鈽溶膠,可添加水溶性有機高 分子,陰離子界面活性劑,非離子界面活性劑,陽離子界 面活性劑。有例如聚乙烯醇,丙烯酸聚合物及其銨鹽,甲 基丙烯酸聚合物及其銨鹽等水溶性高分子類,油酸銨,月 桂硫酸銨,月桂硫酸三乙醇胺,聚氧化乙烯月桂醚硫酸銨 等陰離子界面活性劑,聚氧化乙烯月桂醚,聚氧化乙烯山 梨糖醇酐單月桂酯,聚乙二醇二硬脂酸酯,聚乙二醇單硬 脂酸酯等非離子界面活性劑。其添加量可係對結晶性二氧 化鈽粒子1 0 0重量份0 . 0 1至1 0 〇重量份。 以本發明而得之含結晶性二氧化鈽粒子之溶膠,以掃 瞄式電子顯微鏡(S E Μ )或穿透式電子顯微鏡(τ E Μ )觀察時,一次粒子之粒徑爲2 0至3 0 〇奈米。二氧化 鈽粒子於1 1 0 °C乾燥,量測X線繞射圖式,則於繞射角 度2Θ=28,6。 ,47·5。及56.4。有主峯,係 A S Τ Μ卡Ν 〇 . 3 4 — 3 9 4之立方晶系高結晶性二氧 化鈽粒子。二氧化鈽粒子以氣體吸附法(Β Ε Τ法)量測 比表面積,當作球體粒子換算之粒徑(Β Ε Τ法換算粒徑 )在1 0至2 0 0奈米,且(動態光散射法量測之粒徑) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 衣· 訂 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210 X 297公釐) -10- 1272249 A7 _ B7 五、發明説明(8 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) /(氣體吸附法之比表面積換算粒徑)之比在2至6範圍 ’故係含近以單分散狀態之結晶性二氧化鈽粒子之溶膠。 因此,長時間放置粒子亦少有沈降,輕予攪拌,振動等即 可容易返回製造時之分散狀態,常溫保存1年以上仍然安 定。 以本發明而得之結晶性二氧化鈽,再分散於水媒體, 水溶性有機溶媒或水與水溶性有機溶媒之混合溶媒,除二 氧化鈽溶膠硏磨劑外,可作紫外線吸收材料,觸媒用材料 及燃料電池用材料等。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 以本發明而得之二氧化鈽溶膠,其結晶性粒子係以近 似單分散粒子之狀態分散。因此帶正電之本發明二氧化鈽 粒子,在水性媒體中可均勻吸附於帶負電之高分子聚合物 粒子表面,該氧化鈽-高分子聚合物複合體應可用作硏磨 劑。在此,帶負電之高分子聚合物粒子,以表面有羥基, 羧基或磺基等陰離子官能基之高分子聚合物爲佳。又,高 分子聚合物之粒徑,爲使本發明之結晶性二氧化鈽粒子能 均勻覆蓋,以氣體吸附法之比表面積換算之粒徑須大於結 晶性二氧化铈粒子,以在結晶性二氧化鈽粒徑之5至1 0 倍以上爲更佳。該高分子聚合物之粒徑,通常在1至1 0 0微米之範圍。帶正電之結晶性二氧化鈽粒子,覆蓋於帶 負電之高分子聚合物粒子表面,其量通常係(結晶性二氧 化鈽粒子)/(高分子聚合物)重量比下限値=0 · 0 5 ,上限値=3 . 0。亦可超越該上限値添加,不過僅係有 機-無機複合粒子與結晶性氧化鈽粒子之混合物而已。 -11 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 1272249 A7 B7 五、發明説明(9 ) 本發明之結晶性二氧化鈽溶膠中之粒子含鑭,銨,鐯 之稀土元素亦無妨其性能,故可添加此等稀土元素。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 向來,含結晶性二氧化鈽粒子之溶膠,粒子間輕微癒 合,粒子凝結成較大粒子存在,易起粒子沈降,一旦沈降 發生,再予分散亦難以完全返回原有狀態。而以含此等結 晶性二氧化鈽粒子之溶膠用作硏磨劑時,以該硏磨劑硏磨 之硏磨面,表面特性不可謂充分。而本發明則一旦對含生 成之結晶性二氧化鈽粒子之溶膠施以濕式粉碎時,藉剪力 ,衝擊力之施加癒合粒子分離,粒子間不再起癒合,凝集 。該濕式粉碎較之分散機等之高速攪拌力,不如用產生巨 大剪力,衝擊力之裝置以達成。這些裝置係以濕式球磨機 ,砂磨機,立式球磨機,珠磨機,超音波均質機,壓力均 質機,及超霧化機等裝置爲佳。本發明係發現,一旦生成 之結晶性二氧化鈽膠體粒子施以剪力,衝撃力,可將癒合 粒子分離,其達成手段即本發明之(B )步驟及(b )步 驟所施行之濕式粉碎。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 以剪力,衝撃力消除粒子之癒合,即可製造以往難得 之含近似單分散結晶性二氧化鈽粒子之溶膠。以此種單分 散性結晶性二氧化鈽溶膠用作硏磨劑,使用時不起例如硏 磨劑供給源至硏磨機之配管內沈降固結之問題,及長時間 使用時之沈降固結問題,而可經常供給一定品質之硏磨劑 ,經常發揮一定之硏磨性能。該硏磨劑可一面維持高速硏 磨一面獲致良好硏磨面。 -12- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210 X 297公釐) 1272249 A7 B7 ___ 五、發明説明(10) 實施例 實施例1 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 於5 0 0公升玻璃內襯反應槽注入純水4 4 · 及相當於NH3/C e3 + =6 (莫耳比)之2 5%氨水 9 4 · 8公斤,保持液溫於3 0 °C,一面經樹脂製之噴嘴 吹入3標準立方米/小時之氮氣,C e 〇2換算濃度爲 7 . 84重量%之硝酸鈽(I I I)水溶液5〇8 · 〇公 斤,一面攪拌一面於3 0分鐘緩慢添加,得氫氧化物β懸 浮液。繼之將懸浮液升溫至8 0 t後,由樹脂製噴嘴吹λ 之氮氣改爲4標準立方米/小時之空氣,開始姉(1 1 1 )至鈽(I V )之氧化反應。氧化反應於5小時結束°反 應結束後液溫回降至室溫,得含白色微粒之Ρ Η = 9 _ 4 反應液。 反應液以迴轉式壓濾機(KOTOBUKI技硏(股)製)淸 洗,得固體成分23 _ 2重量%,pH9 . 1,導電度 40微姆歐/公分之白色漿液(Α - 1) 172公斤。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經淸洗之漿液以穿透型電子顯微鏡(Τ Ε Μ )觀察’ 知係4 0至8 0奈米之粒子。將微粒乾燥,量測粉末X線 繞射,於繞射角度2 Θ = 2 8 . 6 ° ,4 7 . 5 °及 56 · 4°有主峰,與ASTM卡34 — 394之立方晶 系結晶性二氧化鈽之特徵高峰一致。又二氧化铈粒子之氣 體吸附法(Β Ε Τ法)之比表面積爲3 0平方米/克,氣 體吸附法之比表面積換算粒徑爲2 8奈米。以Ν 4 ( COULTER ELECTRONICS,INS製)量測之動態光散射法粒徑 -13- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 1272249 Α7 Β7 五、發明説明(11) 爲3 8 5奈米。故(動態光散射法量測之粒徑)/(氣體 吸附法之比表面積換算粒徑)之比爲1 3 · 8。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 於經淸洗之漿液7 4公斤添加矽酸氫氧化四銨至( N R 4 + ) / ( C e〇2 )莫耳比爲〇 . 〇 1 5 ,再以純水 調整濃度,得固體成分21 . 1重量%,pHIO . 9, 導電度1850微姆歐/公分,黏度1 · 8千帕·秒之鹼 性溶膠(A / - 1 ) 8 1公斤。 以該鹼性溶膠8 1公斤注入桶內,以1 . 1公升/分 鐘之流量供給於輸出爲1 2 0 0瓦之超音波均質機(曰本 精機製作所(股)製),一面循環溶膠一面於1 9小時進 行粉碎。粉碎所得之溶膠(B - 1)固體成分21 . 1重 量%,ρΗ1〇 . 6,導電度1670微姆歐/公分,黏 度1 · 8千帕•秒,動態光散射法量測之粒徑爲1 6 3奈 米。故(動態光散射法量測之粒徑)/(氣體吸附法比表 面積換算粒徑)之比爲5 · 8。 實施例2 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 實施例1所得之鹼性溶膠(A > - 1 ) 3 5 0克及 0 0 . 5毫米之部份安定化氧化鍩珠1 2 1 7克置入容積 7 0 〇毫升之砂磨機,攪拌翼以1 0 0 〇 r p m轉動粉碎 3小時。粉碎所得溶膠(B - 2)固體成分2 1 . 1重量 %,ρΗ1〇 _ 5,導電度1630微姆歐/公分,黏度 1 . 8毫帕•秒,動態光散射法量測之粒徑爲9 2奈米。 故(動態光散射法量測之粒徑)/(氣體吸附法比表面積 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210x297公釐) Γ14- ~ 1272249 A7 B7 五、發明説明(12) 換算粒徑)之比爲3 . 3。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 實施例3 於5 0 0公升之玻璃內襯反應槽注入純水4 4 . 3公 斤及相當於NH3/C e3 + =6 (莫耳比)之2 5%氨水 9 4 _ 8公斤,保持液溫於3 0 °C,一面由樹脂製之噴嘴 以3標準立方米/小時吹入氮氣,一面攪拌以3 0分鐘緩 慢添加C e〇2換算濃度7 . 8 4重量%之硝酸鈽(111 )水溶液5 0 8 . 0公斤,得氫氧化物之懸浮液。繼之將 懸浮液升溫至8 5 °C後,由樹脂製噴嘴吹入之氮氣改爲4 標準立方米/小時之空氣,開始鈽(I I I )至铈(I V )之氧化反應。氧化反應於5小時結束。反應結束後液體 回到室溫,得含白色微粒,P Η二9 · 2之反應液。 反應液以迴轉壓濾機(KOTOBUKI技硏(股)製)淸洗 ,得固體成分21 . 4重量%,ΡΗ8 . 0,導電度24 微姆歐/公分之白色漿液(Α - 2) 187公斤。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 經淸洗之漿液以穿透型電子顯微鏡(Τ Ε Μ )觀察, 知係4 0至1 0 0奈米之粒子。又將微粒乾燥量測粉末X 線繞射,則於繞射角度2 0 = 2 8 · 6 ° ,4 7 · 5 °及 56.4° 。有主峰,與ASTM卡34-394之立方 晶系結晶性二氧化鈽之特徵高峰一致。二氧化鈽粒子之氣 體吸附法(Β Ε Τ法)比表面積値爲2 0平方米/克,氣 體吸附法比表面積換算粒徑爲4 2奈米。以D L S -6 0 0 0 (大塚電子(股)製)量測之動態光散射法粒徑 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X297公釐) _ 15 _ 1272249 A7 B7 五、發明説明(13) 爲4 1 7奈米。故(動態光散射法粒徑)/(氣體吸附法 比表面積換算粒徑)之比爲1 0。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 於該經淸洗之漿液(A - 2 ) 1 1 0公斤添加1 0重 量%硝酸水溶液至(HN〇3) / (C e〇2)之莫耳比達 0 · 0 0 5。再以純水調整濃度,得固體成分2 0 . 1重 量%,PH4 · 8,導電度39微姆歐/公分,黏度 1 _ 9毫帕·秒之酸性溶膠(A ' - 2 ) 1 1 7公斤。 該酸性溶膠1 1 7公斤注入桶內,以1公升/分鐘之 流量通液於壓力4 0 0公斤/平方公分之壓力均質機( SMT製)作溶膠之粉碎。重複3次該操作,得固體成分 20 . 1重量%,pH4 . 8,導電度57微姆歐/公分 ,黏度1 · 5毫帕•秒之溶膠(B - 3 )。該溶膠以動態 光散射法測得之粒徑爲1 7 7奈米。故(動態光散射法之 粒徑)/(氣體吸附法比表面積換算粒徑)之比爲4 . 2 實施例4 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 5 0 0公升之玻璃內襯反應槽注入純水4 4 . 3公斤 及相當於NH3/(Ce3 + +La3+)=6 (莫耳比)之 2 5 %氨水9 4 · 8公斤,保持液溫於3 0 °C,一面由樹 脂製噴嘴以3標準立方米/小時吹入氮氣,一面攪拌,以 3 0分鐘緩慢加入C e〇2換算濃度7 . 8 4重量%之硝酸 鈽(I I I )水溶液5 0 8 . 0公斤及L a 2〇3換算濃度 爲14 · 0重量%之硝酸鑭(I I I) 14 . 3公斤,得 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公H 「16- " 1272249 A7 B7______ 五、發明説明(14) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 氫氧化物之懸浮液。繼之將懸浮液升溫至7 5 °C後’由樹 脂製噴嘴吹入之氮氣改爲4標準立方米/小時之空氣’開 始鈽(I I I )至鈽(I V )之氧化反應。氧化反應於5 小時結束。反應完後液體返回室溫,得含白色微粒’ P Η 二9 . 8之反應液。 反應液以迴轉壓濾機(KOTOBUKI技硏(股)製)淸洗 ,得固體成分21 · 7重量%,ρΗ9 · 1 ,導電度98 微姆歐/公分之白色漿液(Α - 3) 18 5公斤。 經淸洗之漿液以穿透型電子顯微鏡(Τ Ε Μ )觀察, 知係4 0至1 0 0奈米之粒子。將微粒乾燥量測粉末X線 繞射,則於繞射角度2 0 = 2 8 . 6 ° ,4 7 . 5 °及 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 56 . 4°有主峰,與ASTM卡34 — 394之立方晶 系結晶性二氧化鈽之特徵高峰一致。又,二氧化鈽粒子以 氣體吸附法(Β ΕΤ法)之比表面積値爲2 0平方米/克 ,其換算粒徑爲41奈米。以DLS - 6000 (大塚電 子(股)製)測得之動態光散射法粒徑爲4 8 0奈米。故 (動態光散射法粒徑)/(氣體吸附法比表面積換算粒徑 )之比爲1 2。 於該經淸洗漿液(A — 3 ) 4 5公斤所添加1 0重量 %硝酸水溶液至(HN〇3) / ( C e〇2)之莫耳比爲 0 . 0 0 3,再以純水調整濃度,得固體成分2 〇 · 3重 量%,ρΗ4 · 5,導電度29微姆歐/公分,黏度 4 0 · 8毫帕·秒之酸性溶膠(a * — 3 ) 4 8公斤。該 酸性溶膠5 0 0克注入聚氨酯容器,以輸出爲1 2 〇 〇瓦 本紙張尺度適用中國國家標準( CNS ) A4規格(210X297公餐) 1272249 Α7 Β7 五、發明説明(15) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 之超音波均質機(日本精機製作所(股)製)粉碎1 0分 鐘。得固體成分20 . 3重量%,PH4 . 8,導電度 26微姆歐/公分,黏度40 · 5毫帕•秒之溶膠(B -4 )。該溶膠之動態光散射法粒徑爲1 9 0奈米。故(動 態光散射法粒徑)/(氣體吸附法比表面積換算粒徑)之 比爲4 _ 6。 實施例5 市售純度9 9 . 9 %之碳酸鈽粉末(雷射繞射法之平 均粒徑38微米),用0.5立方米之電爐於750 °C鍛 燒1 5小時。得掃瞄式電子顯微鏡(S E Μ )觀察之一次 粒徑爲1 5至3 0奈米之鍛燒粉3 6公斤。其粉末X線繞 射量測,於繞射角度2 Θ = 2 8 . 6 ° ,4 7 _ 5 °及 .磨 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 56 · 4°有主峰,與ASTM卡34 — 394之立方晶 系結晶性二氧化鈽之特徵高峰一致。又,二氧化鈽粒子以 氣體吸附法(Β ΕΤ法)之比表面積爲1 7平方米/克, 換算粒徑爲5 0奈米。該二氧化鈽9 6克分散於純水 1 9 3克,再添加1 0重量%硝酸水溶液2克,成二氧化 鈽漿液2 9 1克。0 . 5毫米0之部份安定化氧化鉻珠 1 · 0 5公斤置入內容積7 0 0毫升之砂磨機,再加入二 氧化鈽漿液2 9 1克,於轉速1 5 0 0 r pm濕式粉碎5 小時。粉碎後用2 5 0克純水將珠分離,得P Η 6 . 1, 導電度7 7微姆歐/公分,固體成分1 8重量%之酸性溶 膠(Β - 5 ) 5 0 0克。二氧化鈽粒子之氣體吸附法( 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X297公釐) -18- 1272249 A7 B7 五、發明説明(16) B ET法)比表面積爲5 2平方米/克,換算粒徑爲1 6 奈米。而以DLS - 6000 (大塚電子(股)製)量測 之動態光散射法粒徑爲1 0 0奈米。故(動態光散射法粒 徑)/(氣體吸附法比表面積換算粒徑)之比爲6。 實施例6 市售經賦予羥基之正球狀聚甲基丙烯酸甲酯聚合物粉 末(平均粒徑5毫米)8 . 8克分散於純水9 4克中,加 入酸性溶膠(B - 5) 122克及10重量%硝酸水溶液 0 · 4克,成Ce〇2換算10重量%,pH5 . 1 ,導電 度4 4微姆歐/公分之酸性溶膠(B - 6)。該溶膠以穿 透型電子顯微鏡觀察,可確認平均粒徑5微米正球狀聚合 物表面均勻附著有粒徑1 5至3 0奈米之結晶性二氧化铈 粒子。 實施例1,3,4,5及6所得溶膠(A > - 1, A " - 2,A^— 3,B — 1,B-3,B — 4,B-5 ,B — 6 )以純水調整爲C e〇2 1 0重量%,作硏磨試 驗。並置入1 2 0 c c之塑膠瓶,靜置3日比較沈降固結 性。 硏磨機(商品名: LAPMASTER-18,LAPMASTER (股 )製), 硏磨布:聚氨酯浸潤之不織布POLYTECS DG ( RHODELNITTA (股)製), 被硏磨物:石英玻璃(0 9 5 · 5毫米), 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -19- 1272249 Α7 Β7 五、發明説明(17) 轉速:4 0 r p m, 硏磨壓力:80克/平方公分, 硏磨時間:1 0分鐘。 表1中硏磨面之評估,係以5 0倍及4 0 0倍之偏光 顯微鏡觀察,有大缺陷時記以(X ),有微小缺陷時記( 〇),全無缺陷時記以(◎)。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 又,沈降固結量之評估,係靜置3日後檢視 1 2 0 c c塑膠瓶底有無沈降物,目視可見沈降物時記( 有),無可目視之沈降物時記(無)。 表1 溶膠 CeCh濃度 硏磨速度 硏磨面 沈降固結量 (重量%) (微米/小時) A,-l 10 1.3 〇 有 A,-2 10 1.6 〇 有 Α,·3 10 4.2 〇 有 B-l 10 1.2 ◎ Μ Β-3 10 1.6 ◎ 姐 JXW Β-4 10 4.1 ◎ te Β-5 10 4.2 ◎ Μ Β-6 10 5.8 ◎ Μ 由表 1可知, A > - 1,A > -2,A > 一 3以超音 波均質機 ,壓力均質機等粉碎, (離心沈降法粒徑)/ ( 氣體吸附法比表面積換算粒徑)之比,及(動態光散射法 η -
本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -2〇 · 1272249 A7 B7 五、發明説明(18) 粒徑)/(氣體吸附法比表面積換算粒徑)之比在2至6 範圍之經粉碎之B — 1,B - 3,B — 4,B — 5及B — 6,硏磨速度相當,且硏磨面品質提升,沈降固結量少。 又,B - 6之硏磨速度確認有提升。 發明之效果 本發明係其特徵爲惰性氣體環境下水性媒體中,鈽( I I I )鹽與鹼性物質化合物以3至3 0之(〇Η )/ ( C e 3 + )莫耳比反應生成氫氧化鈽(I I I )懸浮液後, 直接於該懸浮液在大氣壓下,於1 0至9 5 °C之溫度吹入 氧或含氧氣體氧化,其氣體吸附法比表面積換算粒徑爲 1 0至2 0 0奈米,且(動態光散射法粒徑)/(氣體吸 附法比表面積換算粒徑)之比在1 0以上之結晶性二氧化 鈽溶膠經濕式粉碎,維持其氣體吸附法比表面積換算粒徑 ,而(動態光散射法粒徑)/(氣體吸附法比表面積換算 粒徑)之比在2至6範圍,結晶性二氧化鈽粒子在溶膠中 近似單分散狀態之結晶性二氧化鈽溶膠。 又係其特徵爲,碳酸鈽於3 0 0至1 1 0 0 °C鍛燒得 結晶性氧化鈽粒子,經濕式粉碎,維持氣體吸附法比表面 積換算粒徑,而(動態光散射法粒徑)/(氣體吸附法比 表面積換算粒徑)之比在2至6範圍,結晶性二氧化鈽粒 子於溶膠中近似單分散狀態之結晶性二氧化鈽溶膠。 本發明所得之結晶性二氧化鈽溶膠,保存安定性優, 用作以矽爲主要成分之基板的硏磨劑時,可維持結晶性二 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) .21 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1272249 Α7 Β7 五、發明説明(19) 氧化鈽粒子之一次粒徑,故無硏磨速度下降,可得非常良 好之硏磨面。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 以本發明所得之二氧化鈽溶膠係結晶性粒子,並以近 似單分散粒子之狀態分散。故帶正電之本發明二氧化鈽粒 子在水性媒體中,可均勻吸附於帶負電之高分子聚合物粒 子表面,該氧化铈-高分子聚合物複合物,作爲硏磨劑可 得優良硏磨特性。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 因此,適用作通常稱作C Μ P (化學機械硏磨)之半 導體裝置製程之平坦化硏磨用之硏磨劑。尤以不對作爲保 護膜之氮化砂膜造成損傷而可作精密硏磨之故,適用作通 常稱爲STI(淺溝槽隔離)之半導體裝置的元件分離製 程用之硏磨劑。又,適用作矽氧烷系,有機聚合物系,多 孔質材料系,C V D聚合物系等半導體層間絕緣膜用低介 電材料硏磨用之硏磨劑。矽氧烷系材料之例有氫化矽倍半 氧烷’甲基矽倍半氧烷,氫化甲基矽倍半氧烷。有機聚合 物系材料之例有聚亞芳醚,熱聚合性烴,全氟烴,聚喹啉 ’氟化聚醯亞胺。多孔質材料之例有乾凝膠,氧化矽膠體 ° C V D聚合物系材料之例有氟碳化物,芳族烴聚合物, 矽氧烷系聚合物。 在此,以氧化矽爲主要成分之基板,指例如水晶,石 英玻璃’玻璃硬碟,半導體裝置之有機膜,層間絕緣膜及 溝槽分離之C Μ Ρ等。亦可適應於其它基板,鈮酸鋰,钽 酸鋰等光學結晶材料,氮化鋁,氧化鋁,鐵酸鹽,氧化鉻 等陶瓷材料,鋁,銅,鎢等金屬之硏磨。 -22- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐)
Claims (1)
127224 &告本 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 第9 1 1 0 1 909號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 民國9 5年1 0月24日修正 1 ·—種含結晶性二氧化鈽粒子之溶膠,其特徵爲: $體吸:丨时丨去比表面積換算之粒徑在1 〇至2 〇 〇奈米,且 (_態、:¾ 射·法量測之粒徑)/(氣體吸附法比表面積換 算粒徑)之比在2至6之範圍。 2 · 一*種如申請專利範圍第1項之含結晶性二氧化鈽 粒子·之溶膠的製造方法,其特徵爲:下述(A )步驟及( B )步驟: (A )步驟:惰性氣體環境下水性媒體中,鈽( 1 I I )鹽與鹼性物質以3至3 〇之(〇H ) / ( c e 3 + )莫耳比反應生成氫氧化鈽(丨I I )之懸浮液後,直接 於該懸浮液在大氣壓下,於1 〇至9 5 t之溫度吹入氧或 含氧氣體’生成含氣體吸附法比表面積換算粒徑在1 〇至 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 2 0 0奈米’且(動態光散射法量測之粒徑)/(氣體吸 附法比表面積換算之粒徑)比在1 〇以上範圍之結晶性二 氧化铈粒十之溶膠之步驟,及 (B )步驟:將(A )步驟所得之溶膠濕式粉碎之步 驟所成。 3 .如申請專利範圍第2項之含結晶性二氧化铈粒子 之溶膠的製造方法,其中鹼性物質係鹼金屬之氫氧化物, 有機鹼或這些之混合物。 4 .如申請專利範圍第2項或第3項之含結晶性二氧 本紙張尺度逋用中國國家揉準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 1272249 A8 B8 C8 D8 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 六、申請專利範圍 化铈粒子之溶膠的製造方法,其中含氧氣體係空氣或氧與 氮之混合氣體。 5 · —種如申請專利範圍第1項之含結晶性二氧化姉 粒子溶膠的製造方法,其特徵爲:下述(a )歩驟及(b )步驟: (a )步驟:將碳酸鈽於3 〇 〇至1 1 〇 〇 °c,鍛燒 以製造結晶性氧化铈粒子之步驟,及 (:b )步驟:(a )步驟所得粒子之濕式粉碎步驟所 成。 6 ·如申請專利範圍第2項或第5項之含結晶性二氧 化鈽粒子溶膠的製造方法,其中濕式粉碎係藉濕式球磨機 、砂磨機、立式球磨機、珠磨機、超音波均質機、壓力均 質機或超霧化機進行。 7 · —種水性漿液,其特徵爲:水性媒體中含如申幣 專利範圍第1項之結晶性二氧化鈽粒子吸附於帶負電$1 分于聚合物粒于表面之有機-無機複合粒子。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -2 -
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001052483 | 2001-02-27 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TWI272249B true TWI272249B (en) | 2007-02-01 |
Family
ID=18913105
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW091101909A TWI272249B (en) | 2001-02-27 | 2002-02-04 | Crystalline ceric oxide sol and process for producing the same |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6706082B2 (zh) |
EP (1) | EP1234801B1 (zh) |
KR (1) | KR100789585B1 (zh) |
CN (1) | CN100337925C (zh) |
DE (1) | DE60222312T2 (zh) |
TW (1) | TWI272249B (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI768008B (zh) * | 2017-03-27 | 2022-06-21 | 日商昭和電工材料股份有限公司 | 研漿以及研磨方法 |
Families Citing this family (31)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6863825B2 (en) | 2003-01-29 | 2005-03-08 | Union Oil Company Of California | Process for removing arsenic from aqueous streams |
DE10337199A1 (de) | 2003-08-13 | 2005-03-10 | Degussa | Ceroxidpulver |
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WO2006080796A1 (en) * | 2005-01-26 | 2006-08-03 | Lg Chem, Ltd. | Cerium oxide abrasive and slurry containing the same |
DE102005017372A1 (de) * | 2005-04-14 | 2006-10-19 | Degussa Ag | Wässrige Ceroxiddispersion |
US8685123B2 (en) * | 2005-10-14 | 2014-04-01 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Abrasive particulate material, and method of planarizing a workpiece using the abrasive particulate material |
EP2105467B1 (en) * | 2006-12-28 | 2012-02-22 | Dow Corning Toray Co., Ltd. | Thermosetting silicone rubber composition |
US8066874B2 (en) * | 2006-12-28 | 2011-11-29 | Molycorp Minerals, Llc | Apparatus for treating a flow of an aqueous solution containing arsenic |
CN100537434C (zh) * | 2007-05-18 | 2009-09-09 | 广东省生态环境与土壤研究所 | 一种可用作紫外防护剂的纳米溶胶的制备方法 |
CN101386420B (zh) * | 2007-09-12 | 2010-09-22 | 北京有色金属研究总院 | 一种复合纳米二氧化铈溶胶 |
US8349764B2 (en) | 2007-10-31 | 2013-01-08 | Molycorp Minerals, Llc | Composition for treating a fluid |
US20090107919A1 (en) | 2007-10-31 | 2009-04-30 | Chevron U.S.A. Inc. | Apparatus and process for treating an aqueous solution containing chemical contaminants |
US8252087B2 (en) | 2007-10-31 | 2012-08-28 | Molycorp Minerals, Llc | Process and apparatus for treating a gas containing a contaminant |
CN104828852A (zh) | 2008-02-12 | 2015-08-12 | 圣戈本陶瓷及塑料股份有限公司 | 二氧化铈材料及其形成方法 |
FR2935145B1 (fr) * | 2008-08-22 | 2010-09-03 | Rhodia Operations | Suspension liquide et poudre de particules d'oxyde de cerium, procedes de preparation de celles-ci et utlisation dans le polissage |
US9233863B2 (en) | 2011-04-13 | 2016-01-12 | Molycorp Minerals, Llc | Rare earth removal of hydrated and hydroxyl species |
CN106029572B (zh) | 2013-12-16 | 2018-03-20 | 罗地亚经营管理公司 | 氧化铈颗粒的液体悬浮液 |
JP2015120845A (ja) * | 2013-12-24 | 2015-07-02 | 旭硝子株式会社 | 研磨剤の製造方法、研磨方法および半導体集積回路装置の製造方法 |
AU2015226889B2 (en) | 2014-03-07 | 2019-09-19 | Secure Natural Resources Llc | Cerium (IV) oxide with exceptional arsenic removal properties |
WO2015197656A1 (en) * | 2014-06-24 | 2015-12-30 | Rhodia Operations | Metal doped cerium oxide compositions |
JP6065164B1 (ja) * | 2015-02-27 | 2017-01-25 | 堺化学工業株式会社 | 酸化チタン粒子の分散液の製造方法 |
KR101823083B1 (ko) * | 2016-09-07 | 2018-01-30 | 주식회사 케이씨텍 | 표면개질된 콜로이달 세리아 연마입자, 그의 제조방법 및 그를 포함하는 연마 슬러리 조성물 |
US11285467B2 (en) | 2019-03-29 | 2022-03-29 | Johnson Matthey Public Limited Company | Catalyst article and the use thereof for filtering fine particles |
GB2614663A (en) | 2020-09-29 | 2023-07-12 | Johnson Matthey Plc | A catalyst article and the use thereof for filtering fine particles |
WO2022189598A1 (en) * | 2021-03-12 | 2022-09-15 | Rhodia Operations | Cerium oxide particles, making process thereof and use thereof in chemical mechanical polishing |
CN113877563B (zh) * | 2021-10-27 | 2022-10-18 | 山东金海钛业资源科技有限公司 | 一种铈包膜钛白粉及其制备方法 |
CN115228396B (zh) * | 2022-07-26 | 2024-02-02 | 宣城市晶和环保新材料科技有限公司 | 一种纳米铈溶胶的制备方法 |
CN115448353B (zh) * | 2022-09-05 | 2023-08-08 | 福州大学 | 一种超小粒径二氧化铈的制备及其脱硫应用 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2596381B1 (fr) | 1986-03-26 | 1988-05-27 | Rhone Poulenc Chimie | Oxydes ceriques a nouvelles caracteristiques morphologiques et leur procede d'obtention |
JP2509826B2 (ja) * | 1991-03-28 | 1996-06-26 | 多木化学株式会社 | 酸化第二セリウムゾル |
US5389352A (en) * | 1993-07-21 | 1995-02-14 | Rodel, Inc. | Oxide particles and method for producing them |
FR2724330B1 (fr) * | 1994-09-12 | 1997-01-31 | Rhone Poulenc Chimie | Dispersion colloidale d'un compose de cerium a concentration elevee et son procede de preparation |
US5962343A (en) * | 1996-07-30 | 1999-10-05 | Nissan Chemical Industries, Ltd. | Process for producing crystalline ceric oxide particles and abrasive |
JP4019453B2 (ja) | 1996-07-30 | 2007-12-12 | 日産化学工業株式会社 | 結晶性酸化第二セリウムの製造方法 |
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EP1610367B1 (en) * | 1996-09-30 | 2010-03-17 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Cerium oxide abrasive and method of polishing substrates |
JPH11181403A (ja) * | 1997-12-18 | 1999-07-06 | Hitachi Chem Co Ltd | 酸化セリウム研磨剤及び基板の研磨法 |
JP3983949B2 (ja) * | 1998-12-21 | 2007-09-26 | 昭和電工株式会社 | 研磨用酸化セリウムスラリー、その製造法及び研磨方法 |
US6238450B1 (en) | 1999-06-16 | 2001-05-29 | Saint-Gobain Industrial Ceramics, Inc. | Ceria powder |
-
2002
- 2002-02-04 TW TW091101909A patent/TWI272249B/zh active
- 2002-02-19 US US10/076,500 patent/US6706082B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2002-02-19 KR KR1020020008667A patent/KR100789585B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2002-02-26 CN CNB021053294A patent/CN100337925C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2002-02-27 DE DE60222312T patent/DE60222312T2/de not_active Expired - Lifetime
- 2002-02-27 EP EP02004269A patent/EP1234801B1/en not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI768008B (zh) * | 2017-03-27 | 2022-06-21 | 日商昭和電工材料股份有限公司 | 研漿以及研磨方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1371867A (zh) | 2002-10-02 |
DE60222312T2 (de) | 2008-05-29 |
KR20020070102A (ko) | 2002-09-05 |
KR100789585B1 (ko) | 2007-12-28 |
EP1234801B1 (en) | 2007-09-12 |
EP1234801A2 (en) | 2002-08-28 |
DE60222312D1 (de) | 2007-10-25 |
EP1234801A3 (en) | 2003-12-03 |
US6706082B2 (en) | 2004-03-16 |
CN100337925C (zh) | 2007-09-19 |
US20030007920A1 (en) | 2003-01-09 |
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