CN103084972B - 一种抛光基材的方法 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title abstract description 10
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 title description 4
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims abstract description 200
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 111
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 82
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims abstract description 82
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract description 67
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 53
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims abstract description 50
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 claims abstract description 47
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 47
- 230000001143 conditioned effect Effects 0.000 claims abstract description 14
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 45
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 36
- 239000003085 diluting agent Substances 0.000 claims description 35
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 34
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 18
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 14
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 claims description 8
- 239000003002 pH adjusting agent Substances 0.000 claims description 8
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 claims description 8
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 claims description 6
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 claims description 6
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims description 5
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims description 5
- 238000009355 double cropping Methods 0.000 claims description 5
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 claims description 5
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 4
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 claims 2
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims 2
- 239000003643 water by type Substances 0.000 claims 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 abstract description 14
- 238000010790 dilution Methods 0.000 abstract description 14
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 21
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 19
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 10
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 8
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 description 6
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 4
- 125000001453 quaternary ammonium group Chemical group 0.000 description 4
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical group [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 3
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical group OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 description 2
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N ammonium persulfate Chemical compound [NH4+].[NH4+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O ROOXNKNUYICQNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- 238000002296 dynamic light scattering Methods 0.000 description 2
- AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L hydroxy(oxo)manganese;manganese Chemical compound [Mn].O[Mn]=O.O[Mn]=O AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 229920002432 poly(vinyl methyl ether) polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 2
- -1 polyoxyethylene Polymers 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- CMCBDXRRFKYBDG-UHFFFAOYSA-N 1-dodecoxydodecane Chemical compound CCCCCCCCCCCCOCCCCCCCCCCCC CMCBDXRRFKYBDG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000408939 Atalopedes campestris Species 0.000 description 1
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N Propionic acid Substances CCC(O)=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002125 Sokalan® Polymers 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001870 ammonium persulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000007516 brønsted-lowry acids Chemical class 0.000 description 1
- 150000007528 brønsted-lowry bases Chemical class 0.000 description 1
- CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N ceric oxide Chemical compound O=[Ce]=O CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000422 cerium(IV) oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005518 electrochemistry Effects 0.000 description 1
- 238000009472 formulation Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000003607 modifier Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KHIWWQKSHDUIBK-UHFFFAOYSA-N periodic acid Chemical compound OI(=O)(=O)=O KHIWWQKSHDUIBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JRKICGRDRMAZLK-UHFFFAOYSA-L peroxydisulfate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O JRKICGRDRMAZLK-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920001451 polypropylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 229920000909 polytetrahydrofuran Polymers 0.000 description 1
- FJVZDOGVDJCCCR-UHFFFAOYSA-M potassium periodate Chemical compound [K+].[O-]I(=O)(=O)=O FJVZDOGVDJCCCR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- USHAGKDGDHPEEY-UHFFFAOYSA-L potassium persulfate Chemical class [K+].[K+].[O-]S(=O)(=O)OOS([O-])(=O)=O USHAGKDGDHPEEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 235000019394 potassium persulphate Nutrition 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N quinbolone Chemical compound O([C@H]1CC[C@H]2[C@H]3[C@@H]([C@]4(C=CC(=O)C=C4CC3)C)CC[C@@]21C)C1=CCCC1 IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
- C09G1/00—Polishing compositions
- C09G1/04—Aqueous dispersions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
- C09K3/1454—Abrasive powders, suspensions and pastes for polishing
- C09K3/1463—Aqueous liquid suspensions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
- H01L21/321—After treatment
- H01L21/32115—Planarisation
- H01L21/3212—Planarisation by chemical mechanical polishing [CMP]
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
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- Power Engineering (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
提供了一种使用化学机械抛光组合物浓缩物的多种稀释液以抛光基材，对包含过载地沉积在二氧化硅上的多晶硅的基材进行化学机械抛光的方法，其中，用于抛光基材的所述浓缩物的第一稀释液被调节得具有第一多晶硅去除速率和第一多晶硅对二氧化硅的去除速率选择性；以及，用于抛光基材的所述浓缩物的第二稀释液被调节得具有第二多晶硅去除速率和第二多晶硅对二氧化硅的去除速率选择性。
Description
技术领域
本发明涉及化学机械抛光领域。具体而言，本发明涉及使用化学机械抛光组合物浓缩物的多种稀释液以抛光基材，对包含过载地(overburden)沉积在二氧化硅上的多晶硅的基材进行化学机械抛光的方法，其中，用于抛光基材的所述浓缩物的第一稀释液被调节得具有第一多晶硅去除速率和第一多晶硅对二氧化硅的去除速率选择性；以及，用于抛光基材的所述浓缩物的第二稀释液被调节得具有第二多晶硅去除速率和第二多晶硅对二氧化硅的去除速率选择性。
背景技术
在集成电路和其它电子器件的制造中，在半导体晶片的表面上沉积多层的导体材料、半导体材料和介电材料，或者将这些材料层从半导体晶片的表面除去。可以使用许多沉积技术沉积导体材料、半导体材料和介电材料的薄层。现代加工中常用的沉积技术包括物理气相沉积(PVD)(也称为溅射)、化学气相沉积(CVD)、等离子体增强化学气相沉积(PECVD)和电化学镀覆(ECP)等。
当材料层被依次沉积和除去时，晶片的最上层表面变得不平。因为随后的半导体加工(例如镀覆金属)需要晶片具有平坦的表面，所以所述晶片需要被平面化。平面化可用来除去不合乎希望的表面形貌和表面缺陷，例如粗糙表面，团聚材料，晶格破坏，划痕和污染的层或材料。
化学机械平面化，或者化学机械抛光(CMP)是一种用来对基材，例如半导体晶片进行平面化的常用技术。在常规的CMP中,将晶片安装在支架组件上，设置在与CMP设备中的抛光垫接触的位置。所述支架组件为晶片提供可控制的压力，将其压向抛光垫。通过外界驱动力使得抛光垫相对于晶片运动(例如转动)。与此同时,在晶片和抛光垫之间提供抛光组合物(“浆液”)或者其它的抛光溶液。从而，通过抛光垫表面以及浆液的化学作用和机械作用，对晶片表面进行抛光使其变平。
近来的一些器件设计需要用于化学机械平面化工艺的抛光组合物，该组合物为多晶硅提供优于二氧化硅的选择性(即，相对于二氧化硅的去除速率，多晶硅的去除速率更高)。例如，这些器件设计包括先进的、小于65纳米的集成多层单元NAND闪存设备，其中多晶硅层沉积在晶片表面的活性区域，起到浮栅的作用。更具体地，近来的一些设计需要两步抛光工艺，其中，第一步涉及去除过载的多晶硅直至在二氧化硅特征件上停止，第二步是磨光步骤，使晶片表面上的多晶硅浮栅区域和二氧化硅特征件区域平面化。
常规制剂不能在氧化物膜上提供有效的停止，因为它们的多晶硅对氧化物的去除选择性很低。Dysard等人的美国专利申请公开第2007/0077865号中揭示了一种此类抛光制剂。Dysard等人揭示了一种化学机械抛光基材的方法，所述方法包括：(i)使得包含多晶硅以及选自氧化硅和氮化硅的材料的基材与化学机械抛光体系接触，所述化学机械抛光体系包含：(a)磨粒、(b)液体载体、(c)以所述液体载体以及溶解或悬浮在其中的任意组分的重量为基准，约1-100ppm的HLB约等于或小于15的聚环氧乙烷/聚环氧丙烷共聚物，以及(d)抛光垫；(ii)使得所述抛光垫相对于所述基材运动,以及(iii)磨掉所述基材的至少一部分，从而抛光所述基材。
Park等人的美国专利第6,626,968号中揭示了另一种此类抛光制剂。Park等人揭示了一种化学机械抛光组合物，该组合物为浆液的形式，pH值为7-11，用来同时对包括氧化硅层和多晶硅层的表面进行抛光,所述浆液组合物主要由以下组分组成：水；磨粒颗粒，其选自二氧化硅(SiO2)、氧化铝(Al2O3)、二氧化铈(CeO2)、氧化锰(Mn2O3)以及它们的混合物；以及约0.001-5重量％的聚合物添加剂，其选自聚乙烯基甲基醚(PVME)、聚乙二醇(PEG)、聚氧乙烯(23)月桂基醚(POLE)、聚丙酸(PPA)、聚丙烯酸(PAA)、聚醚二醇二醚(PEGBE)以及它们的混合物；其中，所述聚合物添加剂改进了氧化硅层去除相对于多晶硅层去除的选择性比。
因此，为了支持用于半导体制造系统中器件设计的不断变化的方面，人们仍然一直需要配制化学机械抛光组合物，以提供所希望的适合不断变化的设计要求的抛光性质之间的平衡。例如，人们持续需要具有高多晶硅对二氧化硅的去除速率选择性的化学机械抛光组合物，以促进在二氧化硅特征件上有效的停止。
发明内容
本发明提供了一种用来对基材进行化学机械抛光的方法，该方法包括：提供一种基材,所述基材包含过载地沉积在二氧化硅上的多晶硅；提供一种化学机械抛光组合物浓缩物，该化学机械抛光组合物浓缩物主要由以下组分组成：水；0.1-25重量％的平均粒径≤100纳米的胶态二氧化硅磨粒；0.01-1重量％的式(I)所示的双季铵阳离子(diquaternarycation)：
其中，R1是C2-C6烷基，并且R2、R3、R4、R5、R6和R7各自独立地选自C2-C6烷基；提供第一稀释剂；提供第二稀释剂；向所述化学机械抛光组合物浓缩物的第一部分中加入所述第一稀释剂以形成第一抛光制剂，所述第一抛光制剂的pH值大于4.2且小于或等于11，所述第一抛光制剂被调节得具有以下性质：第一多晶硅去除速率≥2,000，且第一多晶硅对二氧化硅的去除速率选择性为20:1-600:1；提供化学机械抛光垫；在化学机械抛光垫和基材之间的界面处建立动态接触；将所述第一抛光制剂分配到化学机械抛光垫和基材之间的界面处或者界面附近的化学机械抛光垫上；从基材上除去过载的多晶硅；向所述化学机械抛光组合物的第二部分中加入所述第二稀释剂以形成第二抛光制剂，所述第二抛光制剂的pH值为2-4.2，所述第二抛光制剂被调节得具有以下性质：第二多晶硅去除速率≥1,500埃/分钟，且第二多晶硅对二氧化硅的去除速率选择性为1:2-10:1；将所述第二抛光制剂分配到化学机械抛光垫和基材之间的界面处或者界面附近的化学机械抛光垫上；并且从基材上进一步除去至少一部分的多晶硅和除去至少一部分二氧化硅。
本发明提供了一种用来对基材进行化学机械抛光的方法，该方法包括：提供一种基材,所述基材包含过载地沉积在二氧化硅上的多晶硅；提供一种化学机械抛光组合物浓缩物，该化学机械抛光组合物浓缩物主要由以下组分组成：水；0.1-25重量％的平均粒径≤100纳米的胶态二氧化硅磨粒；0.01-1重量％的式(I)所示的双季铵阳离子：
其中，R1是C2-C6烷基，并且R2、R3、R4、R5、R6和R7各自独立地选自C2-C6烷基；提供第一稀释剂；提供第二稀释剂；向所述化学机械抛光组合物浓缩物的第一部分中加入所述第一稀释剂以形成第一抛光制剂，所述第一抛光制剂的pH值大于4.2且小于或等于11，所述第一抛光制剂被调节得具有以下性质：第一多晶硅去除速率≥2,000，且第一多晶硅对二氧化硅的去除速率选择性为20:1-600:1；提供化学机械抛光垫；在化学机械抛光垫和基材之间的界面处建立动态接触；将所述第一抛光制剂分配到化学机械抛光垫和基材之间的界面处或者界面附近的化学机械抛光垫上；从基材上除去过载的多晶硅；向所述化学机械抛光组合物的第二部分中加入所述第二稀释剂以形成第二抛光制剂，所述第二抛光制剂的pH值为2-4.2，所述第二抛光制剂被调节得具有以下性质：第二多晶硅去除速率≥1,500埃/分钟，且第二多晶硅对二氧化硅的去除速率选择性为1:2-10:1；将所述第二抛光制剂分配到化学机械抛光垫和基材之间的界面处或者界面附近的化学机械抛光垫上；从基材上进一步除去至少一部分多晶硅和除去至少一部分二氧化硅；其中，所述第一多晶硅去除速率、所述第一多晶硅对二氧化硅的去除速率选择性、所述第二多晶硅去除速率和所述第二多晶硅对二氧化硅的去除速率选择性均在200毫米的抛光机上在以下操作条件下获得：台板转速93转/分钟，支架转速87转/分钟，化学机械抛光组合物的流速200毫升/分钟，施加20.7千帕的标称向下作用力，所述化学机械抛光垫包括含有聚合物空心芯微粒的聚氨酯抛光层以及聚氨酯浸渍的非织造子垫。
具体实施方式
用于本发明方法的化学机械抛光浓缩物可被稀释以提供该浓缩物的第一稀释液，调节所述第一稀释液以提供高多晶硅去除速率和高多晶硅对二氧化硅的去除速率选择性，用于制备浮动多晶硅栅特征件的第一抛光步骤；然后，可被稀释以提供所述浓缩物的第二稀释液，调节所述第二稀释液以提供第二多晶硅对二氧化硅的去除速率选择性，用于制备需要非选择性浆液的浮动多晶硅栅特征件的第二抛光步骤。
适用于本发明化学机械抛光法的基材包括包含沉积在二氧化硅上的多晶硅的半导体基材。
本发明方法中使用的化学机械抛光组合物浓缩物中包含的水优选是去离子水和蒸馏水中的至少一种，以限制附带的杂质。
本发明方法中使用的化学机械抛光组合物浓缩物中的胶态二氧化硅磨粒的平均粒径<100纳米(优选为5-100纳米，更优选为10-60纳米，最优选为20-60纳米)，所述粒径通过动态光散射技术测得。
本发明方法中使用的化学机械抛光组合物浓缩物优选包含0.1-25重量％(更优选为1-20重量％，更优选为5-20重量％，最优选为5-10重量％)的胶态二氧化硅磨粒。
本发明方法中使用的化学机械抛光组合物浓缩物中的双季铵阳离子如式(I)所示：
其中，R1是选自C2-6烷基(优选地，R1选自-(CH2)6-基团和-(CH2)4-基团；最优选地，R1是-(CH2)4-基团)，并且，R2、R3、R4、R5、R6和R7各自独立地选自C2-6烷基(优选地，R2、R3、R4、R5、R6和R7各自为丁基)。优选地，本发明方法中使用的化学机械抛光组合物浓缩物包含：0.01-1重量％(更优选为0.05-0.5重量％，最优选为0.05-0.1重量％)的如式(I)所示的双季铵物质。最优选地，本发明方法中使用的化学机械抛光组合物浓缩物包含0.05-0.1重量％的如式(I)所示的双季铵物质,其中R1是-(CH2)4-基团，并且R2、R3、R4、R5、R6和R7各自为-(CH2)3CH3基团。
优选地，本发明的化学机械抛光法中使用的化学机械抛光组合物浓缩物任选不含腐蚀抑制剂。在说明书和权利要求书中，术语"不含腐蚀抑制剂"表示所述化学机械抛光组合物浓缩物不含苯并三唑、1,2,3-苯并三唑、5,6-二甲基-1,2,3-苯并三唑、1-(1,2-二羧基乙基)苯并三唑、1-[N,N-双(羟乙基)氨基甲基]苯并三唑、或者1-(羟基甲基)苯并三唑。
优选地，本发明的化学机械抛光法中使用的化学机械抛光组合物浓缩物不含氧化剂。在说明书和所附权利要求书中，术语"不含氧化剂"表示所述化学机械抛光组合物浓缩物不含氧化剂，例如过氧化氢、过硫酸盐(例如单过硫酸铵,连二过硫酸钾)以及高碘酸盐(例如高碘酸钾)。
优选地，本发明方法中使用的第一稀释剂包括去离子水和蒸馏水中的至少一种。优选地，所述第一稀释剂包含pH调节剂(优选地，所述pH调节剂选自氢氧化铵和氢氧化钾，更优选地，是氢氧化钾)以及去离子水和蒸馏水中的至少一种。更优选地，所述第一稀释剂选自去离子水和蒸馏水。最优选地，所述第一稀释剂是去离子水。
优选地，本发明方法中使用的第二稀释剂包含去离子水和蒸馏水中的至少一种。任选地，所述第二稀释剂还包含pH调节剂。优选地，所述第二稀释剂选自去离子水或蒸馏水。最优选地，所述第二稀释剂是去离子水。
优选的pH调节剂包括酸和碱。优选的酸性pH调节剂选自磷酸、硝酸、硫酸和盐酸(最优选为硝酸)。优选的碱性pH调节剂选自氢氧化铵和氢氧化钾(最优选为氢氧化钾)。
本发明方法中使用的化学机械抛光组合物浓缩物的各种稀释液的抛光性能参数(即，多晶硅去除速率、二氧化硅去除速率和多晶硅对二氧化硅的去除速率选择性)在抛光pH范围为2-11内可广泛调节。在实施例中所述的抛光条件下，使用20.7千帕(3psi)的标称向下作用力，所用的化学机械抛光组合物浓缩物的稀释液的可调多晶硅去除速率为1,500-7,000埃/分钟，可调二氧化硅去除速率为1-2,500埃/分钟，可调多晶硅对二氧化硅的去除速率选择性为1:2-600:1。
优选地，本发明方法中使用的化学机械抛光组合物浓缩物的稀释液的可调节的多晶硅去除速率为1,500-7,000埃/分钟，该去除速率在实施例中所述的抛光条件下，使用20.7千帕(3psi)的标称向下作用力测得，相应的化学机械抛光组合物浓缩物的pH值分别为2-11。
优选地，本发明方法中使用的化学机械抛光组合物浓缩物的可调节的二氧化硅去除速率为10-2,500埃/分钟，该去除速率在实施例中所述的抛光条件下，使用20.7千帕(3psi)的标称向下作用力测得，相应的化学机械抛光组合物浓缩物的pH值分别为2-11。
优选地，本发明方法中使用的化学机械抛光组合物浓缩物的可调节的多晶硅对二氧化硅的去除速率选择性为1:2-600:1，该去除速率选择性在实施例中所述的抛光条件下，使用20.7千帕(3psi)的标称向下作用力测得，相应的化学机械抛光组合物浓缩物的pH值分别为2-11。
本发明方法中使用的第一抛光制剂是通过向所述化学机械抛光组合物浓缩物中加入第一稀释剂来制备的。优选地，所述第一抛光制剂的pH值大于4.2且小于或等于11(更优选为>6至11)。优选地，所述第一抛光制剂包含0.01-6重量％(更优选为0.04-2重量％，最优选为0.04-0.6重量％)的胶态二氧化硅磨粒；和0.0001-0.1重量％(优选为0.0004-0.05重量％，更优选为0.0005-0.01重量％)的如式(I)所示的双季铵物质(最优选地，其中R1是-(CH2)4-基团，并且R2、R3、R4、R5、R6和R7各自为-(CH2)3CH3基团)。优选地，所述第一抛光制剂被调节得具有以下性质：第一多晶硅去除速率≥2,000(更优选为2,000-7,000埃/分钟)，且第一多晶硅对二氧化硅的去除速率选择性为20:1-600:1(更优选为50:1-600:1，最优选为150:1-600:1)。
本发明方法中使用的第二抛光制剂是通过向所述化学机械抛光组合物浓缩物中加入第二稀释剂来制备的。优选地，所述第二抛光制剂的pH值为2-4.2(更优选为3-4)。优选地，所述第二抛光制剂包含0.1-6重量％(更优选为0.4-6重量％，最优选为1-6重量％)的胶态二氧化硅磨粒；和0.001-0.1重量％(优选为0.005-0.1重量％，更优选为0.01-0.1重量％)的如式(I)所示的双季铵物质(最优选地，其中R1是-(CH2)4-基团，并且R2、R3、R4、R5、R6和R7各自为-(CH2)3CH3基团)。优选地，所述第二抛光制剂被调节得具有以下性质：第二多晶硅去除速率≥1,500埃/分钟(更优选为1,500-4,000埃/分钟)，且第二多晶硅对二氧化硅的去除速率选择性为1:2-10:1(更优选为9:10-5:1)。
优选地，本发明的对基材进行化学机械抛光的方法包括：提供一种基材,所述基材包含过载地沉积在二氧化硅上的多晶硅；提供一种化学机械抛光组合物浓缩物，该化学机械抛光组合物浓缩物主要由以下组分组成：水；0.1-25重量％(优选为1-20重量％；更优选为5-20重量％；最优选为5-10重量％)的平均粒径≤100纳米(优选为5-100纳米；更优选为10-60纳米；最优选为20-60纳米)的胶态二氧化硅磨粒，所述粒径通过动态光散射技术测得；0.01-1重量％(更优选为0.05-0.5重量％；最优选为0.05-0.1重量％)的式(I)所示的双季铵阳离子(I)，其中，R1是C2-C6烷基(优选地，R1选自-(CH2)6-基团和-(CH2)4-基团；最优选地，R1是-(CH2)4-基团)；并且R2、R3、R4、R5、R6和R7各自独立地选自C2-6烷基(优选地，R2、R3、R4、R5、R6和R7各自为丁基)：提供第一稀释剂(优选地，所述第一稀释剂包括pH调节剂以及去离子水和蒸馏水中的至少一种，所述pH调节剂选自氢氧化铵和氢氧化钾(优选为氢氧化钾)；更优选地，所述第一稀释剂选自去离子水和蒸馏水；最优选地，所述第一稀释剂是去离子水)；提供第二稀释剂(优选地，所述第二稀释剂包括去离子水和蒸馏水中的至少一种；更优选地，所述第二稀释剂选自去离子水和蒸馏水；最优选地，所述第二稀释剂是去离子水)；向所述化学机械抛光组合物浓缩物的第一部分中加入所述第一稀释剂以形成第一抛光制剂，所述第一抛光制剂的pH值大于4.2且小于或等于11(更优选pH值大于6且小于或等于11)，所述第一抛光制剂被调节地具有以下性质：第一多晶硅去除速率≥2,000埃/分钟(优选为2,000-7,000埃/分钟)，且第一多晶硅对二氧化硅的去除速率选择性为20:1-600:1(优选为50:1-600:1；更优选为150:1-600:1)；提供化学机械抛光垫；在化学机械抛光垫和基材之间的界面处建立动态接触；将所述第一抛光制剂分配到化学机械抛光垫和基材之间的界面处或者界面附近的化学机械抛光垫上；从基材上除去过载的多晶硅；向所述化学机械抛光组合物的第二部分中加入所述第二稀释剂以形成第二抛光制剂，所述第二抛光制剂的pH值为2-4.2(优选为3-4)，所述第二抛光制剂被调节得具有以下性质：第二多晶硅去除速率≥1,500埃/分钟(优选为1,500-4,000埃/分钟)，且第二多晶硅对二氧化硅的去除速率选择性为1:2-10:1(更优选为9:10-5:1)；将所述第二抛光制剂分配到化学机械抛光垫和基材之间的界面处或者界面附近的化学机械抛光垫上；从基材上进一步除去至少一部分多晶硅和除去至少一部分二氧化硅(优选地，所述第一多晶硅去除速率、所述第一多晶硅对二氧化硅的去除速率选择性、所述第二多晶硅去除速率和所述第二多晶硅对二氧化硅的去除速率选择性均在200毫米的抛光机上在以下操作条件下获得：台板转速93转/分钟，支架转速87转/分钟，化学机械抛光组合物的流速200毫升/分钟，施加20.7千帕的标称向下作用力，所述化学机械抛光垫包括含有聚合物空心芯微粒的聚氨酯抛光层以及聚氨酯浸渍的非织造子垫)。
现在将在以下实施例中详细描述本发明的一些实施方式。
实施例1-14
化学机械抛光组合物的制备
通过以下方式制备实施例1和14的化学机械抛光组合物：以表1所示的量将组分与余量的去离子水进行混合，用硝酸或氢氧化钾将组合物的pH值调节到表1所示的最终pH值。实施例2-13的化学机械抛光组合物是通过用去离子水稀释实施例1的化学机械抛光组合物来进行制备的。
表1
*磨粒I--KlebosolTMII1598-B25浆液由AZ电子材料公司(AZElectronicMaterials)生产，购自陶氏化学品公司(TheDowChemicalCompany)。
￡磨粒II--KlebosolTMII30H50i浆液由AZ电子材料公司(AZElectronicMaterials)生产，购自陶氏化学品公司(TheDowChemicalCompany)。
€HBBAH：购自萨凯姆有限公司(Sachem,Inc.)的1,4-丁二铵,N1,N1,N1,N4,N4,N4-六丁基-氢氧化物(1:2)具有以下结构式：
实施例PA1-PA13
化学机械抛光去除速率实验
使用根据实施例1-13制备的化学机械抛光组合物进行多晶硅和二氧化硅去除速率抛光测试。具体地，化学机械抛光组合物1-13各自的多晶硅和二氧化硅去除速率如表1所示。在200毫米覆层晶片(即，8k多晶硅片状晶片；和1KTEOS片状晶片，购自赛码技术SVTC公司(SEMATECHSVTC))上进行所述抛光去除速率实验。使用应用材料200mm(AppliedMaterials200mm)抛光机。使用IC1010TM聚氨酯抛光垫(可购自罗门哈斯电子材料CMP有限公司(RohmandHaasElectronicMaterialsCMPInc.))在以下操作条件下进行所有抛光实验：标称向下作用力为20.7千帕(3psi)，化学机械抛光浆液组合物的流速为200毫升/分钟，台板转速为93转/分钟，支架转速为87转/分钟。使用AD3BG-150855金刚石板调理器(可购自克尼可公司(KinikCompany))调理抛光垫。使用调理器在14.0磅(6.35千克)的标称向下作用力下处理20分钟磨合抛光垫。在抛光之前，使用9磅(4.1千克)的向下作用力下处理10分钟，对抛光垫进一步进行外部调理。在抛光过程中，使用9磅(4.1千克)的向下作用力以10次扫描/分钟的频率在距离抛光垫的中心1.7-9.2英寸的位置，对抛光垫进一步进行原位调理。去除速率是通过使用KLA-TencorFX200度量设备在排除边缘3毫米的条件下通过49点螺旋扫描来测定抛光之前和之后的膜厚度而测得的。去除速率实验的结果列于表2。
表2
实施例PB1-PB13
化学机械抛光去除速率实验
使用根据实施例1-13制备的化学机械抛光组合物进行多晶硅和二氧化硅去除速率抛光测试。具体地，化学机械抛光组合物1-13各自的多晶硅和二氧化硅去除速率如表1所示。在200毫米覆层晶片(即，8k多晶硅片状晶片；和1KTEOS片状晶片，购自赛码技术SVTC公司(SEMATECHSVTC))上进行所述抛光去除速率实验。使用应用材料200mm(AppliedMaterials200mm)抛光机。使用IC1010TM聚氨酯抛光垫(可购自罗门哈斯电子材料CMP有限公司(RohmandHaasElectronicMaterialsCMPInc.))在以下操作条件下进行所有抛光实验：向下作用力为34.5千帕(5psi)，化学机械抛光浆液组合物的流速为200毫升/分钟，台板转速为93转/分钟，支架转速为87转/分钟。使用AD3BG-150855金刚石板调理器(可购自克尼可公司(KinikCompany))调理抛光垫。使用调理器在14.0磅(6.35千克)的标称向下作用力下处理20分钟磨合抛光垫。在抛光之前，使用9磅(4.1千克)的向下作用力下处理10分钟，对抛光垫进一步进行外部调理。在抛光过程中，使用9磅(4.1千克)的向下作用力以10次扫描/分钟的频率在距离抛光垫的中心1.7-9.2英寸的位置，对抛光垫进一步进行原位调理。去除速率是通过使用KLA-TencorFX200度量设备在排除3毫米边缘的情况下，通过49点螺旋扫描来测定抛光之前和之后的膜厚度而测得的。去除速率实验的结果列于表3。
表3
Claims (10)
1.一种用来对基材进行化学机械抛光的方法，该方法包括：
提供基材，所述基材包含在二氧化硅上过载地沉积的多晶硅；
提供化学机械抛光组合物浓缩物，所述化学机械抛光组合物浓缩物主要由以下组分组成：
水；
0.1-25重量％的平均粒径≤100纳米的胶态二氧化硅磨粒；
0.01-1重量％的式(I)所示的双季铵阳离子：
其中，R1是C2-C6烷基，并且
R2、R3、R4、R5、R6和R7各自独立地选自C2-C6烷基；
提供第一稀释剂；
提供第二稀释剂；
向所述化学机械抛光组合物浓缩物的第一部分中加入所述第一稀释剂以形成第一抛光制剂，所述第一抛光制剂的pH值大于4.2且小于或等于11，所述第一抛光制剂被调节得具有以下性质：第一多晶硅去除速率≥2,000埃/分钟，且第一多晶硅对二氧化硅的去除速率选择性为20:1-600:1；
提供化学机械抛光垫；
在化学机械抛光垫和基材之间的界面处建立动态接触；
将所述第一抛光制剂分配到化学机械抛光垫和基材之间的界面处或者界面附近的化学机械抛光垫上；
从基材上除去过载的多晶硅；
向所述化学机械抛光组合物浓缩物的第二部分中加入所述第二稀释剂以形成第二抛光制剂，所述第二抛光制剂的pH值为2-4.2，所述第二抛光制剂被调节得具有以下性质：第二多晶硅去除速率≥1,500埃/分钟，且第二多晶硅对二氧化硅的去除速率选择性为1:2-10:1；
将所述第二抛光制剂分配到化学机械抛光垫和基材之间的界面处或者界面附近的化学机械抛光垫上；并且
从基材上进一步除去至少一部分多晶硅和除去至少一部分二氧化硅。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一稀释剂和第二稀释剂是去离子水。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一稀释剂是去离子水和pH调节剂的组合。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述化学机械抛光组合物浓缩物不含腐蚀抑制剂和氧化剂。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，R1是C4烷基，并且R2、R3、R4、R5、R6和R7各自是C4烷基。
6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述化学机械抛光组合物浓缩物不含腐蚀抑制剂。
7.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述化学机械抛光组合物浓缩物不含氧化剂。
8.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述化学机械抛光组合物浓缩物不含腐蚀抑制剂和氧化剂。
9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，通过添加去离子水对所述化学机械抛光组合物浓缩物的pH值进行调节。
10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一多晶硅去除速率、所述第一多晶硅对二氧化硅的去除速率选择性、所述第二多晶硅去除速率和所述第二多晶硅对二氧化硅的去除速率选择性均在200毫米的抛光机上在以下操作条件下获得：台板转速93转/分钟，支架转速87转/分钟，化学机械抛光组合物的流速200毫升/分钟，施加20.7千帕的标称向下作用力，所述化学机械抛光垫包括含有聚合物空心芯微粒的聚氨酯抛光层以及聚氨酯浸渍的非织造子垫。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US13/282,977 US8440094B1 (en) | 2011-10-27 | 2011-10-27 | Method of polishing a substrate |
| US13/282,977 | 2011-10-27 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN103084972A CN103084972A (zh) | 2013-05-08 |
| CN103084972B true CN103084972B (zh) | 2016-02-10 |
Family
ID=48084433
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201210418371.2A Active CN103084972B (zh) | 2011-10-27 | 2012-10-26 | 一种抛光基材的方法 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8440094B1 (zh) |
| JP (1) | JP6021583B2 (zh) |
| KR (1) | KR102005254B1 (zh) |
| CN (1) | CN103084972B (zh) |
| DE (1) | DE102012021051B4 (zh) |
| FR (1) | FR2981871B1 (zh) |
| TW (1) | TWI629324B (zh) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102956450B (zh) * | 2011-08-16 | 2015-03-11 | 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 | 一种制作半导体器件的方法 |
| US10074755B2 (en) | 2013-01-11 | 2018-09-11 | Tesla, Inc. | High efficiency solar panel |
| CN104078416B (zh) * | 2013-03-28 | 2017-02-22 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 硅通孔布局结构、硅通孔互联结构的形成方法 |
| JP6418174B2 (ja) * | 2016-02-03 | 2018-11-07 | 株式会社Sumco | シリコンウェーハの片面研磨方法 |
| CN107030583A (zh) * | 2017-03-21 | 2017-08-11 | 天津华海清科机电科技有限公司 | 硅衬底片抛光方法和装置 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100378180B1 (ko) | 2000-05-22 | 2003-03-29 | 삼성전자주식회사 | 화학기계적 연마 공정용 슬러리 및 이를 이용한 반도체소자의 제조방법 |
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2011
- 2011-10-27 US US13/282,977 patent/US8440094B1/en active Active
-
2012
- 2012-10-17 TW TW101138191A patent/TWI629324B/zh active
- 2012-10-25 JP JP2012235707A patent/JP6021583B2/ja active Active
- 2012-10-26 DE DE102012021051.5A patent/DE102012021051B4/de active Active
- 2012-10-26 CN CN201210418371.2A patent/CN103084972B/zh active Active
- 2012-10-26 FR FR1260263A patent/FR2981871B1/fr active Active
- 2012-10-26 KR KR1020120119840A patent/KR102005254B1/ko active IP Right Grant
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TWI629324B (zh) | 2018-07-11 |
| CN103084972A (zh) | 2013-05-08 |
| KR102005254B1 (ko) | 2019-07-30 |
| KR20130048162A (ko) | 2013-05-09 |
| DE102012021051B4 (de) | 2022-08-18 |
| FR2981871B1 (fr) | 2016-02-26 |
| US20130109181A1 (en) | 2013-05-02 |
| TW201333130A (zh) | 2013-08-16 |
| FR2981871A1 (fr) | 2013-05-03 |
| DE102012021051A1 (de) | 2013-05-02 |
| JP2013118361A (ja) | 2013-06-13 |
| US8440094B1 (en) | 2013-05-14 |
| JP6021583B2 (ja) | 2016-11-09 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant |