TWI252457B - Liquid crystal display device and portable terminal device comprising it - Google Patents
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Description
1252457 ⑴ 玖、發明說明 (發明說明應敘明:發明所屬之技術領域、先前技術、内容、實施方式及圖式簡單說明) 【發明的技術領域】 本發明係關於液晶顯示裝置及使用其之攜帶式終端裝 置,特別係關於各像素具有記憶體部之液晶顯示裝置及使 用該裝置作為輸出顯示部之攜帶式終端裝置。 【先前技藝】 液晶顯示裝置係利用電場之有無來改變液晶之分子排 列形態,經由光之透過/切斷控制,以施行影像顯示,在 原理上,不太需要驅動用之電力,屬於只要使用較少耗電 量即可顯示之低耗電之顯示裝置,故被廣泛利用作為特別 以電池為主電源之行動電話機及PDA (Personal Digital Assistants ;個人數位助理)等攜帶式終端裝置之輸出顯示 部。 在此種用途之液晶顯示裝置中,為了使電池在一次充電 後可長時間使用,通常需利用驅動電壓之低電壓化或驅動 頻率之低頻化來進行低耗電力化。且作為可進一步達成低 耗電力化用之像素構造,已知也有採用各像素具有記憶體 部之構造之液晶顯示裝置存在(參照特開平9 - 2 1 2 1 4 0號公 報等)。 在如此採用各像素具有記憶體部之像素構造之液晶顯 示裝置中,對於靜止影像,一旦將影像資料寫入各像素之 記憶體部以後,其後,只要以保持於該像素之記憶體部之 影像資料重複施行該像素之顯示驅動即可,無必要隨時對 訊號線施行充放電驅動,在理論上,僅消耗極性反轉所需
1252457 之電力而已,故可進一步達成低耗電力化。 【發明所欲解決之問題】 在上述構成之液晶顯示裝置中,以往係採用以相同路徑 施行由訊號線對各像素之記憶體部寫入影像資料、與在各 像素中由記憶體部對液晶單元部讀出影像資料之構成。因 此,在對記憶體部寫入影像資料時,由於液晶單元部連接 於寫入線,會對其像素電容進行充電,使得液晶單元部之 電位(以下稱像素電位)呈現不穩定而影響到寫入動作,其 結果,可能i因構成像素電路之電晶體特性,以致於有記憶 體部内之保持資料可能受到像素電位之影響而被改寫之 事態發生,且具有因電晶體特性之差異引起之晝質變動較 大之問題。 本發明係為解決上述問題精心研發而成,其目的在於提 供可排除資料寫入記憶體部之際之像素電位之影響,並可 對構成像素電路之電晶體特性差異賦予較大之容許範圍 之液晶顯示裝置及使用其之攜帶式終端裝置。 【解決問題之手段】 本發明之液晶顯示裝置係將包含液晶單元部之多數像 素電路在基板上排列成行列狀所構成,此等像素電路之各 像素電路係構成包含記憶體部,其係保持數位影像訊號 者;寫入用開關,其係將由以行為單位所配線之訊號線供 應之數位影像訊號寫入記憶體部者;及讀出用緩衝器,其 係讀出保持於記憶體部之數位影像訊號而寫入液晶單元 部者。此液晶顯示裝置在行動電話機及PDA等攜帶式終端
1252457 裝置中,可使用作為其輸出顯示部。 在上述構成之液晶顯示裝置或使用此作為其輸出顯示 部之攜帶式終端裝置中,由訊號線對記憶體部寫入數位影 像訊號係經由寫入用開關寫入,另一方面,由記憶體部對 液晶單元部讀出數位影像訊號係經由讀出用缓衝器讀 出。即,對記憶體部寫入數位影像訊號、與讀出來自記憶 體部之數位影像訊號係經由各別不同之路徑,因此,將數 位影像訊號寫入記憶體部之際,其寫入動作不會受到像素 電位之影響'又,由訊號線直接將類比影像訊號寫入液晶 單元部之際,可利用介在記憶體部與液晶單元部之間之讀 出用缓衝器之作用,阻止對記憶體部之寫入。 【發明之實施形態】 以下,參照圖式,詳細說明本發明之實施形態。圖1係 表示本發明之一實施形態之液晶顯示裝置之全體構成之 概略區塊圖。 由圖1可以知悉,本實施形態之液晶顯示裝置之構成包 含像素部1 1,其係將包含液晶單元部之像素電路排列成行 列狀所構成者;第一、第二垂直驅動電路1 2、1 3,其係以 列為單位選擇驅動此像素部1 1之各像素電路者;及訊號線 驅動電路1 4,其係以行為單位將影像訊號供應至被此等垂 直驅動電路1 2、1 3選擇驅動之列之像素電路者。又,在像 素部1 1上,對於η列m行之像素排列,將η條掃描線1 5 - 1〜 1 5 - η及m條訊號線1 6 - 1〜1 6 - m配線成行列狀,並將像素電 路配置在其交叉部分。
1252457 (4) 在此,第一、第二垂直驅動電路1 2、1 3及訊號線驅動電 路1 4係呈現一體地形成在形成有像素部1 1之基板(以下稱 液晶顯示面板)1 7上之所謂驅動電路一體型之構成方式。 具體而言,第一、第二垂直驅動電路1 2、1 3係分別配置於 像素部1 1之左右兩側。訊號線驅動電路1 4係配置於像素部 1 1之例如上側。又,在液晶顯示面板1 7之下方緣部設有墊 部1 8。 液晶顯示面板1 7係呈現將形成有各像素電路之開關元 件之例如薄"膜電晶體(Thin Film Transistor ; TFT)之TFT基 板、與形成有濾色器及對向電極等之對向基板疊合後,將 液晶封入此等基板之間之構造。而在像素部11中,係利用 第一、第二垂直驅動電路1 2、1 3以列為單位對各像素電路 之T F T之開關控制、及依據由訊號線驅動電路1 4經訊號線 1 6-1〜1 6-m供應之影像訊號而施加電壓之動作,控制液晶 之排列方向,並改變透光率來施行影像顯示。 由訊號線驅動電路1 4對訊號線1 6 - 1〜1 6 - m輸出交流驅 動化之類比影像訊號。在此,所謂交流驅動化之類比影像 訊號,係指以常用電壓(訊號中心)VCOM為中心之某種週 期反轉極性之類比影像訊號而言。由於持續對液晶施加同 極性之直流電壓時,液晶之比電阻(物質固有之電阻值)等 會劣化,故需利用此交流驅動化之類比影像訊號加以防 止。 又,利用交流驅動化之類比影像訊號之驅動可依照類比 影像訊號之極性反轉時間大致上分為1 F ( 1 F為1場期間)反
1252457 (5) 轉驅動與1 Η ( 1 Η為1水平掃描期間)反轉驅動。1 F反轉驅動 係將某一極性之類比影像訊號寫入全部之像素後,使類比 影像訊號之極性反轉之驅動法。另一方面,1 Η反轉驅動係 使類比影像訊號之極性依照每1排(1列)反轉之驅動後,並 再依照每1場反轉之驅動法。
又,由訊號線驅動電路1 4對訊號線1 6 - 1〜1 6 - m輸出之交 流驅動化之類比影像訊號係通常顯示用之訊號。在本實施 形態之液晶顯示裝置中,除了此類比影像訊號外,也可由 訊號線驅動ι電路1 4對訊號線1 6 -1〜1 6 - m輸出靜止影像用 之數位影像資料。 [像素電路] 圖2係表示第i列i行之像素電路之構成之一例之電路 圖。該像素電路呈現具有液晶單元2 1、保持電容22、像素 選擇用開關2 3、資料寫入用開關2 4、記憶體電路2 5、資料 讀出用缓衝器2 6及資料讀出用開關2 7之構成。
液晶單元2 1及保持電容2 2之其各一端共同被連接而構 成液晶單元部。在液晶單元2 1之他端被施加常用電壓 VCOM,在保持電容22之他端被施加極性每隔1H (或1F)反 轉之電位C s。像素選擇用開關2 3係分別將其1端連接至訊 號線1 6 - i,將其他端連接至液晶單元2 1及保持電容2 2之各 一端,藉著被經由掃描線1 5 - i供應之掃描訊號G AT E所驅 動,以施行對液晶單元部之類比影像訊號之寫入。 資料寫入用開關2 4係分別將其1端連接至訊號線1 6 -1,將 其他端連接至記憶體電路2 5之輸入端,藉著被經由資料寫 -10 -
1252457 入控制線28-1供應之寫入控制訊號dwGATE所驅動,以施行 對記憶體電路2 5之數位影像資料之寫入。寫入記憶體電路 2 5之數位影像資料(以下有時簡稱記憶體資料)係經由資料 讀出用緩衝器2 6被讀出。 資料讀出用開關2 7係分別將其一端連接至資料讀出用 緩衝器2 6之輸出端,將其他端連接至液晶單元2 1及保持電 容22之各一端,藉著被經由資料讀出控制線29-1供應之資 料讀出控制訊號drGATE所驅動,以施行將通過資料讀出用 缓衝器2 6而i由記憶體電路2 5被讀出之數位影像資料寫入 於液晶單元部之動作。又,電源電壓VCC MEM係經由電源 控制線3 0 - i,被供應至記憶體電路2 5。 其次’說明上述構成之像素電路之具體的電路例。 (第一電路例) 圖3係表示像素電路之第一電路例之電路圖。圖3中,在 像素電路中,除了上述掃描線1 5“,資料寫入控制線28-i, 資料讀出控制線29-i及電源控制線30-i以外,分別以列為 單位配置有施加與液晶單元2 1之對向電極之電位(對向電 位)同極性之電位C s之C s線3 1 - i、施加與電位C s逆極性之電 位X C s之X C s線3 2 -1、對記憶體電路2 5供應負電源電壓V S S 之負電源線3 3 - i。 像素選擇用開關2 3係利用閘極連接於掃描線1 5 -1,源極 連接於訊號線1 6 -1,汲極連接於液晶單元2 1及保持電容2 2 之各一端之NchTFT (以下稱像素選擇用TFT) Qnl所構 成。資料寫入用開關2 4係利用閘極連接於資料寫入控制線 1252457 ⑺ 28-1,源極連接於訊號線U-iiNchTFT (以下稱資料寫入 用TFT) Qn2所構成。 記憶體電路2 5係利用串聯連接於電源控制線3 0 -1與負電 源線33-i之間,且閘極被共同連接ipchTFTQpl及NchTFT Q η 3構成之第一反相器、與同樣地串聯連接於電源控制線 3 0 - i與負電源線3 3 - i之間,且閘極被共同連接之p c匕τ ρ τ Q ρ 2 及NchTFTQn4構成之第二反相器所構成,並呈現一方之反 相器之輸入i節點N 1連接於他方之反相器之輸出節點N2,他 方之反相器之輸入節點N3連接於一方之反相器之輸出節 點N4之SRAM(靜態隨機存取記憶體)構成 ^ λ ^ 7丨野吨。而,輸入即點 Ν1連接於TFTQn2之汲極。 資料。貝出用緩衝器2 6係利用閘極連接 %锥於記憶體電路2 5 之一方輸出節點Ν2、源極連接於Cs線31-:1之NchTFTQn5、 閘極連接於記憶體電路25之他方輸出節點N4、源極連接於 xcs線32-kNchTFT(以下稱資料讀出用tft) Qn6所構 成並呈現兩電晶體如5'如6之各沒極共同連接之構成。 資料讀出用開關27係利用問極連接於資料讀出控制線 汲 2 9-i,源極連接於電晶體Qn5、Qn6之 v 次極共同連接點 端之NchTFT(以 極連接於液晶單元2 1及保持電容2 2之各— 下稱資料讀出用TFT) Qn7所構成。 由以上說明可知,各像素電路係分別呈現具有9個電晶 體(即 ’ TFTQpl、QpRTFTQnl〜Qn7)、8條配線(即,掃 描線15-1、訊號線丨6·1、資料寫入控制線28-i、資料讀出控 制線29-i、電源控制線30”、(^線31”、 X C s線3 2 -1及負電 -12-
1252457 ⑻ 源線33-1)之構成。 其次,利用圖4〜圖6之時間圖,說明上述構成之第一電 路例之像素電路之電路動作。圖4係類比影像訊號寫入液 晶單元部時之時間圖。圖5係數位影像資料寫入記憶體電 路2 5時之時間圖。圖6係由記憶體電路2 5讀出數位影像資 料時之時間圖。
首先,利用圖4之時間圖說明類比影像訊號寫入時之動 作。在此寫入時,使掃描訊號GATE成為高位準(VDD位 準),藉此使像素選擇用TFT Qnl處於通電狀態,以便將由 訊號線驅動電路1 4 (參照圖1 )經由訊號線1 6 - i供應之類比 影像訊號,經由像素選擇用TFT Qnl寫入液晶單元21及保 持電容2 2構成之液晶單元部。
此時,使資料讀出控制訊號drGATE及資料寫入控制訊號 dwGATE均成為低位準(VSS位準),並使資料讀出用 TFTQn7及資料寫入用TFTQn2均處於斷電狀態,因此,不 會施行影像資料對記憶體電路2 5之寫入、影像資料由記憶 體電路25之讀出。至於正電源電壓VCCMEM則處於VDD位 準。 接著,利用圖5之時間圖說明數位影像資料寫入時之動 作。在此寫入時,使掃描訊號GATE成為低位準(VSS位 準),藉此使像素選擇用TFT Qnl處於斷電狀態。而,在通 常之像素選擇之時間,使資料寫入控制訊號dwGATE成為 高位準(VDD位準),藉以使資料寫入用TFT Qn2均處於通 電狀態’因此’由訊號線驅動電路1 4經由訊號線1 6 - i供應 -13 - 1252457
(9) 之數位影像資料即可經由資料寫入用T F T q n 2而寫入記憶 體電路2 5。此數位影像資料為靜止影像用之影像資料,例 如為1位元之訊號。
在此資料寫入時,所採行之順序係使記憶體電路(SRAM) 25之電源控制線30-1之正電源電壓VCC Μ EM由面板内電路 驅動電壓之V D D位準一度下降至訊號線1 6 - i之電位之V C C 位準,在資料寫入記憶體電路2 5後,使其再度上升至VDD 位準。採行此順序時,因可將記憶體保持電位維持於VD D 篆 位準,故可使記憶體電路2 5在保持資料時對於對向電位所 引起之不穩現象等賦予較高之容許範圍。
就此順序進一步詳細加以說明時,訊號線1 6 - i所供應之 影像資料之振幅(VSS-VCC)例如為0V-3 V時,在記憶體電 路25中,以該振幅,即VSS = 0V,VCCMEM = 3V保持影 像資料時,如果對向電位不穩定,所保持之資料之極性就 會反轉,因此,在記憶體電路2 5中,如以大於寫入之資料 之振幅,例如0V-7V (VDD位準)加以保持時,在資料保持 時,即可對於對向電位所引起之不穩現象等賦予較高之容 許範圍。
但,記憶體電路25之正電源電壓VCCMEM如果一直保持 VDD位準(7V),則在假設構成記憶體電路25之TFT之臨限 值電壓為Vth時,除非是7 V-Vth以上之振幅之影像資料’ 否則無法寫入記憶體電路2 5。因此,在寫入〇 V- 3 V之影像 資料之際,利用使正電源電壓VCCMEM由VDD位準(7V) 一 度下降至VCC位準(3V),使0V-3V之影像資料可輸入於VSS -14-
1252457 (10) =0V,VCCMEM = 3V之記憶體電路25,故可在其瞬間寫 入影像資料。 寫入影像資料後,使正電源電壓VCC MEM恢復VDD位準 時,即可使寫入後之影像資料之振幅由VSS-VCC移動位準 至VSS-VDD。即,記憶體電路25之保持電位成為VDD位 準,故可對於對向電位所引起之不穩現象等賦予較高之容 許範圍。
將數位影像資料寫入記憶體電路2 5後,在其次之1 Η期間 利用使資料讀出控制訊號di*GATE成為高位準,使資料讀出 用TFTQn7處於通電狀態,藉以通過資料讀出用緩衝器 (Qn5、Qn6) 2 6,由記憶體電路2 5讀出影像資料,並經由 資料讀出用TFTQn7,以像素電位寫入液晶單元部。
茲就資料讀出用TFTQn7之作用加以說明。資料讀出用 TFTQn7通電狀態時,可經由資料讀出用緩衝器26讀出保 持於記憶體電路2 5之影像資料。此時,影像資料係以高(H) 位準、低(L)位準中之一方被保持於記憶體電路25。 因此,資料讀出用緩衝器(Qn 5、Qn6) 26將由記憶體電 路2 5讀出之影像資料變換成依每1 Η (或1 F)反轉極性之電 位C s、X C s中之一方之電位,將此一定電位經由資料讀出 用TFTQn7寫入液晶單元部,以作為像素電位。故可對應 於1 Η反轉(或1 F反轉)之時間。資料寫入完畢後,資料讀出 用TFT Qn7成為斷電狀態,使資料讀出用緩衝器26之輸出 線與液晶單元部之間成為開放狀態(高阻抗狀態)。 採用以上之順序時,可使在1畫面中,例如利用2 6萬色 -15 -
1252457 (ii) (6位元)之類比影像訊號之寫入之顯示方式、與利用8色(1 位元)之記憶體資料之寫入之顯示方式並存。因此,在以 往以類比影像訊號,利用白色顯示有關8色部分之局部顯 示模態中,即可依據記憶體資料顯示8色之靜止影像。另 外,由於具有記憶體電路2 5,在顯示靜止影像之際,無必 要隨時對訊號線1 6 - 1〜1 6 - m施行充放電,故可達成低耗電 力化。
而,通常在將類比影像訊號寫入液晶單元部之後,由於 像素選擇用"rFTQnl會成為斷電狀態,故常用電壓VCOM依 每1 Η (或1 F)反轉極性時,連帶地也會使像素電位發生變 動。另一方面,在將保持於記憶體電路2 5之影像資料(記 憶體資料)寫入液晶單元部時,若無資料讀出用TFTQn7之 設置,則液晶單元部之液晶單元2 1及保持電容2 2之各一端 與電位Cs、XCs之間將會被低阻抗所連接。
因此,在利用記憶體資料顯示時,即使常用電壓VCOM 依每1 Η (或1 F)反轉極性,如同寫入類比影像訊號時一般, 像素電位也不會變動。此現象意味著成為訊號中心之常用 電壓VCOM在利用類比影像訊號顯示時與利用記憶體資料 顯示時,會發生偏移。 相對地,如本電路例所示,利用設置資料讀出用 TFTQn7,在將記憶體資料寫入液晶單元部之後,使資料 讀出用TFT Qn7成為斷電狀態時,液晶單元部與電位Cs、 XCs之間會呈現高阻抗狀態,即使在利用記憶體資料顯示 時,也與利用類比影像訊號顯示時之情形同樣地,可使像 -16- 1252457
一垂直驅動電路1 2中,與縱向連接D F F 4 1而構成之移位電 晶體之移位動作(轉送動作)同步地,依序輸出掃描訊號 GATE,同時使資料讀出控制訊號dr GATE成為’’L”位準,在 第二垂直驅動電路1 3中,使資料寫入控制訊號dwG ATE成 為”L’,位準,同時設定VDD位準,以作為正電源電壓 VCCMEM 〇 因此,在圖2所示内建記憶體之像素電路中,由於資料 寫入用開關2 4及資料讀出用開關2 7均為斷電(開)狀態,故 龜 不能施行由訊號線1 6 - i對記憶體電路2 5之影像資料之寫 入、由記憶體電路2 5對液晶單元部之記憶體資料之讀出’ 僅可通過響應於掃描訊號G AT E而成為通電(關)狀態之像 素選擇用開關2 3而將類比影像訊號以列為單位寫入液晶 單元部。 接著,利用圖1 1之時間圖,說明記憶體資料讀出時之動 作。在施行記憶體資料顯示之垂直掃描期間中,使記憶體 資料讀出控制訊號MEM1成為高位準(以下稱”H,,位準),由 其上升時間起經過1 Η後,使記憶體資料讀出控制訊號 Μ Ε Μ 2成為π Η ”位準。如此一來,在第一垂直驅動電路1 2 中,利用記憶體資料讀出控制訊號Μ Ε Μ 1,使掃描訊號 GATE成為nL”位準,並利用記憶體資料讀出控制訊號 MEM2,在1H後使資料讀出控制訊號dΓGATE成為,tH,,位準。 在資料讀出控制訊號drG ATE成為"H”位準時,資料讀出 用開關2 7成為通電狀態,故保持於記憶體電路2 5之資料 (記憶體資料)在比掃描訊號GATE之掃描時間慢1 H之時 -22 - 1252457
(18) 間,經由資料讀出用緩衝器2 6被讀出。此時,利用資料讀 出用開關2 7之作用,依每1 Η (或1 F)反轉極性之電位C s、 XCs中之一方之電位被寫入液晶單元部,以作為像素電 位。此時,在第二垂直驅動電路1 3中,並無動作上之變化。 在此,在第一垂直驅動電路1 2中,由於與縱向連接DFF 4 1而構成之移位電晶體之移位動作同步地施行像素電路 之驅動,故可利用記憶體資料讀出控制訊號Μ Ε Μ 1、Μ E Μ 2 之時間規定類比訊號寫入顯示區域與記憶體資料寫入顯 示區域之交ι界掃描線,因此,可施行類比訊號顯示與記憶 體資料顯示之共存顯示。 又,在本實施形態中,由圖1 1之時間圖可以知悉,與在 第i + 5列之掃描訊號GATE (i + 5)之產生時間相同之時間,可 產生第i + 4列之資料讀出控制訊號drGATE (i + 4)。即,可在 同一時間使第i + 5列之掃描訊號GATE (i + 5)與第i + 4列之資 料讀出控制訊號drGATE (1 + 4)成為ΠΗ”位準。 設定此種時間關係時,在記憶體資料顯示之驅動中,對 於類比訊號顯示之際之像素選擇時間,即像素資料寫入記 憶體電路2 5之時間,即使在其1 Η後施行讀出記憶體資料而 寫入於液晶單元部之動作,在由記憶體資料顯示切換至類 比訊號顯示之際,也可同時施行對第i + 4列之記憶體資料 顯示、與對第i + 5列之類比訊號顯示,故可確實施行在記 憶體資料顯示之最後1列,即第i + 4列之顯示。 最後,利用圖1 2之時間圖,說明記憶體資料寫入時之動 作。首先,在將數位影像資料寫入記憶體電路2 5之任意期 -23 - 1252457
間,使記憶體資料寫入控制訊號WE成為,,Η”位準。由於此 記憶體資料寫入控制訊號WE之時間可任意設定’故在圖 1 2之時間圖中省略其圖示。 在第二垂直驅動電路1 3中,利用使記憶體資料寫入控制 訊號W Ε成為,,Η "位準,與縱向連接D F F 6 1而構成之移位電 晶體之轉送動作同步地,依序輸出資料寫入控制訊號 dwGATE,因此,在圖2所示内建記憶體之像素電路中’由 於資料寫入用開關24為通電狀態,故可由訊號線16-i將數 位影像資料寫入記憶體電路2 5。 利用此順序可在1 F (1場)期間内,施行對記憶體電路2 5 寫入影像資料、與由記憶體電路2 5讀出影像資料。 而,在記憶體電路2 5之記憶體資料之保持電壓係面板電 路電源VDD。在對記憶體電路2 5寫入影像資料時,如前述 第一電路例之像素電路之動作說明所述,可施行使記憶體 電路25之正電源電壓VCCMEM由VDD位準一度下降至記 憶體資料電壓之V C C位準之控制。此時,為了使正電源電 壓VCCMEM由VDD位準轉移至VCC位準,因電路元件之特 性等之影響,需要相當時間。 如此,正電源電壓VCCMEM由VDD位準轉移至VCC位準 需要相當時間時,在前述之例之情形,正電源電壓 VCCMEM由7 V轉移至3 V之途中,影像資料會被輸入至記 憶體電路2 5,當時之正電源電壓V C C Μ Ε Μ例如為5 V時,資 料會變得不穩定,導致貫通電流流入記憶體電路2 5 (在圖3 之例中,為S R A Μ)。 -24-
1252457 (23) 於可縮小液晶顯示面板之額緣之部分;反之,在決定好有 效畫面尺寸時,可縮小裝置殼體8 1之型體約相當於可縮小 液晶顯示面板之額緣之部分。 又,在此,係以適用於行動電話機之情形為例加以說 明,但並非限定於此,也可適用於母子電話之子機或P D A 等全部之攜帶式終端裝置。 【發明之功效】
如以上所說明,依據本發明,由於係在具有記憶體部之 像素電路中'利用各別不同之路徑施行對記憶體部寫入數 位影像訊號、與由記憶體部讀出數位影像訊號,故在將數 位影像訊號寫入記憶體部之際,像素電位不會影響到其寫 入動作,因此,可對構成像素電路之電晶體特性差異賦予 較大之容許範圍,消除電晶體特性差異所引起之畫質之變 動。 【圖式之簡單說明】
圖1係表示本發明之一實施形態之液晶顯示裝置之全體 構成之概略區塊圖。 圖2係表示第i列i行之像素電路之構成之一例之電路圖。 圖3係表示像素電路之第一電路例之電路圖。 圖4係類比影像訊號寫入液晶單元部時之時間圖。 圖5係影像資料寫入記憶體電路時之時間圖。 圖6係由記憶體電路讀出影像資料時之時間圖。 圖7係表示像素電路之第二電路例之電路圖。 圖8係表示第一垂直驅動電路之具體的電路構成之一例 -28 -
1252457 (24) 之區塊圖。 圖9係表示第二垂直驅動電路之具體的電路構成之一例 之區塊圖。 圖1 0係表示類比訊號寫入畫面全面時之類比訊號顯示 之時間圖。 圖1 1係表示記憶體資料保持時之類比訊號顯示、記憶體 資料顯示之共存顯示之時間圖。 圖1 2係表示記憶體資料寫入時之類比訊號顯示、記憶體 資料顯示之共存顯示之時間圖。 圖1 3係表示本發明之行動電話機之構成之概略外觀圖。 圖1 4係表示輸出顯示部之顯示例之圖。 【圖式代表符號說明】 1 1…像素部(有效畫面)、1 2…第一垂直驅動電路、1 3… 第二垂直驅動電路、1 4…訊號線驅動電路、1 7…液晶顯不 面板、21...液晶單元、22…保持電容、23…像素選擇用開 關、24…資料寫入用開關、25…記憶體電路、26…資料讀 出用缓衝器、2 7 ...資料讀出用開關。 -29-
Claims (1)
1252457 拾、申請專利範圍 1 . 一種液晶顯示裝置,其特徵在於 將包含液晶單元部之多數像素電路在基板上配置成行 列狀所構成, 前述多數像素電路之各像素電路係具有: 記憶體部,其係保持數位影像訊號者; 寫入用開關,其係將由以行為單位所配線之訊號線供 應之數%影像訊號寫入前述記憶體部者;及 讀出用緩衝器,其係讀出保持於前述記憶體部之數位 影像訊號而予寫入前述液晶單元部者。 2. 如申請專利範圍第1項之液晶顯示裝置,其中前述多數像 素電路之各像素電路係包含像素選擇用開關,其係將由 前述訊號線供應之類比影像訊號與垂直掃描同步地寫入 前述液晶單元部者。 3. 如申請專利範圍第1項之液晶顯示裝置,其中前述讀出用 緩衝器係將由前述記憶體部讀出之數位影像訊號,變換 成與依每1線(或1場)反轉極性之前述液晶單元部之對向 電極同步地反轉極性之一定電位而予供應至前述液晶單 元部,以作為像素電位者。 4. 如申請專利範圍第3項之液晶顯示裝置,其中前述多數像 素電路之各像素電路係具有讀出用開關,其係在利用前 述讀出用緩衝器完成由前述記憶體部對前述液晶單元部 之數位影像訊號之寫入後,使前述讀出用緩衝器之輸出 端與前述液晶單元部之間成為高阻抗狀態者。
1252457 5. 如申請專利範圍第1項之液晶顯示裝置,其中包含 垂直驅動構件,其係以列為單位選擇驅動前述多數像 素電路之各像素電路者; 前述垂直驅動構件係包含第一、第二驅動構件,其係 分擔執行以列為單位配線於前述多數像素電路之各像素 電路之多數配線之驅動者;且將此等第一、第二驅動構 件配置於前述像素部之兩側者。 6. 如申請專利範圍第5項之液晶顯示裝置,其中前述多數像 氤 素電路之各像素電路具有: 像素選擇用開關,其係將由前述訊號線供應之類比影 像訊號與垂直掃描同步地寫入前述液晶單元部者;及 讀出用開關,其係在利用前述讀出用緩衝器完成由前 述記憶體部對前述液晶單元部之數位影像訊號之寫入 後,使前述讀出用緩衝器之輸出端與前述液晶單元部之 間成為向阻抗狀態者。 7. 如申請專利範圍第6項之液晶顯示裝置,其中前述多數配 線係將其驅動訊號供應至前述像素選擇用開關之掃描 線、將其驅動訊號供應至前述寫入用開關之寫入控制 線、將其驅動訊號供應至前述讀出用開關之讀出控制線 及控制供應至前述記憶體電路之電源電壓之電源控制 線; 前述第一驅動構件進行前述掃描線與前述讀出控制線 之驅動; 前述第二驅動構件進行前述寫入控制線與前述電源控
1252457 制線之驅動者。 8. 如申請專利範圍第7項之液晶顯示裝置,其中前述第一驅 動構件在將依據由前述記憶體電路讀出之數位影像訊號 之第一顯示模態切換至依據前述類比影像訊號之第二顯 示模態時,將在前述第一顯示模態之最終列之像素電路 之前述讀出用開關之驅動時間設定成相同於在前述第二 顯示模態之最初列之像素電路之前述像素選擇用開關之 驅動時間之時間者。 瓤 9. 如申請專利範圍第7項之液晶顯示裝置,其中前述第二驅 動構件係對前述記憶體電路供應前述像素電路所使用之 電路電源電壓,以作為保持電壓者。 1 0 .如申請專利範圍第9項之液晶顯示裝置,其中前述第二驅 動構件係使經由前述電源控制線而供應至前述記憶體電 路之電源電壓在對前述記憶體電路寫入前述數位影像訊 號時,暫時由前述電路電源電壓下降至前述訊號線之電 位,並在寫入完成後,恢復至前述電路電源電壓者。 1 1 .如申請專利範圍第1 0項之液晶顯示裝置,其中前述第二 驅動構件係使經由前述電源控制線而供應至前述記憶體 電路之電源電壓在對前述記憶體電路寫入前述數位影像 訊號時,先降低至比前述訊號線之電位更低之電位,然 後設定於前述訊號線之電位者。 12 —種攜帶式終端裝置,其特徵在於包含具有僅在晝面之 一部分區域施行影像顯示之局部顯示模態之輸出顯示 部, 1252457 作為前述輸出顯示部,使用: 液晶顯示裝置,其係包含以行列狀排列於基板上之 數像素電路,該像素電路包含液晶單元部;記憶體部 其係保持數位影像訊號者;寫入用開關,其係將由以 為單位所配線之訊號線供應之數位影像訊號寫入前述 憶體部者;及讀出用緩衝器,其係讀出保持於前述記 體部之數位影像訊號而予寫入前述液晶單元部者。 1 3 .如申請專利範圍第1 2項之攜帶式終端裝置,其中 氬 前述液晶顯示裝置包含垂直驅動構件,其係以列為 位選擇驅動前述多數像素電路之各像素電路者; 前述垂直驅動構件係包含第一、第二驅動構件,其 分擔執行以列為單位配線於前述多數像素電路之各像 電路之多數配線之驅動者;且將此等第一、第二驅動 件配置於前述像素部之兩側者。 多 行 記 憶 單 係 素 構
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