JP4253141B2 - 化学機械研磨用スラリおよび半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、CMP(Chemical Mechanical Polishing)用スラリに関し、特にDRAMや高速ロジックLSIに搭載されるAl、Cu、Wなどの金属を主成分とするダマシン配線を形成するためのCMP用スラリ及びこれを用いた半導体装置の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、半導体装置の製造技術では、LSIの高性能化に伴い、配線の微細化、高密度化及び多層化が急速に進んでいる。また、デザインルールが縮小化されていくばかりではなく、新しい材料の導入も活発に行われている。例えば、配線材料にはCuを主成分とするものや有機系や多孔質など低誘電率系の層間絶縁膜(ILD)などの開発が進んでいる。
【0003】
特に、CMP技術は配線および接続配線を絶縁膜に埋め込み形成するデュアルダマシンプロセスに適用すると工程数が削減できる。また、CMP技術はウエハ最表面の凸凹を緩和することができるため、リソグラフィプロセスのフォーカスマージンを確保することもできる。さらに、CMP技術はCuなどドライエッチングが困難である材料で配線を形成することも可能である。
【0004】
現在のメタルダマシン配線プロセスでは、スループットを向上させるために高研磨速度が望まれている。また、高性能配線を形成するためには、配線などのメタル部および層間絶縁膜などの低エロージョン(erosion)と、配線などのメタル部および層間絶縁膜などの低スクラッチを達成できるCMPプロセスが望まれている。ここで、エロージョンとはCMP方法において配線などのオーバーポリッシングで生じるディッシングによるメタルロスと、絶縁膜のオーバーポリッシングで生じるシニングによるメタルロスを意味する。
【0005】
CMP特性は、主にスラリと研磨パッドにより決定される。研磨パッドは、低エロージョンを得るために、ある程度の堅さは必要である。現在、Rodel社で市販されているハードパッド(IC1000−Pad)よりも柔らかい研磨パッドでは一般的なスラリを用いてもエロージョンを制御することが困難である。
【0006】
しかしながら、前記ハードパッドでは、低エロージョンは実現できるが、スラリ中に含まれる粗大粒子、過度の凝集体によるスクラッチあるいはスクラッチに起因する膜剥がれを生じる虞がある。つまり、現状では低エロージョンと低スクラッチ化はトレードオフの関係にある。したがって、低エロージョン及び低スクラッチの両方を実現するためには、スラリ側の改善を図る必要がある。
【0007】
CMP用スラリは、例えば水に研磨粒子を分散させた組成を有する。この研磨粒子は、従来、フュームド法で形成されたシリカやアルミナが用いられている。この研磨粒子は、安価で、高純度である特徴を有する。また、フュームド法で形成された粒子は、製造過程で凝集体(二次粒子)が形成され、これが研磨速度を高める作用をなすと考えられている。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、フュームド法で形成された粒子は、一次粒子径のバラツキが大きく、二次粒子が大きすぎ、さらに粗大粒子が形成され易いために、CMP特性を厳格にコントロールすることが困難になる。
【0009】
本発明の目的は、導電性材料膜のCMP処理に際し、低エロージョンおよび低スクラッチ化を図ることが可能なCMP用スラリを提供することである。
【0010】
本発明の別の目的は、導電性材料膜のCMP処理に際し、CMPの高速化と低エロージョンおよび低スクラッチ化とを図ることが可能なCMP用スラリを提供することである。
【0011】
本発明のさらに別の目的は、絶縁膜の配線溝に埋込まれた低エロージョンおよび低スクラッチの配線(例えばダマシン配線)の形成を可能にした半導体装置の製造方法を提供することである。
【0012】
本発明のさらに別の目的は、絶縁膜の配線溝に導電性バリア膜を介して埋込まれた低エロージョンおよび低スクラッチの配線(例えばダマシン配線)の形成を可能にした半導体装置の製造方法を提供することである。
【0013】
【課題を解決するための手段】
本発明によると、一次粒子径が5〜20nmの第1コロイダルシリカ粒子と、一次粒子径が20nmを超える大きさで、前記第1コロイダルシリカ粒子と同一材料の第2コロイダルシリカ粒子とを含み、かつ前記第1、第2のコロイダルシリカ粒子の合量に占める前記第1コロイダルシリカ粒子が重量比で0.6〜0.9である研磨粒子を含有することを特徴とするCMP用スラリが提供される。
【0015】
さらに本発明によると、半導体基板上に形成された絶縁膜表面に配線溝を形成する工程と、
前記配線溝内部を含む前記絶縁膜上に導電性材料膜を堆積させる工程と、
一次粒子径が5〜20nmの第1コロイダルシリカ粒子と、一次粒子径が20nmを超える大きさで、前記第1コロイダルシリカ粒子と同一材料の第2コロイダルシリカ粒子とを含み、かつ前記第1、第2のコロイダルシリカ粒子の合量に占める前記第1コロイダルシリカ粒子が重量比で0.6〜0.9である研磨粒子を含有する化学機械研磨用スラリを少なくとも用いて前記導電性材料膜を化学機械研磨し、前記配線溝に埋込まれた前記導電性材料膜以外の導電性材料膜を除去する工程と
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
【0016】
さらに本発明によると、半導体基板上に形成された絶縁膜表面に配線溝を形成する工程と、
前記配線溝の内面を含む前記絶縁膜上に導電性バリア膜を堆積させる工程と、
前記導電性バリア膜上に前記配線溝が埋まるように配線材料膜を堆積させる工程と、
前記配線材料膜を化学機械研磨し、前記配線溝の内面を除く前記絶縁膜上の導電性バリア膜をストッパとして前記配線溝内に埋込まれた前記配線材料膜以外の配線材料膜を除去する工程と、
一次粒子径が5〜20nmの第1コロイダルシリカ粒子と、一次粒子径が20nmを超える大きさで、前記第1コロイダルシリカ粒子と同一材料の第2コロイダルシリカ粒子とを含み、かつ前記第1、第2のコロイダルシリカ粒子の合量に占める前記第1コロイダルシリカ粒子が重量比で0.6〜0.9である研磨粒子を含有する化学機械研磨用スラリを用いて前記絶縁膜上の導電性バリア膜部分を化学機械研磨する工程と
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。
【0017】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態に係るCMP用スラリを詳細に説明する。
【0018】
(1)CMP用スラリ
このCMP用スラリは、一次粒子径が5〜30nmで、会合度が5以下のコロイダル粒子からなる研磨粒子を水、好ましくは純水に分散させた組成を有する。
【0019】
前記コロイダル粒子としては、例えばコロイダルシリカ粒子を挙げることができる。このコロイダルシリカ粒子は、例えばSi(OC2H5)4、Si(sec−OC4H9)4、Si(OCH3)4、Si(OC4H9)4のようなシリコンアルコキシド化合物をゾルゲル法により加水分解することにより得ることができる。このようなコロイダル粒子(例えばコロイダルシリカ粒子)は、後述する図3に示すように粒度分布が非常に急峻なものである。
【0020】
前記一次粒子径とは、コロイダル粒子の粒子径とその粒子径を持つ粒子数を積算した累積度数との関係を示す粒度累積曲線を求め、この曲線の累積度数が50%のポイントでの粒子径を意味するものである。このコロイダル粒子の粒子径は、電子顕微鏡写真で測定することができる。
【0021】
前記コロイダル粒子の一次粒子径を規定したのは、次のような理由によるものである。前記コロイダル粒子の一次粒子径を5nm未満にすると、このコロイダル粒子を研磨粒子として含むスラリの研磨性能が低下する虞がある。前記コロイダル粒子の一次粒子径が30nmを超えると、このコロイダル粒子を研磨粒子として含むスラリによる研磨時において、エロージョンおよびスクラッチが発生する虞がある。より好ましい前記コロイダル粒子の一次粒子径は10〜20nmである。
【0022】
前記会合度とは、一次粒子が凝集した二次粒子の径を一次粒子の径で除した値(二次粒子の径/一次粒子の径)を意味する。ここで、会合度が1とは単分散した一次粒子のみのものを意味する。前記二次粒子径は、動的光散乱法又はレーザー回折法もしくは電子顕微鏡法で測定することができる。
【0023】
前記会合度が5を超えると、この会合度のコロイダル粒子を研磨粒子として含むスラリによる研磨時において、エロージョンおよびスクラッチが発生する虞がある。
【0024】
前記コロイダル粒子において、会合したコロイダル粒子の径は100nm以下であることが好ましい。
【0025】
前記研磨粒子は、前記スラリ中に0.5〜5重量%含有されることが好ましい。前記研磨粒子の含有量を0.5重量%未満にすると、この研磨粒子を含むスラリの研磨性能が低下する虞がある。前記研磨粒子の含有量が5重量%を超えると、この研磨粒子を含むスラリによる研磨時において、エロージョンおよびスクラッチが発生する虞がある。より好ましい前記研磨粒子の量は、0.5〜2重量%である。
【0026】
また、前記スラリ中に含有される研磨粒子(コロイダル粒子)の上限量を5重量%にすることによって、コロイダル粒子の一次粒子が過度に二次粒子化するのを抑えて、コロイダル粒子の会合度を5以下に容易にコントロールすることが可能になる。その結果、この研磨粒子を含むスラリによる研磨時において、低エロージョンおよび低スクラッチ化を図ることが可能になる。
【0027】
前記CMP用スラリのpHは、前記コロイダル粒子の等電点に対して±1程度ずらすことが望ましいが、基本的にpH0.5〜12の領域で使用すればよい。
【0028】
前記CMP用スラリは、以下に説明する1)酸化剤、2)酸化抑制剤、3)界面活性剤から選ばれる少なくとも1つの成分をさらに含有することを許容する。
【0029】
1)酸化剤
この酸化剤としては、例えば過硫酸アンモニウム、過硫酸カリウム、過酸化水素水、硝酸第二鉄、硝酸アンモニウムセリウム等を挙げることができる。この酸化剤は、スラリ中に0.1〜5重量%配合することが好ましい。
【0030】
2)酸化抑制剤
この酸化抑制剤は、キナルジン酸、キノリン酸、マロン酸、シュウ酸、コハク酸などの有機酸、グリシン、アラニン、トリプトファンなどのアミノ酸などを挙げることができる。この中で、取り扱いの点からキナルジン酸、キノリン酸、グリシンが好ましい。前記酸化抑制剤は、スラリ中に0.01〜3重量%配合することが好ましい。
【0031】
3)界面活性剤
この界面活性剤は、研磨時のエロージョン及びスクラッチを低減させるもので、例えばアニオン界面活性剤、カチオン界面活性剤、ノニオン界面活性剤等を挙げることができる。この中で、特にドデシルベンゼンスルホン酸塩、ポリオキシエチレンアルキルアミン、ポリオキシエチレンラウリルエーテルが好適である。この界面活性剤は、スラリ中に0.01〜1重量%配合することが好ましい。
【0032】
(2)CMP用スラリ
このCMP用スラリは、一次粒子径が5〜20nmの第1コロイダル粒子と、一次粒子径が20nmを超える大きさで、前記第1コロイダル粒子と同一材料の第2コロイダル粒子とを含み、かつ前記第1、第2のコロイダル粒子の合量に占める前記第1コロイダル粒子(第1コロイダル粒子/第1、第2のコロイダル粒子の合量)の比率が重量割合で0.6〜0.9である研磨粒子を水、好ましくは純水に分散させた組成を有する。
【0033】
前記第1、第2のコロイダル粒子としては、例えばコロイダルシリカ粒子を挙げることができる。このコロイダルシリカ粒子は、例えばSi(OC2H5)4、Si(sec−OC4H9)4、Si(OCH3)4、Si(OC4H9)4のようなシリコンアルコキシド化合物をゾルゲル法により加水分解することにより得ることができる。このような第1、第2のコロイダル粒子(例えば第1、第2のコロイダルシリカ粒子)は、後述する図3に示すように粒度分布が非常に急峻なものである。
【0034】
前記第1、第2のコロイダル粒子の一次粒子径とは、コロイダル粒子の粒子径とその粒子径を持つ粒子数を積算した累積度数との関係を示す粒度累積曲線を求め、この曲線の累積度数が50%のポイントでの粒子径を意味するものである。このコロイダル粒子の粒子径は、電子顕微鏡写真で測定することができる。
【0035】
前記第1コロイダル粒子は、前記(1)のCMP用スラリで定義した会合度が5以下であることが好ましい。
【0036】
前記第2コロイダル粒子の一次粒子径は、特に20nmを超え、50nm以下の大きさを有することが望ましい。
【0037】
前記(第1コロイダル粒子/第1、第2のコロイダル粒子の合量)の比率を重量割合で0.6〜0.9に規定したのは、次のような理由によるものである。前記比率を0.6未満にすると、これら第1、第2のコロイダル粒子を研磨粒子として含むスラリによる研磨時において、エロージョンおよびスクラッチが発生する虞がある。一方、前記比率が0.9を越えるとこれら第1、第2のコロイダル粒子を研磨粒子として含むスラリの研磨性能が低下する虞がある。
【0038】
前記研磨粒子は、前記スラリ中に0.5〜5重量%含有されることが好ましい。前記研磨粒子の含有量を0.5重量%未満にすると、この研磨粒子を含むスラリの研磨性能が低下する虞がある。前記研磨粒子の含有量が5重量%を超えると、この研磨粒子を含むスラリによる研磨時において、エロージョンおよびスクラッチが発生する虞がある。より好ましい前記研磨粒子の量は、1〜3重量%である。特に、前記第2コロイダル粒子は、前記スラリ中に最大で0.4重量%含有されることが好ましい。
【0039】
前記CMP用スラリのpHは、前記第1コロイダル粒子の等電点に対して±1程度ずらすことが望ましいが、基本的にpH0.5〜12の領域で使用すればよい。
【0040】
前記CMP用スラリにおいて、前記第1、第2のコロイダル粒子にさらにこれらのコロイダル粒子と異なる材料からなる第3粒子を配合して研磨粒子を構成することを許容する。この第3粒子としては、例えば酸化セリウム、酸化マンガン、シリカ、アルミナおよびジルコニアからなる群から選ばれる少なくとも1つの粒子を用いることができる。前記第3粒子は、特にコロイダルアルミナ粒子が好ましい。このコロイダルアルミナ粒子は、例えばAl(iso−OC3H7)3、Al(OCH3)3、Al(OC2H5)3のようなアルミニウムアルコキシド化合物をゾルゲル法により加水分解することにより得ることができる。
【0041】
前記第3粒子は、前述した定義に基づく一次粒子径が5〜30nmであることが好ましい。この第3粒子は、前記第1、第2のコロイダル粒子の合量に対して40重量%以下配合されることが好ましい。
【0042】
前記CMP用スラリは、前述した1)酸化剤、2)酸化抑制剤、3)界面活性剤から選ばれる少なくとも1つの成分をさらに含有することを許容する。
【0043】
前述したCMP用スラリにより例えば基板上に成膜された導電性材料膜を研磨するには、図1および図2に示すポリッシング装置が用いられる。図1は、CMP処理に使用されるポリッシング装置を示す断面図、図2は図1のポリッシング装置の要部を示す斜視図である。
【0044】
すなわち、研磨盤受け23はステージ21上にベアリング22を介して配置されている。研磨盤24(ターンテーブル)は、前記研磨盤受け23上に取り付けられている。研磨パッド25は、前記研磨盤24上に張り付けられている。駆動シャフト26は、前記研磨盤受け23および前記研磨盤24を回転させるためにこれらの中心部分に連結されている。この駆動シャフト26は、モータ27により回転ベルト28を介して回転される。
【0045】
導電性材料膜が形成された基板、例えば半導体ウエハ20は、前記研磨パッド25と対向する位置に配置され、真空又は水張りにより吸着盤(トップリング)31に取り付けられた吸着布30およびテンプレート29に固定されている。前記トップリング31は、駆動シャフト32に連結されている。この駆動シャフト32は、モータ33により2つのギア34,35を介して回転される。駆動台36は、前記駆動シャフト32に固定されている。シリンダ37は、前記駆動台36に取り付けられ、このシリンダ37による上下の移動に伴って前記駆動台36も上下する。スラリ供給管38は、スラリタンク(図示せず)から導出され、かつ下端が前記研磨パッド25の上方に配置されている。
【0046】
このようなポリッシング装置において、モータ27を駆動することにより研磨パッド25が張り付けられた研磨盤24を回転する。トップリング31に半導体ウエハ20を固定し、モータ33を駆動して前記トップリング31を前記研磨パッド25と同一方向に回転させると共にシリンダ37により前記トップリング31に取り付けられた半導体ウエハ20を前記研磨パッド25に押し付ける。このとき、スラリタンク(図示せず)のCMP用スラリをスラリ供給管38を通して互いに同一方向に回転し、摺接される前記研磨パッド25と前記半導体ウエハ20の間に滴下してそのウェハ表面(図1、図2では裏面)の導電性材料膜のポリッシングを行う。
【0047】
次に、本発明の実施形態に係る半導体装置の製造方法を詳細に説明する。
【0048】
(第1工程)
半導体基板上の絶縁膜表面に配線溝を形成し、この配線溝を含む全面に導電性材料膜を形成する。
【0049】
前記絶縁膜としては、例えばシラン系ガス、TEOS系ガスを用いて形成されたシリコン酸化膜のような無機質絶縁膜、フッ素を含有した低誘電率の絶縁膜、有機系膜または多孔質膜のように柔らかく、脆く、剥がれ易く、疎水性を有するLow−K絶縁膜を用いることができる。
【0050】
前記導電性材料膜は、金属からなる配線材料膜単独、または導電性バリア膜とこのバリア膜に積層された金属からなる配線材料膜との2層以上の積層膜を挙げることができる。
【0051】
前記金属からなる配線材料膜としては、例えばCuまたはCu−Si合金、Cu−Al合金、Cu−Si−Al合金、Cu−Ag合金のようなCu合金、AlまたはAl合金、W等を用いることができる。
【0052】
前記導電性バリア膜としては、例えばTiN、Ti、Nb、W,WN,TaN,TaSiN,Ta,V,Mo,ZrおよびZrNから選ばれる1層または2層以上から作られる。
【0053】
(第2工程)
前記基板の導電性材料膜を前述した図1、図2に示すポリッシング装置および前記(1),(2)のCMP用スラリを用いてCMP処理を行い、前記配線溝に埋込まれた前記導電性材料膜以外の導電性材料膜を除去することにより前記絶縁膜に埋込み配線(ダマシン配線)を形成する。
【0054】
なお、前記導電性材料膜が導電性バリア膜とこのバリア膜に積層された金属からなる配線材料膜との2層以上の積層膜からなる場合、前記配線材料膜を前述した図1および図2に示すポリッシング装置および前記(1),(2)のCMP用スラリを用いてCMP処理した後、前記絶縁膜表面に位置する露出した導電性バリア膜部分を前記配線材料膜のときに使用したスラリと異なる組成のCMP用スラリを用いてCMP処理して除去することにより、前記絶縁膜に前記導電性バリア膜を介して埋込まれたダマシン配線を形成することができる。
【0055】
また、導電性バリア膜とこのバリア膜に積層された金属からなる配線材料膜との2層以上の積層膜からなる場合、前述した図1および図2に示すポリッシング装置および前記(2)で説明した第1、第2のコロイダル粒子、さらにコロイダルアルミナ粒子のような第3粒子を含むCMP用スラリを用いてCMP処理してそれら積層膜を除去することにより、前記絶縁膜に前記導電性バリア膜を介して埋込まれたダマシン配線を形成することができる。
【0056】
次に、本発明の実施形態に係る別の半導体装置の製造方法を説明する。
【0057】
(第1工程)
半導体基板上に形成された絶縁膜表面に配線溝を形成し、この配線溝の内面を含む前記絶縁膜上に導電性バリア膜を堆積した後、この導電性バリア膜上に金属からなる配線材料膜を前記配線溝が埋まるように堆積させる。
【0058】
前記絶縁膜、導電性バリア膜および配線材料膜は、前述したのと同様なものを用いることができる。
【0059】
(第2工程)
前記配線材料膜を化学機械研磨し、前記配線溝の内面を除く前記絶縁膜上の導電性バリア膜をストッパとして前記配線溝内に埋込まれた前記配線材料膜以外の配線材料膜を除去する。
【0060】
前記化学機械研磨処理は、汎用のCMP用スラリを用いて行うことができる。
【0061】
(第3工程)
前記絶縁膜上の導電性バリア膜部分を前述した図1、図2に示すポリッシング装置および前記(1),(2)のCMP用スラリを用いてCMP処理を行い、前記導電性バリア膜を介して埋込まれたダマシン配線を形成する。
【0062】
以上説明した本発明の実施形態に係るCMP用スラリは、一次粒子径が5〜30nmで、会合度が5以下のコロイダル粒子からなる研磨粒子を含む組成を有するため、導電性材料膜、例えばCu膜のCMP処理に際し、低エロージョンおよび低スクラッチ化を図ることができる。
【0063】
また、本発明の実施形態に係る別のCMP用スラリは一次粒子径が5〜20nmの第1コロイダル粒子と、一次粒子径が20nmを超える大きさで、前記第1コロイダル粒子と同一材料の第2コロイダル粒子とを含み、かつ前記第1、第2のコロイダル粒子の合量に占める前記第1コロイダル粒子が重量比で0.6〜0.9である研磨粒子を含有するため、導電性材料膜、例えばCu膜のCMP処理に際し、CMPの高速化と低エロージョンおよび低スクラッチ化とを図ることができる。
【0064】
すなわち、図3はフュームド法で形成されたシリカ粒子およびゾルゲル法で形成されたコロイダルシリカ粒子における一次粒子の対数正規プロットを示すグラフである。図3において、縦軸は累積度数(%)を表わし、横軸は粒子径(nm)を表わしている。コロイダルシリカ粒子の累積度数曲線Aは、累積度数50%のポイントの粒子径が15nm(1σ;11.8%)であり、コロイダルシリカ粒子の累積度数曲線Bは累積度数50%のポイントの粒子径が41nm(1σ;12.9%)であり、フュームド法のシリカ粒子の累積度数曲線Cは累積度数50%のポイントの粒子径が58nm(1σ;25.2%)である。
【0065】
図3に示すようにコロイダルシリカ粒子は、フュームド法に比べて粒子径のバラツキが小さい。また、コロイダルシリカ粒子は凝集して粗大粒子を生成し難い。このため、コロイダルシリカ粒子はその粒子径をコントロールするという観点から、取り扱い易い粒子である。
【0066】
ただし、コロイダル粒子は以下に説明する図4に示すように一次粒子径が10nm程度と小さい場合、エロージョン及びスクラッチはほとんど生じないが、研磨速度が低下する。一方、コロイダル粒子は一次粒子径が30nmを超える大きな粒子、特に50nmを超える大きな粒子になると、逆に研磨速度は向上するが、エロージョン、スクラッチが生じやすくなる。
【0067】
すなわち、図4はCMP処理に用いるコロイダル粒子の粒子径(nm)の変化に伴うCuの研磨速度(CuRR)の変化およびエロージョンの大きさ(nm)を表している。図4において、縦軸左が研磨速度(nm/min)、縦軸右がエロージョンの大きさ(nm)を表わし、横軸がコロイダルシリカ粒子の粒子径(nm)を表わしている。図4中の曲線Dは、コロイダルシリカ粒子の粒子径の変化に伴うエロージョンの大きさを示す特性線、曲線Eはコロイダルシリカ粒子の粒子径の変化に伴うCuの研磨速度の大きさを示す特性線である。
【0068】
コロイダル粒子は、凝集体、つまり二次粒子を形成し難い性質を有し、一次粒子径が小さいときに低エロージョン性、低スクラッチ性を示し、一次粒子径が大きいときに高研磨速度の特性を併せ持っている。
【0069】
このようなことから、本発明の実施形態によれば一次粒子径が5〜30nmで、会合度が5以下のコロイダル粒子からなる研磨粒子を含む組成にすることによって、導電性材料膜、例えばCu膜を低エロージョンおよび低スクラッチを図りつつ、CMP処理することが可能なCMP用スラリを提供できる。
【0070】
また、本発明の実施形態によれば一次粒子径が5〜20nmの第1コロイダル粒子と、一次粒子径が20nmを超える大きさで、前記第1コロイダル粒子と同一材料の第2コロイダル粒子とを含み、かつ前記第1、第2のコロイダル粒子の合量に占める前記第1コロイダル粒子が重量比で0.6〜0.9である研磨粒子を含有する組成にすることによって、導電性材料膜、例えばCu膜を低エロージョンおよび低スクラッチを図りつつ、高速CMP処理することが可能なCMP用スラリを提供できる。
【0071】
さらに、本発明の実施形態によれば半導体基板上の絶縁膜表面に配線溝を形成し、この配線溝を含む全面に導電性材料膜を形成した後、この導電性材料膜を例えば前述した図1、図2に示すポリッシング装置および前記(1),(2)のCMP用スラリを用いてCMP処理を行い、前記配線溝に埋込まれた前記導電性材料膜以外の導電性材料膜を除去することによって、前記絶縁膜の配線溝に低エロージョンおよび低スクラッチの埋込み配線(ダマシン配線)を形成することができる。
【0072】
さらに、本発明の実施形態によれば半導体基板上の絶縁膜表面に配線溝を形成し、この配線溝内面を含む全面に導電性バリア膜を堆積し、さらに金属からなる配線材料膜を堆積した後、この配線材料膜を前記導電性バリア膜をストッパとしてCMPを行い、ひきつづき露出した導電性バリア膜部分を例えば前述した図1、図2に示すポリッシング装置および前記(1),(2)のCMP用スラリを用いてCMP処理することによって、前記絶縁膜の配線溝に導電性バリア膜を介して埋込まれた低エロージョンおよび低スクラッチの配線(ダマシン配線)を形成することができる。
【0073】
特に、有機系膜または多孔質膜のように柔らかく、脆く、剥がれ易く、疎水性を有するLow−K絶縁膜の配線溝に導電性バリア膜を介して埋め込んでダマシン配線を形成する際、前記(1),(2)のCMP用スラリによるCMP処理は前記Low−K絶縁膜に対してソフトでかつ穏やかである。このため、前記Low−K絶縁膜上の導電性バリア膜をCMP処理する際、前記Low−K絶縁膜が前記導電性バリア膜と共に剥離されることなく、その絶縁膜の配線溝に導電性バリア膜を介して埋込まれた低エロージョンおよび低スクラッチの配線(ダマシン配線)を形成することができる。その結果、低誘電率の絶縁膜に起因する伝播遅延を抑制した高速のダマシン配線を有する半導体装置を製造することができる。
【0074】
【実施例】
以下、本発明の実施例を図面を参照して説明する。
【0075】
(実施例1)
まず、図5の(a)に示すように例えば半導体素子などが作られたシリコン基板(シリコンウエハ)101上に例えば酸化シリコンからなる絶縁膜102を形成した後、表面を平坦化した。つづいて、この絶縁膜102を選択的にエッチングして深さ400nmの配線溝103を形成した。ひきつづき、厚さ10nm程度のバリア膜としてのTaN膜104を前記絶縁膜102上および前記配線溝103の内面に堆積させた。この後、厚さ800nmのCu膜105をスパッタリング法およびメッキ法により順次堆積した。
【0076】
次いで、前述した図1、図2に示すポリッシング装置および下記組成の第1CMP用スラリを用いて下記条件で前記Cu膜105表面をCMP処理することにより、図5の(b)に示すように前記配線溝103にのみCu膜105を残存させた。なお、前記CMP処理はTaN膜104でストップさせることができた。
【0077】
<第1CMP用スラリの組成>
・研磨粒子;一次粒子径15nm、会合度3.0の第1コロイダルシリカ(前述した図3のコロイダルシリカ粒子A):0.8wt%、一次粒子径41nm、会合度3.0の第2コロイダルシリカ(前述した図3のコロイダルシリカ粒子B):0.2wt%、
・過硫酸アンモニウム(酸化剤):1wt%、
・キナルジン酸(酸化抑制剤):0.5wt%、
・ドデシルベンゼンスルホン酸カリウム:0.06wt%、
・pH;9.2(水酸化カリウム水溶液を加えて調節)。
【0078】
<CMP処理条件>
・研磨パッド;Rodel社製商品名IC1000/SUBA400、
・スラリの供給流量:200cc/分、
・トップリング(TR)の回転数;100rpm、
・ターンテーブル(TT)回転数:100rpm、
・荷重(DF):300g/cm2。
【0079】
次いで、前記絶縁膜102上に位置する露出したTaN膜104部分を前述した図1、図2に示すポリッシング装置および下記組成の第2CMP用スラリを用いて下記条件でCMP処理した。このCMP処理により図5の(c)に示すように配線溝103にTaN膜104を介して埋込まれたCu配線(Cuダマシン配線)106が形成された。
【0080】
<第2CMP用スラリの組成>
・研磨粒子;一次粒子径30nmのコロイダルシリカ:3wt%、
・エチレンジアミン:0.05wt%。
【0081】
<CMP処理条件>
・スラリの供給流量:200cc/分、
・研磨パッド;Rodel社製商品名IC1000/SUBA400、
・トップリング(TR)の回転数;50rpm、
・ターンテーブル(TT)回転数:50rpm、
・荷重(DF):300g/cm2。
【0082】
本実施例1において、前記Cu膜のCMP処理によるCMP特性を図6に示す。なお、図6には研磨粒子としてフュームド法のシリカ粒子を用いた以外、実施例1と同様な組成のCMP用スラリ、図1、図2に示すポリッシング装置を用いて同様な条件でCu膜をCMP処理したときのCMP特性を比較例1として示す。図6の縦軸は、エロージョン(erosion)/配線幅100μmの大きさ(nm)を表わし、横軸はオーバーポリッシング(%)を表わしている。ここでのエロージョンは、配線幅を100μmとし、+0〜100%の範囲でオーバーポリッシングを行った場合の大きさを表す。つまり、前記エロージョンは配線溝内部以外のCu膜がなくなるジャストポリッシングまでのポリッシング時間に0〜100%のポリッシング時間を付加してオーバーポリッシングを行った場合の大きさを表す。
【0083】
この図6から明らかなように研磨粒子としてフュームド法のシリカ粒子を用いた比較例1によれば、エロージョンが400nm(配線幅100μm、+100%オーバーポリッシュ)であった。また、比較例1によるCu膜の研磨速度は、432nm/分であった。
【0084】
これに対し、研磨粒子として一次粒子径15nmの第1コロイダルシリカ粒子および一次粒子径41nmの第2コロイダルシリカ粒子を含む実施例1のCMP用スラリによるCMP処理では、Cu膜の研磨速度が520nm/分と約20%向上し、エロージョンが28nm(配線幅100μm、+100%オーバーポリッシュ)と飛躍的に改善できた。
【0085】
また、本実施例1で用いられるスラリ中の第1コロイダルシリカ粒子と第2コロイダルシリカ粒子との配合バランスは、図7に示す関係にある。図7において、縦軸左は、Cuの研磨速度(CuRR:nm/min)、縦軸右はエロージョンの大きさ(nm)を表わし、横軸は第1、第2のコロイダルシリカ粒子の合量に占める第1コロイダルシリカの比率(重量割合)を表わしている。曲線Fは、エロージョンの大きさを示す特性曲線、曲線GはCu研磨速度を示す特性曲線、を表わしている。
【0086】
図7から明らかなように第1、第2のコロイダルシリカ粒子の合量に占める第1コロイダルシリカの比率が0.6〜0.9の範囲において低エロージョン、高研磨速度を両立できることがわかる。
【0087】
また、第1、第2のコロイダルシリカ粒子の合量に占める第1コロイダルシリカの比率が0.6〜0.9の範囲においてTaN膜104の研磨速度を抑制しつつ、Cu膜を高速研磨することが可能で、それら膜の選択比を大きくできる。例えばTaN膜104の研磨速度をCu膜のそれに対し1/5(約3nm/分)とすることができる。その結果、より確実にTaN膜104でポリッシングのストッパとして機能させることができる。
【0088】
以上、本実施例1によればCuに対する研磨速度の向上によりスループットの向上と、エロージョン性が大幅に改善された高性能のCuダマシン配線の形成とを達成することができる。
【0089】
また、本実施例1で用いられるCMP用スラリは研磨中の摩擦(テーブルモータのトルクセンサ電流値)も小さいため、絶縁膜の剥がれに対しても有利である。さらに、2種類のコロイダルシリカ粒子を混合することによって、研磨速度のウエハ面内の均一性が改善され、特にウエハエッジ部の研磨速度が向上するため、配線のショート歩留まりが、比較例1のそれが80〜90%であったのに対し、100%に改善された。
【0090】
(参考例1)
まず、図8の(a)に示すように例えば半導体素子などが作られたシリコン基板(シリコンウエハ)201上に絶縁膜202を形成した後、この絶縁膜202を選択的にエッチングして深さ400nmの配線溝203を形成した。前記絶縁膜202は、多孔質膜や有機系膜のような柔らかく、脆く、剥がれ易いlow−K膜である。つづいて、厚さ15nm程度のバリア膜としてのNb膜204を前記絶縁膜202上および前記配線溝203の内面に堆積させた。この後、厚さ800nmのAl膜205をスパッタリング法により堆積した。
【0091】
次いで、前述した図1、図2に示すポリッシング装置および下記組成の第1CMP用スラリを用いて下記条件で前記Al膜205表面をCMP処理することにより、図8の(b)に示すように前記配線溝203にのみAl膜205を残存させた。このAl膜205の研磨において、前記Nb膜204がストッパとして作用する。このため、下記組成のようにフュームド法で形成したアルミナとシリカの混合粒子を含むスラリを用いても、前述した脆弱な絶縁膜202に対するダメージを抑制できる。
【0092】
<第1CMP用スラリの組成>
・研磨粒子;フュームド法で形成したアルミナとシリカの混合粒子、
・過硫酸アンモニウム(酸化剤):0.5wt%、
・キナルジン酸(酸化抑制剤):0.02wt%、
<CMP処理条件>
・スラリの供給流量:200cc/分、
・研磨パッド;Rodel社製商品名IC1000/SUBA400、
・トップリング(TR)の回転数;100rpm、
・ターンテーブル(TT)回転数:100rpm、
・荷重(DF):300g/cm2。
【0093】
次いで、前記絶縁膜202上に位置する露出したNb膜204部分を前述した図1、図2に示すポリッシング装置および下記組成の第2CMP用スラリを用いて下記条件でCMP処理した。このCMP処理により図8の(c)に示すように配線溝203にNb膜204を介して埋込まれたAl配線(Alダマシン配線)206が形成された。
【0094】
<第2CMP用スラリの組成>
・研磨粒子;一次粒子径15nm、会合度:3.0のコロイダルシリカ:0.8wt%、
・過硫酸アンモニウム(酸化剤):1wt%、
・キナルジン酸(酸化抑制剤):0.05wt%、
・カチオン界面活性剤:0.025wt%。
【0095】
<CMP処理条件>
・研磨パッド;ポリテックス社製商品名Politex、
・スラリの供給流量:200cc/分、
・トップリング(TR)の回転数;60rpm、
・ターンテーブル(TT)回転数:100rpm、
・荷重(DF):300g/cm2。
【0096】
このようなNb膜204のCMP処理において、柔らかく、脆く、且つ疎水性のlow−K絶縁膜202にダメージを与えることなく研磨でき、ダマシン配線206を形成することができた。
【0097】
また、参考例1で用いられるスラリ中のコロイダルシリカの一次粒子径と絶縁膜に対するスクラッチとの関係を図9に示す。なお、コロイダルシリカの会合度は3.0と一定にした。図9において、縦軸は8インチウエハ上の絶縁膜に対するスクラッチ数(個)を表わし、横軸はスラリに含有されるコロイダルシリカの一次粒子径(nm)を表わしている。
【0098】
図9から明らかなように一次粒子径が30nmを超える大きさのコロイダルシリカ粒子を研磨粒子として含むスラリでCMP処理すると、low−K絶縁膜へのスクラッチ数が急激に増加することがわかる。
【0099】
これに対し、一次粒子径が5〜30nmのコロイダルシリカ粒子を研磨粒子として含む本実施例のスラリでCMP処理すると、low−K絶縁膜へのスクラッチ数がほぼゼロに激減できることがわかる。
【0100】
以上、参考例1によれば有機系絶縁膜や多孔質絶縁膜のように柔らかく、脆く、剥れ易いlow−K膜に対しても、ダメージを与えることなくCMP処理をすることが可能となる。そのため、ダマシン配線を多層に形成した場合、各層でのスクラッチに起因する上層膜の剥れ、配線形成時のメタル残りのための電流ショート、リソグラフィプロセスのフォーカスずれによるパターン形状の異常等を大幅に改善することができる。
【0101】
(参考例2)
半導体素子などが作られたシリコン基板(シリコンウエハ)の例えば酸化シリコンからなる絶縁膜上に堆積されたCu膜を前述した図1、図2に示すポリッシング装置および下記組成のCMP用スラリを用いて下記条件でCMP処理した以外、実施例1と同様な方法により配線溝にTaN膜を介して埋込まれたCu配線(Cuダマシン配線)を形成して半導体装置を製造した。
【0102】
<CMP用スラリの組成>
・研磨粒子;会合度の異なる一次粒子径25nmのコロイダルシリカ粒子:1.0wt%、
・過硫酸アンモニウム(酸化剤):1wt%、
・キナルジン酸(酸化抑制剤):0.5wt%、
・ドデシルベンゼンスルホン酸カリウム:0.06wt%、
・pH;9.2(水酸化カリウム水溶液を加えて調節)。
【0103】
<CMP処理条件>
・研磨パッド;Rodel社製商品名IC1000/SUBA400、
・スラリの供給流量:200cc/分、
・トップリング(TR)の回転数;100rpm、
・ターンテーブル(TT)回転数:100rpm、
・荷重(DF):300g/cm2。
【0104】
参考例2で用いられるCMP用スラリ中の研磨粒子であるコロイダルシリカ粒子の会合度に対するCu研磨速度(CuRR:)およびエロージョンの関係を図10に示す。図10において、縦軸左はCuの研磨速度(nm/min)、縦軸右はエロージョンの大きさ(nm)を表わし、横軸はスラリに含まれるコロイダル粒子の会合度を表している。曲線Hは、会合度の変化に伴うCu研磨速度を示す特性曲線、曲線Iは会合度の変化に伴うエロージョンの大きさを示す特性曲線、を表わしている。
【0105】
図10から明らかなようにエロージョンは、スラリ中のコロイダルシリカ粒子の会合度が増加するに従って劣化する方向ヘシフトする。さらに、コロイダルシリカ粒子の会合度が5を越えると、Cu膜及びTaN膜上に細かなスクラッチが多く発生することが確認された。
【0106】
これに対し、会合度が5以下のコロイダルシリカ粒子を含む本実施形態のスラリによりCu膜をCMP処理した場合、研磨速度が低くなるものの、Cu膜表面のエロージョンを抑制できることがわかる。
【0107】
例えば、会合度3で一次粒子径25nmのコロイダルシリカ粒子を含むスラリを用いると、前述した研磨粒子としてフュームド法のシリカ粒子を含む比較例1のスラリによるエロージョン116nm(図6参照)から68nmとエロージョンを小さくすることができる。
【0108】
以上、参考例2によればCuなど金属膜の研磨速度の向上と、エロージョンの大幅な改善が達成され、例えばCuダマシン配線を容易に形成することが可能になる。
【0109】
(実施例2)
まず、図11の(a)に示すように例えば半導体素子などが作られたシリコン基板(シリコンウエハ)301上に例えば酸化シリコンからなる絶縁膜302を形成した後、表面を平坦化した。つづいて、この絶縁膜302を選択的にエッチングして深さ400nmの配線溝303を形成した。ひきつづき、厚さ15nm程度のバリア膜としてのTiN膜304を前記絶縁膜302上および前記配線溝303の内面に堆積させた。この後、厚さ600nmのW膜305をCVD法により堆積した。
【0110】
次いで、前述した図1、図2に示すポリッシング装置および下記組成のCMP用スラリを用いて下記条件で前記W膜305およびTiN膜304を順次CMP処理した。このCMP処理により図11の(b)に示すように配線溝303にTiN膜304を介して埋込まれたW配線(Wダマシン配線)306が形成された。
【0111】
<CMP用スラリの組成>
・研磨粒子;一次粒子径15nm、会合度3.0の第1コロイダルシリカ粒子:2.5wt%、一次粒子径41nm、会合度3.0の第2コロイダルシリカ粒子:0.3wt%、一次粒子径15nm、会合度1.5のコロイダルアルミナ粒子:0.2wt%、
・硝酸第二鉄(酸化剤):5wt%、
・過硫酸アンモニウム(酸化剤):0.5wt%、
・マロン酸(酸化抑制剤):1wt%、
・pH;1.5。
【0112】
<CMP処理条件>
・研磨パッド;Rodel社製商品名IC1000/SUBA400、
・スラリの供給流量:200cc/分、
・トップリング(TR)の回転数;100rpm、
・ターンテーブル(TT)回転数:100rpm、
・荷重(DF):300g/cm2、
・研磨時間:160秒間。
【0113】
本実施例2によれば、エロージョン(配線幅:5μm、+50%のオーバーポリッシュ)は30nmであり、前述した研磨粒子としてフュームド法のシリカ粒子を含む比較例1のスラリを用いた場合(研磨時間210秒でエロージョンが180nm)に比べてエロージョンが改善された。
【0114】
なお、前記実施例1で用いた第1、第2のコロイダルシリカ粒子を研磨粒子として含むCMP用スラリを前記参考例1のNb膜のようなバリア膜のCMP処理に適用しても、参考例1と同様にそのNb膜の下地膜である有機系絶縁膜や多孔質絶縁膜のように柔らかく、脆く、剥れ易いlow−K膜に対して、ダメージを与えることなくCMP処理をすることができる。
【0115】
【発明の効果】
以上説明したように本発明によれば、導電性材料膜のCMP処理に際し、低エロージョンおよび低スクラッチ化を図ることが可能なCMP用スラリを提供することができる。
【0116】
また、本発明によれば導電性材料膜のCMP処理に際し、CMPの高速化と低エロージョンおよび低スクラッチ化とを図ることが可能なCMP用スラリを提供することができる。
【0117】
さらに、本発明によれば絶縁膜の配線溝に埋込まれた低エロージョンおよび低スクラッチの配線(例えばダマシン配線)の形成を可能にした半導体装置の製造方法を提供することができる。
【0118】
さらに、本発明によれば絶縁膜の配線溝に導電性バリア膜を介して埋込まれた低エロージョンおよび低スクラッチの配線(例えばダマシン配線)の形成を可能にした半導体装置の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 CMP処理に使用されるポリッシング装置を示す断面図。
【図2】 図1のポリッシング装置の要部を示す斜視図。
【図3】 CMP用スラリに含まれるコロイダル粒子とフュームド粒子のバラツキを示すグラフ。
【図4】 CMP用スラリに含まれるコロイダル粒子径とCu研磨速度(CuRR)およびエロージョンとの関係を示すグラフ。
【図5】 本発明の実施例1における半導体装置の製造工程を示す断面図。
【図6】 図6は、実施例1および比較例1のCMP処理によるオーバポリッシングとエロージョンの度合との関係(CMP特性)を示すグラフ。
【図7】 実施例1のCMP処理における第1、第2コロイダルシリカ粒子の配合バランスとCu研磨速度(CuRR)およびエロージョンとの関係を示すグラフ。
【図8】 参考例1における半導体装置の製造工程を示す断面図。
【図9】 参考例1のCMP処理におけるコロイダル粒子径とスクラッチ数との関係を説明するグラフ。
【図10】 参考例2のCMP用スラリに含まれるコロイダル粒子の会合度とCu研磨速度(CuRR)およびエロージョンとの関係を示すグラフ。
【図11】 本発明の実施例2における半導体装置の製造工程を示す断面図。
【符号の説明】
20…半導体ウェハ、
21…ステージ、
24…研磨盤、
25…研磨パッド、
31…吸着盤(トップリング)、
38…スラリ供給管、
101,201,301…シリコン基板、
102,202,302…絶縁膜、
103,203,303…配線溝、
104…TaN膜、
105…Cu膜、
106,206,306…配線、
204…Nb膜、
205…Al膜、
304…TiN膜、
305…W膜。
Claims (16)
- 一次粒子径が5〜20nmの第1コロイダルシリカ粒子と、一次粒子径が20nmを超える大きさで、前記第1コロイダルシリカ粒子と同一材料の第2コロイダルシリカ粒子とを含み、かつ前記第1、第2のコロイダルシリカ粒子の合量に占める前記第1コロイダルシリカ粒子が重量比で0.6〜0.9である研磨粒子を含有することを特徴とする化学機械研磨用スラリ。
- 前記研磨粒子は、前記第1、第2のコロイダルシリカ粒子と異なる材料からなる第3粒子をさらに含むことを特徴とする請求項1記載の化学機械研磨用スラリ。
- 前記第3粒子は、コロイダルアルミナ粒子であることを特徴とする請求項2記載の化学機械研磨用スラリ。
- 前記研磨粒子は、前記スラリ中に0.5〜5重量%含有されることを特徴とする請求項1記載の化学機械研磨用スラリ。
- さらに酸化剤および酸化抑制剤を含有することを特徴とする請求項1〜4いずれか記載の化学機械研磨用スラリ。
- 前記酸化抑制剤は、キナルジン酸、キノリン酸およびグリシンから選ばれる少なくとも1つであることを特徴とする請求項5記載の化学機械研磨用スラリ。
- さらに界面活性剤を含有することを特徴とする請求項1〜6いずれか記載の化学機械研磨用スラリ。
- 前記界面活性剤は、ドデシルベンゼンスルホン酸塩であることを特徴とする請求項7記載の化学機械研磨用スラリ。
- 半導体基板上に形成された絶縁膜表面に配線溝を形成する工程と、
前記配線溝内部を含む前記絶縁膜上に導電性材料膜を堆積させる工程と、
一次粒子径が5〜20nmの第1コロイダルシリカ粒子と、一次粒子径が20nmを超える大きさで、前記第1コロイダルシリカ粒子と同一材料の第2コロイダルシリカ粒子とを含み、かつ前記第1、第2のコロイダルシリカ粒子の合量に占める前記第1コロイダルシリカ粒子が重量比で0.6〜0.9である研磨粒子を含有する化学機械研磨用スラリを少なくとも用いて前記導電性材料膜を化学機械研磨し、前記配線溝に埋込まれた前記導電性材料膜以外の導電性材料膜を除去する工程と
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記導電性材料膜は、配線材料膜であることを特徴とする請求項9記載の半導体装置の製造方法。
- 前記配線材料膜は、銅膜であることを特徴とする請求項10記載の半導体装置の製造方法。
- 前記導電性材料膜は、TiN、Ti、Nb、W,WN,TaN,TaSiN,Ta,V,Mo,ZrおよびZrNから選ばれる少なくとも1つの導電性バリア膜とこのバリア膜に積層された配線材料膜との2層以上の積層膜で、前記配線材料膜を前記化学機械研磨用スラリを用いて化学機械研磨することを特徴とする請求項9記載の半導体装置の製造方法。
- 前記導電性材料膜は、TiN、Ti、Nb、W,WN,TaN,TaSiN,Ta,V,Mo,ZrおよびZrNから選ばれる少なくとも1つの導電性バリア膜とこのバリア膜に積層された配線材料膜との2層以上の積層膜で、この導電性材料膜を前記第1、第2のコロイダルシリカ粒子と異なる材料からなる第3粒子をさらに含む化学機械研磨用スラリを用いて化学機械研磨し、前記配線溝に埋込まれた前記導電性材料膜以外の導電性材料膜を除去することを特徴とする請求項9記載の半導体装置の製造方法。
- 半導体基板上に形成された絶縁膜表面に配線溝を形成する工程と、
前記配線溝の内面を含む前記絶縁膜上に導電性バリア膜を堆積させる工程と、
前記導電性バリア膜上に前記配線溝が埋まるように配線材料膜を堆積させる工程と、
前記配線材料膜を化学機械研磨し、前記配線溝の内面を除く前記絶縁膜上の導電性バリア膜をストッパとして前記配線溝内に埋込まれた前記配線材料膜以外の配線材料膜を除去する工程と、
一次粒子径が5〜20nmの第1コロイダルシリカ粒子と、一次粒子径が20nmを超える大きさで、前記第1コロイダルシリカ粒子と同一材料の第2コロイダルシリカ粒子とを含み、かつ前記第1、第2のコロイダルシリカ粒子の合量に占める前記第1コロイダルシリカ粒子が重量比で0.6〜0.9である研磨粒子を含有する化学機械研磨用スラリを用いて前記絶縁膜上の導電性バリア膜部分を化学機械研磨する工程と
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記絶縁膜は、SiO 2 に比べて低誘電率の多孔質膜または有機膜であることを特徴とする請求項14記載の半導体装置の製造方法。
- 前記導電性バリア膜は、TiN、Ti、Nb、W,WN,TaN,TaSiN,Ta,V,Mo,ZrおよびZrNから選ばれる1層または2層以上から作られることを特徴とする請求項14記載の半導体装置の製造方法。
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