TWI260402B - Shearing interferometer with dynamic pupil fill - Google Patents
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Description
1260402 (1) 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關微影系統,特別有關測量微影系統中的 波前參數。 【先前技術】 光刻爲被使用來產生外貌特徵於基板之表面上的程序 Φ ,這樣的基板能夠包含那些在平板顯示器、電路板、各種 積體電路等等之製造上所使用的基板,這樣的應用所常常 使用的基板爲半導體基板,習於相關技術者將會察覺到在 . 此的敘述也將可應用到其他類型的基板。 在光刻期間,晶圓,其係置於晶圓台(WS )上,係 藉由位於光刻系統內之曝光系統而曝光於投射在晶圓之表 面上的影像,此曝光系統包含用以投射影像於晶圓上的光 罩(也被稱爲遮罩)。 • 光罩經常被安裝於光罩台(RS )上,且通常係位在晶 圓與光源之間。在微影中,光罩被用作,舉例來說,用來 印刷電路於晶圓上的光遮罩。光刻光照射經過遮罩’而後 通過一序列使影像縮小的光學透鏡’此小的影像然後被投 射在晶圓上。此程序係類似於照相機如何使光彎曲而形成 影像於膜上,光在光刻程序中扮演積分的角色’舉例來說 ,在微處理器(也被稱爲電腦晶片)的製造方面’產生更 強而有力之微處理器的關鍵爲光之波長的大小’波長愈短 ,電晶體愈能夠被形成在晶圓上。具有許多電晶體之晶圓 (2) 1260402 導致更強而有力、更快速的微處理器。 隨著晶片製造商已經能夠使用較短波長的光, 經遭遇到較短波長的光變成被打算來使光聚焦之玻 收的問題。由於較短波長之光的吸收,光未能到達 。結果,沒有任何電路圖案被產生在矽晶圓上。企 此問題,晶片製造商發展出被稱爲爲超紫外光 EUVL )的光刻程序,在此程序中,能夠以鏡來代 φ 透鏡。 測量波前之不想要的擾動(常常被稱爲波前像 問題對於光刻應用來說爲永續的問題,這些波前像 因於各種物理致因,例如,由於機械位移或變形的 發生光學元件(透鏡或鏡子)之折射或反射特性上 ,或者由於加熱所導致之光學元件之光學特性上的 或光。特別是,想要測量在晶圓生產及曝光期間微 中的波前品質,而不是必須,其增加所有權的成本 # 產量或引進一些其他類型的無效率。 【發明內容】 本發明係有關具有動態光瞳塡充之剪切干涉儀 施上防止習知技術之一或多個問題和缺點。 本發明之貫施例包含波前測量系統,其包含電 源。照明系統將電磁輻射輸送至物平面,物體產生 案,且係位於物平面上。投影光學系統將物體之影 在影像平面上’偵測器接收來自影像平面之條紋圖 他們已 璃所吸 石夕晶圓 圖克服 光刻( 替玻璃 差)的 差係起 結果而 的改變 改變, 影工具 ,減少 ,其實 磁輻射 繞射圖 像投射 案,繞 -6- (3) 1260402 射圖案被掃描越過於投影光學系統的光瞳上。 本發明之另一實施例包含一具有輸送在物平面處之電 磁輻射之照明系統的波前測量系統,電磁輻射束源係在物 平面上。投影光學系統將射束投射在影像平面上,偵測器 接收來自影像平面之條紋圖案,繞射圖案被掃描越過於投 影光學系統的光瞳上。 本發明之另一實施例包含一測量光學系統之波前的方 • 法,其包含產生電磁輻射於源處;將電磁輻射輸送至光學 系統之物平面;產生繞射圖案於物平面上;掃描繞射圖案 越過於投影光學系統的光瞳上;接收源之影像而同時掃描 繞射圖案;以及決定來自影像之波前參數。 本發明之其他特徵及優點將被提出於下面的說明中, 且一部分將可從說明中變得明顯,或者可以藉由本發明的 實施來予以學習,本發明之優點將藉由該結構來予以實現 及取得,並且特別被指出於書寫的說明及其申請專利範圍 Φ 以及附加之圖形中。 將會了解到前面的一般說明和下面的詳細說明兩者係 代表性及說明性的,且意欲提供如同所主張之本發明的進 一步解釋。 【實施方式】 現在將對本發明之實施例做出詳細的說明,且其實例 被例舉於伴隨的圖形中。 藉由發射自物平面上之相對應場點之球面波波前的像 (4) 1260402 差來特徵化投影光學裝置(PO )的場依賴像差係便利的, 各種干涉度量技術能夠被用來測量此球面波的像差,根據 和剪切光柵匹配之物體-平面光栅重疊之物平面中之擴展 非相干源的剪切干涉度量法被敘述於I. Braat及Α.】·Ε.Μ. Janssen,Improved Ronchi test with Extended Source,J. Opt. Soc. Am. A,Vol· 16,No. 1,pp.131-140, January, 1 999,其在此並倂入當作參考資料。又,由Nanlleau等人 籲 所提出之論文,Static Microfield Printing at ALS with the ETS-2 Set Optic,Proc. SPIE 4688,64-7 1 ( 2002 ) ( http://goldberg.lbl.gov/papers/Naulleau_SPIE_4688 ( 2 0 0 2 ).pdf ),其在此並倂入當作參考資料,敘述爲了在以照 明係相干之同步加速光源印刷期間控制局部相干所實施之 用於EUV的動態光瞳塡充照明系統。 圖1例舉依據本發明之微影系統100,系統100包含 照明源105、聚光透鏡102、擴展物體103 (位於物平面上 # )、具有光瞳105之投影光學裝置104、影像平面剪切光 柵106、偵測器透鏡107、及CCD偵測器108,配置如圖 形中所示,這些元件將被進一步說明於下。 光柵1 06包含透射和不透明區域兩者,不透明區域能 夠是由吸引輻射之材料所形成的(舉例來說,在EUV光 刻的情況中用於1 3 . 5 nm曝光波長,或者在使用更長之波 長的情況中的光學輻射),例如,鎳、鉻、或其他金屬。 也將可領會到,雖然本發明係可應用於使用折射光學 元件(例如,投影光學裝置1 〇4、及成像光學裝置)的光 -8- (5) 1260402 刻系統,但是本發明亦可應用於使用其他波長的系統,且 視需要而使用適當的透射/折射組件來代替反射組件。 光柵106也能夠包含反射(或不透明)區域。這些反 射區域能夠是由吸引輻射之材料所形成的(舉例來說,用 於1 3 · 5 n m曝光波長),例如,鎳、鉻、或其他金屬。 光柵1 〇 6的間距被選擇來提供適當的剪切比,其中, C CD偵測器1 08係在條紋平面中(亦即,在系統之焦點或 • 影像平面的下方),且”看見”條紋的圖案(干涉圖)或者 許多重疊的圓圈,如同將在下面做進一步討論的。剪切比 爲兩個圓圈之重疊的測量,其中,零的剪切比表示完美的 重疊。也注意到,希望CCD偵測器108僅”看見”第0階 與第+ 1及-1階的繞射影像,並且消除第+2及-2階的繞射 影像。此外,擴展物體1 03被建構來幫助消除不想要的階 ,但是,不管透射和反射區域的任何一個圖案被使用,它 是規則的圖案係重要的。 # 源模組光柵203的間距也最好被選擇來匹配剪切光柵 的間距,以便將光瞳中的光重新分配於那些將由於剪切而 互相重疊的位置。 圖2及圖3例舉基準波前和橫向剪切干涉儀2 1 0中的 剪切。橫向剪切干涉儀210和其本身干涉波前,或者另一 種說法,其和其本身干涉波前的偏移複製。如圖2及圖3 所示,位於影像平面中之光柵1 06用作剪切干涉儀,並產 生具有波前21 1 A的透射波204,及具有波前21 1B的繞射 基準波205。因此,橫向剪切干涉儀210產生一或多個表 (6) 1260402 觀源,它們的波前2 1 1 A , 2 1 1 B干涉而產生條紋2 1 2。 圖4例舉如同由CCD偵測器1 08所看見之波前條紋 (圖2中之212A,2KB )。如圖4所示,在右上方的照片 中,顯示出單一物體空間狹縫的剪切條紋,其中,狹縫係 位於非相干、散射源的前面,而非相干、散射源塡充最大 的數値孔徑且使任何的不均勻性平滑。右下方的圖形顯示 具有第〇階圖案402和第1階繞射圖案403的條紋可見度 0 函數401,光柵106的5 0°/。工作周期使得所有偶數階的繞 射圖案不可見。在圖4的左下方,顯示出影像空間剪切光 柵106,具有0.5的剪切比。 實際上,用”擴展物體1 0 3 ”來代替源點(1 〇 1 ),以增 加光通過量,藉由被使用來測量干涉圖之偵測器裝置的可 用照明功率及靈敏度來控制擴展物體1 03的最小尺寸。根 據投影光學裝置104之物體側數値孔徑(NA)和光通過 量要求,常常是來自擴展物體103之繞射圖案的角寬度相 # 較於Ρ〇 1 04之物體側ΝΑ係小的情況。在此情況中,大 部分來自此物體的光結果被集中在Ρ Ο 1 0 4光瞳1 0 5的小 面積之內。甚至對於投影光學裝置104的最高光瞳塡充來 說,光瞳1 0 5仍未被完全塡充,如同對於完全像差測量來 說係較佳的。在此情形下,波前測量方法對發生在光瞳 1 05之相對小的照明區之外的ΡΟ 1 04像差將會具有非常少 的靈敏度。因此,或多或少均勻地塡充Ρ Ο 1 04的光瞳1 0 5 係較佳的。 因此,測量波前像差的問題必須平衡兩個競爭之利害 -10- (7) 1260402 關係:塡充整個光瞳1 〇5 (但是以非常低強度的成本), 或者具有足夠的強度,但是僅對小部分的光瞳1 05。 下面的方法能夠被用來確保在剪切干涉度量法中所想 要的光瞳塡充: (1 ) 引導透射圖案進匹配剪切光柵(例如,倫奇( Ronchi)光柵)的擴展物體103內,且提供擴展物體103 的完全非相干照明[見Baselmans,supra];以及 # ( 2 ) 將擴展之非相干源放進物平面內(藉由使用物 平面中的臨界照明或擴散器),且將其和匹配剪切光柵之 倫奇(Ronchi)光柵重置[見Baselmans等人,supra]。 這些方法會有幾個問題。 (1 ) 由於有效光源之剩餘相干性(此應用於方法1 及2 )或者由於物平面擴散器元件的有限大小尺寸(此應 用於方法2 )而發生所測量之干涉圖的斑點擾動,此斑點 擾動對所測量之干涉圖增添高頻強度變動,導致波前測量 # 誤差; (2 ) 在測量期間之切換至特殊照明模式(此應用於 方法1及2)的需要使波前測量程序複雜;以及 (3 ) 顯著部分的光係繞射自離開光瞳1 〇 5之擴展物 體103,且並不參與剪切之干涉圖的形成。 本發明因此應用於當需要確保所需之光通過量之擴展 物體1 03的大小尺寸係使得繞射圖案的特性寬度爲遠小於 PO 104之物體側NA時,亦即,λ /擴展物體大小尺寸 <<ΝΑ物體。 -11 - (8) 1260402 由擴展物體1 〇 3的光塡充能夠被動態地達成。在干 涉圖的測量期間,擴展物體1 03能夠被動態地修改,使得 來自此物體之繞射圖案掃描越過於整個入射光瞳1 〇 5上。 測量經剪切之干涉圖的C C D偵測器1 〇 8積分(或加總) 發生在測量之程序中的瞬時干涉圖。 藉由使用反射元件,例如,傾斜鏡,或者藉由使用具 有變動斜率及/或抵著孔徑而移動之其他特性(例如,拋 φ 物面透鏡或球面透鏡)的折射物體,能夠實施擴展物體 1 〇 3的動態修改。 ^ 上述反射及透射之擴展物體使用在擴展物體103內或 越過擴展物體1 03上,藉由線性地變動複合反射率/透射 率所感應之光的動態相位變化。但是,任意的(非線性) 相位變化效應也能夠被使用來動態地塡充光瞳丨05。許多 對習於此技藝者眾所周知的實際配置有可能用來實現如此 之任意的非線性相位變化,舉例來說,它們能夠藉由使用 0 擴展之移動物體來予以達成,且其結構改變於其內或者越 過於其上’及/或動態地變形,及/或動態地修改(例如, 使用空間光調變器)。動態引導之相位變化的其他可能實 現能夠包含形成於透射或反射性可撓基板上的擴散器圖案 ’而透射或反射性可撓基板能夠被實際地變形,包含塑膠 '壓電材料、及其應力係藉由致動器來予以感應之應力-雙折射材料、等等。 @非使用非常小的剪切,否則在上面方法的任一方法 中’擴展物體丨03必須具有透射比圖案(匹配剪切光柵之 -12- 1260402 Ο) 物平面倫奇(Ronchi )光柵)疊置於其上,以便在光瞳 1 〇5中提供額外的光之重新分配,如同在上面所引述之 Bratt等人和Baselmans中所述的。 動態修改被實施而使得在擴展物體內的透射比函數具 有相位之時間相依的線性變化,其確保來自擴展物體的繞 射圖案係偏移於光瞳1 05之內,在測量的動作期間動態地 掃掠光瞳1 〇 5。 藉由記錄橫越於CCD偵測器108平面上之能量分布 的CCD偵測器108來實施干涉圖的測量,CCD偵測器108 能夠積分時變強度於偵測器1 08平面中的每一點處,以 便在測量的動作期間收集足夠數目的光子。在現今的波前 感測器(像是CCD偵測器108 )中所使用之CCD陣列滿 足此要求。 如同上面所注意到的,擴展物體1 0 3的動態修改能夠 藉由任何數目的機構來予以達成,舉例來說,可以使用反 # 射之擴展物體103,這種反射之擴展物體103的例子包含 (1 ) 傾斜平鏡能夠和一孔徑結合使用,或者僅具有 爲反射性之大傾斜物體的小扁平部分。相對大的傾斜鏡相 較於微鏡較容易控制(例如,傾斜或旋轉),在此情況中 之擴展物體1 03和傾斜平鏡重疊,如圖9所示。 (2 ) 傾斜微鏡(例如,距離空間光調變器(SLM ) 陣列的鏡)能夠被用作整個擴展物體1 〇3 (見圖9 )。爲 了掃掠光瞳1 〇 5,微鏡必須傾斜於物平面上的兩個軸中, -13- (10) 1260402 如果微鏡僅能夠傾斜於一個軸中,則其能夠繞著垂直於物 平面之軸旋轉,因此致使2D光瞳105的錐形掃掠。實際 上,這樣的情況很少見。 (3 ) 具有反射面之變動斜率的反射物體,例如,拋 物面或球面透鏡,其係線性移動在小的孔徑之後,能夠被 用作整個擴展物體1 0 3。 注意’在反射元件被用來掃描繞射圖案越過於光瞳 φ 1 〇 5上的情況中,它們不需要一直位於物平面處,舉例來 說,平傾斜鏡能夠位在物平面與Ρ Ο 1 0 4的光瞳1 0 5之間 (也作用來折疊系統的光軸)。 擴展物體1 03也能夠係透射的,在該情況中,動態的 光瞳塡充能夠藉由移動折射元件(具有其其中一表面(例 如,球面或拋物面透鏡)之變動斜率抵著小的孔徑)來予 以達成’如圖8所示。透射光柵也能夠被使用,使得光柵 上的不同區域具有不同的光柵間距,且光柵係線性地移動 # 於其平面(亦即,垂直於電磁輻射之傳遞的方向)上,以 便改變射束的方向(亦即,掃描其越過於光瞳1 0 5上)。 了解到根據所使用之特別類型之擴展物體1 〇 3、光瞳1 0 5 的大小尺寸及掃描方式,當繞射圖案係正被掃描越過於光 瞳1 05上時,維持適當的焦點於影像平面中可能會變成問 題。然而’目前相信雖然較佳維持焦點,但是,一點散焦 係可接受的。 除非使用非常小的剪切,否則在上面實施的任一實施 中’擴展物體1 03必須具有透射比圖案(匹配剪切光柵之 -14- (11) 1260402 物平面倫奇(Ronchi )光柵)疊置於其上,以便在光瞳 1〇5中提供額外的光之重新分配,如同在上面所引述之 Bratt等人和Baselmans中所述的。除此之外,上面物體 的任何一者最好係可平移於兩個橫向維中,以較佳在剪切 干涉儀測量中完成條紋的相位偏移讀出。 藉由CCD偵測器108所測量之最終的剪切干涉圖係 起因於大部分集中在光瞳105之小部分內的光之瞬時剪切 φ 干涉圖之時間上的積分的結果,瞬時剪切干涉圖可以僅在 由干涉折射階所形成之偵測器平面中之光瞳影像的相對小 部分內具有高對比干涉條紋,藉由CCD偵測器108所測 量之它們的時間積分在越過整個光瞳105上具有定義良好 的干涉條紋,其能夠被使用(典型上結合相位-步進( phase-stepping))來計算波前像差。 這是由於上述動態的光瞳塡充係等同於對應於和動態 移動一起摺積分之真正源(源掃描)的恆定源的使用。因 # 此,不管來自真正源之照明的相干程度,有效源提供充分 相干的照明。 圖5例舉本發明之理論基礎,其係以有點風格化、示 意的方式顯示光學曝光系統。此圖形係有關使用物平面中 的針孔,以便產生塡充光瞳1 0 5之球面波,且其像差係藉 由剪切干涉儀來予以測量。如圖5所示,從此圖形的頂部 走到底部,來自光源之光走經過聚光透鏡1 02,而後經過 具有針孔的物平面,在投影光學裝置104之光瞳105處之 場的數値大小係以圖A來予以顯示,其中,以”f”表示光 -15- (12) 1260402 瞳105座標。光然後被聚焦於影像平面605上,然後通過 選項的偵測器投影光學裝置1 ,且被偵測器1 所偵測 於偵測器平面上。圖B顯示由剪切光柵所形成之第-1及 +1繞射階的數値大小,其係位於影像平面605上。圖C 顯示起因於從剪切光柵算起之繞射階的干涉圖。注意,可 見的影像變動係由於出現在最終干涉圖中之像差(相位變 動)。 圖6顯示在干涉圖中繞射的數値大小如何排序及改變 ,當擴展物體1 03係置於僅塡充光瞳1 05之一小部分的物 平面上,導致在對應於擴展物體1 03的剪切繞射圖案之非 重疊波峰內,在偵測器平面中所觀察到之非常小(可忽略 )對比的干涉圖條紋。如同在圖5中,圖6中之圖A顯不 在投影光學裝置104之光瞳105處之場的數値大小,具有 光瞳座標”f”。圖B顯示當擴展物體103出現於影像平面 上時,由剪切光柵106所形成之第0、-1及+1繞射階的數 • 値大小。圖C顯示起因於從剪切光柵算起之繞射階的干涉 圖。因爲繞射階重疊地不夠充分,所以合成的干涉圖僅軟 弱地依賴於波前像差。 圖7例舉藉由倫奇(Ronchi)光柵來調變擴展物體 103的效應,其將光瞳105中之光重新分配到那些將由於 剪切的結果而互相重疊的位置。如同圖5及圖6的情形一 樣,圖A顯示在投影光學裝置104之光瞳105中之場的數 値大小,圖B顯示由剪切光柵106所形成之第0、+1及-1 繞射階的數値大小,及圖C顯示來自從剪切光栅和匹配之 -16- (13) 1260402 倫奇(Ronchi )光柵算起之繞射階的合成干涉圖。由於第 〇、+ 1及-1繞射階間之重疊的結果,在重疊區域中(波峰 內)之干涉圖強烈地依賴於波前像差。 圖8係可以被使用於本發明中之光學元件配置的另一 舉例說明,亦即,使用移動折射物體之動態的光瞳塡充。 圖8之例舉主要可應用於透射之擴展物體1 〇3,舉例來說 ,如圖8所示,能夠使用透射倫奇(R0nchi )光柵,且折 # 射物體具有係抵著物平面而移動的變動斜率。圖8之右下 方的圖表例舉合成有此配置之干涉圖,注意,折射物體, 如同上面所注意到的,舉例來說,可以是正抵著小孔徑而 # 移動的球面或拋物面透鏡。 圖9係使用傾斜反射倫奇(RonChi )光柵901之動態 光瞳塡充的另一舉例說明,且未顯示出射束圖案。如圖9 所示’也可能需要射束分裂器902,反射之擴展物體103 (在此情況中爲倫奇(Ronchi)光柵901)係置於傾斜鏡 # 上。右下方的圖形例舉合成的干涉圖圖案,大的傾斜鏡能 夠和一孔徑結合使用,或者能夠僅具有小且扁平的部分, 或者能夠是被做成反射性之大傾斜物體的小扁平部分。相 對大的鏡子,或較大的物體,相較於微鏡係較爲容易處理 (換g之’傾斜或旋轉)。在此情況中之擴展物體1 0 3將 會和大的傾斜鏡重疊,如圖9所示。 又’傾斜微鏡(例如,使用空間光調變器陣列中的鏡 子)可以被用作整個擴展物體1〇3。 本發明具有優於習知系統的許多優點,舉例來說,動 -17- (14) 1260402 態的光瞳塡充去除了對物平面中之擴散器的需要(例如, 在EUV波前感測器中),因此,導致去除或減少斑點-感 應之波前測量誤差。 動態的光瞳塡充也去除了在波前測量期間之切換至特 殊照明模式的需要,在曝光期間所使用之相同的照明模式 能夠被用來實施波前測量。(但是,其中一者仍須適當地 定位光罩台,且其上具有傾斜鏡。) φ 動態的光瞳塡充也致使”緊密地,,塡充PO光瞳105, 因此’顯著減少隨著其他方法而發生之光的損失。如果需 要或想要的話,則動態的光瞳塡充僅致使取樣感興趣之 . P 0光瞳的部分。 習於此技藝者將會了解,各種形式上的改變及詳細內 容可以被做成於其中,而沒有違離本發明之精神及範疇, 如同在附加之申請專利範圍中所界定的。因此,本發明之 闊度及範疇不應該被上述代表性實施例的任何一個所限定 # ’而是應該僅依據下面的申請專利範圍和它們等同之物來 予以界定。 【圖式簡單說明】 伴隨之圖形,其被包含來例舉本發明之代表性實施例 ,且被倂入及構成此說明書的一部分,例舉本發明之實施 例,並且和說明一起用來解釋本發明之原理。在圖形中: 圖1顯示本發明的一部分代表性微影系統。 圖2及圖3例舉使用干涉儀來產生剪切波前。 -18- (15) 1260402 圖4例舉利用本發明之干涉條紋(當它們出現在焦點 平面上時)的例子。 圖5例舉本發明之理論基礎,其係以風格化、示意的 方式顯示光學曝光系統。 圖6顯示在干涉圖中繞射的數値大小如何排序及改變 ,且擴展物體係在物平面上。 圖7例舉藉由倫奇(Ronchi)光柵來調變擴展物體的 _ 效應。 圖8係可以被使用於本發明中之光學元件配置的另一 ‘舉例說明。 .圖9例舉使用傾斜反射倫奇(Ronchi)光柵之動態光 瞳塡充。 【主要元件符號說明】 100 聚光透鏡 101 源點 102 聚光透鏡 103 擴展物體 104 投影光學裝置(PO) 105 光瞳 106 剪切光柵 107 偵測器透鏡 108 CCD偵測器 203 源模組光柵 -19- (16) 1260402 204 透射波 20 5 繞射基準波 2 10 橫向剪切干涉儀 2 1 1 A,2 1 1 B 波 2 1 1 A,2 11 B 波前條紋 212 條紋 40 1 條紋可見度函數
402 第〇階圖案 403 第1階繞射圖案 605 影像平面 901 倫奇光柵 902 射束分裂器
-20-
Claims (1)
- (1) 1260402 十、申請專利範圍 1. 一種波前測量系統,包括: 電磁輻射源; 照明系統,將該電磁輻射引導至物平面; 物平面上的物體,產生繞射圖案; 投影光學系統,將該物體之影像投射在影像平面上; 以及 偵測器,接收來自該影像平面之條紋圖案, 其中,越過該投影光學系統的光瞳上掃描繞射圖案。 2. 如申請專利範圍第1項之系統,其中,物體包含用 來越過光瞳上掃描繞射圖案的傾斜鏡。 3 ·如申請專利範圍第1項之系統,其中,物體包含具 有可變間距之用來越過光瞳上掃描繞射圖案的繞射光柵。 4·如申請專利範圍第1項之系統,其中,物體包含具 有變動楔之用來越過光瞳上掃描繞射圖案的折射稜鏡。 5 ·如申請專利範圍第1項之系統,其中,物體包含用 來越過光瞳上掃描繞射圖案的空間光調變器。 6·如申請專利範圍第1項之系統,其中,物體產生非 線性相位變化,以越過光瞳上掃描繞射圖案。 7.如申請專利範圍第1項之系統,其中,物體包括應 力-雙折射材料,以越過光瞳上掃描繞射圖案。 8 ·如申請專利範圍第1項之系統,另包括用來越過光 瞳上掃描繞射圖案的折射光學裝置。 9 ·如申請專利範圍第1項之系統,另包括用來越過光 -21 - (2) 1260402 瞳上掃描繞射圖案的繞射光學裝置。 I 〇 ·如申請專利範圍第1項之系統,其中,物體包含 具有可變表面斜率之用來越過光瞳上掃描繞射圖案的移動 鏡。 II ·如申請專利範圍第1項之系統,其中,越過該投 影光學系統的光瞳上動態地掃描繞射圖案。 1 2 .如申請專利範圍第1項之系統,其中,偵測器係 φ 位於和光瞳光學性地共軛之平面中。 1 3 .如申請專利範圍第1項之系統,另包括一光柵在 影像平面中以產生條紋圖案。 .】4.一種波前測量系統,包括: 照明系統,將電磁輻射輸送至物平面; 物平面中的物體,產生電磁輻射的射束; 投影光學系統,將射束投射在影像平面上;以及 偵測器,接收來自影像平面之射束的條紋圖案, # 其中,越過投影光學系統的光瞳上掃描射束。 1 5 .如申請專利範圍第1 4項之系統,其中,物體包含 用來越過光瞳上掃描射束的傾斜鏡。 1 6 .如申請專利範圍第1 4項之系統,其中,物體包含 具有可變間距之用來越過光瞳上掃描射束的繞射光柵。 1 7 .如申請專利範圍第1 4項之系統,其中,物體包含 具有變動楔之用來越過光瞳上掃描射束的折射稜鏡。 1 8 .如申請專利範圍第1 4項之系統,其中,物體包含 用來越過光瞳上掃描射束的空間光調變器。 -22- (3) 1260402 1 9 .如申請專利範圍第1 4項之系統,其中,繞射圖案 源產生非線性相位變化,以越過光瞳上掃描繞射圖案。 2 0 ·如申請專利範圍第1 4項之系統,其中,繞射圖案 源包含應力-雙折射材料,用以越過光瞳上掃描射束。 2 1 ·如申請專利範圍第1 4項之系統,另包括用來越過 光瞳上掃描射束的折射光學裝置。 22 ·如申請專利範圍第1 4項之系統,另包括用來越過 φ 光瞳上掃描射束的繞射光學裝置。 2 3 ·如申請專利範圍第1 4項之系統,其中,物體包含 具有可變表面斜率之用來越過光瞳上掃描射束的移動鏡。 24 ·如申請專利範圍第1 4項之系統,其中,偵測器係 位於和光瞳光學性地共軛之平面中。 2 5.如申請專利範圍第14項之系統,另包括一光柵在 影像平面中以產生條紋圖案。 •2 6 · —種測量光學系統之波前的方法,包括: Φ 產生電磁輻射於源處; 將該電磁輻射輸送至該光學系統之物平面; 產生繞射圖案於該物平面上; 越過於該光學系統之光瞳上掃描繞射圖案; 接收該源之影像而同時掃描繞射圖案;以及 決定來自該影像之波前參數。 27·如申請專利範圍第26項之方法,其中,掃描步驟 包含使鏡傾斜以引導繞射圖案越過於光瞳上。 2 8.如申請專利範圍第26項之方法,其中,掃描步驟 -23- (4) 1260402 包含移動具有可變間距之折射光柵以引導繞射圖案越過於 光瞳上。 2 9 .如申請專利範圍第2 6項之方法,其中,掃描步驟 包含調整具有變動楔之折射稜鏡以引導繞射圖案越過於光 瞳上。 3 〇。如申請專利範圍第2 6項之方法,其中,掃描步驟 包含調整空間光調變器以引導繞射圖案越過於光瞳上。 3 1 ·如申請專利範圍第2 6項之方法,其中,掃描步驟 使用折射光學裝置以掃描繞射圖案越過於光瞳上。 32.如申請專利範圍第26項之方法,其中,掃描步驟 使用繞射光學裝置以掃描繞射圖案越過於光瞳上。 3 3 . —種測量投影光學系統之波前的方法,包括: (1 ) 輸送在投影光學系統之物平面處的電磁輻射, 以便產生引導在投影光學系統處的射束; (2 ) 將偵測器定位於投影光學系統之影像平面下方 (3 ) 接收在偵測器處之射束的條紋圖案,而同時越 過光學系統之光瞳上掃描射束;以及 (4) 從條紋圖案計算波前像差。 3 4 . —種波前測量系統,包括: 用來產生電磁輻射的機構; 用來將該電磁輻射輸送至該光學系統之物平面的機構 用來產生繞射圖案於物平面上的機構; -24- (5) 1260402 投影光學系統,將該繞射圖案之影像投射在影像平面 上;以及 用來從該影像平面中偵測條紋圖案的機構; 用來越過該影像光學系統之光瞳上掃描繞射圖案的機-25-
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