TW201333130A - 研磨基板之方法 - Google Patents
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Abstract
提供一種具有多晶矽過載沉積物(overburden)於二氧化矽上方之基板之化學機械研磨方法，該方法係使用化學機械研磨組成物濃縮物之多個稀釋液來研磨該基板，其中，該用以研磨該基板之濃縮物的第一稀釋液係經調校而具有第一多晶矽去除率及第一多晶矽對二氧化矽之去除率選擇性；及其中，該用以研磨該基板之濃縮物的第二稀釋液係經調校而具有第二多晶矽去除率及第二多晶矽對二氧化矽之去除率選擇性。
Description
本發明係關於化學機械研磨之領域。更明確言之，本發明係關於一種用於化學機械研磨具有沉積在二氧化矽上方的多晶矽過載物之基板之方法，係使用化學機械研磨組成物濃縮物之多個稀釋液來研磨該基板沉，其中，用以研磨該基板之濃縮物的第一稀釋液係經調校而具有第一多晶矽去除率及第一多晶矽對二氧化矽之去除率選擇性；及其中，用以研磨該基板之濃縮物的第二稀釋液係經調校而具有第二多晶矽去除率及一第二多晶矽對二氧化矽之去除率選擇性。
於積體電路及其它電子裝置之製造中，傳導性、半導性及介電材料之複數層係沉積在半導體晶圓表面或從該表面移除。傳導性、半導性及介電材料之薄層可藉由多種沉積技術沉來沉積。近代製程中的常用沉積技術包括物理氣相沉積(PVD)(又稱濺鍍)、化學氣相沉積(CVD)、電漿加強式氣相沉積法(PECVD)、及電化學鍍覆(ECP)。
隨著材料層依序地沉積及移除，晶圓的最
上表面變成非平面。由於隨後半導體製程(例如金屬化)要求晶圓具有平坦表面，該晶圓需要平面化。平面化係用於去除非期望的表面形貌及表面缺陷，諸如粗糙表面、聚集之材料、晶格損壞、刮擦、及受污染之層或材料。
化學機械平面化或化學機械研磨(CMP)乃用來平面化基板，諸如半導體晶圓的常見技術。於習知CMP中，晶圓係安裝在載具組裝件上且設置成與CMP裝置的研磨墊接觸。載具組裝件提供可控制的壓力給晶圓，使晶圓壓抵研磨墊。該墊係藉由外部驅動力相對於晶圓移動(例如旋轉)。同時研磨組成物(「料漿(slurry)」)或其它研磨溶液係提供在晶圓與研磨墊間。如此，晶圓表面係經研磨及藉由該墊表面及料漿的化學及機械動作而變平坦。
某些近期裝置設計要求研磨組成物為提供用於化學機械平面化方法之多晶矽對二氧化矽之優先選擇性(亦即，較高的多晶矽之去除率，相對於二氧化矽之去除率)者。舉例言之，該裝置設計包括進階次65奈米(nm)積體多層胞元NAND快閃記憶體裝置，其中，多晶矽層係沉積在作為浮動閘(floating gate)的晶圓表面之主動區。更明確言之，某些近期設計要求二步驟式研磨方法，其中，該第一步驟涉及向下移除多晶矽過載物至停在二氧化矽特徵件上，及其中，該第二步驟為拋光(buff)步驟，其中晶圓表面上的多晶矽浮動閘區及二氧化矽特徵件區係經平面化。
習知調配物由於提供低多晶矽對氧化物之去除率選擇性，故無法提供有效停止於氧化物膜。一個此
種研磨調配物係揭示於Dysard等人的美國專利申請案公開第2007/0077865號。Dysard等人揭示一種化學機械研磨基板之方法，該方法包含：(i)將包含多晶矽及選自矽氧化物及矽氮化物之材料的基板與化學機械研磨系統接觸，該系統包含：(a)研磨料(abrasive)，(b)液體載劑，(c)以該液體載劑及溶解於或懸浮於其中的任何成分的重量為基準計，約1 ppm至約100 ppm具有約15或更少的HLB之聚環氧乙烷/聚環氧丙烷共聚物，及(d)研磨墊；(ii)相對於該基板移動該研磨墊；及(iii)磨蝕基板之至少一部分以研磨該基板。
另一此種研磨調配物係揭示於核發給Park等人的美國專利案6,626,968。Park等人揭示具有7至11的pH之呈料漿形式的化學機械研磨組成物，用以同時研磨具有矽氧化物層及多晶矽層的表面，該料漿組成物主要由下列所組成：水、選自由二氧化矽(SiO2)、氧化鋁(Al2O3)、氧化鈰(CeO2)、氧化錳(Mn2O3)及其混合物所組成群組之研磨料顆粒、及約0.001重量%至約5重量%之選自下列所組成群組之聚合物添加物：聚乙烯基甲基醚(PVME)、聚乙二醇(PEG)、聚氧伸乙基23月桂基醚(POLE)、聚丙酸(PPA)、聚丙烯酸(PAA)、聚醚二醇貳醚(PEGBE)、及其混合物，其中，該聚合物添加物改善矽氧化物層之去除率相對多晶矽層之去除率的選擇性比。
於是，為了支援用在半導體系統製造之動態裝置設計領域，持續需要有經調配以提供期望的研磨性
質平衡而適合持續變化的設計需求之化學機械研磨組成物。舉例言之，仍然需要有呈現高多晶矽對二氧化矽之去除率選擇性的化學機械研磨組成物以協助有效地停止於二氧化矽特徵件。
本發明提供一種用於基板之化學機械研磨方法，包含：提供基板，其中，該基板包含沉積在二氧化矽上方之多晶矽過載物；提供化學機械研磨組成物濃縮物，其中，該化學機械研磨組成物濃縮物主要由下列所組成：水；0.1至25 wt%之膠體二氧化矽研磨料，其係具有平均粒徑100奈米；0.01至1wt%之依據式(I)之雙四級(diquaternary)陽離子：
其中，R1係C2-C6烷基；及其中，R2、R3、R4、R5、R6、及R7各自獨立地選自C2-C6烷基；提供第一稀釋劑；提供第二稀釋劑；將該第一稀釋劑添加至該化學機械研磨組成物濃縮物之第一部分以形成第一研磨調配物，其中，該第一研磨調配物具有>4.2至11的pH，其中，該第一研磨調配物係經調校而具有2,000埃/分鐘之第一多晶矽去除率，及20：1至600：1之第一多晶矽對二氧化矽之去除率選擇性；提供化學機械研磨墊；在該化學機械
研磨墊與該基板間之界面處產生動態接觸；將該第一研磨調配物分配至該化學機械研磨墊上之該化學機械研磨墊與該基板間之界面處或接近該界面處；從該基板去除多晶矽過載物；將該第二稀釋劑添加至該化學機械研磨組成物濃縮物之第二部分以形成第二研磨調配物，其中，該第二研磨調配物係具有2至4.2之pH，其中，該第二研磨調配物係經調校而具有1,500埃/分鐘之第二多晶矽去除率，及1：2至10：1之第二多晶矽對二氧化矽之去除率選擇性；將該第二研磨調配物分配至該化學機械研磨墊上之該化學機械研磨墊與該基板間之界面處或接近該界面處；及從該基板去除該多晶矽之至少較多部分及該二氧化矽之至少某些部分。
本發明提供一種用於基板之化學機械研磨方法，包含：提供基板，其中，該基板包含沉積在二氧化矽上方之多晶矽過載物；提供化學機械研磨組成物濃縮物，其中，該化學機械研磨組成物濃縮物主要由下列組成：水；0.1至25 wt%之膠體二氧化矽研磨料，其係具有平均粒徑100奈米；0.01至1 wt%之依據式(I)之雙四級陽離子：
其中，R1係C2-C6烷基；及其中，R2、R3、R4、R5、R6、及R7各自獨立地選自C2-C6烷基；提供第一
稀釋劑；提供第二稀釋劑；將該第一稀釋劑添加至該化學機械研磨組成物濃縮物之第一部分以形成第一研磨調配物，其中，該第一研磨調配物具有>4.2至11的pH，其中，該第一研磨調配物係經調校而具有2,000埃/分鐘之第一多晶矽去除率，及20：1至600：1之第一多晶矽對二氧化矽之去除率選擇性；提供化學機械研磨墊；在該化學機械研磨墊與該基板間之界面處產生動態接觸；將該第一研磨調配物分配至該化學機械研磨墊上該化學機械研磨墊與該基板間之界面處或接近該界面處；從該基板去除多晶矽過載物；將該第二稀釋劑添加至該化學機械研磨組成物濃縮物之第二部分以形成第二研磨調配物，其中，該第二研磨調配物係具有2至4.2之pH，其中，該第二研磨調配物係經調校而具有1,500埃/分鐘之第二多晶矽去除率，及1：2至10：1之第二多晶矽對二氧化矽之去除率選擇性；將該第二研磨調配物分配至該化學機械研磨墊上之該化學機械研磨墊與該基板間之界面處或接近該界面處；及從該基板去除該多晶矽之至少較多部分及該二氧化矽之至少某部分；其中，該第一多晶矽去除率、該第一多晶矽對二氧化矽之去除率選擇性、該第二多晶矽去除率、及該第二多晶矽對二氧化矽之去除率選擇性全部皆於具有每分鐘93轉的平台速度、每分鐘87轉的載具速度、200毫升/分鐘之化學機械研磨組成物流速，及於200毫米研磨機上20.7千帕(kPa)的標稱向下力，且其中化學機械研磨墊係包含含有聚合之中空核心微粒子之聚胺基甲酸酯研磨層及聚胺基甲酸
酯浸漬之非織物亞墊測得。
用於本發明之方法的化學機械研磨濃縮物可經稀釋而提供該濃縮物之第一稀釋液，該第一稀釋液係經調校而提供高多晶矽去除率及高多晶矽對二氧化矽之去除率選擇性來用於浮動多晶矽閘特徵件之形成中的該第一研磨步驟；及然後，該濃縮物可經稀釋而提供該濃縮物之第二稀釋液，該第二稀釋液係經調校而提供第二多晶矽對二氧化矽之去除率選擇性來用於浮動多晶矽閘特徵件之形成中的該第二研磨步驟(其中非選擇性料漿似所欲者)。
適用於本發明之化學機械研磨方法之基板包含具有多晶矽沉積在矽氧化物上之半導體基板。
包含在本發明之方法所使用的化學機械研磨組成物濃縮物中之水較佳為去離子水及蒸餾水中之至少一者以限制伴隨的雜質。
用在本發明之方法的化學機械研磨組成物濃縮物中之膠體二氧化矽研磨料其藉由動態光散射技術測量係具有平均粒徑100奈米(較佳地5至100奈米；更佳地10至60奈米；最佳地20至60奈米)。
用在本發明之方法的化學機械研磨組成物濃縮物較佳含有0.1至25 wt%(更佳地1至20 wt%，又更佳地5至20 wt%，最佳地5至10 wt%)之膠體二氧化矽研磨
料。
用在本發明之方法的化學機械研磨組成物濃縮物中的雙四級陽離子係依據式(I)：
其中，R1係選自C2-6烷基(較佳地，其中R1係選自-(CH2)6-基及-(CH2)4-基；最佳地，其中R1係-(CH2)4-基)；及其中，R2、R3、R4、R5、R6、及R7各自獨立地選自C2-6烷基(較佳地，其中R2、R3、R4、R5、R6、及R7各自為丁基)。用在本發明之方法的化學機械研磨組成物濃縮物較佳包含：0.01至1 wt%(更佳地0.05至0.5 wt%，最佳地0.05至0.1 wt%)之依據式(I)之雙四級物質。最佳地，用在本發明之方法的化學機械研磨組成物濃縮物包含：0.05至0.1 wt%之依據式(I)之雙四級物質，其中，R1為-(CH2)4-基；及其中，R2、R3、R4、R5、R6、及R7各自為-(CH2)3CH3基。
用在本發明之方法的化學機械研磨組成物濃縮物視需要較佳為不含腐蝕抑制劑。如本文及隨附之申請專利範圍所用之術語「不含腐蝕抑制劑」表示化學機械研磨組成物濃縮物不含苯并三唑；1,2,3-苯并三唑；5,6-二甲基-1,2,3-苯并三唑；1-(1,2-二羧基乙基)苯并三唑；1-[N,M-雙(羥基乙基)胺基甲基]苯并三唑；或1-(羥基甲基)苯并三唑。
用在本發明之化學機械研磨方法的化學機械研磨組成物濃縮物較佳為不含氧化劑。本文及隨附之申請專利範圍所用之術語「不含氧化劑」表示化學機械研磨組成物濃縮物不含氧化劑，諸如過氧化氫、過硫酸鹽類(例如單過硫酸銨、及二過硫酸鉀)及過錪酸鹽類(例如過錪酸鉀)。
用於本發明之方法的第一稀釋劑較佳包含去離子水及蒸餾水中之至少一者。較佳地，該第一稀釋劑包含pH調整劑(較佳地，其中該pH調整劑係選自氫氧化銨及氫氧化鉀；最佳地氫氧化鉀)及去離子水及蒸餾水中之至少一者。更佳地，該第一稀釋劑係選自去離子水及蒸餾水。最佳地，該第一稀釋劑係去離子水。
用於本發明之方法的第二稀釋劑較佳包含去離子水及蒸餾水之至少一者。該第二稀釋劑視需要地進一步包含pH調整劑。較佳地，該第二稀釋劑係選自去離子水或蒸餾水。更佳地，該第二稀釋劑係去離子水。
較佳的pH調整劑包括酸類及鹼類。較佳的酸pH調整劑係選自磷酸、硝酸、硫酸及鹽酸(最佳地，硝酸)。較佳的鹼pH調整劑係選自氫氧化銨及氫氧化鉀(最佳地，氫氧化鉀)。
用在本發明之方法的化學機械研磨組成物濃縮物之各種稀釋液的研磨效能參數(亦即，多晶矽去除率、二氧化矽去除率及多晶矽對二氧化矽之去除率選擇性)係可廣泛地調校於2至11之研磨pH之範圍。在具有20.7
kPa(3 psi)之向下力的實例中陳述的研磨條件下，所使用的化學機械研磨組成物濃縮物之稀釋液具有1,500至7,000埃/分鐘之可調校多晶矽去除率；1至2,500埃/分鐘之可調校二氧化矽去除率，及1：2至600：1之可調校多晶矽對二氧化矽之去除率選擇性。
較佳地，用在本發明之方法的化學機械研磨組成物濃縮物的稀釋液，當於具有20.7 kPa(3 psi)向下力的實例中陳述的研磨條件下測量，具有1,500至7,000埃/分鐘之可修整多晶矽去除率(分別地相對應於2至11之化學機械研磨組成物濃縮物pH)。
較佳地，用在本發明之方法的化學機械研磨組成物濃縮物，當於具有20.7 kPa(3 psi)向下力的實例中陳述的研磨條件下測量，具有10至2,500埃/分鐘之可修整矽氧化物去除率(分別地相對應於2至11之化學機械研磨組成物濃縮物pH)。
較佳地，用在本發明之方法的化學機械研磨組成物濃縮物，當於具有20.7 kPa(3 psi)向下力的實例中陳述的研磨條件下測量，具有1：2至600：1之可修整多晶矽對矽氧化物之去除率選擇性(分別地相對應於2至11之化學機械研磨組成物濃縮物pH)。
用在本發明之方法的第一研磨調配物係藉由將第一稀釋劑添加至該化學機械研磨組成物濃縮物而製備。較佳地，該第一研磨調配物具有>4.2至11(更佳>6至11)的pH。較佳地，該第一研磨調配物含有0.01至6 wt%(更
佳地0.04至2 wt%，最佳地0.04至0.6 wt%)之膠體二氧化矽研磨料；及0.0001至0.1 wt%(較佳地0.0004至0.05 wt%，更佳地0.0005至0.01 wt%)之依據式(I)之雙四級物質(最佳地，其中R1為-(CH2)4-基；及其中，R2、R3、R4、R5、R6、及R7各自為-(CH2)3CH3基)。較佳地，該第一研磨調配物係經調校而具有2,000埃/分鐘(更佳地2,000至7,000埃/分鐘)之第一多晶矽去除率，及20：1至600：1(更佳地50：1至600：1；最佳地150：1至600：1)之第一多晶矽對二氧化矽之去除率選擇性。
用在本發明之方法的第二研磨調配物係藉由將第二稀釋劑添加至該化學機械研磨組成物濃縮物而製備。較佳地，該第二研磨調配物具有2至4.2(更佳3至4)的pH。較佳地，該第二研磨調配物含有0.1至6 wt%(更佳地0.4至6 wt%，最佳地1至6 wt%)之膠體二氧化矽研磨料；及0.001至0.1 wt%(較佳地0.005至0.1 wt%，更佳地0.01至0.1 wt%)之依據式(I)之雙四級物質(最佳地，其中R1為-(CH2)4-基；及其中，R2、R3、R4、R5、R6、及R7各自為-(CH2)3CH3基)。較佳地，該第二研磨調配物係經調校而具有1,500埃/分鐘(更佳地1,500至4,000埃/分鐘)之第二多晶矽去除率，及1：2至10：1(更佳地9：10至5：1)之第二多晶矽對二氧化矽之去除率選擇性。
本發明之基板之化學機械研磨方法較佳包含：提供基板，其中，該基板包含沉積在二氧化矽上方之多晶矽過載物；提供化學機械研磨組成物濃縮物，其中，
該化學機械研磨組成物濃縮物主要由下列所組成：水；0.1至25 wt%(更佳地1至20 wt%，又更佳地5至20 wt%，最佳地5至10 wt%)之膠體二氧化矽研磨料，其藉由動態光散射技術測量係具有平均粒徑100奈米(較佳地5至100奈米；更佳地10至60奈米；最佳地20至60奈米)；0.01至1 wt%(更佳地0.05至0.5 wt%；最佳地0.05至0.1 wt%)之依據式(I)之雙四級陽離子，其中，R1係C2-C6烷基(較佳地，其中R1係選自-(CH2)6-基及-(CH2)4-基；最佳地，其中R1係-(CH2)4-基)；及其中，R2、R3、R4、R5、R6、及R7各自獨立地選自C2-6烷基(較佳地，其中R2、R3、R4、R5、R6、及R7各自為丁基)；提供第一稀釋劑(較佳地，其中該第一稀釋劑包含選自氫氧化銨及氫氧化鉀(較佳地，氫氧化鉀)之pH調整劑及去離子水及蒸餾水中之至少一者；更佳地，其中該第一稀釋劑係選自去離子水及蒸餾水；最佳地，其中該第一稀釋劑係去離子水)；提供第二稀釋劑(較佳地，其中該第二稀釋劑包含去離子水及蒸餾水中之至少一者；更佳地，其中該第二稀釋劑係選自去離子水及蒸餾水；最佳地，其中該第二稀釋劑係去離子水)；將該第一稀釋劑添加至該化學機械研磨組成物濃縮物之第一部分以形成第一研磨調配物，其中，該第一研磨調配物具有>4.2至11(更佳>6至11)的pH，其中，該第一研磨調配物係經調校而具有2,000埃/分鐘(更佳地2,000至7,000埃/分鐘)之第一多晶矽去除率，及20：1至600：1(更佳地50：1至600：1；最佳地150：1至600：1)之第一多晶矽對二氧化矽之去除
率選擇性；提供化學機械研磨墊；在該化學機械研磨墊與該基板間之界面處產生動態接觸；將該第一研磨調配物分配至該化學機械研磨墊上之該化學機械研磨墊與該基板間之界面處或接近該界面處；從該基板去除多晶矽過載物；將該第二稀釋劑添加至該化學機械研磨組成物濃縮物之第二部分以形成第二研磨調配物，其中，該第二研磨調配物係具有2至4.2(較佳地3至4)之pH，其中，該第二研磨調配物係經調校而具有1,500埃/分鐘(較佳地1,500至4,000埃/分鐘)之第二多晶矽去除率，及1：2至10：1(更佳地9：10至5：1)之第二多晶矽對二氧化矽之去除率選擇性；將該第二研磨調配物分配至該化學機械研磨墊上之該化學機械研磨墊與該基板間之界面處或接近該界面處；及從該基板去除該多晶矽之至少較多部分及該二氧化矽之至少某部分(較佳地，其中該第一多晶矽去除率、該第一多晶矽對二氧化矽之去除率選擇性、該第二多晶矽去除率、及該第二多晶矽對二氧化矽之去除率選擇性全部皆於具有每分鐘93轉的平台速度、每分鐘87轉的載具速度、200毫升/分鐘之化學機械研磨組成物流速，及於200毫米研磨機上20.7千帕的標稱向下力，及其中化學機械研磨墊係包含含有聚合之中空核心微粒子之聚胺基甲酸酯研磨層及聚胺基甲酸酯浸漬之非織物亞墊測得)。
現在參考下列實施例描述若干本發明之具體實施例。
化學機械研磨組成物之製備
實施例1及14之化學機械研磨組成物係經由組合表1所列舉之量之各組分及餘量去離子水；及以硝酸或氫氧化鉀調整組成物之pH成表1所列舉的最終pH而製備。實施例2至13之化學機械研磨組成物係經以去離子水稀釋實施例1之化學機械研磨組成物而製備。
化學機械研磨去除率實驗
多晶矽及二氧化矽去除率研磨試驗係使用依據實施例1至13製備的化學機械研磨組成物來進行。更明確言之，針對化學機械研磨組成物1至13各自的多晶矽及二氧化矽去除率係表示如表1中所示者。研磨去除率實驗係在200毫米覆氈晶圓(亦即，8k多晶矽片狀晶圓；及1K TEOS片狀晶圓，得自西瑪技術(SEMATECH)SVTC)上進行。使用應用材料(Applied Materials)200毫米密拉(Mirra)研磨機。全部研磨實驗係使用IC1010TM聚胺基甲酸酯研磨墊(市售得自羅門哈斯電子材料CMP公司(Rohm and Haas Electronic Materials CMP Inc.)進行，具有20.7 kPa(3 psi)之向下力，200毫升/分鐘之化學機械研磨組成物流速，每分
鐘93轉的平台速度，及每分鐘87轉的載具速度。戴格力(Diagrid®)AD3BG-150855鑽石墊調理機(市售得自金尼公司(Kinik Company))用於調理該研磨墊。研磨墊係在調理機內使用14.0磅(6.35公斤)向下力20分鐘時間破壞。研磨墊進一步係在研磨前在調理機外使用9磅(4.1公斤)向下力10分鐘時間調整。在以使用9磅(4.1公斤)向下力從研磨墊中心1.7吋至9.2吋以10掃掠/分鐘研磨期間，進一步原位處理研磨墊。使用KLA-天可(Tencor)FX200測量工具，使用49點螺旋掃描及3毫米邊緣排除，測量研磨前及厚的薄膜厚度而決定去除率。去除率實驗結果提供於表2。
化學機械研磨去除率實驗
多晶矽及二氧化矽去除率研磨試驗係使用依據實施例1至13所製備的化學機械研磨組成物來進行。更明確言之，針對化學機械研磨組成物1至13各自的多晶
矽及二氧化矽去除率係表示如表1中所示者。研磨去除率實驗係在200毫米覆氈晶圓(亦即，8k多晶矽片狀晶圓；及1K TEOS片狀晶圓，得自西瑪技術SVTC)上進行。使用應用材料200毫米密拉研磨機。全部研磨實驗係使用IC1010TM聚胺基甲酸酯研磨墊(市售得自羅門哈斯電子材料CMP公司)進行，具有34.5 kPa(5 psi)之向下力，200毫升/分鐘之化學機械研磨組成物流速，每分鐘93轉的平台速度，及每分鐘87轉的載具速度。戴格力AD3BG-150855鑽石墊調理機(市售得自金尼公司)用於調理該研磨墊。研磨墊係在調理機內使用14.0磅(6.35公斤)向下力20分鐘時間破壞。研磨墊進一步係在研磨前在調理機外使用9磅(4.1公斤)向下力10分鐘時間調整。在以使用9磅(4.1公斤)向下力從研磨墊中心1.7吋至9.2吋以10掃掠/分鐘研磨期間，進一步原位處理研磨墊。使用KLA-天可(Tencor)FX200測量工具，使用49點螺旋掃描及3毫米邊緣排除，測量研磨前及厚的薄膜厚度決定去除率。去除率實驗結果提供於表3。
Claims (10)
- 一種用於基板之化學機械研磨之方法，包含：提供基板，其中，該基板包含沉積在二氧化矽上方之多晶矽過載物；提供化學機械研磨組成物濃縮物，其中，該化學機械研磨組成物濃縮物主要係包含：水；0.1至25 wt%之具有100奈米平均粒徑之膠體二氧化矽研磨料；0.01至1 wt%之依據式(I)之雙四級陽離子：
- 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中，該第一稀釋劑及該第二稀釋劑係去離子水。
- 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中，該第一稀釋劑係去離子水與pH調整劑之組合。
- 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中，該化學機 械研磨組成物係不含腐蝕抑制劑及不含氧化劑。
- 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中，R1為C4烷基；及其中，R2、R3、R4、R5、R6、及R7各自為C4烷基。
- 如申請專利範圍第5項所述之方法，其中，該化學機械研磨組成物係不含腐蝕抑制劑。
- 如申請專利範圍第5項所述之方法，其中，該化學機械研磨組成物係不含氧化劑。
- 如申請專利範圍第5項所述之方法，其中，該化學機械研磨組成物係不含腐蝕抑制劑及不含氧化劑。
- 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中，該化學機械研磨組成物之pH係透過添加去離子水而調整。
- 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中，該第一多晶矽去除率、該第一多晶矽對二氧化矽之去除率選擇性、該第二多晶矽去除率、及該第二多晶矽對二氧化矽之去除率選擇性全部皆於具有每分鐘93轉的平台速度、每分鐘87轉的載具速度、200毫升/分鐘之化學機械研磨組成物流速，及於200毫米研磨機上20.7千帕的標稱向下力，且其中化學機械研磨墊係包含含有聚合中空核心微粒子之聚胺基甲酸酯研磨層，及聚胺基甲酸酯浸漬之非織物亞墊測得。
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