TWI267540B - Mixed-abrasive polishing composition and method for using the same - Google Patents

Description

1267540 玖、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於包含混合研磨 化剜之化學-機械拋光組合物 及，、在拋光基板，特別是含錄基板方面之用途。 【先前技術】 平面化或拋光基板表面夕人^ 衣面之組合物及方法係為人熟知之技 術。拋光組合物（也是已知抛光泥漿）_般在水性溶液中含有 研磨劑物質而且可藉表面與飽含抛光組合物之樾光塾接觸 而應^在該表面上。典型研磨劑物質包括二氧切、氧化 錦、乳化紹、氧化錯及氧化錫。例如’美國專利第5,527,423 號描述-種藉由表面與椒光組合物接觸以化學_機械搬光 金屬層之方法’其中該拋光組合物係水性媒介中含有高純 度細研磨劑粒子。拋光組合物_般係與拋光墊（如拋光布或 拋光碟）結合使用。適合的拋光墊係描述於美國專利第 6,〇62,968號、第6，117，_號及第6，126,532號其揭示具有 開放格夕I網狀結構之燒結聚⑮|甲酸酯拋光墊的用途， 以及美國專利第5,489,233號，其揭*具有表面紋理或圖案 之固體拋光墊的用途。或者，研磨劑物質可被摻入拋光墊 中。美國專利第5,958,794號揭示一種固定研磨劑拋光墊。 慣用拋光系統及拋光方法一般在平面化基板，特別是記 憶碟上不完全令人滿意的。特別是此類拋光系統及拋光方 法導致拋光速率比理想值低且應用於記憶體或硬碟時表面 缺陷率高。因為許多基板，如記憶碟的性能係直接與其表 面平面性有關，因此使用造成而抛光效率、選擇性、均勻

O:\90\90974.DOC 1267540 度及去除率並留下最少表面缺陷之高品質拋光的拋光系統 及方法是重要。 曾有許多研究嘗試改善拋光期間記憶體或硬碟的去除 率，同時降低抛光期間已拋光表面的缺陷率。例如，美國 專利第4,769,046號揭示一種利用含鋁研磨劑及拋光加速劑 如硝酸鎳、硝酸鋁或其混合物之組合物拋光硬碟上之錢錄 層的方法。美國專利第6,015,506號揭示一種利用含有研磨 劑分散液、氧化劑及具有多個氧化態之觸媒的拋光組合物 拋光硬碟的方法。WO 02/202 14號揭示一種利用含有氧化齒 化物及胺基酸之拋光組合物拋光記憶體或硬碟基板之方 法。 但是’仍對拋光及平面化基板，特別是記憶碟期間可呈 現所需平面化效率、選擇性、均勻度及去除率並同時降低 拋光及平面化期間之缺陷率如表面不完美性和對下面結構 及形態之損害的拋光系統及拋光方法有需求。 本發明提供此類拋光組合物及方法。由本文所提供之本 發明描述將清楚了解本發明這些及其他優點以及其他本發 明特點。 【發明内容】 本發明係知:供一種拋光組合物，其包含⑴一種研磨劑， 其包含（a)5至45重量％?4〇1^硬度為8或更大之第一研磨劑粒 子（b) 1至45重里％二維結構中含有較小原始粒子集結物之 第二研磨劑粒子，及（c) 10至90重量％包含矽石之第三研磨 劑粒子，和（ii)液體載劑。本發明也提供一種拋光基板之方

O:\90\90974.DOC 1267540 法’ 5亥方法包含⑴提供上述 札先、、且合物，（il)提供具有一表 面之基板，並（111)以該拋井έ _ 先組合物磨耗至少一部分基板表面 以抛光该基板等步驟。 【實施方式】 本發明係提供一種拋光組合 ^ 具包含（1) 一種研磨劑及 (ii)液體載劑。該研磨劑传白各, 糸包s (a)5至45重量％%〇1^硬度為δ 或更大之第一研磨劑粒子， T (b)l至45重量％三維結構中含有 較小原始粒子集結物之第-讲綺卞 弟一研磨劑粒子，及（c)lO至90重量 %包含石夕石之第三研磨劑粒子。 如上所提，與本發明結合❹之第—研磨劑粒子的Μ* 硬度為8或更大。車交佳係第一研磨劑粒子的m—硬度為8·5 或更大，更佳係9或更大。如本文所用，，fM〇hs硬度，，一詞相 當於比較物質（如礦物）之相對刮傷硬度所用之相對硬度刻 度。Mohs硬度刻度係藉指定特定常見礦物硬度值而分級， 而Mohs硬度值係藉比較主題材料與標準品之刮傷硬度決 定。特別地，Mohs硬度刻度係藉指定滑石的硬度值為丄而鑽 石的硬度值為10而分級。 第一研磨劑粒子的硬度也可藉其他方式量得。例如，第 一研磨劑粒子的硬度可利用Knoop硬度刻度量得。一般， Knoop硬度係在固定負載（如100克）下將角錐形鑽石壓頭壓 入測試材料中量得。適合測定材料之Knoop硬度的方法係由 美國材料與試驗協會（ASTM)標準E384-99el，標題為，，材料 之顯微壓痕硬度的標準試驗方法”提出。藉由任何一種測定 ASTM標準E384-99el中所提Knoop硬度之技術測定時，特定

O:\90\90974.DOC 1267540 研磨劑之Knoop硬度值被視為在本文所提範圍内。適合用於 本發明之第一研磨劑粒子的Kn〇〇p硬度（以仟牛頓/平方米 表示）一般為15或更大，較佳係17或更大，最佳係2〇或更大。 適合用於本發明之第一研磨劑粒子可為任何具有上述硬 度性質之適合研磨劑粒子。較佳地，第一研磨劑粒子係選 自氧化鋁（如α-氧化鋁）、碳化物、鑽石（天然及合成）、氮化 物、氧化鍅、其共形成粒子和其組合物組成之群。最佳係 第一研磨劑粒子是α-氧化鋁粒子。 第一研磨劑粒子可具有任何適合尺寸。一般，第一研磨 劑粒子的平均粒徑為丨微米或更小，較佳係5〇〇毫微米或更 小，更佳係400毫微米或更小，最佳係3〇〇毫微米或更小。 第一研磨劑粒子在研磨劑中的存在量以研磨劑總重量計 為5至45重里％。較佳地，第一研磨劑粒子在研磨劑中的存 在量以研磨劑總重量計為1〇重量％或更多，更佳係。重量％ 或更多。而且，第一研磨劑粒子在研磨劑中的存在量以研 磨劑總重量計最好是4〇重量％或更少，較佳係3〇重量％或更 少’最佳係25重量％或更少。 與本發明結合使用之第二研磨劑粒子的三維結構中係包 含較小原始粒子之集結物。較小原始粒子之集結物粒子係 藉相當強的内聚力結合在一起，使集結物粒子分散在液體 (如水性）媒介中時，不會瓦解成原始粒子。在這方面，集結 物粒子係不同於凝聚物。適合用於本發明之第二研磨劑粒 子匕括但不限於煙燻金屬氧化物粒子。如本文所用”煙燻 金屬氧化物粒子”一詞相當於高溫程序，如金屬氧化物前驅

O:\90\90974.DOC 1267540 物之氣相水解所製成的金屬氧化物粒子。較佳地，第二研 磨^粒子係、選自煙壎氧化紹、煙壎、石夕石及其混合物組成之 群。較佳地，第二研磨劑粒子是煙燻氧化鋁粒子。 本文所用之第二研磨劑粒子可具有任何適合尺寸。較佳 地，第一研磨劑粒子的平均集結粒徑為3〇〇毫微米或更小， 更佳係250毫微米或更小，最佳係2〇〇毫微米或更小。而且， 第二研磨劑粒子的平均原始粒徑最好是1〇〇毫微米或更 小，較佳係50耄微米或更小，最佳係4〇毫微米或更小。 第二研磨劑粒子在研磨劑中的存在量以研磨劑總重量計 為1至45重里％。較佳地，第二研磨劑粒子在研磨劑中的存 在里以研磨劑總重量計為4〇重量％或更少（如1 5至重量 %)，較佳係30重量％或更少，更佳係2〇重量％或更少，最佳 係10重量％或更少（如1至1 〇重量％)。 與本發明結合使用之第三研磨劑粒子可包含任何適合石夕 石。適合的矽石包括，但不限於煙霧狀矽石、縮合聚合矽 石、膠體矽石及其混合物。較佳地，矽石是膠體矽石。如 本文所用膠體矽石”一詞相當於由於小粒徑（如丨微米或更 小，或500耄微米或更小），可在水中形成安定分散液之矽 石粒子（即粒子不凝聚並自懸浮液掉落）。一般，膠體矽石粒 子是分離、實質上無任何内表面積之球形矽石粒子。膠體 石夕石一般係藉座化學程序，如含鹼金屬矽酸鹽溶液之酸化 製得。第三研磨劑粒子可具有任何適合尺寸。較佳地，第 三研磨劑粒子的平均粒徑為2〇〇毫微米或更小，較佳係15〇 t微米或更小，最佳係13〇毫微米或更小。

O:\90\90974.DOC -10- 1267540 第三研磨劑粒子在研磨劑中的存在量以研磨劑總重量計 為10至90重量％。較佳地，第三研磨劑粒子在研磨劑中的 存在量為20重量％或更多。而且，第三研磨劑粒子在研磨 劑中的存在量以研磨劑總重量計最好是85重量％或更少， 較佳係80重量％或更少（如70至80重量％)，最佳係7〇重量％ 或更少（如20至70重量％)。 研磨劑可以任何適合量存在於拋光組合物中。研磨劑在 拋光組合物中的總存在量以拋光組合物總重量計一般是 或更多。一般，研磨劑在拋光組合物中的總存在量以拋光 組合物總重量計為20重量％或更少，較佳係1〇重量％或更 少，最佳係6重量％或更少。 或者，抛光組合物可調配成包含高量研磨劑及其他選用 組份之前驅物組合物。在此具體實施例中，研磨劑在拋光 組合物中的總存在量一般為8〇重量％或更少，較佳係5〇重 量％或更少，最佳係30重量％或更少。 液體載劑可為任何適合載體（如溶劑）。適合的液體載劑包 括’例如水性載體（如水）及非水性載體。較佳地，液體載劑 是水’更佳係去離子水。 抛光組合物可另包含一酸。在特定具體實施例中，該酸 是一種無機酸。較佳地，該無機酸係選自硝酸、磷酸、硫 ^、其鹽及其組合物組成之群。該酸也可能是有機酸。較 佳地’有機酸係選自草酸、丙二酸、酒石酸、乙酸、乳酸、 丙酸、鄰苯二曱酸、苯甲酸、檸檬酸、琥珀酸、其鹽及其

O:\90\90974.DOC -11- 1267540 組合組成之群。 拋光組合物可具有任何適合pH。—般’拋光組合物的pH 為〇或更高，較佳係高。拋光組合物的阳一般為7或更 小，較佳係6或更小，更佳係5或更小。在較佳具體實施例 中’拋光組合物的{)11為丨至4(或2至3，或2至2 5)。 拋光組合物另包含一界面活性劑。適合的界面活性劑包 括’但不限於陽離子界面活性劑、陰離子界面活性劑、非 離子界面活性劑、兩性界面活性劑、氟化界面活性劑及其 混合物。 拋光組合物可另包含一化學氧化劑。該化學氧化劑可為 任何適合的氧化劑。適合的氧化劑包括無機及有機過化合 物、漠酸鹽、硝酸鹽、氯酸鹽、鉻酸鹽、碘酸鹽、鐵及銅 鹽（如硝酸鹽、硫酸鹽、EDTA及檸檬酸鹽）、稀土及過渡金 屬研磨劑（如四氧化锇）、鐵氰化鉀、重鉻酸鉀、碘酸及類似 物。過化合物（如Hawley化學精裝字典所定義）是一種包含 至少一個過氧基（-〇-〇-)之化合物或含最高氧化態元素之化 合物。包含至少一個過氧基之化合物實例包括，但不限於 過氧化氫及其加成物如過氧化尿素及過碳酸鹽、有機過氧 化物如過氧化苯甲醯、過乙酸及二第三丁基過氧化物、單 過氧硫酸鹽（sof)、二過硫酸鹽（S2〇r)及過氧化鈉。含最 咼氧化悲元素之化合物實例包括，但不限於過碘酸、過碘 酸鹽、過溴酸、過溴酸鹽、過氣酸、過氣酸鹽、過硼酸、 過硼酸鹽及過錳酸鹽。氧化劑最好是過氧化氫。 拋光組合物中可存在任何適合量之氧化劑。較佳地，氧 O:\90\90974.DOC -12- 1267540 化劑在拋光組合物中的存在量以拋光組合物總重量計為 0·01重量％或更多，較佳係〇·3重量％或更多，最佳係〇·5重 畺°/〇或更多。而且’氧化劑在撤光組合物中的存在量以拋 光組合物總重量計最好為3〇重量％或更少，較佳係2〇重量％ 或更少，最佳係1 0重量％或更少。 拋光組合物可另包含一鉗合劑或錯合劑。錯合劑可為任 何適合提南欲去除基板之去除率的化學添加劑。適合的鉗 合劑或錯合劑可包括，例如羰基化合物（如乙醯丙酮化物及 類似物）、簡單羧酸酯（如乙酸酯、芳基羧酸酯及類似物）、 包含一或多個羥基之羧酸酯（如乙醇酸酯、乳酸酯、葡萄糖 酸醋、沒食子酸及其鹽和類似物）、二_、三_及聚羧酸酉旨（如 草I s日、鄰苯—甲酸醋、檸檬酸醋、琥珀酸酯、酒石酸酯、 蘋果酸i旨、依地酸(如EDTA二鉀)、聚丙烯酸醋、其混合物 和類似物）'包含一或多個確酸及/或膦酸基之羧酸醋和類似 物。適合的鉗合劑或錯合劑也可包括，例如二元_、三元- 醇U乙_醇、鄰苯二紛、焦掊盼、單寧酸及類似物） 和含胺化合物（如氨、胺基酸、胺基醇、二-、三-及聚胺和 類似物)。錯合劑最好是m酸鹽’較佳係一種草酸鹽。鉗合 劑或錯合劑的選擇將視欲去除基板層的種類而定。 =合劑或錯合劑可以任何適合量存在於抛光組合物中。 劑或錯合劑在拋光組合物中的存在量以拋光 多：二S計為0·1重量％或更多’較佳係0.5重量％或更 夕 取佳係1重晋0/十、击夕 植人物Φ針，甜合劑或錯合劑在拋光 …巾的存在量以抛光組合物的總重量計為20重量％或

O:\90\90974.DOC -13 - 1267540 更少，較佳係15重量％或更少、，最佳係ι〇重量％或更少。 本發明抛光組合物可藉任何適合方法製得。—般，抛光 組合物係藉⑴提供一適當量之液體載劑，⑻視情況加入適 合量之酸、界面活性劑、氧化劑、甜合劑或錯合劑或其組 合物，並（⑴）將所需量之第一研磨劑粒+、第二研磨劑粒子 及第，研磨劑粒子分散在所得混合物中。第一研磨劑粒 子、第m粒子及第三研磨劑粒子可利用任何適合設 備(如乂高剪切混合器)分散在液體載劑中。當拋光組合物被調 配成前驅物組合物時，也可利用上述方法製備之。一般， 用於拋光基板前，以適當量之適合液體載劑（如3份去離子 水加入1份前驅物組合物）稀釋此前驅物組合物。 本發明另提供-種利用本文所述拋光組合物拋光基板之 方法。特別地，本發明提供一種拋光基板之方法，該方法 包括下列步驟：（1)提供一種拋光組合物，其包含一種研 磨劑，及（b)—種液體載劑，其中該研磨劑包含（1)5至“重 量％厘〇1^硬度為8或更大之第一研磨劑粒子，⑴口至“重量 /〇 一維結構中含有較小原始粒子集結物之第二研磨劑粒 子，及（111)10至90重量％包含矽石之第三研磨劑粒子，（ii) 提供具有一表面之基板，並（i 1 i)以拋光組合物磨耗至少一部 分基板表面以拋光該基板。 拋光組合物及方法可用於拋光任何適合基板。較佳地， 基板包括至少一金屬層。適合的基板包括，但不限於積體 電路、記憶體或硬碟、金屬、内層介質（ILD)裝置、半導體、 微電-機械系統、鐵電及磁頭。金屬層可包含任何適合金 O:\90\90974.DOC -14 - 1267540 屬。例如，金屬層包含銅 或鍺。基板可另包含至少 多孔研磨劑、破璃、有機 、鈕、鈦、鋁、鎳、鉑、釕、銥 一絕緣層。絕緣層可為研磨劑、 聚合物、氟化有機聚合物或任何 、有機聚合物、

(如兄憶體或硬碟）。

-機械拋光（CMP)設備 本發明拋光方法係特別適合與化學 、’、°合使用。一般，該設備包含一模板，使用時，其係以由 轨道、直線或環形運動所造成之速度移動，拋光墊與模板， 接觸亚於核板移動時隨之移動’而固定欲抛光基板之載體_ 藉接觸相對於拋光墊表面移動。基板之拋光係藉基板置於 與拋光墊及本發明拋光組合物接觸發生，然後拋光墊相對 於基板移動以便磨耗至少一部分基板以拋光該基板。 理想地，CMP設備另包含一就地拋光終點偵測系統，其 許多是技術中已知的。藉分析工作物品表面之反射光或其 他輻射檢查或監視拋光程序的技術是已知技術。已知方法 係描述，例如美國專利第5，196,353號、第5,433,651號、第 _ 5,609,51 1號、第 5,643,046號、第 5,658，183號、第 5,730,642 ， 號、第 5,838,447號、第 5,872,633 號、第 5,893,796 號、第 . 5,949,927號及第5,964,643號。理想地，檢查或監視欲拋光 工作物品之拋光程序的進行可決定拋光終點，即決定何時 終止特定工作物品之拋光程序。 本發明拋光方法同等極適合與設計用於拋光記憶體或硬 體之拋光設備結合使用。一般，該設備包含一對模板（即上 模板及下模板）和一對拋光墊（即裝在上模板之上拋光墊及 0.\90\90974.DOC -15- 1267540 裝在下模板之下拋光墊）。上模板及上拋光墊具有一系列其 中所形成之孔洞或通道以使拋光組合物或泥漿通過上模板 及上拋光墊至欲拋光硬碟表面。下模板另包含一系列用於 方疋轉一或多個硬碟載體之内及外齒輪。載體固定一或多個 硬碟使各硬碟之主要表面（即上及下表面）可接觸上及下拋 光墊。使用時，令硬碟表面與拋光墊及拋光組合物或泥漿 接觸並藉由共同軸獨立地旋轉上與下模板。也驅動下模板 之齒輪使載體沿著一或多個軸在上及下模板表面及/或上 及下拋光墊内旋轉。所得環形運動（由於模板及拋光墊之旋 轉）與執道運動（由於載體旋轉）組合均勻拋光硬碟之上及下 表面。 CMP <備可另包含一種氧化基板之構件。在電化學樾光 系、、充中’氧化基板的構件最好包含一種施加隨時間改變電 位（如陽極電位）至基板（如電子電位儀）的裝置。施加隨時間 改變電位至基板的裝置可為任何適合此類裝置。氧化基板 的構件最好包含拋光初期階段期間施加第一電位（如較高 虱化電位）的裝置及拋光後期階段時或期間施加第二電位 (如較低氧化電位）的裝置或拋光中間階段期間從第一電位 變化至第二電位，如中間階段期間連續降低電位或在第 -、較咼氧化電位預定時距後，快速地從第一、較高氧化 電位降低至第二、較低氧化電位的裝i。例如，在拋光初 期階_，對基板施加相當高的氧化電位以促進相當高 板氧化/溶解/去除速率。當撤光係處於後期階段時，如 接近下面屏障層時，所施電位係降低至一程度，造成實質

O:\90\90974.DOC -16- 1267540 上較低或可忽略之基板氧化/溶解/去除速率，因此消除或實 質上減少凹陷、腐蝕及侵蝕。隨時間改變之電化學電位最 好是利用可控制可變DC電源供應器，如電子電位儀施加。 美國專利第6,379,223號另描述一種藉施加電位以氧化基板 之構件。 實例 此實例另說明本發明，但當然不應被解釋成以任何方式 限制本發明範圍。特別地，此實例證明一種根據本發明拋 光基板的方法。 以六種拋光組合物（拋光組合物A、B、C、D、E及F)拋光 包含鎳-磷層之類似基板，其中這些拋光組合物各包含〇_8 重里％酒石酸及1重量％過氧化氫並與相同拋光設備及拋光 墊結合使用。拋光組合物A(對照）以拋光組合物總重量計包 § 0.8重s %Mohs硬度為8或更大之α-氧化鋁粒子（25〇毫微 米平均粒徑）。拋光組合物Β(對照）以拋光組合物總重量計包 & 0 · 2重里〇/〇二維結構中含有較小原始粒子集結物之煙燒氧 化銘粒子。抛光組合物c(對照）以拋光組合物總重量計包含 3重置％膠體矽石粒子。拋光組合物D(對照）以拋光組合物總 重置汁包含0·8重量％α_氧化鋁粒子（25〇毫微米平均粒徑） 及0.2重1 %煙燻氧化鋁粒子。拋光組合物£(本發明）以拋光 組合物總重量計包含0 8重量氧化鋁粒子（25〇毫微米平 均粒控）、0.2重量％煙燻氧化鋁粒子及3重量％膠體矽石粒 子。抛光組合物F(本發明）以拋光組合物總重量計包含ο; 重ϊ°/〇α-氧化無粒子（35〇毫微米平均粒徑）、〇.2重量％煙燻 氧化鋁粒子及3重量％膠體矽石粒子。

O:\90\90974 DOC -17- 1267540 測量各拋光組合物之去除速率以及拋光後基板之表面粗 糙度及全面起伏度（最低5釐米）。各已拋光基板之表面粗糙 度係利用由Schmitt測量系統所購得之TMS 2〇〇〇紋理測量 系統（39微米）測得，而全面起伏度係利用相位移技術所購得 之Qptiflat系統量得。各拋光組合物的結果係概述於表中。 表·去除率、表面粗糙度及全面起伏度（最低5釐米 —~________ ---~·~-—

-----—— j_________ 如由結果可見’根據本發明拋光組合物相較於其他抛光 ' U物係主現較⑥去除率、較低表面粗繞度及較低全面起 伏度。特別地’拋光組合物£(本發明）AF(本發明）呈現出比 t對知、拋光組合物低之全面起伏度及比除拋光組合物D(對 之各對照拋光組合物高的去除率。但是，拋光組合物 人物tr.粗糙度及全面起伏度值係遠大於這些利㈣光組 所獲得的。m组合物c(對照）呈現相#低 一面=度值時，去除率係低於拋光組合物邮之去除率的 得的。而全面起伏度也高於這些利用拋光組合物E及F所獲

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Claims (1)

1267540 拾、申請專利範圍： 1 · 一種拋光組合物，其包含： (1) 一種研磨劑，其包含（a)5至45重量％Mohs硬度為8或 更大之第一研磨劑粒子，（b)l至45重量％三維結構中含有 車乂 J原始粒子集結物之第二研磨劑粒子，及⑷1 〇至9〇重 K %包含矽石之第三研磨劑粒子，和 (i i)液體載劑。 2. 如申明專利範圍第丨項之拋光組合物，其中該第一研磨劑 粒子是α-氧化鋁粒子。 3. 如申請專利範圍第丨項之拋光組合物，其中該第二研磨劑 粒子是煙燻氧化鋁粒子。 4·如申請專利範圍第丨項之拋光組合物，其中該矽石是膠體 石夕石。 5·如申請專利範圍第丨項之拋光組合物，其中該液體載劑包 含水。 6.如申明專利範圍第丨項之拋光組合物，其中該研磨劑的存 在量以抛光組合物總重量計為〇.5至2〇重量％。 7·如申明專利範圍第6項之抛光組合物，其中該研磨劑的存 在量以拋光組合物總重量計為1至6重量％。 8 ·如申明專利範圍第1項之拋光組合物，其中該研磨劑包含 ^，。至如重量^/❹之第一研磨劑粒子^^^^至如重量^之 第二研磨劑粒子，及（c)2〇至70重量％之第三研磨劑粒子。 9·如申請專利範圍第丨項之拋光組合物，其中該研磨劑包含 (a) 15至25重量％之第一研磨劑粒子，（^^丨至1〇重量％之第 O:\90\90974.DOC 1267540 10. 11, 12 13 14 15 16. 17. 18. 19. 20. 二研磨劑粒子，及（c)70至80重量％之第三研磨劑粒子。 如申請專利範圍第1項之拋光組合物，其中該第一研磨劑 粒子的平均粒子是1微米或更小。 .如申請專利範圍第10項之拋光組合物，其中該第一研磨 劑粒子的平均粒子是400微米或更小。 .如申請專利範圍第丨項之拋光組合物，其中該第二研磨劑 粒子的平均集結粒子是200微米或更小。 •如申請專利範圍第1項之拋光組合物，其中該第三研磨劑 粒子的平均粒子是150微米或更小。 •如申請專利範圍第丨項之拋光組合物，其中該拋光組合物 另包含一氧化劑。 士申明專利範圍第14項之拋光組合物，其中該氧化劑包 括過氧化氫。 士申明專利範圍第1項之拋光組合物，其中該拋光組合物 另包含酸。 如申請專利範圍第16項之抱光組合物，其中該酸是有機 酸0 其中該有機酸係 如申請專利範圍第17項之拋光組合物 、乙酸、乳酸、丙酸、鄰苯 琥ίέ酸、其鹽及其組合組成 選自草酸、丙二酸、酒石酸 一甲酸、苯甲酸、擰檬酸、 之群。 如申清專利範圍第1 $丑力ψ： Λ . 、&光、、且合物，其令該拋光組合物 的pH為1至4。 一種拋光基板之方法 其方法包括下列步驟·· 0 \90\90974.DOC 1267540 (1)提供一種拋光組合物，其包含： (a) —種研磨劑，其包含⑴5至45重量硬度為8 或更大之第一研磨劑粒子，（11)1至45重量％三維結構中含 有較j原始粒子集結物之第二研磨劑粒子，及（Η〗）1 〇至9〇 重1 /〇包含石夕石之第三研磨劑粒子，和 (b) —種液體載劑， (ii)提供具有一表面之基板，並 (in)以拋光組合物磨耗至少一部分基板表面以拋光該 基板。 21.如申味專利範圍第2〇項之方法，其中該第一研磨劑粒子 是α-氧化鋁粒子。 22·如申請專利範圍第2〇項之方法，其中該第二研磨劑粒子 是煙燻氧化鋁粒子。 23.如申請專利範圍第2〇項之方法，其中該矽石是膠體矽石。 24·如申請專利範圍第2〇項之方法，其中該液體載劑包含水。 25. 如申請專利範圍第20項之方法，其中該研磨劑的存在量 以搬光組合物總重量計為〇 ·5至2〇重量％。 26. 如申請專利範圍第25項之方法，其中該研磨劑的存在量 以拋光組合物總重量計為1至6重量％。 27. 如申請專利範圍第20項之方法，其中該研磨劑包含（a)i 5 至40重量。/。之第一研磨劑粒子，（b)15至4〇重量％之第二研 磨劑粒子’及（c)2〇至70重量％之第三研磨劑粒子。 28. 如申請專利範圍第20項之方法，其中該研磨劑包含（a)i5 至25重量％之第一研磨劑粒子，（…丨至…重量％之第二研 O:\90\90974.DOC 1267540 磨劑粒子，及（c)70至80重量％之第三研磨劑粒子。 9.如申請專利範圍第20項之方法，其中該第一研磨劑粒子 的平均粒子為1微米或更小。 3〇·如申請專利範圍第29項之方法，其中該第一研磨劑粒子 的平均粒子是5〇〇微米或更小。 31. 如申請專利範圍第2〇項之方法，其中該第二研磨劑粒子 的平均集結粒子是200微米或更小。 32. 如申請專利範圍第2〇項之方法，其中該第三研磨劑粒子 的平均粒子是15〇微米或更小。 33·如申請專利範圍第2〇項之方法，其中該拋光组合物另包 含氧化劑。 34. 如申請專利範圍第33項之方法，其中該氧化劑包括過氧 化氫。 35. 如申請專利範圍第2〇項之方法，其中該拋光組合物另包 含酸。 36. 如申請專利範圍第35項之方法，其中該酸是一種有機酸。 37·如中請專利範圍第36項之方法，其中該有機酸係選自草 酸、丙一酸、酒石酸、乙酸、乳酸、丙酸、鄰苯二甲酸、 苯甲酸、檸檬酸、琥珀酸、其鹽及其組合組成之群。 38·如申請專利範圍第2〇項之方法，其中㈣光組合物的pH 為1至4。 39·如申請專利範圍第20項之方法，其中該基板包含錄-碟層。 O:\90\90974.DOC