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- TWI268118B TWI268118B TW094104936A TW94104936A TWI268118B TW I268118 B TWI268118 B TW I268118B TW 094104936 A TW094104936 A TW 094104936A TW 94104936 A TW94104936 A TW 94104936A TW I268118 B TWI268118 B TW I268118B
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- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 62
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 26
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 claims abstract description 26
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 25
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 23
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 claims abstract description 23
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 38
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 38
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 28
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 27
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 claims description 24
- 239000002689 soil Substances 0.000 claims description 23
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims description 22
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 22
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 21
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 19
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims description 10
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 8
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical group N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 claims description 6
- 150000004982 aromatic amines Chemical group 0.000 claims description 5
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 5
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 claims description 4
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 4
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 claims description 4
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 4
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 claims description 4
- 125000000623 heterocyclic group Chemical group 0.000 claims description 4
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 4
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 4
- 125000000449 nitro group Chemical group [O-][N+](*)=O 0.000 claims description 4
- 125000004433 nitrogen atom Chemical group N* 0.000 claims description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 125000002560 nitrile group Chemical group 0.000 claims description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 claims description 2
- 125000004185 ester group Chemical group 0.000 claims 3
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 claims 3
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 claims 3
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 claims 3
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 claims 2
- 239000010953 base metal Substances 0.000 claims 1
- 125000004181 carboxyalkyl group Chemical group 0.000 claims 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 claims 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 claims 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 claims 1
- 239000000839 emulsion Substances 0.000 claims 1
- 125000000468 ketone group Chemical group 0.000 claims 1
- 150000002825 nitriles Chemical class 0.000 claims 1
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 claims 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract description 477
- 238000002347 injection Methods 0.000 abstract description 39
- 239000007924 injection Substances 0.000 abstract description 39
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 abstract description 19
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 abstract description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 99
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 77
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 68
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 44
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 39
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 33
- TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K tri(quinolin-8-yloxy)alumane Chemical compound [Al+3].C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1.C1=CN=C2C([O-])=CC=CC2=C1 TVIVIEFSHFOWTE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 30
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 18
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 description 12
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 11
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 10
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 10
- 229910052808 lithium carbonate Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 8
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 8
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 8
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 8
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 7
- -1 Mg Ca Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 6
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 5
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 229910002090 carbon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 4
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 4
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 4
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 4
- NJWNEWQMQCGRDO-UHFFFAOYSA-N indium zinc Chemical compound [Zn].[In] NJWNEWQMQCGRDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N lanthanum(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[La+3].[La+3] MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 4
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 4
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 4
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910007562 Li2SiO3 Inorganic materials 0.000 description 3
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical class OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HFACYLZERDEVSX-UHFFFAOYSA-N benzidine Chemical class C1=CC(N)=CC=C1C1=CC=C(N)C=C1 HFACYLZERDEVSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910000024 caesium carbonate Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 229910001925 ruthenium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N ruthenium(iv) oxide Chemical compound O=[Ru]=O WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 3
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 3
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N Naphthalene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 2
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 2
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N coumarin Chemical compound C1=CC=C2OC(=O)C=CC2=C1 ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 2
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 2
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 2
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 2
- PMJHHCWVYXUKFD-SNAWJCMRSA-N (E)-1,3-pentadiene Chemical class C\C=C\C=C PMJHHCWVYXUKFD-SNAWJCMRSA-N 0.000 description 1
- GFFGJBXGBJISGV-UHFFFAOYSA-N Adenine Chemical compound NC1=NC=NC2=C1N=CN2 GFFGJBXGBJISGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229930024421 Adenine Natural products 0.000 description 1
- JFGYFZKNKNMWQZ-UHFFFAOYSA-N C1=CC=CC=2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C3C12.[Y] Chemical group C1=CC=CC=2C3=CC=CC=C3C3=CC=CC=C3C12.[Y] JFGYFZKNKNMWQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VMQMZMRVKUZKQL-UHFFFAOYSA-N Cu+ Chemical compound [Cu+] VMQMZMRVKUZKQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241001674048 Phthiraptera Species 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960000643 adenine Drugs 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 229910001515 alkali metal fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000272 alkali metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WGWWWVXUMWWNLT-UHFFFAOYSA-N aniline naphthalen-2-ol Chemical compound NC1=CC=CC=C1.C1=CC=CC2=CC(O)=CC=C21 WGWWWVXUMWWNLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000410 antimony oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001622 bismuth compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000009529 body temperature measurement Methods 0.000 description 1
- 229910001634 calcium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229960000956 coumarin Drugs 0.000 description 1
- 235000001671 coumarin Nutrition 0.000 description 1
- 238000012217 deletion Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 125000003983 fluorenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3CC12)* 0.000 description 1
- 229910052730 francium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 102000054766 genetic haplotypes Human genes 0.000 description 1
- JMBPWMGVERNEJY-UHFFFAOYSA-N helium;hydrate Chemical compound [He].O JMBPWMGVERNEJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002429 hydrazines Chemical class 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005923 long-lasting effect Effects 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910052752 metalloid Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002738 metalloids Chemical class 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000011707 mineral Substances 0.000 description 1
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001400 nonyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VTRUBDSFZJNXHI-UHFFFAOYSA-N oxoantimony Chemical compound [Sb]=O VTRUBDSFZJNXHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001820 oxy group Chemical group [*:1]O[*:2] 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N phenol group Chemical group C1(=CC=CC=C1)O ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000951 phenoxy group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(O*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 238000006862 quantum yield reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052705 radium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 238000012552 review Methods 0.000 description 1
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001954 samarium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940075630 samarium oxide Drugs 0.000 description 1
- FKTOIHSPIPYAPE-UHFFFAOYSA-N samarium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Sm+3].[Sm+3] FKTOIHSPIPYAPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JPJALAQPGMAKDF-UHFFFAOYSA-N selenium dioxide Chemical compound O=[Se]=O JPJALAQPGMAKDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- 238000010025 steaming Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XSOKHXFFCGXDJZ-UHFFFAOYSA-N telluride(2-) Chemical compound [Te-2] XSOKHXFFCGXDJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NUCWENGKGHLSAT-UHFFFAOYSA-N titanium(4+) tetracyanide Chemical compound [Ti+4].[C-]#N.[C-]#N.[C-]#N.[C-]#N NUCWENGKGHLSAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N triphenylamine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 ODHXBMXNKOYIBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004961 triphenylmethanes Chemical class 0.000 description 1
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N vanadium atom Chemical compound [V] LEONUFNNVUYDNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001935 vanadium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
- 239000000052 vinegar Substances 0.000 description 1
- 235000021419 vinegar Nutrition 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K50/00—Organic light-emitting devices
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- H05B33/00—Electroluminescent light sources
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K2102/302—Details of OLEDs of OLED structures
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- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
- H10K50/828—Transparent cathodes, e.g. comprising thin metal layers
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
- H10K59/38—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
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- H10K59/80524—Transparent cathodes, e.g. comprising thin metal layers
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Description
1268118 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關使用於彩色顯示器等之顯示元件,特別有 關具備有機層之自發光型顯示元件。 【先前技術】
於圖15表示具備有機層之自發光型之顯示元件(有機電 場發光元件)之一構成例。於此圖所示之顯示元件1係設於 例如:玻璃等所組成之透明基板2上。此顯示元件1係以設 於基板2上之ITO (Indium Tin Oxide(氧化銦錫):透明電極) 所組成之陽極3、設於此陽極3上之有機層4、進一步設於 此上部之陰極5所構成。有機層4之構成係由陽極側依序層 疊例如:電洞注入層4a、電洞輸送層4b及電子輸送性之發 光層4c。於如此構成之顯示元件!,從基板2側取出光,其 係從陰極注入之電子及陽極注入之電洞在發光層讣再結合 時所產生者。 有機電場發光元件之壽命一般是由注入之電荷所決定, 此事可由降低驅動之初始亮度而解決。然而,降低初始亮 度會限制實用化之應用性,自行否定有機電場發光元 潛在可能性,、無法實現下一代電視。 為了解決此問題,必須實現—種元件構n係可不改 變驅動電流而提升亮度,亦即改善效率,或者即使降低驅 動電流,仍可獲得相同亮度者。 因此,提案將複數有機發光元件重4配置之堆疊型多光 子發射元件(刪元件)。其中亦提案—種咖元件⑽示元 97979.doc
1268118 件1’)之構成,其係如圖16 不’於隋極3與陰極5之間,介 二=電:气生層6,將由至少具有發光層4C之有機 :所、·且成之稷數發光單元〜2、...重疊 此,所為電荷產生層6,其係發 在 詈於中朴立丄p 又伴於电%把加時,對於配 置於电何產生層6之陰極5 一 尤早兀4-2注入電洞,另 万面對於配置於雷片# " 生層ό之陽極3侧之發光單元4 注入電子之作用夕恳从 知兀*早兀4-1 ίΏ 之層’使用氧化釩(ν2〇5)或七氧化錁 (以2〇7)等類之金屬氧化物所構成者。 又,為了提升從此類電荷產生層6對於陽極 件4-1之電子注入效率, 知九70 了於电何杳光層6之陽極3側設置 ^為當場反應產生層」之電子注入層7。作為該種「當 :反應產生層」之電子注入層7,使用例如··團聯式共聚 a 物(BathGeupn)ln (Bcp))與金 m(Cs)之混 基啥琳)鐘錯合物與銘之疊層體。 飞(8歹工 於如上述介由電荷產生層6而使發光單元‘I、4_2、.·. 运且之堆S型有機電場發光元件,層疊2個發光單元時, 理想上:不改變發光效率Π m/W]而使亮度[cd/A]成為2 層且3個發光單元時,理想上可不改變發光效率[1 m/W]而使壳度[Cd/A]成為3倍(以上參考特開2〇〇3_45676號 公報、特開2003-272860號公報)。 然而,於介由以圖16所說明之電荷產生層6而層疊發光 4 2之構成之顯示元件1 ’,構成配置於電荷產生 層6之陽極3侧之作為當場反應產生層之電子注入層7之材 ^ $不文疋。因此,構成電子注入層7之各材料之化學 97979.doc 1268118 當量比甚為重要,若此均衡破壞,層亦可能變得不安定。 例如:BCP在富於錯合形成能,具有自由之金屬成分 時,或存在具有活性部位之有機材料時等,與周邊材料形 成錯合體之可能性大,若考慮元件安定性之點,將難以採 用。而且在使用BCP之元件,對於環境耐受性缺乏可靠性 亦可能為問題點。 而且,於此類堆疊型之有機電場發光元件,使用或
心2〇7等類之金屬氧化物構成電荷產生層6時,藉由直接將 —般如Alqs之電子輸送層接觸電荷產生層6所注入之電子 之效率極低。因此’電荷產生層6之陽極3側之界面構成係 成為極重要的點。
因此,本發明之目的係於層疊由有機層所組成之發光身 元之堆疊型顯示元件,使用安定材料以便可謀求提升環与 耐受性,且可謀求提升從夾持於發光單元間之電荷產生肩 對於發光單元之電荷注入效率,藉此提供一種高亮度且肩 期可靠性優異,同時容易製作之顯示元件。 X 【發明内容】 為了達成此目的,本發明之第—顯示元件係於陰極與聞 極之間,層疊複數寵少含有有機發光層之發光單元,於 该各發光單元間夾持電荷產生層;其特徵在於:電荷產生 層係使用含有鹼金屬及鹼土類金屬之至少一方之氧化物 構成。 〜丨丁货、於陰極與陽極之間, 複數個至少含有有機發光層之發光單心於該各發为 97979.doc 1268118 =持電荷產生層,·其特徵在於:在上述電荷產生層之前 搞極側之界面,設有使用含有驗金屬及驗土類金屬之至 v一方之氟化物之界面層。 又,本發明之第三顯示元件係於陰極與陽極之間,層最 =個至少含有有機發光層之發光單元,於該各發光單二 :失持電荷產生層’·其特徵在於··電荷產生層係於驗金 土類金屬中至少一種元素與有機材料之混合層及本 何產生層相接之狀態’從前述陽極側依序層疊而成。 如以上說明,若根據第—及第二發明之顯示元件,藉由 2電荷產生層之至少―部分,使用含有驗金屬或驗土類金 一之至少-方之氧化#、含有驗金屬及驗土類金屬之至少 ϋ化物等類之材料’將提升對於發光單元之電荷之 ^入效率。結果’於層疊由有機層所組成之發光單元之堆 疊型顯示元件,可謀求亮度提升及環境耐受性提升所造成 之舞命特性提升,亦即可謀求長期可靠性之提升。又,上 述使用含有驗金屬或驗土類金屬之至少一方之氧化物、含 有欢孟屬及驗土類金屬之至少—方之ι化物等類之材料, :於:相階段即以氧化物或氟化物的型態使用,使用此 等之屯何產生層亦安定。並且,由於使用安定的材料,構 f此類電荷注入特性優異之電荷產生層,因此於其製作 時’無須進行考慮到化學當量比之成膜等,故可容易地製 作。 2且,若根據第三發明之顯示元件,使用有機化合物及 鹼孟屬、鹼土類金屬等類之安定材料所組成之電荷產生 97979.doc 1268118 層,可謀求堆疊型顯示元件之發光效率提升。結果,盘第 -及第二顯示元件相同’於層疊由有機層所組成之發光單 凡之堆疊型顯示元件,可謀求亮度提升及環㈣受性提升 所造成之壽命㈣提升,亦料謀求㈣可隸之提升。 又,由於使用安^的材料,構成此類電荷注人特性優異之 電荷產生層,因此於其製作時,無須進行考慮到化學當量 比之成膜等,故可容易地製作。 【實施方式】 以下’根據圖式詳細說明本發明之顯示元件之各實施型 <第一實施型態> 圖1係表示第-實施型態之顯示元件之—構成例之剖面 圖。於此圖所示之顯示元件10係層疊發光單元而成之堆羼 型顯示元件1〇’具傷:設於此基板12上之陽極13;重疊設 於此陽極13上之複數發光單元14-1、14-2、…(在此為2 個);設於此等發光單元14-1、14_2間之電荷產生層15七
及設於最上層之發光單元14_2上之陰極16 於以下說明,於以下說明係說明上面發光方式之顯示元 牛構成°亥上面發光方式係從與基板12相反侧之陰極16 側取出:從陽極13所注入之電洞與在電荷產生層15_〇所產 生之電子在發光單元14,結合時所產生之發光,及同時 從陰極16所注入之電子與在電荷產生層15_〇所產生之電洞 在發光單元14-2内結合時所產生之發光。 首先,設有顯示元件1G之基板12係從玻璃㈣之透明基 97979.doc -10-
1268118 板或矽基板,甚至薄腔貼 潯艇狀之可撓性基板等之中適當選擇以 u °又’使用此顯示元件1G所構成之顯示裝置之驅動方 ;'、、、自矩陣方式¥ ’作為基板12係使用 TFT而成之TFT基板。 篆素认置 τ 此顯不叙置為採用TFT驅動上 面發光方式之顯示元件10之構造。 而且’為了有效注人電洞此基板12上作為下部電極 所设置之陽極13可將電極材料之從真空位準之功函數大 者’例如:鉻⑼、金(Au)、氧化錫(Sn〇2)與録(叫之合 金、乳化鋅(zn0)與銘⑷)之合金、進而此等金屬或合金之 虱化物等,纟單獨或混合存在之狀態下使用。 顯示元件10為上面發光方式時’以高反射率材料構成陽 極13 ’可利用干擾效應及高反射率效應,改善往外部之光 取出效率’於此類電極材料,宜使用將例如:々等作 為主成*之電極。於此等高反射率材料層上,設置例如. 如m)等類之功函數大之透明電極材料層,亦可提高電荷 注入效率。 、再者,使用此顯示元件1()所構成之顯示裝置之驅動方式 為主動矩陣方式時,陽極13係於設有tft之各像素接受圖 案化。*且,於陽極13之上層,設有省略在此之圖式之絕 緣膜,由此絕緣膜之開口部使各向素之陽極13表面露出。 又,發光單兀14-1、14-2係從陽極13側,依序層疊例 如:電洞注入層14a、電洞輸送層14b、發光層Uc及電子 輸送層14d而成。此等各層係由利用例如:真空蒸鍍法或 例如:旋轉塗佈法等其他方法所形成之有機層所組成。構 97979.doc -11- 1268118 成各有機層之材料並無限制條件,若是例如··電洞輸送層 14b,可使用聯苯胺衍生物、二桂皮胺衍生物、三苯甲烷 衍生物、腙衍生物等電洞輸送材料。 當然,各層具備其他其他要件,亦不妨礙此, 例如:發光層i4c亦可為兼作電子輸送層14d之電子輸送性 發光層,發光層14c亦可為電洞輸送性之發光層,又, 各層亦可成為疊層構造。例如··發光層14c亦可為進一步 由藍色發光部、綠色發光部及紅色發光部所形成之白色發 光元件。 又,發光層14c亦可為微量含有戊二烯衍生物、香豆素 二生物“tm素、三苯甲烧衍生物等有機物質之有機 薄膜,此時係對於構成發光層14c之材料進行微量分子之 共蒸鑛而形成。 ,又’以上之各有機層,例如··冑洞注入層i4a、電洞輪 运層14b分別是由複數層組成之疊層構造亦可。電洞注入 層14a且由例如· σ丫三鄰亞苯系材料等類之非芳香胺系之 有機材料構成,藉此可提高電洞對於發光單元14_2之注入 效率。 I且w上各發光單元14-1、14_2亦可完全相同構造, 但製成其他構造亦可。例如:藉由將發光單元14-i作為橘 色發光元件之有機層構造而形成,將發光單元14_2作為誌 綠色發光元件用之右避 少 ^ 有機層構造而形成,發光色會成為 色。 Θ 而且,此等發光單元14」與發光單元Μ奴間所設之電 97979.doc !268118 V產生層15_〇係使用含有鹼金屬及驗土類金屬之至少一方 之虱化物所構成。再者,於以下所共通,作為鹼金屬係例 ’、、a、K、Rb、Cs、Fr,而作為鹼土類金屬係例示 Mg Ca、Sr、Ba、Ra。而且在此,使用含有此等元 素中之至少一種之氧化物而構成電荷產生層。 作為構成此電荷產生層15-〇之氧化物,除了一般 之鹼金屬氧化物及驗土類金屬氧化物之外,還使用含有驗 金屬及鹼土類金屬之至少一方及其他元件之複合氧化物。 Z且’作為與驗金屬或驗土類金屬共同構成複合氧化物之 氧化物之具體例,係從甲石朋氧化物、四删氧化物、錯氧化 物、短,化物、鈮氧化物、石夕氧化物、组氧化物、欽氧化 物、鈒氧化物、鶴氧化物、錯氧化物、碳氧化物、蒋氧化 物、亞鉻氧化物、鉻氧化物、重鉻氧化物、鐵氧體、亞碼 減物、石西氧化物、錫氧化物、亞碲氧化物 '碑氧化物、 鉍氧化物、四爛氧化物、甲领氧化物中選擇至少1種以 上。其中,作為主成分宜使用Li2C〇3、Cs2C〇3或⑽叫, 以下以含有鹼金屬及鹼土類金屬之 表而記為Ll2C〇3。 之氣化物為代 造此電荷產生層15-0亦可為例如:Ll2C〇3所组成之單層構 又,電荷產生層W0係以Li2C〇3為主成分, 私子(弘何)之跳躍側而將例如··電洞輸送材料或二二/ 材料等電荷輸送性有機材料與Li2⑶3 :别运 層亦可。X,亦可為具有此混合層之層。’、、、鑛而成之混合 97979.doc -13· 1268118 、、,亚且,電荷產生層15_〇亦可為Li2C〇3&Li2C〇3與電荷輸 :14有機材料之混合層之疊層構造亦可。此時,Li2C03與 弘子輸运性有機材料之混合層係層疊於Li2C〇3所組成之層 :陽極u側之界面。又,Li2C〇3與電洞輸送性有機材料: :口層係層豐於Ll2C〇3所組成之層之陰極16側之界面。此 ,夭作為電洞輸祕材料宜由。丫三鄰亞苯系材料等類之非 方曰胺系之有機材料構成。再者,此類疊層構造亦可作為 •2C〇3所組成之層之陽極13側及陰極16側之至少一方設 有混合層之構成。 x 产並且,包荷產生層15_〇亦可為Li2C〇3所組成之層及其他 氧化物或複合氧化物所組成之層之疊層構造。此時,做為 其他氧化物或複合氧化物可例示:甲硼氧化物、四硼氧化 物、鍺氧化物、絲化物、絲化物、石夕氧化物、纽氧化 物、鈦氧化物、釩氧化物、鎢氧化物、錘氧化物、碳氧化 物、藤氧化物、亞鉻氧化物、鉻氧化物、重鉻氧化物、鐵 氧體、亞砸氧化物、硒氧化物、錫氧化物、亞碲氧化物、 碲氧化物、鉍氧化物、四硼氧化物、甲硼氧化物等其他— 般氧化物或複合氧化物。 而且,如以上構成之電荷產生層15-0亦可為進一步層疊 氣化物之構成。 此時,於電荷產生層15-〇之陽極13側之界面,作為中間 之陰極層(中間陰極層),宜設置使用含有鹼金屬及鹼土類 金屬之至少一方(至少一種元素)之氟化物之層。並且於電 荷產生層15-0之陽極13側之界面,作為中間陽極層,宜介 97979.doc -14- 1268118 由導電性材料層,設置使用含有鹼金屬及鹼土類金屬之至 少一方之氟化物之層。 而且’作為鹼金屬氟化物及驗土類金屬貌化物,耳體而 言可例示:氟化鋰(LiF)、CsF、CaF2等。又,導電性材料 層含有鎂(Mg)、銀(Ag)及鋁(A1)之至少1種。具體而言則例 示Mg Ag或A1所組成之導電性材料層。 並且’電荷產生層15-0亦可於陰極16側之界面,將鈦菁 銅(CuPc)等類之具有鈦菁骨架之電洞注入性材料所組成I 層,設置作為中間之陽極層(中間陽極層)。 再者,層疊於以上電荷產生層15_〇或其界面之各層,未 必限定於明碟分離之構成,力各層卩面,纟構成㈣互相 混合亦可。 其次,陰極16係以從陽極13側,依序層疊第一層、 第H6b,並視情況層疊第三層—之3層構造所構曰成。 第一層16a係使用功函數小且透光性良好之材料所構 成。作為此類㈣,可使用例如:链(u)之氧化物㈣或 碳氧化物Li2C03、鎚(Cs)之碳氧化物Cs2C〇3、矽氧化物
Li2si〇3,進而可使用此等之氧化物之混合物。m 1 6 a不限疋於此類材料,亦可腺 丌了將例如··鈣(Ca)、鈀(Ba)等鹼 土類金屬、鐘⑼、錄(Cs)等鹼金屬、進而銦(in)、鎂 (Mg)、銀(Ag)等功函數小 " ^ <孟屬、進而此等金屬之氟化 物、氧化物專’以單體或作盔 $作為此寺金屬及氟化物、氧化物 之混合物或合金而提高安定性使用。 第g b係以3有MgAg或驗土類金屬之電極或^ 97979.doc * 15- 1268118
等電極構成。如上面發光元件,以半透過性電極構成電極 16 h ’可使用薄膜之MgAg電極或Ca電極以取出光。以具 有光透過性且導電性良好之材料構成,特別在此顯示元件 10是在陽極13與陰極16間使發光共振而取出之空腔構造所 構成之上面發光元件時,使用例如:Mg_Ag等類之半透過 性反射材料,以構成第二層16b。藉此,於此第二層i6b之 界面及具有反光性之陽極13之卩Φ,使發光反射而獲得空 腔效應。 亚且,為了抑制電極劣化,第三層…係設置透明之鑭 系氧化物,可作為能取出發光之密封電極而形成。 再者二以上之第一層16a、第二層16b及第三層16〇係藉 由真空瘵鍍法、濺鍍法、進而電漿CVD法等手法所形成。 又,使用此顯示元件所構成之顯示I置之驅動方式為主動 矩陣方式時,陰極16係於藉由在此省略圖式之包覆陽極" 周緣之絕緣膜及發光單元14·!〜發光單元14_2之疊層膜而 對於陽極13絕緣之狀態,以平面膜狀形成於基板η,對於 各像素作為共同電極使用亦可。 又,在此所示之陰極16之電極構造為3層構造,然而, 只要是進行構成陰極16之各層之機能分離時所必要之 構造,陰極16亦可僅以第二層说構成,或於第—層二: 第二層16b之間進-步形成ΙΤ〇等之透明電極,當然,μ 對於製作之裝置構造採取最佳組合、疊層構造即可。” 於以上說明之構成之顯示元件1〇,藉由於發光 卜心間,爽持以安定材料之為主成分之凡電: 97979.doc -16- 1268118 產ί層15-0,將提升從電荷產生層15-0對於陽極13側之發 光早=4-1之電子注入效率。因此可謀求介由電荷產生層 15-0層疊發光單元14]、14_2而成之堆疊型顯 安定化。 再者’於电何產生層15奴陽極13側之界面,作為中間 =而設置含有驗金屬及驗土類金屬之至少一方之氣化 藉由MgAg等類之導電性材料層及配置 -性材料層之陽極13側之含有驗金屬和驗土類金屬之至少 一方之氟化物所組成之層,以構成中間陰 電荷產生層15-〇對於設在電荷產生 光單一電子注入效率之效果生層Μ之一之發 又’藉由在電荷產生層15·。設置具有鈦菁 極層(省略圖式),可提高從電荷產生層15〇斜於 % 產生一陰㈣側之發光單元二 效果。 又玉洞庄入效率之 結果’於堆疊型顯示元件,不 境耐受性提升所造成之壽命特性提升亦可謀求環 罪性之提升。又,使用安定之材料,構成此類電荷^^ 〖生優異之電何產生層15_〇,因此於其製作時, 慮到化學當量比之成膜等,可容易地製作。而^頁進行考 :般由Μ所組成電荷產生層,亦有抑制驅動= 效果,藉此亦可獲得長期可靠性之提升。 動包£之 <第二實施型態> 圖2係表示第二實施型態之顯示元件 構成例之剖面 97979.doc 17- 1268118 圖。於此圖所示之顯示元件u與採用_斤說明之顯示元 件10之不同處在於電荷產生層15之構成,其他構成為相 =以下’以電荷產生層15為中心,詳細說明第二實施型 fe之顯示元件11之構成。 亦即,本第二實施型態之顯示元件丨丨係發光單元 發光單元丨4-2之間所設之電荷產生層15是使用含有鹼金屬 及鹼土類金屬之至少一方(至少丨種元素)之氧化物所構成。 而且,此電荷產生層15係從陽極13側依序層疊界面層15& 及本徵電荷產生層15b之構造。再者’此界面層15&係0對於 相接於陽極13而設置之發光單元14_丨,作為陰極而作用。 因此,於以下,將此界面層15a記為中間陰極層。而 且,此中間陰極層15a係使用含有鹼金屬及鹼土類金屬之 至少一方之氧化物所構成。 又,相接於中間陰極層l5a而設置之本徵電荷產生層15b 係使用特開2003-45676號公報及特開2003-272860號公報所 記載之電荷產生層V2〇5所構成,或使用以下所示之有機化 合物所構成。 在此’作為構成此中間陰極層15a之含有鹼金屬及鹼土 類金屬之至少一方之氧化物,係使用與先前在第一實施型 態所說明相同之氧化物。 其中’中間陰極層15a宜由Li2 Si 03所組成。 又’除了 V2〇5等,構成本徵電荷產生層15b之材料可使 用下述一般式(1)所示之有機化合物。 97979.doc -18- 1268118 R6 R5 X^X5
•一般式(1) 於此一般式(1),R1〜R6係分別獨立地為選自氫、_、經 基、胺基、芳香胺基、芳香氧基、碳數20以下之取代或無 取代之羧基、碳數20以下之取代或無取代之香旱芹酸峻、 碳數20以下之取代或無取代之烷基、碳數20以下之取代或 無取代之烯基、碳數20以下之取代或無取代之烷氧基、碳 數30以下之取代或無取代之芳香基、碳數30以下之取代或 無取代之雜環基、腈基、硝基、氰基或甲矽烷基之取代 基。又,R1〜R6中,鄰接之Rm(m= 1〜6)亦可經由環狀構造 互相結合。而且,一般式(1)之X1〜X6分別獨立地為碳或氮 原子。 作為如此之一般式(1)所示之有機化合物之具體例,表 示下述表1〜表7所示之構造式(1)-1〜構造式(1)-64之有機化 合物。再者,此等構造式中,[Me]表示曱基(CIi3),[Et]表 不乙基[C2H5],[Pr]表示丙基(C3H〇,[Ph]表示酚基 (c6h5)。又,於構造式(1)-61〜構造式⑴_64,一般式⑴中 之R1〜R6中,鄰接之Rm(m=:l〜6)係表示經由環狀構造互相 結合之有機化合物之例。 97979.doc -19- 1268118 表1
97979.doc 20- 1268118 表2
97979.doc
-21 1268118 表3
97979.doc -22- 1268118 表4
97979.doc
-23- 1268118 表5
97979.doc
24- 1268118 表6
97979.doc 25- 表7
而且,以上之中間陰極層15a及本徵電荷產生層15b未必 限定於明確分離之構成,於中間陰極層15a内含有構成本 徵電荷產生層15b之材料,或相反均可。
再者,電荷產生層15係從陽極13側,依序將中間陽極層 (省略圖式),與中間陰極層15a及本徵電荷產生層15b共同 層疊之構成亦可。此中間陽極層使用具有鈦菁骨架之有機 材料構成,具體而言則例示由鈦菁銅(CuPc)所組成之中間 1^7才系層。
一:,電荷產生層15中之本徵電荷產生層15b是採用上述 一般式⑴所示之有機化合物構成時,此本徵電荷產生声 w亦可兼作電洞注人層14a。此時,設在比電荷產生心 更接近陰極1 6側之發光單元14 2 + ^ 七九早7°14_2,未必要設置電洞注入層 97979.doc -26- 1268118 14a。 於以上說明之構成之第二實施型態之顯示元件11,電荷 產生層15藉由使用含有驗金屬或驗土類金屬之至少一方之 氧化物作為構成其中間陰極層15a之材料,以提升從電荷 產生層1 5對於陽極1 3側之發光單元14-1之電子注入效率。 而且’特別是構成電荷產生層15之中間陰極層15a之上述 氧化物係從成膜階段開始作為安定之材料而供給,因此可 謀求使用此之中間陰極層15a,亦即電荷產生層15之安定 化。 又藉由在電何產生層15之陰極16側之界面,設置具有 鈦菁骨架之中間陽極層(省略圖式),可提高從電荷產生層 15對於設在電荷產生層15之陰極16側之發光單元ΐ4·2之^ 洞注入效率。 以上之結果,於堆疊型顯示元件 个1皇焭度提升,刃、 可謀求環境耐受性提升所造成之壽命特性提升,亦即可令
求長期可靠性之提升。X,使用安定之材料,構成此㈣ 荷注入特性優異之電荷產生層15,因此於其製作時,無須 進行考慮到化學當量比之&暖莖,γ h w ' 子田里比之成胰寻,可容易地製作此類長期 可靠性優異之堆疊型顯示元件11。 ’ 並且,即使於作為電荷產生層15之本徵電荷產生層15b 使用上述!又式⑴之有機化合物時,仍可獲得與以往使 :V2〇5時相同程度之電荷注入效率。此時,由 產生層⑽可兼作電洞注人層,因此未必須在比電荷產Γ ㈣配置於陰極16側之發光單元14_2,特別設置電洞注入 97979.doc -27- 1268118 層!4a亦可,可謀求層構造之簡化。 <第三實施型態> /; 圖3係表示第三實施型態之顯示元件之一構成例之剖面 / 圖。於此圖所示之顯示元件11 ’與採用圖1所說明之顯示元 件10之不同處在於電荷產生層15’之構成,其他構成相同。 以下’以電荷產生層15,為中心,詳細說明第三實施型態之 顯示元件11,之構成。 • 亦即,本第三實施型態之顯示元件u,之電荷產生層15f 係k 1¼極13側,依序層疊界面層1 5a’、本徵電荷產生層^ 5b 之構成。而且,與第二實施型態相同,此界面層15af係對 於相接於陽極13而設置之發光單元14_丨,作為陰極而作 用’因此於以下,將此界面層15a,記為中間陰極層i5a,。 於此構成之電荷產生層15 ’,其特徵在於中間陰極層丨5a, 是使用含有鹼金屬及鹼土類金屬之至少一方(至少丨種元素) 之氣化物所構成。而且特別是中間陰極層15a,宜為從陽極 φ 13側依序配置之含有鹼金屬及鹼土類金屬之至少一方之氟 化物所組成之氟化物層,及導電性材料層i5a-2或絕 緣性材料層(15a-2,)之疊層構造。 而且,作為構成氟化物層l5a-l之含有鹼金屬及鹼土類 金屬之至少一方之氟化物,具體而言可例示:氟化鋰 (LiF)、氟化鎚(CsF)、氟化鈣(CaF2)。 又’作為構成導電性材料層l5a_2之材料,含有鎂 (Mg)、銀(Ag)及鋁(A1)之至少1種。具體而言則例示MgAg 或A1所組成之導電性材料層15a_2。 97979.doc -28- 1268118 並且,作為絕緣性材料層(15a-2,),宜可使用含有鹼金 屬及鹼土類金屬之至少一方(至少丨種元素)之氧化物所組成 之層。作為此類含有鹼金屬及鹼土類金屬之至少一方之氧 化物,係使用與先前第一實施型態所說明相同之氧化物f 又,相接於中間陰極層15a,而設置之本徵電荷產生層i5b 係使用特開2G()3_45676號公報及特開2GG3_27編號公報所 載之电荷產生層V2〇5所構成,或使用上述一般式(1)所 :之有機化合物所構成。而且,電荷產生層15,中之本徵電 =產生層15b是採用上述—般式⑴所示之有機化合物構成 f ’此本徵電荷產生層15b亦可兼作電洞注入層…。此 時,設在比電荷產生層15,更接近陰極16侧之發光單元Μ 2,未必要設置電洞注入層14a。並且,電荷產生層15,係於 =本徵電荷產生層15b更接近陰極16側,層疊在此省略圖 式,具有鈦菁銅(CuPc)等鈦菁骨架之有機材料所組成之中 間陽極層。關於以上係與第二實施型態相同。 於此類構成之第三實施型態之顯示元件u 層藉由使用含有驗金屬或驗土類金屬之至少—方 ==成陽其^陰極層之材料,以提升從電荷產生 二對於%極13側之發光單元⑷之電子注入效率。而 ,特別是構成電荷產生層15,之中間陰 金屬及鹼土類金屬之至少:二a 3驗 階段開炎+ 之虱化物之材料,係從成膜 開始作為女定之材料而供給。因此,可 間陰極層15a’,亦即電荷產生層15之,安定化。 中間陰極層l5a,是從陽極13側依序層疊含有驗金 97979.doc -29- 1268118 屬及鹼土類金屬之至少一方之氟化物所組成之氟化物層 1 5a-1,及MgAg專類之導電性材料層15a_2時,可獲得進一 步提升對於比此中間陰極層l5af配置於陽極13側之發光單 元14-1之電子注入效率。 又,電荷產生層15,藉由於比本徵電荷產生層Ub更接近 陰極16側,設置具有鈦菁骨架之有機材料所組成之中間陽 極層(省略圖式),可提高從電荷產生層15,對於比電荷產生 層15配置於陰極16側之發光單元14_2之電洞注入效率。 以上之結果,若根據本第三實施型態之顯示元件u,, 與第-實施型態相同’於層疊有機層所組成之發光單元 14]、14-2之堆疊型顯示元件u,,可謀求長期可靠性之提 升,可容易地製作此類長期可靠性優異之堆疊型顯示元件 並且,即使於作為電荷產生層15,之本徵電荷產生層丨% 而使用上述-般式⑴之有機化合物時,仍可獲得與以曰往使 用v2〇5時相同程度之電荷注入效率,與第二實施型態相 同’藉此亦可謀求層構造之簡化。 <第四實施型態> 圖4係表示第四實施型態之顯示元件之_構成例之剖面 :。於此圖所示之顯示元件⑴與採用請說明之顯示元 =不同處二於電荷產生層15,,之構成,其他構成相 以电何產生層15,|為中心,詳細說明第四實施 孓心、之顯不元件11,,之構成。 亦即,本第四實施型態之顯示元件U"之電荷產生層15" 97979.doc -30 - 1268118 陽極13側’依序層疊混合層15a"、本徵電荷產生層 ^ 冓k而且,此混合層15a’,係對於相接於陽極13而 叹置之發光單元uq,作為陰極而作用,因此於以下,將 此混合層15a,,記為中間陰極層 15a"〇 人於此構成之電荷產生層15",其特徵在於中間陰極層(混 一 9)15a疋使用混合含有鹼金屬及鹼土類金屬中之至少 元素及有機材料之材料所構成。作為鹼金屬及鹼土類 金屬,具體可例示:鋰(Li)、鉋(Cs)、鈉(Na)、鉀(κ)、铷 (二)、鈣(Ca)、鳃(Sr)、鋇(Ba)。又,作為構成中間陰極層 (/❿口層)15a之有機材料,宜使用例如:Ah或ADN等類 之具備電子輸送性之有機材料。 而且,本徵電荷產生層15b係相接於此中間陰極層(混合 層)15a"而設置,同時使用上述一般式⑴所示之有機化合 物構成。 再者在此雖省略圖式,但中間陰極層i5a,,係從陽極13 側,依序層疊含有鹼金屬及鹼土類金屬之至少一方(至少i 種凡素)之氟化物所構成之氟化物層及上述混合層之構 造。 又,於本第四實施型態,由於本徵電荷產生層15b是採 用上述一般式(1)所示之有機化合物構成,因此此本徵電荷 產生層1 5b亦可兼作電洞注入層丨4a。因此,設在比電荷產 生層15"更接近陰極16側之發光單元14_2,未必要設置電 /同庄入層14a。並且,電荷產生層15,,係於比本徵電荷產生 層15b更接近陰極16側,層疊在此省略圖式之具有鈦菁銅 97979.doc • 31 · 1268118 (CuP〇等敛菁骨架之有機材料所組成之中間陽極層。關於 以上係與第二實施型態相同。 於此類構成之第四實施型態之顯示元件11",藉由在將 双土屬㉟土頌金屬中之至少一種元素與有機材料之混合 層15a與上述一般式⑴所示之有機化合物所組成之本徵電 2產生層15b相接之狀態,使從陽極13側之依序層疊之電 荷產,層15’’夾持於發光單元⑽、14以間而構成,確: 於=發光單元之堆疊型顯示元件,將獲得充分發光效率 光。而且’由於構成電荷產生層15,,之上述材料均為 安定之材料,因此可謀求使用此之電荷產生層之 ’、 二ί結果:若根據本第四實施型態,與第二實施型態及 弟二貫施型態之顯示元件相同,可謀求層疊由有機層所組 成,發光單元14-1、14_2之堆疊型顯示元件u,,之長期可靠 ,提升’而且可容易地製作此類長期可靠性優異之堆疊型 …員不7C件1 1 ·。又,作為本徵電荷產生層i5b,藉由使用上 述一般式(1)所示之有機化合物,可謀求層構造之簡化。 再者,以上各實施型態所說明之本發明之顯示元件,不 限於使用在採用TFT基板之主動矩陣方式之顯示裝置之顯 不元件’亦可適用作為被動方式之顯示裝置之顯示元件, 可獲得相同效果(長期可靠性提升)。 又’於以上各實施型態係說明從設在與基板叫目反側之 陰極16側取出發光之「上面發光型」之情況。然^ ^ 明材料構成基板12 ’本發明亦可適用於從基板⑵則取出發 光之透過型」顯示元件。此時,於使用圖2〜圖*所說明 97979.doc -32- 1268118 之疊層構造,使用例如:ITO等類之功函數大之透明電極 材料,構成透明材料所組成之基板12上之陽極13。藉此, 從基板12側及與基板12相反側之雙方取出發光。又,於此 類構成,藉由以反射材料構成陰極16,以便僅從基板12側 取出發光。此時,亦可於陰極16之最上側附加AuGe或 Au、Pt等之密封電極。 並且,即使是將使用圖1〜圖4所說明之疊層構造,從透 明材料所組成之基板12側相反地疊起,將陽極13作為上部 電極之構成,亦可構成從基板12側取出發光之「透過型」 顯示元件。於此情況,將上部電極之陽極13變更為透明電 極’以便從基板12側及與基板12相反側之雙方取出發光。 <其他實施型態> 以上所說明之第一〜第四實施型態之顯示元件亦可與色 轉換膜組合。以下,舉出以第一實施型態所說明之圖1之 顯示元件,說明使用色轉換膜之顯示元件之構成,關於第 二〜第四實施型態之顯示元件,亦可同樣地適用。 首先,於圖5表示第一實施型態所說明之顯示元件(1〇) 疋從基板12及相反側取出發光之r上面發光型」時之顯示 凡件10a °此時,所構成之顯示元件10a係於取出發光側之 陰極16之上部設有色轉換層18。在此,此顯示元件1 〇 a之 發光層14c為藍色波長之激發光源時,於色轉換層18配 置·對應於各像素部分,將藍色波長之激發光源轉換成紅 色波長之色轉換膜18a,及將藍色波長之激發光源轉換成 、、、彔色之色轉換膜18b。又,於色轉換膜18a及色轉換膜i8b 97979.doc -33- 1268118 以外之色轉換層18部分,設置不將藍色波長之激發光源進 仃波長轉換而使之通過之材料膜。於此構成之顯示元件 10a ’可進行全彩顯示。 再者’具備此種構成之色轉換膜18a、l8b之色轉換層 18可採用習知技術之光微影技術形成。 於圖6表示第一實施型態所說明之顯示元件〇〇)為「上 面發光型」時之其他顯示元件1 Ob。於此圖所示,在取出 發光側之陰極16之上部,亦可層疊設置色轉換層18、19。 此時’對應於各像素部分,層疊配置將藍色波長之激發光 源轉換成紅色波長之色轉換膜18a、l9a,及將藍色波長之 激發光源轉換成綠色之色轉換膜18b、l9b。層疊使用此等 層叠配置之色轉換膜18a、19a及色轉換膜18b、19b,以便 成為通過雙方之光轉換成期望波長之組合。又,亦可設置 色轉換膜19c,將藍色波長之激發光源進一步轉換成色度 良好之藍色。而且,於色轉換膜19a〜19c以外之色轉換層 19部分,設置不將藍色波長之激發光源進行波長轉換而使 之通過之材料膜。即使於此構成之顯示元件1〇b,仍可進 行全彩顯示。 於圖7表示第一實施型態所說明之顯示元件(1〇)是從基 板12側取出發光之「透光型」時之顯示元件1〇c。此時, 於取出發光侧之陽極13與基板12之間,構成設有色轉換層 18之顯示元件i〇c。色轉換層18之構成係與上述相同。即 使於此構成之顯示元件l〇c,仍可進行全彩顯示。 於圖8表示第一實施型態所說明之顯示元件(1〇)是「透 97979.doc -34- 1268118 光型」時之其他顯示元件l〇d。如此圖所示,亦可於取出 發光侧之陽極13與基板12之間,層疊設置色轉換層18、 19。色轉換層18、19之構成係與上述相同。即使於此構成 之顯示元件1 〇d,仍可進行全彩顯示。 於以上使用圖5〜圖8所說明之顯示元件10a〜10d之構成, 藉由將電荷產生層15-0變更為上述各實施型態2〜4所說明 之構成之電荷產生層15、15,、15",以構成對應於各實施 型態之顯示元件11a、11a,、11a,,…。 實施例 其次,說明本發明之具體實施例及對於此等實施例之比 較例之顯示元件之製造步驟,及此等之評估結果。再者, 於以下 <實施例1〜4>,參考表8,說明圖1所示之第一實施 型態之各顯示元件10之製作。於以下〈實施例5〜20>,參考 表9 ’說明圖2所示之第二實施型態之各顯示元件11之製 作。又,於〈實施例21〜24>,參考表10,說明圖3所示之第 三實施型態之各顯示元件11,之製作。而且,於 <實施例 25〜36>,參考表11,說明圖4所示之第四實施型態之各顯 示元件11"之製作。並且,於〈實施例37〜58>,參考表12〜 表丨4,說明圖5所示構成之顯示元件l〇a之製作。再者,於 各實施例說明之後,說明比較例之製作及評估結果。 <實施例1〜4> 在各實施例1〜4,於以圖1所說明之第一實施型態之顯示 元件10之構成,製作將電荷產生層15-0製成各個材料及疊 層構造之各顯示元件10。以下,首先說明實施例1〜4之顯 97979.doc -35- 1268118 示元件ίο之製造步驟。 於30 mmx30 mm之玻璃基板所組成之基板12上,形成 ITO(膜厚約12〇 nm)作為陽極1;3,並且藉由si〇2蒸鍍,製 作以絕緣膜(省略圖式)將2 mmx2 mm之發光區域以外遮罩 之有機電場發光元件用之胞。 其次’作為構成第一層之發光單元i4-丨之電洞注入層 14a ’藉由真空蒸鍍法,以15 nm(蒸鍍速度〇·2〜〇·4 nm/sec) 之膜厚,形成吖三鄰亞苯有機材料之電洞注入材料構造式 (1)-10 〇 其次’作為電洞輸送層14b,藉由真空蒸鍍法,以i 5 nm(蒸鍍速度0.2〜〇·4 nm/sec)之膜厚,形成以下構造式(2) 之a_NPD(雙[Ν·(1_萘醋)善酚基]聯苯胺)。 Q Ο
並且,作為發光層14C,將下述構造式(3)所示之adn作 為主成分,使用BD-052x(出光興產股份公司;商品名)作 為摻雜物,藉由真空蒸鍍法,使膜厚比成為5%而將此等 材料以合計膜厚32 nm成膜。
構造式(3) 97979.doc -36 - 1268118 最後,作為輸送層14d,將下述構造式(4)所示之Alq3[三 (8-氫氧喹啉)鋁(III)],藉由真空蒸鍍法以18 nm之膜厚蒸 鍍成膜。
如以上形成第一層之發光單元14-1之後,將電荷產生層 15-0以下述表8所示之材料之各膜厚蒸鍍。 表8 顯示元件10 電荷產生層15-0 Q/Y(cd/A) 第一層 膜厚(A) 第二層 膜厚(A) 實施例1 Li2Si03 15 - - 7.98 實施例2 Li2SiO3+LGCHIL001(4:l) 15 - - 7.98 實施例3 Li2SiO3+LGCHIL001(4:l) 30 _ - 7.75 實施例4 Li2Si03 15 Li2SiO3+LGCHIL001(4:1) 15 8.11 比較例1 Li2Si03 15 V2O5 20 8.24 比較例2 Li2Si03 15 V2O5 15 8.13 比較例3 Li2Si03 15 V2O5 10 7.95 比較例4 Li2Si03 15 V2O5 5 7.59 比較例5 - - - - 5.67 比較例6 單一單元型 5.23 97979.doc -37- I268li8 在此,於實施例1,以15人之膜厚將LhSiO3成膜,形成 單層構造之電荷產生層15-0。又,於實施例2、3,將 ' ^丨2^丨〇3及電洞注入材料LGCHIL001進行共蒸鑛,以分別之 : 膜厚形成由混合層所組成之單層構造之電荷產生層15-〇。 再者’組成比為Li2Si〇3: LGCHIL001 = 4: 1(膜厚比)。而 且,於實施例4,於LhSiO3所組成之第一層上,形成將 L!2Si〇3 : LGCHIL001 = 4 : 1(膜厚比)之混合層所組成之第 g 二層層疊之電荷產生層15_〇。 以上之後,與第一層之發光單元丨‘丨同樣地形成第二層 之發光單元14-2。 其-人,作為陰極16之第一層16a,藉由真空蒸鐘法,以 約〇·3 nm之膜厚形成LiF(蒸鍍速度〇〇1 nm/sec以下),其 夂,作為第二層16b,藉由真空蒸鍍法,以約1〇 nm之膜厚 乂成MgAg ’隶後作為第三層We,以3〇〇 nm之膜厚形成 A1。 • <比較例1〜4> 於使用圖1所說明之顯示元件之構成,製作電荷產生層 15 0之構成為上述表8所示之構成之顯示元件。製作步驟 係於上述實施例之製作步驟,僅變更電荷產生層15_〇之形 成工序之步驟。而且,於各比較例丨〜4之電荷產生層15_^ 、 之形成工序,首先形成LhSiO3所組成之膜厚15人之第一 層,於此上部形成'Os所組成之各膜厚之第二層。 % <比較例5> 於使用圖1所說明之顯示元件之構成,於陽極13上設置 97979.doc -38- 1268118 發光單兀14-1,並且不介由電荷產生層15_〇而直接層疊發 光單兀14-2 ’於此上部製作設有陰極16之顯示元件。製作 步驟係於上述實施例之製作步驟,僅省略電荷產生層15-0 之形成之步驟。 <比較例6> 於使用圖1所說明之顯示元件之構成,於陽極13上設置 發光單兀14-1,並且製作直接於此發光單元丨‘丨上設置陰 鲁極16之單一單元之顯示元件。製作步驟係於上述實施例之 製作步驟,以相同步驟僅形成陽極13、發光單元、陰 極 16 a 〇 <<評估結果-1» 於上述表8,一併表示如上述製作之實施例丨〜4及比較例 1〜6之顯不το件之發光效率(Quantum Yield(量子效率): Q/Y)。如此結果所示,相對於比較例6之單一單元型構 造,實施例1〜4之任一顯示元件均發光效率提升,可確認
形成堆疊型之本發明之電荷產生層15-〇之效果。 而且,於比較例1〜4,可獲得與實施例卜4大致同等之效 果,但相較於實施例1〜4,驅動電壓變高,IV特性往高電 壓側偏移。此係暗示在以往使用一般採用之Ah作為電荷 產生層之本比較例,於電荷產生層15_〇有產生電力消:: 因此,確認不使用V2Q5,藉由以Ll2Si〇3作為主成分以構成 電何產生層15-0,將具有使驅動電壓低電壓化之效果。 再者,於不介由電荷產生層而層疊發光單元ΐ4_1、Η。 之比較例5,大致與比較例6相同之發光效率,顯示電荷產 97979.doc -39- 1268118 . 生層15-0之必要性。 又,於以上實施例1〜4,不使用特別不安定之材料,形 • 成在化學當量比上之組成嚴苛之膜,可僅使用安定材料, • 容易地製作各顯示元件。 " 〈實施例5〜16> 在各實施例5〜16,於以圖2所說明之第二實施型態之顯 示元件11之構成,製作將電荷產生層丨5製成各個材料及疊 層構造之各顯示元件11。以下,首先說明實施例6之顯 •示元件11之製造步驟。 於30 mmx30 mm之玻璃板所組成之基板12上,形成 IT〇(膜厚約120 nm)作為陽極13,並且藉由Si02蒸鍍,製 作以絕緣膜(省略圖式)將2 mm X 2 mm之發光區域以外遮罩 之有機電場發光元件用之胞。 其次,作為構成第一層之發光單元14-1之電洞注入層 14a,藉由真空蒸鍍法,以15 nm(蒸鍍速度〇.2〜ο〆 nm/sec) • 之膜厚’形成出光興產股份公司製之電洞注入材料HI_ 406 〇 其次,作為電洞輸送層14b,藉由真空蒸鍍法,以15 nm(蒸鍍速度〇·2〜〇·4 nm/sec)之膜厚,形成上述構造式⑺ 所示之α-NPD(雙[N-(l-萘酯)-N_酚基]聯苯胺)0 並且,作為發光層14c,將上述構造式(3)所示之ADN作 ' 為主成分,使用BD-052x(出光興產股份公司;商品名)作 • 為摻雜物,藉由真空蒸鍍法,使膜厚比成為5%而將此等 材料以合計膜厚32 nm成膜。 97979.doc -40- 1268118 最後,作為輸送層14d,將上述構造式(4)所示之Alq3[三 (8-氫氧喹啉)鋁(III)],藉由真空蒸鍍法以18 nm之膜厚蒸 鐘成膜。 如以上形成第一層之發光單元14-1之後,將電荷產生層 1 5以下述表9所示之材料之各膜厚蒸鍍。 表9 顯示元件11 透過型
電荷產生層15 中間陰極層 15a 膜厚 (A) 本徵電荷產生層 15b 膜厚 (A) 中間陽極層 膜厚 (A) 實施例5 Li2Si03 15 V2O5 120 - - 實施例6 LiA102 15 V2O5 120 - 實施例7 L12M0O4 15 V2O5 120 - - 實施例8 LiTaOs 15 V2O5 120 - - 實施例9 Li2Ti03 15 V2O5 120 - - 實施例10 Li2Zr03 15 V2O5 120 - - 實施例11 Cs2C03 15 V2O5 120 _ - 實施例12 MgIri2〇4 15 V2O5 120 - - 實施例13 Li20 15 V2O5 120 - _ 實施例14 Li2Si03 15 V2O5 120 CuPc 20 實施例15 U2Si03 15 構造式(1)-10 120 - - 實施例16 U2CO3 15 構造式(1)-10 120 - - 無電洞注入層14a(發光單元14-2) 實施例17 Li2Si03 10 構造式(1)-10 50 - - 實施例18 Li2Si03 15 構造式(1)-10 120 麵 - 上面發光 實施例19 Li2Si03 15 V2O5 120 - - 實施例20 Li20 15 V2O5 120 - - 97979.doc -41 - 1268118 在此,於實施例5〜16,首先作為電荷產生層15之中間陰 極層15a,以15人之膜厚將上述表9所示之各材料成膜。 其次,於實施例5〜14,作為本徵電荷產生層15b,以 120A之膜厚將%〇5蒸鍍。另一方面,於實施例15、16, 作為本徵電荷產生層15b,將上述表1之構造式(丨)_丨〇所示 之有機化合物以120A之膜厚成膜。 而且,僅於實施例14,進一步作為中間陽極層(省略圖 示),以20A之膜厚將鈦菁銅(cupc)蒸鍍。 以上之後,與第一層之發光單元丨‘丨同樣地形成第二層 之發光單元14-2。 其次,作為陰極16之第一層16a,藉由真空蒸錢法,以 約〇·3 nm之膜厚形成LiF(蒸鍍速度〇〇1麵/咖以下),其 次’作為第二層1 6b ’藉由真空蒸鑛法,以約丨〇 nm之膜厚 形成MgAg,最後作為第三層16c,以3〇〇 之膜厚形成 A1。藉此,獲得從基板12側取出光之透過型顯示元件丨工。 <實施例17、18> 於實施例17 ' 18,取代於實施例15之構成中,作為第一 層發光單元14-1之電洞注入層14a之HI-406,將表i之構造 式(1)-10所示之有機化合物以15 nm之膜厚形成。而且,不 形成第二層發光單元14_2之電洞注入層14a,製作與表 構造式(1)-10所組成之本徵電荷產生層15b共同化之構成之 顯示元件。其中,電荷產生層15之構成為表9所示之各膜 厚。 <實施例19、20> 97979.doc -42- 1268118 於實施例19、20,製作於利用圖2所說明之第一實施型 態之顯不元件11之構成中,從與基板12相反侧取出發光之 ; 上面發光型顯示元件。在此,於上述實施例5〜16之製作步 •驟,作為陽極13係取代IT0而形成銀合金(膜厚約100 * nm),並且作為陰極16之第三層16C,取代A1而形成20〇 nm 之IZO(銦鋅複合氧化物)。而且,如上述表9所示,實施例 19係於實施例5同樣地形成各電荷產生層15,實施例汕係 於實施例13同樣地形成各電荷產生層15。 <實施例21〜22> 於實施例21、22,製作於利用圖3所說明之第三實施型 態之顯示元件11,之構成中,製作電荷產生層15,為分別之 材料及疊層構造之各顯示元件丨丨,。於此等實施例21、22, 在上述實施例5〜16之製作步驟,除了將電荷產生層15,之 構成變更為下述表10所示之構成以外,採用與實施例5〜16 相同之步驟,製作透過型顯示元件丨丨,。亦即,於實施例 _ 21、22 ’電荷產生層15’為3層構造,於UF所組成之氟化物 層15a-l上,層疊MgAg(組成比1〇 : u膜所組成之導電性材 料層15a 2,並且層璧由V2〇5所組成之本徵電荷產生層 15b。各層之膜厚係如表1〇所示。 97979.doc •43- 1268118 表ίο 顯示元件1Γ 透過型
電荷產生層15’ 中間陰極層15a’ 本徵電荷產生層 15b 膜厚 (A) 氟化物層 15a-l 膜厚 (A) 導電性材料層15a-2 膜厚 (A) 實施例21 LiF 4 MgAg 50 V2O5 120 實施例22 LiF 15 MgAg 50 V2O5 120 上面發光 實施例23 LiF 4 MgAg 50 V2O5 120 實施例24 LiF 15 MgAg 50 V2O5 120 比較例7 電荷產生層 比較例7 單一單元型 比較例8 - - - - - - 比較例9 - 喔 - - V2〇5 120 比較例10 LiF 4 - - v205 120 比較例11 LiF 15 - - V205 120 比較例12 比較例7之上面發光型 97979.doc -44- 1268118 〈實施例23、24> 於實施例23、24,製作於利用圖3所說明之第三實施型 • 態之顯示元件U,之構成中,從與基板12相反側取出發光之 • 上面發光型顯示元件。在此,於上述實施例21、22之製作 步驟,作為陽極13係取代IT0而形成銀合金(膜厚約1〇〇 nm),並且作為陰極16之第三層16c,取代A1而形成2〇〇 之ιζο(銦鋅複合氧化物)。而且,如上述表1〇所示,實施 ❿ 例23係於實施例21同樣地形成各電荷產生層15,,實施例24 係於實施例22同樣地形成各電荷產生層15,。 <比較例7> 於使用圖3所說明之顯示元件之構成,製作在陽極13上 〇又置叙光單兀14-1,在此發光單元14_丨上直接設置陰極“ 之單一單元之顯示元件。製作步驟係於上述實施例5〜16之 製作步驟,以相同步驟僅形成陽極13、發光單元丨‘丨、陰 極16 〇 <比較例8> 於錢圖3所說明之顯示元件之構成,於陽極13上設置 2光單元14-1,並且不介由電荷產生層15,而直接層疊發光 單元14-2,於此上部製作設有陰極“之顯示元件。製作步 驟係於上述實施例5〜16之製作步驟,僅省略電荷產生層Μ 之形成之步驟。 <比較例9〜11> 於使用圖3所說明之顯示元件之構成,製作電荷產生層 15,之夠成為上述表職社構成之顯*元件。製作步驟與 97979.doc -45- 1268118 上述貫施例5〜16之製作步驟相同。其中,於比較例9,於 電荷產生層15’之形成時,僅將本徵電荷產生層1外以12〇人 之膜厚之V2〇5蒸鍍。又,於比較例10、u,於電荷產生層 15 ’之形成日守,作為中間陰極層15 a’係以分別之膜厚形成 LiF,其次作為本徵電荷產生層15b,以12〇人之膜厚蒸鍍 V2〇5 〇 〈比較例12> 於比較例7所製作之單一單元型 作於從與基板12相反側取出發光之上面發光型顯示元件。 在此,於比較例7所說明之顯示元件之製作步驟,作為陽 極13係形成Ag合金(膜厚約1〇〇 nm),並且作為陰極16之第 三層16c係形成200 nmiIZ〇(銦鋅複合氧化物),除此之外 均以與比較例7相同之步驟製作顯示元件。 «評估結果-2» 於圖9表示如上述製作之實施例5及實施例^、比較例 7 11之顯不元件之發光效率。如此曲線圖所示,相對於比 較例7之單-單元型之發光元件之發光效率,於實施例5、 14之顯示元件,其發光效率成為2倍。又,於其他實施例 〜24,即使使透過型、上面發光型、特別使採用 二貝2例15、16之構造式(1)-10之有機化合物以省略一部 刀=Γ /同’主入層14a之構成,相對於比較例7之單一單元型 之^光70件之發光效率,其發光效率成為2倍。藉此, 確5忍形成堆疊型之本發明之電荷產生層15、15,之效果。σ 特別是在電荷產生層15在其陰極16側之界面具有中間陽 97979.doc -46- 1268118 極層(CuPc)之實施例14,與其他實施例比較,碟認發光效 ^進步提升。藉此,藉由設置此類之中間陽極層,確認 '·冑升對於配置在比電荷產生層15更接近陰極關之發光單 • 兀14_2之電洞注入效率。 -再者,關於直接層疊比較例8之發光單元之構成之顯示 元件,無法比比較例7之單一單元型更取得發光效率,顯 不電荷產生層15(15,)之必要性。於使用比較例9之%〇5單 鲁 €之电荷產生層之構成之顯示元件,無法有效地從電荷產 生層將電子及電洞分別注入於電子輸送層14d及電洞注入 層14a,不能獲得與比較例1大致同等之發光效率。 於比較例10、11,即使將氟化物層(LiF)15a-1直接層疊 於本徵電荷產生層(V2〇5) 15b,仍無法進行良好之電子注 入,表示如實施例21、22介由導電性材料層(MgAg等)15a-2 ’才能有效進行電子注入。 並且,從比較例11之結果,若提高驅動電壓,電荷產生 • 層15之界面被破壞,效率急速上升,由此事亦暗示在將氟 化物層(LiF)15a-l直接層疊於本徵電荷產生層(V2〇5)15b之 構成,未有效地進行電荷注入,確認於其間設置導電型材 料層(MgAg等)15a-2所造成之效果。 又,於以上實施例5〜24,不使用特別不安定之材料,形 成在化學當量比上之組成嚴苛之膜,可僅使用安定材料, ’ 容易地製作各顯示元件。 ' «評估結果-3» 於圖10表示關於如以上製作之實施例19與比較例12之顯 97979.doc -47- 1268118 示元件,將初始亮度設為3000 cd/m2而進行壽命測定之結 果。從此結果可確認,即使於上面發光型之元件構成,相 對於比較例12之單一單元型之顯示元件,以實施例19所製 作之堆疊型顯示元件之半衰期大幅改善,對於長期可靠性 之提升有效。 <<評估結果-4» 於圖11表示關於如以上製作之實施例15與比較例7之顯 示元件,將初始亮度設為1500 cd/m2、Duty(負載)為5〇, 並保持室溫而進行壽命測定之結果。從此結果可確認,即 使於使用構造式(1)_10所代表之有機化合物以形成本徵電 荷產生層15b之顯示元件,相對於比較例7之單一單元型之 顯示元件,以實施例15所製作之堆疊型顯示元件之半衰期 改善2倍以上,對於長期可靠性之提升有效。其理由係根 據對於各元件之加速常數,加速常數一般表示在丨以上, 口此效率右改善2倍,可期待壽命改善2倍以上,亦如此地 獲得本結果。 <實施例25〜36> 於貝苑例25〜36,製作於利用圖4所說明之第四實施型態 之顯示元件u"之構成中,製作電荷產生層15"為分別之材 料及疊層構造之各顯示元件U,,。於此等實施例25〜36,在 上述實施例5〜16之製作步驟,除了將電荷產生層15,,之構 成變更為下述表11所示之構成以外,採用與實施例5〜16相 同之步驟,製作透過型顯示元件1Γ,。 97979.doc -48 - 1268118 表11 顯示元件11" 透過型
電荷產生層15” 中間陰極層 15a,, 膜厚(A) 本徵電荷產生層 15b 膜厚 (A) 實施例25 Alq3+Mg(5%) 50 構造式⑴-10 50 實施例26 Alq3+ Ca(5%) 50 構造式(1)-10 50 實施例27 LiF/Alq3+Mg(5%) 3/50 構造式(1)-10 50 實施例28 LiF/Alq3+Ca(5%) 3/50 構造式(1)-10 50 實施例29 Alq3+ Mg(30%) 50 構造式(1)-10 50 實施例30 Alq3+ Mg(50%) 50 構造式(l)-io 50 實施例31 Alq3+Li(3%) 50 構造式(l)-io 50 實施例32 AND+ Li(3%) 50 構造式⑴-10 50 實施例33 Alq3+ Cs(3%) 50 構造式(1)-10 50 實施例34 AND+ Cs(3%) 50 構造式(1)-10 50 實施例35 LiF/Alq3+ Li(3%) 3/50 構造式(1)-10 50 實施例36 LiF/Alq3+ Cs(3%) 3/50 構造式(l)-io 50 比較例 電荷產生層 比較例13 單一單元型(陰極構成與實施例27之電荷產生層相同) 比較例14 單一單元型(陰極構成與實施例28之電荷產生層相同) 97979.doc -49- 1268118 亦即,於實施例25〜36,作為電荷產生㈣"之中間陰極 層15a"’使用如上述表_示之各驗金屬歧土類金屬與 有機材料(ADN或Alq)之混合層所組成之中間陰極層】5&,,。 其中’於實施例27、28、35、36,作為中間陰極層15&,,, 採用從陽極13側,依序以分別之膜厚將氟化物層及混合層 成膜之疊層構造。並且採用表丨之構造式(1)_1〇所示之有機 材料,形成與中間陰極層15a"相接之本徵電荷產生層 15b 〇 <比較例13> 於比較例13,與比較例7相同,製作僅形成陽極13、發 光單元14-1、陰極16之單一單元型顯示元件。其中,陰極 16係與實施例27之電荷產生層15"相同構成。亦即,陰極 16之構成為第一層16a/第二層16b/第三層16c = LiF(約0.3 nm)/Alq3 + Mg(5%)(5 nm)/Al(20 nm)。藉此,獲得從基板 12側取出光之透過型顯示元件11·,。 〈比較例14> 於比較例14,在比較例13之構成中,使陰極16為與實施 例28之電荷產生層15M相同之構成。亦即,陰極16之構成 為第一層16&/第二層166/第三層16〇=1^(約0.3 11111)/八193 + Ca(5%)(5 nm)/Al(20 nm)。藉此,獲得從基板12側取出光 之透過型顯示元件11’’。 «評估結果-5» 於圖12表示關於如以上製作之實施例27與比較例13之顯 示元件,將電流密度設為125 mA/cm2時,進行Duty(負載) 97979.doc -50- 1268118 =50、至溫測定之壽命特性之結果。再者,此時,相對於 • 比較例13,實施例27之初始亮度約2倍。而且,如圖12所 '; 不,對於實施例27之顯示元件之初始亮度之半衰期係與對 ·· ;比較例13之顯示元件之初始亮度之半衰期相同程度以 上,因此相較於比較例13,實施例27之構成獲得2倍以上 之政率改善效果。因此,確認改善如實施例27,設有電荷 =生層15"之堆疊構造之顯示元件之壽命及效率,其中該 _ %何產生層15”係從陽極13側,依序層疊驗金屬及驗土類 金屬之至少一方(Mg)與有機材料(AlqJ之混合層,及構造 式(1)-10所代表之有機化合物所組成之本徵電荷產生層 而成。 關於以上’於貫施例28與比較例丨4之比較亦相同。其 中,實施例28之顯示元件之效率維持在比較例14之顯示元 之效率之約1.3倍。然而,在與上述同一條件(電流密度 口又為125 mA/cm2時,Duty5〇、室溫測定)比較壽命時,半 _ 衰功在比較例14及實施例28大致相同,確認疊層構造所造 成之長哥命效果。 關於實施例25、26與實施例27、28之比較,相較於中間 陰極層15a為單層構造之實施例25、%之顯示元件,具有 在界面側插入LiF(導電性材料層)之疊層構造之中間陰極層 、l5a之實施例27、28之顯示元件,可確認發光效率之改善 及長壽命化效果。然而,該差距小,反而再度確認層疊發 光單7L之堆疊構造所造成之效率改善及長壽命化。 關於貫施例25、29、30之比較,在使添加於中間陰極層 97979.doc -51 - 1268118 15a’’之鹼金屬及鹼土類金屬之至少一方(Mg)之添加量不同 此專實施例2 5、2 9、3 0之顯不元件,發光效率可莽得大 ; 致與實施例25同等之值,但隨著Mg比率之增加,壽命測 - 定時之偏差變大。從統計來看,與實施例25之壽命改善效 果比較,以實施例29、30之順序,其效果亦傾向變小。預 測此要因係來自中間陰極層15a,,之膜質伴隨Mg&率之增 加而變化。根據發明者等之檢討,驗金屬及驗土類金屬比 _ 率係實施例30之50%(相對膜厚比)程度為上限,將比率增 加至此以上’將帶來透過率降低及中間陰極層15a"之膜質 不安定性之增加,在形成層疊發光單元之堆疊構造上可能 不矛lj。 關於實加例3 1〜3 4之比較,於此等顯示元件,對於構成 電荷產生層15,,之中間陰極層(混合層)15,,,使用鹼金屬之 Li、Cs,對於分別進行共蒸鍍之有機材料,使用及 ADN。而且,於實施例31〜34之所有顯示元件,大致獲得 _ 比較例13之約2倍程度發光效率,壽命改善效果亦大致可 獲得與圖11相同之結果。 關於實施例35、36之比較,此等顯示元件獲得與實施例 27、28和實施例25、26之比較同樣傾向的結果,相較於在 中間陰極層15a’’插入LiF(導電性材料層)之疊層構造,反而 再度確認層疊發光單元之堆疊構造所造成之效率改善及長 、 壽命化。 、 〈實施例37〜58> 於實施例37〜58,製作利用圖7所說明之透過型之各顯示 97979.doc -52- 1268118 元件Uc、lie,、lie,,。於此等實施例37〜58之製作,首先 於30 mmx30 mm之玻璃板所組成基板12上,採用習知之技 / 術之光微影技術形成色轉換層18,其中該色轉換層18係將 - 把監色波長之激發光源轉換成紅色波長之色轉換膜1 ga, 及把監色波長之激發光源轉換成綠色波長之色轉換膜i 進行圖案化而成。 其後,於此色轉換層18之上面,按照上述實施例5〜16之 製作步驟,形成陽極13〜陰極16為止。其中,作為發光單 元14-1、14-2之電洞注入層I4a,以15 nm(蒸鍍速度〇·2〜〇 4 nm/sec)形成下述構造式(5)所示之2-ΤΝΑΤΑ[4,4,,4,,_三(2_ 萘酚苯胺)三苯胺]。又,將電荷產生層15、15,、15,,變更 為下述表12〜14所示之構成。
97979.doc -53- 1268118 表12 顯示元件11c :有色轉換層 透過型 電荷產生層15 中間陰極層 15a 膜厚 (A) 本徵電荷產生層 15b 膜厚 (A) 中間陰極層 膜厚 (A) 實施例37 Li2Si03 15 V2〇5 50 - - 實施例38 Li2Si03 15 構造式⑴-ίο 50 - 實施例39 Li2C03 15 V2〇5 50 - - 實施例40 Li2C03 15 構造式(l)-io 50 - -
表13 顯示元件11c’ :有色轉換層 透過型 電荷產生層15’ 中間陰極層15’ 本徵電荷產生層 15b 膜厚 (A) 氟化物層 15a-l 膜厚 (A) 絕緣性材料層 15a-2, 膜厚 (A) 實施例41 LiF 3 Li2Si03 15 V2O5 50 實施例42 LiF 3 Li2Si03 15 構造式(1)-10 50 實施例43 LiF 3 Li2Si03 15 v205 50 實施例44 LiF 3 Li2Si03 15 構造式(1)-10 50 97979.doc -54- 1268118 表14 顯示元件11c1 :有色轉換層 透過型
電荷產生層15” 中間陰極層 15a’, 膜厚(A) 本徵電荷產生層 15b 膜厚 (A) 實施例45 LiF/Alq3+ Mg(l%) 3/50 V2O5 50 實施例46 LiF/Alq3 十 Mg(l%) 3/50 構造式(1)-10 50 實施例47 LiF/Alq3+ Mg(2%) 3/50 V205 50 實施例48 LiF/Alq3+ Mg(2%) 3/50 構造式(1)-10 50 實施例49 LiF/Alq3+ Mg(5%) 3/50 V205 50 實施例50 LiF/Alq3+ Mg(5%) 3/50 構造式(1)-10 50 實施例51 LiF/Alq3+ Ca(3%) 3/50 V205 50 實施例52 LiF/Alq3+ Ca(3%) 3/50 構造式(1)-10 50 實施例53 Alq3+Cs(3%) 50 V205 50 實施例54 Alq3+Ca(3°/〇) 50 構造式(1)-10 50 實施例55 LiF/Alq3+ Li(3%) 3/50 V205 50 實施例56 LiF/Alq3+ Li(3%) 3/50 構造式⑴-10 50 實施例57 Alq3+Li(3%) 50 V2〇5 50 實施例58 Alq3+Li(3%) 50 構造式⑴-10 50 比較例15 單一單元型 顯示元件lla” :有色轉換層 上面發光 電荷產生層 實施例59 LiF/Alq3+ Mg(5%) 50 構造式(1)-10 50 比較例16 單一單元型 -55- 97979.doc 1268118 <比較例1 5 > 於利用圖7所說明之顯示元件之構成,於基板12與陽極 13間設置色轉換層18,於此陽極π上設置發光單元丨々」, 製作於此發光單元14-1上直接設置陰極16之單一單元之顯 示元件。製作步驟係於實施例37〜58之製作步驟,以相同 步驟僅形成色轉換層18、陽極13、發光單元14-1、陰極 16°
〈 <评估結果-6 >〉 於圖13表示如上述製作之實施例5〇及比較例15之顯示元 件之發光效率。如此曲線圖所示,相對於比較例丨5之單一 單元型之發光元件之發光效率,於實施例50之顯示元件, 其發光效率成為2倍。又,於其他實施例45〜58,相對於比 較例15之單-單元型之發光元件之發光效率,其發光效率 成為2倍。藉此,即使於使用色轉換層以之情況,仍可確 認形成堆疊型之本發明之電荷產生層15〜15,,之效果。 〈實施例59> 於實施例59’製作利用圖5所說明之上面發光型之各顯 ^件Μ。在此,於上述實施例50之製作步驟,作為陽 取肪0而形成絡(Cr:膜厚約♦並且作為 陰極16之第三層16c,形成ιζ〇(^拉…人— …… 成(銦鋅後合氧化物)2〇〇 _ 取代A1 ’製成攸陰極16側取出光 形成於陰極16上。 構成。又,色轉換層18 <比較例16> 單元型之顯示元件 製作對應於實施例59之單一 97979.doc -56- 1268118 «評估結果_7>> 一於圖Η表示關於如以上製作之實施例59與比較例“之顯 不7^件’將W始亮度設為3_ ed/m2而進行壽命測定之锋 果仗此結果可確認,即使於上面發光型之元件構 對於比較例16之輩H 玉之凡件構成’相 作…型η :之顯示元件’以實施例59所製 之提升有效。 改善’對於長期可靠性 【圖式簡單說明】 之一構成例之剖面 圖 圖1係表示第一實施型態之顯示元件 圖 圖 圖2係表示第二實施型態 之顯示元件之一構成例之 剖面 圖3係表示第三實施型態之顯示元件之—構成例之 剖面 圖 圖4係表示第四實施型態之顯示元件之一構成例之剖面 圖5係表示組合實施型態之顯示元件及色轉換膜之第一 例之剖面圖。 圖6係表示組合實施型態之顯示元件及色轉換膜之第二 例之剖面圖。 圖7係表示組合實施型態之顯示元件及色轉換膜之第三 例之剖面圖。 圖8係表示組合實施型態之顯示元件及色轉換膜之第四 例之剖面圖。 97979.doc -57- 1268118 圖9係表示實施例5、14及比較例7〜11之顯示元件之發光 效率之曲線圖。 圖1 〇係表示實施例19及比較例12之顯示元件之相對亮度 之經時變化之曲線圖。 圖11係表示實施例15及比較例7之顯示元件之相對亮度 之經時變化之曲線圖。 圖12係表示實施例2 7及比較例13之顯示元件之相對亮度 之經時變化之曲線圖。 圖13係表示實施例50及比較例15之顯示元件之發光效率 之曲線圖。 圖14係表示實施例5 9及比較例16之顯示元件之相對亮度 之經時變化之曲線圖。 圖15係表不以往之顯不7〇件之剖面圖。 圖16係表示以往之顯示元件之其他構成之剖面圖。 【主要元件符號說明】 1,1,,10, 10a 〜10d,11,11,,11" 顯示元件 2, 12 基板 3, 13 陽極 4 有機層 4-1,4·2,…;14-1,14-2,···; 發光單元 14a_l,14a_2 4a,14a 電洞注入層 4b, 14b 電洞輸送層 4c,14c 發光層 97979.doc -58 1268118
5, 16 陰極 6, 15, 15-0, 15,,15’’ 電荷產生層 7 電子注入層 14d 電子輸送層 15a,15a’ 界面層 15a’, 混合層 15a,15a,,15a,, 中間陰極層 15a-l 氟化物層 15a-2 導電性材料層 15a-2, 絕緣性材料層 15b 本徵電荷產生層 16a 第一層 16b 第二層 16c 第三層 18, 19 色轉換層 18a,18b,19a,19b,19c 色轉換膜 97979.doc 59-
Claims (1)
1268118 十、申請專利範圍: :』不7G件’其係於陰極與陽極之間,層疊複數個 =有有機發光層之發光單元,於該各發^元間夹持 =產生層;其特徵在於:前述電荷產生層係使用含有 双金屬及驗土類金屬之至少—方之氧化物所構成。 2·::::項1之顯示元件,其中前述電荷產生層係由 Ll2Sl〇3所組成。 Μ 3. 之顯示元件’其中前述電荷產生層係包含藉 由^2S1〇3與電荷輸送材料之混合層所構成之層。 4· Π:項1之顯示元件’其中前述電荷產生層係成為由 广〇3所組成之層仏挪3與電荷輪送材料之混合 ®層構造。 曰 5·如請求们之顯示元件,其中前述電荷產生層所含 述乳化物係構成該電荷產生層之前述陽極側之界面層。月 6. 如:求们之顯示元件,其中包含前述電荷產生層曰所含 之則4驗金屬之氧化物係選自Li2Si〇3、Li2c〇3、 中之至少1種。 2 3 7. 如明求们之顯示元件’其中前述電荷產生層之前述阶 極側之界面層係使用具有鈦菁骨- 8. 如請求们之顯示元件,其中前述電:=成。 性。 < ^何產生層為絕緣 9. 如請求们之顯示元件,其中前述電荷產生層係含有下 述一般式(1)所示之有機化合物; 97979.doc 1268118
----般式(1) 其中,於一般式⑴中,Ri〜R6係分別獨立地為選自 氫、鹵、羥基、胺基、芳香胺基、碳數2〇以下之取代或 無取代之羧基、碳數20以下之取代或無取代之羧酯基、 碳數20以下之取代或無取代之烷基、碳數2〇以下之取代 或無取代之烯基、碳數2〇以下之取代或無取代之烷氧 基、碳數30以下之取代或無取代之芳香基、碳數3〇以下 之取代或無取代之雜環基、腈基、硝基、氰基或甲矽烷 基之取代基;鄰接之R、m=1〜6)亦可經由環狀構造互相 結合;而且X1〜X6分別獨立地為碳或氮原子。 10·如請求項9之顯示元件,其中前述電荷產生層所含之前 述金屬氧化物係構成該電荷產生層之前述陽極側之界面 層;前述有機化合物係構成相接於前述界面層而設置之 本徵電荷產生層。 11· 一種顯示元件,其係於陰極與陽極之間,層疊複數個至 =含有有機發光層之發光單元,於該各發光單元間夾持 電荷產生層,其特彳政在於:在前述電荷產生層之前述陽 極侧之界面,設置使用含有鹼金屬及鹼土類金屬之至少 一方之氟化物之界面層。 12.如明求項i i之顯示元件,其中前述界面層係由導電性材 97979.doc 1268118 料層’及配置於該導電性材料層之前述陽極側之含有鹼 金屬及鹼土類金屬之至少一方之氟化物所組成之層所構 成。 13·如請求項12之顯示元件,其中前述導電性材料層係含有 鎂、銀及鋁之至少1種。 14·如喷求項π之顯示元件,其中前述電荷產生層之前述陰 極側之界面層係使用具有鈦菁骨架之有機材料所構成。 15·如請求項11之顯示元件,其中相接於前述界面層之前述 電荷產生層部分為絕緣性。 16.如請求項11之顯示元件,其中前述電荷產生層係含有下 述一般式(1)所示之有機化合物;
其中,於一般式(1),R1〜R6係分別獨立地為選自氫、 鹵、羥基、胺基、芳香胺基、碳數20以下之取代或無取 代之叛基、碳數20以下之取代或無取代之羧酯基、碳數 20以下之取代或無取代之烷基、碳數2〇以下之取代或無 取代之烯基、碳數20以下之取代或無取代之院氧基、碳 • 數3〇以下之取代或無取代之芳香基、碳數30以下之取代 - 或無取代之雜環基、腈基、硝基、氰基或甲矽烷基之取 代基;鄰接iRm(m= 1〜6)亦可經由環狀構造互相結合; 97979.doc 1268118 17 Γ:ΓΓ分别獨立地為碳或氮原子。 i 7·如明求項1 6之顯+ ; 搞你I /少广 ' ,其中前述界面層係以從前述陽 :配置之合有鹼金屬和鹼土類金屬之至少-方之 人你/所、、且成之層及導電性材料層所構成;前述有機化 &物係構成相接於前 获於别述界面層而設置之本徵電荷產生 層0 員丁元件’其係於陰極與陽極之間,層疊複數個至 少:有有機發光層之發光單元,於該各發光單元間夾持 電荷產生層,其特徵在於:前述電荷產生層係於將驗金 屬、驗土類金屬中之至少__種元素與有機材料之混合層 及本徵電荷產生層相接之狀態,從前述陽極側依序層疊 而成。 19·如請求項18之顯示元件,其中前述本徵電荷產生層係含 有下述一般式(1)所示之有機化合物;
其中,於一般式(1),R1〜R6係分別獨立地為選自氫、 鹵、羥基、胺基、芳香胺基、碳數20以下之取代或無取 代之羧基、碳數20以下之取代或無取代之羧酯基、碳數 20以下之取代或無取代之烷基、碳數20以下之取代或無 取代之烯基、碳數20以下之取代或無取代之烷氧基、碳 97979.doc 1268118 數30以下之取代或無取代之芳香基、碳數以下之 或無取代之雜環基、腈基、硝基、氰基或甲钱基之取 代基,鄰接之Rm(m=1〜6)亦可經由環狀構造互相結人, 而且X〜Χ6分別獨立地為碳或氮原子。 口, 20.如請求項18之顯示元件,其中前述混合層中 屬及驗土類金屬之至少一方之比例 迷鹼金 50%以下。 對搞厚比為 請求項18之顯示元件,其中於前 知極側之界面,設置使用含有驗金屬及驗土2之前述 少一方之氟化物之界面層。 領金屬之至 A如請求項18之顯以其中前 極側之界面層係使用具有欽菁骨架述陰
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Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004040928 | 2004-02-18 | ||
JP2004040927 | 2004-02-18 | ||
JP2004153204 | 2004-05-24 | ||
JP2004334193 | 2004-11-18 | ||
JP2005008548A JP5167571B2 (ja) | 2004-02-18 | 2005-01-17 | 表示素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW200539733A TW200539733A (en) | 2005-12-01 |
TWI268118B true TWI268118B (en) | 2006-12-01 |
Family
ID=34865459
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW094104936A TWI268118B (en) | 2004-02-18 | 2005-02-18 | Display element |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7736754B2 (zh) |
EP (1) | EP1718120B1 (zh) |
JP (1) | JP5167571B2 (zh) |
KR (3) | KR101212851B1 (zh) |
CN (1) | CN100482019C (zh) |
TW (1) | TWI268118B (zh) |
WO (1) | WO2005076753A2 (zh) |
Families Citing this family (89)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006075822A1 (en) * | 2004-04-09 | 2006-07-20 | Lg Chem, Ltd. | Stacked organic light emitting device having high efficiency and high brightness |
JP4461367B2 (ja) * | 2004-05-24 | 2010-05-12 | ソニー株式会社 | 表示素子 |
TWI382079B (zh) * | 2004-07-30 | 2013-01-11 | Sanyo Electric Co | 有機電場發光元件及有機電場發光顯示裝置 |
JP4578215B2 (ja) * | 2004-11-30 | 2010-11-10 | 三洋電機株式会社 | 有機エレクトロルミネッセント素子及び有機エレクトロルミネッセント表示装置 |
JP4565921B2 (ja) * | 2004-07-30 | 2010-10-20 | 三洋電機株式会社 | 有機エレクトロルミネッセント素子及び有機エレクトロルミネッセント表示装置 |
JP4565922B2 (ja) * | 2004-07-30 | 2010-10-20 | 三洋電機株式会社 | 有機エレクトロルミネッセント素子及び有機エレクトロルミネッセント表示装置 |
JP4434872B2 (ja) * | 2004-07-30 | 2010-03-17 | 三洋電機株式会社 | 有機エレクトロルミネッセント素子及び有機エレクトロルミネッセント表示装置 |
JP4785386B2 (ja) * | 2005-01-31 | 2011-10-05 | 三洋電機株式会社 | 有機エレクトロルミネッセント素子及び有機エレクトロルミネッセント表示装置 |
JP2006066379A (ja) * | 2004-07-30 | 2006-03-09 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセント素子及び有機エレクトロルミネッセント表示装置 |
EP1653529B1 (en) | 2004-10-11 | 2007-11-21 | Samsung SDI Co., Ltd. | Organic electroluminescent device and method of manufacturing the same |
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- 2005-02-18 TW TW094104936A patent/TWI268118B/zh active
- 2005-02-18 KR KR1020127000026A patent/KR101212851B1/ko active IP Right Grant
- 2005-02-18 KR KR1020127000027A patent/KR101212848B1/ko active IP Right Grant
- 2005-02-18 WO PCT/JP2005/003080 patent/WO2005076753A2/ja active Application Filing
- 2005-02-18 US US10/597,981 patent/US7736754B2/en active Active
- 2005-02-18 EP EP05710680.9A patent/EP1718120B1/en active Active
- 2005-02-18 CN CNB2005800116736A patent/CN100482019C/zh active Active
-
2006
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Also Published As
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KR20070004630A (ko) | 2007-01-09 |
EP1718120A4 (en) | 2011-05-18 |
KR20120013463A (ko) | 2012-02-14 |
JP2006173550A (ja) | 2006-06-29 |
EP1718120B1 (en) | 2019-04-17 |
KR101212848B1 (ko) | 2012-12-14 |
EP1718120A2 (en) | 2006-11-02 |
TW200539733A (en) | 2005-12-01 |
WO2005076753A2 (ja) | 2005-08-25 |
KR101212851B1 (ko) | 2012-12-14 |
CN100482019C (zh) | 2009-04-22 |
CN1943277A (zh) | 2007-04-04 |
US20070181887A1 (en) | 2007-08-09 |
US7736754B2 (en) | 2010-06-15 |
KR101174530B1 (ko) | 2012-08-16 |
KR20120014230A (ko) | 2012-02-16 |
WO2005076753A3 (ja) | 2005-10-06 |
JP5167571B2 (ja) | 2013-03-21 |
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