TWI267899B - Optimized correction of wafer thermal deformations in a lithographic process - Google Patents

Description

1267899 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於微影裝置，更特定言之，係關於修正微影 裝置中的晶圓基板變形。 【先前技術】 微影裝置係-將所需圖案應用到基板之目標部分或目標 區域的機器。微影裝置可用於，例如，積體電路（IC)的製造^ 在此情形中，圖案化元件，例如遮罩（即標線片），可用以產 生對應於IC之一個別層之一電路圖案’而且可將此圖案成 像到基板（如一矽晶圓）上之一目標區域（如包含不到一個、 一個或多個晶粒）上，該基板具有一層輻射敏感材料（光阻）。 一般而言，單一基板將包含連續接受曝光之鄰近目標部 分或區域的網路。已知的微影裝置包括所謂的「步進機」， 其中每一目標區域係使用靜止的照明將整個圖案曝光於該 目標區域而受到照射’以及一所謂的「掃描器」，其中每一 目標區域係、#由透過該投影光束沿一給定方向（「掃描」方 向）掃瞄該圖案同時平行或反平行於此方向同步掃描該基 板而受到照射。 儘管本文中特別參考了微影裝置在1C製造中之使用，但 應瞭解，本文所述微影裝置可具有其他應用，例如積體光 學系統之製造、磁域記憶體之導引與偵測圖案、液晶顯示 器（LCD)、薄膜磁頭等。專業人士應瞭解，在此類替代性應 用中本文對術語「晶圓」或「晶粒」的任何用法必須分 別視為與更-般的術語「基板」及「目標部分/區域」同義。 98020-950213.doc 1267899 本文所參考的基板可在曝光之前或之後，在如執跡工具（通 常可將光阻層塗到基板上並顯影曝光光阻的工具）或度量 衡或檢驗工具中進行處理。 只要適用，本文之揭示内容可應用於此類及其他基板處 理工具。此外，例如為了產生多層ic，可將該基板進行不 止一次的處理，因而本文所用術語r基板」亦可指已包含 多個處理層的基板。 本文所用術語「輻射」及「光束」涵蓋所有類型的電磁 輻射’包括：紫外線（UV)輻射（如，波長為365、248、193、 =7或126 nm)及遠紫外線（EUV)輻射（如，波長在5至2〇 乾圍之間），以及如離子束或電子束之粒子束。 本文中所使用的術語「圖案化元件」應廣泛地解釋成表 示可賦予-輕射光束一圖案化斷面的元件，以便可 板的目標區域中產生一圖宰。岸、、主立、以土 Q系應，主忍，被賦予於該投影光 ^中的圖案可能不會確實對應到該基板之目標區域中的所 而圖案。一般而言，被賦予於該投影光束中的圖案將會對 應到欲產生於該目標區域中之—元件中的 例如積體電路。 不刀此層 可能係透射式或反射式。圖案化元件之範 匕括遮罩、可程式鏡面陣 彳以及可程式LCD面板。辦 在微影術中廣為人知，包括如二進制板‘ 衰減式相位偏移等遮罩類型 X ;目位偏移 程切而“ 旱一土 1及各種混合遮罩類型。 粒式鏡面陣列之一範例伤^ 矩㈣m 由複數個小鏡面所組成之. -置母個小鏡面可個別傾 別傾斜以便朝不同的方向來， 98020-950213.doc 1267899 射入射輕射光束；依此方式來圖案化經反射的光束。 該支撐結構會支揮，即承載該圖案化元件的重量。其可 依照該圖案化元件的方位、該微影裝置的設計、以及其它 條件(舉例來„兄’該圖案化元件是否被固持於真空環境中) 來固持該®案化元件°該支撐體可利用機械钳止技術、真 空技術、或其它鉗止技術(舉例來說，真空條件下的靜電鉗 止法）。該支撐結構可能係―框架或是n %要時其可 牝係固夂式或疋移動式’其可確保該圖索化元件處於相對 於該投影系統的預期位置處。本文對術語「標線片」或「遮 罩」的任何用法都可視為與更一般的術語「圖案化元件」 同義。 本文所用術語「投影系統」應廣泛地解釋為包含各種類 型的投影系統，包括折射光學系統、反射光學系統與反折 射光學系統，視所用的曝光輻射而定，或視其他因素而定， 例如浸泡流體的使用或真空的使用。本文對術語「透鏡」 的任何用法可視為與更一般的術語「投影系統」同義。 該照明系統可能還涵蓋各種類型的光學組件，其包含折 射式光學組件、反射式光學組件、反折射式光學組件，用 以‘引、塑造或控制該輕射投影光束，而且此等組件於下 文中亦可以統稱或單獨稱為「透鏡」。 該微影裝置的類型可具有二（雙級）或更多的基板台（及/ 或二或更多的遮罩台）。在此類「多級」機器中，可平行使 用額外的基板台，或在一或更多基板台上進行準備步驟， 而將一或更多其他基板台用於曝光。 98020-950213.doc 1267899 該微影裝置的類型還可能會將該基板浸泡於折射率較高 的液體（例如水）中，以便填充介於該投影系統之最終元件和 该基板之間的空間。亦可將浸液塗敷於微影裝置中的其它 空間，例如遮罩與投影系統之第一元件之間的空間。本技 術中已熟知利用浸泡技術來提高投影系統的數值孔徑。 對越來越小之半導體元件之需求，推動使微影製程獲得 具有較小關鍵尺寸（「CD」）之圖案特徵和輪廓之需要。而 且，如上所述，此類元件可能包含多個層，需要將連續的 層精確地定位到先前的層上。不用說，重要的係，以盡可 能小的覆蓋誤差一致地重製此等較小的元件，以產生高品 質的晶圓基板W。 然而，在微影製程期間，會有許多的活動引起覆蓋誤差， k而使已曝光圖案的品質受到影響。確實，用於將該圖案 投影到個別目標區域C上的微影曝光製程可能引起覆蓋誤 差。特定言之，在曝光期間施加於目標區域C上的能量係由 晶圓基板W作為熱能而吸收。所吸收的熱能可能引起目標 區域C在曝光下變形。此類變形可能導致不可接受的覆蓋與 聚焦誤差，從而大幅降低生產良率。 一般而言，在減少圖案偏移和晶圓基板變形的努力中， 微影製造方案採用修正偏移程序來決定並補償許多鱼處理 相關的誤差。此等程序係基於決定平均目標區域^的參 數’然後決定平均M票區域Cave的修正偏#。然後將該等修 正偏移回饋至一製程控制模組，其實施該等偏移以重新校 準各種製程，以便符合平均目標區域Cave的特徵。然而，給 98020-950213.doc 1267899 定曝光期間可能私& Μ > 钐生的各種熱致變形，對於許多情形，根 據平均目標區地Ρ /欠《Τ , 蛛ave修正此類變形證明並非最佳（如果並非 不當的話）。 【發明内容】 如本文所具體化及廣泛說明，與本發明之原理-致的系 統、裝置與方法用於修正微影曝光製程期間由基板熱效應 =起的基板變形。本發明的_項具體實施例包括根據㈣ 疋的曝光貝訊將一圖案曝光於一基板的複數個區域上，並 測量該等區域的屬性，θ t Μ 乂 4估精由该曝光製程的熱效應所 弓曰I起的該等區域之變形。該方法進—步包括根據該等所測 里的屬(生來決定修正資訊，並根據該修正資訊來調整該預 指定的曝光資訊，以補償該等熱致區域變形。 具體實施例包括憑經驗導出—熱修正模型，以補償目標 區域的變形。其他具體實施例包括，在曝光之前，使用^ 測杈型來預測對該等區域的熱致效應。該等預測模型包括 根據一熱模型並根據當橫跨該晶圓傳輸能量時的時間衰減 特彳玫來預測S亥等區域之每一區域内選定點的變形效應。 其他具體實施例包括，在曝光之前，測量橫跨該基板的 溫度變化’以提供-變形圖。可能藉由使用熱圖形成像來 測量溫度變化。 雖然本文提供使用本發明的裝置製造Ic的特定參考，作 必須明白該裝置具有許多其他的應用。舉例來說，可使用 於製造整合光學系、统、磁域記憶體之導弓案、液 晶顯示器面板、薄膜磁頭等。熟習此項技術者將會瞭解到， 98020-950213.doc - 10- 1267899 在此等替代應用内文中，對術語「標線片」、「晶圓」或「晶 粒」的任何用法都應該視為可分別由更一般的術語「遮 罩」、「基板」及「目標部分/目標區域」來取代。 【實施方式】 如上所述，當曝光期間施加於一目標區域c的能量係作為 熱能而由晶圓基板w吸收時，用於將該圖案投影至該等個 別目標區域上的微影曝光製程可能引起圖案偏移與目標區 域c之麦形。此4變形可能在晶圓基板w中導致不可接受的 覆蓋誤差。 如以下更詳細地說明，本發明涵蓋各種藉由考慮此類變 形的特徵並決定曝光修正資訊而減輕微影系統中之熱致變 形的具體實施例。每一此等具體實施例接著可調適性地應 用曝光修正，以補償變形，從而減少覆蓋誤差。 圖1A示意性地說明根據本發明一特定具體實施例之微影 裝置100。微影裝置100包含： 一照明系統：用於提供一輻射（例如uv或Euv輻射）投影 光束ΡΒ之照明器IL ; -第-支撐結構··(例如遮罩台、遮罩固持器)μτ，用於 支撑圖案化it件（例如遮罩）ΜΑ並連接至第—定位機制 ΡΜ’用於相對於項目PL精確地定位該圖案化元件； 一基板台：(例如晶圓台、晶圓固持器)WT，用於固持一 基板（如6塗佈光阻的晶圓）w並連接至m機制PW， 用於相對於項目PL來精確地定位該基板；及 一投影系統：（例如-反射投影透鏡）PL，用於藉由圖案 98020-950213.doc 1267899 化元件ΜΑ將賦予於投影光束PB之一圖案成像到基板|之 —目標區域C(如包含一或多個晶粒）上。 如圖1A所述，微影裝置1〇〇屬於一反射類型（例如，採用 上述類型之反射遮罩或可程式鏡面陣列）。或者，該裝置可 為一透射型裝置（如採用一透射遮罩）。 照明器IL接收來自輻射源SO的輻射光束。例如當輻射源 係一電漿放電源時，輻射源與微影裝置1〇〇可為單獨的實 體。在此類情形中，不認為該輻射源形成微影裝置1〇〇之部 分且輻射光束一般在一輻射收集器（包含例如適當的收集 鏡面及/或光譜純度濾光器）的幫助下自輻射源s〇傳至照明 器IL。在其他的情形下，輻射源可為裝置1〇〇的整體部分， 例如，當輻射源為水銀燈時。輻射源s〇與照明器比可稱作 一輻射系統。 妝明Is IL可包含用於調整光束的角形強度分佈之調整機 制。通常，可調整照明器光瞳平面内強度分佈的至少外部 及/或内。卩I向範圍（通常分別稱為σ外部及c内部）。該照明 杰提供一經調節的輻射光束，稱為投影光束ΡΒ，其斷面具 有所需的均勻性與強度分佈。 該投影光束ΡΒ係入射於該遮罩ΜΑ上，而該遮罩ΜΑ係固 持於遮罩台“丁上。由遮罩撾人反射之後，投影光束通過 透鏡PL ’该透鏡pL將該光束聚焦於基板…之目標區域c 上。借助於第二定位機制PW與位置感測器IF2(例如一干涉 測里兀件）’可精確地移動該基板台WT，例如藉以定位光 束PB之路控中不同的目標區域C。同樣地，可使用第一定 98020-950213.doc -12- 1267899 位機制PM與位置感測器IF丨來相對於光束pB之路徑精確地 定位遮罩ΜA，例如可在以機械方式從遮罩庫中取出該遮罩 之後或是在掃描期間來進行。一般而言，可在長衝程模組 與短衝私模組的幫助下實現物件台％丁與WT的移動，該等 模組形成定位機制PM與PW之部分。然而，在步進機的情 形中（與掃描器相反），遮罩台Μτ可能僅連接至短衝程驅動 器或疋為固疋的。可使用遮罩對準標記M丨' M2及基板對準 PI、P2來對準遮罩μα與基板w。 可將微影裝置100用在以下較佳的模式中： 步進模式：遮罩台ΜΤ及基板#WT係保持靜止的，同時 賦予於投影光束的整個圖案係一次(即單一靜態曝光)投影 到一目標區域C上。然後基板台资往乂及/或丫方向偏移， ^而可曝光不同的目標區域C。在步進模式中，曝光視場的 最大尺寸會限制目標區域C在單一靜態曝光中成像的尺寸。 掃描模式：同步掃描遮罩台MT及基板台WT，同時賦予 於投影光束的圖案係投影到一目標區域C上（即單-動態曝 光）。基板台WT相對於遮罩台Μτ之速率及方向係由投影系 統PL的（反）放大率及影像反轉特徵來決定。在掃描模式 :’曝光視場的最大尺寸會限制目標區域在單一動態曝光 二：丸度(在非掃描方向中)，而掃描動作的長度可決定目標 區域C的高度（在掃描方向中）。 、 另一模式：將遮罩台MT基本上保持靜止，固持一 圖案化元件，並且者脾目 4、工n 八 尸㈣"田將賦予投影光束的圖案投影於—目 ^域c上時’移動或掃描基板台资。在此模式中，一般 98020-950213.doc 1267899 採用一脈衝輻射源’並且根據需要在每次移動基板台资之 後或在掃描期間的連績輻射脈衝之間，更新該可程式圖案 化70件jt匕作業权式可容易地應用於採用可程式圖案化元 件(^ί列如上述類型的可程式鏡面陣列）的無遮罩微影技術中。 微影裝置刚也可採用上述應用模式之組合及/或變化， 或採用完全不同的應用模式。 如上所4，可將微影裝置配置為一透射型I置（例如採用 透射遮罩）。圖1Β示意性地說明具有透射配置之微影裝置 150，其包含： 妝明系統：用於提供一輻射（例如1；¥輻射或另一輻射） 投影光束ΡΒ之照明器IL ; 第一支撐結構：（例如遮罩台、遮罩固持器）MT，用於 支撐圖案化το件（例如遮罩）MA並連接至第一定位機制 PM，用於相對於項目PL精確地定位該圖案化元件； 一基板台：（如晶圓台、晶圓固持器）WT，用於固持一基 板（士已k佈光阻的晶圓）w並連接至第二定位機制pw，用 於相對於項目PL來精確地定位基板；及 一投影系統··（例如一折射式投影透鏡）PL，用於將圖案 化凡件MA賦予給投影光束pB的圖案成像於基板w的一目 標部分C(例如包括一或多個晶粒）之上。 照明器IL接收來自輻射源s〇的輻射光束。該輻射源及微 〜衣置150可以是單獨的實體，例如，當該輻射源為同核複 合分子雷射時。在此種情況下，該輻射源不算形成微影裝 置150的部分及輻射光束會借助包含如合適導弓|鏡面及/或 98020-950213.doc -14- 1267899 :束擴展器之光束輸送系統BD，從輕射源s〇傳到照明器 L。在其他的情形下’輻射源可為裝置⑽的整體部分，例 ，"輪射源為水銀燈時。輻射源阳與照明器江，連同需 要時的光束輸送系統BD，可稱為輕射系統。 照明器IL可包含用以調整光束之角形強度分佈的調整機 制AM。通常，可調整照明器光瞳平面内強度分佈的至少外 部及/或内部徑向範圍（通f分別稱為σ外部及σ内部此 外’該照明器IL 一般包含各種其他組件，例如一積分㈣ 與-聚光器C0。該照明器提供一經調節的輕射光束，稱為 投影光束ΡΒ，其斷面具有所需的均勻性與強度分佈。 該投影光束ΡΒ係入射於該遮罩驗上，而該遮罩μα係固 持於遮罩台ΜΤ上。穿過遮罩财之後，投影光束ρΒ通過透 鏡PL，該透鏡PL將該光束聚焦於基板w之目標區域匸上。 借助於第二定位機制PW與位置感測器IF(例如一干涉測量 元件），可精確地移動該基板台冒丁，例如藉以定位光束^ 之路徑中不同的目標區域C。同樣地，可使用第一定位機制 PM及另外的位置感測器（圖丨中未明確描繪）來相對於該光 束PB之路徑精確地定位該遮罩MA，舉例來說，可在以機械 方式從遮罩庫中取出該遮罩之後或是在掃描期間來進行。 一般來說，該等物件工作台MT及WT的移動可以藉由長程 模組以及短程模組來達成，該等模組會形成該等定位機制 PM及PW的一部分。然而，在步進機的情形中（與掃描器相 反），遮罩台MT可能僅連接至短衝程驅動器或是為固定 的。可使用遮罩對準標記Μ1、M2及基板對準標記p丨、p2 98020-950213.doc -15 _ 1267899 來對準遮罩ΜΑ與基板W。 可將微影裝置150用在以下較佳的模式中： 步進模式：基本上遮罩台MT及基板台WT係保持靜止 的，同時賦予於投影光束的整個圖案係一次（即單一靜態曝 光）投影到一目標區域C上。然後基板台WT往X及/或γ方向 偏移，從而可曝光不同的目標區域c。在步進模式中，曝光 視場的最大尺寸會限制目標區域。在單一靜態曝光中成像 的尺寸。 掃描模式：同步掃描遮罩台MT及基板台资，同時將賦 予於投影光束的圖案係投影到一目標區域c上(即單一動離 曝光）。1板台WT相對於遮罩台MT之速率及方向係由㈣ 糸統PL的⑷放大率及影像反轉特徵來決定。在掃描模式 中’曝見場的最大尺寸會限制目標區域C在單一動態曝光 中的寬度（在非掃描方向中），而掃描動作的長度可決定目標 區域C的高度（在掃描方向中）。 丁 必个丄丨木狩…—印付一可程 圖案化元件，並且當將一賦予投影光束的圖案投影於一 標區域C上，移動或掃描基板台WT。在此模式中，十 用一脈衝輕射源’並且根據需要在每次移動基板台资之^ 或：掃描期間的連續輕射脈衝之間，更新該可程式圖❸ 几件。此作«式可容W應料採料程相 微…二 列)的無遮罩微影技術中。 二 也可採用上述應用模式之組合及/或變化， 或採用兀全不同的應用模式。 一 98020-950213.doc • 16 - 1267899 如上所述，微影曝光製程可能藉由在已曝光的目標區域c _ 中引起熱致變形與圖案偏移而在晶圓基板W引起覆蓋誤 差。一般而言，當曝光目標區域Ci時，其吸收熱能，並以 取決於晶圓基板W之熱特性（例如吸收、輻射、傳導等）之方 式而進行局部加熱。因此，目標區域Ci之曝光亦可加熱目 標區域Ci周圍的鄰近目標區域ci+k。當連續的、鄰近的目標 區域ci + 1隨後被曝光時，前一目標區域Ci繼續冷卻，但可能 亦遭受一些由於目標區域Ci+l之曝光而引起的殘留加熱。 目標區域C所經歷的許多加熱與冷卻事件以及晶圓基板籲 w的熱特性可能引起許多目標區域變形。此等目標區域變 形可能以平移變形（參見圖1C)、放大變形（參見圖1D)、旋 轉變形（參見圖1E)、形狀變形（參見圖1F)及/或其任何組合 (參見圖1G)的形式發生。 第一具體實施例 圖2A不意性說明根據本發明一特定具體實施例構造與運 作的熱修正製程200之一般發明概念。如圖2A所述，修正製 程200開始於程序任務P2〇2，其提供初始的曝光配方。曝光 配方將欲由投影光束PB聚焦的能量數量指定到晶圓基板w N上’以符合製造商指定的已曝光圖

98020-950213.doc 的每一目標區域(^至。上，j; 案之特徵與輪廓。應明白，旁 晶圓基板W的目標區域（^至匸 十亙定。然而，即佶A 玺目触名 -17- 1267899 輕熱效應。 曝光配方亦可能包括相關的曝光位置資訊，其識別對於 每一目標區域C^Cn之區域，欲聚焦投影光束PB的預指定 的座標。曝光配方可能進一步包括相關的曝光順序資訊， 其識別欲藉由投影光束PB曝光每一目標區域(^至。之預指 定的順序。 熱修正製程200接著前進至程序任務p2〇4,其中以與以上 說明一致的方式並根據包括曝光時間、曝光能量、曝光座 標定位和曝光定序在内的曝光配方，藉由微影裝置1〇〇、 150，以所需的圖案連續地曝光晶圓基板w的目標區域q至 CN。 曝光之後，修正製程200接著前進至程序任務p2〇6，其中 對所曝光的晶圓基板界進行一測量製程。將測量製程配置 成測量目標區域Ci至cN及/或晶圓基板w之各種表示晶圓加 熱效應的屬性與人卫因素。此類所測量的屬性可能包括， 例如，個別目標區域C的尺寸、料測試圖案、與層相關的 對準標記、目標區域C之特徵間的間隙、目標區域孔及/或 柱的X及/或Y直徑、目標區域？丨芬 A孔及/或柱之橢圓率、目標區 域特徵的面積、特徵頂部的寬戶 見戾特徵中間的寬度、特徵 底部的寬度、特徵側壁角等。

’ I稽®採用微京^ u 祭^ 置100、150内的各種機制，例备批、隹A 例如對準感測器與標記器的 合或配置用於此類目的的專用咸 用感测裔來進行測量。或者 可藉由外部元件來執行此等測 寻劂里，例如掃描電子顯微 98020-950213.doc 1267899 (SEM)、分光鏡橢圓計、反射計、 町寸、電線寬度測量（ELM)、聚 焦離子束（FIB)、電子束、屌；+ # 不原子力顯微鏡（AFM)、散射儀、 缺陷檢查工具、覆蓋測量工且痞1 /、A其他適用於此類目的的工 具。 在程序任務測中，根據已曝光目標區域Ci至CN之所測 量的屬性’熱修正製程200憑經驗導出—熱修正模型，以補 償目標區域CjCN的變形。熱修正模型的特徵為： ;其中 〇)

Ti = Ti (t，ti，己）；以及 （2) =Di (r,FnG) (3)

Ti:表示曝光一目標區域⑽熱效應，其中t係目前的時 間，ti係曝光目標區域(^的時間，並且c =(Ci，c2，...，Cn) 表不已校準參數的向量，此等參數對應於微影曝光組件關 於時間的熱特性； •表示已曝光的目標區域Ci與目前欲曝光的目標區域 之間的距離所引起的效應，其中r—係目前所曝光的晶圓基板 W之點，5係目標區域Ci的點，並且5 表示已校準參數的向量，該等參數對應於微影曝光組件關 於距離的熱特性。 在一項具體實施例中，Ti可能採取時間衰減函數的形 式，例如e r，其中己Ξ τ。換言之，τ表示取決於微影 曝光組件之熱特性之時間敏感度常數。同樣，Di可能採取 距離衰減函數的形式，例如，其中& Ξ γ。亦即，％表示 微影曝光組件的空間熱特性。 98020-950213.doc -19- 1267899 應明白，程序任務P2〇2至P2〇8可能重複多次，直至該等 已曝光目標區域(^至。的所測量屬性達到預定義的臨界品 貝等級。熱修正製程2〇〇接著藉由前饋對應的熱修正參數而 將V出的熱修正模型應用於隨後晶圓基板w的曝光處理。 例如，可將對應的參數應用於曝光配方，以與所導出之熱 修正模型相一致的方式來調整曝光時間、曝光能量、曝光 座標定位與曝光定序。 弟一具體實施例 圖2B不意性說明根據本發明一特定具體實施例構造與運 作的熱修正製程25〇之一般發明概念。如圖2B所述，修正製 程250開始於程序任務P252，其提供初始的曝光配方。如上 所述，曝光配方可能包括曝光時間、曝光能量、曝光座標 定位與曝光定序資訊。 熱修正製程250接著前進至程序任務p254，其中以與以上 說明一致的方式並根據曝光配方，藉由微影裝置1〇〇、15〇， 以所需的圖案連續地曝光晶圓基板w的目標區域^至^。 曝光之後，修正製程250接著前進至程序任務p256，其中 對所曝光的晶圓基板W進行一測量製程。將測量製程配置 成測量目標區域Ci至CN&/或晶圓基板w之各種表示晶圓加 熱效應的屬性與人工因素。此類所測量的屬性可能包括， 例如，個別目標區域C的尺寸、特定測試圖案、與層相關的 對準標圮、目標區域C之特徵間的間隙、目標區域孔及/或 柱的X及/或Y直徑、目標區域孔及/或柱之橢圓率、目標區 域特徵的面積、特徵頂部的寬度、特徵中間的寬度、特徵 98020-950213.doc -20- 1267899 底部的寬度、特徵側壁角等。 一部分此等測量可在内部勃〜 φ 執仃，·即藉由採用微影曝光裝 、15 0内的各種機制，例 人+ 1巧如對準感測器與標記器的組 &或配置用於此類目的的衷 ”丄 的的專用感測器來進行測量。或者， 可猎由外部元件來執行此等 、 兮別里，例如掃描電子顯微鏡 (SEM)、分光鏡橢圓計、反身 h十、電線寬度測量（ELM)、聚 焦離子束（FIB)、電子炭、；5上丄 ^ 原子力顯微鏡（AFM)、散射儀、 、檢查工具、覆蓋測量工具 〃 3其他適用於此類目的的工 具。 θ在程序任務Ρ25δ中，根據已曝光目標區域之所測 1的屬性，熱修正製程25G決定熱修正資訊，以補償目標區 域Q至CN的非均勻性盥轡飛。+丄^ J ，、支形在此項具體實施例中，熱修 正資訊採取修正曝光位置偏移的形式。亦即，在曝光期間， 投影光束PB聚焦於每一目標區域CjCn之預指定的座標。 由於目標區域變形係至少部分地基於目標區域。曝光座標 局部地回應於熱能量以及藉由目標區域心周圍的鄰近目標 區域CW斤吸收的殘留熱能之方式，故調整每一目標區域 匕至。的曝光座標可減少目標區域變形的產生。因此，埶 修正製程250在程序任務P258中計算每—目標區域Ci至i 的修正曝光位置偏移，以便使熱致目標區域變形最小化。 熱修正製程250 ’接著藉由將偏移回饋至曝光配方而應用 此等修正位置偏移，以修改並更新相關的曝光座標資訊， 如程序任務P260中所指示。替代修改可能包括調整如上所 述之曝光時間、曝光能量與曝光定序。製程25〇可能重複數 98020-950213.doc -21 - 1267899 -人，直至已曝光的圖案達到製造商所指定的特徵與輪廓。 第三具體實施例 圖3不意性說明根據本發明一特定具體實施例構造與運 作的熱修正製程300之一般發明概念。如圖3所述，修正製 程300開始於程序任務P3〇2,其提供初始的曝光配方。如上 關於其他所揭示具體實施例所述，曝光配方可能包括曝光 時間、曝光能量、曝光座標定位與曝光定序資訊。 熱修正製程300接著前進至程序任務P3〇4，其中決定熱修 正。在此項具體實施例中，熱修正資訊根據全域擴展模型 而採取預測變形資訊的形式。特定言之，如圖丨G所示，例 如可將由於母一目標區域C i之區域内選定點（X，y)的熱效 應所引起的變形模擬為：（X + AX，y + Ay)，其中Δχ、 分別表示目標區域點沿x與y方向的實際變形。實際的變形 可能包括平移、放大、旋轉效應及其組合。 實際的X、y變形Ax、Ay可能係藉由預測的變形（dxp，dyp) 來近似，其計算如下： [dx]p =

Ni Ntol •dxn 以及 (4) [dy]p =「·Μι];其* ⑺ dxp:表示沿x軸的預測變形；

晶圓基板W沿X dxmax :表示已曝光最後的目標區域之後 方向的預測總變形； X :表示一點在晶圓基板W的X座標； 98020-950213.doc -22- 1267899 rw ··表示晶圓基板W的半徑；

Ni :表示目前的目標區域索引號碼；

Nt〇t :表示目標區域的總數； dyP :表示沿y軸的預測變形； dymax :表示已曝光最後的目標區域之後，晶圓基板W沿y 方向的預測總變形；以及 y :表示一點在晶圓基板W的y座標。 以此方式，將每一目標區域Ci之區域内每一選定點（x，y) 預測為變形成··（X + dxp，y + dyp)。因此，程序任務P304針 對每一目標區域C i之複數個選定點計算該組預測變形（x + dxp，y + dyp)。 熱修正製程300接著前進至程序任務P3〇6，其中將該組已 計算的預測變形資訊應用於曝光配方的曝光資訊，以補償 已預測的變形。換言之，藉由預測每一目標區域Ci之選定 點將如何回應於目標區域Ci在曝光期間所吸收的局部與殘 留熱能而變形，可將預測的變形資訊用於調整每一目標區 域Ci至CN之曝光資訊，以減小產生目標區域變形的機會。 經調整的曝光資訊可能包括計算曝光位置偏移，以調整曝 光座標位置，或其他可調整的曝光參數。 在應用預測位置偏移之後’在程序任務P3〇8中，製程3〇〇 以與以上說明一致的方式並根據包括曝光時間、曝光能 量、曝光座標定位和曝光定序資訊在内的曝光配方，經由 微影裝置100、150，以所需的圖案連續地曝光每一目標區 域Ci至cN。 98020-950213.doc -23- 1267899 曝光之後，修正製程300接著前進至程序任務p31〇，其中 對所曝光的晶圓基板W進行一測量製程。將測量製程配置 成測量目標區域(^至(^及/或晶圓基板w之各種表示晶圓加 熱效應的屬性與人工因素。如上所述，此類所測量的屬性 可犯包括個別目標區域C的尺寸、特定測試圖案、與層相關 的對準標記、目標區域C特徵之間的間隙、目標區域孔及/ 或柱之X及/或Y直徑等，並且可藉由微影曝光裝置1〇〇、15〇 内部的機制或藉由外部元件來執行。 在程序任務P312中，根據所測量的已曝光目標區域q至 Cn之屬性，熱修正製程300決定偏移資訊，以修改預測變形 貧訊（X + dxp，y + dyp)。亦即，藉由所測量的屬性資訊，可 重新計算等式（4)、（5)，以針對每一目標區域Ci内複數個選 疋點產生一組更新的預測變形。可將預測變形資訊偏移回 饋至曝光配方，以修改與更新曝光資訊，例如曝光時間、 曝光能量、曝光座標定位與曝光定序資訊。製程3〇〇可能重 複數次，直至已曝光的圖案達到製造商所指定的特徵與輪 廓。 第四具體實施例 圖4 A示意性說明根據本發明一特定具體實施例構造與運 作的熱修正製程400之一般發明概念。如圖4A所述，修正製 程400開始於程序任務P4〇2,其提供初始的曝光配方。如上 關於其他所揭示具體實施例所述，曝光配方可能包括曝光 時間、曝光能量、曝光座標定位與曝光定序資訊。 熱修正製程400接著前進至程序任務P404,其中決定熱修 98020-950213.doc -24- 1267899 正。在此項具體實施例中，熱修正資訊採取預測熱變形資 訊的形式。特定言之，藉由施加於先前已曝光之晶粒上的 能量來顯著地影響局部變形。可將此類效應模擬為： 子TiDi ;其中（6) △η表不預測的與時間相關的變形效應，· _ t-tj 口 表示曝光目‘區域Ci(即晶粒）的熱效應，當橫跨 晶圓基板W而傳輸能量時，其將在時間上衰減。 /、 表丁取决於微I曝光組件之熱特性之時間敏感度 數；

Di =知I如：表示已曝光目標區域Ci與目前欲曝光之目 標區域之間的一距離Γ|所引起的效應,· I表不微影曝光組件的空間熱特性；以及 :··表示取決於微影曝光組件(例如，曝光夹頭、晶圓處 理’）之熱特性但對於一組給定的組件通常為悝定之比例 常數。 如圖4旦3所指示’因為ΔΓ = ((ΐχρ，⑹，等式⑺可能根據其 x、h夏進行表示’可計算該等分量，以提供一組計算得 到的預測時間變形資訊，如下·· dXp= Σ' Π; (7a) dyp= Σ，Π (7b)

=正製程4〇〇接著前進至程序任細〇6,其中將該組已 、預♦間變形資訊應用於曝光配方的曝光資訊，以 '貝已預測的變形。換言之，藉由預測當橫跨晶圓基板W 98020-950213.doc -25- 1267899 而傳輸能量時熱效應如何使一目標區域q變形，可使用預 測的變形資訊來調整每一目標區域Ci至CN的曝光資訊，以 便減小產生目標區域變形的機會。經調整的曝光資訊可能 包括計异曝光位置偏移，以調整曝光座標位置，或其他可 调整的曝光參數。 在應用預測位置偏移之後，在程序任務p408中，製程4〇0 以與以上說明一致的方式並根據包括所施加劑量、曝光座 才木疋位和曝光定序在内的曝光配方，經由微影裝置1 〇 〇、 150，以所需的圖案連續地曝光每一目標區域Ci至Cn。 曝光之後，修正製程400接著前進至程序任務p4i〇，其中 對所曝光的晶圓基板W進行一測量製程。將測量製程配置 成測量目標區域^至“及/或晶圓基板w之各種表示晶圓加 熱效應的屬性與人工因素。如上所述，此類所測量的屬性 可能包括，例如，個別目標區域c的尺寸、特定測試圖案、 與層相關的對準標記、目標區域C特徵之間的間隙、目標區 域孔及/或柱之X及/或γ直徑等，並且可藉由微影曝光裝置 100、150内部的機制或藉由外部元件來執行。 在程序任務P412中，根據所測量的已曝光目標區域c至 C N之屬性，熱修正製程3 〇 〇決定偏移資訊，以修改預測時間 變形資訊(dxp，dyp)。亦即’藉由所測量的屬性資訊，可重 新計算等式（4a)、（4b),以針對每—目標區域^内複數個選 定點產生-組更新的預測變形。可將預測變形資訊偏移口 饋至曝光配方，以修改與更新曝光資訊，例如曝光時n 曝光定序、曝光座標資訊。製程400可能重複數次，直至 98020-950213.doc 26 1267899 曝光的圖案達到製造商所指定的特徵與輪廓。 第五具體實施例 圖5 A不意性說明根據本發明一特定具體實施例構造與運 作的熱修正製程500之一般發明概念。如圖5A所述，修正製 私5 00開始於程序任務p5〇2，其提供初始的曝光配方。如上 關於其他所揭示之具體實施例所述，曝光配方將欲由投影 光束PB聚焦的能量數量指定到晶圓基板㈣每—目標區域 (^至CN上，以符合製造商指定的已曝光圖案之特徵與輪 廓。曝光配方亦包括相關的曝光位置資訊，其識別欲針對 每-目標區域<^至（^而聚焦投影光束抑之預減的座標， 以及相關的曝光順序資訊，其識別欲藉由投影光束pB而曝 光每一目標區域CiSCN之預指定的順序。 熱修正製程500接著前進至程序任務p5〇4，其中決定熱修 正。在此項具體實施例中，熱修正資訊採取基於預測變^ 資訊的曝歧序資訊。特^言之，可使用上述任何預測模 型’例如基於等式⑴、（2)、（4a)、（4b)之所計算變形資訊， 來預測目標區域C i至C TSJ蔣4日/ ,主4將如何根據初始的曝光資訊（包括 曝光順序，如曝光配方所提供）對曝光作出回應。 熱修正製程500接著前進至程序任務ρ5〇6，其中將該组已 計算的預測變形資訊應料曝光配方的曝光資訊^補償 已預測的變形。亦即’ #由瞭解熱效應如何使橫跨晶圓基 板W之目標區域Ci至形，仏〜3 , ^ 、、，口疋仞始曝光順序，可使用 預測的變形資訊來調整曝光 j正忝尤目知£域Ci至（^的順序。 例如’如圖5B所示，埶修正制 "衣私5〇〇可根據該組所計算的 98020-950213.doc -27- 1267899 預劂麦幵:資訊而決疋，對於晶圓基板w，按下列順序曝光 目標區域CjCN將最小化熱效應並改善平均區域修正：Cc

Ch Cd Cg Ca Cf cN·! cd. · ·等。 在應用預測變形資訊之後，在程序任務P508中，製程500 以與以上說明一致的方式並根據基於預測變形資訊的曝光 順序，經由微影裝置100、150，以所需的圖案連續地曝光 每一目標區域。 曝光之後，修正製程500接著前進至程序任務P510，其中 對所曝光的晶圓基板W進行一測量製程。將測量製程配置 成測量目標區域CiCN及/或晶圓基板w之各種表示晶圓加 熱效應的屬性與人工因素。如上所述，此類所測量的屬性 可能包括，例如，個別目標區域c的尺寸、特定測試圖案、 與層相關的對準標記、目標區域0特徵之間的間隙、目標區 域孔及/或柱之X及/或γ直徑等，並且可藉由微影曝光裝置 100、150内部的機制或藉由外部元件來執行。 在程序任務Ρ512中，根據所測量的已曝光目標區域Ci至 Ck之屬性，熱修正製程5〇〇決定偏移資訊，以修改曝光順序 資訊。亦即’ #由所測量的屬性資訊’可藉由重新計算預 測杈型以產生一組更新的預測變形或藉由根據晶圓基板W 上所測量屬性的分佈而調整順序，來進—步改善曝光順 序。製程500可能重複數次，直至已曝光的圖案達到製造商 所指定的特徵與輪廓。 第六具體實施例 圖6示意性說明根據本發明一特定具體實施例構造與運 98020-950213.doc -28 - 1267899 作的熱修正製程_之-般發明概念。如圖⑽述，修正製 程600開始於料任務酸，其提供㈣㈣絲方。如上 ’其他所揭示具體實施例所述，曝光配方可能包括曝光 時間、曝光能量、曝光座標定位與曝光定序資訊。 熱修正製程600接著前進至程序任務p6〇4，其中決定熱修 正。在此項具體實施例中，熱修正資訊根據溫度資訊之獲 取而採取變形資訊的形式。特定言之，例如，可使用紅外 線熱圖形相機作為感測器來得到晶圓基板w的熱圖形影 像，以獲得其表面的溫度圖。接著，根據下列模型將區域 溫度方差貧訊轉換成目標區域Ci至CN的一組變形資訊（即 變形圖）： [dx] p " ;以及（8a) [dy] P =呤女?(HJ ;其中（8b) dxP:表示沿x軸的預測變形； X i ··表示區域i的X座標； c ··表示比例常數（熱膨脹係數）；

Ni :表示求和中所考慮的區域數； k ··沿晶圓中心與區域丨之間的連接線，對相關區域求和； Tk ··表示所測量的區域k的溫度；

Tnom ••表示設置機器時的標稱溫度； yi :表示區域i的y座標；以及 dyp :表示沿y軸的預測變形。 98020-950213.doc -29- l267899 熱修正製程600接著前進至程序任務p6〇6，其中將變形圖 維 應用於曝光配方的曝光資訊，以補償已預測的變形。亦即， 稭由瞭解熱效應如何使橫跨晶圓基板w的目標區域Ci至Cn 變形，給定晶圓基板的溫度變化，可使用變形資訊來調整 曝光製私的參數’包括，例如，曝光時間、曝光能量、曝 光座標定位與曝光定序資訊等。 在應用預測變形資訊之後，在程序任務p6〇8中，製程6〇〇 以與以上說明一致的方式並根據基於變形資訊的曝光資 讯，經由微影裝置100、150，以所需的圖案連續地曝光每_ 一目標區域。 曝光之後，修正製程600接著前進至程序任務p6i〇，豆中 對所曝光的晶圓基板W進行—測量製程。將測量製程配置 成測量目標區域⑽及/或晶圓基板w之各種表示晶圓加 熱效應的屬性與人工因素。如上所述，此類所測量的屬性 可能包括個別目標區域C的尺寸、特定測試圖案、與層相關 的對準標記、目標區域C特徵之間的 、亦可得到曝光後的熱圖形影像’以確定曝光之後目標區 域^至cN及/或晶圓基板w之溫度差異。可使用溫度差異來 估計溫度分佈，同時進行曝光。 當溫度差異料漸地變化時，即找到熱點時，晶圓基板 2圓台之間存在不良的熱接觸。由於這可能導致晶圓或 曰曰圓台污染’故可使用溫度差異的測量㈣測污毕。 在程序任務P612中，根據所測量的已曝光目標區域α 98020-950213.doc -30- 1267899 N之，ί± ’熱修正製程咖決定偏移資訊，以修改變形資訊 圖。藉由所測量的屬性資訊，可修改與更新變形資訊圖來 反映所測量屬性的分佈。桩装 ^ ^ 接耆，可使用此已修改的變形資 來進一步調整曝光泉袁 j π ^歡包括，例如，曝光能量、曝光 、+光疋序曝光座標資訊等。製程600可能重複數次， 直至已曝光的圖案達到製造商所指定的特徵與輪廓。 雖然本發明的特定且體音 /、體實轭例已如上述加以說明，應明 瞭本發明可以上述以外的1 、 々他方法凡成。上述具體實施例 可改為實施於圖式中戶斤+ &杂 斤不的只體中之軟體、韌體與硬體之 不同具體實施例中。例如， — 了猎由曝光工具控制器或替代 地猎由專用於此類目的夕_ 一 貝目的之處理凡件來執行某些所揭示程序 任務。 征汁 已根據本文提供的詳 能，但應瞭解本發明 前述詳細說明並非意 是藉由隨附的申請專

因此，此說明並非要限制本發明。 細程度說明本發明的配置、操作及性 具體實施例可能修改及變化。因此， 欲或想要以任何方式限制本發明，而 利範圍來定義本發明的範疇。 【圖式簡單說明】 的具體實施例，其 上文已麥考附圖範例舉例說明本發明 中·· 圖1Α顯示依據本發明一項具體實施例的—微 . 圖1Β顯示依據本發明-項具體實施例的—微：：置： 圖1C至1G說明各種熱致目標區域變形； 圖2Α說明一描述本發明之具 J <不忍性功能流程 98020-950213.doc -31- 1267899

圖2B說明一描述本發明之另一 流程圖； -體實施例之示意性功能 圖3說明一描述本發明之另—杏 具體實％例之示意性 流程圖； μ『生功能 具體實施例之示意 一具體實施例之示意 圖4Α至4Β說明一描述本發明之另 性功能流程圖； 圖5Α至5Β說明一描述本發明之另 性功能流程圖；以及 圖6纟兄明·一描述本發明之另 流程圖。 一具體實施例之示意性功能 在圖中，對應的參考符號表示對應的零件 【主要元件符號說明】 2、 3、4、5

8 100 、 150

C CO IF1、IF2

IL IN

Ml、M2、PI、P2 ΜΑ ΜΤ ΡΒ 文中未說明 微影裝置 目標區域 聚光器 位置感測器 照明器 積分器 對準標記 遮罩 遮罩台 投影光束 98020-950213.doc •32- 1267899 PL 項目 PM 第一定位機制 PW 第二定位機制 SO 輕射源 W 基板

98020-950213.doc -33 -

Claims (1)

1267899 十、申請專利範圍： i 一種用於一以微影方式曝光之基板之熱致區域變形之修 正方法，其包含： 根據預指定的曝光資訊將一圖案曝光於一基板的複數 個區域上； 測量該等區域的屬性，以評估藉由該曝光之熱效應而 弓丨起的該等區域之變形； 根據該等所測量的屬性決定修正資訊；以及 根據該修正資訊，調整該預指定的曝光資訊，以補償 »亥專熱致區域變形。 -月求項1之方法’其中該曝光資訊包括曝光能量資訊、 曝光時間資訊、曝光區域位置資訊、曝光區域定序資訊 與曝光區域變形資訊之至少一項。 3·如請求項2之方法，其中該調整該預指定的曝光資訊包括 根據該修正資訊所決定的位置偏移資訊而調整該預指定 的曝光區域位置資訊。 4·如請求項2之方法，其進一步包括： 提供一模型來預測熱致區域變形資訊，以及 在曝光之如’根據該預測熱致變形資訊，來修改該預 指定的曝光資訊。 5·如请求項4之方法，其中該調整該預指定的曝光資訊包 括’在該曝光之後’根據該修正資訊所決定的預測偏移 貝吼而調整該已修改的預指定的曝光資訊。 6·如睛求項4之方法，其中該預測的熱致區域變形資訊包括 98020-950213.doc 1267899 根據一全域擴展模型預測該等區域之每一區域内選定點 的變形效應。 如請求項6之方法，其中該預測模型係基於： [dx]p =卜#··^"!;以及 L^w Ntot 」 [dx]丨 .办 ma: ;其中 該晶圓基板 [dy]p:表示沿該x軸的預測變形； dxmax :表示已曝光最後的目標區域之後 該X方向的預測總變形； x :表示一點在該晶圓基板w的X座標； 、：表示該晶圓基板W的半徑； Ni :表示目前的目標區域索引號碼； Ntot :表示目標區域的總數； d7p :表示沿該y軸的預測變形； dymax :表示已曝光最後的目標區域之後，該晶圓基板 W沿该y方向的預測總變形；以及 y 表不一點在該晶圓基板w的y座標。

9. ，請求項7之方法’其中該調整該預指定的曝光資訊包括 根據該預測的熱致區域變形資訊而調整該曝光區域定序 訊包括根據當 而預測該等區 如請求項4之方法，其中該熱致區域變形資 杈跨該晶圓傳輸能量時的一時間衰減特徵 域之每一區域内選定點的變形效應。 98020-950213.doc 1267899 ίο. 11. 12. 13. 14. 如請求項9之方法，其中該預測模型係基於： dxP = Σ, 77 ;以及dyP = Σ/ 7/ Ζ)，；其中 Ti = e 了：表示曝光該等目標區域q之一的熱效應，當 橫跨該基板沿該x或y方向傳輸能量時，其將在時間上衰 減； r :表示取決於該等微影曝光組件之熱特性之時間敏感 度常數； Di== 表示該已曝光目標區域^與目前欲曝光之 目標區域之間沿該x*y方向的一距離〇所引起的效應； Z :表示該等微影曝光組件的空間熱特性； k ·表示取決於該等微影曝光組件之熱特性的一比例常 數； dxP :表示沿該X軸的預測變形；以及 dyP:表示沿該y軸的預測變形。 如凊求項10之方法，其中該調整該預指定的曝光資訊包 括根據w亥預測的熱致區域變形資訊而調整該曝光區域定 序資訊。 如請求項2之方法，其進一步包括·· 在曝光之前測量該等基板之表面上的溫度變化，以及 根據該等所測量的基板溫度變化來產生一變形圖。 如明求項12之方法，其進一步包括，在曝光之前，根據 "亥貧訊圖來修改該預指定的曝光資訊。 如明求項13之方法，其中該溫度變化測量包括熱圖形成 98020-950213.doc 1267899 像。 15·如請求項12之方法，其中該變形圖的特徵為·· [dx]p = [dy]p = ;其中 dxP:表示沿該X軸的預測變形； xi ·表示區域i的X座標； e:表示比例常數（熱膨脹係數）； Ni ··表示求和中所考慮的區域數； k··沿該晶圓中心與區域i之間的連接線，對相關區域求 和； Tk :表示所測量的區域k的溫度； Tnom :表示設置機器時的標稱溫度； yi·表示區域i的y座標；以及 dyp:表示沿該y軸的預測變形。 16·如睛求項13之方法，其中該調整該預指定的曝光資訊包 括在δ亥曝光之後’根據該修正資訊所決定的變形偏移 資訊而調整該已修改的預指定的曝光資訊。 1 7· —種用於一以微影方式曝光之基板之熱致區域變形之修 正方法，其包含： 提供一模型來預測藉由曝光的熱效應而引起的一基板 之複數個區域之變形； 根據該預測的熱致變形資訊來修改用於配置該基板之 98020-950213.doc 1267899 該等區域之曝光的曝光資訊； 根據該已修改的曝光資訊將一圖案曝光於該基板之該 荨區域上； 測量該等區域的屬性，以評估藉由該曝光之熱效應而 引起的5亥專區域之變形； 根據该等所測量的屬性決定修正資訊；以及 根據該修正資訊，調整該已修改的曝光資訊，以補償 该等熱致區域變形。 18. 19. 士明求項17之方法，其中該預測的熱致區域變形資訊包 括根據一全域擴展模型預測該等區域之每一區域内選定 點的變形效應。 如請求項18之方法，其中該預測模型係基於： [dx]p = 'dx„ 以及 tot [dy]i Niot ;其中 dXp:表示沿該x軸的預測變形； 5亥晶圓基板 dXmax :表示已曝光最後的目標區域之 W沿該X方向的預測總變形； X ·表不一點在該晶圓基板W的X座標； rw •表示該晶圓基板W的半徑； Ni :表示目前的目標區域索引號碼； Ntot :表示目標區域的總數； dyP ·表示沿該y軸的預測變形； 98020-950213.doc 1267899 dy^x :表示已曝光最後的目標區域之後，該晶圓基板 W沿該y方向的預測總變形；以及 y ·表示一點在該晶圓基板w的y座標。 20. 21. 22. 如請求項19之方法，其中該調整該預指定的曝光資訊包 括根據該預測的熱致區域變形資訊而調整該曝光區域定 序資訊。 如明求項1 7之方法，其中該熱致區域變形資訊包括根據 田仏跨該晶圓傳輸能量時的一時間衰減特徵而預測該等 區域之每一區域内選定點的變形效應。 如請求項21之方法，其中該預測模型係基於： dxp = Σ, ρ ;以及 dyp = 77 A";其中 Τι e r ·表示曝光該等目標區域Ci之一的熱效應，當 橫跨該基板沿該\或y方向傳輸能量時，其將在時間上衰 減； r ·表示取決於該等微影曝光組件之熱特性之時間敏感 度常數； “ ^ 一，：表示該已曝光目標區域Ci與目前欲曝光之 目標區域之間沿該x或y方向的一距離ιί所引起的效應； Z ·表示该等微影曝光組件的空間熱特性； k:表示取決於該等微影曝光組件之熱特性的一比 數； Φ dXp :表示沿該X軸的預測變形；以及 dyP :表示沿該y軸的預測變形。 98020-9502i3.doc 1267899 23·如請求項22之方法，其中該調整該預指定的曝光資訊包 括根據該預測的熱致區域變形資訊而調整該曝光區域定 序資訊。 24·種用於一以微影方式曝光之基板之熱致區域變形之修 正方法，其包含： 測量一包含欲曝光之複數個區域之基板之表面上的溫 度變化； 根據忒專所測量的基板温度變化來產生一變形圖； 根據該變形圖來修改用於配置該基板之該等區域之曝 光的曝光資訊； 根據該已修改的曝光資訊將一圖案曝光於該等區域上； 測量該等區域的屬性，以評估藉由該曝光之熱效應而 引起的該等區域之變形； 根據該等所測量的屬性決定修正資訊；以及 根據該修正資訊，調整該已修改的曝光資訊，以補償 該等熱致區域變形。 25.如請求項24之方法’其中該溫度變化測量包括熱圖形成 像。 26·如請求項24之方法，其中該變形圖的特徵為： [dx] p=今女取—Γ_); [dy] p =卜;其中 dxp :表示沿該X轴的預測變形； 98020-950213.doc ί267899 Xi :表示區域i的x座標； . C •表7F比例常數（熱膨脹係數）； Ni •表示求和中所考慮的區域數； k ·沿該晶圓中心與區域i之間的連接線，對相關區域求 和； Tk •表示所測量的區域k的溫度； Tnom :表示設置機器時的標稱溫度； yi·表示區域i的y座標；以及 27. dyP ·表示沿該的預測變形。 籲 28. 如明求項26之方法，其中該調整該預指定的曝光資訊包 括’在該曝光之後，根據該修正資訊所決定的變形偏移 貝訊而調整該已修改的預指定的曝光資訊。 種用於藉由一微影裝置所曝光之基板之熱致區域變形 之修正方法，該方法包含： 根據至少一先前基板之已曝光的目標區域決定修正資 訊； 將該修正資訊應用於曝光資訊；以及 _ 根據已應用修正資訊之該曝光資訊來曝光隨後基板的 目標區域。 ’其中該曝光資訊包括曝光能量資 、曝光區域位置資訊、曝光區域定序 29·如請求項28之方法 訊、曝光時間資訊 資訊之至少一項。 3 0.如請求項28之方法，其中該決定修正資訊包括將一圖案 曝光於该至少一先前基板之複數個該等目標區域上並且 98020-950213.doc 1267899 測ΐ該至少一個先前基板之該等目標區域之屬性以評估 藉由該曝光之熱效應所引起的變形。 如請求項30之方法，其中該決定修正資訊包括導出一熱 修正模型，其特徵為： ;其中 Ti = Ti (t，L 5);以及 Di，（尸，U) 其中乃表示曝光一目標區域Ci的熱效應，t係目前的時 間，Μ系曝光目標區域心的時間，並且& =(ci，h，.· 表示已校準參數的向量，此等參數對應於該等微影曝 光組件關於時間的熱特性；以及 2中h表示該已曝光的目標區域q與目前欲曝光的該 二區域之間的一距離所引起的效應，尸係目前所曝光的 □ 土板W之一點，^係目標區域q上的一點，並且(以 ^以，· · ·，gm)表示已校準參數的一向量，該等參數對應於 "亥等倣影曝光組件關於距離的熱特性。 、:求項30之方法，其中該決定修正資訊包括採用一預 測模型，其特徵為： [dx]】 [dy]丨 •dxn y氺j -----dy /. Ntot ^ ;以及 ;其中 dXp ·表示沿該x軸的預測變形； dXmaX ·表不已曝光最後的目標區域之後 该晶圓基板 98020-950213.doc 1267899 W沿該χ方向的預測總變形； X :表示一點在該晶圓基板W的X座標； fw ··表示該晶圓基板W的半徑； Ni :表示目前的目標區域索引號碼； Ntot :表示目標區域的總數； dyp :表示沿該y軸的預測變形； dymax :表示已曝光最後的目標區域之後，晶圓基板w 沿該y方向的預測總變形；以及 y ·表不一點在該晶圓基板W的y座標。 33·如請求項30之方法，其中該決定修正資訊包括採用一預 測模型，其特徵為： dxp = D广；以及 dyP = Σ/ 7/吖；其中 Ti= r :表示曝光該等目標區域^之一的熱效應，當 橫跨該基板沿該X*y方向傳輸能量時’其將在時間上衰 減； …M + 钱寻俽影曝光組件之熱特性之時間 感度常數； Di = :表示該已曝 κH钛區域Ci與目前欲曝夫 目標區域之間沿該χ或方向 一 ^距離巧所引起的效應 厂表示該等微影曝光組件的空間熱特性； k:表示取決於該等微影 常數· A尤、、且仵之熱特性的一比 dxp ·表示沿該χ軸的預剛變形；以及 98020-950213.doc •10· 1267899 dyp :表示沿該y軸的預測變形。 34. 如請求項30之方法，其中該決定修正資訊包含： 測量該至少一先前基板之表面上的溫度變化，以及 根據該等所測量的基板溫度變化來產生一變形圖， 其中該資訊圖之特徵為： [dx] p = ; [dy] P = -U);其中 dxp :表示沿該x軸的預測變形； Xi :表示區域i的X座標； c ··表示比例常數（熱膨脹係數）； Ni :表示求和中所考慮的區域數； k :沿該晶圓中心與區域i之間的連接線，對相關區域求 和，· T k :表示所測量的區域k的溫度； Tnom :表示設置機器時的標稱溫度； yi:表示區域i的y座標；以及 dyp :表示沿該y軸的預測變形。 35. —種微影系統，其包含： 一照明系統，其配置用於提供一輻射光束； 一支撐結構，其配置用於支撐一圖案化元件，該圖案 化元件用於賦予該輻射光束在其斷面之一圖案； 一基板固持器，其配置用於固持一包含複數個目標區 98020-950213.doc -11 - 1267899 域的基板； 曹 一投影系統，其配置用於將該圖案化光束曝光於該基 板之該等目標區域之至少一個目標區域上；以及 一測量台’其配置用於測量該等已曝光目標區域之屬 性， 其中根據預指定的曝光資訊來曝光該等已曝光的目標 區域，該等區域係藉由該測量台來測量以評估藉由該曝 光的熱效應而引起的該等區域之變形，以及 其中根據該等所測量的區域變形來決定修正資訊並根馨 據4彳> 正 > 汛來調整該預指定的曝光資訊，以補償該等 熱致區域變形。 36·如1求項35之微影系、统，其中該曝光資訊包括曝光能量 貝汛、曝光時間資訊、曝光區域位置資訊、曝光區域定 序資δίΐ與曝光區域變形資訊之至少一項。 37·如明求項36之微影系統，其中該調整該預指定的曝光資 几包括根據該修正資訊所決定的位置偏移資訊而調整該 預指定的曝光區域位置資訊。 春 38·如請求項36之微影系統，其進一步包括， 提供一模型來預測熱致區域變形資訊，以及 /曝光之前，根據該預測熱致變形資訊，來修改該預 指定的曝光資訊。 39· ^求項38之微影系統，其中該調整該預指定的曝光資 Z包在該曝光之後，根據該修正資訊所決定的預測 移貝訊而調整該已修改的預指定的曝光資訊。 98020-950213.doc -12- ^267899 β月求項3 8之微影系統，其中該預測的熱致區域變形資 匕括根據一全域擴展模型預測該等區域之每一區域内 選定點的變形效應。 41 •如請求項40之微影系統，其中該預測模型係基於： [dx]p [dy]P = X Ntot Z. Ntot dxn 以及 dxp :表示沿該X抽的預測變形； dxmax ·表不已曝光表後的目標區域之後，該晶圓基板 ^沿該X方向的預測總變形； X :表示一點在該晶圓基板W的X座標； rw :表示該晶圓基板W的半徑； :表示目前的目標區域索引號碼； Ntot :表示目標區域的總數； dyp :表示沿該y軸的預測變形； dy max · 表示已曝光最後的目標區域之後，該晶圓基板 W沿該y方向的預測總變形；以及 y :表示一點在該晶圓基板W的y座標。 42 •如請求項41之微影系統，其中該調整該預指定的曝光資 A包括根據該預測的熱致區域變形資訊而調整該曝光區 域定序資訊。 43 •如請求項3 8之微影系統，其中該熱致區域變形資訊包括 根據當橫跨該晶圓傳輸能量時的一時間衰減特徵而預測 98020-950213.doc -13 - 1267899 该等區域之每一區域内選定點的變形效應。 44. 45. 46. 47. 如請求項43之微影系統，其中該預測模型係基於： dxp = Σ, 7^ β ;以及 dyp = Σ/ 7/ ;其中 丁1 e r •表示曝光该專目標區域Ci之一的熱效應，當 橫跨該基板沿該X或y方向傳輸能量時，其將在時間上衰 減； 表示取決於該等微影曝光組件之熱特性之時間敏 感度常數； Di= 表示該已曝光目標區域匕與目前欲曝光之 目標區域之間沿該x或y方向的一距離ri所引起的效應； 厂表示該等微影曝光組件的空間熱特性； k表示取決於該等微影曝光組件之熱特性的一比例常 數； dxp ·表示沿該X軸的預測變形；以及 dyP :表示沿該7軸的預測變形。 如請求項44之微影系統，其中該調整該預指定的曝光資 訊包括根據該預測的熱致區域變形資訊而調整該曝光區 域定序資訊。 如請求項36之微影系統，其進一步包括： 在*光之$測量該等基板之表面上的溫度變化，以及 根據该等所測量的基板溫度變化來產生-變形圖。 如請求項46之微影系統，其進一步包括，在曝光之前， 根據該資訊圖來修改該預指定的曝光資訊。 98020-950213.doc -14· 1267899 48.如請求項46之微影系統，其中該溫度變化 形成像。 ^祜熱口 49·如凊求項46之微影系統，其中該變形圖的特徵為· [dx]p== [dy]p =吃女?(n);其中 dxp:表示沿該X軸的預測變形； Xi:表示區域i的X座標； c :表示比例常數（熱膨脹係數）； Ni :表示求和中所考慮的區域數； k:沿該晶圓中心與區域i之間的連接線，對相關區域求 和； T k :表示所測量的區域k的溫度； Tnom :表示設置機器時的標稱溫度； yi:表示區域i的y座標；以及 dyp :表示沿該y軸的預測變形。 5 0 ·如晴求項4 7之微影系統’其中該調整該預指定的曝光資 訊包括，在該曝光之後，根據該修正資訊所決定的變形 偏移資訊而調整該已修改的預指定的曝光資冑。 98020-950213.doc -15-