TWI258791B - Vacuum ultraviolet-excited ultraviolet phosphor and light-emitting device that uses this phosphor - Google Patents

Description

1258791 ..........·..··-------------------------——.......................... 九、發明說明： (一） 發明所屬之技術領域 本發明係有關一種真空紫外線激發紫外線磷光體及關 於使用這種磷光體的發光裝置。 (二） 先前技術

諸如螢光燈及顯示器之類的發光裝置已受到廣泛的使 用。這類裝置中存在有以水銀當作激發源的燈，然而近年 來日益警覺其對環境之衝擊下目前已密集地搜尋不需要以 水銀當作激發源的發光裝置。

除此之外，水銀所發射波長2 5 4奈米的紫外光對人眼 及皮膚有強烈效應，因此以水銀當作激發源的發光裝置需 要採用諸如遮蔽之類的措施以防止紫外線脫逸，而這類措 施已成爲使發光裝置微型化的障礙。另外，水銀鎧內的水 銀蒸氣壓會在諸如酷寒區域之類冷大氣中或是冬季期間下 降，且因此很難在這種情況中啓動放電作用。即使在已啓 動了放電作用時，也會出現在點亮之後的溫度上升造成燈 泡內水銀蒸氣壓上升的問題，結果其發光強度會在從點亮 的時刻直到達成穩定狀態爲止出現改變。因此，水銀鎧需 要直到光穩定下來爲止的時間且具有上升時間很慢的特徵 。同時因爲這些理由，現在對不使用水銀之發光裝置有很 大的需求。 使用諸如氙氣之類稀有氣體的放電燈就是不以水銀當 作激發源的已知發光裝置。稀有氣體放電型紫外線螢光燈 不會遭遇上述以水銀當作激發源所產生的問題，因此近年 1258791 , 來其在諸如利用氧化鈦之光觸媒反應之優點的除臭裝置以 及用於DNA分析之過渡發光器之類應用上的潛力已獲得 注意。除此之外在近年來的科技進展下，由以稀有氣體當 作激發源之電漿顯示面板製成的顯示器已在取代由彩色布 朗管構成的裝置上獲得注意。 用於這類發光裝置的已知紫外線磷光體包含硼酸緦銪 (SrB 4 0 7 : Eu)、矽酸鋇鉛（BaSi2 05 : Pb)、磷酸釔鈽（ΥΡ04 :Ce)及磷酸鑭鈽（LaP04: Ca)。除此之外，日本公開專利 第0 8 1 460/200 1號及第1 72624/200 1號文件中揭示了含釓 (Gd)的紫外線磷光體。日本公開專利第348571/2002號文 件中進一步揭示了其組成爲經_L活化稀土族硼酸錦而表爲 一般化學式（YhGdJAl^BOl(其中〇< xS 1)的真空紫外 線激發紫外線磷光體。 已知的是習知設計中所用的是其組成爲例如硼酸緦銪 (Si*B 4 0 7 : Eu)、矽酸鋇鉛（BaSi2 05 : Pb)、磷酸釔鈽（YP〇4 :Ce)及磷酸鑭鈽（LaP04: Ca)之類的磷光體，係藉由水銀 所發射波長2 5 4奈米的紫外光的激發作用而發光，但是藉 由波長小於200奈米之真空紫外線（VUV)激發的光放射強 度則不足。因此在將這類磷光體應用在以稀有氣體當作激 發源之發光裝置上時，無法獲致適當的光放射特徵。 最後，雖則較之如上所述其組成爲例如硼酸緦銪 (SrB 407 : Eu)、矽酸鋇鉛（BaSi 2 0 5 : Pb)、磷酸釔鈽（γρ〇4 :Ce)及磷酸鑭鈽（LaP〇4 : Ca)之類的磷光體，其組成爲經 釓活化稀土族硼酸鋁而表爲一般化學式（Yi xGdJAl3(B〇3)4 1258791 (其中〇 < χ $ 1)的真空紫外線激發紫外線磷光體提供了絕 佳的紫外光放射強度’然而這類的光放射特徵在應用於各 種發光裝置時還是無法令人滿意。因此，市場上仍然需要 具有更大發光強度且能夠以更高的效率送出紫外光的磷光 體。 (三）發明內容 本發明的目的是提供一種具有很強之發光強度而能夠 以更高的效率送出紫外光的真空紫外線激發紫外線磷光體 及使用這種磷光體的發光裝置。 本發明的發明人係在持續研發的結果下成功地發現將 相對於鋁（A 1)之莫耳質量具有預定莫耳比的銃（s c)加到由 在γΑ13(Β〇3)4晶體上添力日1構成的磷光體中，可產生優 良的紫外光放射特徵。特別是，吾人發現當藉由以波長等 於或小於200奈米之真空紫外線（VUV)照射時，其組成爲經 IL活化稀土族硼酸銘而表爲一般化學式 yScy(B〇3)4 (其中〇< 1，〇< yg 3)的真空紫外線激發紫外線磷光體 ’可於落在從3 1 2奈米到3 1 5奈米的波長範圍內獲致比習 知磷光體更高的面積強度比磷光體，更強的光放射強度且 能以更高的效率產生紫外光。 據此，一種根據本發明實施例之真空紫外線激發紫外 線磷光體的組成爲經釓活化稀土族硼酸鋁銃而表爲一般化 學式（Y^xGdJAUcJBOJJ 其中 〇< 1，〇< 3)的磷 光體。 1258791 除此之外，一種根據本發明另一實施例之紫 式螢光燈亦即一種發光裝置係包含：一半透明密 放電媒介，係封裝於該半透明密封瓶內以便發射 線；放電電極；以及一磷光體層，係形成於該半 瓶的內側表面上。這個磷光體層包含一種組成爲 稀土族硼酸鋁銃而表爲一般化學式（Y、. yScy(B03)4 (其中〇<Xgl，0<yS3)的磷光體。 根據這個結構，可提供一種紫外線發光式螢 由放電媒介所發射之真空紫外光進行激發造成能 射落在從312奈米到315奈米之UV-B波長範圍 光。 此外，該紫外線發光式螢光燈可以是一種具 或熱陰極的螢光燈。在其結構具有冷陰極的例子 紫外線發光式螢光燈可提供的特性有已故改良之 外光的光放射強度、輕巧的尺寸及很長的使用期 結構具有熱陰極的例子裡，可增加其燈電流以使 外光的光放射強度獲致改良。 除此之外，該紫外線發光式螢光燈可構成一 光燈。藉由這種結構，可獲致一種平面型紫外線 光燈而提供的特性爲具有已改良之UV-B紫外光 強度且增加了紫外線發光面積。 替代地，該紫外線發光式螢光燈可構成一種 燈。藉由這種結構，可獲致一種平面型紫外線發 外線發光 封瓶；一 真空紫外 透明密封 經釓活化 X G d x) A13. 光燈而藉 有效地放 內的紫外 有冷陰極 裡，一種 UV-B 紫 限。在其 UV-B 紫 種平面螢 發光式螢 的光放射 平面螢光 光式螢光 1258791 燈而提供的特性不僅是結構簡單及低成本同時具有已改良 之UV-Β紫外光的光放射強度、輕巧的尺寸及很長的使用期 限。 另外，該放電媒介可以是一種稀有氣體而該稀有氣體 可以是氙氣。 根據本發明另一實施例之電漿顯示面板亦即一種發光 裝置中，係依相互面對的方式安排一前方玻璃基板及一後 方玻璃基板，並在形成於各玻璃基板間之顯示單元內產生 放電以造成形成於該顯示單元內側之磷光體層發射出光且 因此實現顯示作用。這種磷光體層包含一種組成爲經釓活 化稀土族硼酸鋁而表爲一般化學式（Y^GdJAUc/BO^ (其中〇<x$l，0<yS3)的真空紫外線激發磷光體。 本發明的上述及其他目的、特性、及優點將會因爲以 下參照用以顯示本發明實例之各附圖的說明而變得更明顯 (四）實施方式 如上所述，本發明的發明人係在持續硏發的結果下成 功地發現將相對於鋁（A1)之莫耳質量具有預定莫耳比的銃 (s〇加到由在yai3(bo3)4晶體上添加釓構成的磷光體中， 可/生生優良的紫外光放射特徵，且成功地獲致一種組成爲 經釓活化稀土族硼酸鋁而表爲一般化學式（Yi x(3djAl3 yScy(B〇3)4 (其中〇< xS 1，〇< 3)的真空紫外線激發紫外線磷光體 1258791 有關製造本發明實施例之真空紫外線激發紫外線磷光 體的方法中，首先製備諸如氧化釔之類釔化合物、諸如氧 化釓之類釓化合物、諸如氧化鋁之類鋁化合物、諸如氧化 銃之類銃化合物及諸如氧化硼之類硼化合物當作這種磷光 體的基礎材料。接著根據上述組成公式秤量、收集並藉由 溼式或乾式方法完全混合這些基礎材料。 接下來將這些材料倒入諸如組成爲鋁、碳或白金的坩 堝之類耐熱容器內，並在4 〇 〇到6 0 0 °C的溫度下進行預燒 結。接下來在溫度爲9 0 0到1 2 0 0 °C的空氣中進行3到2 0 小時的主燒結，並使所得到的已燒結材料接受磨粉、淸洗 、乾燥及篩選以獲致本發明的真空紫外線激發紫外線磷光 體。 可於氧化大氣中施行上述預燒結及主燒結。此外，可 再次爲依上述方式得到的磷光體進行燒結然後再同樣地進 行磨粉、淸洗、乾燥及篩選程序以獲致真空紫外線激發紫 外線磷光體。 接下來將參照下列工作實例說明一種真空紫外線激發 紫外線磷光體的真實實例。 工作實例1 至於磷光體的原料，各秤量166公克之氧化釔、〇.889 公克之氧化釓、2.900公克之氧化鋁、〇135公克之氧化銃 及2.7 3 0公克之氧化硼，接著均勻地混合並將之倒入鋁製 坩堝內，且於溫度爲5 00 t的空氣中進行2小時的預燒結 。將燒結溫度升高到丨]0(rc，並在空氣中進行5小時的 -10- 1258791 燒結之後使材料慢慢冷卻以獲致已燒結材料。使所得到的 已燒結材料接受磨粉、淸洗、乾燥及篩選以獲致本發明工 作貫例1組成爲YQ nGdo ^Al^gSco JBC^h的真空紫外線 激發紫外線磷光體。 工作實例2 - 9 適當地修改i乙成分、纟L成分、鋁成分及銃成分成分的 比例，並在與工作實例1相同的條件下進行例如混合及燒 結之類程序以獲致組成如表1所示之下列真空紫外線激發 紫外線磷光體：YQ.75GdQ.25Al2.5SC().5(B03)4(工作實例 2)、 Y〇.75Gd。25A12 qSclJBOOJ工作實例 3)、YrnGdo^Al】 5SCl.5(B03)4 (工作實例4)、丫。.750(1。.2，11.。3〇2.。（303)4(工作實例 5)、 丫0.75〇(1().25八1。.53〇2.5(8〇3)4(工作實例6)、丫。.75〇(1。.25八1。.13〇2,9(3〇3)4 (工作實例 7)、Y。工作實例 8)及 丫〇.5〇(1。.5八11.53〇1.5(803)4(工作實例9)。 比較用實例1和2 製備一種組成爲硫酸鋇鉛（BaSi2 05 : Pb)的磷光體當作 比較用實例1。至於比較用實例2，製備日本公開專利第 3 4 8 5 7 1 /2002號文件中所揭示的一種組成爲經釓活化稀土 族硼酸鋁而表爲化學式Y^^Gd^AMBO^的真空紫外線 激發紫外線磷光體。 !258791 表1 組成 峰値 波長爲312到315 強度比 奈米之光的 面積強度比 工作實例1 Y0.75Gd0.25AI2.9SC。·! (B〇3) 4 21 1.9 工作實例2 Y〇.75 Gd0.25 Al2.5 SC0.5 (B〇3)4 19 2.0 工作實例3 Y〇.75 Gd〇 25 AI2 〇 SC1>〇 (B03)4 14 1.9 工作實例4 Y〇.75 Gd〇.25 Al15 SC15 (B〇3)4 11 2.0 _工作實例5 Y〇.75 Gd0.25 Al10 SC2.〇 (B03)4 9 1.9 工作實例6 Y〇.75 Gda25 Al0 5 Sc2.5 (B03)4 8 1.8 工作實例7 Y〇.75 Gd0<25 AI〇1 Sc2.9 (B03)4 9 1.8 工作實例8 Y〇.75 Gd0.25 Sc3.0 (B03)4 9 1.9 工作實例9 ^0.5^^0 5 AI-ι 5 SC1#5 (B03)4 — —.^ 11 1.9 比較用實例1 BaSigOs: Pb 1 1.0 比較用實例2 Y〇.75Gd0.25Al3 (B〇3)4 15 1.2

第1圖係用以顯示根據本發明之每一個工作實例和比 較用實例之磷光體所發射波長與其光放射強度間關係之比 較結果的曲線圖。第2圖係用以顯示根據本發明之真空紫 外線激發紫外線磷光體內相對的發射峰値強度比例及所添 加的銃濃度之間關係的曲線圖。 如第1圖所示，由本發明各工作實例之磷光體所發射 之紫外線的波長係落在從3 1 2奈米到3 1 5奈米的範圍內。 表1顯示了工作實例1到9及比較用實例1和2中波長從 3 1 2奈米到3 1 5奈米之光的面積強度比。這些面積強度比 係以比較用實例1之硫酸鋇鉛（BaSi 2 0 5: Pb)的數値當作1 .0 顯示出的數値。從表1可以看出，藉由添加相對於鋁（A1) 之莫耳質量具有預定莫耳比的銃（Sc)，可使本發明各工作 -12- 1258791 貫例之真②紫外線激發紫外線_光體之紫外光放射的面積 強度比最大等於比較用實例】之硫酸鋇鉛（Bas込: pb)的 2 . 〇 倍。 爹照％ 2圖，可以看出藉由添加相對於鋁（ai)之莫耳 貝里具有預疋旲耳比的銃（s c )，可使本發明各工作實例之 真空紫外線激發紫外線磷光體之紫外光放射的峰値強度最 大等於比較用實例1之硫酸鋇鉛（B a S i 2 〇 5 : p b )的2 .〗倍。 如疋’根據本發明實施例之真空紫外線激發紫外線磷 光體具有很強的發射強度且能以高效率供應紫外光，且因 此可應用在以諸如氙氣之類稀有氣體當作激發源之各種型 式的發光裝置上。可應用這種真空紫外線激發紫外線磷光 體的發先裝置，包含例如各種採用可發射真空紫外光之放 電媒介及可發射U V - B紫外光之磷光體層當作基本的組成 需求，且藉由將這類元件結合成燈的形式亦即半透明密封 瓶的形式（直管、彎管及平面等）、電極作用的形式（諸如熱 陰極或冷陰極之類）以及各內部電極的存在與否（諸如外部 電極的型式之類）所呈現出的特徵效應可完美地用於各種 裝置。 接下來將要解釋可應用根據本發明實施例之真空紫外 線激發紫外線磷光體的發光裝置實例。 (2)直管型冷陰極螢光燈 第3圖係用以顯示一種根據本發明實施例之直管型冷 陰極螢光燈的截面圖示。 這種直管紫外線發光式螢光燈中，係將含有真空紫 -13- 1258791 ^ 外線激發紫外線磷光體亦即可藉由真空紫外線激發作用 而發光且其組成爲經釓活化稀土族硼酸鋁[一般化學式 (YhxGdJAl^ySc^BOOJ 其中 0< xg 1，〇< yg 3)]之磷光 體層2形成於由鈉玻璃管1及封裝其內之氙氣構成的半透 明密封瓶內壁上。 鉛線3和4係封裝在玻璃管1的兩個終端上，由組成 爲鎳-鐵合金而摺疊成一半之金屬板構成的冷陰極5和6 則分別焊接並牢牢地固定於這些鉛線3和4上。每一個冷 陰極5和6的表面上則形成有由锆-鋁合金構成的吸氣器 〇 對玻璃管1進行加熱以便除氣，且在使冷陰極5和6 接受高頻感應加熱以便除氣之後爲玻璃管1充塡氙氣然後 再作密封式封裝。玻璃管1內的不純氣體則爲各吸氣器所 吸附。藉著肇因於電氣放電作用由氙氣所發射波長爲1 7 2 奈米的真空紫外線激發構成磷光體層2的磷光體，並如第 1圖所示有效地發射波長大槪312到315奈米之UV-B紫 外光。 如上所述包含冷陰極5和6之螢光燈的結構，使吾人 能夠提供一種可呈現出不僅改良了 UV-B紫外光之放射強 度同時具有輕巧尺寸及長使用期限之特性的紫外線發光式 螢光燈。除此之外，在將冷陰極5和6取代爲熱陰極的結 構允許吾人加大燈電流，因此甚至更進一步地改良了 UV-B紫外光之放射強度。 (3)平面型紫外線發光式螢光燈 -14- 1258791 . 第4圖係用以顯示一種根據本發明實施例之平面型紫 外線發光式螢光燈在切除某一截面下的透視圖。

這種平面型紫外線發光式螢光燈中，係藉由焊料玻璃 將組成爲鈉鈣玻璃的一對玻璃板9和1 〇以及建造成框架 形成的玻璃側壁1 1密封地封裝在一起以形成平面型半透 明密封瓶；將含有真空紫外線激發紫外線磷光體亦即可藉 由真空紫外線激發作用而發光且其組成爲經釓活化稀土族 硼酸鋁[一般化學式（YhGdJAUc^BC^h(其中0<xSl ，0 < y S 3 )]之磷光體層1 2形成於玻璃板9和1 0之內側 表面上；再於密封瓶內部充塡氙氣。

鉛線1 3和1 4係封裝於一對相互面對的玻璃板1 1內 ，由組成爲鎳而形成爲「C字」形之金屬板構成的中空冷 陰極1 5和1 6則分別焊接並牢牢地固定於這些鉛線1 3和 1 4上。各冷陰極1 5的終端上則焊接有由鍩-鋁合金構成的 吸氣器1 7。對玻璃瓶進行加熱以便除氣，接著使冷陰極1 5 和1 6以及吸氣器1 7接受高頻感應加熱以便除氣，引進氙 氣，然後再密封排氣管1 8。 在將高頻電壓加到冷陰極1 5和1 6上時，會產生放電 並由氙氣發射出波長爲1 7 2奈米的真空紫外線，因此如第 1圖所示磷光體層1 2可有效地發射波長大槪3 1 2到3 1 5 奈米之UV-B紫外光。 這種結構允許吾人提供一種具有較大之紫外光發射面 積的平面型紫外線發光式螢光燈且改良了波長大槪3 1 2到 3 1 5奈米之U V - B紫外光的發射強度。 -15- 1258791 - ........................................... ‘ （4)另一種平面型紫外線發光式螢光燈 第5 A和5 B圖顯示的是另一種根據本發明實施例之 平面型紫外線發光式螢光燈。 如第5 A圖所示之平面型紫外線發光式螢光燈中，係 以焊料玻璃將組成爲鈉鈣玻璃的一對玻璃板2 〇和2 1以及 建造成框架形成的玻璃側壁2 2密封地封裝在一起以形成 平面型玻璃瓶；將含有真空紫外線激發紫外線磷光體亦即 可藉由真空紫外線激發作用而發光且其組成爲經釓活化稀 土族硼酸鋁[—般化學式（丫1_)^屯）八13^%(803)4(其中〇<义 ^1’ 〇<y$ 3)]之磷光體層23形成於前方玻璃板20之內 側表面上；再於密封瓶內部充塡氣氣。 將複數個由錫銦氧化物（ITO，In2〇3Sn)構成的透明電 極2 4和2 5成列地安排在後方玻璃板2 1上。這些電極則 覆蓋有其組成爲例如二氧化矽的介電層2 6，且額外地藉 由諸如氣相沉積法之類技術將其組成爲例如氧化鎂（MgO) 的保護層2 7於形成該介電層2 6上。如第5 B圖所示，各 電極的形成方式是交替地安排電極2 4和2 5以形成一對梳 狀結構。保護層2 7同時扮演著保護介電層2 6使之不致受 放電造成之濺射作用的影響並進一步提高其二階放射的效 率且因此減小其啓動電壓的角色。同時也能省略介電層2 6 及保護層2 7且因此將電極2 4和2 5留在曝露於放電空間 中的狀態。 在將高頻電壓加到電極2 4和2 5上時，會產生放電並 由氣氣發射波長爲1 7奈米的真空紫外線，因此如第1圖 -16- 1258791 • 所示磷光體層23可有效地發射波長大槪3〗2到3】5奈米 之UV-B紫外光。 (5 )外部電極型紫外線發光式螢光燈 第ό A和6 B圖顯示的是一種根據本發明實施例之外 部電極型紫外線發光式螢光燈。 這種外部電極型紫外線發光式螢光燈不具有落在燈內 的電極，而是從外面將高頻電壓加到一紫外線發光式螢光 燈上以激發燈內的放電氣體且因此造成磷光體發射出光。 如第6 A和6 B圖所示，這種外部電極型紫外線發光式螢 光燈中，係將含有真空紫外線激發紫外線磷光體亦即可藉 由真空紫外線激發作用而發光且其組成爲經釓活化稀土族 硼酸錦[―般化學式（YHGDAliySc^BOOJ其中〇< xg 1 ，〇 < yS 3)]之磷光體層32形成於其組成爲鈉玻璃管31 之半透明密封瓶的內側表面上；再於半透明密封瓶內部充 塡氣氣。 將如是建造的無電極螢光燈插入一對外部電極3 4和 3 5之間，使用高頻電源供應3 6將高頻電壓3 6加到外部 電極34和35上以產生放電並造成由氣氣發射出波長爲172 奈米的真空紫外線，因此如第1圖所示磷光體層3 2可有 效地發射出波長大槪312到315奈米之UV-B紫外光。 這種結構使吾人能夠提供一種紫外線發光式螢光燈使 之具有改良了波長大槪312到315奈米之UV-B紫外光的 發射強度、輕巧的尺寸、很長的使用期限、結構簡單且進 一步具有低成本的特性。 -17- 1258791 (6)電漿顯示面板（PDP) 第7圖係用以顯示一種根據本發明實施例之電漿顯示 面板的剖開透視圖。該電漿顯示面板（下稱P D P ) ’故不於 第7圖者，其爲交流表面外電PDP。 如第7圖所示之電漿顯示面板（PDP)41具有兩種型的 電極：成對形成於前方玻璃基板42上的顯示電極43 ;以 及形成於後方玻璃基板44內的位址電極4 5。這些電極分 別是依矩陣形式安排在兩個玻璃基板42和44上且因此形 成各由這些電極之交叉點構成的顯示點。前方玻璃基板4 2 上的顯示電極4 3係將藉由氣相沉積法形成組成爲錫銦氧 化物（ITO，In203 Sn)之透明導電膜蝕刻成長條形狀所形成 的。除此之外，將扮演著電容器角色的介電層4 6形成於 顯示電極43上且額外地將其組成爲例如氧化鎂（Mg0)的保 護層47形成於該介電層46上。另一方面，藉由厚膜屏蔽 印刷法形成爲長條形狀的阻擋層4 8設置在相鄰的位址電 極4 5之間，且因此使每一個顯示點呈分開而獨立的。除 此之外，將含有真空紫外線激發紫外線磷光體亦即可藉由 真空紫外線激發作用而發光且其組成爲經釓活化稀土族硼 酸鋁[一般化學式（YhGdJAUc/BOK其中〇<xsi，0 <y$3)]之磷光體層49塗覆在形成於各位址電極45上的 介電層5 0以及阻擋層4 8的側邊表面之上；再於爲阻擋層 48及前方玻璃基板42所包圍的放電空間內部充塡含有氙 氣的惰性氣體。 藉由跨越成對設置的顯示電極4 3施加交流電壓以實 -18- 1258791 現顯示作業，並藉由跨越任意位址電極4 5及顯示電極4 3 施加電壓結果可在這些電極4 3和4 5的交叉點上產生放電 作用以實現顯示單元的選擇作業。此時由氣氣之輝光放電 所發射之真空紫外線的激發光會造成磷光體層4 9發光。 雖則已針對各較佳實施例說明了本發明然而這類說明 僅供顯示用，且吾人應該理解的是可在不偏離本發明所附 申請專利範圍之精神及架構下作各種改變和變化。 (五）圖式簡單說明 第1圖係用以顯示根據本發明之每一個工作實例和比 較用實例之磷光體所發射波長與其光放射強度間關係之比 較結果的曲線圖； 第2圖係用以顯示根據本發明之真空紫外線激發紫外 線磷光體內相對的發射峰値強度比例及所添加的銃濃度之 間關係的曲線圖； 第3圖係用以顯示一種根據本發明實施例之直管型冷 陰極螢光燈的截面圖示； 第4圖係用以顯示一種根據本發明實施例之平面型紫 外線發光式螢光燈在切除某一截面下的透視圖； 第5 A和5 B圖顯示的是另一種根據本發明實施例之 平面型紫外線發光式螢光燈； 第6 A和6 B圖顯示的是一種根據本發明實施例之外 部電極型紫外線發光式螢光燈； 第7圖係用以顯示一種根據本發明實施例之電漿顯示 面板的剖開透視圖。 •19- 1258791 主要元件符號說明 1 鈉 玻 璃 管 2 磷 光 體 層 3,4 鉛 線 5,6 冷 陰 極 9, 1 0 玻 璃 板 11 玻 璃 側 壁 12 磷 光 體 層 13,14 ίρ 線 15,16 冷 陰 極 17 吸 氣 器 18 排氣 管 20 刖 方 玻 璃 板 2 1 後 方 玻 璃 板 22 玻 璃 側 壁 23 磷 光 體 層 24,25 透 明 電 極 26 介 電 層 27 保 護 透 明 電 極 3 1 鈉 玻 璃 管 32 磷 光 體 層 34,3 5 外 部 電 極 3 6 高 頻 電 源 供 應 4 1 電 漿 顯 示 面 板

-20- 1258791 42 刖 方 玻 璃 板 43 顯 示 電 極 44 後 方 玻 璃 板 45 位 址 電 極 46 介 電 層 47 保 護 透 明 電極 48 阻 擋 層 49 磷光體層

50 介電層

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Claims (1)

1258791 第9 3 1 2 7 9 5 5號「真空紫外線激發紫外線磷光體_及|用這種磷 光體的發光裝置」專利案 > (2005年12月22日修正） 十、申請專利範圍： 1 · 一種真空紫外線激發的磷光體，其組成爲經釓活化稀土 族硼酸鋁銃其由通式（YhGcUAliyScdBO^所表示， 其中 0<X$1，〇<y$3。 2 . —種紫外線發光式螢光燈，係包括： 一半透明密封容器； φ 一放電媒介，係封裝於該半透明密封容器內以便發 射真空紫外線； ’ 放電電極；以及 - 一磷光體層，係形成於該半透明密封容器的內側表 面上； 這個磷光體層包含一種組成爲經釓活化稀土族硼酸 銘銃由通式（Y^OAUcJBO^所表示（其中〇< X Sl，0<y^3)的磷光體。 φ 3 ·如申請專利範圍第2項之紫外線發光式螢光燈，其中該 紫外線發光式螢光燈指的是一種具有冷陰極或熱陰極的 螢光燈。 4 ·如申請專利範圍第2項之紫外線發光式螢光燈，其中該 紫外線發光式螢光燈指的是一種平面螢光燈。 5 ·如申請專利範圍第2項之紫外線發光式螢光燈，其中該 紫外線發光式螢光燈指的是一種外部電極型螢光燈。 1258791 6 .如申請專利範圍第2 放電媒介指的是一種 7 .如申請專利軔圍第6 稀有氣體指的是氙氣 1貝之紫外線發光式螢光燈，其中該 罕希有氣體。 1員之紫外線發光式螢光燈，其中該 8 . —種電漿顯示面板，其中：

係依相互面㈣的方式安排-前方玻璃基板及-後方 玻璃基板’並在形成於兩玻璃基板間之顯示單元內產生 放電以造成形成該顯示單元內側之磷光體層發射出光且 因此實現顯示作用；且 該磷光體層包含一種組成爲經釓活化稀土族硼酸鋁 钪而表爲一般化學式（YHGdJAUcJBC^M其中0<x $ 1 ’〇< yg 3)的真空紫外線激發的磷光體。

1258791 七、指定代表圖： (一） 本案指定代表圖為：第2圖。 (二） 本代表圖之元件符號簡單說明: 無 八、本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵的化學式: