TWI253069B - Phase change optical information recording medium, information recording method and apparatus therefor, and information erasing method therefor - Google Patents

Phase change optical information recording medium, information recording method and apparatus therefor, and information erasing method therefor Download PDF

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TWI253069B
TWI253069B TW091122051A TW91122051A TWI253069B TW I253069 B TWI253069 B TW I253069B TW 091122051 A TW091122051 A TW 091122051A TW 91122051 A TW91122051 A TW 91122051A TW I253069 B TWI253069 B TW I253069B
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1253069 B7 五、發明説明（1 ) 發明背景 發明領域 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明係關於光學資訊記錄媒體，更具體地說，關於 可記錄的相位變化光學資訊記錄媒體，例如 CD-RW， DVD-RW， DVD + RW等。此外，本發明還關於資訊記錄 在該光學資訊記錄媒體上的記錄方法及其裝置。再者，本 發明還關於資訊重複燒錄在該光學資訊記錄媒體上的資訊 記錄方法。再者，本發明還關於資訊抹除方法。 習知技術之說明 通常CD-RW設置導向槽。如第8圖所示，該導向槽呈 S形擺動，在壓模曝光時，在整個面上記錄擺動訊號。 擺動訊號包含被稱謂“ ATIP” ( Absolute time in pre-groove)(在預置槽中的絕對時間）的時間（地址）資訊。ATIP 表示爲例如“ OOmOOsOOf” ，其中，“m”表示分，“s”表 示秒，“ Γ表示框，即1/75秒。在位於OOmOOsOOf之前的 區域存在一程式儲存區（以下簡記爲“ PMA ” ）（ Program 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 memory area)。在位於PMA與OOmOOsOOf點之間，記錄“ 特別資訊”，”追加資訊”等關於光學資訊記錄媒體記錄/再 生的重要資訊。 “多記錄區段”是重複燒錄型光學資訊記錄媒體的文 件結構之一，其是在光學資訊記錄媒體上記錄有二段或二 段以上記錄區段。各記錄區段由引入區（以下有時簡稱爲“ L/Γ或“ L/I區”）、資料區（以下有時簡稱爲“資料”）、 本纸乐尺度適用中國國家標率（CNS ) A4規格（210/29*7公楚1 " 4 " 一 " 1253069 .' 八0 A7 丨…….....一,…—.........β7 ~1 "— 1— --—- ___ 五、發明説明（2 ) 引出區（以下有時簡稱爲“ L /〇”或“ L /〇區”）構成。 第1圖和第2A-2F圖表示習知的CD-RW的一般資料配 置槪略圖。 * 第1圖表示習知CD-RW的地址資料配置槪略圖。參照 第1圖，從98ml3s50f點到98m27s00f點的區是程式儲存區 即PMA。從98m27s00f點到99m5 9s74f點的區是L/I區。從 OOmOOsOOf點到75m42s00f點的區是資料區。 第2A圖表示CD-RW未記錄資訊狀態的槪略圖（即未使 用CD-RW狀態）。 第2B圖表示在第2A圖的CD-RW上記錄有第一記錄區 段（L/I-1 ’資料-1，L/0-1)的狀態。在此，從PMA內周開始 ’按碟ID(在圖中簡記爲“ D”）、第一記錄區段位置資訊（ 在圖中簡記爲“ 1 ”）的順序記錄資訊。 第2C圖表示在第2B圖的CD-RW上記錄有第二記錄區 段（L/I-2，資料-2，L/0-2)的·狀態。在此，從PMA內周開始 ，按碟ID(在圖中簡記爲“ D”）、第一記錄區段位置資訊（ 在圖中簡記爲“ 1 ”）、第二記錄區段位置資訊（在圖中簡記 爲“2”）的順序記錄資訊。 再者，記錄在相位變化光學資訊記錄媒體上的資訊可 抹除。例如可以一次性地抹除記錄在媒體上的全部資訊’ 或僅抹除多記錄區段結構的最終記錄區段。在此，所謂資 訊的抹除藉由記錄抹除訊號達成。 第、2D圖表示抹除第2C圖的CD-RW的最終記錄區段（ 即第二記錄區段）的狀態。 _________-5- _一- 本纸裱尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） f請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 訂 經濟部智慧財產局員工消f合作社印製 [253069 A7 B7 五、發明説明（3 ) 第2E圖表示抹除第2D圖的CD-RW的最終記錄區段（ 即第一記錄區段）的狀態。從邏輯上說，雖然處於與第2 A 圖同樣的狀態，但是，兩者是不同的，因爲第圖所不 CD-RW霞己錄有抹除訊號，而第2A圖所示CD-RW沒有霞己錄 資訊。 第2F圖表示全部資訊都被抹除的CD-RW狀態槪略圖 。這種狀態從邏輯上說，雖然處於與第2A圖同樣的狀態， 但是，兩者是不同的，因爲第2F圖所示CD-RW記錄有抹 除訊號。 近年來，提出了設有ROM ( Read Only Memory)(唯讀 記憶體）區的可記錄的光學資訊記錄媒體如CD-R， CD-RW。作爲其一種形態，有第一記錄區段是ROM區的多記錄 區段結構，該ROM區以凹坑形成。 如第3A-3E圖所示的記錄媒體，除第一記錄區段是以 凹坑形成的ROM區以外，與第2B-2F圖所示記錄媒體相同 第3A圖表示一沒有使用的CD-RW，其設有一 ROM區 ，在該ROM區用凹坑記錄訊號（L/I-1，資料-1，L/0-1)。 在該ROM區，爲了得到與RAM區訊號相同的擺動訊 號，使得凹坑以及凹坑間槽按第9圖所示擺動。 第3B圖表示在第3A圖的CD-RW上記錄有第二記錄區 段（即L/I-2，資料-2，L/0-2)的狀態。 第3C圖表示抹除第3B圖所示CD-RW上的最終記錄區 段（即第二記錄區段）的狀態。這種狀態從邏輯上說，雖然處 _ - 6 -_____ 本紙掁尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210Χ 297公釐） (請先Μ讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· I Im 一—J 1 丨 ]|、τ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1253069 B7 五、發明说明（4) 於與第3 A圖同樣的狀態，但是，兩者是不同的，因爲第 3C圖所示CD-RW記錄有抹除訊號。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 在此’，當抹除最終記錄區段（即第一記錄區段）時，就成 爲第3D所示狀態。在這種狀態下，記錄在第一記錄區段的 訊號和在PMA區的ROM訊號沒有被抹除，但寫入抹除訊號 ，因此，碟不能記錄資訊，不能使資訊再生。 第3E圖表示全部資訊都被抹除的狀態。在這種狀態下 ，碟也與上記第3D圖一樣，不能記錄資訊，不能使資訊再 生。 但是/在上記記錄媒體中，控制記錄及抹除很難，再 者，若因出錯將抹除訊號gS錄在R 0 Μ區，存在使媒體不能 記錄/再生的問題。 當在相位變化光學資訊記錄媒體上直接重複燒錄時， 資訊記錄是藉由使記錄層成爲非結晶化狀態實現，資訊抹 除是藉由使記錄層成爲結晶化狀態實現。成爲非結晶狀態 的記錄層的反射訊號強度稱謂凹坑位準，成爲結晶化狀態 的記錄層的反射訊號強度稱謂地面位準。 經濟部智慈財產局資工消費合作社印製 習知相位變化光學資訊記錄媒體的直接重複燒錄是根 據Orange Book(CD-R規格小冊子，在本發明中，以下簡記 爲“ Orange規格”）中記載的r方法，用記錄功率（即寫入功 率）Pw及抹除功率pe實行的，並且，記錄功率Pw是由所 使用驅動器決定的，抹除功率Pe是在記錄功率Pw上乘以 係數e、得到的。 根據該方法，當所決定的記錄功率Pw相對高於最佳値 ______^_ 本纸浪尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 1253069
五、發明説明（5) 經濟部智.¾財產局貞工>^if合作社印製 情況，抹除功率Pe也隨之變大，這樣，以過剩的抹除功率 Pe進行直接重複燒錄，記錄層發生非結晶化狀態，結果， 地面位準降低。因此，發生如跳動惡化·，記錄膚耐久性劣 化等問題。 相反，當所決定的記錄功率Pw相對低於最佳値情況， 抹除功率Pe也隨之變小，這樣，直接重複燒錄前的原先記 錄訊號不能充分抹除。因此，存在跳動惡化的問題。 在Orange規格中還記載著另一種抹除方法，即藉由穩 定照射雷射光的CW ( Continuous Wave )(連續波）或物理 抹除方法。但是，用Orange規格中記載的r方法得到的 最佳記錄功率Pwo，再藉由記錄功率最佳化得到的最佳抹 除功率Peo，，其作爲CW抹除功率Pecw不是最佳。具體地 說，在實行CW抹除部分時發現直接重複燒錄特性降低。 因此，通常使用直接重複燒錄抹除圖案的邏輯抹除方法。 再者，壓模形成的將ROM區作爲一部分的混合型碟已 接近實用化。當在這種混合碟上實行邏輯抹除情況，在 ROM區實行燒錄，這樣，該混合型碟就不能再生。 發明槪要 本發明的目的，係有鑒於上述背景技術所存在的問題〃 而提供可重複燒錄的相位變化光學資訊記錄媒體，其在記 錄及抹除資訊同時，能容易地控制記錄及抹除資訊（即，容 易地實、現寫入保護）。
本發明的另一個目的係提供不將抹除訊號記錄在ROM __ -8-__ 本纸痕尺度適用中國國家標李（CNS ) A4規格（2[0X 297公釐） (請先Μ讀背面之注意事項再填寫本頁)
1253069 i 1 > X- L ^ . A 7 ___ _i ..:.‘… :…—g7 五、發明説明（6) 區的可重複燒錄的相位變化光學資訊記錄媒體。 (請先Μ讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明的再一個目的係提供資訊記錄（及再生）方法和裝 置’其在記錄及抹除資訊同時，能容易地控制記錄及抹除 資訊（即容易地實現寫入保護）。 本發明的再一個目的係提供資訊記錄方法和裝置，其 決:定最佳CW消去功率，在光學資訊記錄媒體上實行直接 重複燒錄。 本發明的再一個目的係提供資訊抹除方法，藉由使用 該方法，記錄在混合型碟上的資訊能安全地抹除。 解決問題之機構 爲了達成上述目的，本發明提出一種相位變化光學資 訊記錄媒體，包括： 一基底； 一記錄層，疊置在該基底上，在該記錄層形成標記， 以儲存資訊； 經濟部智慧財產局員工消f合作社印製 其中，基底記錄層包括多記錄區段以及程式儲存區， 該多記錄區段包括第一記錄區段，在該第一記錄區段形成 凹坑，其包括一 RAM區，該RAM區包括槽和擺動訊號， 程式儲存區形成凹坑，其包括第一記錄區段的位置資訊， 而不包括相位變化光學資訊記錄媒體的碟ID資訊。 又，根據本發明之相位變化光學資訊記錄媒體，其中 ，第一、記錄區段進一步包括一 ROM區，ROM區含有資料部 分，在該資料部分不存在擺動訊號。 _________- 9 -_____ 本纸掁尺度適用中國國家標準·（ CNS ) A4規格^21〇Χ 297公釐） 1253069
經濟部智慧財產局Μ工消費合作社印製 五、發明説明（7) 再者，根據本發明之相位變化光學資訊記錄媒體， 其中’進一步設有：位於基底與記錄層之間的第一介電層， 疊置於記錄層之上的第二介電層，疊置於第二介電層之上 的反射層，和疊置於反射層之上的外敷層。 再者’根據本發明之相位變化光學資訊記錄媒體， 其中’記錄層包括Ag ’ In， Sb， Te作爲主成分，Ag ’ In’ S b ’ T e的含量分別設爲α r 5 (原子％) ’上述爹數滿足下式關係：〇 ^ 10，2 £ β . £ 12 ’55 Sr = 70’22 S 32，和 a + /3 + r + 5 二 1〇0。 再者’根據本發明之相位變化光學資訊記錄媒體， 其中’δ己錄層包括Ge ， Ga， Sb， Te作爲主成分， .Ge ， Ga， Sb， Te的含量分別設爲a ，/3，^ ，5 (原 子％)，上述參數滿足下式關係：0 < a ^ 1〇，1 ^ β ^ 12 ’55 ^ 7 ^ 8 5^12 ^ δ ^ 32，和 α + 冷 + 7' + 5 二 1 00。 再者’根據本發明之相位變化光學資訊記錄媒體， 其中’記錄層進一步含有從3Β族，4Β族，5Β族選擇的 至少一種元素，且其含量不大於5原子％。 爲了達成上述目的，本發明提出一種資訊記錄裝置， 包括： ~ 接收機構，接收在相位變化光學資訊記錄媒體上記錄 或抹除、資訊的指令； 讀取機構，讀取儲存在相位變化光學資訊記錄媒體的 -10- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝— 訂 本纸浪尺度適用中國國家標隼（CN’S ) Α4規格（210X297公釐） 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1253069 i —Μ B 7 五、發明説明（8 ) 程式儲存區的碟ID資訊的位置，以及相位變化光學資訊記 錄媒體的各記錄區段的位置資訊； 記錄/,抹除機構，記錄或抹除各記錄區段的資訊； 控制機構，控制上記記錄/抹除裝置’當在程式儲存區 一記錄區段或多記錄區段的位置資訊位於碟iD資訊之後時 ，根據指令記錄或抹除一記錄區段或多記錄區段中的資訊 ，或者當在程式儲存區一記錄區段或多記錄區段的位置資 訊位於碟ID資訊之前時，拒絕實行指令。 再者，根據本發明之資訊記錄裝置，其中，控制機構 進一步具有命令記錄/抹除機構重寫碟ID資訊的功能’以改 變碟ID資訊位置，記錄或抹除一記錄區段或多記錄區段 中的資訊。 再者，根據本發明之資訊記錄裝置，其中，進一步包 括一記憶體，儲存關於可記錄可抹除記錄區段的記錄區段 資訊，和該控制機構進一步具有以下功能：當接收裝置接收 到抹除光學資訊記錄媒體上多記錄區段中的最終記錄區段 指令情況，控制裝置參照上述記錄區段資訊’確定該最終 記錄區段是否可是可抹除記錄區段，當最終記錄區段是可 記錄可抹除記錄區段時，命令記錄/抹除裝置抹除該最終記 錄區段，或者當最終記錄區段不是可記錄可抹除記錄區段 時，拒絕抹除指令。 再者，根據本發明之資訊記錄裝置，其中’進一步包 括一記、憶體，儲存關於不可記錄不可抹除記錄區段的記錄 區段資訊，和該控制機構進一步具有以下功能：當接收裝置 __ -11 - ___ 本纸疮尺度適用中國國家標準·（ CNS ) Μ規格（210X 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
隱―:::心: I ! 二:'、:、...P . i 丨 A7 L-.......... :J B7 五、發明説明（9 ) 接收到完全抹除光學資訊記錄媒體上多記錄區段指令情況 ，控制裝置參照上述記錄區段資訊，確定在記憶體是否存 在不可記錄不可抹除的記錄區段，當在記憶體不存在不可 記錄不可抹除的記錄區段時，命令記錄/抹除裝置實行完全 抹除指令，或者當在記憶體存在不可記錄不可抹除的記錄 區段時’拒絕完全抹除指令。 爲了達成上述目的，本發明提出另一種資訊記錄裝置 ，將資訊記錄在相位變化光學資訊記錄媒體上，該相位變 化光學資訊記錄媒體上包括多記錄區段，至少一記錄區段 包括一不含擺動訊號的ROM區，以及一含擺動訊號的RAM 區，該資訊記錄裝置包括： 接收機構，接收抹除記錄區段的指令； 判斷機構，判斷是否在記錄區段存在擺動訊號，確定 該記錄區段是否不包含ROM區；和 抹除機構，當該記錄區段不包含ROM區時，抹除該 記錄區段。 爲了達成上述目的，本發明提出一種資訊記錄和抹除 方法，在相位變化光學資訊記錄媒體上記錄或抹除資訊， 上述光學資訊記錄媒體包括一程式儲存區和多記錄區段， 該資訊記錄和抹除方法包括： 讀取記錄在相位變化光學資訊記錄媒體的程式儲存區 中的碟ID資訊的位置資訊以及多記錄區段的位置資訊；和 當一記錄區段或多記錄區段的位置資訊位於碟ID資訊 之後時，根據接收到的記錄或抹除指令，記錄或抹除一 g己 _-,_- …·- _ζΔ2^_-__ 1253069 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁 裝 ___丁 —.1% ϋ，τ 經濟部智慧財產局Μ工消費合作社印製 本紙浪尺度適用中國國家標李（CNS ) Α4規格（210X29*7公釐） 1253069
五、發明説明（1Q) 錄區段或多記錄區段中的資訊，或者當一記錄區段或多記 錄區段的位置資訊位於碟ID資訊之前時，拒絕實行記錄或 抹除資訊指令。 _ = 再者，根據本發明之資訊記錄和抹除方法，其中，進 一步包括重寫碟ID資訊的位置資訊，控制記錄或抹除一記 錄區段或多記錄區段中的資訊。 爲了達成上述目的，本發明提出一種資訊記錄方法， 將資訊記錄在相位變化光學資訊記錄媒體上，該相位變化 光學資訊記錄媒體上包括多記錄區段，至少一記錄區段包 括一不含擺動訊號的R 〇 Μ區，以及一含擺動訊號的R A Μ 區，該資訊記錄方法包括： 根據接收到的抹除某記錄區段指令5判斷是否在該g己 錄區段存在擺動訊號，確定該記錄區段是否不包括ROM區 ;和 當記錄區段不包括ROM區時，抹除該記錄區段。 爲了達成上述目的，本發明提出一種最佳C W抹除功 率決定方法，用於抹除相位變化光學資訊記錄媒體上的資 訊，其包括： 用不同功率pe，CW抹除以所定記錄功率記錄的HF訊 號；
測定殘存HF訊號的1 1T訊號的凹坑位準I 1 1L或者凹 坑位準I 11L 和、地面位準I 11 Η兩方； 決定最佳C W抹除功率P e c W，其至少滿足下列關係示 __ -13-__ 本紙掁尺度適用中國國家標隼（CNS ) A4規格（2丨0X 297公釐） (請先閱讀背vg之注意事項再填寫本頁) 裝 訂 經濟部智慧財產局Μ工涓費合作社印製 1253069 經濟部智慧財產局員工消t合作社印製 本纸法尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） B7 立、發明説明（11 ) ⑴，（2)之一：
Pel-f〇.〇5x Δ Pe ^ Pecw ^ Pe2 — 0.05x Δ Pe (1) 式中，Pel表示當d (I llL)/d (Pe)爲最大時的Pe’ 表示當d (I 1 lL)/d (Pe)爲最小時的Pe， Δ Pe表示（Pe2 〜Pel); I 1 1L/I 1 1H > 0.8 (2)。 再者，根據本發明之最佳cw抹除功率決定方法’其 中，記錄功率比用r法得到的最佳記錄功率Pwo高。 再者，根據本發明之最佳cw抹除功率決定方法，其 中，在cw抹除步驟中，相位變化光學資訊記錄媒體的線 速度比相位變化光學資訊記錄媒體的最高記錄速度高。 爲了達成上述目的，本發明提出一種相位變化光學資 訊記錄媒體的直接重寫資訊方法，其包括： 用一抹除功率抹除儲存在相位變化光學資訊記錄媒體 上的資訊，同時，將資訊記錄在該相位變化光學資訊記錄 媒體上； 抹除功率是最佳CW抹除功率決定方法所決定的最佳 cw拭除功率。 爲了達成上述目的，本發明提出另一種相位變化光學 資訊記錄媒體的直接重寫資訊方法，其包括： 第一記錄資訊，藉由固定抹除功率，用不同的記錄功 率將HF訊號記錄在相位變化光學資訊記錄媒體上； 測定HF訊號的標記長度/地面寬度的平衡泠； 將標記長度/地面寬度的平衡/3爲〇〜8 %的記錄功率作爲 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
1253069 A7 B7 五、發明説明（12) 最佳記錄功率；和 第二記錄資訊，藉由對相位變化光學資訊記錄媒體使 用上述最佳記錄功率，將資訊記錄在相位變化光:學資訊記 錄媒體上。 爲了達成上述目的，本發明提出一種資訊抹除方法， 其包括： 在相位變化光學資訊記錄媒體上用一抹除功率實行CW 抹除，該相位變化型光學資訊記錄媒體包括一藉由壓模形 成的ROM區；和 抹除功率是所述最佳CW抹除功率決定方法所決定的 最佳CW拭除功率。 較佳實施例之說明 下面參照附圖詳細說明本發明的實施例，本發明的上 述及其他目的、特徵以及優點將藉由以下對本發明的較佳 實施例的描述而更淸楚。 首先詳細說明一下本發明的相位變化光學資訊記錄媒 體（以下有時簡記爲“記錄媒體”）。 本發明的記錄媒體（尤其是CD-RW)的基本結構是在設 有導向槽的基底一側面設置第一介電層，記錄層，第二介 電層，由金屬或合金構成的反射層，及外敷層。較好的是 ，在外敷層上設置印刷層，在基底另一側面形成硬敷層。 基底材料通常採用如玻璃，陶瓷，樹脂。 作爲用作基底的樹脂例可以列舉聚碳酸酯樹脂，丙;(¾ ________-15-____ ^纸適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨OX29?公釐Ί ^~~' ' (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁 裝 、11 經濟部智慈財產局員工消費合作社印製 1253069 Λ7 Β7 五、發明説明（13) 酸樹脂，.環氧樹脂，聚苯乙烯樹脂，丙烯旨扁-苯乙烯共聚 物樹脂，聚乙烯樹脂’聚丙烯樹脂，矽酮系樹脂，氟系樹 S旨，A B S樹脂，聚氨酯樹脂等。在這些樹脂中，：從成形性 、光學特性及成本方面考慮，最好爲聚碳酸酯樹脂，丙燒 酸系樹脂。 不僅碟狀，其他形狀例如卡狀，片狀等也可以作爲基 底形狀。 將本發明的記錄媒體應用於可重複燒錄的小型磁碟 (CD-RW)情況，最好滿足以下（1)-(3)條件： (1) 形成在基底上的導向槽的寬度爲0.25〜0.65//m，較 好的是，0.30〜0.60 // m， 導向槽的深度爲1 50〜550A， 較好的是200〜450A。 (2) 形成在基底上的凹坑寬度爲0.25〜0.80// m，較好的 是，0.30〜0.70// m， 凹坑深度爲650〜1 300A，較好的是 800 〜1100A。 . (3) 形成在基底凹坑間的導向槽的寬度爲0.25〜0.80 // m ，較好的是，0.30〜0.60 // m， 該凹坑間導向槽的深度爲 150〜550A，較好的是200〜450A。 對本發明關於的相位變化光學資訊記錄媒體，不僅要 求其具有記錄和抹除資訊的功能，而且同時要求訊號再生 穩定性及訊號長壽命。爲了綜合滿足這些要求，較好的是 ，記錄層至少包括Ag ， In， Sb， Te作爲主要兀素’ Ag ，、I η， S b， 丁 e的含量分別設爲α T ’占 (atomic%，即原子％)，上述參數滿足下式關係：〇 < ^ ^ ______-16-_ 本纸*尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 —靡 經濟部智慧財產局員工消贫合作社印製
1253069 五、發明説明（14) 1〇，2 S 12，55 $ 70，22 S 32, a + /3 + r + 5=100。 在上述構成中，若Ag超過10原子％，In超適12原子 %，Sb超過70原子％，訊號再生穩定性差，記錄在記錄層 中的訊號壽命短。
Te的含有量對記錄媒體的記錄線速度影響很大，即使 藉由記錄層厚或其他層的熱傳導率進行控制，也必須滿足 2 2〜3 2原子％的範圍。 訊號再生劣化及訊號壽命短的原因在於非結晶標記的 結晶化。爲了抑制非結晶標記結晶化，提高訊號再生穩定 性及訊號壽命，在記錄層中添加從周期表的3B，4B，5B族 選擇的至少一種元素很有效。 雖然其原因尙不十分淸楚，但可以考慮這些添加元素 進入Ag In Sb Te的空間間隙和/或與Ag In Sb Te形成化學 結合，這樣，能抑制非結晶標記的結晶化。因此，使用小 原子直徑，與Ag In Sb Te的化學結合力大，化學結合部位 多的元素很有效。從這方面看，尤其如B， C， N， Si， G e， S η很有效。 上述添加到記錄層中的元素量最好在5原子％以下。若 超過5原子％，會對Ag In Sb Te記錄層本來具有的記錄/抹 除特性帶來影響，這樣，會發生記錄資訊不能完全被抹除 的問題。 再、者，在本發明的相位變化光學資訊記錄媒體上以高 線速度進行記錄情況，較好的是，該記錄層至少包括Ge _______-17-_ 本紙裱尺度適用中國國家標準（CMS ) A4規格（2lOX 297公釐） (請先Μ讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝 訂 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 1253069
五、發明説明（15) (請先閱讀背V0之注意事項再填寫本頁 ’ Ga’ Sb， Te 作爲主要元素，Ge ， Ga， Sb， Te 的含量分別設爲α，々，r ，5 (原子％)，上述參數滿足下 式關係：0 ' < α ^ 10，1 ^ /3 ^ 12- 5 5 ^ 'r ^ 85 ’12 ^ 32，〇: + 冷 + 7 + 5二100。 在上述構成中，若Ge超過10原子％，Ga超過12原子 % ’ Sb超過85原子％，.訊號再生穩定性差，記錄在記錄層 中的訊號壽命短。
Te的含有量對記錄媒體的記錄線速度影響很大，即使 藉由記錄層厚或其他層的熱傳導率進行控制，也必須滿足 12〜32原子％的範圍。 上述記錄材料與Ag In Sb Te記錄層一樣，訊號再生劣 化及訊號壽命短的原因在於非結晶標記的結晶化，爲了抑 制非結晶標記結晶化，提高訊號再生穩定性及訊號壽命， 在記錄層中添加從周期表的3B，4B，5B族選擇的至少一種 元素很有效。 . 其原因與上記Ag In Sb Te記錄層一樣，於此省略對其 之說明。 經濟部智慈財產局資工消費合作社印製 上述包含在Ge Ga Sb Te記錄層中的添加元素量最好在 5原子％以下，其原因與上述Ag In Sb Te記錄層一樣，於 此省略說明。 記錄層的膜厚較好的是1 0〜5 0 n m，更好的是1 2〜3 0 n m 。再者，當考慮初始跳動特性，重寫特性及生產性情況， 上述厚度最好爲14〜25nm。當過薄時，光吸收能力明顯低 下’難以起到作爲sS錄層的作用。與此相反，當記錄層過 ____ -18-本纸張尺度適用中國國家標李（CNS )八4規格（公釐） 1253069
五、發明説明（16) 厚時，當進行高速記錄和抹除時，難以發生均一的相位變 化。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 這種記錄層可以用各種氣相成長法_，例如真·.空蒸鍍法 ， 灑射法，等離子CVD法，光CVD法，離子鍍敷法， 電子光束蒸鍍法等形成。其中，從生產性及膜質量等角度 考慮，濺射法很合適。 適合用於第一及第二介電層的材料包括Si〇， S1O2 ， Zn〇，Sn〇2， Ah〇3， Ti〇2，In2〇3， Mg〇，Ζι·〇2 寺金屬氧化物’ SisNa ’ AIN， TiN， BN， ZrN等氮 化物，ZnS， In2S3 ， TaS4 等硫化物，SiC， TaC， B4 C， WC， TiC， ZrC等碳化物，似鑽石碳，或者它們 的混合物。這些材料既可以單體形成保護層，也可以作爲 混合物使用。 再者’用於第一及第二介電層的材料還可以根據需要 含有雜質。再者’各層可以是多層型介電層。第一及第二 介電層的熔點必須比記錄層高。 經濟部智楚財產局資工消費合作社印製 這樣的第一及第二介電層可以用各種氣相成長法，例 如真空蒸鍍法，濺射法，等離子CVD法，光CVD法， 離子鍍敷法’電子束蒸鑛法等形成。其中，從生產性及膜 質里^ _角度考慮’灑射法很合適。 第一介電層的膜厚對儲存在DVD中的資訊再生波長 650nm的反射率影響很大。爲了滿足對78〇ηιΏ或65〇nm波 長光的反射率0.15〜0.25(尤其是CD-RW)， 第一介電層的 膜厚最好爲65nm〜130nm。 ---------19-__ _ 本纸ft尺度適用中國國家標隼（CNS ) A4規格（2[〇X 297公潑） 1253069
經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 五、發明説明（17) 第一介電層的膜厚設爲1 5 n m〜4 5 n m， 更好的是2 0 n m 〜4〇nm。當第二介電層膜厚過薄時，難以起到耐熱保護層 的作用，記錄靈敏度降低。與此相反，當第二介電層膜厚 過厚時’易從相鄰層剝離，反復記錄性能降低。 適合用於反射層的材料包括如A1， A u， C u， A g，
Ta等金屬材料，或者它們的合金等。再者，可以使用， Ti ’ Si， Cu， Ag， Pb， Ta等作爲添加元素添加到反 射層中。這樣的反射層可以用各種氣相成長法，例如真空 蒸鍍法，濺射法，等離子CVD法，光CVD法，離子鍍 敷法，電子束蒸鍍法等形成。 反射層的膜厚設爲70〜200nm，更好的是100〜160nm 〇 在反射層上面，爲了防止其氧化，最好形成外敷層。 一般，使用紫外線硬化樹脂作爲該外敷層，採用旋轉鍍敷 法形成。該外敷層的膜厚最好爲5〜1 5 // m。當該外敷層過 薄時，當在該外敷層上設有印刷層情況，讀取訊號時故障 率增加。而當該外敷層過厚時，內部應力變大，對記錄媒 體的機械特性帶來很大影響。 一般，使用紫外線硬化樹脂作爲硬敷層，採用旋轉鍍 敷法形成在上述基底的另一側面上。其膜厚最好爲2〜6 β m。當該硬敷層薄於2 // m時，不能得到足夠的耐擦傷性 ，而當該硬敷層厚於6 // m時，內部應力變大，對記錄媒體 的機械特性帶來很大影響。 該硬敷層的硬度需要達到用布擦拭其表面時不會引起 _________-20-__ 本纸泫尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X29*7公釐） (請先閣讀背面之注意事項再填寫本頁)
1253069 經濟部智慧財產局Μ工消費合作社印製 - -’.....--：；_^1 _ 五、發明説明（18) 大損傷的鉛筆硬度Η以上。再者，在該硬敷層中可以添加 導電性材料’以防止硬敷層帶電，防止塵埃等附著到硬敷 層上。， - 下面詳細說明決定CW抹除功率的方法。 第1 0圖表示本發明的資訊記錄/再生裝置，其可以將資 訊記錄在本發明的相位變化光學資訊記錄媒體上，或使資 訊再生。 參照第10圖，標號7表示一光學資訊記錄媒體，即本 發明的相位變化光學資訊記錄媒體。藉由包括主軸馬達8 的驅動機構驅動該記錄媒體7。藉由作爲光源驅動機構的雷 射光驅動電路4驅動包括雷射光二極體的光源。一記錄/再 生拾波器3用雷射光照射記錄媒體7，雷射光從雷射光二極 體發出，經未顯示的光學系統，作爲電磁波照射在記錄媒 體7上，使得記錄媒體7的記錄層發生相位變化。 當藉由記錄/再生拾波器3使光照射已發生相位變化的 記錄層，接收來自記錄媒體7的反射光，所記錄資訊可以 得到再生。波形處理電路6測定被再生的HF訊號的訊號位 準，以確定最佳CW抹除功率（Pecw)和最佳記錄功率（pwo) 〇 記錄/再生拾波器3的最佳記錄功率藉由一記錄功率/抹-除功率設定電路5進行設定。 資訊記錄/再生裝置將雷射光作爲電磁波照射在記錄媒 體7上，使得記錄媒體7的記錄層發生相位變化，對資訊 記錄媒體7進行資訊記錄或使資訊再生，且可重複燒錄。 __ -21 -___ 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) A4規格（210XM7公釐） (請先Μ讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝--- 訂 加 1253069
五、發明説明（19) 該資訊記錄/再生裝置設有記錄機構，上述記錄機構包括記 錄/再生拾波器3以及一用於對需記錄的訊號進行調制的調 制器。， · ' 上述包括記錄/再生拾波器3的記錄機構在記錄媒體7 的記錄層進行PWM記錄，在該PWM記錄中，藉由形成標 言己，同時改變標記寬度記錄訊號。當進行記錄時，在調制 器對需記錄的訊號用時標進行調制。合適的調制方式包括 E F M (E i g h t -1 〇 - F 〇 u r t e e η - Μ 〇 d u 1 a t i ο η:八對十四調制）調制方式 或其改良調制方式等。 第1 1圖爲在上述構成的初始化的相位變化光學資訊記 錄媒體上記錄訊號以及所記錄訊號藉由CW抹除方法抹除 情況的抹除功率Pe與殘存訊號11Τ的地面位準（I 11Η)，凹 坑位準（I 11L)及d (I llL)/d (Pe)之間關係。由圖可知，當d (I 1 lL)/d (Pe)爲最大値時，CW抹除功率（Pel)是6.0mW，當 d (I 1 lL)/d (Pe)爲最小値時·，CW抹除功率（Pe2)是10.2mW。 其差 Δ Pe(即 Pe2 — Pel)是 4.2mW。 在此’所3胃最佳C W抹除功率（P e c w)是指記錄媒體上殘 存訊號振幅小、反射率降低少的功率。該相位變化光學資 訊記錄媒體情況，最佳0\^抹除功率？6(^爲6.2〜10.〇111\¥。 爲了測定殘存訊號振幅，預先以比用r法得到的最佳 記錄功率（pwo)高的記錄功率記錄HF訊號，結果，易使訊 號殘存。當藉由上述方法確定最佳CW抹除功率PeCW情況 ，即使、是訊號振幅大的訊號也能藉由使用該最佳CW抹除 功率充分抹除。 -22-_ 本纸ft尺度適用中國國家標隼（CNS ) A4規格（2[0X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) it 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1253069 丨： "’、...―’…..一 B7 五、發明説明（2〇) 從上述結果可得以下關係式：
Pel+0.05x Δ Pe ^ Pecw 5 Pe2-0.05x Δ Pe (請先閉讀背vg之注意事項再填寫本頁) S考慮有效數子’小數點以下1位後數字西捨五入， 可得以下關係式： 6.2 ^ Pecw ^ 10.0 從雷射光二極體的利用效率考慮，Pecw以小爲好。因 此’該相位變化光學資訊記錄媒體情況，最佳cw抹除功 率 Pecw 爲 6.2mW。 藉由使用這樣的抹除功率，地面位準（I 1 1 H)與凹坑位 準（I 11L)具有以下關係： I 11L/I 11H > 0·8。 當使用CW抹除方法情況，與實行抹除同時必須形成 標記的直接重複燒錄方法相比，能以高線速度狀態實行抹 除，能進行比邏輯抹除快的高速抹除。 經濟部智慧財產局資工消費合作社印製 第12圖爲表示當訊號以6.2mW抹除功率（即最佳CW 抹除功率Pecw)Pe進行記錄時々與記錄功率Pw之間的關係 。在此，表示標記長度與地面寬度的平衡。當/3値處於 0〜8%之間時，故障幾乎不發生。 從第12圖可知，當固定Pe情況，/5與Pw爲一次相關 關係，因此，線性近似可能。從第12圖可知，Pw爲 12.3mW時，/3 = 4%，因此，可以得到平衡好的EFM訊號 〇 第、13圖和第14圖表示以6.2mW抹除功率（即本發明的 方法）反復直接燒錄情況，以及以ε X Pw( ε二0.5)(即 _ ___-23-__ 本纸朵尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨0X 297公釐）
經濟部智慈財產局員工消費合作社印製 1253069 五、發明説明（21) 習知技術方法）反復直接燒錄情況記錄功率與故障的功率界 限之間的關係。第13圖表示燒錄二次情況，第14圖表示 燒錄100(l·次情況的資料。 ： 從桌1 3圖和第1 4圖可知，當P w爲6.2 m W情況，反復 直接燒錄特性之一的功率界限能明顯提高。即，爲了進行 可靠性更好的記錄，固定抹除功率Peo是有利的。 當壓模形成包含有一 ROM區的混合型碟情況，若對該 混合碟實行邏輯抹除，會在ROM區實行直接燒錄。在這種 情況下，ROM沒有被抹除，而在ROM區寫上邏輯抹除圖案 ，這樣，ROM區不能再生。對這種被誤抹除的混合型碟， 藉由使用CW抹除方法，僅抹除寫在R〇M區的邏輯抹除圖 案，該ROM區能復原。 下面藉由實施例更具體地說明本發明，當然，下列實 施例僅僅是例示，本發明並不局限於這些實施例。 實施例1 第3A-3E圖表示本發明實施例1的設有R〇M區的CD-R W的資訊配置。第3 A圖表示C D - R W處於未使用狀態。用 凹坑記錄有如下資訊： 在98ml3s50f〜98ml3s59f形成第一記錄區段的位置資訊- 〇 在98m27s00f〜99m59s74f形成第一記錄區段的L/I區。 在、OOmOOsOOf〜04m59s74f形成第一記錄區段的資料區。 在05m00s00f〜06m29s74f形成第一記錄區段的l/〇區。 -______ - 24 ~___ 本纸ft尺度適用中國國家標孪（CNS ) A4規格（210X 297公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
經濟部智慧財產局Μ工消費合作社印製 1253069 五、發明説明（22> 在第3 B圖表示的CD-RW上，按如下所示追加記錄有 第二記錄區段： (1) 在 98ml3s60f 〜98ml3s69f 形成碟 11> 資訊。·· (2) 在9 8m 13 s7Of〜9 8m 14s04f形成第二記錄區段的位置資 訊。 (3) 在06m30s00f〜外側形成第二記錄區段的L/I-2，資 料-2 ， L/0-2 。 第3C圖所示CD-RW表示抹除CD-RW的最終記錄區段（ 即第_記錄區段）的狀態。 在此，在PMA從內周按以下順序記錄資訊： (1) 在9811113850卜9811113859〖形成第一記錄區段的位置資 訊。 (2) 在9811113860卜9811113569£形成碟1〇資訊。 第3D圖表示抹除第3C圖的CD-RW的碟ID資訊的狀 態。在該狀態下， · 即使發出抹除CD-RW的第一記錄區段的命令，由於第 一記錄區段的位置資訊位於碟ID資訊之前，第一記錄區 段及其位置資訊不被抹除而殘留著。 第3E圖表示除第一記錄區段及其位置資訊之外其他都 被抹除的CD- RW的狀態。第一記錄區段及其位置資訊沒有-被抹除的理由與上述相同。 在本發明的資訊記錄方法及裝置中，當裝上碟時，讀 入PMA。位於碟ID資訊之後的記錄位置資訊的記錄區段設 爲可記錄可抹除的記錄區段。此外的記錄區段設爲不可記 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) Α4規格（210X297公釐） (請先閱讀背vg之注意事項再填寫本畜〇
-25- 1253069 A7 B7 五、發明説明（23) 錄不可抹除的記錄區段。該資訊儲存在裝置的記憶體中。 即，不管第3 A - 3 E圖所示哪種狀態，第一記錄區段的 位置資訊之前沒有碟ID資訊，第一記錄·區段沒宥成爲可記 錄可抹除的記錄區段，而是作爲不可記錄不可抹除（即寫入 保護時間）的記錄區段進行記錄。 下面，說明在本發明的記錄/再生裝置中實行的寫入保 護方法。 參照第2C圖，在CD-RW的PMA區，記錄有下列資訊： (1) 在 98ml3s50f〜98ml3s59f 記錄碟 ID 資訊。 (2) 在98m 13s60f〜98m 13s69f記錄第一記錄區段的位置資 訊。 (3) 在9811113$70卜98111148〇4[記錄第二記錄區段的位置資 訊。 但是，第一和第二記錄區段沒有實行寫入保護。 當對第一記錄區段實行寫入保護情況，在PMA區進行 資訊再記錄，使其成爲以下狀態： (1) 在981111355(^〜9811113859〖記錄第一記錄區段的位置資 訊。 (2) 在9811113860卜9811113369[記錄碟1〇資訊。 (3) 在981111387(^〜98111148〇4£記錄第二記錄區段的位置資~ 訊。 這種狀態表示在第4圖中，然後再設置碟。第二記錄 區段的、位置資訊沒有變化，因此，可以不再記錄。 結果，第一記錄區段的位置資訊位於碟ID資訊之前 _____-26-_ 本纸俵尺度適用中國國家標準（〔~5)八4規格（2[0乂 297公釐） (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝
，1T 經濟部智慧財產局員工消费合作社印製 1253069
五、發明説明（24; ，因此，第一記錄區段成爲不可記錄不可抹除的記錄區段
C (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁 參照第3C圖，在CD-RW的PMA區，記錄以T資訊： (1) 在98ml3s50f〜98ml3s59f記錄第一記錄區段的位置資 訊。 (2) 在9 81!113 860卜9811113 869『記錄碟1〇資訊。 (3) 在9 8m 13 s7Of〜9 8m 14s04f記錄第二記錄區段的位置資 訊。 但是，第二記錄區段沒有實行寫入保護。 當對第二記錄區段實行寫入保護情況，在PMA區進行 資訊再記錄，使其成爲以下狀態： -5 (1) 在9811113$6(^〜9811113569£記錄第二記錄區段的位置資 訊。 (2) 在 98ml3s70f〜98ml4s04f 記錄碟 ID 資訊。 這種狀態表示在第5圖·中，然後再設置碟。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 這種情況，由於第一記錄區段被實行寫入保護，所以 ，98ml3s50f〜98ml3s59f區也不可記錄不可抹除。因此， 第一記錄區段不被再記錄。 結果，第二記錄區段的位置資訊位於碟ID資訊之前 ，因此，第二記錄區段成爲不可記錄不可抹除的記錄區段< 〇 當從主機側（如電腦和軟體）接收到抹除最終記錄區段指 令情況，，若該最終記錄區段是可記錄可抹除的記錄區段， 且其被儲存在裝置記憶體中，則資訊記錄/再生裝置抹除該 -27- 本纸痕尺度適用中國國家標隼（CNS ) A4規格（210X297公釐） 1253069 I . .::: r:..* - · .： A 7 ^ B 7 五、發明説明（25j 最終記錄區段。否則，則回復主機側，拒絕抹除該最終記 錄區段。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 當從主機側接收到完全抹除（或快速抹除）指令情況’若 在裝置記憶體中不存在不可記錄不可抹除的記錄區段’則 資訊記錄/再生裝置實行該完全抹除指令。否則，則回復主 機側，拒絕完全抹除指令。 實施例2 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 準備本發明的相位變化光學資訊記錄媒體。該記錄媒 體包括：處於98ml3s50f〜98m27s00f位置區域的包括擺動訊 號的第一記錄區段的PMA，處於98m27s00f〜99m59s74f位置 區域的包括擺動訊號（參照第9圖）的第一記錄區段的L/I區 ，處於OOmOOsOOf〜04m59s74f位置區域的沒有擺動訊號的第 一記錄區段的資料區（參照第 6 圖），和處於 0 5m00s00f〜〇6m29s74f位置區域的包括擺動訊號（參照第9圖 )的第一記錄區段的L/0區。上述PMA區，L/I區，資料 區，L/0區各部分分別以凹坑形成。在其他部分，在基底上 形成含擺動訊號的導向槽。於是，作成包括ATIP資訊的 CD-RW。 如上所述，基底上至少形成包含凹坑的第一記錄區段-。即第一記錄區段包括一不存在擺動訊號的ROM區以及存 在擺動訊號的RAM區。因此，根據有無擺動訊號，容易識 另[j ROM區和RAM區。 本發明的光學資訊記錄/再生裝置設有判斷裝置B，如 ___-28-__ 本纸掁尺度適用中國國家標隼（CNS )八4規格（2l〇X 297公釐) ' 1253069
五、發明説明（2S; (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 第7圖所示。當記錄區段不包括擺動訊號時，判斷裝置b 判斷記錄媒體的該記錄區段的資料部爲r ◦ μ。當記錄區段 的貪料部存在擺動訊號時，判斷裝置Β .將該記錄區段判斷 爲RAM。該裝置還包括一接收裝置Α(參照第7圖）。當接收 裝置Α接收到抹除記錄媒體的記錄區段的指令時，光學資 訊記錄/再生裝置僅在記錄區段爲RAM(即記錄區段不含有 R〇Μ)情況抹除g亥自己錄區段。 第7圖表示本發明的光學資訊記錄/再生裝置的抹除動 作的流程。 當接收裝置從主機側（如電腦和軟體）接收到抹除最終記 錄區段指令時（步驟S1)，光學資訊記錄/再生裝置搜索記 錄媒體上的PMA，從PMA資訊檢測最終記錄區段位置（步 驟S2和33)。 接著’光學資訊記錄/再生裝置搜索最終記錄區段的 資料區（即第2C圖情況的資料-2，第2B或2D圖情況的資 料-1)(步驟S4)，讀取資料區的擺動訊號（βρ ATIP資訊）（步 驟 S5)。 經濟部智慧財產局資工消費合作社印製 當在資料區存在擺動訊號時（步驟S 6的”是”），判斷裝 置Β判斷該最終記錄區段不是ROM，光學資訊記錄/再生裝 置抹除最終記錄區段（步驟S7)。與此相反，當在資料區不-存在擺動訊號時（步驟S 6的“否”），判斷裝置β判斷該最 終記錄區段是ROM，光學資訊記錄/再生裝置向主機側回覆 ，拒絕抹除最終記錄區段（步驟S 8)。 當接收裝置A從主機側接收到完全抹除指令（即快速抹 -29- 本纸浪尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 1253069 A7 B7 五、發明説明（27) 除指令）時，光學資訊記錄/再生裝置搜索記錄媒體上的 PMA，從PMA資訊檢測第一記錄區段位置。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 接著’，光學資訊記錄/再生裝置搜索第一記··錄區段的 資料區，讀取資料區的擺動訊號（即ATIP資訊）。 當在資料區存在擺動訊號時，判斷裝置B判斷第一記 錄區段不是ROM，光學資訊記錄/再生裝置實行完全抹除（ 即快速抹除）。與此相反，當在資料區不存在擺動訊號時 ，判斷裝置B判斷第一記錄區段是ROM， 光學資訊記錄/ 再生裝置向主機側回覆，拒絕實行完全抹除。 當然，本發明並不局限於上述實施例，在本發明技術 思想範圍內可以作種種變更，它們都屬於本發明的保護範 圍。 發明之效果 如上所述，根據本發明，在記錄及抹除資訊同時，能 容易地控制記錄及抹除資訊（即容易地實現寫入保護）。 經濟部智慧財1局Μ工消費合作社印製 再者’根據本發明，能提供不將抹除訊號記錄在 ROM區的可重複燒錄的相位變化光學資訊記錄媒體。 再者’根據本發明，能決定最佳CW消去功率，在光 學資訊記錄媒體上實行直接重複燒錄。 再者’根據本發明，記錄在混合型碟上的資訊能安全 地抹除。 圖式之簡要說明 --------- - 30 -___ 本纸浪尺度適用中國國家標举（CNS ) A4規格（2丨0X 297公潑） 1253069 A7 B7 五、發明説明（28) 第1圖爲表示習知CD-RW的位址資料配置圖。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁 第2A圖表示習知CD-RW上設有記錄資訊的狀態圖， 第2B圖表示在第2A圖的CD-RW上記錄有第一記錄區段（ 即L/I-1，資料-1，L/0-1)的狀態圖，第2C圖表示在第2B 圖的CD-RW上記錄有第二記錄區段（即L/I-2，資料-2，L/0 -2)的狀態圖，第2D圖表示抹除第2C圖的CD-RW的最終記 錄區段（即第二記錄區段）的狀態圖，第2E圖表示抹除第2D 圖的CD-RW的最終記錄區段（即第一記錄區段）的狀態圖， 和第2F圖表示第2B-2E圖所示任一個CD-RW上全部資訊 都被抹除的狀態圖。 第3 A圖表示實施例1的設有ROM區的CD-RW狀態圖 ，其中，用凹坑記錄有第一記錄區段（即L/I-1，資料-1， L/0-1)，第3B-3E圖表示設有一 ROM區的CD-RW狀態圖， 分別與第2C-2F圖所示習知CD-RW狀態相對應。 第4圖爲表示第一記錄·區段被寫入保護的CD-RW。 第5圖爲表不第二記錄區段被寫入保護的設有ROM區 的 CD-RW。 經濟部智楚財產局資工消費合作社印製 第6圖爲表示無擺動訊號的第一記錄區段的資料。 第7圖爲表示本發明的記錄再生裝置中抹除動作流程 圖。 第8圖爲表示擺動導向槽的擺動狀態。 第9圖爲表示使凹坑及凹坑間槽作S形擺動狀態。 第、1 〇圖爲表示本發明資訊記錄/再生裝置的構成實施例 〇 _ -31 -本纸泫尺度適用中國國家標孪（CNS ) A4規格（210X 297公釐） '1
O') M B7 ，（29) 第11圖爲表示殘存訊號位準與抹除功率之間關係ffl ° 第12圖爲表示a (EFM訊號的標記長度/凹坑長度平衡 度）及故障與記錄功率之間關係圖。 - 第1 3圖爲表示燒錄二次情況的故障與記錄功率之間關 係圖。 第14圖爲表示燒錄1 000次情況的故障與記錄功率之 間關係圖。 經濟部智慧財產局g(工消f合作社印製
圖號說明 PMA 1 2 D E L/I L/M L/I-2 L/0 L/0-1 L/0-2 A B 程式儲存區 第一記錄區段位置資訊 第二記錄區段位置資訊 碟ID資訊 抹除訊號資訊 引入區 · 第一記錄區段的引入區 第二記錄區段的引入區 引出區 第一記錄區段的引出區 第二記錄區段的引出區 接收機構 判斷機構 記錄/再生拾波器 雷射光驅動電路 32- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
本纸張尺度適用中國國家標準·（ CNS ) A4規格（2[0X 297公釐） 1253069
五、發明説明（30) 5 記錄功率/抹除功率設定電路 6 波形處理電路 7 > 光學資訊記錄媒體 8 主軸馬達 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁 裝— -IT! J. 經濟部智慧財產局員工涓費合作社印製 -33- 本纸張尺度適用中國國家標隼（CNS ) A4規格（210X 297公釐）

Claims (1)

  1. 1253069 六、申請專利範圍 1 1 . 一種相位變化光學資訊記錄媒體’包含： 一基底； (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 一記錄層，疊置在該基底上，在該記錄層形成標記’ 以儲存資訊； 其中，該基底記錄層包括多數記錄區段以及程式儲存 區，該多數記錄區段包括第一記錄區段’在該第一記錄區 段形成凹坑，其包括一 RAM (隨機存取記憶體）區’該 RAM區包括槽和擺動訊號，該程式儲存區形成凹坑’其包 括第一記錄區段的位置資訊，而不包括相位變化光學資訊 記錄媒體的碟ID資訊。 2.如申請專利範圍第1項之相位變化光學資訊記錄媒 體，其中，該第一記錄區段進一步包括一 ROM (唯讀記憶 體）區，該ROM區含有資料部分，在該資料部分不存在擺 動訊號。 3 ·如申請專利範圍第1項之相位變化光學資訊記錄媒 體，進一步包含位於基底與記錄層之間的第一*介電層，疊 置於記錄層之上的第二介電層，疊置於第二介電層之上的 反射層，和疊置於反射層之上的外敷層。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 4.如申請專利範圍第丨項之相位變化光學資訊記錄媒 體，其中該記錄層包括Ag ， in， Sb， Te作爲主成分 ，Ag ， In， Sb， Te的含量分別設爲α ，冷，r 5 ( 原子％)，上述參數滿足下式關係： 0 < a ^ 10 2 ύ β ^ \2 本^張尺度適用中國國家標準（CNS ) Α4規格（210x197公董) -- 1253069 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 2 55 S r S 70 22 S δ ^ 32 α 十冷 + τ + (5 = 100。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 5 ·如申請專利範圍第4項之相位變化光學資訊記錄媒 體’其中該記錄層進一步含有從週期表3B族，4B族，5B 族選擇的至少一種元素。 6. 如申請專利範圍第1項之相位變化光學資訊記錄媒 體’其中該記錄層包括Ge ， Ga， Sb， Te作爲主成分 ’ Ge ’ G a Sb’ Te的含量分別設爲（2’/3，丨，（5 (原子％)，上述參數滿足下式關係： 〇 < α ^ 10 1^/3^12 55 S r ^ 85 12 ^ 32 α + /3 + τ + 5=1〇〇。 7. 如申請專利範圍第6項之相位變化光學資訊記錄媒 體’其中該記錄層進一步含有從週期表3Β族，4Β族，5Β 族選擇的至少一種元素。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 8. —種資訊記錄裝置，包含： 接收裝置，接收在相位變化光學資訊記錄媒體上記錄 或抹除資訊的指令； 讀取裝置，讀取儲存在相位變化光學資訊記錄媒體的 程式儲存區的碟ID資訊的位置以及相位變化光學資訊記錄 媒體的各記錄區段的位置資訊； 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 1253069 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8六、申請專利範圍 3 記錄/抹除裝置，記錄或抹除各記錄區段的資訊； 控制裝置，控制該記錄/抹除裝置，當在程式儲存區一 記錄區段或多記錄區段的位置資訊位於碟ID資訊之後時， 根據指令記錄或抹除一記錄區段或多記錄區段中的資訊， 或者當在程式儲存區一記錄區段或多記錄區段的位置資訊 位於碟ID資訊之前時，拒絕實行指令。 9. 如申請專利範圍第8項之資訊記錄裝置，其中，控 制裝置進一步具有命令記錄/抹除裝置重寫碟ID資訊的功能 ，以改變碟ID資訊位置，記錄或抹除一記錄區段或多記錄 區段中的資訊。 10. 如申請專利範圍第8項之資訊記錄裝置，進一步 包含一記憶體，儲存關於可記錄可抹除記錄區段的記錄區 段資訊，和控制裝置進一步具有以下功能：當接收裝置接收 到抹除光學資訊記錄媒體上多記錄區段中的最終記錄區段 指令情況，控制裝置參照該記錄區段資訊，確定該最終記 錄區段是否可是可抹除記錄區段，當最終記錄區段是可記 錄可抹除記錄區段時，命令記錄/抹除裝置抹除該最終記錄 區段，或者當最終記錄區段不是可記錄可抹除記錄區段時 ，拒絕抹除指令。 11. 如申請專利範圍第8項之資訊記錄裝置，進一步 包含一記憶體，儲存關於不可記錄不可抹除記錄區段的記 錄區段資訊，和控制裝置進一步具有以下功能：當接收裝置 接收到完全抹除光學資訊記錄媒體上多記錄區段指令情況 ，控制裝置參照記錄區段資訊，確定在記憶體是否存在不 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） --
    1253069 六、申請專利範圍 4 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 可記錄不可抹除的記錄區段，當在記憶體+存在不可記錄 不可抹除的記錄區段時’命令記錄/抹除裝置實行完全抹除 指令，或者當在記憶體存在不可記錄不可抹除的記錄區段 時，拒絕完全抹除指令。 12. —種資訊記錄裝置，將資訊記錄在相位變化光學 資訊記錄媒體上，該相位變化光學資訊記錄媒體上包括多 記錄區段，至少一記錄區段包括一不含擺動訊號的R〇M區 ，以及一含擺動訊號的RAM區’該資訊記錄裝置包括： 接收裝置，接收抹除記錄區段的指令； 判斷裝置，判斷是否在記錄區段存在擺動訊號’確定 該記錄區段是否不包含ROM區；和 抹除裝置，當該記錄區段不包含ROM區時，抹除該 記錄區段。 13. 一種資訊記錄和抹除方法，在相位變化光學資訊 記錄媒體上記錄或抹除資訊，該光學資訊記錄媒體包括一 程式儲存區和多記錄區段’該資訊記錄和抹除方法包含： 讀取記錄在相位變化光學資訊記錄媒體的程式儲存區 中的碟ID資訊的位置資訊以及多記錄區段的位置資訊； 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 當一記錄區段或多記錄區段的位置資訊位於碟ID資訊 之後時，根據接收到的記錄或抹除指令，記錄或抹除一記 錄區段或多記錄區段中的資訊，或者當一記錄區段或多記 錄區段的位置資訊位於碟ID資訊之前時，拒絕實行記錄或 抹除資訊指令。 14. 如申請專利範圍第1 3項之資訊記錄和抹除方法， 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 1253069
    六、申請專利範圍 5 進一步包括重寫碟ID資訊的位置資訊，控制記錄或抹除一 記錄區段或多記錄區段中的資訊。 (請先閣讀背面之注意事項再填寫本頁) 15. 一種資訊記錄方法，將資訊記錄在相位變化光學 資訊記錄媒體上，該相位變化光學資訊記錄媒體上包括多 記錄區段，至少一記錄區段包括一不含擺動訊號的R0M區 ，以及一含擺動訊號的RAM區，該資訊記錄方法包含： 根據接收到的抹除某記錄區段指令’判斷是否在該記 錄區段存在擺動訊號’確定該記錄區段是否不包括R0M區 ;和 當該記錄區段不包括ROM區時，抹除該記錄區段。 16. —種最佳CW (連續波）抹除功率決定方法，用於 抹除相位變化光學資訊記錄媒體上的資訊，包含： 用不同功率PeCW抹除以所定記錄功率記錄的HF訊號 ， 測定殘存HF訊號的11T訊號的凹坑位準（I 11L)或者凹 坑位準（I 11L) 和地面位準（I 11H)兩者； 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 決定最佳C W抹除功率P e c w，其至少滿足下列關係示 (1)， （2)之一： Pel-h0.05x Δ Pe ^ Pecw ^ Pe2 - 0.05x Δ Pe ⑴ 式中，Pel表示當d (I llL)/d (Pe)爲最大時的pe， Pe2表示當d (I 1 lL)/d (Pe)爲最小時的Pe， △ Pe表示（pe2 —P e 1);和 I 1 1L/I 11H > 0.8 (2)。 -- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 1253069 「 A8 B8 C8 D8 A、申請專利範圍 6 17·如申請專利範圍第16項之最佳CW抹除功率決定 方法，其中記錄功率比用7法得到的最佳記錄功率Pwo高 〇 18. 如申請專利範圍第16項之最佳CW抹除功率決定 方法，其中在CW抹除步驟中，相位變化光學資訊記錄媒 體的線速度比相位變化光學資訊記錄媒體的最高記錄速度 筒。 19. 一種相位變化光學資訊.記錄媒體的直接重寫資訊 方法，包含： 用一抹除功率抹除儲存在相位變化光學資訊記錄媒體 上的資訊，同時，將資訊記錄在該相位變化光學資訊記錄 媒體上；和 該抹除功率是如申請專利範圍第1 6項之方法所決定的 最佳CW抹除功率。 20. —種相位變化光學資訊記錄媒體的直接重寫資訊 方法，包含： 第一記錄資訊，固定抹除功率，用不同的記錄功率將 HF訊號記錄在相位變化光學資訊記錄媒體上； 測定HF訊號的標記長度/地面寬度的平衡/3 ; 將標記長度/地面寬度的平衡/3爲〇〜8%的記錄功率作爲 最佳記錄功率；和 第二記錄資訊，對相位變化光學資訊記錄媒體使用該 最佳記錄功率，將資訊記錄在相位變化光學資訊記錄媒體 上。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ---------—— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1253069
    A8 B8 C8 D8 々、申請專利範圍 7 ' 2 1. —種資訊抹除方法，包含： 在相位變化光學資訊記錄媒體上用一抹除功率實行CW 抹除，該相位變化型光學資訊記錄媒體包括一藉由壓模形 成的ROM區；和 該抹除功率是如申請專利範圍第1 6項之方法所決定的 最佳CW抹除功率。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -40 -
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